TW201319763A

TW201319763A - 用於極紫外光源之微粒捕捉器

Info

Publication number: TW201319763A
Application number: TW101139555A
Authority: TW
Inventors: Ivo Vanderhallen; Johannes Christiaan Leonardus Franken; Robert Gabriel Maria Lansbergen; Den Wildenberg Lambertus Adrianus Van
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2011-11-10
Filing date: 2012-10-25
Publication date: 2013-05-16
Also published as: WO2013068198A3; WO2013068198A2

Abstract

本發明揭示一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器、一種包含一微粒捕捉器之微影裝置，及一種器件製造方法。在一實施例中，該微粒捕捉器包括一可旋轉輪轂，及自該輪轂向外延伸之複數個葉片。該等葉片中每一者具有插入至該輪轂中之一互補溝槽中之一末端錨定部分，該末端錨定部分及該溝槽經組態以在該輪轂之旋轉期間將該等葉片固持於該輪轂內。

Description

用於極紫外光源之微粒捕捉器

本發明係關於一種用於電漿EUV輻射源之微粒捕捉器、一種包含微粒捕捉器之微影裝置，及一種器件製造方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。

微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性之因素。

圖案印刷極限之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：

其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k₁為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k₁之值。

為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外光(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外光輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。

可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器裝置。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之微粒，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器裝置可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。

在其他狀況下，源可為放電產生電漿EUV產生器，常常被稱作DPP源。

微粒捕捉器可提供於電漿(其可(例如)被放電產生或雷射產生)與輻射收集器之間以防止來自電漿之微粒到達輻射收集器。自源發射之微粒可包含中性微粒及帶電微粒(離子)。微粒可包含用以創製電漿之燃料之微粒。舉例而言，微粒可包含錫之微粒(或小滴)。

微粒捕捉器可包含在圍繞穿過電漿之軸線之輪轂周圍旋轉的複數個葉片。有挑戰性的是設計有效於防止微粒到達輻射收集器而不過度地縮減傳遞通過輻射捕捉器之EUV輻射之量的微粒捕捉器。亦有挑戰性的是提供可耐受與增加自電漿輸出之功率相關聯之高熱負荷的微粒捕捉器。微粒捕捉器可藉由限制傳輸效率及/或藉由限制自電漿輸出之功率可被增加之程度來限制EUV輻射源之輸出功率。

對耐受高熱負荷之期望可意謂諸如鉬、鎢及/或錸之特殊材料係理想的。此等材料傾向於重。增加葉片及/或輪轂之重量可增加在旋轉期間對葉片及/或輪轂(以及葉片與輪轂之間的連接)之機械應力。

可經由輪轂而將冷卻應用於葉片。應使輪轂儘可能地小以最小化由輪轂對輻射之阻擋。用於冷卻之空間可需要相對大以使冷卻有效率。因此，可用於實現葉片與輪轂之間的連接之空間可受到限制。可需要緊致連接。為了達成高旋轉速率及/或支撐重葉片，葉片與輪轂之間的連接亦應堅固。

葉片可旋轉之速率可受到葉片材料可支撐之機械應力限制。較厚葉片可用以縮減壓曲風險，但較厚葉片將傾向於較重且賦予較大向心力。較厚葉片亦可縮減捕捉器之傳輸效率。

較高電漿功率可造成葉片之壓曲。當葉片與其原始形狀存在偏差時(例如，當初始直葉片開始在平面外彎曲時)會發生壓曲。壓曲可由葉片之前邊緣(面對電漿)與葉片之後邊緣之間的高熱梯度之顯現造成。可藉由增加葉片厚度來縮減葉片壓曲風險，但增加葉片厚度可增加葉片重量及/或縮減傳輸效率。

更一般化地，有挑戰性的是在輪轂、葉片及/或輪轂與葉片之間的連接之位階處使臨界機械應力位準保持於可接受界限內。

需要增加到達輻射收集器之EUV輻射之量，而不允許由起源於電漿之微粒對輻射收集器之過度污染。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該等葉片中每一者具有插入至該輪轂中之一互補溝槽中之一末端錨定部分，該末端錨定部分及該溝槽用以在該輪轂之旋轉期間將該等葉片固持於該輪轂內。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該等葉片中每一者包含複數個相異錨定表面，每一錨定表面經組態以壓住該輪轂內之一對應支撐表面以便在該輪轂之旋轉期間徑向地約束該葉片。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數對葉片，其自該輪轂向外延伸，每一對葉片係由該葉片位於該輪轂內之區中之一單一材料件組成，其中該輪轂之一外部部分經分段成：複數個支撐樑，其各自定位於該等對葉片中之一對之該等葉片之間以用於在該輪轂之旋轉期間固持彼對抵靠該輪轂；及複數個中間樑，其定位於該等支撐樑之間；且該微粒捕捉器進一步包含複數個耦接桿，每一耦接桿係與該輪轂分離地形成且定位於該等支撐樑中之一者與彼支撐樑所支撐之該對葉片之間。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該輪轂及該等葉片係藉由將複數個單件單元連接在一起而形成，每一單件單元包含經整體地形成在一起的該複數個葉片中之一者及該輪轂之一部分，每一單件單元直接連接至該等單件單元中至少一另一者。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂中之開口向外延伸，其中該等開口中每一者係由一連續整體材料迴路界定，該等開口及該等葉片經組態成使得每一葉片可自該輪轂之側插入至該輪轂中，該側係與彼葉片將突出通過之該開口相對。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該等葉片中之一或多者具備曲率以增加抗壓曲性，其中，對於一預定旋轉速率，該曲率係使得起源於沿著該輪轂之旋轉軸線之一預定點的射線沿著恆定圓周位置之線而通過該葉片以便不入射於該葉片之任一面上。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該複數個葉片中至少一者包含一開口；且該等葉片經組態成使得對於起源於位於沿著該輪轂之旋轉軸線之一預定點處之一電漿的一微粒之一預定速率範圍且對於該輪轂之一預定旋轉速率，當該微粒避免撞擊任何葉片之一輻射對向邊緣且傳遞通過該開口時，該微粒將在不存在開口之一位置處撞擊一後續葉片。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中：該等葉片中至少一者中空。

