TW201322521A - 包含中空物體之有機發光二極體裝置 - Google Patents

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Joseph John Shiang
Jie Jerry Liu
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Abstract

本發明實施例包括具有中空物體之有機發光二極體(OLED)裝置，該等中空物體經組態以將原本被捕獲之光散射到該裝置之外，藉此改良該裝置之性能。該等中空物體係分散於該OLED裝置之一或多個有機層中。該等中空物體可具有類似於空氣之折射率，以使得由該發射層發射之可見光可接觸該OLED裝置中之該等中空物體且可散射到該裝置之外。在一些實施例中，該等中空物體可為球形或管狀，且可選擇尺寸以大於可見光波長光譜。

Description

包含中空物體之有機發光二極體裝置
諸如有機發光二極體(OLED)等光電子裝置正逐漸用於照明及顯示器應用。OLED包括佈置於兩個帶電電極(陽極及陰極)之間之薄有機層堆疊。有機層可包括電洞注入層、電洞傳輸層、發射層、電子傳輸層及電子注入層。在向OLED照明裝置施加適當電壓後，經注入正電及負電在發射層中復合以產生光。
通常，由發射層發射之光可遠離發射層地透射並透射至OLED之外從而被使用者看見及/或由用於各種照明或顯示器應用之光電子裝置使用。然而，並非全部由發射層發射之光皆可透射至OLED之外。例如，一些光(例如，在習用OLED中有20%)可能被OLED之不同層所捕獲，從而降低裝置之效率，此乃因並非利用由發射層發射之全部光。此等無效率可導致裝置之較高操作功率要求及/或較短壽命，此乃因可能需要施加較高電壓來獲得OLED之期望發光。
增加OLED之效率之一些嘗試包括操作OLED層以增加發射出裝置之光。例如，一些技術涉及將OLED層之厚度及(可能)折射率最佳化(通常稱作OLED空穴之最佳化)或在OLED層中納入散射粒子以增加原本被捕獲之光散射出OLED。
在一個實施例中，提供有機發光二極體(OLED)裝置。OLED裝置包括底部電極、複數個佈置於該底部電極上之 有機層及佈置於複數個有機層上之頂部電極。複數個有機層中之一或多者包含經分散之中空物體，該等物體經組態以散射光。
在另一實施例中，提供形成有機發光二極體(OLED)裝置之方法。該方法包括將分散中空物體於OLED裝置平面上及將OLED裝置層沈積於經分散之中空物體上。
再一實施例涉及有機發光二極體(OLED)堆疊。OLED堆疊包括透明基板、佈置於透明基板上之導電透明材料、佈置於導電透明材料上之第一非發射有機材料、佈置於第一非發射有機材料上之電致發光材料、佈置於電致發光材料上之第二非發射有機材料、分散於第一非發射有機材料、第二非發射有機材料或二者中之中空物體及佈置於第二非發射有機材料上之導電反射材料。
在參考附圖閱讀下文詳細說明時將更好地理解本發明之該等及其他特徵、態樣及優點，其中在所有附圖中相同的字符代表相同的部分。
有機材料因有機電子裝置及光電子裝置提供之低成本及高性能而正逐漸用於電路及照明領域技術中。然而，典型OLED裝置之操作效率可能並不合意，此乃因該裝置中可捕獲裝置之電致發光材料中產生之大量光。本發明之一或多個實施例經由使用中空物體增加透射出OLED裝置之光量，該等中空物體經組態以將原本被捕獲之光散射到該裝置之外。如將論述，充滿氣體之中空物體之折射率可完全 不同於OLED裝置中之典型層之折射率，此可改良原本被捕獲之光自裝置層之散射，藉此改良OLED裝置之效率。
