TW201347009A - 使用ｔｃｏ及可移除之保護膜製造經熱處理之經塗覆物件的方法 - Google Patents

使用ｔｃｏ及可移除之保護膜製造經熱處理之經塗覆物件的方法 Download PDF

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Abstract

用於製成一經熱處理(HT)之經塗覆物件的方法係提供的，該經塗覆物件包括一電極，在諸如下列之應用中使用：電致變色(electrochromic)(EC)窗戶、絕緣玻璃(IG)窗戶單元、光伏應用、觸控面板、電子元件，或任何其他合適的應用。此發明之某些實施例有關製成一經塗覆物件的方法，包括熱處理一基板之步驟(例如，玻璃基板)，其中該基板至少塗覆以諸如銦錫氧化物(ITO)材料或包括該者的一透明導電氧化物(TCO)層，及一上覆薄膜。在某些示範實施例中，從該TCO朝外，該上覆薄膜可能為或包括下列兩、三或四者任意之組合：(i)一吸氣及/或摻雜層(等)；(ii)一安定層(等)；(iii)一釋放層(release layer)(等)；及(iv)一氧氣阻障或阻隔層。繼之熱處理之後及/或在熱處理期間(例如，熱回火(tempering)或之類)，該保護膜可能完全地或部分地移除。其他實施例有關該HT前之經塗覆物件，或該HT後之經塗覆物件。

Description

使用TCO及可移除之保護膜製造經熱處理之經塗覆物件的方法 發明領域
此發明之某些實施例有關製成包括一電極之一經熱處理(HT)之塗覆物件的方法以在應用中使用，諸如電致變色(EC)窗戶、絕緣玻璃(IG)窗戶單元、光伏應用、觸控面板、電子元件，或任何其他合適的應用。舉例而言，此發明之某些實施例有關製成一塗覆物件的方法，包括熱處理一基板之步驟(例如，玻璃基板，諸如基於鈉-鈣-矽的玻璃基板、高溫玻璃基板、藍寶石基板或矽基板)，其中該基板在其上至少塗覆以諸如銦錫氧化物(ITO)材料或包括該者的一透明導電氧化物(TCO)層，及一上覆保護膜。在某些示範實施例中，從該TCO朝外，該保護膜可能為或包括下列兩、三或四者任意之組合：(i)一吸氣及/或摻雜層(等)；(ii)一安定層(等)；(iii)一釋放層(等)；及(iv)一氧氣阻障或阻隔層。繼之熱處理之後及/或在熱處理期間(例如，熱回火或之類)，該保護膜可能完全地或部分地移除。此發明之其他實施例有關該HT前之經塗覆物件，或該HT後之經塗覆物件。
發明背景
透明導電氧化物(TCO)薄膜材料，諸如ITO、氧化錫、氧化鎘及之類在該技藝中係為已知的。雖然有很多材料不是(a)導電性就是(b)在可見光中實質上係光學透明的，TCOs對這些所欲性質兩者展現一有用的折衷。編碼此組合性質的指標係為σdc/σopt該比率。根據電磁理論，高導電性與光學透明性係為相互排斥的性質。此係歸因於該項事實，當其係有一大密度的可用電荷載體以給予高導電性時；該進入的電磁輻射由於該游離電荷載體的趨膚效應(skin effect)或簡單地反射而消散的，假若該激態之頻率係過高以致該載體無法跟隨的話。
在諸如氧化錫與氧化銦之半導電氧化物薄膜中，良好的透明性與導電性可以藉由加入置換進入該晶格內的摻雜劑，或藉由調整該製備條件而獲得，從而獲得該材料之一受控制的非化學計量。由於該摻雜係在能隙大於3eV之一絕緣體上進行，該材料發射可見光輻射的大部分。摻雜導致兩類的透明導電氧化物(TCOs)，即p-型與n-型。二元化合物如氧化錫、氧化銦及氧化鋅係為n-型摻雜透明導電氧化物。CuAl02、CuGaO2及SrCu2O係為p-型TCO化合物。這些高性能TCOs依靠(i)二元、三元或四元合金及(ii)受控制摻雜之該事實使得其在環境條件中高溫度加工非常困難。在該技藝中其係已知的是，在該TCO上之一永久性薄介電阻障層可以改良熱加工性至約350-400 C，但這種解決方案對於大多數應用使得電接觸至該薄膜不可行的。
在許多光電子應用中普遍使用做為TCO電極者，In2O3及In2O3：SnO2(ITO之一形式)係為已知的寬能隙氧化物半導體(散裝形式(bulk form)中3.79eV)。於低濃度的外部摻雜劑(例如，SnO或Sn摻雜的氧化銦，或F摻雜的氧化錫)，電荷載體主要起因於氧空位缺陷(vacancy defect)，諸如：Oo→1/2O2+V2++2e。In2O3薄膜之錫摻雜形成ITO，舉例而言，已經使用於大幅度改良導電性，在該者中兩個錫原子與一間隙(interstitial)氧的取代形成一電中性載體，除了該內部(intrinsic)氧空位位點外。在此觀點中，歸因於該(等)摻雜劑，一TCO係為一衰退的半導體。由於晶界做為雜質片(impurity sinks)，它們係非常相關於電傳導。所以，歸因於熱處理在每單位體積中的晶界面積改變，將會引致電荷載體濃度的改變，且最終導致該薄膜在導電性中的大漂移。此外，從環境大氣到TCO薄膜內的氧氣擴散，以及在HT期間離開該TCO薄膜的外部摻雜劑，具有不利地改變σdc/σopt的效果。
然而，其係有廣泛的應用為了種種原因該透明基板據此必須在TCO沈積於其上後被熱強化的(例如，熱回火的玻璃)。玻璃係常常熱處理(HT)，諸如熱回火，為了安全及/或強化的目的。舉例而言，為了熱回火的目的，玻璃基板係常常於一高溫(等)下熱處理(例如，至少約580度，更典型地從約600-650度C)。
相應地，熟習該項技藝者將體會的是，在該技藝中對包括一電極之塗覆物件提供一熱處理(HT)的方法存在一需要，其中繼之HT之後，該電極仍然擁有足夠的導電性。對對應的塗覆物件，經熱處理及HT-前兩者，亦存在一需要。
發明概要
此發明之某些實施例有關製成包括一電極之一經熱處理(HT)之塗覆物件的方法，以在應用中使用，諸如電致變色(EC)窗戶、絕緣玻璃(IG)窗戶單元、光伏應用、電子元件，及/或任何其他合適的應用。舉例而言，此發明之某些實施例有關製成一塗覆物件的方法，包括熱處理一基板之步驟(例如，基於鈉-鈣-矽的玻璃基板、高溫玻璃基板、藍寶石基板或矽基板)，其中該基板在其上至少塗覆以諸如銦錫氧化物(ITO)材料或之類或包括該者的一透明導電氧化物(TCO)層，及一上覆保護膜。在某些示範實施例中，從該TCO朝外，該保護膜可能為或包括下列兩、三或四者任意之組合：(i)一吸氣及/或摻雜層(等)；(ii)一安定層(等)；(iii)一釋放層(等)；及(iv)一氧氣阻障或阻隔層。在某些示範較佳實施例中，至少層(iii)與層(iv)係於設置於該保護膜中。繼之熱處理之後及/或在熱處理期間(例如，熱回火或之類)，該保護膜可能完全地或部分移除地。於此，在不同示範實施例中，一層可能為連續或不連續的。此發明之其他實施例有關該HT前之經塗覆物件， 或該HT後之經塗覆物件。
在此發明之某些示範實施例中，其係提供一種製成經熱處理之塗覆物件的方法，該方法包含：熱處理一經塗覆基板，該者包含一基板、在該基板上之一透明導電氧化物(TCO)層、及在該基板上至少於該TCO層之上的一保護膜，其中該保護膜包括一釋放層與一氧氣阻隔層，其中該釋放層與該氧氣阻隔層相對於彼此係為不同的材料及/或不同的化學計量，其中該熱處理包含加熱至少該基板到至少500度C之一溫度(等)；在熱處理在其上具該TCO層與該保護膜之經塗覆基板的期間，該保護膜保護該TCO層，使得該TCO層在該熱處理期間不會損失一顯著數量的導電性及/或一顯著數量的可見光透射率；及曝露該保護膜至一釋放液(release liquid)並在該熱處理期間及/或之後至少移除部分的該保護膜。
在此發明之某些示範實施例中，其係提供一種製成經熱處理之塗覆物件的方法，該方法包含：熱處理一經塗覆玻璃基板，該者包含一玻璃基板，一包含ITO之透明導電層在該玻璃基板上、及在該玻璃基板上至少於包含ITO該層之上的一保護膜，其中該保護膜包括包含氧化鋅之一釋放層及包含金屬氮化物之一氧氣阻隔層，其中該熱處理包含加熱至少該玻璃基板到至少500度C之一溫度(等)；在熱處理在其上具包含ITO該層與該保護膜之經塗覆玻璃基板的期間，該保護膜保護包含ITO之該層，使得包含ITO之該層在該熱處理期間不會損失一顯著數量的導 電性及/或一顯著數量的可見光透射率；及在該熱處理期間及/或之後至少移除部分的該保護膜。
