TW201327510A - 陣列基板的製造方法、顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種陣列基板的製造方法。陣列基板的製造方法包括：提供第一透光基板。於第一透光基板上形成第一導電層。於第一透光基板上形成遮光層。利用能量束圖案化第一導電層和遮光層，以形成第一導電圖案和遮光圖案。於第一透光基板上形成光反應材料層，以至少覆蓋第一導電圖案及第一透光基板。以遮光圖案為光罩使部分光反應材料層曝光，並圖案化光反應材料層，而形成多個阻擋結構。此外，一種顯示面板及其製造方法亦被提出。

Description

陣列基板的製造方法、顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種陣列基板及顯示面板之製造方法。

在顯示裝置的發展上，隨著光電技術以及半導體製造技術的進步，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的平面顯示器(flat display panels)已逐漸成為消費市場之主流。在現今顯示技術當中，由於可撓性顯示面板(flexible display panel)具有輕巧性、耐衝擊性、可撓曲性、可穿戴性與攜帶方便等優勢，目前已儼然成為新一代前瞻顯示技術。然而，在目前的可撓性顯示面板製程中，主要技術瓶頸在各層結構如何精準地製作於可撓性基底上。

在可撓性顯示面板的製程中，常常會經過多種乾、濕製程或加熱加壓製程，可撓性顯示面板之可撓性基底於這些製程中容易隨之熱脹冷縮，而使已形成於可撓性基底上之圖案化結構產生形變。如此一來，當製造者欲在此形變之圖案化結構上形成另一個圖案化結構時，此兩個圖案化結構便容易發生對位偏移的問題，進而使得可撓性顯示面板的製造良率下降。承上述，如何改善因可撓性基底於製程中熱脹冷縮而造成之問題實為研發者所極欲解決的問題之一。

本發明之一實施例提出一種陣列基板的製造方法，其包括下列步驟。提供第一透光基板。於第一透光基板上形成第一導電層。於第一透光基板上形成遮光層。利用能量束圖案化第一導電層和遮光層，以形成第一導電圖案和遮光圖案。於第一透光基板上形成光反應材料層，以至少覆蓋第一導電圖案及第一透光基板。以遮光圖案為光罩使部分光反應材料層曝光，並圖案化光反應材料層而形成多個阻擋結構。

本發明之一實施例提出一種顯示面板的製造方法，其包括下列步驟。提供第一透光基板。於第一透光基板上形成第一導電層。於第一透光基板上形成遮光層。利用能量束圖案化第一導電層和遮光層，以形成第一導電圖案和遮光圖案。於第一透光基板上形成光反應材料層，以至少覆蓋第一導電圖案及第一透光基板。以遮光圖案為光罩使部分光反應材料層曝光，並圖案化光反應材料層而形成多個阻擋結構。提供第二透光基板。令第二透光基板組立於阻擋結構上。令顯示介質填入由第一透光基板與阻擋結構所定義出之容置空間中。

本發明之一實施例提出一種顯示面板，其包括第一透光基板、第二透光基底、第一導電圖案、遮光圖案、第二導電圖案以及顯示介質。第二透光基底相對於第一透光基板。第一導電圖案位於第一透光基板與第二透光基底之間，且曝露出部分之第一透光基板。遮光圖案與第一透光基板連接。遮光圖案實質上與第一導電圖案重合。阻擋結構連接第一透光基板與第二透光基底，且位於第一透光基板被第一導電圖案所曝露之處。第二導電圖案位於第一導電圖案與第二透光基底之間。第一導電圖案與第二導電圖案交錯。顯示介質位於由第一透光基板、第二透光基底以及阻擋結構所形成之容置空間中。

為讓本發明之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

第一實施例 顯示面板的製造方法

圖1A至圖1F為本發明第一實施例之顯示面板的製造流程示意圖。請參照圖1A，首先，提供第一透光基板102。接著，在第一透光基板102上形成第一導電層104。詳言之，本實施例之第一透光基板102具有第一表面102a，而第一導電層104可形成在第一表面102a上。

本實施例之第一透光基板102可為硬質基板或可撓性(flexible)基板。硬質基板之材質可為玻璃或石英。可撓性基板之材質可為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚醚碸、聚苯醚碸(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚亞醯胺(polyimide，PI)、環狀烯腈聚合物(cyclic olefin polymer，ARTON)或聚芳酯樹脂(polyarylate resin，PAR)。但，本發明不以上述為限。

