TW201344377A - 用於補償微影投影曝光系統的通道缺陷的設備及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於微影投影曝光設備的照明系統，包含：(a)複數個通道，每個通道引導一局部光束及至少一個通道包含至少一個缺陷；及(b)至少一個光學元件配置在具有該至少一個缺陷的該至少一個通道中，該光學元件經調適以至少部分補償該通道之該局部光束的該至少一個缺陷。

Description

用於補償微影投影曝光系統的通道缺陷的設備及方法
本發明係有關於補償微影投影曝光系統的通道缺陷的領域。
微影投影曝光系統係用於生產微結構化組件，尤其是諸如積體電路(IC)的半導體組件。微影投影曝光系統的必要組件包含光源、照明裝置或照明系統、及投影物鏡或投影系統。在使用深紫外光(DUV)波長範圍之電磁輻射的現代投影曝光系統中，光源通常是準分子雷射系統(248nm的氟化氟(KrF)準分子雷射、193nm的氟化氬(ArF)雷射、或157nm波長氟化物(F2)的準分子雷射)。
照明系統的性質決定微影投影曝光系統所能達成的成像品質及晶圓產量。照明系統必須能夠從光源形成光束以用於各種可能的照明模式或設定。使用各種設定(如具有不同同調性程度的環形場照明及/或雙極或四極離軸照明)以在基板上配置的感光層中產生光微影遮罩之結構元件的最佳成像對比。同時，投影曝光系統必須具有合理的製程容許度。例如，可使用離軸傾斜照明以利用二光束干涉增加焦深(depth of focus，DoF)及亦增加總體 系統的解析力。
由於產生波長減小(尤其在DUV波長範圍中)的電磁輻射的工作量及成本急遽增加，照明系統必須以最高效率產生各種設定。此外，在照明模式中，光學強度分布必須儘可能一致，因為任何不均勻性將減少要在基板上成像之特徵元件的關鍵尺寸(CD)。
為了滿足這些需求，將光源的光束分割或分裂成若干局部光束，並藉由光學照明系統中的微結構化光學組件將這些光束個別地成形及/或引向不同通道。使用分裂及引導局部光束之不同原理的微影照明系統例如揭示於US 2004/0108167 A1及WO 2005/026843 A2中。
術語「通道」在此處及下文中是指照明系統中的容積，局部光束透過此容積從藉由分裂輸入光束而產生的位置行進至與其他局部光束疊加或組合的位置。
微影投影曝光系統的投影物鏡收集透射通過遮罩的光並將其聚焦於基板的感光層或光阻上，基板配置在投影物鏡的焦平面中。基板通常是半導體晶圓，如矽晶圓。
由於半導體工業中不斷增加的積體密度，光微影投影曝光系統必須將越來越小的結構投影至光阻上。為了滿足此要求，如已經提到的，投影曝光系統的曝光波長已從電磁光譜的近紫外光跨越中間紫外光而移至深紫外光區。現在，通常使用193nm的波長曝光晶圓上的光阻。結果，以逐漸增加的解析度製造微影投影曝光系統變得越來越複雜，且因此也變得越來越昂貴。未來，投影曝光系統將使用電磁光譜之極紫外光(EUV)波長範圍中明顯更小的波長(如，在10nm-15nm的範圍中)。
在給定波長下，投影曝光系統的解析度可藉由增加 其投影系統的數值孔徑(NA)而增加。M.Totzeck等人在論文「Polarization influence on imaging」(J.Microlith.,Microlab.,Microsyst.,4(3)(Jul-Sep 2005),p.031108-1-031108-15))中討論到，在高NA投影系統中，照明光束的極化對於投影曝光系統的解析度具有重大的影響。
因此，為了能夠控制微影照明系統之出射光束的同調性程度，需要控制其極化狀態。已知在照明系統以及投影系統的光瞳平面及/或遮罩平面中調整預定極化分布以最佳化影像對比的各種方法。一些未盡臚列的實例列舉如下：WO 2005/069081 A2、WO 2005/031467 A2、US 6191880 B1、US 2007/0146676 A1、WO 2009/034109 A2、WO 2008/019936 A2、WO 2009/100862 A1、EP 1879071 A2、及DE 102004011733 A1。
以上所提文獻說明照明系統個別通道之總光束或一些子光束(包含許多局部光束)的極化控制。另一方面，個別通道中可能有缺陷，如由有缺陷或較差光學組件引起之個別局部光束的極化缺陷。疊加其中一或若干個局部光束可能具有改變或甚至不確定極化狀態的局部光束，將導致無法預期總光束的極化狀態。此情況造成較佳狀態強度(intensity in preferred state，簡稱IPS)減少，使其可能落在預定臨限值以下。
因此，本發明之一目的在於提供用於補償局部光束通道內局部光束之缺陷的設備及方法。
根據本發明之第一方面，提供一種如申請專利範圍第1項所述之用於微影投影曝光設備的照明系統。在一具體實施例中，一種用於微影投影曝光設備的照明系統包含：(a)複數個通 道，每個通道引導一局部光束及至少一個通道包含至少一個缺陷；及(b)至少一個光學元件配置在具有該至少一個缺陷的該至少一個通道中，該光學元件經調適以至少部分補償該通道之該局部光束的該至少一個缺陷。
藉由補償局部光束通道的缺陷，避免局部光束的局部缺陷可能使藉由疊加出射照明系統的若干局部光束以照明遮罩而形成之光束的品質降低。尤其，疊加若干良性局部光束及單一有缺陷局部光束將減損出射照明系統的第二數量總光束。此減損將使照明系統的照明光束需要進行複雜的校正措施。
由於光學元件僅最低限度地影響相應通道中局部光束的光束特性，插入光學元件並不需要對局部光束進行任何補償措施。另一方面，補償缺陷有效增加出射照明系統之光束的較佳狀態強度(IPS)。
另外一方面，至少一個缺陷包含至少一個通道中局部光束的極化變化。另一方面，至少一個光學元件藉由修改局部光束的極化，至少部分補償至少一個缺陷。
