TW201346976A - 具有來自單一ｒｆ功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源（二） - Google Patents

具有來自單一ｒｆ功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源（二） Download PDF

Info

Publication number
TW201346976A
TW201346976A TW102114363A TW102114363A TW201346976A TW 201346976 A TW201346976 A TW 201346976A TW 102114363 A TW102114363 A TW 102114363A TW 102114363 A TW102114363 A TW 102114363A TW 201346976 A TW201346976 A TW 201346976A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coil
impedance
current
coil antenna
reactor
Prior art date
Application number
TW102114363A
Other languages
English (en)
Inventor
Leonid Dorf
Shahid Rauf
Jonathan Liu
Jason A Kenney
Andrew Nguyen
Kenneth S Collins
Kartik Ramaswamy
Steven Lane
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/836,890 external-priority patent/US9111722B2/en
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201346976A publication Critical patent/TW201346976A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

一種電感耦合電漿反應器具有三個同心線圈天線及分流器電路，該電漿反應器藉由改變分流器電路內的兩個可變阻抗元件來個別地控制三個線圈天線中之每一者內的電流，此控制回應於接收自使用者介面的線圈天線之間的所欲電流分配。

Description

具有來自單一RF功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源(二) 【相關專利申請案之交叉引用】
本申請案主張由Leonid Dorf等人於2013年4月16日提出申請之標題為「THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR」之美國申請案第13/863,614號之優先權，美國申請案第13/863,614號係由Leonid Dorf等人於2013年3月15日提出申請之標題為「THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR」之美國申請案第13/836,890號的部分連續案，該美國申請案第13/836,890號主張由Leonid Dorf等人於2012年4月24日提出申請之標題為「THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR」之美國臨時申請案第61/637,468號之權益。
本發明係關於具有來自單一RF功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源。
積體電路製造中半導體晶圓尺寸最近的成長使得獲得經處理之晶圓表面上各處之電漿製程速率的所欲均勻度更加困難。舉例而言，製程速率可為蝕刻速率或沉積速率。用於處理直徑300mm晶圓的電漿處理工具使用一對同心線圈(線圈天線)，亦即內層線圈與外層線圈，以控制製程速率的徑向分佈之均勻性。應用於不同線圈的RF功率位準經選擇以抵消不均勻性。對於直徑450mm的晶圓，發明者認為需要三個單獨供電的RF線圈。單獨調整傳遞至三個不同線圈的不同RF功率位準將提供更加細微的均勻性控制。全部三個線圈需要阻抗匹配。問題在於阻抗匹配之操作及傳遞至不同線圈的不同功率位準之控制為不可預測的，以及因三個線圈之間及線圈與電漿之間的內部諧振及互感而錯綜複雜。相關問題在於改變三個不同功率位準以試圖改良均勻性可使得系統進入諧振模式，在諧振模式中會產生電漿不穩定性。諧振亦造成線圈及線圈電路元件上出現非常高的RF電壓，此結果可引起電弧。
一種用於處理工件之電漿反應器，該電漿反應器包括RF功率產生器、耦接至RF功率產生器之阻抗匹配及具有各別從動末端與返回末端的三個線圈天線，該等返回末端連接至共同電位。三個分流器支路耦接於阻抗匹配與線圈天線之各別線圈的從動末端之間，三個分流器支路中的一對支路包含各別的可變阻抗元件。提供使用者介面。電流分配控制器控制該對分流器支路之可變阻抗元件的阻抗，此控制回應於在使用者介面處界定的三個線圈天線之電流的所欲分配。
在一個實施例中，電流分配控制器包含檢查表，該檢查表儲存可變阻抗元件之成對阻抗值序列。成對值序列界定線性程式化序列。在一個實施例中，使用者介面經調適以沿著該路徑記錄使用者選擇點及傳送此使用者選擇點至電流分配控制器。
在一個實施例中，成對值序列在二維空間內界定路徑，該路徑之維度為可變阻抗元件之阻抗值。在相關實施例中，路徑包括：(a)參考點，在該參考點處三個線圈天線內之電流至少近似相等，(b)第一點，在該第一點處該等線圈天線中之第一線圈天線內之電流相對於該等線圈天線中之第二線圈天線及第三線圈天線內之電流接近最大值，(c)第二點，在該第二點處第二線圈天線內之電流相對於第一線圈天線及第三線圈天線內之電流接近最大值，及(d)第三點，在該第三點處第三線圈天線內之電流相對於第一線圈天線及第二線圈天線內之電流接近最大值。
在一個實施例中，分配控制器包含：(a)記憶體，該記憶體含有表示三個線圈天線內相對於總電流之各別電流的資料，此等各別電流作為可變阻抗元件值的函數，及(b)處理器，該處理器用於根據資料決定可變阻抗元件之阻抗值，在該等值處三個線圈天線內的各別電流至少幾乎對應於所欲分配。