本實施例之第一導電層104的材料可視實際的需求而選用。舉例而言，若製造者欲將本實施例之顯示面板製作為穿透式顯示面板，則第一導電層104之材料可選用透光導電材料。若製造者欲將本實施例之顯示面板製作為反射式顯示面板，則第一導電層104之材料可選用反光導電材料。所述之透光導電材料包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化錫掺雜銻(ATO)、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、導電高分子材料或奈米金屬膜。所述之反光導電材料包括金屬、金屬氧化物或金屬氮氧化物。更進一步地說，金屬材料可為鉻(Cr)或鋁(Al)。金屬氧化物材料可為氧化鉻或氧化鋁。但，本發明不以上述為限。

請參照圖1B，接著，於第一透光基板102上形成遮光層106。詳言之，可在相對於第一表面102a之第二表面102b上形成遮光層106。在本實施例中，遮光層106可利用反射、散射或吸收之方式來遮光。換言之，遮光層106可為吸光層或反光層。吸光層材料可為黑色光阻、有色光阻、黑色樹脂、有色樹脂、墨水、碳粉或聚亞醯胺(polyimide，PI)。反光層之材料可為金屬、金屬氧化物或金屬氮氧化物，其中金屬之材料包括鉻或鋁，而金屬氧化物之材料包括氧化鉻或氧化鋁。

請參照圖1C，接著，利用能量束L圖案化第一導電層104和遮光層106，上述第一導電層104和遮光層106之圖案化可以是同時進行的，以形成第一導電圖案104a和遮光圖案106a。詳言之，本實施例之能量束L可為雷射光，但本發明不以此為限。雷射光可同時燒蝕第一導電層104和遮光層106，以形成第一導電圖案104a和遮光圖案106a。需說明的是，圖1C中之能量束L是由遮光層106所在之一側依序穿過遮光層106、第一透光基板102及第一導電層104，而形成第一導電圖案104a和遮光圖案106a。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，能量束L亦可由第一導電層104所在之一側依序穿過第一導電層104、第一透光基板102及遮光層106，而亦可形成第一導電圖案104a和遮光圖案106a。

請參照圖1D，接著，於第一透光基板102上形成光反應材料層108，以至少覆蓋第一導電圖案104a以及第一透光基板102。更詳細地說，在本實施例中，光反應材料層108是形成於第一透光基板102之第一表面102a上，並與第一導電圖案104a以及部份第一透光基板102接觸。本實施例之光反應材料層108例如為負型光阻層。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，光反應材料層108亦可為感光硬化層，例如為紫外線硬化膠。但，本發明不以上述為限。

請參照圖1D及圖1E，接著，以遮光圖案106a為罩幕，圖案化光反應材料層108，而形成多個阻擋結構108a。在本實施例中，曝光光束I可依序穿過遮光圖案106a、第一透光基板102及第一導電圖案104a，而使部份之光反應材料層108被曝光。在本實施例中，於圖案化製程後，被曝光之部分光反應材料層108會留下而形成阻擋結構108a，而未被曝光之另一部分的光反應材料層108則會被移除。詳言之，本實施例之光反應材料層108可為負型光阻層，被曝光之部份負型光阻層會發生交連(cross-links)作用，而使其於顯影過程中不易被顯影液溶解，進而被留下形成阻擋結構108a。另一方面，未被曝光之另一部分的光反應材料層108則會於顯影過程中被顯影液溶解而被去除。

請參照圖1F，接著，令顯示介質110填入由第一透光基板102與阻擋結構108a所定義出之容置空間R中。在本實施例中，顯示介質110可為電驅動或熱驅動之顯示介質。以電驅動之顯示介質為例，顯示介質110可為液晶。所述之液晶包括向列型液晶(Nematic liquid crystal)、主客型液晶(Guest-host liquid crystal)、聚合物分散液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal;PDLC)、膽固醇液晶(Cholesteric Liquid Crystal)。其中，膽固醇液晶可透過調整其螺距(pitch)而使其可反射不同波長之光線，進而使本實施例之顯示面板可顯示彩色畫面。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，顯示介質110亦可為電泳液、電激發光材料或其他適當材料，其中電激發光材料包括有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED或高分子有機發光二極體(Polymer Light Emitting Diode，PLED)。

請再參照圖1F，接著，提供第二透光基板112。本實施例之第二透光基板112包括第二透光基底112a以及第二導電圖案112b。本實施例之第二透光基底112a可為硬質基底或可撓性(flexible)基底。硬質基底之材質可為玻璃或石英。可撓性基底之材質可為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚醚碸、聚苯醚碸(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚亞醯胺(polyimide，PI)、環狀烯腈聚合物(cyclic olefin polymer，ARTON)或聚芳酯樹脂(polyarylate resin，PAR)。但，本發明不以上述為限。本實施例之第二導電圖案112b可為透明導電圖案，其材質可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化錫掺雜銻(ATO)、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、導電高分子材料或奈米金屬膜。但，本發明不以上述為限。

請再參照圖1F，接著，令第二透光基板112組立於阻擋結構108a上。詳言之，第二透光基板112可以第二導電圖案112b之延伸方向D2與第一透光基板102上之第一導電圖案104a之延伸方向D1交錯之方式組立於阻擋結構108a上。於此便初步完成了本實施例之顯示面板100。

在本實施例中，製造者可視實際之需求選擇性地留下或去除第一透光基板102之第二表面102b上之遮光圖案106a。舉例而言，若顯示面板100為反射式顯示面板，則製造者可選擇性地留下遮光圖案106a。當反射式顯示面板操作於暗態時，遮光圖案106a可吸收進入反射式顯示面板之光線，進而增加反射式顯示面板的對比。另一方面，若顯示面板100為穿透式顯示面板，則製造者可去除遮光圖案106a，以使背光源所發出之光線可順利通過穿透式顯示面板的顯示區。

值得一提的是，在本實施例中，若遮光圖案106a與第一導電圖案104a是同時形成的，則遮光圖案106a與第一導電圖案104a間不會產生對位偏移之問題。此時，由於阻擋結構108a是利用與第一導電圖案104a同時形成之遮光圖案106a為光罩而形成的，因此阻擋結構108a與第一導電圖案104a(或遮光圖案106a)之間亦不會發生對位偏移之問題。如此一來，習知技術中各層結構因基板熱脹冷縮而造成之對位偏移之問題便可獲得改善，而顯示面板100的良率可被明顯提高。此外，由於阻擋結構108a是利用遮光圖案106a為光罩而形成的，故本實施例之顯示面板的製造方法至少可省去一道光罩的費用，進而降低顯示面板100之製造成本。

顯示面板的結構

圖1F為本發明第一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖1F，本實施例之顯示面板100包括第一透光基板102、第二透光基底112a、第一導電圖案104a、遮光圖案106a、多個阻擋結構108a、第二導電圖案112b以及顯示介質110。

本實施例之第二透光基底112a相對於第一透光基板102。第一導電圖案104a位於第一透光基板102與第二透光基底112a之間。第一導電圖案104a曝露出部分之第一透光基板102。本實施例之遮光圖案106a與第一透光基板102連接。換言之，本實施例之遮光圖案106a可與第一透光基板102直接連接或間接連接。舉例而言，在本實施例中，第一透光基板102具有第一表面102a以及第二表面102b，而遮光圖案106a可配置於第二表面102b上且與第二表面102b接觸。其中，第一表面102a可位於第二表面102b與第二透光基底112a之間，而第二表面102b可位於遮光圖案106a與第一表面102a之間。值得注意的是，在本實施例中，由於遮光圖案106a是與第一導電圖案104a可同時形成，因此遮光圖案106a實質上與第一導電圖案104a重合。

本實施例之阻擋結構108a連接第一透光基板102與第二透光基底102。阻擋結構108a位於第一透光基板102被第一導電圖案104a所曝露之處K。值得注意的是，由於阻擋結構108a是以遮光圖案106a為光罩所形成的，因此阻擋結構108a與遮光圖案106a(或第一導電圖案104a)實質上切齊。

本實施例之第二導電圖案112b位於第一導電圖案104a與第二透光基底112a之間。第一導電圖案104a與第二導電圖案112b交錯。詳言之，第一導電圖案104a可具有延伸方向D1，第二導電圖案112b可具有延伸方向D2，其中延伸方向D1與延伸方向D2交錯。在本實施例中，延伸方向D1與延伸方向D2實質上垂直。本實施例之顯示介質110位於第一透光基板102與第二透光基底112a之間。更進一步地說，顯示介質110可位於由第一透光基板102、第二透光基底112a以及阻擋結構108a所形成之多個容置空間R中。

第二實施例 顯示面板的製造方法

圖2A至圖2E為本發明第二實施例之顯示面板的製造流程示意圖。請參照圖2A至圖2E，本實施例之顯示面板的製造方法與第一實施例之顯示面板的製造方法類似，因此相同之元件以相同之標號表示。本實施例之顯示面板的製造方法與第一實施例之顯示面板的製造方法不同之處在於：遮光層106形成之位置與在第一實施例中不同。以下就此相異處做說明，兩者相同之處便不再重述。

請先參照圖2A，首先，先提供第一透光基板102。第一透光基板102具有相對之第一表面102a與第二表面102b。接著，於第一表面102a上形成第一導電層104。然後，於第一導電層104上形成遮光層106。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，亦可先於第一表面102a上形成遮光層106，再於遮光層106上形成第一導電層104。

請參照圖2A及圖2B，接著，利用能量束L圖案化第一導電層104和遮光層106，上述第一導電層104和遮光層106之圖案化可以是同時進行的，以形成第一導電圖案104a和遮光圖案106a。在圖2B中，能量束L是自靠近第一表面102a之一側對第一導電層104和遮光層106進行圖案化。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，能量束L亦可自靠近第二表面102b之一側對第一導電層104和遮光層106進行圖案化。

請參照圖2C，接著，於第一透光基板102上形成光反應材料層108。在本實施例中，光反應材料層108覆蓋第一導電圖案104a、遮光圖案106a以及第一透光基板102。

請參照圖2C及圖2D，接著，以遮光圖案106a為光罩，圖案化光反應材料層108，而形成多個阻擋結構108a。請參照圖2E，接著，令顯示介質110填入由第一透光基板102與阻擋結構108a所定義出之容置空間R中。然後，提供包括第二透光基底112a以及第二導電圖案112b之第二透光基板112。接著，令第二透光基板112組立於阻擋結構108a上。於此便完成了本實施例之顯示面板100A之製造流程。本實施例之顯示面板100A的製造方法具有與第一實施例之顯示面板100的製造方法類似之功能，於此便不再重述。

顯示面板的結構

圖2E為本發明第二實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖2E，本實施例之顯示面板100A與第一實施例之顯示面板100類似，因此相同之元件以相同之標號表示。本實施例之顯示面板100A與第一實施例之顯示面板100不同之處在於：遮光圖案106a所在之位置與在第一實施例中不同。以下就此相異處做說明，兩者相同之處便不再重述。

本實施例之遮光圖案106a亦與第一透光基板102連接。換言之，本實施例之遮光圖案106a可與第一透光基板102直接連接或間接連接。舉例而言，本實施例之遮光圖案106a可透過第一導電圖案104a與第一透光基板102連接。換言之，本實施例之遮光圖案106a可位於第一透光基板102與第二透光基底112a之間。更詳細地說，遮光圖案106a可位於第一導電圖案104a與第二透光基底112a之間，且與第一導電圖案104a接觸。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，遮光圖案106a與第一導電圖案104a之位置可對調。本實施例之顯示面板100A具有與第一實施例之顯示面板100類似之功能，於此便不再重述。

第三實施例 顯示面板的製造方法

圖3A至圖3B為本發明第三實施例之顯示面板的部分製造流程示意圖。本實施例之顯示面板的製造方法與第二實施例之顯示面板的製造方法類似，因此相同之元件以相同之標號表示。本實施例之顯示面板的製造方法與第二實施例之顯示面板的製造方法不同之處在於：本實施例之顯示面板的製造方法可進一步包括去除遮光圖案106a之動作。以下就此相異處做說明，兩者相同之處便不再重述。

在本實施例中，至完成阻擋結構108a，本實施例之顯示面板的製造流程皆可與第二實施例相同。換言之，圖2A至圖2D亦為本實施例之顯示面板的部分製造流程。在完成阻擋結構108a後(即完成圖2D所示之結構後)，如圖3A所示，在本實施例中，可進一步地將遮光圖案106a去除。請參照圖3B，接著，在填入顯示介質110至容置空間R中。然後，再將第二透光基板112組立於阻擋結構108a上。於此便完成了本實施例之顯示面板100B之製造流程。本實施例之顯示面板100B的製造方法具有與第一實施例之顯示面板100的製造方法類似之功能，於此便不再重述。