參照圖1，圖解說明光電子裝置中之OLED堆疊10之側視圖。OLED堆疊10可包括頂部電極(即，陰極)12及佈置於基板28上之底部電極(即，陽極)14與佈置於陰極12與陽極14間之有機層16。在一些實施例中，有機層16可包括電洞注入層26，該電洞注入層可佈置於陽極14上。電洞傳輸層24可佈置於電洞注入層26上，且發射層22可佈置於電洞傳輸層24上。電子傳輸層20可佈置於發射層22上，且電子注入層18可佈置於電子傳輸層20上。
在一些實施例中，陽極14可包括實質上透明之經摻雜金屬氧化物薄膜，例如銦錫氧化物(ITO)、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、銦鋅氧化物、鋅銦錫氧化物、氧化銻及其混合物。在不同實施例中，陽極14之厚度可在約10 nm至200 nm範圍內，但亦涵蓋其他厚度。
適於佈置於陽極14上之電洞注入層26之材料之實例可包括質子摻雜(即，「p-摻雜」)之導電聚合物(例如p-摻雜聚噻吩或聚苯胺)及p-摻雜有機半導體(例如四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCQN)、經摻雜有機及聚合物半導體及含三芳基胺之化合物及聚合物)。
佈置於電洞注入層26上之電洞傳輸層24可包括(例如)三芳基二胺、四苯基二胺、芳香族三級胺、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、包括胺基之噁二唑衍生物、聚噻吩及類似材料。適於電洞阻擋層之材料之非限 制性實例可包括聚N-乙烯基咔唑及類似材料。
發射層22可包括在電刺激後發射可光光譜中之輻射之任何電致發光有機材料。在一些實施例中，此等材料可包括發射所測定波長範圍中之光之電致發光有機材料。例如，發射層22中之電致發光有機材料可包括小分子、寡聚物、聚合物、共聚物或其混合物。例如，適宜電致發光有機材料28可包括叁(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)及其衍生物；聚N-乙烯基咔唑(PVK)及其衍生物；聚茀及其衍生物，例如聚烷基茀，例如聚-9,9-二己基茀、聚二辛基茀或聚-9,9-雙-3,6-二氧雜庚基-茀-2,7-二基；聚對伸苯基及其衍生物，例如聚-2-癸氧基-1,4-伸苯基或聚-2,5-二庚基-1,4-伸苯基；聚對伸苯基伸乙烯基及其衍生物，例如二烷氧基取代之PPV及氰基取代之PPV；聚噻吩及其衍生物，例如聚-3-烷基噻吩、聚-4,4'-二烷基-2,2'-聯噻吩、聚-2,5-伸噻吩基伸乙烯基；聚吡啶伸乙烯基及其衍生物；聚喹噁啉及其衍生物；及聚喹啉及其衍生物。在一個實施例中，適宜電致發光材料係經N,N-雙4-甲基苯基-4-苯胺封端之聚-9,9-二辛基茀基-2,7-二基。可使用該等聚合物之混合物或基於該等聚合物中之一或多者之共聚物。其他適宜材料可包括聚矽烷或經烷基及/或芳基側基取代之具有矽骨架之直鏈聚合物。聚矽烷係沿聚合物骨架鏈具有非定域化σ-共軛電子之準一維材料。聚矽烷之實例包括聚二正丁基矽烷、聚二正戊基矽烷、聚二正己基矽烷、聚甲基苯基矽烷及聚雙對丁基苯基矽烷。
佈置於發射層22上之電子傳輸層20可包括小分子或低至中分子量有機聚合物，例如，重量平均分子量小於約200,000克/莫耳之有機聚合物，如使用聚苯乙烯標準物所測定。此等聚合物可包括(例如)聚-3,4-伸乙基二氧基噻吩(PDOT)、聚苯胺、聚-3,4-伸丙基二氧基噻吩(PProDOT)、聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、聚乙烯基咔唑(PVK)及其他類似材料。佈置於電子傳輸層20上之電子注入層18可包括(例如)氟化鈉或氟化鉀或其他類似材料。
