TW201342905A - 用於修正成像像素之黑色位準 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於獲得經修正之像素值的技術。該技術包括量測一像素陣列之一暗校準像素之一第一暗電流，及量測該像素陣列之一成像像素之一第二暗電流。基於該第一暗電流及該第二暗電流來計算暗電流比率。藉由該成像像素來獲取一影像電荷，其中該影像電荷係在一第一時間週期上積累的。藉由該暗校準像素來獲取一電荷，其中該電荷係在一第二時間週期上積累的。該第二時間週期大約等於該第一時間週期除以該暗電流比率。使用來自該成像像素之一第一讀出及來自該暗校準像素之一第二讀出來計算一經修正之成像像素值。

Description

用於修正成像像素之黑色位準
本發明大體而言係關於光學器件，且具體但不排他而言，係關於影像感測器。
互補金屬氧化物半導體(「CMOS」)影像感測器包括像素之陣列，該等像素回應於入射光產生電信號。理想上，由像素產生之電信號準確地表示入射於該像素上之光的量。然而，在實踐中，即使當像素不曝露於光時，其仍產生某一電信號。此信號一般稱為「暗電流」，其為不期望的，因為其減小了影像感測器之動態範圍。
由於澈底消除暗電流極其困難，因此已研發了黑色位準修正(「BLC」)方法來有效地減輕暗電流可能引入至成像像素中之誤差。一些BLC方法利用像素陣列中之像素，其藉由安置於像素上之金屬層或其他遮蔽在實體上被遮光。此等規定像素通常稱為光學上之黑色像素(下文中，「黑色校準像素」)，並且通常緊鄰未遮蔽像素(下文中，「成像像素」)之成像區域叢集為列或行。
習知BLC方法最適合於暗電流產生速率對於暗校準像素及成像像素兩者相同時之狀況。暗校準像素及成像像素一般具有由讀出電路中之各種共用電路元件(例如，放大器及類比至數位轉換器(「ADC」))引入之相同偏移誤差。因此，當暗校準像素與成像像素具有相同暗電流時，一種BLC方法為簡單地自成像像素讀出中減去暗校準像素讀 出。因為暗校準像素讀出包括來自讀出電路之偏移誤差及暗電流誤差兩者，所以自成像像素讀出中減去暗校準讀出會產生修正偏移及暗電流誤差之成像像素值。
然而，此BLC方法不適合於暗電流產生速率對於暗校準像素及成像像素不同(不一致)時之情況，因為暗校準像素讀出之暗電流分量將不與成像像素匹配。因此，簡單地自成像像素讀出中減去暗校準像素讀出將產生不準確之經修正之成像像素值。在實踐中，暗校準像素可具有額外因素，其促成了實質上不同於成像像素之暗電流的暗電流。該等因素之一者可能為因其上面之實體遮蔽層引起的機械應力。暗校準像素上之此等機械應力可能引起與成像像素暗電流相比較高或較低之暗電流。暗校準像素與成像像素之間的暗電流之不一致性使得考慮到暗電流之不一致性及電路偏移之BLC方法合乎需要。
100‧‧‧成像系統
102‧‧‧成像像素
103‧‧‧暗校準像素/黑色校準像素
110‧‧‧像素陣列
130‧‧‧列位址解碼器
140‧‧‧行位址解碼器
150‧‧‧時序與控制單元
160‧‧‧取樣與保持寄存器
165‧‧‧開關
170‧‧‧影像處理器
200‧‧‧圖
210‧‧‧線
220‧‧‧線
230‧‧‧線
405‧‧‧重設信號
410‧‧‧傳送信號
415‧‧‧暗校準像素重設
420‧‧‧成像像素重設
D_RST‧‧‧重設線
D_TX‧‧‧傳送線
I_RST‧‧‧重設線
I_TX‧‧‧傳送線
TDexp‧‧‧線210到達電壓V2所花費之時間
TIexp‧‧‧線220到達電壓V2所花費之時間
V1‧‧‧電壓
V2‧‧‧電壓
V3‧‧‧電壓
參看下圖描述本發明之非限制性且非詳盡之實施例，其中除非另有指明，否則遍及各個圖中相似參考數字指代相似部分。
圖1為說明根據本發明之一實施例的成像系統之方塊圖。
圖2為說明根據本發明之一實施例的成像像素及黑色校準像素之暗電流之圖。
圖3為說明根據本發明之一實施例的成像系統用於獲得經修正之像素值之操作程序的流程圖。