根據另一態樣，本發明提供一種個別地控制在電漿反應器之三個線圈天線內經由RF阻抗匹配自RF產生器提供的電流之方法。該方法包括以下步驟：(a)在阻抗匹配與線圈天線的各別線圈之間提供各別的分流器支路，至少兩個分流器支路中之每一者包含各別的可變阻抗元件；(b)提供包含第一方程式組以及第二方程式組之模型，該第一方程式組根據線圈天線及反應器內電漿之相應部分的互感界定分流器支路內的電壓下降，該第二方程式組根據該等互感界定電漿之相應部分內的電壓下降；(c)解算第一方程式組及第二方程式組，獲得線圈天線內相對於總電流之電流，該等電流作為至少兩個分流器支路內之可變阻抗元件之阻抗值的三維函數；及(d)關聯對應於函數的資訊至線圈天線內之使用者界定的電流分配。
在該方法之一個實施例中，關聯之步驟包含以下步驟：(a)在該等函數中搜尋空間內之各別點，該等各別點表示可變阻抗元件之成對值，在該等各別點處線圈天線之各別線圈的線圈電流呈最大；(b)界定線性程式化路徑，該線性程式化路徑包括各別點；及(c)使得使用者能夠選擇在線性程式 化路徑上之位置以控制可變阻抗元件之阻抗值。
在相關實施例中，關聯之步驟進一步包含以下步驟：在該等函數中搜尋可變阻抗元件之一組阻抗值，該組阻抗值對應於線圈天線之間的電流分配，該電流分配至少幾乎接近於使用者界定的分配。
根據又一態樣，本發明提供一種個別地控制在電漿反應器之三個線圈天線內經由RF阻抗匹配自RF產生器提供的電流之方法。該方法包括以下步驟：(a)在阻抗匹配與線圈天線的各別線圈之間提供各別的分流器支路，至少兩個分流器支路包含各別的可變阻抗元件；及(b)關聯對應於線圈天線電流的資訊至線圈天線內之使用者界定的電流分配，該等線圈天線電流作為可變阻抗元件之阻抗值的三維函數。
在一個實施例中，關聯之步驟包含以下步驟：(a)界定空間內的各別點，該等各別點表示可變阻抗元件之成對值，在該等各別點處線圈天線之各別線圈中的線圈天線電流呈最大；(b)界定線性程式化路徑，該線性程式化路徑包括各別點；及(c)使得使用者能夠選擇在線性程式化路徑上之位置以控制可變阻抗元件之阻抗值。
100‧‧‧真空腔室
102‧‧‧側壁
102a‧‧‧圓柱形介電窗口
104‧‧‧腔室頂板
104a‧‧‧碟形介電窗口
106‧‧‧腔室底板
108‧‧‧支撐基座
110‧‧‧工件支座
112‧‧‧工件支座表面
114‧‧‧電極
116‧‧‧工件/晶圓
120‧‧‧外層線圈天線
122‧‧‧中間線圈天線
124‧‧‧內層線圈天線
126‧‧‧外層天線區域
126'‧‧‧外層天線區域
128‧‧‧中間天線區域
128'‧‧‧中間天線區域
130‧‧‧內層天線區域
130'‧‧‧內層天線區域
140‧‧‧RF偏壓功率產生器
142‧‧‧RF偏壓阻抗匹配
150‧‧‧RF源功率產生器
152‧‧‧RF阻抗匹配/匹配調諧電路
154‧‧‧匹配調諧電路
156‧‧‧匹配控制器
158‧‧‧駐波比偵測器
160‧‧‧控制器
160a‧‧‧外層天線輸出
160b‧‧‧中間天線輸出
160c‧‧‧內層天線輸出
161‧‧‧功率輸入
162‧‧‧分流器
162-1‧‧‧支路
162-2‧‧‧支路
162-3‧‧‧支路
164‧‧‧處理器
166‧‧‧可變阻抗控制器
166-1‧‧‧第一控制器
166-2‧‧‧第二控制器
166a‧‧‧控制器
166b‧‧‧控制器
170‧‧‧數學模型
172‧‧‧方程式解算機
176‧‧‧參數路徑處理器
174-1‧‧‧記憶體
174-2‧‧‧記憶體
174-3‧‧‧記憶體
180‧‧‧檢查表
182‧‧‧使用者介面
190‧‧‧步驟
192‧‧‧步驟
194‧‧‧步驟
196‧‧‧步驟
198‧‧‧步驟
200‧‧‧搜尋處理器
300‧‧‧阻抗元件
301‧‧‧阻抗元件
302‧‧‧阻抗元件
303‧‧‧阻抗元件
304‧‧‧阻抗元件
305‧‧‧阻抗元件
因此，可詳細理解所獲得的本發明之示範性實施例之方式，可參照實施例獲得上文簡要概述之本發明之更特定描述，一些實施例圖示於隨附圖式中。應瞭解，為了不模糊本發明，本文並未論述某些熟知的製程。
第1A圖、第1B圖及第1C圖描述根據一個實施 例之電漿反應器。
第2圖係描述第1A圖之三埠控制器之實施例的示意性方塊圖。
第3A圖係描述第1A圖之阻抗匹配之一個實施例的內部結構的示意性圖式。
第3B圖係描述第2圖之三埠控制器之一個實施例的內部結構的示意性圖式。
第4圖係描述第2圖之三埠控制器之處理器之實施例的架構的示意性方塊圖。
第5圖描述在第4圖之處理器中使用的模型之互感矩陣。
第6圖描述與三個RF線圈天線對準的三個電漿區段之界定，該界定用於模型化第5圖之矩陣中的電漿元件。
第7圖圖示外層線圈電流相對於全部三個線圈中的總電流之實例，該外層線圈電流作為第3B圖之分流器中之兩個可變電容器值的三維函數。
第8圖圖示中間線圈電流相對於全部三個線圈中的總電流之實例，該中間線圈電流作為第3B圖之分流器中之兩個可變電容器值的三維函數。
第9圖圖示內層線圈電流相對於全部三個線圈中的總電流之實例，該內層線圈電流作為第3B圖之分流器中之兩個可變電容器值的三維函數。
第10圖描述用於程式化及操作可程式化路徑處理器之方法。
第11圖係描述界定純量程式化參數的線性程式化路徑之圖表，該純量程式化參數用於第4圖之處理器之一個實施例中。
第12A圖係描述外層線圈中相對於全部三個線圈中的總電流的電流之圖表，該電流作為沿著第10圖之程式化路徑的位置的函數。
第12B圖係描述中間線圈中相對於全部三個線圈中的總電流的電流大小之圖表，該電流大小作為沿著第10圖之程式化路徑的位置的函數。
第12C圖係描述內層線圈中相對於全部三個線圈中的總電流的電流之圖表，該電流作為沿著第10圖之程式化路徑的位置的函數。
第13圖係第4圖之處理器之替代實施例之示意性方塊圖，該替代實施例使用搜尋操作替代線性程式化路徑。
第14圖描述第1A圖之實施例之變型，在該變型中最外層的線圈天線係側面線圈天線。
第15圖係描述第3B圖之三埠控制器之一般形式的簡化方塊圖，三埠控制器可配置為各種可操作類型，第3B圖中之三埠控制器對應於該等類型中的一個。
第16圖係描述第15圖之可操作類型中的另一個的方塊圖。
第17圖係描述第15圖實施例之變型的方塊圖，在該等變型中併入一或更多個可選串聯阻抗元件。
為了促進理解，在可能的情況下，使用相同元件 符號指代諸圖共用之相同元件。應理解，一個實施例之元件及特徵可有利地併入其他實施例而無需贅述。然而，應注意，隨附圖式僅圖示出本發明之示範性實施例，且因此該等圖式不欲視為本發明範疇之限制，因為本發明可允許其他同等有效之實施例。
