CN103855910B - 射频信号相位可调节的射频电源 - Google Patents
射频信号相位可调节的射频电源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103855910B CN103855910B CN201210497318.6A CN201210497318A CN103855910B CN 103855910 B CN103855910 B CN 103855910B CN 201210497318 A CN201210497318 A CN 201210497318A CN 103855910 B CN103855910 B CN 103855910B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal
- radio
- variable condenser
- frequency power
- potentiometer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 2-[(E)-N-[2-(4-chlorophenoxy)propoxy]-C-propylcarbonimidoyl]-3-hydroxy-5-(thian-3-yl)cyclohex-2-en-1-one Chemical compound CCC\C(=N/OCC(C)OC1=CC=C(Cl)C=C1)C1=C(O)CC(CC1=O)C1CCCSC1 KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/18—Networks for phase shifting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
- H05H2242/24—Radiofrequency or microwave generators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种射频信号相位可调节的射频电源，所述射频电源包括射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器；所述射频信号发生器包括相位调节电路，所述相位调节电路用于调节外输入射频信号的相位。由于本发明在射频信号发生器内嵌入有相位调节电路，因此能够调节同步接入的射频信号的相位，消除本射频电源与提供射频信号的射频电源之间的信号相位差，避免串扰，提高工艺稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及射频电源，尤其是涉及一种射频信号相位可调节的射频电源。
背景技术
射频电源是用于产生射频功率信号的装置，属于半导体工艺设备的核心部件，所有产生等离子体进行材料处理的设备都需要射频电源提供能量。在集成电路、太阳能电池和LED（LightEmittingDiode，发光二极管）的工艺制造设备，例如刻蚀机、PVD（PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积）、PECVD（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积）、ALD（AtomicLayerDeposition，原子层沉积）等设备，均装备有不同功率规格的射频电源。
射频电源一般由射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器组成。其中，射频信号发生器用于产生和/或调理射频信号，射频功率放大电路将来自射频信号发生器的射频信号进行功率放大，射频功率检测器测量来自射频功率放大电路的射频功率信号并且输出射频功率信号，供电线路向各部件提供电力。
在产生等离子体进行材料处理的工艺中，存在等离子体放电过程，而等离子体放电的形式包括容性放电和感性放电。采用感性放电方式的半导体工艺设备，例如刻蚀机，可连接2台射频电源。其中，一台射频电源独立控制离子通量、中性粒子通量，另一台则射频电源独立控制离子能量。然而，2台射频电源的输出射频功率信号波形因自身的器件差异必然会存在一定的相位差，从而产生串扰，造成腔室内的等离子体不稳定，进而影响工艺过程，对晶圆产生不可修复的损伤，使得加工线宽无法保证。
现有技术采用的方案是从射频电源的射频信号发生器引出一路射频信号至面板接口形成射频信号同步输出端，在面板上还设有射频信号同步输入端，并且在射频信号发生器中设置与射频信号同步输入端相连的外部信号输入线路和多路选择开关。当判断外部信号输入线路已接入时，多路选择开关选择启用外部信号而放弃自身产生的射频信号；反之，当判断外部信号输入线路悬空时，多路选择开关选择启用自身产生的射频信号。通常，在半导体工艺设备中的两台射频电源之间的相位同步是利用同轴电缆，将一台射频电源的射频信号同步输出端与另一台射频电源的射频信号同步输入端相连接，从而使得两台射频电源利用同一个射频信号，期望能够消除相位差，避免串扰；但是，即使两台射频电源都处于同一机柜（或机台），连接这两台射频电源的同轴电缆的长度也至少几十厘米。由于半导体工艺设备中常用的射频频率为13.56MHz，也就是说在真空中波长仅为22.12米，而在同轴电缆中的波长则更短，一般只有16米左右，划分360度，即4.4厘米就相差1度，因此几十厘米的同轴电缆也会引起较大的相位差，在某些情况下，这一相位差很可能会引发等离子体振荡，辉光不稳定，工艺无法正常进行，最终导致加工失败。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种射频信号相位可调节的射频电源，该射频电源能够调节同步接入的射频信号的相位，消除本射频电源与提供射频信号的射频电源之间的信号相位差，避免串扰，提高工艺稳定性。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种射频信号相位可调节的射频电源，所述射频电源包括射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器；所述射频信号发生器包括相位调节电路，所述相位调节电路用于调节外输入射频信号的相位。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述射频信号发生器还包括外部信号输入接口、信号选择电路、信号发生器、射频信号输出接口和信号驱动电路，所述外部信号输入接口与所述信号选择电路相连；