圖4A及圖4B為說明根據本發明之一實施例的成像像素及暗校準像素之信號序列之信號序列圖。
本文中描述用於黑色位準修正之系統及方法之實施例。在以下描述中，為了提供對實施例之透徹理解而闡述了許多具體細節。然而，熟習此項技術者將認識到，本文中描述之技術可在無該等具體細 節中之一或多者的情況下或藉由其他方法、組件、材料等來實踐。在其他例子中，未詳細展示或描述熟知結構、材料或操作，以避免使某些態樣混淆。
遍及本說明書中對「一個實施例」或「一實施例」之參考意謂結合該實施例所描述之特定特徵、結構或特性包括於本發明之至少一個實施例中。因此，片語「在一個實施例中」或「在一實施例中」在本說明書各處之出現未必均指代同一實施例。此外，在一或多個實施例中，特定特徵、結構或特性可以任何合適之方式加以組合。
圖1為說明根據本發明之一實施例的成像系統100之方塊圖。成像系統100含有像素陣列110，其包括安置於在曝光時間期間曝露於光之成像區域中的成像像素102，及實體上被遮光且不安置於成像區域中之暗校準像素103。暗校準像素103在成像像素102之最後一列之後配置成兩列。應瞭解，此配置純粹為例示性的；在其他實施例中，黑色校準像素103可位於像素陣列110內之任何位置，且可作為個別像素配置成列、行，或者以上情況之任何組合。
仍然參看圖1，時序與控制單元150使用列位址解碼器130及行位址解碼器140來控制像素陣列110中之所有像素的讀出序列及曝光時間。「曝光時間」可稱為「積分時間」。詞語「曝光」或「曝露之」可參照黑色校準像素使用，即使該等像素可能被光學上不透明之材料覆蓋，且可能實際上並未曝露於入射光。在一個實施例中，時序與控制單元150採用行並行讀出方案，其中其首先組態列位址解碼器130以在預定義之曝光時間中使給定列中之所有像素同時曝露。接下來，將在曝光時間期間在每一像素上積累之電荷(有時稱為「像素資料」)傳送至對應於像素之行的取樣與保持寄存器160。最後，行位址解碼器140使用開關165將每一像素資料自取樣與保持寄存器160依序讀出至影像處理器170中以供進一步處理。一旦已完整傳送了一列像素，列位址 解碼器130便可將下一列讀出至取樣與保持寄存器160中。為了簡潔起見，自圖1中省略了一些電路元件，諸如信號放大器、類比至數位轉換器或相關二次取樣電路。
應瞭解，在其他實施例中，時序與控制單元150可採用不同讀出方案。舉例而言，在其中暗校準像素103配置成行而非列之組態中，可實施列並行讀出方案而非上述行並行方案。在列並行方案中，在預定義之時間週期中，使每一行像素同時曝露。此外，在其中暗校準像素103配置成列及行兩者或甚至不以特定次序圍繞像素陣列110散開之組態中，可使用「隨機存取」讀出方案。在該方案中，每一像素被個別地曝露及讀出，此允許每一像素有獨立曝光時間。
時序與控制單元150管理對成像像素102及暗校準像素103之暗電流的讀出。當成像像素被遮光(例如，暗房間或關閉相機快門)時，量測暗電流。雖然成像像素102及暗校準像素103之暗電流可能不一致，但已發現此兩者之間的比率可預測地接近恆定且不受溫度、電壓或其他系統因素之劇烈影響。因此，在BLC方法中可使用該比率(下文中，「暗電流比率」)之可預測性來改良準確度。
如上文提到，有時在BLC方法中使用黑色校準像素，假設黑色校準像素之量測結果表示成像像素之暗電流。但該假設通常為錯誤的，因為黑色校準像素與成像像素之間存在差異(例如，機械應力)，其會導致不同暗電流值。然而，計算黑色校準像素與成像像素之間的暗電流比率允許計算出之調整，其可使得量測黑色校準像素再次表示成像像素之暗電流。此導致用於成像像素之更準確之像素值。