顯示面板的結構

圖3B為本發明第三實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖3B，本實施例之顯示面板100B與第二實施例之顯示面板100A類似，因此相同之元件以相同之標號表示。本實施例之顯示面板100B與第二實施例之顯示面板100A不同之處僅在於：本實施例之顯示面板100B不包括遮光圖案106a。本實施例之顯示面板100B具有與第二實施例之顯示面板100A類似之功能，於此便不再重述。

綜上所述，在本發明一實施例之顯示面板的製造方法中，可利用能量束將遮光層和第一導電層同時圖案化，因此遮光圖案與第一導電圖案之間不會產生對位偏移之問題。另外，由於阻擋結構是利用與第一導電圖案同時形成之遮光圖案為光罩而形成的，因此阻擋結構與第一導電圖案(或遮光圖案)之間亦不會發生對位偏移之問題。如此一來，習知技術中各層結構因基板熱脹冷縮而造成之對位偏移之問題便可獲得改善，進而提高顯示面板的製造良率。

此外，在本發明一實施例之顯示面板的製造方法中，由於阻擋結構是利用遮光圖案為光罩而形成的，故本發明一實施例之顯示面板的製造方法至少可省去一道光罩的費用，進而降低顯示面板之製造成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、100A、100B．．．顯示面板

102．．．第一透光基板

102a．．．第一表面

102b．．．第二表面

104．．．第一導電層

104a．．．第一導電圖案

106．．．遮光層

106a．．．遮光圖案

108．．．光反應材料層

108a．．．阻擋結構

110．．．顯示介質

112．．．第二透光基板

112a．．．第二透光基底

112b．．．第二導電圖案

D1、D2．．．方向

K．．．第一透光基板被第一導電圖案所曝露之處

L．．．能量束

l．．．曝光光束

R．．．容置空間

圖1A至圖1F為本發明第一實施例之顯示面板的製造流程示意圖。

圖2A至圖2E為本發明第二實施例之顯示面板的製造流程示意圖。

圖3A至圖3B為本發明第三實施例之顯示面板的部分製造流程示意圖。

100．．．顯示面板

102．．．第一透光基板

102a．．．第一表面

102b．．．第二表面

104a．．．第一導電圖案

106a．．．遮光圖案

108a．．．阻擋結構

110．．．顯示介質

112．．．第二透光基板

112a．．．第二透光基底

112b．．．第二導電圖案

D1、D2．．．方向

K．．．第一透光基板被第一導電圖案所曝露之處

R．．．容置空間

Claims (60)