在此發明之某些示範實施例中，其係提供了一種經熱處理的塗覆物件，該者包含：一熱回火的玻璃基板；在該經回火玻璃基板上包含ITO的一透明導電層；且其中至少該包含ITO層的上部部分係摻雜以碳及/或氟的。
1‧‧‧基板
4、8‧‧‧介電性層
6‧‧‧導電性層
10‧‧‧底層
11、32‧‧‧TCO層
17‧‧‧保護膜
19‧‧‧吸氣及/或摻雜層
21‧‧‧安定層
23‧‧‧釋放層
25‧‧‧氧氣阻障或阻隔層
27‧‧‧額外阻隔層
30‧‧‧電致變色材料
34‧‧‧空氣間隙
36‧‧‧玻璃基板
38‧‧‧第二玻璃基板
40‧‧‧太陽能控制塗層
42、44‧‧‧介電性氮化矽及/或氮氧化矽含括層
46‧‧‧ITO導電層
圖1(a)係為根據此發明之一示範實施例的一塗覆物件在熱處理之前及之後的示意性橫截面圖。
圖1(b)係為根據此發明之一示範實施例的一塗覆物件在熱處理之前及之後的示意性橫截面圖。
圖2係為根據此發明之另一示範實施例的一塗覆物件在熱處理之前及之後的示意性橫截面圖。
圖3係為根據此發明之另一示範實施例的一塗覆物件在熱處理之前及之後的示意性橫截面圖。
圖4係為根據此發明之另一示範實施例的一塗覆物件在熱處理之前及之後的示意性橫截面圖。
圖5係為根據此發明之另一示範實施例包括圖1-4任一塗覆物件之該電致變色元件的示意性橫截面圖。
較佳實施例之詳細說明
現今更具體地參照至該等伴隨圖式，其中貫穿該數個視圖，同樣的參照數字表示同樣的部件。
從而，該詞組“該基板上”，如於此所使用，係 不限於直接與該基板接觸，因為其他層(等)可能仍然會設置在其間。同樣地，該單詞“上”如於此所使用，涵蓋直接在上與間接在上兩者。舉例而言，一層係“在”另一層或基板上，即使其他層(等)可能設置在它們之間。
此發明某些示範實施例有關可能使用熱處理(HT)製成塗覆物件的方法，其中該塗覆物件包括一塗層(一或多層)，該(等)塗層為一導電氧化物(TCO)或包括一透明導電氧化物。在某些情況下，該HT可能涉及加熱在其上具TCO的一支持基板，到至少約500度C之溫度(等)，更佳地至少約550度C，更佳地從約550至800度C，更佳地從580至800度C。特別的，此發明之某些示範實施例有關一種技術，用於允許該TCO承受此種HT而不在HT期間就導電性及/或可見光透射率而論降級的。在某些實施例中，一犧牲保護膜係於該玻璃基板上形成，在該TCO之上，以便於在HT期間保護該TCO。繼之HT，在本發明之不同實施例中，該犧牲保護膜(其中可能包括一或多層)可能會或可能不會被移除的。
此發明之某些示範實施例有關製成包括一電極之一經熱處理(HT)塗覆物件的方法，以在應用中使用，諸如電致變色(EC)窗戶、絕緣玻璃(IG)窗戶單元、光伏應用、觸控面板、OLED、電子元件、及/或任何其他合適的應用。
舉例而言，參照圖1-4，此發明之某些實施例有關製成一塗覆物件的方法，包括熱處理一基板1之步驟(例 如，基於鈉-鈣-矽的玻璃基板、高溫玻璃基板、藍寶石基板、矽基板或Ge基板)，其中該基板在其上至少塗覆以諸如銦錫氧化物(ITO)材料或之類或包括該者的一透明導電氧化物(TCO)層11，及一上覆保護膜17。該TCO(例如，ITO)層11可以從約1-30nm厚，更佳地從約2-10nm厚，且最佳地從約3-8nm厚。在圖1-4實施例任一者中，該TCO層11(例如，ITO)可以為連續的或圖案化的。在某些示範實施例中，從該TCO11朝外，該保護膜17可能為或包括下列兩、三或四者任意之組合：(i)一吸氣及/或摻雜層(等)19；(ii)一安定層(等)21；(iii)一釋放層(等)23；及(iv)一氧氣阻障或阻隔層25。在某些示範較佳實施例中，至少層23與25係設置在該保護膜17中。該保護膜17允許在該基板1上之TCO 11承受HT，諸如熱處理(例如，熱回火)一玻璃基板1，而該TCO 11繼之該HT之後仍然實現了足夠的導電性與穿透性。可選地，如圖3-4中所顯示，舉例而言，一奠基於金屬氮化物之層27可能額外提供的，在該阻隔層25之上及/或之下，以為了進一步控制氮氣物種HT的釋放，並改良HT之前儲存及運輸期間的耐久性。在HT期間，該安定層21可能擴散至並變成釋放層23的一部分，使得HT之後該釋放層21包括來自HT-前施用的安定層21材料。繼之熱處理之後及/或在熱處理期間(例如，熱回火或之類)，圖1-4之該保護膜17可能完全地或部分地移除。繼之HT，該保護膜17之二、三及/或所有層可能藉由在一低pH的水性介質中(例如，具有小於或等於約4之一pH值的水性介質) 活化該釋放層23(可能包括21)而移除。舉例而言，保護膜17之層21、23及25(伴隨層21在HT期間可能已擴散到層23，以致於現今為層23的一部分)可能藉由活化該釋放層23(可能包括21)而移除，該活化係藉由將其施加至造成該釋放層23釋放的一液體，例如水、醋及/或正磷酸(等)，從而允許及/或造成該保護膜17被移除，藉由此，在該移除之後，留下的係為該基板1與在其上之該TCO層/電極11(該者可能摻雜源自層19的C及/或F)。使用低pH液體，諸如水、醋及/或正磷酸(等)，移除保護膜之層21、23、25係如此有效，以致於在某些示範實施例中在該移除過程中係不需要毛刷的。然而，在某些示範事例中，擦刷(例如，經由旋轉諸如尼龍刷或之類的毛刷)可能使用以移除薄膜17，當以水或之類潤濕時。層11之該TCO(例如ITO)仍然處於良好的狀態，具有良好的導電性及良好的可見光透射率，繼之HT與薄膜17移除之後。於此，在不同示範實施例中，一“層”可能為連續的或不連續的；此係特別適用於吸氣及/或摻雜層19，該者可能為非常薄的，且從而在此發明之某些示範實施例中甚至在HT前為不連續。此發明之其他實施例有關該HT前之經塗覆物件，或該HT後之經塗覆物件。
在某些示範實施例中，在該保護膜17中使用獨特且不同的氧氣阻障25與釋放23(可能包括21)層之一示範優勢係為，該保護膜之每一層可以針對其預定的功能優化。在某些示範實施例中，在該保護膜17中使用獨特且不 同薄膜用於吸氣及/或摻雜(例如層19)、氧氣阻障(例如層25)、及釋放(例如，層21及/或23)之一示範優勢係為，該保護膜之每一層可以針對其預定的功能優化。在某些示範實施例中，在該保護膜17中使用獨特且至少部分不同的薄膜用於吸氣及/或摻雜(例如層19)、安定(例如層21)、氧氣阻障(例如層25)、及釋放(例如，層23及/或21)之一示範優勢係為，該保護膜之每一層可以針對其預定的功能優化。因此，該保護膜17的優化性能可能改良的，且假若所欲的話，該者可以做得更薄。