照明系統通道缺陷的一個實例是局部光束的極化變化。此極化變化的來源可能是介面及塗層處的反射及/或透射及/或光束通道中光學組件的雙折射。雙折射可為固有的或材料雙折射，及/或可因光學組件的底座造成的應變所引致。藉由選擇性修改局部光束的極化，可至少部分補償極化變化。
根據另外一方面，至少一個光學元件包含至少部分補償局部光束之極化變化的應變引致雙折射。在另一有利效應中，應變引致雙折射包含將至少一個局部持續修改配置引入光學元件在其光學有關區外的區域中。
眾所周知，在透明材料中引入局部變形將造成局部 應變引致雙折射變化。基於描述引致局部變形依據引入局部變形所用雷射光束之參數的模型，可控制光學元件材料中局部引致的應變分布。因此，可將預定局部應變分布引入光學元件中。此應變分布造成相應雙折射分布。
在一較佳具體實施例中，在光學元件的光學無關區中引入一或若干個局部持續修改配置。深遠的應變分量在光學元件的光學有關區中延伸，及造成至少部分補償相應通道中光學缺陷的應變引致雙折射分布。可借助電腦系統從所需雙折射分布計算局部持續修改配置。
在光學元件的光學有關區外的區域中引入局部持續修改配置的組態具有以下優點：局部持續修改配置對於局部光束的光子沒有任何影響。此外，局部持續修改配置不會使光學元件之光學有關區的光學性質降級。
在本說明中，術語「實質上」是指在最先進測量技術之解析度限制以下的數量變化。
光學元件的光學有關區是光束或局部光束穿越光學元件或光束或局部光束從中反射的區域。光學元件的所有其他區域部分則是光學無關區。
另外一方面，二維反射鏡陣列之一反射鏡將通過至少一個光學元件的局部光束引向與預定目標光瞳一致之光瞳的外邊緣。
雙折射引起的延遲顯示光瞳平面中光束上的對稱變化。其從光瞳中心朝向光瞳邊緣增加。因此，藉由將穿越至少一個光學元件及因此取得定義延遲的一或多個局部光束引向光瞳邊緣，可補償光瞳邊緣中的延遲。此程序必須考慮以下約束條件：光瞳平面中的強度分布必須滿足預定的目標分布。然而，光瞳平 面中的缺陷不需要包含光瞳上的對稱變化以在定義的照明系統中補償。
根據另外一有利方面，至少一個光學元件的應變引致雙折射包含具有固定方向的快軸。
在光學元件中引入固定方向之快軸的應變引致雙折射，允許對極化變化進行空間解析的校正。
另一方面，至少一個光學元件的應變引致雙折射在至少一個光學元件的光學有關區中包含1nm-10nm、較佳2nm-8nm、及最佳3nm-6nm的延遲。
另一較佳方面，至少一個光學元件藉由選擇至少一個光學元件快軸相對於通道中局部光束之極化的定向，最大化局部光束之極化的修改。
若局部光束具有線性極化及光學元件具有方向固定的快軸，將很容易執行所說明的最佳化程序。然而，若局部光束具有任意極化及應變引致雙折射未產生固定快軸，則亦可執行缺陷補償。
另一有利方面，照明系統經調適以疊加至少一個第一通道及至少一個第二通道的局部光束於單一光點中，使得疊加局部光束的延遲補償照明系統的延遲。
此特徵是有利的，因其允許藉由在局部疊加光束之通道的一個通道中插入特別設計的光學元件，補償其局部光束在單一光點中疊加以形成出射照明系統之照明光束的若干通道缺陷。因此，大幅簡化其中一些或全部通道具有缺陷之眾多通道的缺陷補償。
另外一方面，至少一個第一通道之局部光束的極化相對於至少一個第二通道之局部光束的極化旋轉預定的量。
根據另外一方面，至少一個缺陷的補償增加出射照明系統的光束較佳狀態強度。
較佳狀態強度(IPS)是投影曝光系統成像品質的重要特性。因此利用限制可使用光子損失於極低比例的臨限值(如，IPS>97%)定義IPS。
另一方面，至少一個光學元件經調適以包含致動器，以在至少一個光學元件的光學有關區中引致應變。另外一方面，致動器包含壓電元件。
藉由組合光學元件與致動器，可對光學元件施加臨時改變的應變，從而允許針對新的情況快速調適雙折射。致動器可改變延遲並使快軸不受影響，或其可配置以修改快軸的定向及延遲二者。亦可設想在光學元件中配置兩個或兩個以上致動器。
根據另一方面，至少一個光學元件經調適以在照明系統操作期間動態插入至少一個通道中。
此特徵可在投影曝光系統操作期間最佳化投影曝光系統的IPS。其既不需要光學元件實質上變更局部光束的光學強度，也不需要改變其相位關係。
又另外一方面，至少一個光學元件包含以不同固定快軸及/或不同延遲量製造的眾多光學元件。
例如，在微影照明系統的通道中可以有各種材料雙折射量的缺陷。因此，產生具有經調適於照明系統通道中發生的不同缺陷之各種局部持續修改配置的光學元件將很有利。
根據另一方面，眾多光學元件經調適以插入各具有缺陷的眾多通道中，使得最大化出射照明系統之光束的較佳狀態強度。
微影照明系統具有眾多通道。因此，可能多於一個 通道具有缺陷。兩個或兩個以上通道中的缺陷可具有實質上相同的缺陷數量或不同通道的缺陷可具有不同的缺陷數量。這些缺陷可藉由在相應有缺陷通道中插入最能補償相應缺陷的光學元件加以補償。利用疊加局部光束的IPS控制缺陷補償。
另一方面，至少一個光學元件經調適以包含極化器，其按預定數量改變局部光束的極化。
藉由在極化器的非光學使用區中引入局部持續修改配置，極化器可對局部光束執行預定極化操縱及可同時補償由通道中極化變化引起的缺陷。此組態可節省微影照明系統通道中的空間。
另外一方面，至少一個光學元件包含反射局部光束的反射鏡。根據再另一方面，至少一個光學元件包含偏轉局部光束的透鏡。
如已經提到的，微影照明系統通常包含各引導一局部光束的許多不同通道。因此，在不同的局部光束之間通常沒有太多空間。因此有利的是組合缺陷補償與光學元件的另一功能以節省照明系統中的空間。
亦可設想組合方才討論的方法與插入特別設計用於通道缺陷補償的一或多個光學元件。可為有利的是，將預定的缺陷補償量加入特定通道(如接近通道矩陣邊緣及/或角落的通道)的光學元件及僅對具有特定缺陷的幾個通道插入額外光學元件。