參看第1A圖及第1B圖，一種電漿反應器包括真空腔室外殼100，該真空腔室外殼100包括圓柱形側壁102、碟形頂板104及腔室底板106。支撐基座108延伸穿過底板及固持工件支座110，該工件支座110具有工件支座表面112及內部工件支座電極114，該內部工件支座電極114在工件支座表面112下方且與工件支座表面112絕緣。平面工件116(諸如半導體晶圓、光微影遮罩、用於電漿顯示器的前驅物或太陽能電池陣列)可固持於支座表面112上用於電漿處理。三個(或三個以上)RF線圈天線120、122、124安置於頂板104上方，對準各別的同心圓形(環形)區域126、128、130(第1C圖)，該等同心圓形(環形)區域與腔室外殼100之對稱軸同軸。
在一個實施例中，RF偏壓功率產生器140經由RF偏壓阻抗匹配142耦接至工件支座電極114。
RF源功率產生器150具有輸出端子及返回端子，該輸出端子經由RF阻抗匹配152耦接至三埠控制器160，該返回端子連接至RF接地。阻抗匹配152由匹配調諧電路154及根據駐波比(standing wave ratio；SWR)偵測器158之輸 出調控匹配調諧電路154的匹配控制器156組成，該駐波比偵測器158安置於RF源功率產生器150之輸出上或與RF源功率產生器150之輸出串聯。SWR偵測器158量測前向功率或電壓與反射功率或電壓之間的比率，以及(例如)可為諸如雙向耦合器之習知RF裝置。三埠控制器160具有三個輸出160a、160b及160c，該三個輸出分別地耦接至三個RF線圈120、122及124。如下文將描述，在輸出160a、160b及160c處提供的電流係可相對於總電流單獨調節。
參看第2圖，三埠控制器160包括耦接於阻抗匹配152之輸出與輸出160a、160b及160c之間的可變電抗分流器162。如下文將詳細描述，可變電抗分流器162包括複數個可變電抗元件(第2圖中未圖示)，諸如可變電容器或可變電感器，調整該等可變電抗元件來控制在三個輸出160a、160b及160c處的電流分配。此調整回應於使用者對三個RF線圈天線120、122及124間電流分配的偏好在處理器164的控制下執行。如下文將詳細描述，處理器164可將使用者對三個電流分配的偏好轉變成可變電抗分流器162之可變電抗的特定值。可變電抗控制器166可將由處理器164提供的特定可變電抗值轉換為相應指令，該等指令在可變電抗分流器162中產生所欲電抗值。舉例而言，可變電抗元件可為具有步進馬達的電容器，該等步進馬達藉由指令調控。在最實際之實施例中，使用者可藉由遵循預先建立的涵蓋幾乎所有的可能性的線性程式化路徑來控制可變電抗，如此說明書中隨後將描述。
在第3A圖中描述匹配調諧電路154之實施例及在第3B圖中描述可變電抗分流器162之實施例。第3A圖之匹配調諧電路154包括可變負載電容器C1，該可變負載電容器C1在RF源功率產生器150與三埠控制器160之功率輸入161之間與串聯電感器L1ser串聯連接。並聯電感器L1par連接跨越負載電容器C1與電感器L1ser之串聯組合。匹配調諧電路154進一步包括可變調諧電容器C2，該可變調諧電容器C2經由串聯電感器L2耦接於RF產生器150之輸出端子與RF接地之間。
可變電抗分流器162具有三個並聯支路162-1、162-2及162-3，該三個並聯支路在功率輸入161與三個輸出160a、160b及160c之間耦接至各別的RF線圈120、122及124。第一支路162-1沒有離散阻抗元件且簡單為實際上提供直流電短路之導體。第二支路162-2由與中間線圈122串聯連接的串聯電抗元件及與中間線圈122並聯連接的並聯可變電抗元件組成。在第二支路162-2之圖示實施例中，串聯電抗元件係電容器C21，而並聯可變電抗元件係可變電容器C22。類似地，第三支路162-3由與內層線圈124串聯連接的串聯電抗元件及與內層線圈124並聯連接的並聯可變電抗元件組成。在第三支路162-3之圖示實施例中，串聯電抗元件係電容器C31，而並聯可變電抗元件係可變電容器C32。在第3B圖之實施例中，可變電抗控制器166包括第一控制器166-1及第二控制器166-2，該第一控制器166-1將接收自處理器164的第一電容值轉變成針對可變電容器C22的指令，該第二控制器 166-2將接收自處理器164的另一電容值轉變成針對可變電容器C32的指令。
在第4圖之實施例中，處理器164可視情況包括：包括可變電抗分流器162之系統之數學模型170；以及方程式解算機172，該方程式解算機172經調適以運用習知數值方法解答組成數學模型170之聯立方程式。結果儲存於檢查表中，如下文將描述。檢查表可用以獲得針對可變電容器C22及C32的最佳值，以實現不同線圈之間所欲的電流分配。隨著電漿狀態(尤其是壓力)的變化，使用儲存於檢查表中的結果預測的值精確度減小。但是由使用者運用如下描述之方法可補償適度的不精確，不用重做涉及模型之計算。然而，若電漿情況發生顯著或根本變化，則必須基於電漿狀態(例如，腔室壓力)的最新值從模型中獲得一組新的結果(使用習知數值方法以解答組成數學模型170之聯立方程式)。隨後更新檢查表。
根據分流器162及電漿之拓撲導出數學模型170，且為如下所示：
V C 為在功率輸入161處的電壓。
前述模型係基於包括複合項 e iωt 之電流函數，使得全部電流函數 I i 及 I p 實際上為相應的複合振幅。對於任何電流函數，對應於此函數的實際電流由 Re{I i e iωt } 給出。解算模型170之有用結果係三個線圈電流之大小|I i |，其中i=1、2、3，簡單地以粗體表示為I 1 、I 2 、I 3 。
在第5圖中描述矩陣M，且矩陣M跨對角線對稱，以及為了簡化起見，在第5圖中僅描述對角線下半部分。在前述模型中，矩陣M中的非對角線元素為在三個RF線圈120、122及124與各別線圈下三個圓形/環形區域126、128及130下的反應器腔室100中的三個電漿區段之間的互感。矩陣對角線上的元素係自感的。在第6圖中描述電漿劃分成三個相應的實心區段126'、128'及130'。M中的矩陣元素之下標表示如下所述的互相耦接之元件：三個線圈120、122及124分別對應下標1、2及3；三個電漿區段126'、128'及130'分別對應下標4、5及6。基於反應器之幾何形狀計算每一矩陣元素。接著，電漿阻抗Z p 取決於含有電漿的腔室內之壓力。
方程式(1)表示可歸因於第一線圈120中的電流及涉及第一線圈120的互感導致之電壓降。方程式(2)表示可歸因於第二線圈122中的電流及涉及第二線圈122的互感導致之電壓降。方程式(3)表示可歸因於第三線圈124中的電流及涉及第三線圈124的互感導致之電壓下降。方程式(4)以壓 縮方式表示可歸因於通過電漿區段126'、128'及130'的個別電流及涉及各別電漿區段的互感導致之電壓降。