陰極12可包括導電反射材料，例如鋁、銀、銦、錫、鋅、其他適宜金屬及其組合。在一些實施例中，陰極12亦可相對較薄(例如，30 nm)且可透明。可藉由(例如)物理氣相沈積、化學氣相沈積、濺射或液體塗佈將陰極12沈積於電子注入層18上。
在一些實施例中，OLED堆疊10亦可包括不同或其他非發射材料，其可改良發射層22中之電致發光材料之性能或壽命。例如，除電洞注入層26、電洞傳輸層24、電子傳輸層20及電子注入層18外，堆疊10亦可包括諸如電洞注入增強層、電子注入增強層或其任何組合等層。此外，在一些實施例中，OLED堆疊10之各層可以不同順序或以不同組合配置，且額外層可佈置於圖1中所圖解說明之層之間。
在光電子裝置操作期間，電壓可施加於OLED堆疊10兩端。電壓可將陽極14充至正電且將陰極12充至負電，且電子可自帶負電陰極12穿過堆疊10流至帶正電陽極14。更具體而言，電子可自毗鄰陽極14之有機材料吸取並注入至毗 鄰陰極12之有機材料。自陽極側有機材料吸取電子之過程亦可稱作電洞注入及電洞傳輸，且將電子注入至陰極側有機材料之過程亦可稱作電子傳輸及電子注入。在電洞及電子傳輸/注入過程期間，電子自電洞注入層26吸取，經由電洞傳輸層24及電子傳輸層20傳輸，並注入至電子注入層18。靜電力可使發射層22中之電子及電洞復合以形成激發結合態(即，激子)，該激發結合態在去激發後，發射頻率在電磁光譜之可見區中之輻射(例如，可見光)。在不同實施例中，可見光之發射輻射之頻率及色彩及/或特性可端視OLED堆疊10中所用特定材料之性質而變化。
發射層22處發射之可見光可透射(如藉由箭頭30所指示)穿過有機層24及26且穿過透明陽極14及基板28。在一些實施例中，自發射層22行進穿過有機層20及18之光可由反射陰極12反射(如藉由箭頭32所指示)並穿過基板28透射出。隨後可見光可用於照射光電子裝置之顯示器或照明應用。
然而，由發射層發射之光可不全部經過基板28以照射裝置。如藉由箭頭34所表示，所發射光有時可變得「捕獲」於有機層18、20、24及/或26中，或可不經過有機層18、20、24及/或26。例如，在一些習用裝置中，由發射材料發射之約20%光可捕獲於裝置之各層中。所捕獲光降低裝置之效率，此乃因並非全部所產生輻射皆透過基板28發射而由裝置利用或被使用者感知。因此，並非全部透過堆疊10施加之電壓皆產生有用輻射。
在本發明實施例中，中空物體可分散於OLED堆疊10之 一或多個層中以增加光之散射。用於一些實施例中之充滿空氣或充滿氣體之中空物體具有特徵在於折射率為約1之核心，該折射率完全不同於典型OLED層之折射率(約1.4至2.0)，藉此影響穿過OLED堆疊10之各層之光之路徑。由於原本被捕獲之光相對於垂直發射出堆疊10之光在OLED堆疊10內具有相對較長之路徑長度，因此原本被捕獲之光可藉由此等中空物體散射。此散射可改良自OLED堆疊10之光抽取。在一些實施例中，中空物體可經表面處理以增加粒子分散及與基質之相容性。此表面處理可為親水性或疏水性的。
圖2係製備中空物體及在OLED堆疊10中填充粒子之製程40之流程圖，且圖3係代表圖2之製程40中所形成中空物體之中間階段的示意圖。因此，可同時論述圖2及3。製程40可以製備(方塊42)模板粒子44開始。關於形成中空物體中所涉及各種技術之論述，參見美國申請案第2007/0036705號，其全文以引用方式併入本文中。
在一些實施例中，製備中空物體之製程40涉及藉由聚合苯乙烯在某些條件下製備模板粒子44。此等條件可包括在適當溫度下熱處理及/或以某些濃度添加反應物及其他處理條件。例如，乳液、分散液或懸浮液聚合反應可在70℃左右下實施。所形成模板粒子44可具有直徑介於約40 nm至700 nm間之粒徑。
