TW201340378A - 發光二極體元件、發光二極體封裝結構及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種發光二極體元件、發光二極體封裝結構、及其製造方法。發光二極體元件包含一半導體磊晶堆疊結構、一第一電極及一第二電極。半導體磊晶堆疊結構具有相對之一底面與一上表面，以及相對之一第一側面與一第二側面。第一電極係位於半導體磊晶堆疊結構之第一側面。第二電極係位於半導體磊晶堆疊結構之底面下。
Description
本發明係關於一種發光二極體，特別係關於一種發光二極體元件、其封裝結構，以及其製造方法。
現有的發光二極體係在一基板上設置一磊晶堆疊結構，此磊晶堆疊結構係由一N型半導體層、多量子井層(Multiple Quantum Wells,MQW)及一P型半導體層依序層疊而成。當N型半導體層及P型半導體層被施予電壓時，可驅使電子電洞對於多量子井層中結合，以放射光線。
一般而言，N型半導體層與P型半導體層上分別設有一N型電極及P型電極。為了方便電極以打線方式連接到導線架，這兩種電極均係暴露於發光二極體之同一側。P型電極位在P型半導體層表面上，另由於N型半導體層係被多量子井層與P型半導體層所覆蓋，故為了在N型半導體層上設置N型電極，則勢必得將N型電極所在區域上方的多量子井層及P型半導體層蝕刻掉。
這麼一來，由於多量子井層與P型半導體層的面積減少，必然會造成發光面積的降低，而進一步降低發光二極體的發光效率。再者，發光二極體上的電極與導線架以打線方式電性連接，乃存有斷線的風險。
有鑑於此，本發明之一目的在於提供一種發光二極體元件，其無須為了暴露電極而蝕刻掉半導體層及發光層(例如：多量子井層)，故可有效克服以上先前技術所遭遇到的困難。
本發明之另一目的係在於提供一種發光二極體封裝結構，其無須在發光二極體元件之出光面設置電極，且電極與導線架之間不需打線，故可省去打線製程，並避免電極以及其所連接的導線吸收發光二極體元件的部分光線，從而進一步提高發光效率。
為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，一種發光二極體元件包含一半導體磊晶堆疊結構、一第一電極及一第二電極。半導體磊晶堆疊結構具有相對之一底面與一上表面，以及相對之一第一側面與一第二側面。第一電極係位於半導體磊晶堆疊結構之第一側面。第二電極係位於半導體磊晶堆疊結構之底面下。
依據本發明之另一實施方式，一種發光二極體封裝結構包含一發光二極體元件、一第一導線架、一第二導線架以及一封裝體。發光二極體元件係至少如同以上實施方式所述，其可包含一半導體磊晶堆疊結構、一第一電極及一第二電極。第一導線架係電性連接發光二極體元件之第一電極。第二導線架係電性連接發光二極體元件之第二電極。封裝體包覆發光二極體元件、第一導線架以及第二導線架。第一電極係位於半導體磊晶堆疊結構之第一側面，而第二電極係位於半導體磊晶堆疊結構之底面下。
依據本發明之又一實施方式，一種發光二極體元件之
製造方法主要包含下述步驟：提供一基板；形成一半導體磊晶堆疊結構於基板上，其中半導體磊晶堆疊結構包含一第二半導體層、一發光層及一第一半導體層，第二半導體層之底面設置於基板上，發光層設置於第二半導體層上，第一半導體層設置於發光層上；蝕刻第一半導體層、發光層及第二半導體層，以形成至少兩絕緣層凹槽於基板上；沉積至少一絕緣材料分別進入至少兩絕緣材料凹槽，以形成至少一第一絕緣層與一第二絕緣層；蝕刻第一絕緣層，以形成一第一電極凹槽於第一半導體層之一側面處；沉積至少一導電材料進入第一電極凹槽，以形成至少一第一電極；以及形成至少一第二電極於第二半導體層之底面。
藉由以上技術手段，本發明之實施方式可將第一電極設置於半導體磊晶堆疊結構之第一側面，並將第二電極設置於半導體磊晶堆疊結構之底面下。藉此，發光二極體元件可無須為了暴露出第二電極而蝕刻半導體磊晶堆疊結構之部分區域。另外，由於第一電極係設置於半導體磊晶堆疊結構之第一側面，故不會遮蔽到發光二極體元件之上表面，從而利於光線由上表面放射出去。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
以下將以圖式揭露本發明之複數實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然