一種調整(基於暗電流比率)黑色校準像素之量測結果的方式為操縱其中量測黑色校準像素之時間週期。圖2為說明在不同時間週期中實現相同電壓位準之黑色校準像素與成像像素之實例暗電流的圖200。圖200包括線210，其表示在暗校準像素103之間在暗校準像素中 之暗電流積累。線220表示成像像素102之間在成像像素中之暗電流積累。線210及線220兩者均在電壓V1下開始，因為暗校準像素與成像像素將在其讀出電路中具有相同偏移(V1)。在相同之曝光週期中，線220到達電壓V2，而線210到達電壓V3。在說明之實施例中，V3與V2之間的電壓差與V2與V1之間的差相同，此意謂暗校準像素之暗電流為成像像素之暗電流的兩倍。暗電流比率(「DCR」)由以下等式給出：DCR=(暗校準像素之暗電流/成像像素之暗電流)
因此，圖200中暗校準像素與成像像素之間的DCR為二。對應地，線220到達電壓V2所花費之時間(TIexp)為線210所花費之時間(TDexp)的兩倍。由於暗電流通常在恆定速率下產生，所以積累之暗電流的量與曝光時間成線性比例。因此，自圖200可見，在圖200中，暗校準像素被曝光之時間將需要為成像像素之一半，以接近成像像素之暗電流。
黑色校準像素用以接近或表示成像像素之暗電流的曝光時間(TDexp)由以下等式給出：TDexp=(成像像素曝光週期)/(暗電流比率)。
然後接著在圖200中，TDexp=(TIexp)/(2)。TDexp(暗校準像素之曝光時間)則可設定為TIexp(成像像素102之曝光時間)之1/2。此補償了暗校準像素(例如，暗校準像素103)中增加之暗電流產生速率，而不會影響讀出偏移分量，其與曝光時間無關。因此，此兩種類型之像素上至其各別曝光時間結束時積累之暗電流的量相同，且因此在讀出期間添加之讀出偏移之水平亦如此。因此，藉由調整暗校準像素之曝光時間以反映成像像素之暗電流，當自暗校準像素值中減去成像像素讀出時，可考慮到暗電流之電路偏移及不一致性兩者。
在圖200中，說明之DCR為二。然而，應瞭解，選擇為二之DCR 僅為了說明之目的。DCR可小於一(例如，1/10、1/3或4/5)或大於一(例如，3/2、2/1或10/1)。當DCR大於一時，暗校準曝光時間(TDexp)將小於成像像素曝光時間(TIexp)。當DCR小於一時，暗校準曝光時間(TDexp)將大於成像像素曝光時間(TIexp)。在一些情形中，具有大於一之DCR可為較佳的，因為此允許暗校準像素而非成像像素具有縮短之曝光週期。此可能在低光情形中特別較佳，其中使成像像素之曝光週期儘可能長或當成像系統正試圖拍攝連續影像且暗校準像素之曝光週期應儘可能短時可能為有利的。
線230包括於圖200中，表示當成像像素曝露於光時成像像素之成像信號。當暗校準像素103被遮光時，成像像素102曝露於光。因此，除了暗電流之外，其亦因為當曝露於光時入射光子之光電轉換而產生某一電荷。因此，由線230表示之成像像素102上之總積累信號通常遠遠超出暗電流位準。此外，所有信號均包括固定於V1位準下之讀出偏移分量，不論該像素是否為暗校準像素。
圖3展示根據本發明之一實施例使用上文描述之等式自成像像素獲得經修正之像素值的程序300。程序區塊中之一些或全部出現在程序300中之次序不應認為限制性的。實際上，受益於本發明之一般熟習此項技術者將理解，一些程序區塊可用各種未說明之次序執行，或甚至並行執行。
在程序區塊305中，在相同之時間週期上量測暗校準像素之暗電流及成像像素之暗電流。可藉由用不透明材料覆蓋像素陣列110且使所有像素曝露來量測暗電流。不透明材料可為相機之在整個曝光週期期間關閉之機械快門。在一個實施例中，量測一個以上暗校準像素以獲得暗電流值。暗校準像素(例如，暗校準像素103)之暗電流量測結果可為所有暗校準像素或在靠近成像像素之某距離中之暗校準像素的平均值(包括加權平均值、均值、中值或其他中間傾向計算)。在一個 實施例中，量測一個以上成像像素以獲得暗電流值。成像像素(例如，成像像素102)之暗電流量測結果可為所有成像像素或在靠近成像像素之某距離中之成像像素的平均值(包括加權平均值、均值、中值或其他中間傾向計算)。
在程序區塊310中，計算暗電流比率。藉由將暗校準像素之暗電流(或暗校準像素之平均暗電流)除以成像像素之暗電流(或成像像素之平均暗電流)來計算DCR。DCR值可僅計算一次，且儲存在非揮發性記憶體(諸如PROM或OTP)中。此可在工廠進行。或者，可在每當成像系統100被加電或者每次在使用者拍攝照片或俘獲視訊片段時重新計算DCR；接著可將DCR儲存在非揮發性或揮發性記憶體(諸如DRAM)中。