其中，所述外部信号输入接口用于接收来自其他信号源或射频电源的外部输入信号；
所述信号选择电路用于判断是否有外部输入信号；当所述信号选择电路判断出有外部输入信号，则将外部输入信号发送至所述相位调节电路；当所述信号选择电路判断出没有外部输入信号，则使能所述信号发生器，启动所述信号发生器产生频率信号，并将所述频率信号输送至所述射频信号输出接口以及所述信号驱动电路；
所述相位调节电路用于调节外输入射频信号的相位，并且将已调节相位的射频信号输送至所述信号驱动电路；
所述信号驱动电路将接收到的射频信号进行驱动放大，输出可推动所述射频功率放大电路工作的射频信号。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述相位调节电路包括电位器R1和可变电容器C1，所述电位器R1的一端接入外部输入信号，所述电位器R1的另一端与所述可变电容器C1的一端相连，所述可变电容器C1的另一端接地；所述电位器R1和所述可变电容器C1连接端输出已调节相位差的射频信号。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述电位器R1的最大阻值范围为100Ω～100KΩ，所述可变电容器C1的最大容值范围为10pF～1000pF。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述相位调节电路包括电感L1、可变电容器C1、可变电容器C2和电位器R1，所述电位器R1的一端接入外部输入信号，所述电位器R1另一端与所述可变电容器C1的一端相连，所述可变电容器C1的另一端接地；所述电感L1的一端与所述电位器R1和所述可变电容器C1的连接端相连，所述电感L1的另一端与所述可变电容器C2的一端相连，所述可变电容器C2的另一端接地；所述电感L1和所述可变电容器C2连接端输出已调节相位差的射频信号。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述电感L1取值为1μH～10μH，所述电位器R1的最大阻值范围为100Ω～100KΩ，所述可变电容器C1的最大容值范围为10pF～1000pF，所述可变电容器C2的最大容值范围为10pF～1000pF。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述相位调节电路包括电感L1、固定电容器C3、可变电容器C2和电位器R1，所述电位器R1的一端接入外部输入信号，所述电位器R1另一端与所述固定电容器C3的一端相连，所述固定电容器C3的另一端接地；所述电感L1的一端与所述电位器R1和所述固定电容器C3的连接端相连，所述电感L1的另一端与所述可变电容器C2的一端相连，所述可变电容器C2的另一端接地；所述电感L1和所述可变电容器C2连接端输出已调节相位差的射频信号。
进一步地，本发明还具有如下特点：所述电感L1取值为1μH～10μH，所述电位器R1的最大阻值范围为100Ω～100KΩ，所述固定电容器C3的容值范围为10pF～1000pF，所述可变电容器C2的最大容值范围为10pF～1000pF。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1、由于本发明在其射频信号发生器内嵌入有相位调节电路，因此能够调节同步接入的射频信号的相位，消除本射频电源与提供射频信号的射频电源之间的信号相位差，避免串扰，提高工艺稳定性；
2、本发明采用的相位调节电路仅由基本元器件（电阻、电容和/或电感）组成，成本较低。
附图说明
图1为本发明实施例提供的射频电源的原理框图；
图2为本发明实施例提供的射频信号发生器的原理图；
图3为本发明实施例提供的射频信号发生器中的相位调节电路的一电路原理图；
图4为本发明实施例提供的射频信号发生器中的相位调节电路的又一电路原理图；
图5为本发明实施例提供的射频信号发生器中的相位调节电路的再一电路原理图。
具体实施方式
为了深入了解本发明，下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。
本发明提供了一种射频信号相位可调节的射频电源，该射频电源一般可为电子管式的射频电源或晶体管式的射频电源，如图1所示，包括有射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器。其中，射频信号发生器分别与射频功率放大电路、供电线路相连，射频功率放大电路又分别与供电线路、射频功率检测器相连接，此外供电线路和射频功率检测器相连接。射频电源的工作频率可为2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz或60MHz。
如图2所示，本发明的射频信号发生器包括外部信号输入接口、信号选择电路、信号发生器、相位调节电路、射频信号输出接口和信号驱动电路。其中，外部信号输入接口用于接收来自其它信号源或射频电源的外部输入信号，外部输入接口与信号选择电路相连。信号选择电路用于判断是否有外部输入信号，若有，则将外部输入信号发送至相位调节电路，否则使能信号发生器，启动信号发生器产生一定频率的射频信号（如上述的2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz或60MHz），并且将所产生的射频信号输送至射频信号输出接口，以及输送至信号驱动电路。相位调节电路用于调节因同轴电缆线长而引起的射频信号的相位差，并且将已调节相位差的射频信号输送至信号驱动电路。信号驱动电路将所接收到的射频信号进行驱动放大，然后输出可推动射频功率放大器工作的射频信号。
实施例1：
如图3所示，实施例1公开了本发明实施例中的相位调节电路的一电路原理图。所述相位调节电路包括两个基本元器件，电位器（或称为可变电阻器）R1和可变电容器C1，电位器R1的一端接入外部输入信号，另一端与可变电容器C1的一端相连，可变电容器C1的另一端接地，电位器R1和可变电容器C1连接端输出相位已调节的信号。电位器R1和可变电容器C1的取值范围可根据射频电源的工作频率设置，例如射频电源的工作频率为13.56MHz，电位器R1可采用最大阻值为1KΩ，可变电容器C1的最大容值为100pF。可选择地，电位器R1的最大阻值范围可为100Ω～100KΩ，可变电容器C1的最大容值范围可为10pF～1000pF。
