TW201304404A - 研磨方法、壓電振動片之製造方法、壓電振動子、振盪器、電子機器及電波時鐘 - Google Patents

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Abstract

〔課題〕提升研磨時之晶圓之厚度精度。〔解決手段〕一種被保持於上定盤(151)和下定盤(152)之間之載體(157)的水晶晶圓(音叉基板)(155)之研磨方法，在載體(157)配置厚度測量用之AT切割晶圓(156)，與水晶晶圓(音叉基板)(155)同時研磨該AT切割晶圓(156)，並檢測出該AT切割晶圓(156)之諧振頻率，而根據該檢測結果，控制水晶晶圓(音叉基板)(155)之厚度。

Description

研磨方法、壓電振動片之製造方法、壓電振動子、振盪器、電子機器及電波時鐘
該發明係關於研磨方法、壓電振動片之製造方法、具有藉由該壓電振動片之製造方法而被製造出之壓電振動片的壓電振動子、具有該壓電振動子之振盪器、電子機器及電波時鐘。
近年來，廣泛使用具備有基座基板及頂蓋基板和作動片的封裝體製品，該基座基板及頂蓋基板係在互相疊層狀態下陽極接合，並且在兩者間形成空腔，該作動片係被安裝在基座基板中位於空腔內之部分。
就以該種封裝體製品而言，所知的有例如被安裝於行動電話或攜帶資訊終端機器，利用水晶等之壓電振動子以當作時刻源或控制訊號等之時序源、基準訊號源等。
然後，就以如此之壓電振動子而言，所知的有藉由厚度切變振動之AT振動片的厚度切變振動子，該厚度切變振動子適合當作具有MHz頻帶之振盪頻率的控制、通訊機用之振動子使用。
該AT振動片係由將水晶施予AT切割(表背之主面切割成繞著X軸從Z軸朝逆時鐘方向成為大約35度15分之角度)之後，外形形成規定厚度及矩形狀之AT振動板(水晶振動板)，和被形成在該AT振動板之主面的電極膜所構成的振動片，當電極膜被施加電壓時，AT振動板 則產生厚度切變振動者。
該厚度切變振動子由於係藉由AT振動片之厚度來決定諧振頻率，故所知的有藉由邊進行AT振動片用之AT切割晶圓之研磨作業，邊檢測出諧振頻率，調整因應期待之諧振頻率的AT振動片之厚度的方法(例如，參照專利文獻1)。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕 [專利文獻1]
日本特開平3-251365號公報
但是，與上述先前技術有關之方法，產生無法適用於以彎曲模式振動之音叉用晶圓之研磨的問題。
對於產生如此之問題，在音叉用晶圓之研磨時，使用測量因應音叉用晶圓之厚度而移位之研磨裝置之適當部分之移動量的測量器，管理音叉用晶圓之厚度尺寸的方法。
就以如此之測量器而言，所知的有例如一面使測量端子接觸於因應研磨時之音叉用晶圓之厚度而移位之研削裝置之超硬製測量台，一面測量該超硬製測量台之移動量。
但是，如該測量器般，於使測量端子接觸於研磨裝置之適當部分之時，由於測量位置為相同測量點，故產生磨耗，且產生無法提升音叉用晶圓之厚度精度的問題。
本發明係鑒於上述情形而研究出，其目的在於提供可以提升研磨時之晶圓之厚度精度的研磨方法、壓電振動片之製造方法、壓電振動子、振盪器、電子機器及電波時鐘。
為了解決上述課題達成上述目的，與本發明之申請專利範圍第1項有關之研磨方法，係被保持於上定盤(例如，在實施型態中之上定盤151)和下定盤(例如，在實施型態之下定盤152)之間之載體(例如，實施型態中之載體157)的音叉用晶圓(例如，在實施型態中之水晶晶圓(音叉基板)155)之研磨方法，其特徵為：在上述載體配置厚度測量用之AT切割晶圓(例如，實施型態中之AT切割晶圓156)，與上述音叉用晶圓同時研磨該AT切割晶圓，並檢測出該AT切割晶圓之諧振頻率，根據該檢測結果，控制上述音叉用晶圓之厚度。
並且，與本發明之申請專利範圍第2項有關之研磨方法，係於開始進行上述音叉用晶圓之研磨之後，於規定時間內以規定次數以上檢測出對應於上述音叉用晶圓之期待厚度的上述AT切割晶圓之諧振頻率之時，結束研磨。
又，與本發明之申請專利範圍第3項有關之研磨方法，係將至少一個上述AT切割晶圓配置在上述載體之中心位置。
又，與本發明之申請專利範圍第4項有關之研磨方法 ，在上述載體保持複數之上述音叉用晶圓之時，在相鄰之上述音叉用晶圓間配置上述AT切割晶圓。
又，與本發明之申請專利範圍第5項有關之研磨方法係上述AT切割晶圓為圓板狀。
再者，與本發明之申請專利範圍第6項有關之壓電振動片之製造方法，係使用光微影技術，用以在形成有壓電振動片之外形的壓電板之表面形成電極之壓電振動片(例如，在實施型態中之壓電振動片5)之製造方法，其特徵為：包含藉由申請專利範圍第1至5項中之任一項所記載之研磨方法而研磨上述壓電板的工程。
再者，與本發明之申請專利範圍第7項有關之壓電振動子(例如，在實施型態中之壓電振動子1)具備藉由申請專利範圍第6項所記載之壓電振動片之製造方法所製造出之壓電振動片。
再者，與本發明之申請專利範圍第8項有關之振盪器(例如，在實施型態之振盪器100)係申請專利範圍第7項所記載之壓電振動子作為振盪子被電性連接於積體電路。
再者，與本發明之申請專利範圍第9項有關之電子機器(例如，在實施型態之行動資訊110)係申請專利範圍第7項所記載之壓電振動子被電性連接於計時部。
再者，與本發明之申請專利範圍第10項有關之電波時鐘(例如，在實施型態之電波時鐘130)係申請專利範圍第7項所記載之壓電振動子被電性連接於濾波器部。
若藉由與本發明之申請專利範圍第1項有關之研磨方法時，藉由檢測出與音叉用晶圓同時被研磨之AT切割晶圓之諧振頻率，根據該檢測結果而控制音叉用晶圓之厚度，可以高精度且容易將音叉用晶圓加工成期待之厚度。
若與藉由本發明之申請專利範圍第2項有關之研磨方法時，則可以提升音叉用晶圓之厚度精度。
而且，可以縮小被保持於每個載體之複數的音叉用晶圓間的厚度，並且可以在複數之載體間縮小音叉用晶圓之厚度的偏差。
若藉由與本發明之申請專利範圍第3項有關之研磨方法時，在每個載體，可以提升自轉及公轉平衡，並可以提升音叉用晶圓之平行度。
若與藉由本發明之申請專利範圍第4項有關之研磨方法時，則可以提升音叉用晶圓之厚度精度。
若藉由與本發明之申請專利範圍第5項有關之研磨方法時，可以提升AT切割晶圓之旋轉平衡，並可以提升音叉用晶圓之厚度精度及平行度。
若藉由與本發明之申請專利範圍第6項有關之壓電振動片之製造方法時，則可以提升音叉用晶圓之厚度精度及平行度，並可以提升壓電振動片之動作信賴性。
若藉由本發明之壓電振動子、振盪器、電子機器及電波時鐘，可以提升動作信賴性。
以下，針對與本發明之一實施型態有關之研磨方法、壓電振動片之製造方法及具備藉由該壓電振動片之製造方法所製造出之壓電振動片之壓電振動子及具備該壓電振動子之振盪器及電子機器及電波時鐘予以說明。
以下，根據圖面說明本發明之實施型態。
(壓電振動子)
第1圖為從頂蓋基板側觀看本實施型態中之壓電振動子之外觀斜視圖。
再者，第2圖為壓電振動子之內部構成圖，在取下頂蓋基板之狀態下，由上方觀看壓電振動片之圖式。
再者，第3圖為表示沿著第2圖所示之A-A線之壓電振動子的剖面圖，第4圖為壓電振動子之分解斜視圖。
如第1圖至第4圖所示般，本實施形態之壓電振動子1係表面安裝型之壓電振動子1，其具備有經接合材23而陽極接合基座基板(第1基板)2及頂蓋基板3之箱狀封裝體10，和被收納在封裝體10之空腔C之壓電振動片(電子零件)5。
然後，被設置在壓電振動片5和基座基板2之背面2a(第3圖中下面：第1面)的外部電極6、7藉由貫通基座基板2之一對貫通電極8、9而電性連接。
基座基板2係由玻璃材料例如鈉鈣玻璃所構成之透明 絕緣基板形成板狀。在該基座基板2形成有一對貫穿孔(凹部)21、22，且該貫穿孔21、22形成有一對貫通電極8、9。
貫穿孔21、22係構成從基座基板2之背面2a朝表面2b(第3圖中上面)直徑逐漸縮徑之剖面推拔形狀。
頂蓋基板3係與基座基板2相同，由玻璃材料例如鈉鈣玻璃所構成之透明絕緣基板，形成能夠重疊於基座基板2之大小的板狀。
然後，在頂蓋基板3之內面3b(第3圖中之下面)側形成有收容壓電振動片5之矩形狀之凹部3a。
該凹部3a係於重疊基座基板2及頂蓋基板3之時，成為收容壓電振動片5之空腔C。
然後，頂蓋基板3係在使該凹部3a對向於基座基板2側之狀態下，經接合材23而對該基座基板2陽極接合。
即是，頂蓋基板3之內面3b側，形成有被形成於中央部之凹部3a，和被形成在凹部3a之周圍，成為與基座基板2接合之接合面的框邊區域3c。
壓電振動片5為由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等之壓電材料所形成之音叉型之振動片，於施加特定電壓時振動。
該壓電振動片5係由一體性固定配置略平行之一對振動腕部24、25，和一對振動腕部24、25之基端側的基部26所構成之音叉型。
然後，在一對振動腕部24、25之外表面上具有使振動腕部24、25振動之無圖示之一對由第1勵振電極和第2 勵振電極的構成之勵振電極，和電性連接第1勵振電極、第2勵振電極及後述之引繞電極27、28之一對安裝電極(任一者皆無圖示)。
如此所構成之壓電振動片5係如第2圖、第3圖所示般，利用金等之凸塊B，凸塊接合於被形成在基座基板2表面2b的引繞電極27、28上。
更具體而言，壓電振動片5之第1勵振電極係經一方之安裝電極及凸塊B而被凸塊接合於一方之引繞電極27上，第2勵振電極係經另一方之安裝電極及凸塊B而被凸塊接合於另一方之引繞電極28上。
依此，壓電振動片5係在從基座基板2之表面2b浮起之狀態下被支撐，並且各安裝電極和引繞電極27、28成為分別被電性連接之狀態。
外部電極6、7係被設置在基座基板2之背面2a中之長邊方向之兩側，經各貫通電極8、9及各引繞電極27、28而被電性連接於壓電振動片5。
更具體而言，一方之外部電極6係經一方之貫通電極8及一方之引繞電極27而被電性連接於壓電振動片5之一方之安裝電極。
再者，另一方之外部電極7係經另一方之貫通電極9及另一方之引繞電極28而被電性連接於壓電振動片5之另一方之安裝電極。
貫通電極8、9係由配設在貫穿孔21、22內之芯材部31，和燒結被填充於芯材部31和貫穿孔21、22之間的玻 璃熔料而形成之筒體32所構成。
各貫通電極8、9係發揮完全塞住貫通孔21、22，維持空腔C內之氣密，並且使外部電極6、7和引繞電極27、28導通之任務。
具體而言，一方之貫通電極8係在外部電極6和基部26之間位於引繞電極27之下方，另一方之貫通電極9係在外部電極7和振動腕部25之間位於引繞電極28之下方。
筒體32係被形成兩端平坦並且與基座基板2大略相同之厚度，並且配合貫通孔21、22之形狀，被形成筒體32之外形成為圓錐台狀(剖面錐拔狀)。
再者，本實施型態中之筒體32係由玻璃體32a所構成。
玻璃體32a係在糊膏狀之玻璃熔料被埋入貫通孔21、22和芯材部31之間的狀態下被燒結，並強力固定於該些貫通孔21、22。
具體而言，玻璃體32a係在基座基板2之厚度方向中，在涵蓋幾乎全區域形成掩埋貫通孔21、22。
此時，玻璃體32a中之厚度方向之一端側之端面被形成與基座基板2之表面2b平頂，與芯材部31同時露出於空腔C內。
另外，玻璃體32a中之厚度方向之另一端側之端面被形成與基座基板2之背面2a平頂，與芯材部31同時露出於外部。
然後，在筒體32(玻璃體32a)之中心以貫通筒體32之中心孔之方式配置有芯材部31。
上述之芯材部31為藉由例如Fe-Ni合金(42合金)等之熱膨脹係數α小於玻璃熔料之金屬材料(α=6~7ppm)形成圓柱狀之導電性之芯材，被形成與筒體32相同兩端平坦，並且成為與基座基板2之厚度大略相同之厚度。
並且，當貫通電極8、9以完成品被形成之時，雖然如上述般芯材部31以圓柱狀被形成與基座基板2之厚度相同之厚度，但是在製造過程中，如第5圖所示般，與連結於芯材部31之一方之端部的平板狀之基底部36同時形成鉚釘體型之金屬銷37。
再者，該基底部36在製造過程中，被研磨除去(之後在製造方法中說明)。
即是，貫通電極8、9透過導電性之芯材部31確保電性導通性。
在頂蓋基板3之內面3b全體形成有陽極接合用之接合材23。
具體而言，接合材23係被形成在涵蓋框邊區域3c及凹部3a之內面全體上。
本實施形態之接合材23雖然係由Si膜所形成，但亦可以Al形成接合材23。
並且，就以接合材23而言，亦可為藉由摻雜等而成低電阻化之Si塊材。
然後如後述般，該接合材23和基座基板2被陽極接 合，空腔C被真空密封。
於使如此構成之壓電振動子1動作之時，對形成在基座基板2之外部電極6、7，施加特定之驅動電壓。
依此，可以使電流流通於壓電振動片5之各勵振電極，可以利用規定頻率在使一對振動腕部24、25接近或間隔開之方向振動。
然後，利用該一對振動腕部24、25之振動，可以當作時刻源、控制訊號之時序源或基準訊號源等而予以利用。
(封裝體之製造方法)
接著，針對收容上述壓電振動片之封裝體(壓電振動子)之製造方法，一面參照第6、7圖所示之流程圖一面予以說明。
第6、7圖為與本實施形態有關之壓電振動子之製造方法的流程圖。
第8~10圖為表示壓電振動子基板之研磨裝置的圖示。
第11圖為晶圓接合體之分解斜視圖。
以下，針對藉由在複數之基座基板2排列的基座基板用晶圓40和複數之頂蓋基板3排列的頂蓋基板用晶圓50之間，封入複數之壓電振動片5而形成晶圓接合體60，切斷晶圓接合體60，同時製造複數之壓電振動子1之方法而予以說明。
並且，第11圖所示之虛線M表示在切斷工程切斷之切斷線。
如第6圖所示般，與本實施形態有關之壓電振動子之製造方法主要具有壓電振動片製作工程(S01)，和基座基板用晶圓製作工程(S10)、頂蓋基板用晶圓製作工程(S30)和組裝工程(S50以下)。
其中，壓電振動片製作工程(S01)、頂蓋基板用晶圓製作工程(S30)及基座基板用晶圓製作工程(S10)可並行實施。
(壓電振動片之製造方法)
首先，進行壓電振動片製作工程而製作壓電振動片5(S01)。
再者，於製作壓電振動片5之後，執行諧振頻率之粗調。
並且，關於更高精度調整諧振頻率之微調，於安裝後執行。
本實施型態之壓電振動片5之製造工程主要具備有在水晶晶圓(壓電板)形成複數壓電振動片5之外形形狀的外形形成工程S210，和將各電極形成在水晶晶圓之電極形成工程S220，和調整諧振頻率之頻率調整工程S230，和從一片水晶晶圓切離複數之壓電振動片的小片化工程S240。
以下，說明各工程之詳細。
(外形形成工程S210)
首先，進行在水晶晶圓形成複數壓電振動片5之外形形狀的外形形成工程S210。
具體而言，結束拋光，準備被高精度地精加工成特定厚度之水晶晶圓。
接著，藉由光微影技術蝕刻該水晶，而在水晶晶圓形成複數壓電振動片5之外形形狀。
以上，結束外形形成工程S210。
並且，將音叉用之水晶晶圓(音叉基板)高精度地精加工成規定厚度之研磨裝置150係例如第8圖、第9圖所示般，由俯視觀看下呈圓形狀之上定盤151、與上定盤151相同俯視觀看下呈圓形狀之下定盤152、能夠旋轉地被設置在下定盤152之中心部的太陽齒輪153、包圍下定盤152之外周的內齒輪154、在上定盤151和下定盤152之間，被嚙合於太陽齒輪153和內齒輪154之間，藉由太陽齒輪153和內齒輪154之協作，進行自轉及公轉並且保持音叉用之水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之複數之載體157，和用以測量AT切割晶圓156之諧振頻率的探針158，和各使上定盤151、下定盤152及太陽齒輪153、內齒輪154旋轉之旋轉手段(例如，使上定盤151旋轉之驅動帶160等)概略構成。
上定盤151和下定盤152係以同芯在水平方向旋轉之構造。
在太陽齒輪153之外周及內齒輪154之內周，以一定之間距垂直且圓環狀地配設有齒部。
太陽齒輪153及內齒輪154係以與上定盤151及下定盤152同芯在水平方向旋轉。
在本實施型態中，雖然使用內齒輪154獨自旋轉之兩面研磨裝置，但即使使用內齒輪154不獨自旋轉，例如被固定於下定盤152，與下定盤152同時旋轉之構造的兩面研磨裝置亦可。
載體157構成圓盤形狀，在內方具備嵌入水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之複數的保持孔。
載體157係其厚度較水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之厚度薄，以從載體157之上下突出至水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156突出之方式，水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之側面。
再者，在齒輪157之外周，以一定之間隔垂直且圓環狀地配設有齒部。
然後，載體157不被固定，載體157之齒部藉由與旋轉之太陽齒輪153及內齒輪154之齒部嚙合，載體157為進行自轉及公轉之構成。
然後，在各載體157，於載體157之中心位置配置一個圓板狀之AT切割晶圓156，以包圍該AT切割晶圓156之周圍之方式，配置有複數(例如四個等)之圓板狀水晶晶圓(音叉基板)155、…、155。
然後，在上定盤151，於能夠與例如被保持於各載體 157之AT切割晶圓156對向之位置(例如，與各載體157之中心位置之旋轉軌跡對向之位置等，且從上定盤151之旋轉軸偏離之位置)，配置有用以測量AT切割晶圓156之諧振頻率的探針158。
探針158具備被安裝於例如在厚度方向貫通上定盤151之貫通孔(省略圖示)，對上定盤151絕緣之檢測電極(省略圖示)，和對該檢測電極和下定盤152之間施加頻率隨著時間變化之高頻電壓的掃頻振盪器(省略圖示)，和在檢測電極之正下方存在AT切割晶圓156，並且檢測AT切割晶圓156之諧振頻率和被施加於掃頻振盪器之高頻電壓之頻率一致之時的AT切割晶圓156表觀上之阻抗下降的檢測電路(省略圖示)而構成。
水晶晶圓(音叉基板)155之研磨方法中，首先在載體157之保持孔設置水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156。
然後，一面對水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之上下面供給研磨劑，一面使上定盤152及太陽齒輪153、內齒輪154各自旋轉，也使保持水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之載體157進行自轉及公轉。
然後，藉由貼著於上定盤151及下定盤152之研磨劑研磨被保持於載體157之水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156。
此時，由於載體157進行行星運動，故在探針158之 檢測電極之正下方，以適當之時間間隔置放AT切割晶圓156。
因此，於開始水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之研磨之後，藉由探針158測量AT切割晶圓156之諧振頻率，並且在規定時間(例如0.5s~1.0s之適當時等)內以規定次數(例如，3~5次之適當的次數等)檢測出對應於水晶晶圓(音叉基板)155之期待厚度的AT切割晶圓156之諧振頻率(即是，對應於AT切割晶圓156之精加工厚度的AT切割晶圓156之諧振頻率，且該AT切割晶圓156之精加工厚度對應於同時研磨水晶晶圓(音叉基板)155及AT切割晶圓156之時的水晶晶圓(音叉基板)155之期待精加工厚度)時，結束研磨。
如此一來，結束規定厚度之水晶晶圓(音叉基板)155之作成工程。
並且，於在各載體157配置複數(例如，四個等)之圓板狀之水晶晶圓(音叉基板)155、…155之時，例如第10圖所示般，即使在相鄰之水晶晶圓(音叉基板)155、155間配置AT切割晶圓156亦可。
(電極形成工程S220)
接著，進行在形成有壓電振動片5之外形的水晶晶圓之表面，形成勵振電極、引出電極及安裝電極(任一者皆省略圖示)之各電極的電極形成工程S220。
電極形成工程S220具有在水晶晶圓之表面形成金屬 膜之金屬膜成膜工程S221，和重疊於金屬膜而塗佈光阻(光罩材)之光阻塗佈工程S223(光罩材塗佈工程)，和使光阻曝光之曝光工程S225，和選擇性除去光阻而形成光罩圖案之顯像工程S227，和經光罩圖案進行金屬膜之蝕刻，並形成各電極之蝕刻工程S229。
(金屬膜成膜工程S221)
電極形成工程S220中，首先進行在水晶晶圓形成之後成為勵振電極之金屬膜的金屬膜成膜工程S221。
在本實施型態中，在水晶晶圓之表面，藉由濺鍍法或真空蒸鍍法形成數μm左右之水晶和密接性良好的鉻。
並且，從鉻膜之上施予形成金的薄膜以作為精製層。
並且，勵振電極及引出電極係以僅有鉻之單層膜所形成，安裝電極係以鉻和金之疊層膜所形成。
(光阻塗佈工程S223)
接著，進行重疊於金屬膜而塗佈光阻之光阻塗佈工程S223。
並且，如上述般光阻，雖然具有被曝光之部分軟化而被除去之正型光阻，和殘存被曝光之部分的負型光阻，但在本實施型態中，塗佈有正型光阻。
光阻係藉由旋轉塗佈法或噴霧塗敷或旋轉塗敷法等，重疊於金屬膜，而塗佈在水晶晶圓之表面全體。
(曝光工程S225)
曝光工程S225中，係在朝向光阻之狀態下定置具有開口部之光罩，並經開口部而對光阻照射紫外線。
光罩之開口部係在欲除去光阻之區域，在後述之蝕刻工程S229對應於欲除去電極膜之區域而形成。換言之，光罩之開口部對應於不形成勵振電極、引出電極及安裝電極(任一者皆省略圖示)之各電極之區域而形成。
當結束曝光時，取除光罩。
於曝光工程S225之後，進行選擇性除去光阻而形成光罩圖案之顯像工程S227。
顯像工程S227係將塗佈有光阻之水晶晶圓浸漬於貯留在無圖示之水槽的顯像液中而選擇性除去光阻，並形成光阻圖案(光罩圖案)。
具體而言，在顯像工程S227中，經光罩之開口部而曝光紫外線之區域，即是除去不形成勵振電極、引出電極及安裝電極之各電極之區域的光阻。
(洗淨工程S228)
接著，在顯像工程S227中，進行沖洗殘存於水晶晶圓之顯像液的洗淨工程S228。
在洗淨工程S228中，藉由將水晶晶圓浸漬於貯留於無圖示之水槽的純水內，並在純水內搖動水晶晶圓，沖洗殘存在水晶晶圓之表面的顯像液。
(蝕刻工程S229)
接著，將光阻圖案當作光罩而進行蝕刻，並進行形成各電極之蝕刻工程S229。
在本工程中，殘留藉由光阻圖案被遮罩之金屬膜，藉由光阻圖案選擇性除去不被遮罩之金屬膜。
藉由蝕刻工程S229，形成壓電振動片5之勵振電極、引出電極及安裝電極。
(頻率調整工程S230)
接著，如第1圖所示般，在一對振動腕部24、25之前端形成由頻率調整用之粗調膜及微調膜所構成之配重金屬膜(例如，銀或金等)。
然後，對形成在水晶晶圓之所有振動腕部24、25，執行粗調整諧振頻率之頻率粗調工程S230。
藉由對配重金屬膜之粗調膜照射雷射光使一部份蒸發，並使重量予以變化而執行。
並且，關於更高精度調整諧振頻率之微調，於壓電振動子1之狀態下執行。
以上，結束頻率調整工程S230。
(小片化工程S240)
最後，切斷連結水晶晶圓和壓電振動片5之連結部，從水晶晶圓切離複數之壓電振動片5而進行小片化的小片化工程S240。
依此，可以從一片水晶晶圓，一次製造複數音叉型之壓電振動片5。
在該時點，完成壓電振動片5之製造工程，可以取得複數壓電振動片5。
(基座基板用晶圓製作工程)
以下，針對製作成為基座基板2之基座基板用晶圓40的工程予以說明。
首先，進行製作之後成為基座基板2之基座基板用晶圓40的工程(S10)。
首先，形成第11圖所示般之圓板狀之基座基板用晶圓40。
具體而言，於將鈉鈣玻璃研磨加工至特定厚度而予以洗淨之後，藉由蝕刻等除去最表面之加工變質層(S11)。
再者，第11圖所示之虛線M係圖示在之後之切斷工程中切斷基座基板用晶圓40之切斷線。
(貫通電極形成工程)
接著，執行在基座基板用晶圓40形成貫通電極8、9之貫通電極形成工程(S10A)。
以下，針對該貫通電極形成工程詳細說明。
首先，形成複數如第12圖(a)所示般之貫通基座基板用晶圓40之一對貫通孔21、22(S12)。
貫通孔21、22之形成係藉由例如噴砂法或沖壓加工等來進行。在噴砂法或沖壓加工中，可以將貫通孔21、22形成推拔狀。
此時，貫通孔21、22之推拔從基座基板用晶圓40之下面(基座基板2之外側)朝向上面(空腔C側)直徑逐漸縮小之推拔狀。
接著，配合中心軸將金屬銷37之芯材部31從上側插入至貫通孔21、22內，並使該金屬銷37之基底部36和基座基板用晶圓40接觸而使上下反轉(S13)。
此時，如第12圖(b)所示般，貫通孔21、22係以其推拔形狀朝向下方直徑逐漸縮小之方向，金屬銷37係以芯材部31位於基底部36之上側的方向被配置。
此時之基底部36之俯視形狀大於貫通孔21、22之小徑側21a、22a之開口，成為可以堵塞該小徑側21a、22a之開口的形狀。
然後，如第12圖(c)所示般，於貫通孔21、22和芯材部31之間隙填充構成玻璃體32a之糊膏狀之玻璃熔料(S14)，並以規定之溫度進行燒結，使玻璃熔料硬化，而形成玻璃體32a(S15)。
如此一來，藉由使基底部36接觸於基座基板用晶圓40之表面，則可以確實將糊膏狀之玻璃熔料填充於貫穿孔21、22內。
再者，因基底部36被形成平板狀，故金屬銷37及設置有金屬銷37之基座基板用晶圓40因無跳動等之情形呈 安定，故可以謀求提升作業性。
然後，玻璃熔料被燒結而硬化，成為玻璃體32a，在密接狀態下固定金屬銷37，並且可以固定於貫通孔21、22而密封貫通孔21、22。
接著，研磨而除去金屬銷37之基底部36(S16)。
基底部36之研磨係使用第13圖(a)、(b)所示般之單面研磨裝置51而執行。
單面研磨裝置51係由俯視觀看下呈圓形狀之上定盤52、與上定盤52相同俯視觀看下呈圓形狀之下定盤53、配置複數於上定盤52之下側，吸附固定基座基板用晶圓40之俯視觀看下呈圓形狀之載體54，和將研磨劑56流入至上定盤52和下定盤53之間的研磨流入手段55，和各自使上定盤52、下定盤53及載體54旋轉之無圖示之旋轉手段概略構成。
下定盤53係由無形成溝之實心定盤所構成，為在圖中之箭頭A1之方向於水平面上旋轉之構造。
載體54為旋轉自如地被保持在上定盤52之水平方向而在圖中之箭號A2之方向自轉的構造。如此一來，藉由下定盤53旋轉，並且載體54旋轉之構造，可以消除研磨面之非對稱磨耗且將表面研磨成平坦。
在研磨基底部36之工程中，將下定盤53之旋轉數設為15rpm，將載體54之旋轉數設為45rpm。
研磨劑流入手段55具備擁有收容並攪拌研磨劑56之馬達的收容部，和搬運收容部內之研磨劑56，從在上定盤 52設置6~8處左右的流入口55a流入至下定盤53上之幫浦，和測量研磨劑56之PH的PH測量器。在單面研磨裝置51中，一面供給研磨劑56一面進行研磨，研磨劑56從流入口55a流入至下定盤53之流量被設定成規定流量。
金屬銷37之基底部36之研磨方法，首先以從基座基板用晶圓40突出之基底部36成為下側之方式，使基座基板用晶圓40吸附固定於載體54而設置在單面研磨裝置51。
此時，在上定盤52或載體54之下側，設置以例如玻璃環氧樹脂(FR4)所形成之平板形狀之虛擬基板57。
虛擬基板57設為其下端部位於較基底部36之下端部更下方的厚度。
然後，一面供給研磨劑56，一面各自藉由旋轉手段使下定盤53及載體54而進行研磨。此時，從上定盤52對下定盤53之方向施加15~50g/cm2之壓力而進行研磨。
然後，虛擬基板57較基底部36先接觸於下定盤53，並且虛擬基板57被研磨，之後，基底部36接觸於下定盤53而與虛擬基板57同時被研磨。
如此一來，虛擬基板57較基底部36先被研磨，之後藉由基底部36與虛擬基板57同時被研磨，可從下定盤53對基底基板用晶圓40漸漸地負載壓力，可以防止基座基板用晶圓40之損傷。
如此一來，撤去基底部36，並如第12圖(d)所示般 ，僅芯材部31殘留在筒體32之內部。
接著，進行研磨基底部36被撤去之基底基板用晶圓40之玻璃面40a的工程(S17)。
玻璃面40a之研磨的工程主要為用以藉由燒結使產生凹陷之熔接玻璃平坦者，例如使用進行研磨為玻璃製或陶瓷製等之薄板狀的晶圓之表背兩面的兩面研磨裝置。
如第14圖(a)、(b)所示般，兩面研磨裝置71係由俯視觀看下呈圓形狀之上定盤72、與上定盤72相同在俯視觀看下呈圓形狀之下定盤73、位於下定盤73之中央的太陽齒輪74、包圍下定盤73之外周的內齒輪75、在上定盤72和下定盤73之間，被配置在太陽齒輪74和內齒輪75之間，保持基座基板用晶圓40之複數的齒輪76、使研磨劑77流入至基座基板用晶圓40之兩面的研磨劑流入手段78、各自使上定盤72、下定盤73及太陽齒輪74、內齒輪75旋轉之無圖示的旋轉手段概略構成。
上定盤72和下定盤73係以同芯在水平方向旋轉之構造。在研磨該基座基板用晶圓40之玻璃面40a之工程中，將上定盤72之旋轉數設為45rpm，將下定盤73之旋轉數設為15rpm。
在上定盤72和下定盤73之研磨側之表面貼著研磨墊79、80。該研磨墊使用例如由氧化鈰所形成者。
在太陽齒輪74之外周及內齒輪75之內周，以一定之間距垂直且圓環狀地配設有齒部74a、75a。太陽齒輪74及內齒輪75係以與上定盤72及下定盤73同芯在水平方 向旋轉。
在本實施型態中，雖然使用內齒輪75獨自旋轉之兩面研磨裝置71，但即使使用內齒輪不獨自旋轉，例如被固定於下定盤，與下定盤同時旋轉之構造的兩面研磨裝置亦可。
載體76具備有構成圓盤形狀，在內方嵌入基座基板用晶圓40而被保持之複數之基座基板用晶圓保持孔76b。
載體76係其厚度較基座基板用晶圓40之厚度薄，以基座基板用晶圓40從載體76之上下突出之方式，保持基座基板用晶圓40之側面。
再者，在齒輪76之外周，以一定之間隔垂直且圓環狀地配設有齒部76a。
然後，載體76不被固定，載體76之齒部76a藉由與旋轉之太陽齒輪74及內齒輪75之齒部74a、75a嚙合，載體76為進行自轉及公轉之構成。
研磨劑流入手段78具備擁有收容並攪拌研磨劑77之馬達的無圖示收容部，和搬運收容部內之研磨劑77，並從在上定盤52設置8處左右之流入口78a使研磨劑77流入至基座基板用晶圓40之上下面的無圖示幫浦。
再者，研磨劑流入手段78具備回收從下定盤73流出至外部之研磨劑77的研磨劑回收部81，成為被回收之研磨劑77可以再次搬運至流入口78a的構造。
在研磨基座基板用晶圓40之玻璃面40a之工程中，研磨劑77從流入口78a流入至基座基板用晶圓40上下面 的流量被設定成10L/min左右。
研磨劑77一般使用於玻璃面之研磨被使用之氧化鈰等。
在基座基板用晶圓40之玻璃面40a之研磨方法中，首先將除去基底部36之基座基板用晶圓40設置在載體76之基座基板用晶圓保持孔76b。
然後，一面對基座基板用晶圓40之上下面供給研磨劑77，一面各使上定盤72、下定盤73及太陽齒輪74、內齒輪75旋轉，也使保持基座基板用晶圓40之載體76也進行自轉及公轉。
然後，藉由被貼著於上定盤72及下定盤73之研磨墊79、80研磨被保持於載體76之基座基板用晶圓40之玻璃面40a。
此時，從上定盤72對下定盤73之方向施加100~500g/cm2之壓力而進行研磨。
接著，進行研磨從基座基板用晶圓40突出之芯材部31的工程(S18)。
該芯材部31之研磨係與上述金屬銷37之基底部36之研磨方法相同以單面研磨裝置51每次單面研磨。
此時，不使用在基底部36之研磨所使用之虛擬基板57，使芯材部31和下定盤53接觸而進行研磨。
如此一來，藉由每次單面進行芯材部31之研磨，可以使上下之研磨量均等。
再者，即使芯材部31之研磨不進行兩面，僅進行之 後成為空腔C側之面亦可。
然後，於研磨芯材部31之突出部分之後，如第12圖(e)~第12圖(f)所示般，基座基板用晶圓40之玻璃面40a和貫通電極8、9之表面成為大略平頂。
如此一來，在基座基板用晶圓40形成貫通電極8、9。
接著，在基座基板用晶圓40之上面圖案製作導電性材料，執行形成接合膜之接合膜形成工程(S19)，並且執行引繞電極形成工程(S20)。
如此一來，基座基板用晶圓40之製作工程結束。
(頂蓋基板用晶圓作成工程)
接著，在與基座基板2之製作同時或前後之時序，執行頂蓋基板用晶圓製作工程(S30)，該工程係至執行陽極接合之前的狀態為止製作之後成為頂蓋基板3之頂蓋基板用晶圓50。
在製作頂蓋基板3之工程中，首先形成成為頂蓋基板3之圓板狀之頂蓋基板用晶圓。
具體而言，於將鈉鈣玻璃研磨加工至特定厚度而予以洗淨之後，藉由蝕刻等除去最表面之加工變質層(S31)。
接著，在頂蓋基板用晶圓，藉由蝕刻或沖壓加工等，形成空腔C用之凹部3a(S32)。
接著，為了確保與後述之基座基板用晶圓40之間之 氣密性，進行研磨工程(S33)，該工程係至少研磨將成為與基座基板用晶圓40接合之接合面的頂蓋基板晶圓50之第1面50a側，對第1面50a進行鏡面加工。
接著，進行在頂蓋基板用晶圓50之第1面50a全體(與基座基板用晶圓40接合之接合面及凹部3a之內面)形成接合材23之接合材形成工程(S34)。
如此一來，藉由在頂蓋基板用晶圓50之第1面50a全體形成接合材23，不需要接合材23之圖案製作，可以降低製造成本。
並且，接合材23之形成可以藉由濺鍍或CVD等之成膜方法而進行。
再者，因於接合膜形成工程(S34)之前研磨接合面，故確保接合膜23之表面之平面度，可以實現與基座基板用晶圓40之安定接合。
藉由上述，完成頂蓋基板用晶圓製作工程(S30)。