仍然參照至圖1-4，在某些示範實施例中吸氣與摻雜層19可以為或包括摻雜以諸如氟之材料的非晶形碳(a-C：F)，且可能藉由離子束沈積/植入而沈積在該TCO層11上或植入到該TCO層11內，其中在該沈積及/或植入期間，該離子源使用至少C2F6氣體(及/或其他含括碳與氟的氣體(等))。在形成期間，該離子源(未顯示的)可能使用至少C2F6氣體(及/或其他含括碳與氟的氣體(等))以次植入C及F到TCO 11內，且然後在該經植入的TCO 11上生長一aC：F薄層。該次植入部分與該上覆生長部分兩者皆視為層19之一部分，假若兩者皆發生的話，但如果僅有次植入至該TCO內而無上覆部分，然後單單該次植入材料係視為層19，但如果沒有次植入到TCO內且僅僅在該TCO之上的層生長發生，然後單單在該TCO之上的該生長材料被視為層19。層19中之碳做為一氧氣吸氣劑，以肅清在HT期間從周圍環境大氣企圖通過膜17到達該TCO的氧氣，及/或肅清 在HT期間往往會從該晶界擴散到該晶粒的多餘氧氣。與此同時，在層19中之氟(F)係做為該TCO 11在HT之前及/或之後的外部摻雜劑(意即，經由層19的沈積/植入的該ITO F-摻雜)，以改良TCO 11的導電性。在HT期間，源自層19的F擴散到該TCO 11內，以改良其之導電性(意即，降低HT後該TCO的薄片電阻)。從而，在某些示範實施例中，層19可能經由摻雜作用以吸氣非所欲的氧氣並改良該TCO 11的導電性。F摻雜該TCO 11之表面，F係為該TCO之一外部摻雜劑，從而提高外部摻雜劑(等)在該TCO中的濃度並改良導電性；而碳似乎清除多餘的氧氣且創造更多的氧氣空位，該者做為TCO 11中之內部摻雜劑。雖然吸氣/摻雜層19在HT期間實質上可能消失的(例如，擴散到該TCO內及/或可能釋放層21、23)，其係相信的是，F及一些C在HT之後在該TCO層11主體中及/或靠近該TCO層11的表面可能依舊在摻雜劑水平濃度中。從而，該吸氣/摻雜層19在此發明之不同實施例中可能會或可能不會被視為保護膜17的一部分。在圖1-4中之某些可選的示範實施例中，F可能從層19省略，而該基於碳之層19可能做為一吸氣層且該層19在某些情況下可能被氫化。舉例而言且不限於，該碳或包括碳(例如，基於DLC者)的摻雜及/或吸氣層19可能為於下列任一者中的任何含括DLC的層：美國專利第6,592,993號；第6,592,992號；第6,531,182號；第6,461,731號；第6,447,891號；第6,303,226號；第6,303,225號；第6,261,693號；第6,338,901號；第6,312,808號；第6,280,834號；第 6,284,377號；第6,335,086號；第5,858,477號；第5,635,245號；第5,888,593號；第5,135,808號；第5,900,342號；或第5,470,661號(這些專利全部特此併入於此以做為參考)，且可能如上文列出該等專利任一者中藉由離子束沈積及/或次植入而形成的。在某些情況下，氫氣亦可能在層19中提供的。在某些示範實施例中，層19可能從約5-40Å(埃)厚，更佳地從約5-25Å厚，且還更佳地從約5-20Å厚，當從該TCO 11的上表面測量時。
圖1-4之任一實施例可能包括安定層21，該者可能為或包括氮氧化鋅。雖然層21未於圖3-4中顯示，且不需要存在於所有實施例中，其可能在任何HT之前存在於圖1-4中的任一實施例中，直接在該釋放層21之下且接觸該者。為氮氧化鋅或包括氮氧化鋅之層21已經令人驚奇地發現在安定下覆的該TCO上表面並降低TCO中孔洞的形成係為有益的。該安定層21已經發現有助於防止該TCO(例如ITO)11在HT期間分解。在某些示範實施例中，該安定層21之氮氧化鋅一旦HT即擴散到該釋放層23內及/或大量地轉換成氧化鋅。從而，在HT之後及該移除步驟之前，該層堆疊可能為，或者包括TCO 11/基於ZnO之釋放層23/阻隔層25，而該安定層21之材料在HT期間已經擴散到及/或轉換為該釋放層23之部分。該含括氮氧化鋅的安定層21可能藉由於室溫濺鍍而沈積，且可能摻雜以Al(例如，從約1-15%之Al，更佳地從約2-12%之Al，且最佳地從約2-8%(原子%)之Al)。在此發明之某些示範實施例中，在 HT之前該安定層21可能從約10-120Å(埃)厚，更佳地從約10-60Å厚，且還更佳地從約10-40Å厚。
參照圖1-4之該等實施例，該層堆疊包括釋放層23，該者在某些示範實施例中可能為或包括氧化鋅。此層23(該者在HT之後可能任選還包括層21)做為HT之後之一釋放層。在此發明之某些示範實施例中，釋放層23可能為或包括ZnOy，其中“y”係小於或等於1。在某些示範實施例中，y可能從約0至0.9，更佳地從約0.1至0.9，還更佳地從約0.1至0.8，且可能從約0.1至0.7，使得層23之該氧化鋅至少在HT之前為亞化學計量的。在某些示範實施例中，為ZnOy或包括ZnOy之該釋放層23亦可能包括氮(例如，從約1-20%的氮)。有利地，其係已經發現的是，使用亞化學計量的氧化鋅基層23允許該保護膜17在熱處理(HT)期間及/或之後更有效且更容易的移除。層23與25的不同組成物係使用以造成在這些層中的不同應力，該應力係被操縱，以便使膜17在HT期間及/或之後更容易被移除。在某些示範實施例中，釋放層23較諸阻隔層25係更溶於水及/或醋中。再者，在某些示範實施例中，氧氣阻隔層25較諸釋放層23更像是對氧氣之一阻隔及/或係更堅硬。特別的，更金屬性(亞化學計量)氧化鋅奠基之釋放層23可能被視為一釋放層，用於允許該膜17在HT期間及/或之後很容易地從該TCO或基板移除，歸因於其降低或很少的氧氣含量，而該(等)上覆層25(例如，為或包括氮化鋁及/或氮化鋯者)可能被視為一氧氣阻障/阻隔層，該者降低或防止該TCO在 HT期間分解及/或損失顯著的導電性。針對層23，氧化鋅係為一有利的材料，因為其可以在HT期間及/或之後，於一無毒方式中很容易地移除(例如，使用水及/或醋)。在熱處理或HT(例如，回火)之後，該產物係曝露至一溫和的反應液體(例如，水、醋、稀釋氨水及/或漂白劑)，且該液體經由在該(等)上覆層25及/或27中之凹洞(pinholes)或晶界穿入至該釋放層23，並造成該釋放層23從該TCO 11裁減。從而，至少該釋放層23(可能包括21)及該氧氣阻隔層25及/或27在該HT之後係移除的。如上所述，層23可能為氧化鋅或包括氧化鋅的，且可能為亞化學計量。層23的此種亞化學計量特性對HT期間的氧氣吸氣目的係為有利的。假若該整個薄膜17之氧化鋅在HT之前係太氧化的(意即完全化學計量)，然後氧氣可以擴散通過該氧化鋅-但是此可能取決於該(等)可選層19及/或21之構成及/或存在而容許的。釋放層23可能的亞化學計量性質容許其中的鋅在HT期間從周圍大氣吸氣氧氣，以便於從此保護該TCO 11。亞化學計量氧化鋅之另一示範優勢(相較於完全化學計量氧化鋅)係為其可以更迅速地沈積(例如，經由於室溫濺鍍或之類)。舉例而言，一亞化學計量氧化鋅釋放層23可能使用約10ml/kW(考慮氧氣流量的含量)濺鍍沈積，而在一示範事例中一化學計量氧化鋅釋放層23可能使用約12ml/kW(伴隨剩餘部分氣體為Ar或之類的)。該氧化鋅釋放層23可能摻雜以其他材料，諸如Al、N、Zr、Ni、Fe、Cr、Ti、Mg、其等之混合物或之類，在此發明之某些示範 性實施例中。該氧化鋅釋放層23可能藉由於室溫濺鍍沈積，且可能摻雜以Al(例如，從約1-15%之Al，更佳地從約2-12%之Al，且最佳地從約2-8%(原子%)之Al，在某些示範實施例中)。在此發明之某些示範實施例中，釋放層23(例如，為或包括化學計量或亞化學計量氧化鋅)可能沈積(例如，經由濺鍍)，以便使成為從約50-20,000Å厚，更佳地從50-3,000Å厚，還更佳地從約100-1,000Å厚，伴隨一示範厚度為約300-700Å，伴隨一示範厚度為約500Å(“約”意思為+/- 5%)。
現今參照圖1-4，該層堆疊包括氧氣阻障/阻隔層25，該者在某些實施例中可能為氮化鋁(例如，ALN)或包括氮化鋁。阻隔層(等)25(例如，為氮化鋁或包括氮化鋁)可能被視為一氧氣阻障/阻隔層，該者在HT期間降低或防止該TCO 11分解及/或損失顯著的導電性。為諸如氮化鋁之材料或包括該者的該阻隔層25做為在HT期間(例如，熱回火該塗層係位於其上的該下覆玻璃基板1)氧氣擴散阻隔層，以及用於降低及/或阻障任何奠基於硫的物種從周圍大氣的侵入。在某些示範實施例中，該阻隔層25較諸釋放層23係更為金屬性，以便於改良層25相對於該釋放層23的阻隔天性。雖然氮化鋁對阻隔層25係為一較佳的材料，此發明係不如此受限，且該阻隔層25亦可能為及/或替代為諸如ZrN、SiC、SiN及/或之類的材料或包括該者。缺少該阻隔層25，該TCO(例如ITO)11將升華並損失顯著的導電性，假若經受諸如該下覆玻璃基板1之熱回火之HT。在此 發明之某些示範實施例中，阻隔層25(例如，為氮化鋁或包括氮化鋁)可能沈積(例如，經由於室溫濺鍍)，以便使成為從約50-600Å厚，更佳地從約50-400Å厚，還更佳地從約100-300Å厚，伴隨一示範厚度為約200Å(“約”意思為+/- 5%)。在某些示範實施例中，阻隔層25較諸釋放層23係更薄的，例如，至少薄約100Å，且更佳地至少薄約200Å。