方程式(4)實際上係三個方程式，一個針對下標p的每一個值，範圍從4到6，對應於三個電漿區段126'、128'及130'。在方程式(4)中，Z p 係複合電漿阻抗且由電漿阻抗R p 計算，如下：Z p =R p (1+jω/ν)
其中j=(-1)1/2，ω係RF源功率產生器150之角頻率，且ν係電漿內之平均電子碰撞頻率。根據習知原理，每一電漿區段之電漿阻抗R p 及碰撞頻率ν由電漿狀態決定。詳言之，碰撞頻率ν由含有電漿的腔室之壓力決定。因此，複合電漿阻抗係壓力的函數。若使用腔室壓力的精確值決定電漿阻抗R p ，則模型提供精確的結果，且可繼續使用該模型直至處理器164感測到腔室壓力發生顯著的變化。當彼情況發生時，必須根據電漿狀態(例如，壓力)的最新值更新模型之方程式及解算該等方程式。處理器164可使用耦接至腔室或在腔室內部的壓力感測器(未圖示)監控腔室壓力，以決定是否需要更新模型。
現再次參看第4圖，在一個實施例中，方程式解算機172經調適以解算三個線圈電流的模型170之聯立方程式，獲得兩個可變電容器C22及C32的值的三個二維函數I 1 、I 2 及I 3 。三個線圈電流函數經正規化至穿過全部三個線圈的總電流且分別表示為I 1 '、I 2 '、I 3 '。因此，I i '=I i /[I 1 +I 2 +I 3 ]
針對下標i=1-3的每一個值。每個二維函數I 1 '、I 2 '、I 3 '儲存於各別的記憶體174-1、174-2及174-3中。在第7圖、第8圖及第9圖之諸圖表中分別描述儲存於記憶體174-1、174-2及174-3中的二維函數I 1 '、I 2 '及I 3 '之工作實例。在第7圖、第8圖及第9圖之每一者中，藉由標記為C22(縱軸)及C32(水平軸)之雙軸來界定平面且平面可稱為(C22,C32)平面或二維(C22,C32)空間。在正交於(C22,C32)平面的軸上描述第7圖至第9圖之每一圖表中之線圈電流的大小。
第7圖、第8圖及第9圖演示本發明之顯著的態樣，亦即僅需要兩個可變電容器C22及C32來實現三個線圈電流I 1 '、I 2 '及I 3 '幾乎所有可能的分配。涵蓋此大範圍分配之能力部分應歸於特徵化第7圖至第9圖之每一圖表中之峰值的相對遞增斜率。
一個問題在於如何容易地發現針對C22及C32的電容值對(從全部可能的組合中)，該等電容值提供由使用者指定的I 1 '、I 2 '及I 3 '之準確(或近乎準確)的分配。在第一實施例中藉由參數路徑處理器176解決了此問題。參看第10圖，可藉由軟體或藉由操作人員實施參數路徑處理器176，步驟如下：在二維(C22,C32)空間內找到三個各別的點P1、P2及P3，在該等各別的點處I 1 '、I 2 '及I 3 '中的各別值為最大(第10圖之方塊190)。在二維(C22,C32)空間內找到點P0，在此點處，至少近似地I 1 '=I 2 '=I 3 '(第10圖之方塊192)。接著，在二維(C22,C32)空間內建立線性程式化路徑，該路徑包括全部四個點P0、P1、P2及P3(第10圖之方塊194)。較佳地，點對 P0、P1、P2及P3之間的路徑段係直線。使用者可藉由改變僅一個的參數來沿著預先建立的線性程式化路徑改變C22及C32，直至找到I 1 '、I 2 '及I 3 '所欲的分配(例如，藉由試誤法)。使用者可能需要脫離程式化路徑以獲得最佳結果，尤其若在自模型產生檢查表之後，用於實施模型的電漿操作狀態(例如，腔室壓力)已經改變的情況下如此。
在另一實施例中，參數路徑處理器176使用二維函數I 1 '、I 2 '及I 3 '以在沿著線性程式化路徑的連續點處計算I 1 '、I 2 '及I 3 '的相應離散值及將該等值儲存於檢查表180中，作為沿著線性程式化路徑處理器之位置的函數(第10圖之方塊196)。在一個實施例中，在操作期間，藉由定址具有由使用者介面182提供的I 1 '、I 2 '及I 3 '之所欲值之離散集合的檢查表可迅速找到C22及C32之所欲值(第10圖之方塊198)。
在第11圖中描述之線性程式化路徑之一實例位於(C22,C32)平面，以及該線性程式化路徑之實例對應第7圖至第9圖之每一圖表中峰值的位置。在第7圖至第9圖之每一者中，相同的線性程式化路徑疊加於(C22,C32)平面上。第12A圖、第12B圖及第12C圖分別係第4圖中檢查表180關於I 1 '、I 2 '及I 3 '的內容的圖解表示。針對第11圖中沿著線性程式化路徑的每一位置(第12A圖至第12C圖之水平軸)，給出I 1 '、I 2 '及I 3 '之各別者之相應的離散值(縱軸)。
在一個實施例中，一旦第11圖中線性程式化路徑之表示儲存於檢查表180中，可禁用或移除處理器164之其他組件，以及完全控制僅需要檢查表180，除非或直至顯著 地改變操作狀態或反應器幾何形狀。因此，在一非常經濟的實施例中，以先前參考方塊190-196描述之方式在工廠內程式化檢查表180。隨後，移除處理器164中除檢查表180以外之組件，以及裝運反應器。藉由提供不同的檢查表可調節處理狀態的變化，已經根據不同的處理狀態程式化該等不同的檢查表。
第13圖描述相關實施例，在該實施例中未使用線性程式化路徑。作為替代，第13圖中處理器164包括搜尋處理器200，以替代第4圖之可程式化路徑處理器176。第13圖中的搜尋處理器200經調適以在儲存於記憶體174-1、174-2及174-3中的三個二維函數中搜尋來找到C22及C32的一對值，該對值提供一組最近似所欲值的I 1 '、I 2 '及I 3 '的離散值，該等所欲值由使用者介面182指定。使用者介面182可藉由參考製程速率分佈資訊來促進I 1 '、I 2 '及I 3 '之離散值之分配選擇。此資訊可揭露製程速率分佈中不均勻的圖案，使得使用者(或智慧型機器)能夠藉由選擇三個線圈電流之補償圖案來抵消已察覺的不均勻圖案。
在一個實施例中，一旦記憶體174-1、174-2及174-3內的資料增加(populated)，為了更經濟的實施，可移除或禁用組件170及172。可將此反應器與儲存於記憶體174-1、174-2及174-3內的一組表格一起傳遞，以促進一系列腔室操作狀態及/或腔室幾何形狀及/或電源幾何形狀。
可將諸如電感器或電阻器之額外阻抗元件(未圖示)與第3圖中任一可變或固定電容器C21、C22、C31及/或 C32組合，以例如實施上文參考第1A圖至第13圖描述之實施例。
第14圖描述第1A圖之實施例之變型，在該變型中外層線圈120環繞側壁102。在第14圖中，外層線圈120可位於頂板104之平面下。舉例而言，側壁102可包括圓柱形介電窗口102a且頂板104可包括碟形介電窗口104a。
第15圖係描述第3B圖之分流器162之一般形式的示意性簡化方塊圖。在此說明書中，分流器162的三個支路162-1、162-2及162-3被稱作分流器支路。在第15圖中，三個分流器支路162-1、162-2及162-3中之每一者皆描述為具有通用串聯阻抗元件及並聯阻抗元件。因此，第一分流器支路162-1包括串聯阻抗元件Z11及並聯阻抗元件Z12，第二分流器支路162-2包括串聯阻抗元件Z21及並聯阻抗元件Z22，且第三分流器支路162-3包括串聯阻抗元件Z31及並聯阻抗元件Z32。每一阻抗元件Z11、Z12、Z21、Z22、Z31及Z32包括電容器且可視情況包括諸如電感器或電阻器之額外元件。
界定第15圖中可操作類型的一組規則如下：
規則1：三個分流器支路162-1、162-2及162-3中之至少兩者必須各自具有至少一個可變阻抗元件，及有限非零阻抗之串聯阻抗元件。在一些狀況下，可變阻抗元件及串聯阻抗元件可為相同的元件。
規則2：規則1中的兩個可變阻抗元件必須皆為並聯阻抗元件(亦即，兩個可變阻抗元件必須為Z12、Z22及Z32中的任 兩者)，或者皆為串聯阻抗元件(亦即，兩個可變阻抗元件必須為Z11、Z21及Z31中的任兩者)。
規則3：並聯阻抗元件(亦即，Z12、Z22及Z32)不可為短路。
規則4：若具有可變阻抗元件之分流器支路的數目恰好為兩個，且若可變阻抗元件為串聯阻抗元件(亦即，若可變阻抗元件為Z11、Z21及Z31中的任兩者)，則剩餘支路必須具有有限非零串聯阻抗元件。
界定第15圖中可操作類型的一組替代或經調整之規則如下：
規則A：三個分流器支路162-1、162-2及162-3中至少兩個必須各自具有至少一個可變阻抗元件及一個有限非零阻抗之串聯阻抗元件，且在本文被稱作「可調諧分流器支路」。在一些狀況下，可變阻抗元件及串聯阻抗元件可為相同的元件。
規則B：規則A中的兩個可變阻抗元件不必皆為並聯阻抗元件(例如，Z12、Z22及Z32中的任兩者)，或不必皆為串聯阻抗元件(例如，Z11、Z21及Z31中的任兩者)，既然如此，在一些狀況下，該兩個可變阻抗元件中的一者可為並聯阻抗元件，而另一者可為串聯阻抗元件。
規則C：並聯阻抗元件(亦即，Z12、Z22及Z32)不可為短路。
規則D：若如規則A中界定之可調分流器支路數目恰好為兩個，且若至少一個可變阻抗元件為串聯阻抗元件(亦即， Z11、Z21及Z31中的任一者)，則剩餘支路必須具有一個有限非零串聯阻抗元件。
第3B圖中分流器162係可操作的類型，符合界定第15圖中可操作類型之前述規則，在該分流器中Z11=0(係短路)，Z12=∞(係斷路)，且Z22及Z32係可變阻抗元件。
在第16圖中描述另一可操作類型，在該類型中串聯阻抗元件Z11、Z21及Z31均為非零有限阻抗且該等串聯阻抗元件中的兩者係可變的，及在該類型中並聯阻抗元件(Z12、Z22及Z32)為除了零之外的任何阻抗值(包括無窮大)。在第16圖之特定實例中，兩個可變阻抗元件係Z21及Z31。
如本文所使用，術語「分流器支路」或「電流支路」指代遵守上述規則之一組三個分流器支路中之每一者。
在上文界定的可操作類型之每一者中，分流器支路中至少兩者具有可變阻抗元件，由第15圖之控制器166a、166b之各別的控制器控制該可變阻抗元件。
在上文界定的可操作類型之每一者中，各個分流器支路162-1、162-2、162-3耦接於匹配調諧電路152的輸出與線圈天線的各別線圈之間。在第15圖之實施例中，此耦接係自匹配調諧電路152至各個分流器支路162-1、162-2、162-3的直接連接。第17圖描述一等效實施例，在該實施例中匹配調諧電路152至各個分流器支路162-1、162-2、162-3之耦接係間接的且經由中介串聯阻抗300、301及/或302實現耦接，以及在該實施例中各個分流器支路162-1、162-2、162-3至各別線圈天線之耦接係間接的且經由中介串聯阻抗303、304及 /或305實現耦接。在此說明書中定義術語「之間」，以使得各個分流器支路162-1、162-2、162-3耦接於匹配調諧電路152與各別線圈天線「之間」，不管是否存在串聯阻抗300、301、302、303、304或305之任一者。串聯阻抗300、301、302、303、304或305中之每一者可包括電容器、電感器或電阻器。
儘管上文所述係針對本發明之實施例，但是可在不脫離本發明之基本範疇的情況下設計出本發明之其他及進一步實施例，且由以下申請專利範圍決定本發明之範疇。
152‧‧‧匹配調諧電路
160‧‧‧控制器
160a‧‧‧外層天線輸出
160b‧‧‧中間天線輸出
160c‧‧‧內層天線輸出
161‧‧‧功率輸入
162‧‧‧分流器
162-1‧‧‧支路
162-2‧‧‧支路
162-3‧‧‧支路
164‧‧‧處理器
166‧‧‧可變阻抗控制器
166a‧‧‧控制器
166b‧‧‧控制器
182‧‧‧使用者介面

Claims (20)

  1. 一種用於處理一工件之電漿反應器，包含：一RF功率產生器及一阻抗匹配，該阻抗匹配耦接至該RF功率產生器；三個線圈天線，該等線圈天線具有各別的從動末端及返回末端，該等返回末端連接至一共同電位；三個分流器支路，耦接於該阻抗匹配與該等線圈天線之各別線圈的該等從動末端之間，該三個分流器支路中一對支路之每一者包含一各別的可變阻抗元件；以及一電流分配控制器，該電流分配控制器回應於該三個線圈天線之間的一使用者規定的電流分配而控制該對分流器支路之該等可變阻抗元件之阻抗。
  2. 如請求項1所述之反應器，其中該電流分配控制器包含：一檢查表，該檢查表儲存該等可變阻抗元件之一成對阻抗值序列。
  3. 如請求項2所述之反應器，其中該成對值序列界定一線性程式化序列。
  4. 如請求項3所述之反應器，其中該使用者介面經調適以沿著該路徑記錄一使用者選擇點及傳送該使用者選擇點至該電流分配控制器。
  5. 如請求項3所述之反應器，其中該成對值序列在一二維空間內界定一路徑，該路徑之維度為該等可變阻抗元件之該等阻抗值。
  6. 如請求項5所述之反應器，其中該路徑包括：一參考點，在該參考點處該三個RF線圈天線內之電流至少近似相等，一第一點，在該第一點處該等線圈天線中的一第一線圈天線內之電流相對於該等線圈天線中的一第二線圈天線及一第三線圈天線內之電流接近一最大值，一第二點，在該第二點處該第二線圈天線內之電流相對於該第一線圈天線及該第三線圈天線內之電流接近一最大值，以及一第三點，在該第三點處該第三線圈天線內之電流相對於該第一線圈天線及該第二線圈天線內之電流接近一最大值。