根據一態樣，提供一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該輪轂包含用於一冷卻劑流體之通道，該等通道之至少一部分包含相對於該輪轂之旋轉軸線成斜角之一線性片段。

現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器裝置SO之微影裝置100。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。

術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。

如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自源收集器裝置SO接收極紫外光輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器裝置SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器裝置中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO₂雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器裝置可為分離實體。

在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器裝置。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器裝置之整體部件。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。

所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中創製極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由(例如)造成至少部分離子化電漿之放電來創製極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。

由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方之選用氣體障壁或污染物捕捉器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片捕捉器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物捕捉器230可包括通道結構。污染捕捉器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中所知，本文進一步所指示之污染物捕捉器或污染物障壁230至少包括通道結構。

收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。或者或另外，橫穿收集器CO之輻射可直接聚焦至虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。

比所示元件多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

如圖2所說明，收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。

或者，源收集器裝置SO可為如圖3所示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。

圖4說明用於防止起源於電漿210之微粒到達收集器光學件CO之微粒捕捉器40之實例。起源於電漿210之微粒係由箭頭42示意性地說明。在一實施例中，微粒捕捉器40包含可圍繞軸線46而旋轉之輪轂44。軸線46可穿過電漿210。微粒捕捉器40可包含自輪轂44向外(例如，徑向地)延伸之複數個葉片58。在圖4所描繪之實例中，未展示葉片58之徑向最外部邊緣(參見截止線50)。輪轂44之旋轉會造成葉片58之對應旋轉。葉片58之幾何形狀及輪轂44之旋轉速率經選擇成使得對於來自源210之微粒之所有預期速率，當一微粒到達任何兩個葉片之間的區時，該微粒將在圓周方向上受到該等葉片中之一者之部分撞擊且被防止通過微粒捕捉器。

入射輻射及微粒造成輪轂44及葉片58之加熱。為了防止葉片58或輪轂44之溫度超過目標溫度，可提供冷卻系統。在一實施例中，冷卻系統包含用於使冷卻劑流動通過輪轂44之通道52。在一實施例中，冷卻劑係由位於輪轂44內之冷卻劑出口54提供。箭頭56說明通道52內用於冷卻劑之實例流動圖案。或者，可提供其他冷卻方式，諸如，CO₂冷卻、氣流冷卻或藉由使用熱管進行之冷卻，其中此等冷卻方式具有縮減腐蝕及洩漏風險之另外優點。

如上文所提及，有挑戰性的是設計一種如下微粒捕捉器：其可有效地消除微粒，而同時允許EUV輻射之大比例通過該微粒捕捉器。

為了最小化由微粒捕捉器阻擋之輻射之量，需要最小化垂直於輻射的微粒捕捉器之橫截面。可藉由縮減輪轂44之橫截面及/或藉由縮減葉片58之橫截面來達成捕捉器之橫截面之縮減。可藉由使輪轂44較小來達成輪轂44之橫截面之縮減。可藉由使葉片58較薄及/或藉由使用較少葉片來達成葉片58之橫截面之縮減。然而，縮減葉片之數目可規定使葉片58較快速地旋轉以提供適當微粒移除。若使輪轂44較輕，則使輪轂44較快速地旋轉可被較容易達成。亦可藉由縮減葉片58之重量來促進輪轂44之旋轉。然而，縮減微粒捕捉器之組件之重量可影響微粒捕捉器之結構完整性。縮減輪轂44之材料可縮減輪轂44之強度。縮減用於葉片58之材料之量可縮減葉片58之強度。若輪轂44不足夠堅固，則可發生輪轂44之故障。輪轂44之故障可涉及葉片58在使用期間變得與輪轂44分開。縮減葉片58之強度可造成葉片58之故障。舉例而言，葉片58可在使用時歸因於溫度梯度而壓曲，該等溫度梯度係歸因於來自電漿源之加熱而顯現於葉片58內。或者或另外，施加至葉片58之向心力可造成葉片58之故障。

在一實施例中，葉片58與輪轂44之間的連接經配置成使得來自葉片58之向心力遍及輪轂44之材料均勻地散播。以此方式，可使輪轂44較輕，而不損害在使用期間安全地固持葉片58之能力。圖5說明一實例。

圖5為平行於輪轂44之旋轉軸線而查看的輪轂44之徑向外部部分的示意性剖視圖。在此實例中，輪轂44經組態以收納複數對葉片58A、58B。每一對葉片58A、58B係由將葉片58A、58B連接在一起之肘管62之區中的單一材料件組成。在一實施例中，在使用時位於輪轂44中的該對葉片之部分的全部為單一材料件。在一實施例中，整個該對葉片58A、58B係由單一材料件組成。可藉由在單一材料件之中心區中使單一材料件在肘管62處彎曲來形成該對葉片58A、58B。該對葉片58A、58B之間的角度可為360度除以葉片之總數。

在一實施例中，輪轂44之外部部分經分段成複數個支撐樑44A。支撐樑44A中每一者定位於該等對葉片中之一對之葉片58A、58B之間以用於在輪轂44之旋轉期間固持彼對葉片抵靠輪轂44。因此，支撐樑44A中每一者提供抵靠該對葉片58A、58B之肘管62之徑向向內力，彼支撐樑44A位於該對葉片58A、58B之間。在一實施例中，輪轂44亦包含定位於支撐樑44A之間的複數個中間樑44B。此等中間樑可用以在緊鄰對葉片58A、58B之最近葉片之間界定間隔。此配置之潛在問題在於：施加至每一對中之葉片58A、58B之向心力可獨佔式地或支配式地轉移至支撐樑44A。在此配置中，不使用或不在顯著程度上使用中間樑44B以支撐來自葉片58A、58B之向心力。因此，輪轂44之材料可能未被最佳地使用。