在圖1-4該等實施例任一者中，一可選的底層10可能設置於至少該基板1與該TCO 11之間。在某些示範實施例中，該底層10可能為鋁氧化物或包括鋁氧化物(例如，Al2O3)，且可能對高溫安定基板1為特別有用的，諸如Si或Ge基板。或者，在此發明之其他實施例中該可選的底層10可能為其他材料(例如，氮氧化矽及/或氮化矽)或包括該者。當該基板1為一玻璃基板時，該底層10可能有助於在HT期間降低或防止氧及/或鈉(Na)從玻璃1遷移到該TCO 11。
其係有廣泛的應用為了種種原因該透明基板1(例如，玻璃基板)據此必須在TCO沈積後熱強化及/或熱回火的。對諸如熱解(pyrolitically)沈積的氧化錫TCOs，此係非一問題。然而，對其他類型之TCO，諸如濺鍍沈積的ITO，如下文解釋此係為一問題。且係有某些應用其中僅僅在HT之後該濺鍍TCO能滿足該所欲的高σdc/σopt規格。存在已知的技術可以允許ITO薄膜在空氣中的熱後加工，但它們係受限於約350 C-不如玻璃回火溫度那樣的高。這些使用薄的永久阻隔，諸如氧化錫與Si3N4。在那些新型用 途中，TCOs諸如濺鍍或FCVA(過濾陰極真空電弧)ITO特別具有一缺點：即在環境條件下(空氣)於高溫(>500Ç)熱處理之後，該TCO之電阻提高，且其之σdc/σopt在一非所欲方式中急遽地降級，使得其導電性降級。該TCO亦具有結構性改變，據此，其係粗糙的，且亦具有提高的化學攻擊傾向。此發明之某些實施例呈現一類的解決方案，該者著墨濺鍍或FCVA沈積TCO(例如ITO)於玻璃上(及其他基板，諸如藍寶石)之熱加工到非常高的溫度，甚至超越基於鈉-鈣-矽之玻璃的Tg與Ts的這個問題。我們已經找到了在一方式中製造這些薄膜的一種方法，在該方式中，它們係在空氣中於高加熱速率(高達10K/s)下沈積後熱回火達到高達600℃或更高之溫度，並達長的持續時間。此發明之某些實施例允許該TCO 11實現一回火後σdc/σopt提高，達2或更大之一商數，而該TCO之表面與整體結構的完整性係沒有顯著損害。且在HT之後，該上覆層(例如，23及/或25)的隨後移除允許該TCO 11之表面被曝露，且從而在各種電子元件中與該等後續層置於電接觸中。事實上，該TCO表面之功函數(work function)係非常接近該後沈積薄膜者。
係為相信的是，由濺鍍製造的ITO薄膜11係半穩態的(metastable)。在真空中顯著加熱的ITO薄膜11可能不維持固相(phase)。換言之，一旦HT諸如熱回火溫度，假若不保護的話，該ITO將變成過氧化的且開始分解，使得其之薄片電阻上升，且其之可見光透射率在一非所欲方式中下降。當ITO薄膜在空氣中於矽基板上加熱到極高溫度 時，以及在鈉-鈣-矽玻璃上高達630 C以上，我們對於觀察到什麼給予了一個簡要說明。先於在空氣中加熱之前，該In2O3與ITO薄膜係預設衰退的，歸因於在該薄膜中非常高濃度的缺陷。在加熱期間，熱活化氧氣擴散到該ITO薄膜引致該雙電荷(double charged)氧空位的部分補償。外部摻雜劑亦擴散到膜外。一旦HT，兩種效應在一方式中作用，以降低該ITO薄膜的導電性。此外，一旦HT，一奈米級孔隙網絡係於該ITO薄膜表面上形成，伴隨一高密度的晶界。且在該ITO與該下覆基板之間一界面固態反應發生。此反應對σdc/σopt之降級亦為關鍵的，但在矽基板與鋁矽酸鹽玻璃之事例中僅在900℃以上可能會成為一問題。藉由小心地控制層23、25之厚度以及其之組成物/密度，其係可能降低氧氣在HT期間從空氣中擴散到該TCO薄膜11內。此減緩了氧空位在該薄膜中的濃度梯度。阻隔層25亦可以防止或降低該等外部摻雜劑Sn與O離子的向外擴散。
圖1(a)係為根據此發明之一示範實施例的一塗覆物件在熱處理之前及之後的示意性橫截面圖。典型地，在圖1(a)左側上之該塗覆物件在先於熱處理(HT)之前的製造階段期間存在。在HT與移除之前，在圖1(a)中顯示的該塗覆物件包括基板1(例如，玻璃)、可選的底層10、ITO或包括ITO的TCO層11、a-C：F或包括a-C：F的吸氣/摻雜劑層19、及一可移除的犧牲保護膜，該者包括為氮氧化鋅或包括氮氧化鋅的安定層21、為氧化鋅或包括氧化鋅的釋放層23、及為氮化鋁或包括氮化鋁的阻隔層25。該底層10與 TCO(例如，ITO)11，係沈積於該基板1上，諸如藉由濺鍍。該TCO 11可能橫跨該基板1連續地提供，或可能被圖案化。使用至少Ar氣的一離子源然後可能使用以引導一離子束，包括Ar離子，至該TCO(例如，ITO)11表面上，以為了敲擊(peen)該TCO之表面(例如，500-1,000eV下使用Ar)，以緻密該TCO表面。這種藉由離子束的敲擊清理並平滑化該TCO 11之上表面，使得該表面非晶形，並移除任何多餘的氧氣，使得該被沈積的上覆層可以藉由更良好的附著於那而更佳地保護該TCO。注意的是，該TCO 11之此種Ar離子束敲擊係可施用於圖1-4於此的每一實施例。仍然參照至圖1(a)，摻雜以F的非晶形碳或包括該者的吸氣/摻雜層19然後係經由上文所述的離子束形成，且其後為氮氧化鋅或包括氮氧化鋅的安定層21、為氧化鋅或包括氧化鋅的釋放層23、及為氮化鋁或包括氮化鋁的阻隔層25濺鍍沈積於該基板1上，在ITO層11之上。圖1(a)左側上之該塗覆物件然後係經受熱處理(例如，熱回火該玻璃基板1)。至少部分的HT可能執行的，舉例而言，在包括氧氣之一大氣中，如該技藝中知悉的於從550到800度C之溫度(等)，更佳地從580至800度C。該HT可能持續至少一分鐘，更佳地從1至10分鐘，在此發明之某些示範的非限制性實施例中。在HT期間，保護膜17的存在保護該TCO 11免受HT且防止/降低TCO 11的顯著氧化。該保護膜17在HT期間如上文所述保護該TCO。如上文所解釋，在HT期間該安定層21可能擴散至並變成釋放層23的一部分，且該摻雜/吸氣層 之C與F擴散至TCO 11內。在熱處理之後，該產物係曝露至一溫和的反應液體(例如，水、醋、稀釋氨水及/或漂白劑)，且該液體經由在該(等)上覆層25及/或27中之凹洞或晶界穿入至該釋放層23，並造成該釋放層23從該TCO 11裁減。從而，至少該釋放層23(可能包括21)與該氧氣阻隔層25在該HT之後係移除的。
圖1(b)例示此發明之另一示範實施例。圖1(b)實施例係相同於上文討論之該圖1(a)實施例，除了其係強調的是，在圖1(a)該實施例中的材料係非限制性的，且其他材料可能代替地或額外地在圖1(b)之該實施例中使用。舉例而言，該TCO11可能為ITO以外的一個透明導電氧化物材料。該層19可能為一不同的材料，諸如缺少F的DLC。該釋放層23可能為氧化鋅或包括氧化鋅，或任何其他合適的材料，諸如氧化鎂。該阻隔層25可能為氮化鋁或包括氮化鋁，或任何其他合適的材料，諸如氮化鋯或氮矽化鋯。可選的額外材料施用於圖1-4每一者。
圖2例示此發明之另一示範實施例。圖2實施例係相同於圖1(a)與1(b)之實施例，除了該TCO薄膜進一步包括層4、6及8，除了該導電ITO層11。層4與8可能為介電性，且可能為氧化鋅或包括氧化鋅的，該者可能會或可能不會摻雜Al。層6可能為導電性的，且可能為Ag或Au或包括Ag或Au的。層4、6及8的加入，特別是導電層6，可能改良在圖2實施例中該TCO薄膜的導電性及/或IR反射率。像TCO層11，層4、6及8在HT及保護膜17移除之後仍然留著。 如於此之其他實施例，底層10係為可選的且不需要呈現。