当外部输入信号进入时，首先调节电位器R1和可变电容器C1，使得外部输入信号移相至所需位置（这一位置主要与信号传输同轴线缆的长度有关），但由于RC网络的固有特性，信号移相后幅值会变化，图3所示的方式可通过后面的信号驱动电路将信号幅值提升或降低，但是进入信号驱动电路的信号幅值不能过大或过小，因此影响了信号相位的移动范围，故存在着使用范围较小的问题。由于这种方式的实现非常容易，因此在调节范围不宽的情况下优先选择。
实施例2：
如图4所示，实施例2公开了本发明实施例中的相位调节电路的又一电路原理图。作为图3所示方式的一种变换，本实施例中相位调节电路在原有电路的基础上增加一级LC网络，其中电感L1的一端与前级相连，另一端接可变电容器C2，可变电容器C2的另一端接地，电感L1和可变电容器C2连接端输出相位已调节的信号。一般地，电感和电容都可采用可调节的器件，但由于可调电感成本较高且体积较大，因此在本实施例中采用了固定电感，而电容采用了可变电容器C2。在这一方式中，电感L1取值为1μH～10μH，电位器R1的最大阻值范围可为100Ω～100KΩ，可变电容器C1的最大容值范围可为10pF～1000pF，可变电容器C2的最大容值范围可为10pF～1000pF。
当外部输入信号进入时，首先调节电位器R1和可变电容器C1，使得外部输入信号移相至所需位置，但由于RC网络的固有特性，信号移相后幅值会变化，然后再调节可变电容器C2，使得移相后的信号幅值提升或降低，最后满足要求的已移相信号进入信号驱动电路。这一方式的适用性广，可调节的相位宽，能够满足大多数情况的使用。
实施例3：
如图5所示，实施例3公开了本发明实施例中的相位调节电路的再一电路原理图。与图4相似，本实施例中相位调节电路中采用固定电容器C3来代替实施例2中的可变电容器C1，一方面可减化调节，另一方面还可节约成本。这些器件的取值范围，电感L1取值为1μH～10μH，电位器R1的最大阻值范围可为100Ω～100KΩ，固定电容器C1的容值范围可为10pF～1000pF，可变电容器C2的最大容值范围可为10pF～1000pF。
在本发明的实施方式中，电位器、可变电容器采用定位精度高的器件，固定电容器和电感采用高Q值的器件。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的本质和基本原理之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.射频信号相位可调节的射频电源，所述射频电源包括射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器，其特征在于：所述射频信号发生器包括相位调节电路，所述相位调节电路用于调节外输入射频信号的相位；
所述射频信号发生器还包括外部信号输入接口、信号选择电路、信号发生器、射频信号输出接口和信号驱动电路，所述外部信号输入接口与所述信号选择电路相连；
其中，所述外部信号输入接口用于接收来自其他信号源或射频电源的外部输入信号；
所述信号选择电路用于判断是否有外部输入信号；当所述信号选择电路判断出有外部输入信号，则将外部输入信号发送至所述相位调节电路；当所述信号选择电路判断出没有外部输入信号，则使能所述信号发生器，启动所述信号发生器产生频率信号，并将所述频率信号输送至所述射频信号输出接口以及所述信号驱动电路；
所述相位调节电路用于调节外输入射频信号的相位，并且将已调节相位的射频信号输送至所述信号驱动电路；
所述信号驱动电路将接收到的射频信号进行驱动放大，输出可推动所述射频功率放大电路工作的射频信号。
2.根据权利要求1所述的射频电源，其特征在于：所述相位调节电路包括电位器R1和可变电容器C1，所述电位器R1的一端接入外部输入信号，所述电位器R1的另一端与所述可变电容器C1的一端相连，所述可变电容器C1的另一端接地；所述电位器R1和所述可变电容器C1连接端输出已调节相位差的射频信号。
3.根据权利要求2所述的射频电源，其特征在于：所述电位器R1的最大阻值范围为100Ω～100KΩ，所述可变电容器C1的最大容值范围为10pF～1000pF。
4.根据权利要求1所述的射频电源，其特征在于：所述相位调节电路包括电感L1、可变电容器C1、可变电容器C2和电位器R1，所述电位器R1的一端接入外部输入信号，所述电位器R1另一端与所述可变电容器C1的一端相连，所述可变电容器C1的另一端接地；所述电感L1的一端与所述电位器R1和所述可变电容器C1的连接端相连，所述电感L1的另一端与所述可变电容器C2的一端相连，所述可变电容器C2的另一端接地；所述电感L1和所述可变电容器C2连接端输出已调节相位差的射频信号。
5.根据权利要求4所述的射频电源，其特征在于：所述电感L1取值为1μH～10μH，所述电位器R1的最大阻值范围为100Ω～100KΩ，所述可变电容器C1的最大容值范围为10pF～1000pF，所述可变电容器C2的最大容值范围为10pF～1000pF。
6.根据权利要求1所述的射频电源，其特征在于：所述相位调节电路包括电感L1、固定电容器C3、可变电容器C2和电位器R1，所述电位器R1的一端接入外部输入信号，所述电位器R1另一端与所述固定电容器C3的一端相连，所述固定电容器C3的另一端接地；所述电感L1的一端与所述电位器R1和所述固定电容器C3的连接端相连，所述电感L1的另一端与所述可变电容器C2的一端相连，所述可变电容器C2的另一端接地；所述电感L1和所述可变电容器C2连接端输出已调节相位差的射频信号。
7.根据权利要求6所述的射频电源，其特征在于：所述电感L1取值为1μH～10μH，所述电位器R1的最大阻值范围为100Ω～100KΩ，所述固定电容器C3的容值范围为10pF～1000pF，所述可变电容器C2的最大容值范围为10pF～1000pF。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210497318.6A CN103855910B (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 射频信号相位可调节的射频电源 |