而，熟悉本領域之技術人員應當瞭解到，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節並非必要的，因此不應用以限制本發明。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示依據本發明一實施方式之發光二極體元件之剖面圖。如圖所示，本實施方式所示之發光二極體元件包含一半導體磊晶堆疊結構100、一第一電極210及一第二電極220。半導體磊晶堆疊結構100具有相對之一底面106與一上表面108，以及相對之一第一側面102與一第二側面104。第一電極210係位於半導體磊晶堆疊結構100之第一側面102。第二電極220係位於半導體磊晶堆疊結構100之底面106下。
由於本發明之上述實施方式可將第一電極210設置於半導體磊晶堆疊結構100之第一側面102，故可避免第一電極210遮蔽到穿透至半導體磊晶堆疊結構100之上表面108外之光線。另外，由於本發明上述實施方式係將第二電極220設置於半導體磊晶堆疊結構100之底面106下，故無須另外蝕刻半導體磊晶堆疊結構100之部分區域來暴露第二電極220，從而克服發光面積減少的問題。
於部分實施方式中，第一側面102與底面106係實質上為垂直。應瞭解到，本說明書全文所述之”實質上”一詞係用以修飾任何可些微變化的關係，但這種些微變化並不會改變其本質。舉例而言，第一側面102與底面106之間的夾角除了可為90度之外，亦可因為製程上的不同而有些微差異，例如因為等向性蝕刻而使得第一側面102稍微傾
斜或呈弧狀。
第2圖繪示依據本發明另一實施方式之發光二極體元件之剖面圖。本實施方式與第1圖相似，主要差異在於本實施方式可進一步包含一第一絕緣層310、一第二絕緣層320及一鈍化層(passivation layer)330a。於本實施方式中，第一絕緣層310覆蓋第一側面102之未被第一電極210所佔據的區域。具體而言，第一絕緣層310係鄰接於第一電極210，而半導體磊晶堆疊結構100之第一側面102係由相互鄰接的第一電極210與第一絕緣層310所共同覆蓋。
於本實施方式中，第二絕緣層320覆蓋半導體磊晶堆疊結構100之第二側面104。具體而言，半導體磊晶堆疊結構100之第二側面104係完全由第二絕緣層320所覆蓋。藉此，第一絕緣層310及第二絕緣層320可保護半導體磊晶堆疊結構100免於受到外界電場的影響(例如：靜電)。於本實施方式中，第一絕緣層310及第二絕緣層320可由絕緣材料所製成，例如：二氧化矽(SiO2)。
於本實施方式中，鈍化層330a覆蓋底面106未被第二電極220所佔據之區域及第二電極220之兩側裸露的側壁，且鄰接第一絕緣層310與第二絕緣層320。具體而言，半導體磊晶堆疊結構100之底面106係由第二電極220與鈍化層330a所共同覆蓋，且鈍化層330a之兩端會鄰接第一絕緣層310與第二絕緣層320。於本實施方式中，鈍化層330a係為一絕緣層，其可由絕緣材料所製成，例如：二氧化矽(SiO2)。
第3A圖繪示依據本發明又一實施方式之發光二極體
元件之剖面圖。本實施方式與第2圖相似，主要差異係在於本實施方式的鈍化層330b為一半導體基板，而第2圖中的鈍化層330a為絕緣層。舉例而言，半導體基板可包含，但不侷限於，一藍寶石(Sapphire)基板或一含矽基板。在本實施例中，第二電極220之厚度和鈍化層330b厚度實質上一樣。
第3B圖繪示依據本發明又一實施方式之發光二極體元件之剖面圖。於本實施方式中，第二電極220之厚度大於鈍化層330b厚度。
如第1、2、及3圖所示，於部分實施方式中，半導體磊晶堆疊結構100包含依序由下往上堆疊的一第二半導體層120、一發光層130與一第一半導體層110，第一電極210是位在第一半導體層110之側面，而第二電極220是位在第二半導體層120之底面下。
具體而言，半導體磊晶堆疊結構100之第一側面102係由第一半導體層110、發光層130及第二半導體層120於一側之側面所共同鄰接而成；相似地，半導體磊晶堆疊結構100之第二側面104則係由第一半導體層110、發光層130及第二半導體層120於另一側之側面所共同鄰接而成。第一電極210係設置於第一側面102上並鄰接著第一半導體層110，第二電極220係設置於底面106上鄰接著第二半導體層120。藉此，第一電極210及第二電極220可分別施加電壓於第一半導體層110及第二半導體層120，以驅使電子、電洞的移動並使電子及電洞於發光層130中結合而放射光線。