一種確定DCR之替代方法包括迭代程序。在迭代程序中，暗校準像素之曝光時間與成像像素之曝光時間相差一臨時比率，且該臨時比率逐漸改變，直至所得影像最接近在記憶體中找到之理想「黑色」影像為止。該最後臨時比率值接著將用作DCR。
在程序區塊315中，自成像像素獲取在第一時間週期(例如，TIexp)上積累之影像電荷。在一個實施例中，第一時間週期為成像像素之曝光週期，且可基於多種因素而設定，諸如場景之光照條件、ISO速度及其他自動或使用者定義之設定。一列或一行成像像素可在第一時間週期中曝露。
在程序區塊320中，自暗校準像素獲取在第二時間週期(例如，TDexp)上積累之電荷。第二時間週期如下計算：第二時間週期=(第一時間週期)/(DCR)
當DCR大於一時，第二時間週期將小於第一時間週期，且第二時間週期將為第一時間週期之一部分。當DCR小於一時，第二時間週期將大於第一時間週期，且第一時間週期將為第二時間週期之一部分。 整列或整行暗校準像素可在第二時間週期中曝光。
在程序區塊325中，根據來自在第一時間週期中曝露之成像像素及在第二時間週期中曝露之暗校準像素之讀出進行計算。基於此等讀出，針對成像像素計算修正成像像素值。在一個實施例中，自來自成像像素之讀出(其可包括來自入射於成像像素上之光的影像資料)中減去來自暗校準像素之讀出。該減法可在類比或數位域中執行。
在一個實施例中，因為暗電流及/或讀出偏移在暗校準像素103上之輕微變化，暗校準像素之讀出為暗校準像素103之全部或某一子集之平均值。在一個實施例中，自不同成像像素中減去不同暗校準像素。例如，將僅考慮最靠近某一成像像素之暗校準像素103(並且求其平均值)，而將忽略位置離該某一成像像素較遠之暗校準像素103(或者在加權平均之情況下給其權重較小)。
可用各種方式實現根據程序區塊315及320來設定成像像素102及暗校準像素103之不同曝光時間。圖4A及圖4B說明實施程序300之一部分的一種方法。圖4A展示在DCR大於1時可用於定義成像像素102及暗校準像素103之曝光時間(亦稱為「積分時間」)之例示性信號序列。
圖4A展示在成像像素之重設線(I_RST)上確證之重設信號405，其使像素「預充電」。接著，將重設信號405撤銷確證，且曝光時間(TIexp)開始。在曝光時間期間，光可入射於成像像素上，此可導致產生與入射於像素上之光(光子)之量成比例的負電荷(電子)。線230為回應於入射光積累之負電荷之一說明。在期望之曝光週期(TIexp)結束時，在成像像素之傳送線(I_TX)上確證傳送信號410，此使積累之負電荷自像素中傳送出去到達讀出電路。
圖4A亦展示重設信號405在成像像素之重設線上被確證及撤銷確證的同時在暗校準像素之重設線(D_RST)上被確證及撤銷確證。然 而，在暗校準像素之曝光週期期間，在暗校準像素之重設線(D_RST)上確證暗校準像素重設415。此清除了暗校準像素中之積累之電荷。接著，在允許暗校準像素具有TDexp之曝光週期(其中TDexp=(TIexp)/(DCR))之時間將暗校準像素重設415撤銷確證。在暗校準週期(TDexp)之曝光週期結束時，在暗校準像素之傳送線(D_TX)上確證傳送信號410，此使積累之負電荷自像素中傳送出去到達讀出電路。
圖4B展示在DCR小於1時可用於定義成像像素102及暗校準像素103之曝光時間之例示性信號序列。在成像像素之重設線(I_RST)上且在暗校準像素之重設線(D_RST)上確證重設信號405。接著，在兩個重設線上將重設信號405撤銷確證，且曝光時間(TDexp)開始。在圖4B中，暗校準像素具有較長之曝光時間(TDexp)，其亦等於(TIexp)/(DCR)。在圖4B中，影像像素在曝光週期期間在成像像素之重設線(I_RST)上接收成像像素重設420。此清除了成像像素中之積累之電荷。接著，在允許成像像素具有小於暗校準像素之曝光週期(TDexp)之曝光週期(TIexp)之時間將成像像素重設420撤銷確證。在暗校準像素曝光週期(TDexp)結束時，在成像像素之傳送線(I_TX)上且在暗校準像素之傳送線(D_TX)上確證傳送信號410。此使積累之負電荷自像素中傳送出去到達讀出電路。