在形成模板粒子44後，製程40涉及在模板粒子44上形成(方塊46)二氧化矽塗層，其中藉由在某些pH及溫度條件下 用偶合劑、之後含矽化合物或化合物混合物處理模板粒子44，從而產生二氧化矽塗佈之模板粒子48。儘管二氧化矽係形成中空物體54之適宜材料之一個實例，但應注意，適宜材料可包括不增加非輻射衰減、不在OLED堆疊10內產生電短路或不縮短OLED堆疊10中所用有機元件之操作壽命的任何材料。例如，在一些實施例中，製備中空物體52之其他適宜材料可包括自二氯亞乙烯及丙烯腈或自二氯亞乙烯、丙烯腈及甲基丙烯酸甲酯製得之共聚物及三元聚合物系統、苯乙烯、丙烯酸酯或其組合。在一些實施例中，可使用適宜表面活性劑(例如，硫酸烷基酯、磺酸烷基酯、芳基磺酸直鏈烷基酯或其組合)，且可將pH及溫度分別調節至約9至11及約45℃至90℃。
二氧化矽塗佈之模板粒子48可具有實質上均勻之含二氧化矽塗層。隨後製程40涉及藉由分離二氧化矽塗佈之模板粒子48並在足夠高之溫度下加熱該粒子以去除核心(例如，模板粒子44)來消除(方塊50)該核心，從而留下中空物體52。中空物體52可實質上充滿氣體60(例如，空氣或大氣氣體之組合)。在一些實施例中，二氧化矽塗佈之模板粒子48可藉由離心或過濾分離並加熱至發生模板解聚及揮發之溫度，例如約325℃至525℃。在一些實施例中，中空物體52之厚度可相對於可在OLED堆疊10或OLED裝置製造、調配及使用期間施加於物體52之機械應力足夠穩定。 在一些實施例中，中空物體52壁之厚度可為約10 nm至100 nm。此外，在一些實施例中，中空物體壁之厚度可為約10 nm至50 nm。
在形成中空物體52後，製程40可涉及形成(方塊58)具有經分散之中空物體52之OLED堆疊層。在一個實施例中，形成(方塊58)OLED堆疊層可涉及在OLED堆疊10之一或多個層上分散並沈積(方塊54)中空物體52及在經沈積中空物體上沈積(方塊56)OLED堆疊層。例如，為在電子傳輸層20中填充中空物體52，可將中空物體52分散於發射層22上，且可將電子傳輸層20沈積於中空物體52上。類似地，為在電洞注入層26中填充中空物體52，可將中空物體52沈積於陽極14上，且可將電洞注入層26沈積於中空物體52上。在一些實施例中，可採用適宜介質來輔助中空物體52在所沈積OLED堆疊層中之分散及沈積。
在一些實施例中，形成(方塊58)具有經分散之中空物體52之OLED堆疊層可包括將中空物體52分散於具有一或多種層組份或前體之調配物中且隨後將具有經分散之中空粒子52之調配物沈積至OLED堆疊10之一或多個層上。在一些實施例中，具有經分散之中空物體52之層可經加工以在OLED堆疊10中適當地成形或定大小。例如，可使用旋轉澆注、輥或刮片可來形成具有經分散之中空物體52之層。
在一些實施例中，穿過OLED堆疊層之平面之約10%或更小可包括中空物體52。此外，在一些實施例中，中空物體52在OLED堆疊10之一或多個層中可較緻密。例如，中空物體52可涵蓋一或多個OLED堆疊層之平面之約10%-30%。
由於OLED堆疊10之一些層可相對於中空物體52具有不同特性及不同性質，因此某些層可經進一步處理以在OLED堆疊10中適當地填充中空物體52。在一個實施例中，充滿空氣之中空物體52可呈現實質上親水外表面。因此，當將此等中空物體52填充至OLED堆疊10之實質上疏水層(例如，電洞傳輸層24或電子傳輸層20)中時，中空物體52可經處理以改良在該等層中之懸浮。例如，在一些實施例中，可使用適宜六甲基二矽氮烷(HMDZ)處理對中空物體52實施疏水化。
在一些實施例中，中空物體實質上為中空且不導電且可具有約1之折射率或氣體所特有之折射率。中空物體之形狀可為球形(即，中空球體)，或在一些實施例中，中空物體之形狀可為管狀。在某些實施方案中，球形中空物體之直徑可為約50 nm至750 nm，且在一些實施例中，管狀中空物體之直徑可為約50 nm且長度可為750 nm或更大。在一些實施例中，中空物體52可足夠小而不能被OLED堆疊10之觀看者所察覺，此乃因過大之粒子在堆疊10中之高光學放大率下可表現為暗點。中空物體52亦可足夠大而散射可見光。
散射中空物體52在OLED堆疊10中之最佳大小及形狀之確定取決於OLED堆疊10中之有機層之厚度、電極材料之選擇、中空物體52在所分散層中之覆蓋分率(fractional coverage)及中空物體52與OLED堆疊10層之折射率對比。該等不同參數之相對重要性可使用米氏散射理論(Mie scattering theory)(H.C.Van De Hulst,Light Scattering by Small Particles,(Dover,New York,1981))與輻射傳輸理論(J.J.Shiang,A.R.Duggal,Journal of Applied Physics，第95卷，第2880頁，(2004))二者之組合來估計，或針對某些模型案例使用有限差分時域(FDTD)法來計算。
例如，在一個實驗中，將波長為550 nm之光引導至嵌入光學指數為1.7之介電介質中之折射率接近1之非吸收球體。計算米氏散射性質，包括散射截面及光之角度偏離之預期餘弦值，此係光之正向或反向散射程度之量度。檢測在10 nm-1000 nm範圍中之粒徑。基於該等結果，對於大小介於約400 nm-500 nm間之粒子而言，散射截面以比幾何截面快之速率增加。另外，正向散射度增加。對於大小高於約500 nm之粒子而言，散射截面以與幾何截面大致成比例之方式增加。此外，如藉由偏離角度之預期餘弦值所界定之各向異性保持在0.8左右。在輻射傳輸模型中使用截面及各向異性結果，該模型計算自光學指數為1.7之200 nm厚板射入空氣中之光之分數，假定在與空氣相對之側朗伯發射體(Lambertian emitter)輸入。假定與空氣相對之側係反射率為0.73之反射鏡且假定粒子負載係5%體積分數，且均勻分散於層中。在此等負載分數下，由單次橫穿板之光束散射之光之分數相對較小。小負載分數可降低電惰性球體干擾OLED之電學性質之程度。在此等低散射條件下，所抽取光之總量增加，直至粒子直徑為約200 nm(即與層之厚度相當)。對於板厚度為1000 nm厚而言，粒子之 直徑可為約200 nm，且所計算光輸出可自0.33(10 nm球體)增加至0.36(50 nm球體)至最多0.50(200 nm球體)。因此，在各實施例中，中空物體52之粒徑在直徑為約0.01微米至直徑為約10微米、特定而言直徑為約0.01微米至直徑為約1微米、更特定而言直徑為約0.05微米至直徑為約0.2微米範圍內。中空物體52之形狀可為球形(即，中空球體)或管狀。管狀中空物體52之直徑可為約50 nm且長度可為750 nm或更大。
OLED堆疊10之有機層可厚約100 nm，但在一些實施例中，該等層在OLED堆疊10中之厚度可端視裝置之組態及/或所發射光之期望波長而變化。在中空物體52之直徑大於其所分散之層20之厚度之實施例中，層20可於中空物體52(例如圖4中所圖解說明之球形中空物體)上形成圓頂。沈積於中空物體52上形成之圓頂上之層同樣可呈圓頂形，此可顯著增強光散射，尤其對於反射(金屬)頂部電極層而言。在中空物體52之直徑小於其所分散之層20之厚度之實施例中，例如圖5中所圖解說明之管狀中空物體52，中空物體52可懸浮於層20中。儘管中空物體52在圖4及5中圖解說明為分散於電子傳輸層20中，但根據本實施例，中空物體52可填充於OLED堆疊10之任一層或多個層中。