圖3例示此發明之另一示範實施例。圖3實施例係相同於圖1(a)、1(b)與2之實施例，除了一額外的阻隔層27係提供為在該阻隔層25之上之一最上層。該額外阻隔層27可能為氮化鋯或包括氮化鋯。該額外的基於金屬氮化物層27(例如，氮化鋯)可能設置於該阻隔層25之上並接觸該者的，以為了進一步控制在HT期間氮氣物種的釋放，並改良HT之前儲存及運輸期間的耐久性。額外的阻隔層27係如上所述與阻隔層25一起移除的。
圖4例示此發明之另一示範實施例。圖4實施例係相同於圖1(a)、1(b)與2之實施例，除了一額外的阻隔層27係設置在該最上面的阻隔層25與該釋放層23之間並接觸兩者的。該額外的阻隔層27可能為氮化鋯或包括氮化鋯。該額外的基於金屬氮化物層27(例如，氮化鋯)可能設置於該阻隔層25之下並接觸該者的，以為了進一步控制在HT期間氮氣物種的釋放，並改良HT之前儲存及運輸期間的耐久性。額外的阻隔層27係如上所述與阻隔層25一起移除的。額外的阻隔層27(例如，為氮化鋯或包括氮化鋯)，在圖3及4中每一實施例中，可能沈積(例如，經由在室溫濺鍍)，以便使成為從約50-600Å厚，更佳地從約50-400Å厚，還更佳地從約100-300Å厚，伴隨一示範厚度為約200Å(“約”意思為+/- 5%)。
根據此發明之某些示範實施例，於此之單片(monolithic)塗覆物件歸因於HT損失不超過其約15%的可 見光透射率，更佳地不超過約10%。於此之單片塗覆物件在HT之後較佳地具有至少約50%的一可見光透射率，更佳地至少約60或75%。再者，在某些示範實施例中，TCO 11歸因於HT損失不超過其約20%的導電性，更佳地不超過約10%。
圖5係為包括圖1-4任一者之該經塗覆物件的一電致變色(EC)元件的橫截面圖，根據此發明之一示範實施例，其中該TCO 11在HT之後係使用做為用於該EC材料30之一電極。圖5之該電致變色元件(例如，窗戶)包括，從外部的大氣之外向內朝向建築物內部：經熱處理(例如，熱回火)之玻璃基板1；TCO(例如，ITO)層11；電致變色材料30；TCO(例如，ITO、基於氧化錫或基於氧化鋅者)32，該者係為另一電極，經由該者電壓係橫跨該EC材料30施加的；一空氣間隙34，其可能會或可能不會填滿諸如氬氣之一氣體；低-E塗層36，其包括至少一IR反射層，該者為Ag或包含Ag的，且係夾在至少該第一與第二介電層之間，係用來阻障IR進入建築物內部；第二玻璃基板38；及在該基板38表面上面向建築內部之一基於ITO的太陽能控制塗層40。該基於ITO的太陽能控制塗層40，在一些實施例中，可能包括介電性氮化矽及/或氮氧化矽含括層42、44，該二者在其間夾有至少一透明的ITO導電層46。在EC塗層製造中，浮式玻璃1首先切成一定尺寸且回火，並在其後塗覆以該EC材料。具有一可回火的TCO 11，諸如具一可移除的保護與熱阻隔膜的一ITO，有利的允許塗覆以11之玻璃1的庫 存片(stock sheets)運送到任何回火設施，在那裡它可以於一不需要線上回火能力的EC塗佈機加工成正確的大小。
在此發明之某些示範性實施例中，其係提供一種用於製成一經熱處理之經塗覆物件的方法，該方法包含：熱處理一經塗覆基板，該者包含一基板、在該基板上之一透明導電氧化物(TCO)層、及在該基板上至少於該TCO層之上的一保護膜，其中該保護膜包括一釋放層與一氧氣阻隔層，其中該釋放層與該氧氣阻隔層相對於彼此係為不同的材料及/或不同化學計量的，其中該熱處理包含加熱至少該基板到至少500度C之溫度(等)；在熱處理在其上具備該TCO層與該保護膜之塗覆基板期間，該保護膜保護該TCO層，使得該TCO層在該熱處理期間不會損失一顯著數量的導電性及/或一顯著數量的可見光透射率；及曝露該保護膜至一釋放液並在該熱處理期間及/或之後至少移除部分的該保護膜。
在前一段之該方法中，該基板可以為一玻璃基板。
在前面任二段之該方法中，該TCO層可以包含，或本質上由銦錫氧化物(ITO)所組成。
在前面任三段之該方法中，該釋放層可以包含，或本質上由氧化鋅所組成。
在前面任四段之該方法中，該阻隔層可以包含，或本質上由氮化鋁所組成。
在前面任五段之該方法中，該釋放層可以包含 氧化鋅，且該阻隔層可以包含氮化鋁。
在前面任六段之該方法中，該釋放層可以包含鋅之一次氧化物，使得該釋放層至少在先於該加熱之前為亞化學計量。
在前面任七段之該方法中，至少先於該熱處理之前，該釋放層可以包含ZnOy，其中“y”係從約0.1至0.9。
在前面任八段之該方法中，在該保護膜中，先於該熱處理之前，該釋放層較諸該阻隔層可以更為金屬性。
在前面任九段之該方法中，該熱處理可以包含加熱至少該基板到至少580度C之溫度(等)。
在前面任十段之該方法中，先於該熱處理之前，該經塗覆基板可以進一步包含位於至少該釋放層與該TCO層之間之一安定層。該安定層可能包含氮氧化鋅。
在前面任十一段之該方法中，先於該熱處理之前，該塗覆物件可以進一步包含介於至少該釋放層與該TCO層之間之一吸氣及/或摻雜層。該吸氣及/或摻雜層可能包含C及F中至少一者，較佳地C及F兩者，藉由此，其在該熱處理期間吸氣氧氣，並有助於該TCO層摻雜F以改良導電性。
在前面任十二段之該方法中，該方法可以包括先於該熱處理之前植入C及/或F離子到該TCO層內。
在前面任十三段之該方法中，該方法可以包含先於該熱處理之前經由一離子束植入F離子到該TCO層內。
在前面任十四段之該方法中，該釋放液可以包 含水及/或醋。
在前面任十五段之該方法中，該塗覆物件可以實質上為透明的，且繼之該熱處理之後，該TCO層可以在一電子元件中提供做為一電極。
在前面任十六段之該方法中，在該移除之後，至少部分之該TCO層可以曝露的，以使其為該塗覆物件之最外層。
在前面任十七段之該方法中，該阻隔層可以包含，或本質上由氮化鋯所組成。
在前面任十八段之該方法中，該保護膜可以進一步包括一層其包含直接位於該阻隔層之下或直接位於其上的氮化鋯。
在前面任十九段之該方法中，該經塗覆基板可以進一步包含位於該基板與該TCO之層之間的一底層。
在前面任二十段之該方法中，該經塗覆基板可以進一步包含至少一層其包含位於該TCO層與該基板之間的銀。
在前面任二十一段之該方法中，該基板可以為一半導體基板。
在此發明之某些示範實施例中，其係提供製成一經熱處理塗覆物件的方法，該方法包含：熱處理一經塗覆玻璃基板，該者包含一玻璃基板，一包含ITO之透明導電層在該玻璃基板上、及在該玻璃基板上至少於包含ITO該層之上的一保護膜，其中該保護膜包括包含氧化鋅之一 釋放層及包含金屬氮化物之一氧氣阻隔層；在熱處理在其上具備該包含ITO之層與該保護膜之經塗覆基板的期間，該保護膜保護包含ITO之該層，使得包含ITO之該層在該熱處理期間不會損失一顯著數量的導電性及/或一顯著數量的可見光透射率；及在該熱處理期間及/或之後至少移除部分的該保護膜。
在前一段之該方法中，該熱處理可以包含加熱至少該玻璃基板到至少500度C之溫度(等)。
在前面任二段之該方法中，該阻隔層可以包含，或本質上由氮化鋁所組成。
在前面任三段之該方法中，該釋放層可以本質上由任選地摻雜鋁的氧化鋅所組成。
在前面任四段之該方法中，該釋放層可以包含鋅之一次氧化物，使得該釋放層至少在先於該加熱之前為亞化學計量。
在前面任五段之該方法中，至少先於該熱處理之前，該釋放層可以包含ZnOy，其中“y”係從約0.1至0.9。
在前面任六段之該方法中，在該保護膜中，先於該熱處理之前，該釋放層較諸該阻隔層可以更為金屬性。
在前面任七段之該方法中，該熱處理可以包含加熱至少該玻璃基板到至少580度C之溫度(等)。
在前面任八段之該方法中，先於該熱處理之前，該經塗覆基板可以進一步包含位於至少該釋放層與該包含ITO層之間之一安定層。該安定層可能包含氮氧化鋅。
在前面任九段之該方法中，先於該熱處理之前，該塗覆物件可以進一步包含介於至少該釋放層與該包含ITO層之間之一吸氣及/或摻雜層。該吸氣及/或摻雜層可能包含C及F中至少一者，較佳地C及F兩者，藉由此，其在該熱處理期間吸氣氧氣，並有助於該TCO層摻雜F以改良導電性。