根據另一方面，至少一個光學元件經調適以包含對於至少兩個通道具有至少兩個光學有關區的至少一個板，光學有關區配置在至少一個板的光學無關區之間。
由於微影照明系統的通道配置通常包含許多通道，可能會有其中個別地補償數個通道中之缺陷的麻煩情況。若通道 配置的數個相鄰通道具有缺陷，此個別通道的缺陷補償方法可能因空間限制而受限。因此，有用的是產生可補償數個通道之缺陷的板。
又另一方面，至少兩個光學有關區係以一維列或二維矩形矩陣配置，至少兩個光學有關區具有針對局部光束直徑而調整的直徑，及至少兩個光學有關區具有針對至少兩個不同通道的局部光束之間的距離而調整的距離。
另外一方面，該板包含經調適以至少部分補償至少一個缺陷的至少一個光學有關區及沒有應變引致雙折射的至少一個光學有關區。
類似於單一通道的光學元件，一板可整合各種功能，如缺陷補償及產生預定極化變化。
又另一方面，該板包含至少兩個經調適以補償至少兩個不同缺陷的光學有關區。
根據另外一方面，該板的至少兩個光學有關區包含極化器，其按預定數量改變局部光束的極化。
在再另一方面，使用超短雷射脈衝以引入至少一個局部持續修改配置。
另外一有利方面，該板經調適以實質上垂直於至少兩個局部光束的光束方向而移動及/或旋轉。
類似於單一通道的光學元件，此特徵可藉由調整該板於通道矩陣中最小化IPS損失的定位，最佳化缺陷補償。
根據另一方面，該板經調適以在照明系統操作期間動態插入至少兩個通道之局部光束的光束路徑中。
又另外一有利方面，用於補償微影投影曝光系統中照明系統之至少一個通道中至少一個缺陷的方法使用上述方面之 任何方面的照明系統。
最後，另一方面另外包含在具有最能夠由至少一個光學元件補償之缺陷的至少一個通道中插入該至少一個光學元件的步驟。
100‧‧‧微影投影曝光系統
110‧‧‧光源/雷射源
120‧‧‧光束擴展單元
130‧‧‧照明系統
131‧‧‧第一部分
132‧‧‧偏轉鏡
134‧‧‧第二部分
136‧‧‧第三部分
140‧‧‧投影物鏡
150‧‧‧遮罩
160‧‧‧基板
170‧‧‧感光層/光阻
205‧‧‧擴展光束
210‧‧‧第一透鏡
215‧‧‧微透鏡陣列
220‧‧‧通道
225‧‧‧微透鏡陣列
230‧‧‧極化板
235‧‧‧局部光束
240‧‧‧反射鏡
250‧‧‧反射鏡陣列
255‧‧‧電連接
260‧‧‧控制單元
265‧‧‧光學組件
270‧‧‧光柵元件
280‧‧‧透鏡
285‧‧‧輸出光束
290‧‧‧光罩平面
400‧‧‧設備
410‧‧‧光學元件
420‧‧‧夾盤/樣本保持器
430‧‧‧脈衝雷射源
435‧‧‧脈衝雷射光束/雷射系統
440‧‧‧物鏡
445‧‧‧分色鏡
450‧‧‧單軸定位台
460‧‧‧電腦系統
465‧‧‧電荷耦合裝置(CCD)相機
480‧‧‧控制器
490‧‧‧操縱反射鏡/操縱系統
500‧‧‧光學元件
510‧‧‧光學有關區
520‧‧‧光學無關區
530‧‧‧配置
540‧‧‧配置
605、610、615、620‧‧‧入射局部光束
640‧‧‧微透鏡陣列
652、654、656‧‧‧極化板
660‧‧‧反射鏡
670‧‧‧局部光束
785‧‧‧局部光束
900‧‧‧補償板
910‧‧‧光學有關區
為了更充分瞭解本發明及明白其實際應用，在下文中提供並參考以下圖式。應注意，圖式僅給定作為實例，而非限制本發明之範疇。
圖1示意性出示微影投影曝光系統的必要組件；圖2示意性顯示微影照明系統之通道配置的橫截面；圖3圖解在光微影遮罩平面中分析線性極化光束之DUV投影曝光系統之照明系統的延遲分布，圖3a重現照明系統焦平面視場的左方部分，圖3b出示中心部分，及圖3c指示右方部分；圖4示意性表現在光學元件中引入局部持續修改配置之設備的方塊圖；圖5示意性圖解具有引入局部持續修改配置之光學有關區及光學無關區的光學元件；圖6示意性表現圖2的分割圖，其中將極化板插入不同通道的局部光束中；圖7顯示在圖6中將光學元件配置在通道之一者中以變更相應局部光束的極化；圖8示意性圖解兩個疊加局部光束的延遲具有加成性；圖9示意性描繪對4 x 4局部光束矩陣配置4 x 4光 學有關區的板，其中一些光學有關區具有不同局部持續修改配置以造成具有不同快軸定向及不同延遲量的應變引致雙折射；圖10示意性顯示圖9的板具有光學有關區之應變引致雙折射之四個不同組態，其中每個組態具有其不同快軸定向及不同延遲量；圖11示意性表現在一部分的通道矩陣中組合三個極化板及第一補償板；圖12示意性顯示在一部分的通道矩陣中組合三個極化板及第二補償板。
下文中，將參考圖解本發明例示性具體實施例的附圖詳細說明本發明。不過，本發明可用不同方式加以實施，所以不應視為受限於所列出的具體實施例。確切地說，所提供的這些具體實施例將使得本揭露內容更為詳盡，並讓熟習本技術者瞭解本發明之範疇。
圖1示意性顯示微影投影曝光系統100的必要組件。光源110將線性極化電磁輻射發射至光束擴展單元120中。對於紫外光(UV)或DUV波長範圍中的微影系統，通常應用準分子雷射作為光源110。如已經提到的，KrF準分子雷射系統用於248nm、ArF準分子雷射系統用於193nm，及F2準分子雷射系統用於157nm波長範圍。準分子雷射系統通常發射線性極化電磁輻射。此外，準分子雷射系統一般發射具有奈秒範圍之脈衝持續時間的光脈衝或雷射脈衝。亦可對用於未來光微影系統的其他波長應用以下討論的系統及方法。
光束擴展單元120以公釐至公分的範圍增加雷射光 束145的直徑。例如，進入擴展單元120的光束可具有15nm×20nm的大小，及出射擴展單元120的光束可具有例如80mm×80mm的尺寸。
在圖1的例示性具體實施例中，照明系統130包含三個不同部分。第一部分131(又稱為「光學單元」)包含光學組件，以將光源100產生及光束擴展單元120擴展的光束分成局部光束(圖1未顯示)。將在圖2的背景中討論產生及形成局部光束的細節。偏轉鏡132將局部光束引向第二部分134(又稱為「透鏡群組」)。在第二部分134，使局部光束成形，及重新配置光學強度的空間分布。在第二部分134的出口處，有其中配置光罩遮蔽系統(REMA)的中間場平面，該REMA可用作可調整場光闌(圖1未指示)。第三部分136包含將光罩遮蔽系統成像至晶圓160上的物鏡，晶圓160配置在照明系統130的另一場平面中。
投影物鏡140將穿越遮罩150的光成像至配置在基板160上的感光層170。基板160通常是矽晶圓。
圖2以更多細節示意性圖解照明系統130配置在照明系統130的第一部分131及第二部分134中的一部分。擴展光束205進入照明系統130的第一部分131。第一透鏡210使擴展光束205成形以便進一步處理。接著，二維微透鏡光柵陣列215將擴展光束205分成眾多局部光束235。眾多局部光束235有規律地配置且互相平行。另一微透鏡陣列225調整局部光束235的光束角度。
在一例示性具體實施例中，擴展光束具有80mm×80mm的尺寸。二維微透鏡光柵陣列215將光束分成例如4mm×4mm的正方形，因而形成20×20局部光束205的陣列或矩陣。這表示在討論的實例中，局部光束235的通道220具有垂直於光 束方向的尺寸4mm×4mm。在圖2中，以虛線象徵通道220。兩個二維微透鏡陣列215及225將局部光束235集中成2mm×2mm的面積。在圖10-12(在下文說明)的討論中應用的照明系統使用64×64反射鏡元件的多重反射鏡陣列(MMA)。
在微透鏡陣列225的下游，在局部光束235的一些通道220中插入極化板230。極化板230例如藉由按預定義角度旋轉極化及/或藉由形成圓形極化的局部光束235，以定義的方式改變局部光束的線性極化。因此，極化板230允許設定出射照明系統130之光束285以照明遮罩150的預定極化狀態。
每個局部光束235撞擊二維反射鏡陣列250的相應反射鏡240。在討論的實例中，反射鏡陣列250的反射鏡240為平面鏡且具有3mm×3mm的大小。每個反射鏡240在彼此垂直對準的兩個傾斜軸上傾斜。每個反射鏡240的傾斜運動可由控制單元260個別地控制，控制單元260經由電連接255連接至反射鏡陣列250。
個別反射鏡240位在4mm×4mm的正方形區域中，及正方形區域在二維反射鏡陣列250上彼此相依。可針對局部光束235的數目調整個別反射鏡240的數目，及在討論的實例中，此數目400。反射鏡陣列250配置在照明系統130之第一部分131的偏轉鏡132上。代替反射鏡陣列250，亦可使用可控反射繞射格柵陣列按預定方向偏轉局部光束235。
使用光學組件265以塑造自反射鏡240反射的局部光束235或使之成形。為此目的，至少一些光學組件265可沿著照明系統130的光軸(圖2未顯示)移動。例如，光學元件265可形成變焦三稜鏡物鏡。光學組件265的出射光瞳是照明系統130的光瞳成形表面。
在討論的實例中，光柵元件270配置在光瞳成形表面中或接近光瞳成形表面。光柵元件270具有滿足若干功能的繞射或折射光學元件二維陣列。光柵元件270使入射局部光束235成形。此外，光柵元件270形成離開光柵元件270且在後續場平面中疊加的局部光束，並因此混合局部光束以均勻照明該照明系統130的出射光瞳(其中配置遮罩或光罩150，圖2未指示)。光柵元件270可實現為二維稜鏡陣列，其中配置個別稜鏡以視需要照明均勻化的場平面。代替光柵元件270，亦可使用形式為積分器桿或蠅眼聚光器的習用混合元件(圖2未顯示)。
透鏡280象徵配置在照明系統130之第三部分136中的物鏡，其將具有遮罩系統的均勻化場平面投影至其中配置遮罩150的光罩平面290上。
反射鏡陣列250改變局部光束235入射在反射鏡陣列250之反射鏡240上的角分布，及因此重新配置擴展光束205的光學強度分布。在圖2示意性圖解的實例中，光束205被集中成可用以形成雙極設定的兩個輸出光束285。在圖2的實例中，光束235的上方部分用以形成雙極設定的第一部分，及光束235的下方部分用以形成雙極設定的第二部分。然而，亦可應用光束235的不同分割以形成圖2的雙極設定、或一般地預定設定。
此外，反射鏡陣列250可利用個別反射鏡在光瞳平面之相應部分的相應傾斜，切換個別局部光束235。這因而可在照明系統130的光瞳平面中設定所要或預定的延遲分布，以補償光瞳平面中的相應延遲分布。所說明的延遲補償程序必須另外滿足以下要求：光學強度在預定設定(即圖2之實例中的雙極設定)內均勻分布。
在從二維光柵陣列215到二維光柵陣列270的路徑 上，局部光束235穿越若干光學元件，如微透鏡陣列225、極化板230、及光學組件265。此外，局部光束235從反射鏡240反射。在局部光束235與光學組件215、225、240、230、265、270的每個交互作用中，局部光束235可被扭曲。例如，局部光束235的光子可被吸收或從光束散射，導致局部光束235的強度降低。此外，局部光束235中的相位關係可因與光學組件215、225、230、240、265、270的交互作用而扭曲。此外，局部光束235的極化可因局部光束235在組件215、225、230、240、265、270之介面及/或塗層處的反射及/或透射而扭曲。另外，光學元件215、225、230、265、270的固有或材料雙折射可改變局部光束235的極化狀態。
以下說明重點在於補償局部光束235在相應通道220的路徑中獲得的極化變化。但應瞭解，所討論的措施亦可用以補償局部光束235的其他缺陷。
在下一個步驟中，解說能夠補償局部光束235之極化變化之光學元件的製造。然後，討論在局部光束235的通道220中插入光學元件的實例。
圖3示意性描繪投影曝光系統100之照明系統130之光學組件215、225、230、265、270在遮罩150之平面290中的固有或材料雙折射的效應。如在圖1的討論已經提過，雷射源110的輸出光束205為實質上線性極化。通常，光束205為水平極化(在圖2的紙張平面中)或垂直極化(垂直於圖2的紙張平面)。
圖3提出標量雙折射分量Ret45的例示性圖解，其圖解將向量延遲投影至45°軸上，其中該角度係相對於x軸而量測。圖3a-3c清楚指出，延遲朝向照明系統130的透鏡邊緣而明顯增加。此外，圖3a-3c亦指出，延遲亦朝向光瞳邊緣而明顯增加。 這表示照明系統130之光學元件215、225、230、265、270的材料雙折射具有強烈的場及光瞳相依性。
具有材料雙折射之光學元件215、225、230、265、270、500的延遲△係根據以下方程式，由光學元件215、225、230、265、270的厚度d及其快軸的折射率n F 及慢軸的折射率n S 決定：△=d．(n S -n F )=d．△n=d．δ (1)其中δ稱為「雙折射」。
由光學元件215、225、230、265、270之材料雙折射所造成的延遲△變更局部光束235的極化狀態，及因此導致照明光束285在遮罩150之照明場290上的極化變化。因此，圖3中由光學組件215、225、230、265、270的材料雙折射例示性散布的極化變化導致較佳狀態強度(IPS)減少。對於微影投影曝光系統100的客戶，IPS規格是很重要的特性。因此，必須補償IPS損失使得投影曝光系統100滿足預定的IPS臨限值。目前，典型的IPS規格取決於照明設定，例如在94%至98%的範圍中。
此較高的IPS規格臨限值導致總投影曝光系統100亦包括全部外部貢獻的延遲預算在約10nm的範圍中。因此，IPS規格對於照明系統130的每一個光學元件215、225、230、265、270以及微影投影曝光系統100的投影系統140，設定新的雙折射需求。此外，這亦對由遮罩150、光阻170及遮罩150的薄膜(圖1未顯示)引致的極化變化做出高要求。在本發明中，不涉及不屬於投影曝光系統100之一部分的最後組件的影響。
圖4描繪設備400的示意方塊圖，可使用設備400以在光學元件215、225、230、265、270中及尤其對在圖5背景中討論的特定光學元件500引入局部持續修改配置，以補償投影 曝光系統100之光學元件215、225、230、265、270的材料雙折射的效應。設備400包含可在三維中移動的夾盤420。光學元件410可藉由使用各種技術(如夾緊)而固定於夾盤420。光學元件410可以是圖2的光學元件215、225、265、270之一者以及圖5討論的特定光學元件500。
設備400包括脈衝雷射源430，其產生脈衝或雷射脈衝的光束435。雷射源430產生可變持續時間的光脈衝或雷射脈衝。脈衝持續時間可如10fs之低，但亦可持續增加至100ps。脈衝雷射源430產生之光脈衝的脈衝能量亦可在每脈衝0.01μJ至每脈衝10mJ的大範圍中進行調整。此外，雷射脈衝的重複率包含1Hz至100MHz的範圍。在一較佳具體實施例中，光脈衝可由在800nm之波長下操作的Ti：藍寶石雷射產生。然而，下文說明的方法不限於此雷射類型，可使用基本上全部雷射類型，其具有光子能量小於光學元件410之材料的帶隙，且其能夠產生持續時間在飛秒範圍中的脈衝。因此，亦可應用例如Nd-YAG雷射或染料雷射系統。
設備400亦可包含多於一個脈衝雷射源430(圖4未顯示)。
下表描述在一方面中用於將局部持續修改配置引入光學元件410中之雙頻Nd-YAG雷射系統之雷射光束參數的概覽。單一局部持續修改局部地修改光學元件410的密度。光學元件410的局部修改密度在光學元件410的至少一個小容積間斷地修改，其中至少一個小容積稱為「像素」。此外，單一局部持續修改的局部修改密度引致所引致像素之局部持續修改周圍的應變分布。藉由在光學元件410材料的專用配置中引入或寫入許多像素，可產生所要的應變分布。
已知引致的不滲透性改變△β ij 線性取決於材料中引致的應變，其中不滲透性β與電容率ε的關係為：
此相依性可借助應力光學矩陣的分量表達：
因此，在光學元件215、225、230、265、270、500的材料中藉由在光學元件215、225、230、265、270、500中引入或寫入像素所引致的應變與材料中光束或局部光束235的延遲△直接相關，並由以下方程式給出： 其中d一樣是光學元件215、225、230、265、270的厚度，n 0是光學元件215、225、230、265、270、500之等向性材料的折射率，及β ij 是光學元件215、225、230、265、270、500之材料之不滲透性矩陣的分量。
下文中，特徵化特定雷射脈衝的一雷射光束參數集又稱為「寫入模式」，因為雷射光束係聚焦於光學元件215、225、230、265、270、500中，及雷射脈衝係「寫入」光學元件410的材料。每個雷射光束或雷射脈衝參數集或每個寫入模式引致光學元件215、225、230、265、270、500中對此參數集為典型或特定的局部變形。換言之，每個雷射脈衝參數集或每個寫入模式產生其在光學元件410之材料中的特定變形。
下文中，以稱為「模式印記(MS)」之參數的形式說 明雷射脈衝對光學元件215、225、230、265、270、500的效應。在此概念中，將光學元件215、225、230、265、270、500的區域分成若干較小的基本區域，較佳為小矩形或正方形。模式印記說明基本區域因雷射脈衝的作用或雷射脈衝的總數而產生的扭曲或變形。
下表指示不同地影響局部持續修改配置的參數及因此在光學元件410的材料中引致的應變分布。表2針對稱為「標準製程容許度(Std PW)」之引入或寫入像素模式，提出雙頻Nd-YAG雷射系統的參數。
表3總結一樣使用雙頻Nd-YAG雷射系統之具體實施例之稱為「低配準製程容許度(LowReg PW)」之模式的參數。雷射系統430之此操作模式使用能量低於Std PW的光脈衝，但引入較高像素密度。