圖6係代表具有分散於堆疊10之多個不同層中之中空物體52之OLED堆疊10的側視圖。例如，中空物體52可分散於電子傳輸層20、電洞傳輸層24、電洞注入層26及/或基板28中。中空物體52可散射由發射層22發射之光，如藉由 箭頭62所代表，藉此改良由發射層20發射之透射出基板28之光之百分比。在一些實施例中，使用相同激活電壓，填充用於光散射之中空物體之OLED堆疊10之發光與無中空物體之相當堆疊之發光相比可改良約20%。
應注意，如上文所述，OLED堆疊10可包括各種額外層，且中空物體52可分散於OLED裝置之所圖解說明層或其他額外層中之一或多者中。例如，在一些實施例中，OLED堆疊10可包括佈置於陰極12上之功能層，例如囊封層。此外，OLED堆疊10可包括佈置於陽極14下方之基板28上之平坦化層或平滑層。在一些實施例中，中空物體52可分散於OLED堆疊10之功能層或平滑層及/或其他層中以增加散射出OLED堆疊10之光。
此書面說明使用實例來揭示本發明，包括最佳模式，且亦使得任何熟習此項技術者能夠實踐本發明，包括製備及使用任何裝置或系統及實施任何所納入方法。本發明之可取得專利權之範圍係藉由申請專利範圍界定，且可包括彼等熟習此項技術者所想到之其他實例。此等其他實例若具有與申請專利範圍之字面語言無差異之結構要素，或若其包括與申請專利範圍之字面語言無實質性差異之等效結構要素，則其意欲在申請專利範圍之範圍內。
10‧‧‧有機發光二極體堆疊
12‧‧‧陰極
14‧‧‧陽極
16‧‧‧有機層
18‧‧‧電子注入層
20‧‧‧電子傳輸層
22‧‧‧發射層
24‧‧‧電洞傳輸層
26‧‧‧電洞注入層
28‧‧‧基板
30‧‧‧箭頭-透射出之光
32‧‧‧箭頭-反射出之光
34‧‧‧箭頭-捕獲之光
40‧‧‧製程
42‧‧‧製備模板粒子
44‧‧‧模板粒子
46‧‧‧形成二氧化矽塗層
48‧‧‧二氧化矽塗佈之模板粒子
50‧‧‧消除核心
52‧‧‧中空粒子
54‧‧‧分散中空粒子
56‧‧‧於分散粒子上沈積層
58‧‧‧箭頭-散射出之光
圖1繪示本發明一個實施例之有機發光二極體(OLED)堆疊之側視圖；圖2係本發明一個實施例之形成中空物體及在圖1之 OLED堆疊中填充中空物體之方法的流程圖；圖3係代表本發明一個實施例之形成中空物體之示意圖；圖4係本發明一個實施例之具有中空物體之OLED堆疊之有機層的側視圖；圖5係本發明一個實施例之具有相對較小中空物體之OLED堆疊之有機層的側視圖；且圖6繪示本發明一個實施例之具有中空物體之OLED堆疊的側視圖。
10‧‧‧有機發光二極體堆疊
12‧‧‧陰極
14‧‧‧陽極
16‧‧‧有機層
18‧‧‧電子注入層
20‧‧‧電子傳輸層
22‧‧‧發射層
24‧‧‧電洞傳輸層
26‧‧‧電洞注入層
28‧‧‧基板
30‧‧‧箭頭-透射出之光
32‧‧‧箭頭-反射出之光
34‧‧‧箭頭-捕獲之光

Claims (25)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)裝置，其包含：底部電極；佈置於該底部電極上之複數個有機層，其中該複數個有機層中之一或多者包含經分散之中空物體；佈置於該複數個有機層上之頂部電極。
  2. 如請求項1之OLED裝置，其包含基板，該基板包含玻璃、塑膠、其他適宜透明材料或其組合。
