JP6272808B2 - 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 - Google Patents
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Description
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
側壁および天井部を有し、前記側壁がRFグラウンドに結合するチャンバと、
前記天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体と、
前記天井部にあるスパッタターゲットと、
前記スパッタターゲットに結合する第1の周波数のRFソース電源、および前記バイアス電極に結合する第2の周波数のRFバイアス電源と、
第1の組の周波数において少なくとも第1の調節可能なインピーダンスを提供するマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、モータによって2つの状態のうちの少なくとも1つに配置することが可能な可変コンデンサを備え、前記可変コンデンサの前記少なくとも2つの状態が異なるキャパシタンスを有する、マルチ周波数インピーダンスコントローラと
を備える物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様2)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子をさらに備える、態様1に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様3)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサの前記モータを制御するためのプロセッサをさらに備える、態様1に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様4)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサの前記モータを制御するための電流センサをさらに備える、態様3に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様5)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサの前記モータを制御するための電圧センサをさらに備える、態様3に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様6)
前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策と関連づけられている、態様1に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様7)
前記可変コンデンサ用のハウジングをさらに備える、態様1に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様8)
前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策である、態様6に記載の物理的気相堆積プラズマリアクタ。
(態様9)
RFグラウンドに結合している側壁および天井部を有するチャンバであって、材料堆積のためのプラズマを維持するチャンバと、
前記天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体と、
前記天井部にあるソース電力アプリケータと、
前記ソース電力アプリケータに結合する第1の周波数のRFソース電源、および前記バイス電極に結合する第2の周波数のRFバイアス電源と、
第1の組の周波数において少なくとも第1の調節可能なインピーダンスを提供するマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、モータによって2つの状態のうちの少なくとも1つに配置することが可能な可変コンデンサを備え、前記可変コンデンサの前記少なくとも2つの状態が異なるキャパシタンスを有する、マルチ周波数インピーダンスコントローラと
を備えるプラズマリアクタ。
(態様10)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子をさらに備える、態様9に記載のプラズマリアクタ。
(態様11)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサの前記モータを制御するためのプロセッサをさらに備える、態様9に記載のプラズマリアクタ。
(態様12)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサの前記モータを制御するための電流センサをさらに備える、態様9に記載のプラズマリアクタ。
(態様13)
前記マルチ周波数インピーダンスコントローラが、前記可変コンデンサの前記モータを制御するための電圧センサをさらに備える、態様9に記載のプラズマリアクタ。
(態様14)
前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策に関連づけられている、態様9に記載のプラズマリアクタ。
(態様15)
前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策である、態様9に記載のプラズマリアクタ。
Claims (2)
- 側壁および天井部を有し、前記側壁がRFグラウンドに結合するチャンバと、
前記天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体と、
前記天井部にあるスパッタターゲットと、
前記スパッタターゲットに結合する第1の周波数f s のRFソース電源、および前記バイアス電極に結合する第2の周波数f b のRFバイアス電源と、
前記RFソース電源と前記スパッタターゲットとの間に結合された第1の整合システム及び前記RFバイアス電源と前記バイアス電極との間に結合された第2の整合システムと、
前記RFソース電源の出力において、第1の組の周波数において少なくとも第1の調節可能なインピーダンスを提供する第1のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、モータによって少なくとも2つの状態の1つに置かれることが可能な可変コンデンサであって前記可変コンデンサの前記少なくとも2つの状態は異なる容量である可変コンデンサと、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子と、前記可変コンデンサの出力を決定するセンサ回路とを有し、グラウンドと前記スパッタターゲットとの間に第1の整合システムと電気的に並列に接続され、前記スパッタターゲットを経由する対地インピーダンスと前記側壁を経由する対地インピーダンスの割合を支配する、第1のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
前記RFバイアス電源の出力において、第2の組の周波数において少なくとも第2の調節可能なインピーダンスを提供する第2のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、グラウンドと前記バイアス電極との間に第2の整合システムと電気的に並列に接続され、前記バイアス電極を経由する対地インピーダンスと前記側壁を経由する対地インピーダンスとの割合を支配する、第2のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
第1マルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサの前記モータを制御するプロセッサであって、前記センサ回路が前記プロセッサにフィードバックを提供し、前記プロセッサが前記モータを制御して、前記可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサと、
を備える物理的気相堆積プラズマリアクタであって、
前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策と関連づけられており、
前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策であり、前記第1の組の周波数は、前記第1の周波数f s 、前記第2の周波数f b 、前記第1の周波数f s の高調波、前記第2の周波数f b の高調波、前記第1の周波数f s と前記第2の周波数f b との相互変調積、および該相互変調積の高調波から選ばれ、前記第2の組の周波数には、前記第1の周波数f s 、前記第2の周波数f b 、前記第1の周波数f s の高調波、前記第2の周波数f b の高調波、前記第1の周波数f s と前記第2の周波数f b との相互変調積、および該相互変調積の高調波から選ばれる、物理的気相堆積プラズマリアクタ。 - RFグラウンドに結合している側壁および天井部を有するチャンバであって、材料堆積のためのプラズマを維持するチャンバと、
前記天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体と、
前記天井部にあるスパッタターゲットと、
前記天井部にあるソース電力アプリケータと、
前記ソース電力アプリケータに結合する第1の周波数f s のRFソース電源、および前記バイアス電極に結合する第2の周波数f b のRFバイアス電源と、
前記RFソース電源と前記ソース電力アプリケータとの間に接合された第1の整合システムと、
前記RFバイアス電源と前記バイアス電極との間に結合された第2の整合システムと、