(組裝工程)
接著，在基座基板用晶圓製作工程(S10)中所製作之基座基板用晶圓40之引繞電極27上，經金等之凸塊B安裝在壓電振動片製作工程(S01)所作成之壓電振動片5(S50)。
然後，執行重疊在上述各晶圓製作工程中所作成之基座基板用晶圓40及頂蓋基板用晶圓50之重疊工程(S60)。
具體而言，一面將無圖示之基準標記等當作指標，一面將基座基板用晶圓40及頂蓋基板用晶圓50校準至正確位置。
依此，被安裝之壓電振動片5成為被收納於空腔C內之狀態，該空腔C係由形成在頂蓋基板用晶圓50之凹部3a和基座基板用晶圓40所包圍。
重疊工程(S60)後，將重疊之兩片的基座基板用晶圓40及頂蓋基板用晶圓50放入無圖示之陽極接合裝置，在藉由無圖示之保持機構夾緊晶圓之外圍部分之狀態下，執行在特定之溫度氛圍施加特定電壓而予以陽極接合的接合工程(S70)。
具體而言，對接合材23和頂蓋基板用晶圓50之間施加特定電壓。
如此一來，在接合材23和頂蓋基板用晶圓50之界面，產生電化學性之反應，兩者分別強固密接而成為陽極接合。
依此，可以將壓電振動片5密封於空腔C內，並可以取得基座基板用晶圓40和頂蓋基板用晶圓50接合之晶圓接合體60。
然後，藉由如本實施型態般將頂蓋基板用晶圓50及基座基板用晶圓40彼此予以陽極接合，比起以接著劑等接合頂蓋基板用晶圓50及基座基板用晶圓40之時，可以防止因時間變化而惡化或衝擊等所導致之偏差，晶圓接合體60之變形等，並可以更強力接合頂蓋基板用晶圓50及 基座基板用晶圓40。
之後，形成各電性連接於一對貫通電極8、9之一對外部電極6、7(S80)，微調整壓電振動子1之頻率(S90)。
然後，進行沿著切斷線M而切斷被接合之晶圓接合體60的小片化工程(S100)。
然後，在電特性檢查工程(S100)中，測量壓電振動子1之諧振頻率、共振電阻值、驅動位準特性(諧振頻率及共振電阻值之勵振電力依存性)等而予以確認。再者，一併確認絕緣電阻特性等。
然後，進行壓電振動子1之外觀檢查，最終地確認尺寸或品質等。
藉由上述，完成壓電振動子1。
若藉由上述實施型態之研磨方法時，藉由檢測出與水晶晶圓(音叉基板)155同時被研磨之AT切割晶圓156之諧振頻率，根據該檢測結果而控制水晶晶圓(音叉基板)155之厚度，可以高精度且容易將水晶晶圓(音叉基板)155加工成期待之厚度。
而且，可以縮小被保持於每個載體157之複數的水晶晶圓(音叉基板)155間之厚度的偏差，並且可以在複數之載體157間縮小水晶晶圓(音叉基板)之厚度的偏差。
再者，藉由將AT切割晶圓156配置在載體157之中心位置，或於各載體157配置有複數之圓板狀之水晶晶圓(音叉基板)155、…、155之時，在相鄰之水晶晶圓(音 叉基板)155、155間配置AT切割晶圓156，則可以在每個載體157，提升自轉及公轉之旋轉平衡，並可以提升水晶晶圓(音叉基板)155之平行度。
並且，藉由將AT切割晶圓156設成圓板狀，可以提升AT切割晶圓156之旋轉平衡，並可以提升水晶晶圓(音叉基板)155之厚度精度及平行度。
並且，若藉由上述本實施型態之壓電振動片之製造方法時，則可以提升水晶晶圓(音叉基板)155之厚度精度及平行度，並可以提升壓電振動片5之動作信賴性。
並且，若藉由上述本施實施型態之壓電振動子1時，則可以提升動作信賴性。
(振盪器)
接著，針對本發明所涉及之振盪器之一實施型態，一面參照第15圖一面予以說明。
本實施型態之振盪器100係如第15圖所示般，將壓電振動子1當作電性連接於積體電路101之振盪子而予以構成者。
該振盪器100具備有安裝電容器等之電子零件102之基板103。
在基板103安裝有振盪器用之上述積體電路101，在該積體電路101之附近，安裝有壓電振動子1。
該些電子零件102、積體電路101及壓電振動子1係藉由無圖示之配線圖案分別被電性連接。
並且，各構成零件係藉由無圖示之樹脂而被模製。
在如此構成之振動器100中，當對壓電振動子1施加電壓時，該壓電振動子1內之壓電振動片5則振動。
該振動係藉由壓電振動片5具有之壓電特性變換成電訊號，當作電訊號被輸入至積體電路101。
被輸入之電訊號藉由積體電路101被施予各種處理，當作頻率訊號被輸出。依此，壓電振動子1當作振盪子而發揮功能。
再者，可以將積體電路101之構成，藉由因應要求選擇性設定例如RTC(即時鐘)模組等，附加除控制時鐘用單功能振盪器等之外，亦可以控制該機器或外部機器之動作日或時刻，或提供時刻或日曆等之功能。
如上述般，若藉由本實施型態之振盪器100時，壓電振動片5由於從提升厚度精度及平行度之水晶晶圓(音叉基板)155被製作出，故可以提升壓電振動片5之動作信賴性，並可以提升動作之信賴性而謀求高品質化。
(電子機器)
接著，針對本發明所涉及之電子機器之一實施型態，一面參照第16圖一面予以說明。
並且，作為電子機器，以具有上述壓電振動子1之行動資訊機器110為例予以說明。
首先，本實施型態之行動資訊機器110代表的有例如行動電話，為發展、改良以往技術的手錶。
外觀類似手錶，於相當於文字盤之部分配置液晶顯示器，在該畫面上可以顯示現在之時刻等。
再者，於當作通訊機利用之時，從手腕拆下，藉由內藏在錶帶之內側部分的揚聲器及送話器，可執行與以往技術之行動電話相同的通訊。
但是，比起以往之行動電話，格外小型化及輕量化。
接著，針對本實施型態之行動資訊機器110之構成予以說明。
該行動資訊機器110係如第16圖所示般，具備有壓電振動子1，和用以供給電力之電源部111。
電源部111係由例如鋰二次電池所構成。