  7. 如請求項1所述之反應器，其中該分配控制器包含：一記憶體，含有表示該三個線圈天線內相對於總電流之各別電流的資料，該等電流作為該等可變阻抗元件的值的函數；一處理器，用於自該資料決定該等可變阻抗元件的該等阻抗值，在該等阻抗值處該三個線圈天線內的該等各別電流至少幾乎對應於該使用者規定的分配。
  8. 一種個別地控制在一電漿反應器之三個線圈天線內經由一RF阻抗匹配自一RF產生器提供的電流之方法，該方法包含以下步驟：在該阻抗匹配與該等線圈天線的各別線圈之間提供各別的分流器支路，該等分流器支路中之至少兩個分流器支路之每一者包含一各別的可變阻抗元件；提供包含一第一方程式組以及一第二方程式組的一模型，該第一方程式組根據該等線圈天線及該反應器內之一電漿之相應部分的互感界定該等分流器支路內的電壓下降，該第二方程式組根據該等互感界定該電漿之該等相應部分內的電壓下降；解算該第一方程式組及該第二方程式組，獲得該等線圈天線內相對於總電流之電流，該等電流作為該至少兩個電流分流器支路內之該等可變阻抗元件之阻抗值的三維函數；關聯對應於該等函數的資訊至該等線圈天線內之一使用者界定的電流分配。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該關聯之步驟包含以下步驟：在該等函數中搜尋一空間內之各別點，該等各別點表示該等可變阻抗元件之成對值，在該等各別點處線圈電流對於該等線圈天線之各別線圈呈最大； 界定一線性程式化路徑，該線性程式化路徑包括該等各別點；藉由控制根據該位置的該等可變阻抗元件之阻抗值回應於在該線性程式化路徑上一位置之一使用者選擇。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該關聯之步驟包含以下步驟：在該等函數中搜尋該等可變阻抗元件之一組阻抗值，該組阻抗值對應於該等線圈天線之間的一電流分配，該電流分配至少幾乎接近於一使用者界定的分配。
  11. 一種個別地控制在一電漿反應器之三個線圈天線內經由一RF阻抗匹配自一RF產生器提供的電流之方法，該方法包含以下步驟：在該阻抗匹配與該等線圈天線的各別線圈之間提供各別的分流器支路，該等分流器支路中之至少兩者包含一各別的可變阻抗元件；關聯對應於線圈天線電流的資訊至該等線圈天線內之一使用者界定的電流分配，該等線圈天線電流作為該等可變阻抗元件之阻抗值的三維函數。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該關聯之步驟包含以下步驟： 界定一空間內的各別點，該等各別點表示該等可變阻抗元件之成對值，在該等各別點處線圈天線電流對於該等線圈天線中之各別線圈呈最大；界定一線性程式化路徑，該線性程式化路徑包括該等各別點；藉由控制根據該位置的該等可變阻抗元件之阻抗值回應於在該線性程式化路徑上一位置之一使用者選擇。
  13. 一種用於處理一工件之電漿反應器，包含：一RF功率產生器及一阻抗匹配，該阻抗匹配耦接至該RF功率產生器；三個線圈天線，該等線圈天線具有各別的從動末端及返回末端，該等返回末端連接至一共同電位；一對分流器支路，每一分流器支路包含各別的串聯阻抗元件及並聯阻抗元件，該對分流器支路中之每一者的該串聯阻抗元件具有一除了零或無窮大以外的阻抗值且該串聯阻抗元件耦接於該阻抗匹配與該等線圈天線中之一各別線圈的該從動末端之間，該對分流器支路中之每一者的該並聯阻抗元件具有一除了零以外的阻抗值且該並聯阻抗元件與該等線圈天線中之一各別線圈並聯耦接；一第三分流器支路，耦接於該阻抗匹配與該三個線圈天線中之一第三線圈天線的該從動末端之間；以及一電流分配控制器，該電流分配控制器回應於對接收自該使用者介面的該三個線圈天線之一使用者規定的電流分配 而控制(a)該對分流器支路之該等串聯阻抗元件的阻抗，或者控制(b)該對分流器支路之該等並聯阻抗元件的阻抗。
  14. 如請求項13所述之反應器，其中該電流分配控制器包含：一檢查表，該檢查表儲存該第一可變阻抗元件及該第二可變阻抗元件之一成對阻抗值序列。
  15. 如請求項14所述之反應器，其中該成對值序列界定一線性程式化序列。
  16. 如請求項15所述之反應器，其中該使用者介面經調適以沿著該路徑記錄一使用者選擇點及傳送該使用者選擇點至該電流分配控制器。
  17. 如請求項15所述之反應器，其中該成對值序列在一二維空間內界定一路徑，該路徑之維度為該等可變阻抗元件之該等阻抗值。
  18. 如請求項17所述之反應器，其中該路徑包括：一參考點，在該參考點處該三個RF線圈天線內之電流至少近似相等，一第一點，在該第一點處該等線圈天線中的一第一線圈天線內之電流相對於該等線圈天線中的該第二線圈天線及該第三線圈天線內之電流接近一最大值， 一第二點，在該第二點處該第二線圈天線內之電流相對於該第一線圈天線及該第三線圈天線內之電流接近一最大值，以及一第三點，在該第三點處該第三線圈天線內之電流相對於該第一線圈天線及該第二線圈天線內之電流接近一最大值。
  19. 如請求項13所述之反應器，其中該分配控制器包含：一記憶體，含有表示該三個RF線圈天線內相對於總電流之各別電流的資料，該等電流作為該等可變阻抗元件的值的函數；一處理器，用於自該資料決定該等可變阻抗元件的該等值，在該等值處該三個線圈天線內的該等各別電流至少幾乎對應於該使用者規定的分配。
  20. 如請求項13所述之反應器，其中該三個線圈天線係同心的且其中該三個線圈天線中之一最外層線圈天線包含一側面線圈天線，且該反應器包含一圓柱形側窗，該側面線圈天線安置於該側窗周圍。
TW102114363A 2012-04-24 2013-04-23 具有來自單一ｒｆ功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源（二） TW201346976A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261637468P 2012-04-24 2012-04-24
US13/836,890 US9111722B2 (en) 2012-04-24 2013-03-15 Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US13/863,614 US9082591B2 (en) 2012-04-24 2013-04-16 Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201346976A true TW201346976A (zh) 2013-11-16

Family