操縱反射鏡或操縱系統490將脈衝雷射光束435引向聚焦物鏡440中。物鏡440將脈衝雷射光束435聚焦至光學元件410中。所應用物鏡440的NA(數值孔徑)取決於焦點的預定光點 大小及焦點在光學元件410之材料中的定位。如表1所示，物鏡440的NA可高達0.9，這導致焦點光點直徑為實質上1μm及最大強度為實質上1020W/cm2。
設備400亦包括控制器480及電腦系統460，其管理樣本保持器420的二軸定位台在x及y方向平面中的平移。控制器480及電腦系統460亦經由固定物鏡440的單軸定位台450控制物鏡440垂直於夾盤420之平面(z方向)的平移。應注意，在設備400的其他具體實施例中，夾盤420可配備三軸定位系統以將光學元件410移動至目標位置，及物鏡440可為固定，或夾盤420可為固定及物鏡440可在三維中移動。另應注意，亦可使用手動定位台，以在x、y及z方向中將光學元件410移動至脈衝雷射光束435的目標位置，及/或物鏡440可具有手動定位台，以在三維中移動。
計算系統460可以是微處理器、通用處理器、專用處理器、中央處理單元(CPU)、繪圖處理單元(GPU)等。其可配置在控制器480中，或可以是獨立單元，諸如個人電腦(PC)、工作站、主機等。電腦系統460可另外包含輸入/輸出(I/O)單元，如鍵盤、觸控板、滑鼠、視訊/圖形顯示器、印表機等。另外，電腦460亦可包含揮發性及/或非揮發性記憶體。可以硬體、軟體、韌體或其任何組合實現計算系統460。此外，電腦系統460可控制雷射源430(圖4中未指示)。
此外，設備400亦可提供包括電荷耦合裝置(CCD)相機465的觀察系統，其經由分色鏡445接收配置給夾盤420之照明源的光。觀察系統有助於光學元件410相對於目標定位的導航。此外，觀察系統亦可用來觀測在光學元件410中利用光源430的脈衝雷射光束435形成像素配置。
圖5示意性表現光學元件500，其經製備以補償局部光束235在通道220中的極化變化。光學元件500包含局部光束235所穿越的光學有關區510。光學元件500可以屬於對局部光束235的相應波長為透明的任何材料。在DUV範圍中，例如可應用石英或二氟化鈣(CaF2)製造光學元件500。為了引入相當數量的延遲，光學元件500的材料應為非晶，尤其可應用非晶石英。
在圖2背景討論的實例中，光學元件500的光學有關區510具有大小>2mm×2mm。光學有關區510為光學無關區520所包圍。在討論的實例中，光學無關區520的外尺寸為4mm×4mm。將底座附接至光學無關區520，以將光學元件500插入及固定在通道220(圖5未顯示)中。
使用光學無關區520以引入局部持續修改的一或若干個配置530、540。在圖5中指示配置530、540只是為了圖解原理。在解說設備400時，即在討論圖4期間，詳細說明引入局部持續修改或像素配置引入了造成定義之應變引致雙折射的定義局部應變分布。在圖5的實例中，像素配置530、540造成雙折射，其中快軸沿著具有像素配置530、540的角落定位，及延遲量在中心處實質上為零且朝向具有像素配置530、540的角落增加。
圖2展示光學組件215、225、230、265、270的材料雙折射造成延遲在光瞳平面中的規律相依性。因此第一方法是藉由製造具有固定快軸及不同最大延遲量的光學元件500，補償光學組件215、225、230、265、270的材料雙折射。如方程式(1)所示，這可藉由以下方式來執行：變更光學元件500的厚度或藉由改變像素配置530、540變更應變引致雙折射。亦可使用兩種參數變化的組合以製造具有預定延遲量的光學元件500。各種光學元件500接著可插入相應局部光束235的通道220中，以補償光瞳平面 中的相應極化變化。
此方法具有以下優點：不必分析個別通道220之光學元件215、225、230、265、270的極化變化。此外，不需要決定每個光學元件500的個別像素配置530、540。因此，在以下實例中討論此方法。
然而，必須強調，亦可以第二方法量測個別通道220之光學組件215、225、230、265、270的極化變化，及從此資料計算對光學元件500之個別化缺陷補償的相應像素配置530、540。
此外，光學元件500亦可裝備有一或多個致動器以臨時引致應變引致雙折射(圖5未顯示)。此允許在照明系統130操作期間動態設定延遲。致動器可配置以修改光學元件500之雙折射的快軸，及因此修改快軸的定向及延遲二者。另一方面，致動器可配置以僅變更延遲，但使快軸的定向保持不變。例如，可應用壓電元件作為致動器。
此外，光學元件500可取決於光學組件在通道220中的調整(尤其因為移動光學元件265)而動態插入通道220中。這使得可針對照明系統130的各種設定做出靈活回應。
圖6顯示圖2的分割圖。圖2的光柵元件215產生四個入射局部光束605、610、615、620，其為線性極化且其極化水平定位在紙張平面中。在穿越聚焦微透鏡陣列640後，將極化板652、654、656插入局部光束610、615、620中，以便按預定數量改變入射局部光束610-620的極化。如可從圖6中看見，每個極化板650在此實例中按45°(π/4)旋轉光束610、615、620的極化。由於極化板652、654、656的作用具有加成性，相對於局部光束670的極化，局部光束615旋轉90°及局部光束620旋轉135°。反射鏡660以圖2指示的預定方向反射局部光束605-620。
然而，為了在疊加局部光束605-620時產生預定極化，可能需要局部光束620具有橢圓形極化而非線性極化。為此目的，在具有一或若干個局部持續修改配置530、540(其以固定快軸及定義延遲產生應變引致雙折射)之局部光束620的通道中插入光學元件500，以結合極化板656產生局部光束785的所需極化。