圖4A及圖4B僅為可被發送至像素以調整像素之曝光週期之信號序列的實例。其他序列及方案為可能的。在一個實施例中，將暗校準像素重設415及重設信號405合併成一較長之重設信號。同樣，亦可將成像像素重設420及重設信號405合併成一較長之重設信號。應瞭解，上文描述之方法及系統可結合全局快門及滾動快門使用。僅改變時序序列(如圖4A及圖4B所示)來調整暗校準像素量測結果以表示成像像素之暗電流的一優點為需要對基礎硬體進行很少之改變或不進行改變。例如，可能不需要添加額外之時序電路或讀出電路，因為其可能已整 合至影像感測器中。
在電腦軟體與硬體方面描述上文解釋之程序。所描述之技術可構成在有形或非暫時性機器(例如，電腦)可讀儲存媒體內體現之機器可執行指令，該等指令在由機器執行時將使機器執行所描述之操作。此外，該等程序可在硬體邏輯內體現，該硬體邏輯諸如特殊應用積體電路(「ASIC」)或其他。
有形非暫時性機器可讀儲存媒體包括任何以機器(例如，電腦、網路裝置、個人數位助理、製造工具、任何具有一或多個處理器之集合的裝置等等)可存取之形式提供(亦即，儲存)資訊之機制。舉例而言，機器可讀儲存媒體包括可記錄/不可記錄媒體(例如，唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等等)。
上文對本發明之說明之實施例的描述(包括摘要中描述之內容)不意欲為詳盡的或者將本發明限於所揭示之精確形式。熟習此項技術者將認識到，雖然本文中出於說明之目的描述了本發明之具體實施例及實例，但在本發明之範疇內可進行各種修改。
可鑒於上文之詳細描述對本發明進行此等修改。以下申請專利範圍中使用之術語不應理解為將本發明限制於說明書中揭示之具體實施例。實際上，本發明之範疇應完全由以下申請專利範圍來判定，應當根據已確立之請求項解釋原則來理解以下申請專利範圍。

Claims (20)

  1. 一種用於獲得一經修正之像素值之方法，該方法包含：量測一像素陣列之一暗校準像素之一第一暗電流；量測該像素陣列之一成像像素之一第二暗電流；基於該第一暗電流及該第二暗電流來計算一暗電流比率；藉由該成像像素獲取在一第一時間週期上積累之一影像電荷；藉由該暗校準像素獲取在一第二時間週期上積累之一電荷，該第二時間週期大約等於該第一時間週期除以該暗電流比率；及使用來自該成像像素之一第一讀出及來自該暗校準像素之一第二讀出來計算一經修正之成像像素值。
  2. 如請求項1之方法，其中在實體上對該暗校準像素進行遮光，且將其安置於包括該成像像素之一成像區域外部，該成像區域能夠曝露於周圍光。
  3. 如請求項1之方法，其中該第一讀出對應於該成像像素因為在該第一時間週期上入射於該成像像素上之光而積累之該影像電荷，且該第二讀出對應於黑色校準像素在該第二時間週期上積累之該電荷。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含：量測至少一第二暗校準像素之一第三暗電流，其中計算該暗電流比率包括組合該第一暗電流與該第三暗電流。
  5. 如請求項1之方法，其中計算該經修正之成像像素值包括自該第一讀出中減去該第二讀出。
  6. 如請求項1之方法，其中藉由該成像像素獲取該影像電荷及藉由 該暗校準像素獲取該電荷包括：將一第一曝光信號傳輸至該成像像素及該暗校準像素；及將一重設信號後接一第二曝光信號傳輸至該暗校準像素，以使在該暗電流比率大於一之情況下，該第二時間週期比該第一時間週期短。