ID=49379473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102114363A TW201346976A (zh) 2012-04-24 2013-04-23 具有來自單一ｒｆ功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源（二）

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9082591B2 (zh)
TW (1) TW201346976A (zh)
WO (1) WO2013162962A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811331B (zh) * 2018-04-10 2023-08-11 美商應用材料股份有限公司 具有拆分窗的微波電漿源

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10271416B2 (en) 2011-10-28 2019-04-23 Applied Materials, Inc. High efficiency triple-coil inductively coupled plasma source with phase control
US9111722B2 (en) * 2012-04-24 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9082591B2 (en) * 2012-04-24 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9449794B2 (en) 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US9928987B2 (en) 2012-07-20 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed
US10249470B2 (en) 2012-07-20 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US10131994B2 (en) 2012-07-20 2018-11-20 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with top coil over a ceiling and an independent side coil and independent air flow
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
KR102130061B1 (ko) 2013-03-15 2020-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매우 대칭적인 4-폴드 가스 주입부를 갖는 플라즈마 반응기
JP6177012B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-09 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置
KR101522891B1 (ko) * 2014-04-29 2015-05-27 세메스 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
US10249479B2 (en) * 2015-01-30 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Magnet configurations for radial uniformity tuning of ICP plasmas
CN107134400B (zh) * 2016-02-26 2019-02-22 中微半导体设备(上海)有限公司 一种控制方法、射频功率分配器以及icp设备
CN107134401A (zh) * 2016-02-26 2017-09-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种控制方法、射频功率分配器以及icp设备
KR102015381B1 (ko) 2017-03-29 2019-08-29 세메스 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11521828B2 (en) 2017-10-09 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source
US10600618B2 (en) 2018-08-07 2020-03-24 Semes Co., Ltd. Plasma generation apparatus, substrate treating apparatus including the same, and control method for the plasma generation apparatus
JP7417569B2 (ja) * 2021-10-29 2024-01-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6164241A (en) 1998-06-30 2000-12-26 Lam Research Corporation Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
JP2002008996A (ja) 2000-06-23 2002-01-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 給電アンテナ及び給電方法