圖7圖解此情況。將具有預定延遲的光學元件500插入局部光束620中，及根據該光學元件的延遲改變所反射光束785的極化。由於入射光束620為線性極化，故光學元件500的效應取決於其快軸相對於局部光束620之極化的定向。在光學元件500的快軸及局部光束620的極化之間的角度±45°具有最大極化效應。光學元件500之快軸的正負號必須不同於照明系統之有效延遲軸的正負號，以造成極化變化的補償。
將光學元件500插入極化板650的上游是有利的，因為此配置有助於光學元件500的快軸相對於局部光束620之極化的定向。另一方面，在相對於局部光束620的極化控制光學元件500之快軸的定向時，亦可將光學元件500配置在極化板652、654、656的下游。
由相應照明光束285的IPS變化控制光學元件500的影響。
圖8顯示當局部光束235疊加於單一光點中時，亦可使用插入具有缺陷(尤其極化缺陷)之通道220的光學元件500，補償第二通道的極化缺陷。圖8描繪其極化利用斯托克(Stokes)向量S1及S2說明的兩個局部光束235。兩個局部光束235通過引入不同延遲量(指示為Ret1及Ret2)的光學元件500。此外，第二局部光束235穿越極化板652、654或656之一者，使得局部光束235具有不同極化旋轉φ1及φ2。因此，兩個局部光束的斯托克向量為：
若兩個局部光束235藉由反射鏡240或660的相應傾斜而疊加，則疊加光束的極化以斯托克向量Ssum說明：
這證明在利用極化板650產生額外極化旋轉時，由光學元件500引入的延遲一樣有效。這表示插入局部光束235之通道220中的光學元件500在疊加局部光束235時，即使其他通道由於極化板652、654、656的作用而具有不同的極化狀態，亦可補償各種其他通道的極化缺陷。
很有用的是可製備一組具有不同數量之應變引致雙折射的極化板652、654、656。此外，亦可設想在光學組件215、225、265、270的一或多個中引入像素配置530、540。在特定情況中，亦可使用光學元件500及藉由將一或多個像素配置530、540引入光學組件215、225、230、265、270之一者中之另一補償措施的組合。
此外，照明系統130的組態可以如下：更有效的是使用對不只一個通道220起作用的板或補償板來代替光學元件500。有用的是可對通道矩陣的一部分應用補償板。例如，可製造補償板用於局部光束235之二維通道矩陣的四分之一。此補償板例如可有利地用於照明系統130的四極設定。
圖9提出用於雙折射(尤其是局部光束235之通道220 中之光學組件215、225、230、265、270的材料雙折射)之通道式補償的4×4補償板900。如上文已經提過，圖9至12中考慮之照明系統130的多重反射鏡陣列(MMA)660包含64×64反射鏡配置。補償板900包含通道220，如第三行的通道220，其對相應局部光束235的極化不起作用。此外，補償板900具有光學有關區910，其提供不同快軸定向的應變引致雙折射及不同延遲量。
在圖9的實例中，在光學有關區之外引入或寫入局部持續修改配置。此區域在圖9中稱為結構化區。圖9正好指出可以製造具有不同快軸定向及在單一補償板900上亦具有不同延遲量的補償板900。
圖10圖解4×4補償板的各種組態。圖10a顯示一板，其中第二列的光學區具有不同快軸定向及多種延遲量的雙折射分布。圖10b指示圖10a的組態，其中圖10a之第二列的應變引致雙折射在圖10b的第四列中重複。圖10c提出其中快軸定向在一列中為固定但具有不同延遲量的組態。最後，圖10d將應變引致雙折射分布至補償板的所有列。對於每個極化板652、654、656，均有具有延遲效應的通道及不具有延遲效應的其他通道。在靜態方法的情況中，可因此利用計算反射鏡240之反射鏡傾斜角的Pol-CompPup演算法，最佳地設定補償效應，以最佳化照明光瞳。其同時藉由設定每個反射鏡240、三個極化板652、654、656及補償板500，最佳化所要強度分布、所要(線性)極化分布及所需延遲分布。
如在討論光學元件500時已經提過，如果將補償板900插入極化板652、654、656的上游，則補償板900僅需具有相對於局部光束235、605-620的極化為±45°的兩個快軸定向。以下圖式指出補償板900結合極化板652、654、656的幾個可設想實 施方案可能性。
圖11顯示一實例，其中結合局部通道矩陣的三個極化板(PolFlex板1至PolFlex板3)使用具有圖10b之組態兩倍的補償板。在此組態中，存在用於每個極化狀態的通道220，其校正快軸+45°及-45°以及各快軸定向之延遲3nm及5nm的相應通道(即，通道220)的雙折射。亦存在對相應極化狀態的極化不具有任何效應的一些通道220。因此，可極大地補償形成出射光束(從疊加此通道矩陣部分之局部光束235產生)之局部光束235的延遲。
圖12同樣提出三個極化板(PolFlex板1至PolFlex板3)及補償板的實例。與圖11的實例相比，使用具有圖10a之組態一次的補償板補償所提通道矩陣分割圖之不同通道的延遲效應。為了最佳化局部通道矩陣之通道220的極化變化補償，補償板在圖12的通道矩陣分割圖中動態移動。補償板的移動與極化板無關。
500‧‧‧光學元件
605、610、615、620‧‧‧入射局部光束
640‧‧‧微透鏡陣列
652、654、656‧‧‧極化板
660‧‧‧反射鏡
670‧‧‧局部光束
785‧‧‧局部光束

Claims (28)

  1. 一種用於一微影投影曝光設備的照明系統，包含：a.複數個通道，每個通道引導一局部光束及至少一個通道包含至少一個缺陷；及b.至少一個光學元件配置在具有該至少一個缺陷的該至少一個通道中，該光學元件經調適以至少部分補償該通道之該局部光束的該至少一個缺陷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該至少一個缺陷包含該局部光束在該至少一個通道中的極化變化。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件藉由修改該局部光束的極化，至少部分補償該至少一個缺陷。