在一實施例中，使用耦接桿60來使向心力較均勻地散播。每一耦接桿60可與輪轂44分離地形成。每一耦接桿60可定位於支撐樑44A中之一者與該支撐樑44A支撐之該對葉片58A、58B之間。圖5描繪一實例配置。

每一耦接桿60可經組態以沿圓周擴大在支撐樑44A徑向內部的一對葉片58A、58B之部分。耦接桿60可經組態以造成該對葉片58A、58B與環繞支撐樑44A之中間樑44B中之一者或此兩者嚙合。以此方式，耦接桿60用以使負荷自該對葉片58A、58B散播至中間樑44B中之一者或此兩者。在一實施例中，耦接桿60用以擴大該對葉片58A、58B之肘管62。舉例而言，肘管62可伸展而使得其寬於相鄰中間樑44B之間的分離度。以此方式，耦接桿60可迫使該對葉片58A、58B與中間樑44B接觸。圖5示意性地說明葉片58與中間樑44B之間的嚙合點64。葉片與中間樑44B之間的反作用力將傾向於自中間樑44B之任一側向內成角度。因此，中間樑44B將傾向於被壓縮，此情形可改良輪轂44之硬度。

在不存在耦接桿60的情況下，支撐樑44A之徑向內部表面將必須被更仔細地加工，例如，以便具備圓形表面。舉例而言，可藉由電火花侵蝕來進行加工。耦接桿60之供應會縮減所需要之此加工之量且藉此促進製造。

在一實施例中，耦接樑60中之一或多者係由軟於供形成支撐樑44A及/或葉片58之材料的材料形成。舉例而言，耦接樑60可由鋁形成。使耦接樑60較軟會促使耦接樑60之變形。耦接樑60之變形將傾向於促成肘管62之橫向膨脹。耦接樑60之變形將傾向於促成葉片58與輪轂44之間的良好熱接觸。改良葉片58與輪轂44之間的熱接觸可有助於確保由輪轂44對葉片58之有效率冷卻。耦接樑60之變形亦可藉由使與輪轂之機械接觸遍及較大區域而散播來改良該接觸。

圖6描繪用於將葉片58連接至輪轂44之替代配置。圖6為平行於輪轂44之旋轉軸線而檢視的輪轂44之徑向外部部分的示意性剖視圖。在此實施例中，葉片58各自被提供為分離組件，而非呈藉由單一材料件連接在一起及/或由單一材料件形成之對的形式(如在圖5所示之類型之實施例中)。為了提供葉片58在輪轂44內之有效率錨定，將葉片58之末端部分摺疊(例如)達180°以便形成末端錨定器部分66。末端錨定器部分66藉此具有為在輪轂外部之葉片部分之厚度之兩倍的厚度。在達180°之摺疊中，末端錨定器部分66之第一部分66A可界定參考方向。後續部分66B可相對於參考方向被摺疊達90°。在部分66B之後的部分66C可被摺疊達另外90°以達成180°之總摺疊角。具有經摺疊末端錨定器部分66之葉片58可在平行於輪轂44之旋轉軸線或平行於輪轂44之外部表面的方向上插入至輪轂44中。在輪轂44成圓錐形狀時，葉片58可插入於平行於圓錐之外部表面之方向上。複數個溝槽68可形成於輪轂44中。溝槽68之形狀可與葉片58之形狀互補。溝槽68可用以防止葉片58在輪轂44之旋轉期間藉由向心力而自該輪轂中被徑向地拉出。舉例而言，溝槽68可呈現錨定表面72，葉片58之末端錨定器部分66抵靠錨定表面72而嚙合。

在一實施例中，複數個葉片58之第一集合74具有相對於輪轂44之旋轉軸線位於第一半徑處之末端錨定器部分66。複數個葉片58之第二集合可經組態以具有相對於輪轂44之旋轉軸線位於第二半徑處之末端錨定器部分66。第一半徑可大於第二半徑。將葉片58配置成具有處於不同半徑之末端錨定器部分66會有助於確保對於給定葉片間隔，存在環繞末端錨定器部分66之足夠輪轂材料以確保末端錨定器部分66可被可靠地固持。若末端錨定器部分66皆位於相同半徑處，則鄰近末端錨定器部分66之間的分離度將較小。因此，環繞末端錨定器部分66之輪轂材料之量將較少。因此，環繞末端錨定器部分66之材料之強度將傾向於較低。此途徑使有可能具有經較緊密間隔之葉片，而不損害葉片58與輪轂44之間的連接品質。

可藉由使末端錨定器部分66相對於徑向方向傾斜來進一步改良末端錨定器部分66在輪轂44內之錨定強度。在圖6之配置中，末端錨定器部分66相對於徑向方向78傾斜達角度80。視情況以使末端錨定器部分66均勻地分佈於輪轂材料內之角度執行末端錨定器部分66之傾斜。使末端錨定器部分66均勻地分佈於輪轂內會有助於使由末端錨定器部分66施加之向心力遍及輪轂材料44均勻地分佈。使末端錨定器部分66傾斜亦會有助於藉由確保末端錨定器部分66之材料較均勻地分佈至葉片58之軸線之兩個圓周側來改良輪轂材料之錨定功能。該傾斜會增加藉由向心力而壓住輪轂材料的末端錨定器部分66之表面積，此情形可改良末端錨定器部分66與輪轂之間的錨定及/或熱連接品質。

在圖6所示之實例中，末端錨定器部分66係沿著兩個不同半徑而配置。然而，在替代實施例中，末端錨定器部分66可遍及兩個以上半徑而分佈。在圖6之配置中，末端錨定器部分66傾斜且沿著不同半徑而配置。在替代實施例中，末端錨定器部分66傾斜，但沿著相同半徑而配置。在替代實施例中，末端錨定器部分66係沿著不同半徑而配置，但不傾斜。

圖7說明用於將葉片58錨定於輪轂44內之替代機構。圖7為在平行於輪轂44之旋轉軸線之方向上的示意性剖視圖。在此實例中，葉片58中每一者包含複數個相異錨定表面82 至87。錨定表面82至87中每一者經組態以壓住輪轂44內之一對應支撐表面上以在輪轂44之旋轉期間徑向地約束葉片58。在一實施例中，葉片58中每一者具有經定位成與輪轂44之旋轉軸線相隔不同徑向分離度的錨定表面82至87。在所示實例中，錨定表面82及83相比於錨定表面84及85處於較大徑向分離度。錨定表面84及85相比於錨定表面86及87處於較大徑向分離度。處於不同半徑之多個錨定表面之供應會有助於改良錨定力在輪轂44內之分佈。在所示實施例中，錨定表面82至87係遍及三個不同半徑而分佈。然而，在替代實施例中，錨定表面可遍及兩個半徑或遍及三個以上半徑而分佈。在所示實例中，鄰近葉片58之錨定表面定位於相同半徑處。然而，在替代實施例中，鄰近葉片58之錨定表面可定位於不同半徑處。

在一實施例中，錨定表面82至87具有根據其與輪轂44之旋轉軸線之徑向分離度而變化的表面積。在所示實例中，處於較大半徑之錨定表面之表面積大於處於較小半徑之錨定表面之表面積。錨定表面82及83大於錨定表面84及85。錨定表面84及85大於錨定表面86及87。此配置有助於維持葉片58與其在輪轂44內之錨定部分82至87之間的均一分離度。

在所示實例中，錨定表面82至87經組態以在葉片58之一個圓周側上提供實質上等於提供於葉片58之另一圓周側上之錨定力的錨定力。在所示實例中，此情形係藉由將錨定表面82、84及86安排成分別與葉片58之相對圓周側上之錨定表面83、85及87實質上相同而達成。

在一實施例中，葉片58之錨定部分之橫截面形狀遍及經定位有葉片58的輪轂44之長度實質上恆定。以此方式，可將葉片58縱向地插入至輪轂中而進入在形狀上與葉片58實質上互補之溝槽中。

圖8為根據一實施例的待形成為葉片58之材料薄片的示意性側視圖，其說明可如何形成錨定表面90、91。在此配置中，複數個孔88被切割至一材料薄片中。可使用雷射以(例如)使用此項技術中所熟知之技術來切割該材料。孔88經塑形成使得鄰近於孔88之材料可變形以創製錨定表面90、91。孔88可經塑形以便避免可能藉由集中應力而使葉片弱化之急劇彎曲幾何形狀。在所示實例中，鄰近於孔中每一者之材料經偏轉成進入或離開頁面以創製錨定表面90、91。此錨定表面90、91為遍及輪轂44之長度之第一部分而相比於延伸至與第一圓周側相對之圓周側(例如，離開頁面)在較大程度上延伸至第一圓周側(例如，進入頁面)的錨定表面之實例。在圖8之實例中，輪轂44之長度之第一部分可對應於最上部開口88。在一實施例中，提供另外錨定表面91，其遍及經定位有葉片58的輪轂44之長度之第二部分而相比於延伸至第一圓周側(例如，進入頁面)在較大程度上延伸至與第一圓周側相對之圓周側(例如，離開頁面)。舉例而言，輪轂44之長度之第二部分可對應於含有圖8中之次最高開口88的葉片58之部分。在一實施例中，錨定表面90及91以此方式自葉片58之頂部至葉片58之底部而交替。舉例而言，此交替可引起開口88之一半具有藉由在第一圓周方向上之偏轉而形成之錨定表面90且開口88之一半具有藉由在另一圓周方向上之偏轉而形成之錨定表面91。此途徑創製提供平衡錨定力之錨定表面90、91之集合。

圖9為根據圖8之結構而形成之葉片58的示意性俯視圖，其中錨定部分90及91偏轉至兩個圓周側。此類型之配置可經組態成使得輪轂44之長度之第一部分及第二部分的位置對於至少兩個相鄰葉片58相同。此途徑有助於將力有效地分佈於輪轂44內。此途徑有助於確保用於鄰近葉片58之錨定部分90、91相對於彼此均勻地間隔。

改良葉片58在輪轂44內之錨定之效率會使有可能縮減用於錨定之輪轂材料之量。改良錨定之效率可使在輪轂44內得到較多空間。舉例而言，可採用額外空間來改良輪轂44之冷卻。

圖10說明用於輪轂44之實例配置，其中已藉由提供相對於輪轂44之旋轉軸線成角度的用於冷卻劑之通道92而改良輪轂44之冷卻。在所示實例中，通道92包含相對於輪轂44之旋轉軸線成斜角之線性片段。提供成斜角的通道92之片段會使有可能將該等通道定位成較接近於輪轂44之表面且藉此另外改良冷卻劑與葉片58之間的熱交換。舉例而言，相對於用於冷卻劑之通道平行於或垂直於輪轂44之旋轉軸線(如在(例如)圖4所描繪之實施例中)的狀況，通道92可經配置成與輪轂44之徑向外部表面相隔較均一深度。視情況，通道92之片段經配置成大致平行於輪轂44之徑向外部表面之至少一部分。

圖11及圖12說明用以實施葉片58與輪轂之間的連接之替代途徑。在一實施例中，輪轂及葉片58係藉由將複數個單件單元94連接在一起而形成。每一單件單元94包含構成微粒捕捉器之複數個葉片58中之一者及輪轂之部分96。單件單元94經組態以便可連接在一起以形成微粒捕捉器。每一單件單元94可經組態以直接連接至單件單元94之至少一另一單件單元。在一實施例中，單件單元94中每一者經組態以可直接連接至在圓周方向上配置於任一側上之另外兩個等同單件單元94。單件單元94可經組態成使得當經配置成在圓周方向上彼此鄰接時，會形成完整的沿圓周連續輪轂。在一實施例中，提供一或多個約束構件以將複數個單件單元94固持在一起。舉例而言，可提供形成封閉迴路之約束構件。封閉迴路可包圍複數個單件單元94，以便在輪轂之旋轉期間將單件單元94固持在一起。

在一實施例中，平滑地或逐漸地提供單件單元94中之葉片與輪轂片段之間的過渡，以便縮減應力集中且均勻地分佈負荷。

使葉片與輪轂整體地形成而使得在無任何材料界面的情況下提供輪轂與葉片之間的過渡會增加捕捉器之強度。因此，葉片可較快速地旋轉。使葉片較快速地旋轉意謂可使用較少葉片以在所要程度上阻擋微粒。較少葉片可縮減輻射受到葉片阻擋之程度且因此增加輸出功率。

在一實施例中，單件單元94係藉由燒結而形成。

圖13為根據一實施例之輪轂44之部分的示意性徑向向內視圖。在所示配置中，開口104提供於輪轂44之外部表面中。開口104各自係由一連續整體材料迴路環繞。開口104及葉片58經組態成使得每一葉片58可自輪轂44之側插入至輪轂44中，該側係與彼葉片58將突出通過之開口104相對。因此，用於此類型之實施例之葉片插入方法不同於葉片58在平行於或大致平行於輪轂44之旋轉軸線之方向上插入至溝槽中的實施例。使用具有環繞開口之連續整體材料迴路之該等開口會提供較大結構強度。在一實施例中，輪轂44為單一整體材料件。

在圖13所說明之輪轂44之部分中，存在突出離開頁面之五對葉片58。在此實施例中，該等對葉片58中每一對係由在一肘管處彎曲之單一材料件形成。該等肘管在該圖解中不可見，此係因為該等肘管係在輪轂44之支撐柱98後方。在使用期間，當輪轂44正旋轉時，該等對葉片58之肘管將在徑向向外方向上壓住支撐柱98。

為了允許將所有對葉片58插入至輪轂44內之適當位置中，應使開口104相對大。詳言之，當界定開口104之支撐柱98兩者皆具有安裝於其上之多對葉片58時，應有可能將一對葉片58插入通過彼開口104。此情形係由圖13中以加影線形式所描繪之單對葉片說明。此對葉片58插入於進入頁面之方向上且將安裝於輪轂44之側上之支撐柱98上，該側係與圖13所示之輪轂44之側相對。為了使加影線對葉片 58傳遞通過開口104，該開口應具有為個別葉片58之圓周厚度之至少四倍的寬度。亦可需要具有大開口104以有助於避免可藉由集中應力而使輪轂44弱化之急劇彎曲幾何形狀。

圖14為展示插入程序之示意性說明。箭頭102展示加影線對葉片58之插入方向。箭頭100展示將加影線對葉片58安裝至將收納加影線對葉片58之支撐柱98上將需要的該對葉片58之開口方向。在圖14之圖解中，支撐柱98之上部列表示在輪轂44之第一側上的輪轂44之部分。支撐柱98之下部列表示在輪轂44之相對側上之支撐柱。虛線105表示該圖中之斷線以展示出輪轂之內部未被表示。

葉片58之平面外壓曲或變形特別有破壞性，此係因為其增加葉片58阻擋EUV輻射之程度。不理想地阻擋較多輻射會縮減輻射源之功率輸出。熱被轉移至經壓曲葉片之速率亦可能會增加。加熱之增加可造成葉片之進一步壓曲或其他故障模式。用於避免壓曲之一途徑係增加葉片之厚度以增加其強度。然而，增加葉片之厚度會使葉片較重，此情形可使較難以使輪轂以高速率旋轉。較厚葉片可增加由該等葉片之前邊緣對輻射之阻擋，因此縮減輸出功率。

圖15至圖17說明一實例實施例，其中葉片具備曲率以增加葉片58之抗壓曲性，而不增加形成葉片之材料之厚度。在一實施例中，葉片58之曲率經配置成使得對於預定旋轉速率，起源於沿著輪轂之旋轉軸線之預定點的射線沿著零曲率之線或恆定圓周位置之線通過該葉片。在給定情況下，葉片表面沿著給定射線之路徑與葉片之間的最近途徑之線之圓周位置恆定。

舉例而言，預定點可對應於電漿210之預期位置。當此葉片58用於經定位成使得電漿處於預定點且輪轂以預定旋轉速率而旋轉之微粒捕捉器中時，葉片58之曲率將不造成輻射之任何額外阻擋，惟在該曲率對於給定微粒捕捉器直徑可增加葉片之前邊緣之長度的範圍內除外。

圖15至圖17中示意性地說明該配置。在圖15中，電漿210提供於沿著輪轂44之旋轉軸線之預定點處。射線係由點線106展示。實線108表示所應用之特定曲率之給定特徵。給定特徵可為曲率之峰值108(如在所示實例中)、谷值或任何其他特性特徵。可看出，曲率之特性特徵係與來自電漿210之射線106之方向對準。

圖16示意性地說明當平行於旋轉軸線進行檢視時將如何出現葉片58之電漿對向(前)邊緣之部分。圖17示意性地描繪當沿著旋轉軸線進行檢視時將如何出現與電漿對向邊緣相對之邊緣(後邊緣)之對應部分。箭頭109及111指示前邊緣上之峰值與後邊緣上之峰值之間的對應性。每一對箭頭109、111自穿過前邊緣上之峰值之垂直虛線指向穿過後邊緣上之對應峰值之垂直虛線。對應於朝向圖16所說明之前邊緣之部分之右側所示之較大曲率週期性的後邊緣之部分在圖17中不可見，此係因為其在右側處於「頁面外」。

出於說明性目的而以高度誇示形式來展示曲率。實務上，曲率之振幅將小得多。當沿著旋轉軸線進行檢視時，曲率將造成葉片58之面可見。然而，當自電漿210之位置來檢視葉片58時，歸因於曲率以圖15所描繪之方式之對準，葉片58之僅前邊緣將可見。

當製造葉片58時，需要考慮該等葉片將被使用之旋轉速率，以便預測在旋轉期間將發生的葉片之伸長程度。該伸長將判定確保射線沿著恆定圓周位置之線通過葉片所需要的曲率之形式(亦即，使得來自電漿210之射線歸因於該曲率而不入射於任何葉片之面上)。

在一實施例中，使用壓鑄模(die-mold)來製造具有曲率之葉片。曲率可視情況經調適以允許液體Sn歸因於向心力而遍及葉片58之表面有效率地遷移。可避免可能傾向於捕捉Sn微粒之尖銳矩形隅角或其他結構。

圖18及圖19為葉片58具備一或多個開口110之實施例的示意性側視圖。葉片58可經組態成使得對於起源於位於沿著輪轂44之旋轉軸線之預定點處之電漿的微粒之預定速率範圍且對於輪轂44之預定旋轉速率，當該微粒避免撞擊任何葉片之前邊緣且傳遞通過開口110中之一者時，該微粒將在不存在開口之位置處撞擊後續葉片。此類型之實施例使用如下事實：考慮到微粒之速率，當微粒傳遞通過開口110中之一者時，有可能計算微粒將在何處撞擊後續葉片。藉由計算，有可能確保對於所有可能微粒軌跡及速率(或對於選定微粒軌跡及/或速率範圍)，將藉由微粒捕捉器來停止微粒，即使微粒傳遞通過捕捉器之葉片58中之一或多個開口亦如此。該計算可考量由葉片58之有限厚度造成的至該等葉片之面上之可能微粒軌跡之數目的限定。許多微粒軌跡將造成微粒撞擊葉片58之前邊緣且藉由葉片58捕獲，而不必碰撞不具有開口之葉片面之部分。考量葉片厚度可促進較多及/或較大開口之供應，而不將微粒藉由捕捉器停止之程度縮減至低於可接受臨限值。

開口110之供應會使有可能使葉片58較輕。為了補償歸因於開口110之存在的葉片58之效率縮減，可有必要略微延伸葉片之總長度，但通常仍將有可能縮減葉片58所需要之材料之總量。

或者或另外，開口110之供應可促進葉片58以不涉及歸因於顯現於葉片58內之溫度梯度及/或向心力之壓曲的方式而變形。

在圖18所示之配置中，葉片58之表面積之實質上全部可用於開口110。在圖19之配置中，開口110之供應限定至中心區112。舉例而言，此途徑使有可能沿著葉片58之輻射對向邊緣提供離子吸收區段114。在一實施例中，離子吸收區段114不包含任何開口。或者或另外，葉片58可具備沿著葉片58之後邊緣之快速微粒補償帶116。在一實施例中，快速微粒補償帶116不包含任何開口。在圖19所示之配置中，提供離子吸收區段114及快速微粒補償帶116兩者。然而，在替代實施例中，可提供離子吸收區段114，而無快速微粒補償帶116。在一替代實施例中，可提供快速微粒補償帶116，而無離子吸收區段114。

在一實施例中，如圖19之實例所示，葉片58中之一或多者可包含一或多個支撐樑118。一或多個支撐樑118可自葉片之前邊緣連續地延行至後邊緣。在一實施例中，一或多個支撐樑118不包含任何開口。在圖19所示之實例中，提供兩個支撐樑118。然而，在其他實施例中，可提供兩個以下支撐樑，例如，一個支撐樑。在替代實施例中，可提供兩個以上支撐樑118。

圖20及圖21說明微粒捕捉器包含為中空之至少一葉片58的實施例。圖20為此葉片58之示意性側視圖。圖21為此葉片58之示意性徑向向內視圖。中空葉片58之供應會使有可能(例如)在使用期間將冷卻氣體或液體供應至葉片58之內部。此冷卻劑流之供應會有助於改良葉片58之溫度被調節的效率。舉例而言，可縮減溫度梯度在葉片58內之顯現，該顯現可造成該葉片之壓曲。箭頭120說明中空葉片58內用於冷卻劑之實例流動圖案。然而，可使用其他流動圖案。相對於在葉片之橫截面中使用相似量之材料的完全平坦結構，中空葉片結構可歸因於由中空結構58提供之改良型機械抗壓曲性而提供較大抗壓曲性。

舉例而言，中空葉片可藉由燒結而形成。舉例而言，燒結粉末可包含在加熱期間將蒸發之微粒。可藉由將此等微粒定位於需要空腔之處且施加熱以移除該等微粒來創製該等空腔。

輪轂44可使用多種技術予以加工。舉例而言，放電加工(EDM)可用以將開口、溝槽等等切割至輪轂44中。在輪轂44中形成溝槽來收納葉片58時，溝槽可形成為實質上平行於輪轂44之外部輪廓。在一實施例中，輪轂可具有圓錐形狀。因此，溝槽可成角度以便平行於圓錐之外部表面之角度。溝槽可在一個縱向末端處或在兩個縱向末端處敞開以允許插入葉片58。可提供用以在已插入葉片58之後阻擋溝槽之縱向末端中之一者或此兩者以縱向地緊固該等葉片的裝置。

葉片至溝槽或開口中之插入會允許替換受損葉片，而不必替換所有葉片或整個捕捉器。

在一實施例中，輪轂中之溝槽在縱向方向上長於葉片以允許在加熱時使葉片膨脹。藉此縮減葉片之壓曲風險。

可使用燒結以形成輪轂及葉片中任一者或此兩者。

舉例而言，輪轂及/或葉片可由鉬、鎢及/或錸形成。或者或另外，輪轂及/或葉片可由碳-碳化矽形成。碳-碳化矽相比於鉬、鎢及錸實質上較不緻密。因此，使用碳-碳化矽可允許藉由降低向心力來獲得高旋轉速率。

所描述之實施例或概念中任一者可以任何相容組合進行組合。舉例而言，用於輪轂之所描述組態中任一者可與用於葉片之所描述組態中任一者進行組合。用於將葉片連接至輪轂之所描述組態中任一者可與用於輪轂之所描述組態中任一者及/或用於葉片之所描述組態中任一者進行組合。

儘管本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。

舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。對於熟習此項技術者將顯而易見，本發明亦係由下文所闡明之條項表示。

1.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；複數對葉片，其自該輪轂向外延伸，每一對葉片係由該葉片位於該輪轂內之區中之一單一材料件組成，其中該輪轂之一外部部分經分段成：複數個支撐樑，其各自定位於該等對葉片中之一對之該等葉片之間以用於在該輪轂之旋轉期間固持彼對抵靠該輪轂；及複數個中間樑，其定位於該等支撐樑之間；及複數個耦接桿，其各自係與該輪轂分離地形成且定位於該等支撐樑中之一者與彼支撐樑所支撐之該對葉片之間。

2.如條項1之微粒捕捉器，其中每一耦接桿經組態以擴大該對葉片之徑向最內部部分，該耦接桿定位於該對葉片之間，使得該對葉片與環繞該支撐樑之該等中間樑中之一者或此兩者嚙合。

3.如條項1或2之微粒捕捉器，其中：該等耦接樑中之一或多者係由軟於供形成該等支撐樑及/或該等葉片之材料的一材料形成。

4.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該輪轂及該等葉片係藉由將複數個單件單元連接在一起而形成，每一單件單元包含經整體地形成在一起的該複數個葉片中之一者及該輪轂之一部分，每一單件單元直接連接至該等單件單元中至少一另一者。

5.如條項5之微粒捕捉器，其進一步包含：一約束構件，其圍繞該複數個單件單元形成一封閉迴路以在該輪轂之旋轉期間將該等單件單元固持在一起。

6.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂中之開口向外延伸，其中該等開口中每一者係由一連續整體材料迴路界定，該等開口及該等葉片經組態成使得每一葉片可自該輪轂之側插入至該輪轂中，該側係與彼葉片將突出通過之該開口相對。

7.如條項6之微粒捕捉器，其中該輪轂係由一單一整體材料件組成。

8.如條項6或7之微粒捕捉器，其中：該等葉片係以對之形式被提供，每一對葉片係由位於該輪轂內之區中之一單一材料件組成，該單一材料件被鉸接；該等對葉片可藉由將該等葉片壓入在一起直至該等葉片彼此實質上平行為止而自一個側插入至該輪轂中；且該對葉片可藉由使其展開且將其插入通過其各別開口而位於該輪轂之另一側處之適當位置中，鉸鏈位於該等葉片之各別開口之間以充當一錨定器以在該輪轂之旋轉時將該對葉片固持於該輪轂內。

9.如條項8之微粒捕捉器，其中：每一開口之寬度等於或大於該等葉片中之一者之厚度的四倍。

10.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該等葉片中之一或多者具備曲率以增加抗壓曲性，其中，對於一預定旋轉速率，該曲率係使得起源於沿著該輪轂之旋轉軸線之一預定點的射線沿著恆定圓周位置之線而通過該葉片以便不入射於該葉片之任一面上。

11.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該複數個葉片中至少一者包含一開口，且其中該等葉片經組態成使得對於起源於位於沿著該輪轂之旋轉軸線之一預定點處之一電漿的一微粒之一預定速率範圍且對於該輪轂之一預定旋轉速率，當該微粒避免撞擊任何葉片之一輻射對向邊緣且傳遞通過該開口時，該微粒將在不存在開口之一位置處撞擊一後續葉片。

12.如條項11之微粒捕捉器，其中該等葉片中至少一者包含沿著該葉片之一輻射對向邊緣之一離子吸收區段，該離子吸收區段不包含任何開口。

13.如條項11或12之微粒捕捉器，其中該等葉片中至少一者包含沿著該葉片之與該電漿相對之一邊緣的一快速微粒補償帶，該快速微粒補償帶不包含任何開口。

14.如條項11至13中任一項之微粒捕捉器，其中該等葉片中至少一者包含自該葉片之面對該電漿源之該邊緣連續地延行至該相對邊緣的一或多個支撐樑，該一或多個支撐樑不包含任何開口。

15.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該等葉片中至少一者中空。

16.如條項15之微粒捕捉器，其中：該輪轂包含用於冷卻劑流體之通道，該等通道經組態以與該一或多個中空葉片之一或若干空腔連接，以便允許該冷卻劑流體在該一或多個中空葉片內流動。

17.如前述條項中任一項之微粒捕捉器，其中該等葉片中之一或多者及/或該輪轂係由碳-碳化矽形成。

18.一種用於一電漿EUV輻射源之微粒捕捉器，該微粒捕捉器包含：一可旋轉輪轂；及複數個葉片，其自該輪轂向外延伸，其中該輪轂包含用於一冷卻劑流體之通道，該等通道之至少一部分包含相對於該輪轂之旋轉軸線成斜角之一線性片段。

19.一種微影裝置，其包含一EUV輻射源及一如條項1至18中任一項之微粒捕捉器。

20.一種器件製造方法，其包含：使用一EUV輻射源來供應一輻射光束；使用一如條項1至18中任一項之微粒捕捉器以防止來自該EUV輻射源之微粒污染在該EUV源下游之光學件；及使用該經供應光束以將一經圖案化輻射光束投影至一基板上。

21‧‧‧輻射光束

22‧‧‧琢面化場鏡面器件

24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

26‧‧‧經圖案化光束

28‧‧‧反射元件

30‧‧‧反射元件

40‧‧‧微粒捕捉器

42‧‧‧微粒

44‧‧‧輪轂

44A‧‧‧支撐樑

44B‧‧‧中間樑

46‧‧‧軸線

50‧‧‧截止線

52‧‧‧通道

54‧‧‧冷卻劑出口

56‧‧‧實例流動圖案

58‧‧‧中空葉片

58A‧‧‧葉片

58B‧‧‧葉片

60‧‧‧耦接桿/耦接樑

62‧‧‧肘管

64‧‧‧嚙合點

66‧‧‧末端錨定器部分

66A‧‧‧第一部分

66B‧‧‧部分

66C‧‧‧部分

68‧‧‧溝槽

72‧‧‧錨定表面

74‧‧‧複數個葉片之第一集合

78‧‧‧徑向方向

80‧‧‧角度

82‧‧‧錨定表面/錨定部分

83‧‧‧錨定表面/錨定部分

84‧‧‧錨定表面/錨定部分

85‧‧‧錨定表面/錨定部分

86‧‧‧錨定表面/錨定部分

87‧‧‧錨定表面/錨定部分

88‧‧‧孔/最上部開口/次最高開口

90‧‧‧錨定表面/錨定部分

91‧‧‧錨定表面/錨定部分

92‧‧‧用於冷卻劑之通道

94‧‧‧單件單元

96‧‧‧輪轂之部分

98‧‧‧支撐柱

100‧‧‧微影裝置(圖1)/開口方向(圖14)

102‧‧‧插入方向

104‧‧‧開口

105‧‧‧斷線

106‧‧‧射線

108‧‧‧特定曲率之給定特徵/峰值

109‧‧‧前邊緣上之峰值與後邊緣上之峰值之間的對應性

110‧‧‧開口

111‧‧‧前邊緣上之峰值與後邊緣上之峰值之間的對應性

112‧‧‧中心區

114‧‧‧離子吸收區段

116‧‧‧快速微粒補償帶

118‧‧‧支撐樑

120‧‧‧實例流動圖案

210‧‧‧極紫外光輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿/源

211‧‧‧源腔室

212‧‧‧收集器腔室

220‧‧‧圍封結構

221‧‧‧開口

230‧‧‧氣體障壁/污染物捕捉器/污染捕捉器/污染物障壁

240‧‧‧光柵光譜濾光器

251‧‧‧上游輻射收集器側

252‧‧‧下游輻射收集器側

253‧‧‧掠入射反射器

254‧‧‧掠入射反射器

255‧‧‧掠入射反射器

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件

IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點

IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元

LA‧‧‧雷射

M1‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

O‧‧‧光軸

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PS1‧‧‧位置感測器

PS2‧‧‧位置感測器

PW‧‧‧第二定位器

SO‧‧‧源收集器裝置

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2為圖1之裝置的更詳細視圖；圖3為圖1及圖2之裝置之源收集器裝置的更詳細視圖；圖4為微粒捕捉器及自電漿朝向微粒捕捉器行進之微粒的示意性側視剖視圖；圖5描繪微粒捕捉器之輪轂之徑向外部部分，其展示使用每一對葉片之每一肘管與輪轂之間的耦接桿進行的三對葉片至輪轂之連接；圖6描繪輪轂之徑向外部部分，其展示單葉片之連接，其中該等葉片之末端錨定部分被摺疊達180°；圖7描繪輪轂之徑向外部部分及三個經連接葉片，其中該等葉片各自包含複數個相異錨定表面；圖8為用於製造葉片之材料之部分的示意性側視圖，其中已形成開口以用於製造錨定表面；圖9為圖8所說明之葉片的示意性俯視圖，其中鄰近於每一開口之材料已偏轉至葉片之一側或另一側以便創製錨定表面；圖10為輪轂之示意性剖視圖，輪轂包含與輪轂之旋轉軸線成斜角之通道；圖11為微粒捕捉器之片段的示意性俯視圖，微粒捕捉器包含與輪轂之片段整體地形成之葉片；圖12為圖11所示之片段的示意性側視圖；圖13為輪轂之部分的示意性側視圖，輪轂具有由整體材料封閉迴路環繞的用於葉片插入之開口；圖14為展示葉片可如何插入至圖13所說明之類型之輪轂中的示意性說明；圖15為展示來自經過微粒捕捉器之葉片之部分之電漿的輻射之傳播方向的示意性說明；圖16示意性地展示經組態以具有垂直於EUV輻射之傳播方向之曲率的葉片之前邊緣；圖17示意性地展示圖16之葉片之後邊緣；圖18為具有孔之葉片的示意性側視圖，該等孔經塑形及定位以允許微粒傳遞通過該等孔，但由後續葉片移除；圖19為圖18所說明之類型之葉片的示意性側視圖，惟含有開口之區被限定至葉片之中心部分除外；圖20為中空葉片及通過中空葉片之內部之冷卻氣流的示意性側視圖；及圖21為圖20所說明之葉片的示意性端視圖。