1. 一種陣列基板的製造方法，包括：提供一第一透光基板；於該第一透光基板上形成一第一導電層；於該第一透光基板上形成一遮光層；利用一能量束圖案化該第一導電層和該遮光層，以形成一第一導電圖案和一遮光圖案；於該第一透光基板上形成一光反應材料層，以至少覆蓋該第一導電圖案以及該第一透光基板；以及以該遮光圖案為光罩使部分該光反應材料層曝光，並圖案化該光反應材料層，而形成多個阻擋結構。
2. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該第一透光基板具有相對之一第一表面以及一第二表面，於該第一透光基板上形成該第一導電層之步驟為：於該第一透光基板之該第一表面上形成該第一導電層，而於該第一透光基板上形成該遮光層之步驟為：於該第一透光基板之該第二表面上形成該遮光層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之陣列基板的製造方法，更包括：移除位於該第一透光基板之該第二表面上的該遮光層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該第一透光基板具有相對之一第一表面，於該第一透光基板上形成該第一導電層之步驟以及於該第一透光基板上形成該遮光層之步驟包括：於該第一透光基板之該第一表面上形成該第一導電層；以及於該第一導電層上形成該遮光層，其中該第一導電層位於該第一透光基板的該第一表面與該遮光層之間。
5. 如申請專利範圍第4項所述之陣列基板的製造方法，更包括：移除位於該第一導電層上的該遮光層。
6. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該第一透光基板具有相對之一第一表面，於該第一透光基板上形成該第一導電層之步驟以及於該第一透光基板上形成該遮光層之步驟包括：於該第一透光基板之該第一表面上形成該遮光層；以及於該遮光層上形成該第一導電層，其中該遮光層位於該第一透光基板之該第一表面與該第一導電層之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該第一導電圖案與該遮光圖案實質上重合。
8. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該第一透光基板為一可撓性基板或一硬質基板。
9. 如申請專利範圍第8項所述之陣列基板的製造方法，其中該可撓性基板之材質包括：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚苯醚碸、聚碳酸酯、聚亞醯胺、環狀烯腈聚合物或聚芳酯樹脂。
10. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該光反應材料層包括：一負型光阻層或一感光硬化層。
11. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該遮光層包括：一吸光層或一反光層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之陣列基板的製造方法，其中該吸光層材料包括：黑色光阻、有色光阻、黑色樹脂、有色樹脂、墨水、碳粉或聚亞醯胺(polyimide，PI)。
13. 如申請專利範圍第11項所述之陣列基板的製造方法，其中該反光層之材料包括：一金屬、一金屬氧化物或一金屬氮氧化物。
14. 如申請專利範圍第13項所述之陣列基板的製造方法，其中該金屬之材料包括：鉻(Cr)或鋁(Al)。
15. 如申請專利範圍第13項所述之陣列基板的製造方法，其中該金屬氧化物之材料包括：氧化鉻或氧化鋁。
16. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該第一導電層為一透光導電層。
17. 如申請專利範圍第16項所述之陣列基板的製造方法，其中該透光導電層之材質包括：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化錫掺雜銻、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、導電高分子材料或奈米金屬膜。
18. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該能量束包括雷射光。
19. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中該光反應材料層被圖案化後，被曝光之部分該光反應材料層留下而形成該些阻擋結構，而未被曝光之另一部分該光反應材料層則被移除。
20. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板的製造方法，其中利用該能量束圖案化該第一導電層和該遮光層，以形成該第一導電圖案和該遮光圖案之步驟包括：利用該能量束同時圖案化該第一導電層和該遮光層，以形成該第一導電圖案和該遮光圖案。
21. 一種顯示面板的製造方法，包括：提供一第一透光基板；於該第一透光基板上形成一第一導電層；於該第一透光基板上形成一遮光層；利用一能量束圖案化該第一導電層和該遮光層，以形成一第一導電圖案和一遮光圖案；於該第一透光基板上形成一光反應材料層，以至少覆蓋該第一導電圖案以及該第一透光基板；以該遮光圖案為光罩使部分該光反應材料層曝光，並圖案化該光反應材料層，而形成多個阻擋結構；提供一第二透光基板；令該第二透光基板組立於該些阻擋結構上；以及令一顯示介質填入由該第一透光基板與該些阻擋結構所定義出之容置空間中。
22. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第一透光基板具有相對之一第一表面以及一第二表面，於該第一透光基板上形成該第一導電層之步驟包括：於該第一透光基板之該第一表面上形成該第一導電層，而於該第一透光基板上形成該遮光層之步驟包括：於該第一透光基板之該第二表面上形成該遮光層。
23. 如申請專利範圍第22項所述之顯示面板的製造方法，更包括：移除位於該第一透光基板之該第二表面上的該遮光層。
24. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第一透光基板具有相對之一第一表面，於該第一透光基板上形成該第一導電層之步驟以及於該第一透光基板上形成該遮光層之步驟包括：於該第一透光基板之該第一表面上形成該第一導電層；以及於該第一導電層上形成該遮光層，其中該第一導電層位於該第一透光基板之該第一表面與該遮光層之間。
25. 如申請專利範圍第24項所述之顯示面板的製造方法，更包括：移除位於該第一導電層上之該遮光層。
26. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第一透光基板具有相對之一第一表面，於該第一透光基板上形成該第一導電層之步驟以及於該第一透光基板上形成該遮光層之步驟包括：於該第一透光基板之該第一表面上形成該遮光層；以及於該遮光層上形成該第一導電層，其中該遮光層位於該第一透光基板之該第一表面與該第一導電層之間。
27. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第一導電圖案與該遮光圖案實質上重合。
28. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第一透光基板為一可撓性基板或一硬質基板。
29. 如申請專利範圍第28項所述之顯示面板的製造方法，其中該可撓性基板之材質包括：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚苯醚碸、聚碳酸酯、聚亞醯胺、環狀烯腈聚合物或聚芳酯樹脂。
30. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該光反應材料層包括：一負型光阻層或一感光硬化層。
31. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該遮光層包括：一吸光層或一反光層。
32. 如申請專利範圍第31項所述之顯示面板的製造方法，其中該吸光層之材料包括：黑色光阻、有色光阻、黑色樹脂、有色樹脂、墨水、碳粉或聚亞醯胺(polyimide，PI)。
33. 如申請專利範圍第31項所述之顯示面板的製造方法，其中該反光層之材料包括：一金屬、一金屬氧化物或一金屬氮氧化物。
34. 如申請專利範圍第33項所述之顯示面板的製造方法，其中該金屬之材料包括：鉻(Cr)或鋁(Al)。
35. 如申請專利範圍第33項所述之顯示面板的製造方法，其中該金屬氧化物之材料包括：氧化鉻或氧化鋁。
36. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第一導電層為一透光導電層。
37. 如申請專利範圍第36項所述之顯示面板的製造方法，其中該透光導電層之材質包括：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化錫掺雜銻、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、導電高分子材料或奈米金屬膜。
38. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該第二透光基板包括一第二透光基底以及配置於該第二透光基底上之一第二導電圖案。
39. 如申請專利範圍第38項所述之顯示面板的製造方法，其中該第二導電圖案與該第一導電圖案交錯。
40. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該顯示介質包括：液晶、電泳液或電激發光材料。
41. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該能量束包括雷射光。
42. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中該光反應材料層被圖案化後，被曝光之部分該光反應材料層留下而形成該些阻擋結構，而未被曝光之另一部分該光反應材料層則被移除。
43. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板的製造方法，其中利用該能量束圖案化該第一導電層和該遮光層，以形成該第一導電圖案和該遮光圖案之步驟包括：利用該能量束同時圖案化該第一導電層和該遮光層，以形成該第一導電圖案和該遮光圖案。
44. 一種顯示面板，包括：一第一透光基板；一第二透光基底，相對於該第一透光基板；一第一導電圖案，位於該第一透光基板與該第二透光基底之間，且曝露出部分之第一透光基板；一遮光圖案，與該第一透光基板連接，其中該遮光圖案實質上與該第一導電圖案重合；多個阻擋結構，連接該第一透光基板與該第二透光基底，且位於該第一透光基板被該第一導電圖案所曝露之處；一第二導電圖案，位於該第一導電圖案與該第二透光基底之間，其中該第一導電圖案與該第二導電圖案交錯；一顯示介質，位於由該第一透光基板、該第二透光基底以及該些阻擋結構所形成之容置空間中。
45. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該遮光圖案位於該第一透光基板與該第二透光基底之間。
46. 如申請專利範圍第45項所述之顯示面板，其中該遮光圖案位於該第一導電圖案與該第二透光基底之間。
47. 如申請專利範圍第45項所述之顯示面板，其中該遮光圖案位於該第一導電圖案與該第一透光基板之間。
48. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該第一透光基板具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面位於該第二表面與該第二透光基底之間，而該第二表面位於該遮光圖案與該第一表面之間。
49. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該第一透光基板為一可撓性基板或一硬質基板。
50. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該可撓性基板之材質包括：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚苯醚碸、聚碳酸酯、聚亞醯胺、環狀烯腈聚合物或聚芳酯樹脂。
51. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該些阻擋結構之材料包括：一負型光阻或一感光硬化材料。
52. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該遮光層包括：一吸光層或一反光層。
53. 如申請專利範圍第52項所述之顯示面板，其中該吸光層之材料包括：黑色光阻、有色光阻、黑色樹脂、有色樹脂、墨水、碳粉或聚亞醯胺(polyimide，PI)。
54. 如申請專利範圍第52項所述之顯示面板，其中該反光層之材料包括：一金屬、一金屬氧化物或一金屬氮氧化物。
55. 如申請專利範圍第54項所述之顯示面板，其中該金屬之材料包括：鉻(Cr)或鋁(Al)。
56. 如申請專利範圍第54項所述之顯示面板，其中該金屬氧化物之材料包括：氧化鉻或氧化鋁。
57. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該第一導電層為一透光導電層。
58. 如申請專利範圍第57項所述之顯示面板，其中該透光導電層之材質包括：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、導電高分子材料或奈米金屬膜。
59. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該顯示介質包括：液晶、電泳液或電激發光材料。
60. 如申請專利範圍第44項所述之顯示面板，其中該些阻擋結構實質上與該第一導電圖案或該遮光圖案切齊。