  4. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件包含一應變引致雙折射，其至少部分補償該局部光束的極化變化。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之照明系統，其中該應變引致雙折射包含在該光學元件之光學有關區外的光學元件區中引入至少一個局部持續修改配置。
  6. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中一二維反射鏡陣列之一反射鏡將通過該至少一個光學元件之一局部光束引向與一預定目標光瞳一致之一光瞳的一外邊緣。
  7. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件的該應變引致雙折射包含具有一固定方向的一快軸。
  8. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件的該應變引致雙折射在該至少一個光學元件的光學有關區中包含1nm-10nm、較佳2nm-8nm、及最佳3nm-6nm的延遲。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件藉由選擇該至少一個光學元件之該快軸相對於該通道中局部光束之極化的定向，最大化該局部光束之極化的修改。
  10. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該照明系統經調適以疊加至少一個第一通道及至少一個第二通道的局部光束於單一光點中，使得該疊加光束的延遲補償該照明系統的延遲。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之照明系統，其中該至少一個第一通道之該局部光束的極化相對於該至少一個第二通道之該局部光束的極化旋轉一預定數量。
  12. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個缺陷的補償增加出射該照明系統之一光束的一較佳狀態強度。
  13. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一 個光學元件經調適以包含致動器，以在該至少一個光學元件的光學有關區中引致應變。
  14. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件經調適以在該照明系統操作期間動態插入該至少一個通道中。
  15. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件包含以不同固定快軸及/或不同延遲量製造的眾多光學元件。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之照明系統，其中該眾多光學元件經調適以插入各具有缺陷的眾多通道中，使得最大化出射該照明系統之該光束的該較佳狀態強度。
  17. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件經調適以包含一極化器，其按一預定數量改變該局部光束的極化。
  18. 如申請專利範圍第1-16項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件包含反射該局部光束的一反射鏡。
  19. 如申請專利範圍第1-16項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件包含偏轉該局部光束的一透鏡。
  20. 如申請專利範圍前述任一項所述之照明系統，其中該至少一個光學元件經調適以包含對於至少兩個通道具有至少兩個光學有關區的至少一個板，該等光學有關區配置在該至少一 個板的光學無關區之間。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之照明系統，其中該至少兩個光學有關區係以一一維列或一二維矩形矩陣配置，該至少兩個光學有關區具有針對該等局部光束直徑而調整的直徑，及該至少兩個光學有關區具有針對該至少兩個不同通道的該等局部光束之間的距離而調整的距離。
  22. 如申請專利範圍第20或21項所述之照明系統，其中該板包含至少兩個光學有關區，其經調適以補償至少兩個不同缺陷。
  23. 如申請專利範圍第20-22項所述之照明系統，其中該板之該至少兩個光學有關區包含一極化器，其按一預定數量改變該局部光束的極化。
  24. 如申請專利範圍第5項所述之照明系統，其中使用超短雷射脈衝以引入該至少一個局部持續修改配置。
  25. 如申請專利範圍第20-23項所述之照明系統，其中該板經調適以實質上垂直於該至少兩個局部光束的光束方向而移動及/或旋轉。
  26. 如申請專利範圍第20-23或25項所述之照明系統，其中該板經調適以在該照明系統操作期間動態插入該至少兩個通道之該等局部光束的一光束路徑中。
  27. 一種用於在一微影投影曝光系統的一照明系統中補償至少 一個通道之至少一個缺陷的方法，該方法使用如申請專利範圍第1-26項中任一項所述之一照明系統。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之方法，另外包含以下步驟：在具有最能夠以至少一個光學元件補償之缺陷的至少一個通道中插入該至少一個光學元件。
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