| PCT/CN2012/087208 WO2014082359A1 (zh) | 2012-11-28 | 2012-12-21 | 射频信号相位可调节的射频电源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210497318.6A CN103855910B (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 射频信号相位可调节的射频电源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103855910A CN103855910A (zh) | 2014-06-11 |
| CN103855910B true CN103855910B (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=50827120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210497318.6A Active CN103855910B (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 射频信号相位可调节的射频电源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103855910B (zh) |
| WO (1) | WO2014082359A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109586716A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-05 | 新奥科技发展有限公司 | 相位分频器和射频电源系统 |
| CN112538619A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-03-23 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种射频电源的控制方法及装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834980A (en) * | 1994-01-03 | 1998-11-10 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for supplying synchronization signals securing as clock signals with defined phase relationships |
| US6812754B1 (en) * | 2000-06-05 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Clock synchronizer with offset prevention function against variation of output potential of loop filter |
| CN101313471A (zh) * | 2005-11-21 | 2008-11-26 | 赛默飞世尔科技公司 | 感应耦合的射频电源 |
| CN101729080A (zh) * | 2008-10-27 | 2010-06-09 | 联发科技股份有限公司 | 传输并校准相位信号及振幅信号的发射机及控制方法 |
| CN101841229A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-09-22 | Bcd半导体制造有限公司 | 一种开关电源的时钟外同步装置 |
| CN102255606A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-11-23 | 中国科学院微电子研究所 | 基于e类功率放大电路的固态射频电源 |
| CN102624382A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-08-01 | 广州市广晟微电子有限公司 | 时钟同步方法、装置及具有该装置的射频芯片电路 |
| CN202949378U (zh) * | 2012-11-28 | 2013-05-22 | 中国科学院微电子研究所 | 射频信号相位可调节的射频电源 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101555592B (zh) * | 2008-04-09 | 2011-04-27 | 福建钧石能源有限公司 | 相位控制式制备功能薄膜的方法和系统 |
-
2012
- 2012-11-28 CN CN201210497318.6A patent/CN103855910B/zh active Active
- 2012-12-21 WO PCT/CN2012/087208 patent/WO2014082359A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834980A (en) * | 1994-01-03 | 1998-11-10 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for supplying synchronization signals securing as clock signals with defined phase relationships |
| US6812754B1 (en) * | 2000-06-05 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Clock synchronizer with offset prevention function against variation of output potential of loop filter |