  7. 如請求項6之方法，其中該第一曝光信號及該第二曝光信號為一第一電壓位準，且其中該重設信號為不同於該第一電壓位準之一第二電壓位準。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包含將該暗電流比率儲存於通信地耦合至一處理器之一記憶體中。
  9. 如請求項1之方法，其中當一相機之一機械快門關閉時完成量測該第一暗電流及量測該第二暗電流，且其中該像素陣列安置於該相機中。
  10. 一種非暫時性機器可存取儲存媒體，其提供指令，該等指令在由一成像系統執行時，將使該成像系統執行包含以下各項之操作：量測一像素陣列之一暗校準像素之一第一暗電流；量測該像素陣列之一成像像素之一第二暗電流；基於該第一暗電流及該第二暗電流來計算一暗電流比率；藉由一成像像素獲取一影像電荷，其中該成像像素在一第一時間週期上積累該影像電荷；藉由該暗校準像素獲取一電荷，其中該暗校準像素在一第二時間週期上積累該電荷，該第二時間週期大約等於該第一時間週期除以該暗電流比率；及使用來自該成像像素之一第一讀出及來自該暗校準像素之一第二讀出來計算一經修正之成像像素值。
  11. 如請求項10之非暫時性機器可存取儲存媒體，其中該暗校準像素在實體上被遮光，且安置於包括該成像像素之一成像區域外部，該成像區域能夠曝露於周圍光。
  12. 如請求項10之非暫時性機器可存取儲存媒體，其中該第一讀出對應於該成像像素因為在該第一時間週期上入射於該成像像素上之光而積累之該影像電荷，且該第二讀出對應於黑色校準像素在該第二時間週期上積累之該電荷。
  13. 如請求項10之非暫時性機器可存取儲存媒體，其進一步提供指令，該等指令在由該成像系統執行時，將使該成像系統執行包含以下各項之進一步操作：量測至少一第二暗校準像素之一第三暗電流，其中計算該暗電流比率包括組合該第一暗電流與該第三暗電流。
  14. 如請求項10之非暫時性機器可存取儲存媒體，其中計算該經修正之成像像素值包括自該第一讀出中減去該第二讀出。
  15. 如請求項10之非暫時性機器可存取儲存媒體，其中藉由該成像像素獲取該影像電荷及藉由該暗校準像素獲取該電荷包括：將一第一曝光信號傳輸至該成像像素及該暗校準像素；及將一重設信號後接一第二曝光信號傳輸至該暗校準像素，以使在該暗電流比率大於一之情況下，該第二時間週期比該第一時間週期短。
  16. 一種成像系統，其包含：一像素陣列，其包括實體上被遮光之一暗校準像素，及安置於能夠被曝露於光之一成像區域中之一成像像素；一處理器，其經耦合以處理來自該像素陣列之成像資料；及邏輯，其耦合至該處理器及該像素陣列，其中該邏輯執行包含以下各項之操作： 量測該暗校準像素之一第一暗電流；量測該成像像素之一第二暗電流；基於該第一暗電流及該第二暗電流來計算一暗電流比率；藉由該成像像素獲取在一第一時間週期上積累之一影像電荷；藉由該暗校準像素獲取在一第二時間週期上積累之一電荷，該第二時間週期大約等於該第一時間週期除以該暗電流比率；及使用來自該成像像素之一第一讀出及來自該暗校準像素之一第二讀出來計算一經修正之成像像素值。
  17. 如請求項16之成像系統，其中該第一讀出對應於該成像像素因為在該第一時間週期上入射於該成像像素上之光而積累之該影像電荷，且該第二讀出對應於該黑色校準像素在該第二時間週期上積累之該電荷。
  18. 如請求項16之成像系統，其中該邏輯進一步執行包含以下各項之操作：量測至少一第二暗校準像素之一第三暗電流，其中計算該暗電流比率包括組合該第一暗電流與該第三暗電流。
  19. 如請求項16之成像系統，其中計算該經修正之成像像素值包括自該第一讀出中減去該第二讀出。
  20. 如請求項16之成像系統，其中藉由該成像像素獲取該影像電荷及藉由該暗校準像素獲取該電荷包括：將一第一曝光信號傳輸至該成像像素及該暗校準像素；及將一重設信號後接一第二曝光信號傳輸至該暗校準像素，以使在該暗電流比率大於一之情況下，該第二時間週期比該第一時間週期短。
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