第1の組の周波数において少なくとも第1の調節可能なインピーダンスを提供する第1のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、モータによって少なくとも2つの状態の1つに置かれることが可能な可変コンデンサであって前記可変コンデンサの前記少なくとも2つの状態は異なる容量である可変コンデンサと、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子と、前記可変コンデンサの出力を決定するセンサ回路とを有し、グラウンドと前記スパッタターゲットとの間に第1の整合システムと電気的に並列に接続され、前記スパッタターゲットを経由する対地インピーダンスと前記側壁を経由する対地インピーダンスの割合を支配する、第1のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
前記RFバイアス電源の出力において、第2の組の周波数において少なくとも第2の調節可能なインピーダンスを提供する第2のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、グラウンドと前記バイアス電極との間に第2の整合システムと電気的に並列に接続され,前記バイアス電極を経由する対地インピーダンスと前記側壁を経由する対地インピーダンスとの割合を支配する、第2のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
第1のマルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサに取り付けられたステッパモータと、
前記モータを制御するモータコントローラと、
前記モータコントローラを制御するプロセッサであって、第1のマルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサの前記モータを制御し、前記センサ回路が前記プロセッサにフィードバックを提供し、前記プロセッサが前記モータを制御して、前記可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサと、
を備えるプラズマリアクタであって、
前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策に関連づけられており、
前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策であり、前記第1の組の周波数は、前記第1の周波数f s 、前記第2の周波数f b 、前記第1の周波数f s の高調波、前記第2の周波数f b の高調波、前記第1の周波数f s と前記第2の周波数f b との相互変調積、および該相互変調積の高調波から選ばれ、
前記第2の組の周波数には、前記第1の周波数f s 、前記第2の周波数f b 、前記第1の周波数f s の高調波、前記第2の周波数f b の高調波、前記第1の周波数f s と前記第2の周波数f b との相互変調積、および該相互変調積の高調波から選ばれる、
プラズマリアクタ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30937210P | 2010-03-01 | 2010-03-01 | |
US61/309,372 | 2010-03-01 | ||
US12/823,893 US20110209995A1 (en) | 2010-03-01 | 2010-06-25 | Physical Vapor Deposition With A Variable Capacitive Tuner and Feedback Circuit |
US12/823,893 | 2010-06-25 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012556155A Division JP2013521410A (ja) | 2010-03-01 | 2011-03-01 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017173693A Division JP2018035443A (ja) | 2010-03-01 | 2017-09-11 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016104903A JP2016104903A (ja) | 2016-06-09 |
JP6272808B2 true JP6272808B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=44504720
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012556155A Pending JP2013521410A (ja) | 2010-03-01 | 2011-03-01 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
JP2015187571A Expired - Fee Related JP6272808B2 (ja) | 2010-03-01 | 2015-09-25 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
JP2017173693A Pending JP2018035443A (ja) | 2010-03-01 | 2017-09-11 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012556155A Pending JP2013521410A (ja) | 2010-03-01 | 2011-03-01 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017173693A Pending JP2018035443A (ja) | 2010-03-01 | 2017-09-11 | 可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110209995A1 (ja) |
JP (3) | JP2013521410A (ja) |
KR (2) | KR101890158B1 (ja) |
CN (2) | CN102869808B (ja) |
TW (2) | TWI575093B (ja) |
WO (1) | WO2011109337A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWM511158U (zh) * | 2015-06-02 | 2015-10-21 | Jtouch Corp | 可撓捲收之無線充電裝置 |
-
2010
- 2010-06-25 US US12/823,893 patent/US20110209995A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-03-01 WO PCT/US2011/026601 patent/WO2011109337A2/en active Application Filing
- 2011-03-01 TW TW100106716A patent/TWI575093B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-01 KR KR1020177034017A patent/KR101890158B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-01 CN CN201180022140.3A patent/CN102869808B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-01 JP JP2012556155A patent/JP2013521410A/ja active Pending
- 2011-03-01 CN CN201410778538.5A patent/CN104616959B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-01 TW TW106103449A patent/TWI615493B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-01 KR KR1020127025249A patent/KR101803294B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-09-25 JP JP2015187571A patent/JP6272808B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-09-11 JP JP2017173693A patent/JP2018035443A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201716614A (zh) | 2017-05-16 |
TWI615493B (zh) | 2018-02-21 |
JP2018035443A (ja) | 2018-03-08 |
US20110209995A1 (en) | 2011-09-01 |
KR20170134764A (ko) | 2017-12-06 |
WO2011109337A3 (en) | 2012-01-19 |
WO2011109337A2 (en) | 2011-09-09 |
CN102869808A (zh) | 2013-01-09 |
TWI575093B (zh) | 2017-03-21 |
KR101890158B1 (ko) | 2018-09-28 |
KR20130004916A (ko) | 2013-01-14 |
CN102869808B (zh) | 2015-01-07 |
KR101803294B1 (ko) | 2017-11-30 |
JP2013521410A (ja) | 2013-06-10 |
CN104616959A (zh) | 2015-05-13 |
CN104616959B (zh) | 2017-06-09 |
JP2016104903A (ja) | 2016-06-09 |
TW201204855A (en) | 2012-02-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |