TW201314988A - 具有奈米結構之多週期區域的有機發光二極體光擷取薄膜 - Google Patents
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- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007753 roll-to-roll coating process Methods 0.000 description 2
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQSYHHLVVDIFC-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C=P(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C(=CC(=C1)C)C Chemical compound CC1=C(C=P(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C(=CC(=C1)C)C PHQSYHHLVVDIFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFPJFKYCVYXDJK-UHFFFAOYSA-N Diphenylphosphine oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1[P+](=O)C1=CC=CC=C1 YFPJFKYCVYXDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 trimethyl benzhydryl Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
- G02B6/0053—Prismatic sheet or layer; Brightness enhancement element, sheet or layer
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本發明係關於一種具有工程奈米結構之多週期區域的光擷取薄膜。該光擷取薄膜包括可撓性基板、施加至該基板之低折射率工程奈米結構層及施加至該等奈米結構上的高折射率回填層。多週期區域包括具有多週期特徵之奈米結構重複區域。該重複區域包括具有不同週期性間距之第一組及第二組奈米結構。該等多週期區域可用於提高光輸出及調諧有機發光二極體裝置之角光度。
Description
有機發光二極體(OLED)裝置包括夾在陰極與陽極之間的電致發光有機材料薄膜，此等電極中之一者或兩者為透明導體。當跨越該裝置施加電壓時，電子及電洞自其各別電極注入且經由中間性形成發射性激子而在電致發光有機材料中再結合。
在OLED裝置中，所產生光超過70%通常由於裝置結構內之過程而損失。較高折射率有機物及氧化銦錫(ITO)層與較低折射率基板層之間界面處之光截留為此不良擷取效率的主要起因。僅相對少量之發射光以「有用」光形式經透明電極射出。大部分光經歷內反射，導致光自裝置邊緣射出或截留於裝置內，且在重複通過後最終因裝置內吸收而損失。
光擷取薄膜係使用內部奈米結構避免裝置內之波導損失。儘管提供強光擷取，但包含規則特徵(諸如光子晶體或線性光柵)之內部奈米結構傾向於在所發射光之角度及光譜分佈中產生繞射相關變化，此可能不合最終應用之需要。因此，需要在經奈米結構提高光擷取效率同時、亦在光輸出時降低非所要發光及色角不均勻性之光擷取薄膜。
符合本發明之光擷取薄膜包括可撓性基板、施加至基板的低折射率工程奈米結構層、及高折射率回填層，該回填層施加至奈米結構上且在回填層之與奈米結構相對的表面
上形成實質上平坦之表面。工程奈米結構具有多週期區域，其包括奈米結構之重複區域。該重複區域包含具有不同週期性間距之第一組及第二組奈米結構。
附圖與實施方式一起併入且構成本說明書的一部分，解釋本發明之優勢及原理。
本發明之實施例係關於光擷取薄膜及其用於OLED裝置之用途。光擷取薄膜之實例描述於美國專利申請公開案第2009/0015757號及第2009/0015142號中。
圖1為光擷取薄膜10之構造圖，該光擷取薄膜10具有工程奈米結構的多週期區域。光擷取薄膜10包括實質上透明之基板12(可撓性、剛性或存在於窗戶層中)、低折射率多週期工程奈米結構14及在多週期奈米結構14上形成實質上平坦表面之高折射率回填層16。術語「實質上平坦之表面」意謂回填層使下伏層平坦，儘管實質上平坦之表面中可能存在輕微表面變化。當回填層之平坦表面抵靠OLED裝置之光輸出表面置放時，奈米結構至少部分提高OLED裝置的光輸出。回填平坦表面可直接抵靠OLED光輸出表面放置或經平坦層與光輸出表面之間的另一層置放。
光擷取薄膜通常以待施加至OLED裝置的各別薄膜形式製備。舉例而言，光學耦合層18可用於使光擷取薄膜10光學耦合至OLED裝置的光輸出表面20。光學耦合層18可施加至光擷取薄膜、OLED裝置或其兩者，且可使用黏著劑實施以促進光擷取薄膜施加至OLED裝置。作為分離光學
耦合層之替代，高折射率回填層本身可包含高折射率黏著劑，使得回填層之光學及平坦化功能及黏著性光學耦合層之黏著功能由同一層執行。光學耦合層及使用其將光擷取薄膜層壓至OLED裝置之方法的實例描述於名為「OLED Light Extraction Films Having Nanoparticles and Periodic Structures」且於2011年3月17日申請之美國專利申請案第13/050324號中。
光擷取薄膜10之工程奈米結構可與基板整體形成或在施加至基板之層中形成。舉例而言，可藉由向基板施加低折射率材料及隨後使材料圖案化而在基板上形成奈米結構。工程奈米結構為至少一個維度(諸如寬度)小於1 μm之結構。工程奈米結構並非個別粒子，而可由形成工程奈米結構的奈米粒子構成，其中奈米粒子顯著小於工程結構的整體尺寸。
光擷取薄膜10之工程奈米結構可為一維(1D)結構，意謂其僅在一個維度中具有週期性，亦即最鄰近特徵在一個沿表面，而非沿正交方向之方向上的間距相等。在1D週期奈米結構之情形中，相鄰週期特徵之間的間距小於1 μm。一維結構包括例如連續或細長稜鏡或隆脊，或線性光柵。
光擷取薄膜10之工程奈米結構亦可為二維(2D)結構，意謂其在兩個維度中具有週期性，亦即最鄰近特徵在兩個沿表面之方向的間距相等。在2D奈米結構之情形中，兩個方向上之間距皆小於1 μm。應注意，兩個不同方向上之間距可能不同。二維結構包括例如微透鏡、稜錐、梯形、圓形
或方形柱，或光子晶體結構。二維結構之其他實例包括如美國專利申請公開案第2010/0128351號中所述之曲邊圓錐結構。
光擷取薄膜10之基板、低折射率多週期結構及高折射率回填層的材料提供於上文識別之專利申請公開案中。舉例而言，基板可使用玻璃、PET、聚醯亞胺、TAC、PC、聚胺基甲酸酯、PVC或可撓性玻璃建構而成。用於製備光擷取薄膜10之方法亦提供於上文識別之專利申請公開案中。視情況而言，基板可使用阻擋薄膜建構而成，以保護併入光擷取薄膜之裝置免於濕氣或氧氣。阻擋薄膜之實例揭示於美國專利申請公開案第2007/0020451號及美國專利第7,468,211號。
圖2A-圖2E說明具有至少不同間距之多週期奈米結構區域的多個例示性組態。一區域為複數組彼此接近且不重疊的工程奈米結構。各組可彼此直接毗連，或彼此相鄰且有間隔。各組為複數個彼此相鄰且具有週期特徵之奈米結構，且一區域中之各組具有與該區域中之其他組不同的週期特徵。各組中之工程奈米結構因此不具隨機性且不具非週期性。該區域在整個光擷取薄膜之奈米結構化表面中重複。詳言之，該複數個組在一區域中重複，產生工程奈米結構的重複可變週期特徵。一組中之複數個奈米結構可包括少至兩個奈米結構，在該情形中，間距(當用作多週期特徵時)僅為該組中兩個奈米結構之間的單一距離。
週期特徵之實例包括間距、高度、縱橫比及形狀。間距
係指相鄰奈米結構之間的距離，通常自其最高部分量測。高度係指自奈米結構底部(與下伏層接觸)量測至最高部分的奈米結構之高度。縱橫比係指奈米結構之橫截面寬度(最寬部分)與高度的比率。形狀係指奈米結構之橫截面形狀。
已發現藉由多間距區域控制間距提供的OLED光擷取之角分佈優於使用單一間距。同樣，使用多間距區域提供更均勻之OLED光擷取且允許調諧特定顏色之光擷取。光擷取薄膜因此使用間距的多週期區域且可組合多間距區域與其他多週期特徵(諸如上文所述者)。
圖2A說明工程奈米結構22，其具有一具有組24、26及28的區域。組24、26及28各自具有不同於區域中之其他組之間距及特徵高度的間距及特徵高度。組24具有週期間距30，組26具有週期間距32且組28具有週期間距34。間距30、32及34彼此不相等。在一個特定實施例中，間距30=0.420 μm，間距32=0.520 μm，且間距34=0.630 μm。構成區域之組24、26及28接著重複而形成光擷取薄膜之奈米結構化表面。
圖2B說明工程奈米結構36，其具有一具有奈米結構組38、40及42之重複區域，各組具有與其他組不同的週期間距及特徵高度。在奈米結構化表面36中，顯示該區域重複兩次。此實例在各組中具有的特徵少於圖2A中之各組。
圖2C說明工程奈米結構44，其具有一具有奈米結構組46、48及50之重複區域，各組具有與其他組不同的週期間距及特徵高度。在奈米結構化表面44中，顯示該區域重複8
次。此實例在各組中具有的特徵少於圖2A及圖2B中之各組。
圖2D說明工程奈米結構52，其具有一具有奈米結構組54及56之重複區域，各組具有與另一組不同的週期間距及特徵高度。在奈米結構化表面52中，顯示該區域重複3次。此實例說明具有兩個組的區域，相比之下，圖2A至圖2C中之區域具有三個組。
圖2E說明工程奈米結構58，其具有一具有組60、62及64的區域。組60、62及64各自具有不同於區域中之其他組之間距及特徵高度的間距及特徵高度。組60具有週期間距66，組62具有週期間距68且組64具有週期間距70。間距66、68及70彼此不相等。在一個特定實施例中，間距66=0.750 μm，間距68=0.562 μm，且間距70=0.375 μm。構成區域之組60、62及64接著重複而形成光擷取薄膜之奈米結構化表面。此實例說明區域中之變化間距相較於圖2A中之各組的變化間距在不同方向上有所增加。
除間距及特徵高度之外，多週期區域可具有多組其他多週期特徵。圖2F說明工程奈米結構72，其具有之組具有多週期縱橫比。奈米結構72之重複區域包括組74及76，組74中之奈米結構具有與組76中之奈米結構不同的縱橫比。作為另一實例，圖2G說明工程奈米結構78，其具有之組具有多週期形狀。奈米結構78之重複區域包括組80及82，組80中之奈米結構具有與組82中之奈米結構不同的形狀。在此實例中，組80中之奈米結構可使用1D方形隆脊或2D方形柱建構而成，而組82中之奈米結構可使用1D細長稜鏡或
2D稜錐建構而成。
圖2A-圖2G中之奈米結構為週期特徵及區域之說明。一區域可具有兩組、三組或三組以上奈米結構，各組中具有週期特徵且不同於其他組中相同週期特徵之值。在圖2A-圖2E中，區域中各組之間的不同間距係使用不同高度之奈米結構實現。然而，奈米結構之高度可相同，但各組之間的間距不同。區域中之各組之間因此可具有一或多個不同週期特徵。同樣，圖2A至圖2E出於說明性目的顯示作為工程奈米結構的稜鏡(或稜錐)；工程奈米結構可包括其他類型之1D及2D特徵，諸如上文識別者。
除非另外說明，否則實例中之所有份數、百分比、比率等皆以重量計。除非有不同說明，否則所用之溶劑及其他試劑獲自Sigma-Aldrich Chemical Company；Milwaukee,WI。
在SOLPLUS D510及1-甲氧基-2-丙醇存在下，使用研磨製程製備具有約52 wt% TiO2之TiO2奈米粒子分散液。添加以TiO2重量計25 wt%量之SOLPLUS D5 10。混合物使用DISPERMAT混合器(Paul N.Gardner Company,Inc.,Pompano Beach,FL)預混合10分鐘，接著在以下條件下使用NETZSCH MiniCer Mill(NETZSCH Premier Technologies,LLC.,Exton,PA)：4300 rpm、0.2 mm YTZ研磨介質及250 ml/min流動速率。研磨1小時後，獲得1-甲氧基-2-丙醇中之白色糊狀物樣TiO2分散液。使用Malvern Instruments ZETASIZER Nano ZS(Malvern Instruments Inc,Westborough,MA)測得粒徑為50 nm(Z平均尺寸)。
將20 g D510穩定化50 nm TiO2溶液、2.6 g SR833S、0.06 g IRGACURE 127、25.6 g 1-甲氧基-2-丙醇、38.4 g 2-丁酮混合在一起形成高折射率均勻回填溶液。
藉由首先如美國專利第7,140,812號(使用合成單晶金剛石，Sumitomo Diamond,Japan)中所述製備多鑲刃金剛石工具來製造500 nm「鋸齒」光柵薄膜。
金剛石工具接著用於製備微複製銅輥，微複製銅輥接著用於在連續鑄造及固化製程中利用可聚合樹脂在PET薄膜上製備500 nm 1D結構，該樹脂藉由將0.5%(2,4,6三甲基苯甲醯基)二苯基膦氧化物混合至PHOTOMER 6210與
SR238的75：25摻合物中製備。
使用輥對輥塗覆製程，使用4.5 m/min(15 ft/min)之腹板速度及5.1 cc/min之分散液傳遞速率將HI-BF溶液塗覆於500 nm間距1D結構化薄膜上。在室溫下，在空氣中乾燥塗層，接著隨後在82℃(180℉)下進一步乾燥，接著使用裝備有H-bulb之Fusion UV-Systems Inc.Light-Hammer 6 UV(Gaithersburg,MD)處理器固化，該處理器在氮氣氛圍下，在75%燈功率下，在4.5 m/min(15 ft/min)之線速度下操作。
藉由首先如美國專利第7,140,812號(使用合成單晶金剛石，Sumitomo Diamond,Japan)中所述製備多鑲刃金剛石來製造具有間距域之奈米結構化薄膜。使用5種不同工具(工具A-E，下文所述)製備5種不同奈米結構化薄膜。
對於工具A，1：1三角形間距(高度與寬度相等)之週期選擇為420 nm、520 nm及630 nm。各組之重複週期數選擇為8。各週期之組的排列首先為420 nm週期之組，隨後為520 nm週期之組，接著為630 nm週期之組。此在金剛石切割工具內重複兩次(兩個區域)，在三角形間距之排列研磨至切割端後，金剛石切割工具量測為約25 μm。
對於工具B，1：1三角形間距(高度與寬度相等)之週期選擇為420 nm、520 nm及630 nm。各組之重複週期數選擇為16。各週期之組的排列首先為420 nm週期之組，隨後為520 nm週期之組，接著為630 nm週期之組。在三角形間距
排列研磨至切割端後，金剛石切割工具量測為約25 μm。
對於工具C，1：1三角形間距(高度與寬度相等)之週期選擇為420 nm、520 nm及630 nm。各組之重複週期數選擇為2。各週期之組的排列首先為420 nm週期之組，隨後為520 nm週期之組，接著為630 nm週期之組。此在金剛石切割工具內重複8次，在三角形間距之排列研磨至切割端後，金剛石切割工具量測為24.5 μm。
對於工具D，1：1三角形間距(高度與寬度相等)之週期選擇為520 nm及630 nm。各組中之重複週期數選擇為8。各週期之組的排列首先為520 nm週期之組，接著為630 nm週期之組。此在金剛石切割工具內重複3次，在三角形間距之排列研磨至切割端後，金剛石切割工具量測為約27 μm。
對於工具E，1：1三角形間距(高度與寬度相等)之週期選擇為375 nm、562 nm及750 nm。各組之重複週期數選擇為16。各週期之組的排列首先為750 nm週期之組，隨後為562 nm週期之組，接著為375 nm週期之組。在三角形間距排列研磨至切割端後，金剛石切割工具量測為約26 μm。
各金剛石工具接著用於在銅工具中切割經特意工程設計之排列，從而越過工具之寬度重複，該工具接著用於在連續鑄造及固化製程中利用可聚合樹脂在PET薄膜上製備具有多週期區域之1D工程奈米結構，該樹脂係藉由將0.5%(2,4,6-三甲基苯甲醯基)二苯基膦氧化物混合至PHOTOMER 6210與SR238的75：25摻合物中而製備。
使用輥對輥塗覆製程，使用3.0 m/min(10 ft/min)之腹板
速度及2.28 cc/min之分散液傳遞速率將HI-BF溶液塗覆於具有間距域之奈米結構化薄膜上。在室溫下，在空氣中乾燥塗層，接著隨後在82℃(180℉)下進一步乾燥，接著使用裝備有H-bulb之Fusion UV-Systems Inc.Light-Hammer 6 UV(Gaithersburg,MD)處理器固化，該處理器在氮氣氛圍下，在75%燈功率下，在3.0 m/min(10 ft/min)之線速度下操作。
圖3為顯示使用工具B製備之奈米結構化薄膜的影像。
在直流條件(400W正向功率)下，在5-7毫托(mTorr)操作壓力下，在回填之500 nm間距1D奈米結構上真空濺鍍約80 nm厚氧化銦錫(ITO)層，產生如所採用遮蔽罩所界定的5 mm寬ITO陽極。參考ITO樣品之薄層電阻在40-70 Ohm/sq範圍中。
隨後，沈積OLED及陰極層及陰極以完成OLED。藉由標準熱沈積法，在真空系統中，在約10-6托之基礎壓力下，在用於各原色裝置設定之各別實驗中，製造紅、綠及藍OLED。以在此等實驗中界定5×5 mm有效區紅、綠及藍裝置的5 mm寬遮蔽罩塗覆陰極層。
針對各原色沈積以下OLED構造：HIL(300 nm)/HTL(40 nm)/紅、綠或藍EML(30 nm)/ETL(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)。完成後，在封裝薄膜與OLED裝置之間採用SAES除氣劑作為乾燥劑及氧清除劑，以封裝阻擋薄膜(3M
Company)封裝OLED。
類似地，在具有根據上文所述之程序預先濺鍍之ITO陽極層的對照拋光鹼石灰玻璃樣品(Delta Technologies,Limited,Loveland,CO)上使用相同堆疊製造對照紅、綠及藍OLED。
建構之紅、綠及藍OLED裝置使用多種電光技術表徵，包括使用AUTRONIC Conoscope(AUTRONIC-MELCHERS GmbH,Karlsruhe,Germany)之角亮度量測。在此等量測中，所有裝置均在針對各操作裝置對應於10 mA/cm2電流密度之恆定電流下操作。
錐光鏡量測顯示，使用單一間距(500 nm)1D結構化薄膜製備之紅、綠及藍OLED樣品顯示對裝置顏色的強依賴性，產生具有相對高強度之小區域及具有由相對低強度區域包圍之較低強度的略大區域。
根據通常用於評估顯示器應用中白點色移之CIE 1976(L,u',v')色空間規格計算△u'v'白點角位移。為了計算白點位移之△u'v'特徵，選擇個別紅、綠及藍OLED裝置的紅、綠及藍發射之特定混合物，其在CIE 1936 x,y色空間中，在對應於皆為0°之極角及方位角之角度方向(軸上視角方向)，產生0.3031，0.3121之色彩座標。沿對應於1D光柵矢量方向及正交方向之角範圍中的兩個方位方向計算△u'v'。在通常顯示極角之最強亮度變化的光柵矢量之方向上，0至60°極角內之變化獲得約0.035之△u'v'。此△u'v'值顯著超過0.02之值，0.02通常視為顯示器應用中具有隨角度變化
之最小可觀測色移可接受的最大△u'v'值。
因此，單一間距1D奈米結構化光擷取薄膜預期在顯示器應用中隨角度產生顯著色彩變化。
在直流條件(400W正向功率)下，在5-7毫托操作壓力下，在使用工具A製造的具有間距域之回填奈米結構化薄膜上真空濺鍍約80 nm厚氧化銦錫(ITO)層，產生如採用遮蔽罩所界定的5 mm寬ITO陽極。參考ITO樣品之薄層電阻在40-70 Ohm/sq之範圍中。
隨後，沈積OLED及陰極層及陰極以完成OLED。藉由標準熱沈積法，在真空系統中，在約10-6托之基礎壓力下，在用於各原色裝置設定之各別實驗中，製造紅、綠及藍OLED。以在此等實驗中界定5×5 mm有效區紅、綠及藍裝置的5 mm寬遮蔽罩塗覆陰極層。
針對各原色沈積以下OLED構造：HIL(300 nm)/HTL(40 nm)/紅、綠或藍EML(30 nm)/ETL(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)。完成後，在封裝薄膜與OLED裝置之間採用SAES除氣劑作為乾燥劑及氧清除劑，以封裝阻擋薄膜(3M Company)封裝OLED。
類似地，在具有根據上文所述之程序預先濺鍍之ITO陽極層的對照拋光鹼石灰玻璃樣品(Delta Technologies,Limited,Loveland,CO)上使用相同堆疊製造對照紅、綠及藍OLED。
建構之紅、綠及藍OLED裝置使用多種電光技術表徵，包括使用AUTRONIC Conoscope(AUTRONIC-MELCHERS GmbH,Karlsruhe,Germany)之角亮度量測。在此等量測中，所有裝置均在針對各操作裝置對應於10 mA/cm2電流密度之恆定電流下操作。
錐光鏡量測顯示，使用具有多週期區域之工程奈米結構的薄膜製備的紅、綠及藍OLED樣品相較於比較實例C-1顯示對裝置顏色顯著較小的依賴性，產生更均勻角亮度分佈。
根據通常用於評估顯示器應用中白點色移之CIE 1976(L,u',v')色空間規格計算△u'v'白點角位移。為了計算白點位移之△u'v'特徵，選擇個別紅、綠及藍OLED裝置的紅、綠及藍發射之特定混合物，其在CIE 1936 x,y色空間中，在對應於皆為0°之極性及方位角之角度方向(軸上視角方向)上，產生0.3031，0.3121之色彩座標。沿對應於1D光柵矢量方向及正交方向之角範圍中的兩個方位方向計算△u'v'。在通常顯示極角之最強亮度變化的光柵矢量之方向上，0至60°極角內之變化獲得約<0.010之△u'v'。此△u'v'值顯著低於0.02之值，0.02通常視為顯示器應用中具有隨角度變化之最小可觀測色移可接受的最大△u'v'值。
因此，具有多週期區域之奈米結構化光擷取薄膜預期在顯示器應用中隨角度產生極小色彩變化。因為△u'v'顯著小於0.02，所以檢視者裸眼不能注意到色彩隨角度的小變化。
此外，在使用具有多週期區域之工程奈米結構的薄膜建
構之OLED裝置中觀測到約2倍強之軸上及積分光增益。以圖案化裝置之既定電流密度值下的亮度及/或效率值與既定顏色之對照裝置的相同特徵值之比例形式計算增益。
如實例1中所述建構綠OLED裝置，但分別使用工具B-E代替工具A製備實例2-5之奈米結構化薄膜。分別針對0°(軸上視角方向)及90°方位進行錐光鏡量測且顯示於圖4A及圖4B中。實例2-5及來自實例1及比較實例C-1之綠OLED的積分增益及軸上增益顯示於表1中。校正增益，使得玻璃對照的平均增益為1。
10‧‧‧光擷取薄膜
12‧‧‧基板
14‧‧‧低折射率多週期工程奈米結構
16‧‧‧高折射率回填層
18‧‧‧光學耦合層
20‧‧‧光輸出表面
22‧‧‧奈米結構
24‧‧‧組
26‧‧‧組
28‧‧‧組
30‧‧‧週期間距
32‧‧‧週期間距
34‧‧‧週期間距
36‧‧‧工程奈米結構
38‧‧‧奈米結構組
40‧‧‧奈米結構組
42‧‧‧奈米結構組
44‧‧‧工程奈米結構
46‧‧‧奈米結構組
48‧‧‧奈米結構組
50‧‧‧奈米結構組
52‧‧‧工程奈米結構
54‧‧‧奈米結構組
56‧‧‧奈米結構組
58‧‧‧工程奈米結構
60‧‧‧組
62‧‧‧組
64‧‧‧組
66‧‧‧週期間距
68‧‧‧週期間距
70‧‧‧週期間距
72‧‧‧工程奈米結構
74‧‧‧組
76‧‧‧組
78‧‧‧工程奈米結構
80‧‧‧組
82‧‧‧組
圖1為說明光擷取薄膜之各層的圖；圖2A為說明具有不同間距之第一奈米結構多週期區域的圖；圖2B為說明具有不同間距之第二奈米結構多週期區域的圖；圖2C為說明具有不同間距之第三奈米結構多週期區域的
圖；圖2D為說明具有不同間距之第四奈米結構多週期區域的圖；圖2E為說明具有不同間距之第五奈米結構多週期區域的圖；圖2F為說明具有不同縱橫比之奈米結構多週期區域的圖；圖2G為說明具有不同形狀之奈米結構多週期區域的圖；圖3為實例之具有多週期奈米結構之薄膜的影像；及圖4A及圖4B為實例之干涉量測曲線圖。
22‧‧‧奈米結構
24‧‧‧組
26‧‧‧組
28‧‧‧組
30‧‧‧週期間距
32‧‧‧週期間距
34‧‧‧週期間距
Claims (19)
- 一種光擷取薄膜，其用於提高有機發光二極體(OLED)裝置之光輸出，其包含：可撓性基板，其對該OLED裝置發射之光實質上透明；工程奈米結構層，其施加於該基板且具有多週期區域；及回填層，其施加於該等奈米結構上且在該回填層之與該等奈米結構相對的表面上形成實質上平坦之表面，其中該回填層之折射率大於該等奈米結構之折射率，其中該等多週期區域包含該等奈米結構之重複區域，其中該區域包含具有第一週期間距之第一組奈米結構及具有第二週期間距之第二組奈米結構，該第二週期間距不同於該第一週期間距。
- 如請求項1之光擷取薄膜，其中該等週期結構為一維結構。
- 如請求項2之光擷取薄膜，其中該等週期結構包含線性稜鏡、細長隆脊及線性光柵中至少一者。
- 如請求項1之光擷取薄膜，其中該等週期結構為二維結構。
- 如請求項4之光擷取薄膜，其中該等週期結構包含稜錐、微透鏡、梯形、圓形柱及方形柱中至少一者。
- 如請求項1之光擷取薄膜，其中該等週期結構係與該基板整體形成。
- 如請求項1之光擷取薄膜，其另外包含施加於該回填層之實質上平坦表面的黏著性光學耦合層。
- 如請求項1之光擷取薄膜，其中該平坦化回填層包含使該光擷取薄膜與該OLED裝置之光輸出表面結合的黏著劑。
- 一種光擷取薄膜，其用於提高有機發光二極體(OLED)裝置之光輸出，其包含：可撓性基板，其對該OLED裝置發射之光實質上透明；工程奈米結構層，其施加於該基板且具有多週期區域；及回填層，其施加於該等奈米結構上且在該回填層之與該等奈米結構相對的表面上形成實質上平坦之表面，其中該回填層之折射率大於該等奈米結構之折射率，其中該等多週期區域包含該等奈米結構之重複區域，其中該區域包含具有第一複數個週期特徵之第一組奈米結構及具有第二複數個週期特徵之第二組奈米結構，該第二複數個週期特徵不同於該第一複數個週期特徵，其中該等週期特徵之一為該等奈米結構之間距。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該等週期特徵中之另一者為該等奈米結構之高度。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該等週期特徵中之另一者為該等奈米結構之縱橫比。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該等週期特徵中之另一 者為該等奈米結構之形狀。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該等週期結構為一維結構。
- 如請求項13之光擷取薄膜，其中該等週期結構包含線性稜鏡、細長隆脊及線性光柵中至少一者。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該等週期結構為二維結構。
- 如請求項15之光擷取薄膜，其中該等週期結構包含稜錐、微透鏡、梯形、圓形柱及方形柱中至少一者。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該等週期結構係與該基板整體形成。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其另外包含施加於該回填層之實質上平坦表面的黏著性光學耦合層。
- 如請求項9之光擷取薄膜，其中該平坦化回填層包含使該光擷取薄膜與該OLED裝置之光輸出表面結合的黏著劑。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/218,610 US8659221B2 (en) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | OLED light extraction film with multi-periodic zones of nanostructures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201314988A true TW201314988A (zh) | 2013-04-01 |
| TWI581476B TWI581476B (zh) | 2017-05-01 |
Family
ID=47743504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101130879A TWI581476B (zh) | 2011-08-26 | 2012-08-24 | 具有奈米結構之多週期區域的有機發光二極體光擷取薄膜 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8659221B2 (zh) |
| EP (1) | EP2748879A4 (zh) |
| JP (1) | JP6100783B2 (zh) |
| KR (1) | KR102046367B1 (zh) |
| CN (1) | CN103765625B (zh) |
| SG (1) | SG11201400175UA (zh) |
| TW (1) | TWI581476B (zh) |
| WO (1) | WO2013032759A1 (zh) |
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2011
- 2011-08-26 US US13/218,610 patent/US8659221B2/en active Active
-
2012
- 2012-08-20 SG SG11201400175UA patent/SG11201400175UA/en unknown
- 2012-08-20 CN CN201280040576.XA patent/CN103765625B/zh active Active
- 2012-08-20 JP JP2014528440A patent/JP6100783B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-20 WO PCT/US2012/051548 patent/WO2013032759A1/en unknown
- 2012-08-20 KR KR1020147007466A patent/KR102046367B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-20 EP EP12828447.8A patent/EP2748879A4/en not_active Withdrawn
- 2012-08-24 TW TW101130879A patent/TWI581476B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI667817B (zh) * | 2013-08-12 | 2019-08-01 | 美商3M新設資產公司 | 具有光萃取膜之發光物件 |
| TWI548130B (zh) * | 2014-07-03 | 2016-09-01 | 逢甲大學 | 有機發光裝置及其製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6100783B2 (ja) | 2017-03-22 |
| CN103765625A (zh) | 2014-04-30 |
| CN103765625B (zh) | 2016-08-17 |
| WO2013032759A1 (en) | 2013-03-07 |
| TWI581476B (zh) | 2017-05-01 |
| EP2748879A1 (en) | 2014-07-02 |
| EP2748879A4 (en) | 2015-06-10 |
| JP2014529169A (ja) | 2014-10-30 |
| US20130051032A1 (en) | 2013-02-28 |
| SG11201400175UA (en) | 2014-03-28 |
| KR102046367B1 (ko) | 2019-11-19 |
| KR20140054317A (ko) | 2014-05-08 |
| US8659221B2 (en) | 2014-02-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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