  3. 如請求項2之OLED裝置，其中該基板包含經分散之中空物體，當該OLED裝置發射光時，該等中空物體將光散射出該OLED裝置。
  4. 如請求項2之OLED裝置，其包含佈置於該基板上之平滑層，其中該平滑層包含經分散之中空物體。
  5. 如請求項1之OLED裝置，其中該複數個有機層包含電子注入層、電子傳輸層、發射層、電洞傳輸層、電洞注入層或其組合。
  6. 如請求項5之OLED裝置，其中該等中空物體係分散於該電子傳輸層、該電洞傳輸層或該電洞注入層中之一或多者中。
  7. 如請求項1之OLED裝置，其包含佈置於該頂部電極上之中空物體。
  8. 如請求項1之OLED裝置，其包含佈置於該頂部電極上之功能層，其中該功能層包含經分散之中空物體。
  9. 如請求項1之OLED裝置，其中該等中空物體包含複數個 中空球形物體、中空管狀物體、纖維形狀之物體或其組合。
  10. 如請求項1之OLED裝置，其中該等中空物體包含佈置於實質上中空核心周圍之含二氧化矽之材料。
  11. 如請求項1之OLED裝置，其中該等中空物體具有約1之折射率。
  12. 如請求項1之OLED裝置，其中該等中空物體係直徑為約0.01微米至直徑為約10微米。
  13. 如請求項1之OLED裝置，其中該等中空物體之直徑小於該等中空物體分散於其中之該複數個有機層中之一者之厚度。
  14. 一種形成有機發光二極體(OLED)裝置之方法，該方法包含形成該OLED裝置之複數個層，其中該複數個層包含至少一個包含經分散之中空物體之散射層。
  15. 如請求項14之方法，其中形成該散射層包含：將中空物體分散於該OLED裝置之平面上；及將材料沈積於該等經分散之中空物體上以形成該散射層。
  16. 如請求項14之方法，其中形成該散射層包含：將中空物體分散於材料中；及沈積該等具有該等經分散之中空物體之材料以形成該散射層。
  17. 如請求項14之方法，其中形成該散射層包含使用旋轉澆注、輥或刮片或其組合。
  18. 如請求項14之方法，其包含：形成中空物體，其中形成中空物體包含：製備模板粒子；於該模板粒子上形成塗層；及消除該經塗佈模板粒子之核心，以產生中空物體。
  19. 如請求項14之方法，其包含在將該層沈積於該等經分散之中空物體上之前，處理該OLED裝置之該層，以使得該等中空物體懸浮於該經沈積層中。
  20. 如請求項14之方法，其中分散該等中空物體包含在其上欲沈積層之10%或更小面積內鋪展中空物體。
  21. 如請求項14之方法，其中沈積該OLED裝置之該層包含將電子傳輸層、電洞傳輸層或電洞注入層沈積於該等中空物體上。
  22. 如請求項14之方法，其中分散該等中空物體包含將該等中空物體分散於該OLED裝置之一個以上平面上，且其中沈積該OLED裝置之該層包含將該OLED裝置之不同層沈積於該經分散之中空物體之一個以上平面中之每一者上。
  23. 一種有機發光二極體(OLED)堆疊，其包含：透明基板；佈置於該透明基板上之導電材料；佈置於該導電透明材料上之第一非發射有機材料；佈置於該等第一非發射有機材料上之電致發光材料；佈置於該等電致發光材料上之第二非發射有機材料； 分散於該等第一非發射有機材料、該等第二非發射有機材料或二者中之中空物體；及佈置於該等第二非發射有機材料上之導電材料。
  24. 如請求項23之OLED堆疊，其中該等中空物體具有實質上類似於空氣之折射率之折射率。
  25. 如請求項23之OLED堆疊，其中該等中空物體包含二氧化矽殼及中空核心。
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