於部分實施方式中，第一半導體層110是一N型半導體層，而第一電極210為一N極；第二半導體層120是一P型半導體層，而第二電極220為一P極。舉例而言，第一半導體層110可由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，例如：N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(如：矽)而形成；第二半導體層120可由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成，例如：P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二A族元素雜質(如：鎂)而形成。
於部分實施方式中，第一半導體層110是一P型半導體層，而第一電極210為一P極；第二半導體層120是一N型半導體層，而第二電極220為一N極。舉例而言，第一半導體層110可由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成，例如：P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二A族元素雜質(如：鎂)而形成；第二半導體層120可由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，例如：N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(如：矽)而形成。
於部分實施方式中，發光層130內包含複數個量子井(quantum well)結構，以幫助第一半導體層110及第二半導體層120所提供的電子及電洞結合。
第4A圖繪示依據本發明一實施方式之發光二極體封裝結構之剖面圖。第4B圖繪示第4A圖之發光二極體封裝結構之局部側視圖。第4C圖繪示第4A圖之第一導線架510之局部側視圖。如第4A-4C圖所示，本實施方式所示之發
光二極體封裝結構包含一發光二極體元件400、一第一導線架510、一第二導線架520以及一封裝體600。發光二極體元件400其至少包含一半導體磊晶堆疊結構100、一第一電極210及一第二電極220，且三者之連接關係是如同上述實施方式所述，故不再重複贅述。第一導線架510係電性連接發光二極體元件400之第一電極210。第二導線架520係電性連接發光二極體元件400之第二電極220。
封裝體600包覆發光二極體元件400、第一導線架510以及第二導線架520。
由於第一電極210係位於半導體磊晶堆疊結構100之第一側面102，故電性連接於第一電極210之第一導線架510係靠近第一側面102，而不會遮蔽半導體磊晶堆疊結構100之上表面108。另外，由於第二電極220係位於半導體磊晶堆疊結構100之底面106下，故電性連接於第二電極220之第二導線架520係靠近底面106，亦不會遮蔽半導體磊晶堆疊結構100之上表面108。藉此，上表面108可不被任何物體所遮蔽，以利於光線穿透。
於部分實施方式中，第一導線架510與第二導線架520之水平面高度不同，且彼此之間具有一間距，亦即，兩者係位於不同高度且無任何實體接觸(physical contact)。
於部分實施方式中，第一導線架510具有一第一延伸部512，其係從封裝體600之一側朝向半導體磊晶堆疊結構100之第一側面102所延伸，第一延伸部512之端面電性耦合第一電極210。舉例而言，發光二極體封裝結構可進一步包含一第一導電固晶膠514，黏附於第一電極210
與第一延伸部512之端面之間，而第一延伸部512之端面具有一導電膠槽513，以於導電膠槽513內填充一第一導電固晶膠514，而使第一導線架510與第一電極210黏附在一起並達到電性連接。具體而言，導電膠槽513係凹設於第一延伸部512之端面左上角處。在本實施例中，第一導電固晶膠514可為銀膠，以兼具導電及黏著之效果。
於部分實施方式中，第二導線架520具有一第二延伸部522，其係從封裝體600之另一側朝向半導體磊晶堆疊結構100之第二側面104所延伸並位於半導體磊晶堆疊結構100之下方而用以承載第二電極220。