| CN101313471A (zh) * | 2005-11-21 | 2008-11-26 | 赛默飞世尔科技公司 | 感应耦合的射频电源 |
| CN101729080A (zh) * | 2008-10-27 | 2010-06-09 | 联发科技股份有限公司 | 传输并校准相位信号及振幅信号的发射机及控制方法 |
| CN101841229A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-09-22 | Bcd半导体制造有限公司 | 一种开关电源的时钟外同步装置 |
| CN102255606A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-11-23 | 中国科学院微电子研究所 | 基于e类功率放大电路的固态射频电源 |
| CN102624382A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-08-01 | 广州市广晟微电子有限公司 | 时钟同步方法、装置及具有该装置的射频芯片电路 |
| CN202949378U (zh) * | 2012-11-28 | 2013-05-22 | 中国科学院微电子研究所 | 射频信号相位可调节的射频电源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014082359A1 (zh) | 2014-06-05 |
| CN103855910A (zh) | 2014-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102509476B1 (ko) | Rf 복귀 경로의 임피던스의 제어 | |
| CN102255606B (zh) | 基于e类功率放大电路的固态射频电源 | |
| CN103632915B (zh) | 用于处理晶片的方法和装置 | |
| JP5670694B2 (ja) | プラズマチャンバーとともに使用する固定インピーダンス変換回路網用の装置および方法 | |
| JP2012529750A5 (zh) | ||
| TWI426746B (zh) | 射頻處理裝置、射頻處理方法及相關無線通訊裝置 | |
| CN103855911B (zh) | 射频信号相位可数字式调节的射频电源 | |
| CN107180737B (zh) | 用于实现阻抗匹配和功率分配的装置及半导体加工设备 | |
| WO2007044248B1 (en) | Low-voltage inductively coupled source for plasma processing | |
| CN202905659U (zh) | 一种匹配器及等离子体加工设备 | |
| CN103855910B (zh) | 射频信号相位可调节的射频电源 | |
| CN107732424B (zh) | 用于短波环天线实现阻抗匹配的天调网络结构及方法 | |
| CN103619117B (zh) | 可实现快速阻抗匹配的射频电源系统 | |
| CN105742818A (zh) | 一种天线及控制方法 | |
| TWI554161B (zh) | RF matching network and its application of plasma processing chamber | |
| CN102891660A (zh) | 一种射频阻抗匹配器 | |
| CN202949378U (zh) | 射频信号相位可调节的射频电源 | |
| CN104754851A (zh) | 多频匹配器及等离子体装置 | |
| CN104347931A (zh) | 一种可调多频天线 | |
| CN203071795U (zh) | 射频信号相位可数字式调节的射频电源 | |
| CN105810547A (zh) | 等离子体处理装置的阻抗匹配方法 | |
| CN206313812U (zh) | 一种模拟均衡器、通信接口及芯片 | |
| TW202025198A (zh) | 用於多等離子處理腔的射頻系統 | |
| Michna et al. | Characterisation of an RF power splitter for multi-tile PECVD systems application | |
| WO2023009245A1 (en) | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201217 Address after: 510000 601, building a, 136 Kaiyuan Avenue, Huangpu District, Guangzhou City, Guangdong Province Patentee after: AoXin integrated circuit technology (Guangdong) Co.,Ltd. Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Institute of Microelectronics Patentee before: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220424 Address after: 510000 room 710, Jianshe building, No. 348, Kaifa Avenue, Huangpu District, Guangzhou, Guangdong Patentee after: Ruili flat core Microelectronics (Guangzhou) Co.,Ltd. Address before: 510000 601, building a, 136 Kaiyuan Avenue, Huangpu District, Guangzhou City, Guangdong Province Patentee before: AoXin integrated circuit technology (Guangdong) Co.,Ltd. |