在前面任十段之該方法中，該方法可以包括先於該熱處理之前植入C及/或F離子到該包含ITO之層內。
在前面任十一段之該方法中，該方法可以包含先於該熱處理之前經由一離子束植入F離子到該包含ITO層的至少上部部分內。
在前面任十二段之該方法中，一包含水及/或醋之釋放液可以在移除至少部分的該保護膜中使用。
在前面任十三段之該方法中，在該移除之後，至少部分之該TCO層可以曝露的，以使其為該塗覆物件之最外層。
在前面任十四段之該方法中，該阻隔層可以包含，或本質上由氮化鋯所組成。
在前面任十五段之該方法中，該保護膜可以進一步包括一層其包含直接位於該阻隔層之下或直接位於其上的氮化鋯。
在前面任十六段之該方法中，該經塗覆基板可以進一步包含位於該玻璃基板與該包含ITO之層之間的一底層。
在前面任十七段之該方法中，該經塗覆基板可以進一步包含至少一層其包含位於該包含ITO層與該基板之間的銀。
在此發明之某些示範實施例中，其係提供一經熱處理的塗覆物件，該者包含：一熱回火玻璃基板；一在該回火玻璃基板上、包含ITO之透明導電層；且其中至少在包含ITO該層之上部部分係摻雜以碳及/或氟。
在前一段的該塗覆物件中，至少該包含ITO層的上部部分可以含有從約0.1至15%的氟，更佳地從約0.1至10%的氟，且最佳地從約0.5至7%的氟(原子%)。
在前面任二段的該塗覆物件中，至少該包含ITO層的上部部分可以含有從約0.1至15%的碳，更佳地從約0.1至10%的碳，且最佳地從約0.5至7%的碳(原子%)。
雖然本發明已結合目前被認為是最實用且較佳的實施例說明的，其應不言而明的是，本發明係不限於該等揭露的實施例，相反地，意欲涵蓋包括在所附的申請專利範圍之精神與發明範圍之內的各種修飾及等同配置。
1‧‧‧基板
10‧‧‧底層
11‧‧‧透明導電氧化物(TCO)層
17‧‧‧保護膜
19‧‧‧吸氣及/或摻雜層
21‧‧‧安定層
23‧‧‧釋放層
25‧‧‧氧氣阻障或阻隔層

Claims (29)

  1. 一種用於製成一經熱處理之經塗覆物件的方法，該方法包含：熱處理一經塗覆基板，該經塗覆基板包含一基板、在該基板上之一透明導電氧化物(TCO)層、及在該基板上至少於該TCO層之上的一保護膜，其中該保護膜包括一釋放層(release layer)與一氧氣阻隔層，其中該釋放層與該氧氣阻隔層相對於彼此係為不同的材料及/或不同的化學計量，其中該熱處理包含加熱至少該基板到至少500度C之溫度；在熱處理於其上具該TCO層與該保護膜之經塗覆基板的期間，該保護膜保護該TCO層，使得該TCO層在該熱處理期間不會損失一顯著量的導電性及/或一顯著量的可見光透射率；曝露該保護膜至一釋放液(release liquid)並在該熱處理期間及/或之後移除至少部分的該保護膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係為玻璃基板。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該TCO層包含銦錫氧化物(ITO)。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該釋放層包含氧化鋅。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該阻隔層包含氮化鋁。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該釋放層包含氧化鋅且該阻隔層包含氮化鋁。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該釋放層包含Zn之一次氧化物，使得該釋放層至少在先於該加熱之前為亞化學計量(substoichiometric)。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，先於該熱處理之前，該釋放層包含ZnOy，其中“y”係從約0.1至0.9。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，在該保護膜中，先於該熱處理之前，該釋放層較該阻隔層係更為金屬性。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該熱處理包含加熱該基板到至少580度C之溫度。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，先於該熱處理之前，該經塗覆基板進一步包含位於至少該釋放層與該TCO層之間之一安定層。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該安定層包含氮氧化鋅。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，先於該熱處理之前，該塗覆物件進一步包含介於至少該釋放層與該TCO層之間之一吸氣及/或摻雜層。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該吸氣及/或摻雜層包含C及F中至少一者。
  15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該吸氣及/或摻雜層在該熱處理期間包含C及F，吸氣氧氣並有助於以F摻雜該TCO層以改良導電性。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含先於該熱處理之前植入C及/或F離子到該TCO層內。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含先於該熱處理之前經由一離子束植入F離子到該TCO層內。
  18. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該釋放液包含水及/或醋。
  19. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該塗覆物件實質上係透明的，且繼之該熱處理之後，該TCO層係在一電子元件中提供做為一電極。
  20. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該移除步驟之後，至少部分之該TCO層係曝露的，以使其為該塗覆物件之最外層。
  21. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該阻隔層包含氮化鋯。
  22. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護膜進一步包括一層其包含直接位於該阻隔層之下或直接位於其之上的氮化鋯。
  23. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該經塗覆基板進一步包含位於該基板與該TCO層之間的一底層。
  24. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該經塗覆基板進一步包含位於該TCO層與該基板之間之包含銀的層。
  25. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係為一半導體基板。
  26. 一種用於製成一經熱處理之塗覆物件的方法，該方法包含：熱處理一經塗覆玻璃基板，該該經塗覆玻璃基板包含一玻璃基板，一包含ITO之透明導電層在該玻璃基板 上、及在該玻璃基板上至少於該包含ITO層之上的一保護膜，其中該保護膜包括包含氧化鋅之一釋放層及包含金屬氮化物之一氧氣阻隔層；在熱處理在其上具包含ITO該層與該保護膜之經塗覆基板的期間，該保護膜保護包含ITO之該層，使得包含ITO之該層在該熱處理期間不會損失一顯著量的導電性及/或一顯著量的可見光透射率；及在該熱處理期間及/或之後至少移除部分的該保護膜。
  27. 一種經熱處理的經塗覆物件，該經塗覆物件包含：一熱回火玻璃基板；一在該經回火玻璃基板上、包含ITO之透明導電層；及其中至少在包含ITO該層之上部部分係以碳及/或氟摻雜。
  28. 如申請專利範圍第27項之塗覆物件，其中至少在包含ITO該層之上部部分含有從約0.1至15%的氟(原子%)。
  29. 如申請專利範圍第27項之塗覆物件，其中至少在包含ITO該層之上部部分含有從約0.1至15%的碳(原子%)。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9038419B2 (en) * 2012-06-08 2015-05-26 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of making heat treated coated article using carbon based coating and protective film
KR20160031903A (ko) * 2014-09-15 2016-03-23 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
DE102015107085A1 (de) * 2015-05-06 2016-11-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und Sauerstoffkorrelierte thermische Donatoren enthaltende Halbleitervorrichtung
US9850570B2 (en) * 2015-07-06 2017-12-26 Intevac, Inc. Ion implantation for modification of thin film coatings on glass
EP3446178A4 (en) 2016-04-19 2020-01-22 Sage Electrochromics, Inc. ELECTROCHROMIC DEVICE COMPRISING A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER AND AN OMNIBUS BAR AND ITS FORMING METHOD
CA3026244A1 (en) * 2016-06-01 2017-12-07 View, Inc. Sacrificial layer for electrochromic device fabrication
US11623433B2 (en) 2016-06-17 2023-04-11 View, Inc. Mitigating defects in an electrochromic device under a bus bar
EP3525843B1 (en) 2016-10-11 2020-10-21 Phillips-Medisize A/S Auto injector with automated reconstitution
US20210204366A1 (en) * 2017-04-18 2021-07-01 Saint-Gobain Glass France Pane having heatable tco coating
EP3682295B1 (en) 2017-09-12 2023-09-06 Sage Electrochromics, Inc. Non-light-emitting variable transmission device and a method of forming the same
EP3467144B1 (en) * 2017-10-06 2020-06-03 VKR Holding A/S Vacuum insulated glazing unit
US10731403B2 (en) 2017-10-06 2020-08-04 Vkr Holding A/S Vacuum insulated glazing unit
US10611679B2 (en) 2017-10-26 2020-04-07 Guardian Glass, LLC Coated article including noble metal and polymeric hydrogenated diamond like carbon composite material having antibacterial and photocatalytic properties, and/or methods of making the same
CN111499217A (zh) * 2020-04-27 2020-08-07 惠州市煜耀玻璃有限公司 一种ito导电玻璃的制备方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4439463A (en) * 1982-02-18 1984-03-27 Atlantic Richfield Company Plasma assisted deposition system
JPS62287513A (ja) 1986-06-04 1987-12-14 株式会社リコー 透明導電膜およびその製造方法
US5180690A (en) * 1988-12-14 1993-01-19 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming a layer of doped crystalline semiconductor alloy material
US5527596A (en) * 1990-09-27 1996-06-18 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
US5135808A (en) 1990-09-27 1992-08-04 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
FR2672884B1 (fr) * 1991-02-20 1993-09-10 Saint Gobain Vitrage Int Couche protectrice sur un substrat conducteur.
US5470661A (en) 1993-01-07 1995-11-28 International Business Machines Corporation Diamond-like carbon films from a hydrocarbon helium plasma
US5888593A (en) 1994-03-03 1999-03-30 Monsanto Company Ion beam process for deposition of highly wear-resistant optical coatings
US5756192A (en) * 1996-01-16 1998-05-26 Ford Motor Company Multilayer coating for defrosting glass
US5900342A (en) 1996-04-26 1999-05-04 Eastman Kodak Company Photoconductive element having an outermost layer of a fluorinated diamond-like carbon and method of making the same
US5858477A (en) 1996-12-10 1999-01-12 Akashic Memories Corporation Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon
US6461731B1 (en) 1999-05-03 2002-10-08 Guardian Industries Corp. Solar management coating system including protective DLC
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6280834B1 (en) 1999-05-03 2001-08-28 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC and/or FAS on substrate
US6335086B1 (en) 1999-05-03 2002-01-01 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6312808B1 (en) 1999-05-03 2001-11-06 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating with DLC & FAS on substrate
US6261693B1 (en) 1999-05-03 2001-07-17 Guardian Industries Corporation Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass
US6447891B1 (en) 1999-05-03 2002-09-10 Guardian Industries Corp. Low-E coating system including protective DLC
US6284377B1 (en) 1999-05-03 2001-09-04 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6303225B1 (en) 2000-05-24 2001-10-16 Guardian Industries Corporation Hydrophilic coating including DLC on substrate
AU2002305393A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-18 General Atomics O2 and h2o barrier material
US6902813B2 (en) 2001-09-11 2005-06-07 Cardinal Cg Company Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers
US6770321B2 (en) 2002-01-25 2004-08-03 Afg Industries, Inc. Method of making transparent articles utilizing protective layers for optical coatings
US7267880B2 (en) * 2003-06-17 2007-09-11 Cardinal Cg Company Presence indicator for removable transparent film
US7150849B2 (en) 2003-11-04 2006-12-19 Guardian Industries Corp. Heat treatable coated article with diamond-like carbon (DLC) and/or zirconium in coating
US20070029186A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Alexey Krasnov Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using inorganic protective layer during tempering and product made using same
US7746534B2 (en) * 2006-12-07 2010-06-29 Gentex Corporation Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements
US20120040160A1 (en) 2007-01-29 2012-02-16 Guardian Industries Corp. Method of making heat treated and ion-beam etched/milled coated article using diamond-like carbon (dlc) protective film
US7964238B2 (en) 2007-01-29 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Method of making coated article including ion beam treatment of metal oxide protective film
US8071166B2 (en) 2007-01-29 2011-12-06 Guardian Industries Corp. Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (DLC) coating and protective film
US8132426B2 (en) 2007-01-29 2012-03-13 Guardian Industries Corp. Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (DLC) coating and protective film
US7914857B2 (en) * 2007-01-29 2011-03-29 Guardian Industries Corp. Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (DLC) coating and protective film with oxygen content of protective film based on bending characteristics of coated article
FR2946335B1 (fr) 2009-06-05 2011-09-02 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
FR2963342B1 (fr) 2010-07-27 2012-08-03 Saint Gobain Procede d'obtention d'un materiau comprenant un substrat muni d'un revetement
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