舉例而言，封裝體600可包含一第一側壁610及一第二側壁620，兩者分別相對發光二極體元件400形成於封裝體600之兩側。第一延伸部512係由第一側壁610延伸至第一側面102上的第一電極210，而第二延伸部522係由第二側壁620朝向第二側面104所延伸，並延伸至第二電極220下方以承載第二電極220。
於部分實施方式中，發光二極體封裝結構可進一步包含一第二導電固晶膠700，其係黏附第二電極220於第二導線架520之表面上。具體而言，第二電極220係藉由第二導電固晶膠700固定於第二導線架520之第二延伸部522上。舉例而言，第二導電固晶膠700可為銀膠，以兼具導電及黏著之效果。
第5A-5I圖繪示依據本發明一實施方式之發光二極體元件之製造方法之剖面圖，本製造方法之主要步驟係如下所述。
如第5A圖所示，於本實施方式之製造方法中，可先提供一基板800，並形成一半導體磊晶堆疊結構100於基板800上。於本實施方式中，半導體磊晶堆疊結構100可包含一第二半導體層120、一發光層130以及一第一半導體層110，三者依序由下往上堆疊於基板800上。具體而言，第二半導體層120之底面係設置於基板800上，發光層130係設置於第二半導體層120上，第一半導體層110係設置於發光層130上。
應瞭解到，本說明書全文所述之『裝置A係設置於裝置B上』之用語係用以表示裝置A係位於裝置B的上方，亦即，裝置A投影至裝置B所在的平面可覆蓋住裝置B。
因此，除了裝置A直接疊合在裝置B上之外，即使裝置A與裝置B之間插入一裝置C，但只要裝置A可仍係位於裝置B的上方，即滿足本說明書之定義。舉例而言，『第二半導體層120係設置於基板800上』之實施態樣可包含第二半導體層120直接疊合在基板800上，亦可包含在第二半導體層120與基板800之間插入其他物質。
如第5B圖所示，於本實施方式中，可蝕刻第一半導體層110、發光層130及第二半導體層120，以形成至少兩絕緣層凹槽312於基板800上。舉例而言，可利用乾式蝕刻或濕式蝕刻由第一半導體層110朝向第二半導體層120進行蝕刻，並於蝕刻至裸露出基板800時，停止蝕刻，而於基板800上形成絕緣層凹槽312。
如第5C圖所示，於本實施方式中，可沉積至少一絕緣材料314分別進入上述絕緣層凹槽312，以形成第一絕緣
層310與第二絕緣層320(請併參閱第2圖)。於部分實施方式中，上述絕緣材料314可為二氧化矽。
如第5D圖所示，於本實施方式中，可蝕刻第一絕緣層310，以形成第一電極凹槽212於第一半導體層110之一側面處。舉例而言，可利用乾式蝕刻或濕式蝕刻由第一絕緣層310向下蝕刻而形成第一電極凹槽212，此第一電極凹槽212會暴露出第一半導體層110之側面。
如第5E圖所示，於本實施方式中，可沉積至少一第一導電材料214進入上述第一電極凹槽212，以形成至少一第一電極210(請併參閱第2圖)。舉例而言，可利用蒸鍍的方式將第一導電材料214填入第一電極凹槽212中，而形成第一電極210。於部分實施方式中，上述第一導電材料214可包含，但不侷限於，金屬或銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)。
如第5F圖所示，於本實施方式中，可倒置基板800與半導體磊晶堆疊結構100，並可剝離基板800而裸露第二半導體層120之底面。舉例而言，可利用雷射將基板800與第二半導體層120切割分離。
如第5G圖所示，於本實施方式中，可沉積一鈍化層330a於第二半導體層120之底面上。舉例而言，可利用蒸鍍的方式將絕緣材料鍍在第二半導體層120上，而形成鈍化層330a。於部分實施方式中，鈍化層330a可由二氧化矽所形成。
如5H圖所示，於本實施方式中，可蝕刻部分鈍化層330a，以形成至少一第二電極凹槽222於第二半導體層120
上。舉例而言，可利用乾式蝕刻或濕式蝕刻的方式由鈍化層330a往下蝕刻，而暴露出部分的第二半導體層120，以做為第二電極凹槽222。
如第5I圖所示，於本實施方式中，可沉積至少一第二導電材料224進入上述第二電極凹槽222，以形成至少一第二電極220(請併參閱第2圖)於第二半導體層120之底面處。舉例而言，可利用蒸鍍的方式將第二導電材料224填入第二電極凹槽222中，而形成第二電極220。於部分實施方式中，上述第二導電材料224可包含，但不侷限於，金屬或銦錫氧化物(ITO)。於部分實施方式中，第一導電材料214與第二導電材料224可為相同或不同。