US6462481B1 (en) * 2000-07-06 2002-10-08 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6685798B1 (en) 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6694915B1 (en) 2000-07-06 2004-02-24 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6409933B1 (en) 2000-07-06 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6414648B1 (en) 2000-07-06 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US7294563B2 (en) * 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
US6939434B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US7223676B2 (en) * 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US7430984B2 (en) * 2000-08-11 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements
WO2002084698A1 (en) 2001-04-13 2002-10-24 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with controllable power distribution
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US7422654B2 (en) * 2003-02-14 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US20040182319A1 (en) 2003-03-18 2004-09-23 Harqkyun Kim Inductively coupled plasma generation system with a parallel antenna array having evenly distributed power input and ground nodes
US8169185B2 (en) * 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
US7520999B2 (en) * 2006-05-03 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with dynamic adjustment of the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another
JP5231308B2 (ja) * 2009-03-31 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5728482B2 (ja) * 2009-09-25 2015-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 誘導結合プラズマリアクタ内での高効率ガス解離のための方法及び装置
US9111722B2 (en) * 2012-04-24 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9082591B2 (en) * 2012-04-24 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811331B (zh) * 2018-04-10 2023-08-11 美商應用材料股份有限公司 具有拆分窗的微波電漿源

Also Published As

Publication number Publication date
US9082591B2 (en) 2015-07-14
WO2013162962A1 (en) 2013-10-31
US20130278142A1 (en) 2013-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201346976A (zh) 具有來自單一ｒｆ功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源（二）
TW201346975A (zh) 具有來自單一ｒｆ功率產生器的個別地控制的線圈電流的三線圈式電感耦合電漿源（一）
KR102188339B1 (ko) 복수의 스테이션들에서 웨이퍼 보우 제어
KR102418494B1 (ko) 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 걸쳐 임피던스들 또는 전력을 조정하기 위한 결합기 및 분배기
JP6272808B2 (ja) 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積
KR101322361B1 (ko) 플라즈마 반응기내의 이온 밀도, 이온 에너지 분포 및 이온해리의 독립적 제어 방법
US20150053644A1 (en) Methods for Selectively Modifying RF Current Paths in a Plasma Processing System
TW201344742A (zh) 使用具有二維調諧空間之射頻回傳路徑可變阻抗控制器之電漿處理
CN1957437A (zh) 包括响应dc偏压控制的真空等离子体处理器
CN109412574B (zh) 一种射频电源的功率传输方法
US20150087157A1 (en) Electromagnetic dipole for plasma density tuning in a substrate processing chamber
CN107017178A (zh) 用于低功率电压模式操作的周期平均的频率调谐
WO2021257130A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
US20230253184A1 (en) Uniformity control circuit for impedance match
CN101677485A (zh) 等离子体处理设备、其射频装置以及射频输送方法