最後，切割成數顆獨立的發光二極體元件，切割後的發光二極體元件如第2圖所示。
第6A-6C圖繪示依據本發明另一實施方式之發光二極體元件之製造方法之剖面圖，本實施方式與第5A-5I圖相似，差異係在於第二電極220之製造方法。本實施方式之第二電極220之製造方法係如下所述。
如第6A圖所示，於本實施方式中，可倒置基板800與半導體磊晶堆疊結構100。與第5F圖之差異在於，本實施方式僅將基板800及半導體磊晶堆疊結構100顛倒放置，而未剝離基板800。
如第6B圖所示，於本實施方式中，直接蝕刻部分基板800，以於基板800中形成至少一第二電極凹槽222而裸露出第二半導體層之部分底面。舉例而言，可利用乾式蝕刻或濕式蝕刻的方式由基板800往下蝕刻，而暴露出部分的
第二半導體層120，以做為第二電極凹槽222。
於部分實施方式中，在蝕刻基板800之前，可選擇性先將基板800削薄，以減少蝕刻的困難度。
如第6C圖所示，於本實施方式中，可沉積至少一第二導電材料224進入第二電極凹槽222，以形成至少一第二電極220(請併參閱第3A圖)於第二半導體層120之底面處。舉例而言，可利用蒸鍍的方式將第二導電材料224填入第二電極凹槽222中，而形成第二電極220。於部分實施方式中，上述第二導電材料224可包含，但不侷限於，金屬或銦錫氧化物(ITO)。於部分實施方式中，第一導電材料214與第二導電材料224可為相同或不同。
最後，切割成數顆獨立的發光二極體元件，切割後的發光二極體元件如第3A圖所示。
此外，發光二極體元件若是要製作出如第3B圖所示之第二電極220厚度大於鈍化層330b厚度，則是可於第6C圖中，蒸鍍時沉積出更厚的第二電極220。雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧半導體磊晶堆疊結構
102‧‧‧第一側面
104‧‧‧第二側面
106‧‧‧底面
108‧‧‧上表面
110‧‧‧第一半導體層
120‧‧‧第二半導體層
130‧‧‧發光層
210‧‧‧第一電極
212‧‧‧第一電極凹槽
214‧‧‧第一導電材料
220‧‧‧第二電極
222‧‧‧第二電極凹槽
224‧‧‧第二導電材料
310‧‧‧第一絕緣層
312‧‧‧絕緣層凹槽
314‧‧‧絕緣材料
320‧‧‧第二絕緣層
330a‧‧‧鈍化層
330b‧‧‧鈍化層
400‧‧‧發光二極體元件
510‧‧‧第一導線架
512‧‧‧第一延伸部
513‧‧‧導電膠槽
514‧‧‧第一導電固晶膠
520‧‧‧第二導線架
522‧‧‧第二延伸部
600‧‧‧封裝體
610‧‧‧第一側壁
620‧‧‧第二側壁
700‧‧‧第二導電固晶膠
800‧‧‧基板
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依據本發明一實施方式之發光二極體元件
之剖面圖。
第2圖繪示依據本發明另一實施方式之發光二極體元件之剖面圖。
第3A與第3B圖繪示依據本發明又一實施方式之發光二極體元件之剖面圖。
第4A圖繪示依據本發明一實施方式之發光二極體封裝結構之剖面圖。
第4B圖繪示第4A圖之發光二極體封裝結構之局部側視圖。
第4C圖繪示第4A圖之第一導線架之局部側視圖。
第5A-5I圖繪示依據本發明一實施方式之發光二極體元件之製造方法之剖面圖。
第6A-6C圖繪示依據本發明另一實施方式之發光二極體元件之製造方法之剖面圖。
100‧‧‧半導體磊晶堆疊結構
102‧‧‧第一側面
104‧‧‧第二側面
106‧‧‧底面
110‧‧‧第一半導體層
120‧‧‧第二半導體層
130‧‧‧發光層
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧第二電極
310‧‧‧第一絕緣層
320‧‧‧第二絕緣層
330a‧‧‧鈍化層
Claims (18)
- 一種發光二極體元件，包含：一半導體磊晶堆疊結構，具有相對之一底面與一上表面，以及具有相對之一第一側面與一第二側面；一第一電極，位於該半導體磊晶堆疊結構之該第一側面；以及一第二電極，位於該半導體磊晶堆疊結構之該底面下。
- 如請求項1所述之發光二極體元件，更包含一第一絕緣層覆蓋該第一側面之未被該第一電極所佔據的區域。
- 如請求項2所述之發光二極體元件，更包含一第二絕緣層覆蓋該第二側面。
- 如請求項3所述之發光二極體元件，更包含一鈍化層覆蓋該底面未被該第二電極所佔據之區域及該第二電極之兩側裸露的側壁，且鄰接該第一絕緣層與該第二絕緣層。
- 如請求項4所述之發光二極體元件，其中該鈍化層可由一絕緣層或一半導體基板所構成。
- 如請求項5所述之發光二極體元件，其中該半導體基板係一藍寶石基板或一含矽基板。
- 如請求項6所述之發光二極體元件，其中該半導體磊晶堆疊結構包含依序由下往上堆疊的一第二半導體層、一發光層與一第一半導體層，該第一電極是位在該第一半導體層之側面，該第二電極是位在該第二半導體層之底面下。
- 如請求項7所述之發光二極體元件，其中該第一半導體層是一N型半導體層，該第一電極為一N極，該第二半導體層是一P型半導體層，該第二電極為一P極，或者該第一半導體層是一P型半導體層，該第一電極為一P極，該第二半導體層是一N型半導體層，該第二電極為一N極。
- 如請求項8所述之發光二極體元件，其中該N型半導體層是由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，該P型半導體層是由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成。
- 一種發光二極體封裝結構，包含：一如請求項1至9中任一項所述之發光二極體元件；一第一導線架，電性連接該發光二極體元件之該第一電極；一第二導線架，電性連接該發光二極體元件之該第二電極；以及一封裝體，包覆該發光二極體元件、該第一導線架、以及該第二導線架。
- 如請求項10所述之發光二極體封裝結構，其中該第一導線架與該第二導線架之水平面高度不同，且彼此之間具有一間距。
- 如請求項11所述之發光二極體封裝結構，其中該第一導線架具有一第一延伸部係從該封裝體之一側朝向該半導體磊晶堆疊結構之該第一側面所延伸，該第一延伸部之端面電性耦合該第一電極。
- 如請求項12所述之發光二極體封裝結構，更包含一第一導電固晶膠，黏附於該第一電極與該第一延伸部之該端面之間；其中該第一延伸部之該端面具有一導電膠槽，而該第一導電固晶膠係填充於該導電膠槽內。
- 如請求項11所述之發光二極體封裝結構，其中該第二導線架具有一第二延伸部係從該封裝體之另一側朝向該半導體磊晶堆疊結構之該第二側面所延伸並位於該半導體磊晶堆疊結構之下方而用以承載該第二電極。
- 如請求項14所述之發光二極體封裝結構，更包含一第二導電固晶膠，黏附該第二電極於該第二導線架之表面上。
- 一種發光二極體元件之製造方法，包含： 提供一基板；形成一半導體磊晶堆疊結構於該基板上，其中該半導體磊晶堆疊結構包含一第二半導體層、一發光層及一第一半導體層，該第二半導體層之底面設置於該基板上，該發光層設置於該第二半導體層上，該第一半導體層設置於該發光層上；蝕刻該第一半導體層、該發光層及該第二半導體層，以形成至少兩絕緣層凹槽於該基板上；沉積至少一絕緣材料分別進入該至少兩絕緣材料凹槽，以形成至少一第一絕緣層與一第二絕緣層；蝕刻該至少一第一絕緣層，以形成一第一電極凹槽於該第一半導體層之一側面處；沉積至少一第一導電材料進入該至少一第一電極凹槽，以形成至少一第一電極；以及形成至少一第二電極於該第二半導體層之底面。
- 如請求項16所述之發光二極體元件之製造方法，其中形成該至少一第二電極於該第二半導體層上包含：倒置該基板與該半導體磊晶堆疊結構；剝離該基板而裸露該第二半導體層之該底面；沉積一鈍化層於該第二半導體層之該底面上；蝕刻部分該鈍化層，以形成至少一第二電極凹槽於該第二半導體層上；以及沉積至少一第二導電材料進入該至少一第二電極凹 槽，以形成該至少一第二電極於該第二半導體層之該底面處。
- 如請求項16所述之發光二極體元件之製造方法，其中形成該至少一第二電極於該第二半導體層上包含：倒置該基板與該半導體磊晶堆疊結構；蝕刻部分該基板，以於該基板中形成至少一第二電極凹槽而裸露該第二半導體層之部分該底面；以及沉積至少一第二導電材料進入該第二電極凹槽，以形成該至少一第二電極於該第二半導體層之該底面處。
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