在該電源部111並列連接有執行各種控制之控制部112、執行時刻等之計數的計時部113、執行與外部通訊之通訊部114、顯示各種資訊之顯示部115，和檢測出各個的功能部之電壓的電壓檢測部116。
然後，成為藉由電源部111對各功能部供給電力。
控制部112控制各功能部而執行聲音資料之發送及接收、現在時刻之測量或顯示等之系統全體的動作控制。
再者，控制部112具備有事先寫入程式之ROM，和讀出被寫入該ROM之程式而加以實行之CPU，和當作該CPU之工作區域使用之RAM等。
計時部113具備有內藏振盪電路、暫存器電路、計數器電路及介面電路等之積體電路，和壓電振動子1。
當對壓電振動子1施加電壓時，壓電振動片5振動， 該振動藉由水晶具有之壓電特性變換成電訊號，當作電訊號被輸入至振盪電路。
振盪電路之輸出被二值化，藉由暫存器電路和計數器電路而被計數。
然後，經介面電路，而執行控制部112和訊號之收發訊，在顯示部115顯示現在時刻或現在日期或日曆資訊等。
通訊部114具有與以往之行動電路相同之功能，具備有無線部117、聲音處理部118、切換部119、放大部120、聲音輸入輸出部121、電話號碼輸入部122、來電鈴產生部123及呼叫控制記憶部124。
無線部117係將聲音資料等之各種資料，經天線125執行基地台和收發訊的處理。
聲音處理部118係將自無線部117或放大部120所輸入之聲音訊號予以編碼化及解碼化。
放大部120係將聲音處理部118或聲音輸入輸出部121所輸入之訊號放大至特定位準。聲音輸入輸出部121係由揚聲器或送話器等所構成，擴音來電鈴或通話聲音，或使聲音集中。
再者，來電鈴產生部123係因應來自基地台之呼叫而產生來電鈴。切換部119限於來電時，藉由將連接於聲音處理部118之放大部120切換成來電鈴產生部123，在來電鈴產生部123產生之來電鈴經放大部120而被輸出至聲音輸入輸出部121。
並且，呼叫控制記憶部124儲存與通訊之發送呼叫控制有關之程式。
再者，電話號碼輸入部122具備有例如從0至9之號碼按鍵及其他按鍵，藉由按下該些號碼鍵等，輸入連絡人之電話號碼等。
電壓檢測部116係當藉由電源部111對控制部112等之各功能部施加之電壓低於特定值時，檢測出其電壓下降而通知至控制部112。
此時之特定電壓值係當作為了使通訊部114安定動作所需之最低限的電壓而事先設定之值，例如3V左右。
從電壓檢測部116接收到電壓下降之通知的控制部112係禁止無線部117、聲音處理部118、切換部119及來電鈴產生部123之動作。
尤其，必須停止消耗電力大的無線部117之動作。
並且，在顯示部115顯示由於電池殘量不足通訊部114不能使用之訊息。
即是，藉由電壓檢測部116和控制部112，禁止通訊部114之動作，可以將其訊息顯示於顯示部115。
該顯示即使為文字簡訊亦可，即使在顯示部115之顯示面上部所顯示的電話圖示上劃上×(叉號)以作為更直覺性之顯示亦可。
並且，具備有電源阻斷部126，該電源阻斷部126係可以選擇性阻斷與通訊部114之功能有關之部分的電源，依此可以更確實停止通訊部114之功能。
如上述般，若藉由本實施型態之行動資訊機器110時，因具備有良率提升之高品質的壓電振動子1，故行動資訊機器本身也同樣確保安定導通性，可以提升作動之信賴性而謀求高品質化。
(電波時鐘)
接著，針對本發明所涉及之電波時鐘之一實施型態，一面參照第17圖一面予以說明。
本實施型態之電波時鐘130具備有電性連接於濾波器部131之壓電振動子1，接收含時鐘資訊之標準之電波，具有自動修正成正確時刻而予以顯示之功能的時鐘。
在日本國內在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發送標準電波之發送所(發送局)，分別發送標準電波。
因40kHz或60kHz般之長波合併傳播地表之性質，和一面反射電離層和地表一面予以傳播之性質，故傳播範圍變寬，以上述兩個發送所網羅全日本國內。
以下，針對電波時鐘130之功能性構成予以詳細說明。
天線132接收40kHz或60kHz之長波之標準電波。
長波之標準電波係將被稱為時間碼之時刻資訊AM調制於40kHz或60kHz之載波上。
所接收到之長波的標準電波，藉由放大器133被放大，並藉由具有複數壓電振動子1之濾波器部131被濾波、調諧。
本實施形態中之壓電振動件1分別具備有具有與上述搬運頻率相同之40kHz及60kHz之諧振頻率的水晶振動子部138、139。
並且，被濾波之特定頻率之訊號藉由檢波、整流電路134被檢波解調。接著，經波形整形電路135取出時間碼，藉由CPU136計數。
在CPU136中係讀取現在之年、積算日、星期、時刻等之資訊。讀取之資訊反映在RTC137，顯示正確之時刻資訊。
載波由於為40kHz或60kHz，故水晶振動子部138、139以持有上述音叉型之構造的振動子為佳。
並且，上述說明係表示日本國內之例，長波之標準電波之頻率在海外則不同。
例如，德國係使用77.5kHz之標準電波。
因此，於將即使在海外亦可以對應之電波時鐘130組裝於攜帶機器之時，則又需要與日本之情形不同之頻率的壓電振動子1。
如上述般，若藉由本實施型態之電波時鐘130時，因具備有良率提升之高品質的壓電振動子1，故電波時鐘本身也同樣確保安定導通性，可以提升作動之信賴性而謀求高品質化。
以上，雖然針對依據本發明之研磨方法之實施型態予以說明，但是本發明並不限定於上述實施型態，只要在不脫離其主旨之範圍下可適當做變更。
在上述實施型態中，雖然設為於規定時間內以規定次數以上檢測出對應於水晶晶圓(音叉基板)155之期待厚度的AT切割晶圓156之諧振頻率之時，結束研磨，但並不限定於此，即使於單一次檢測出對應於水晶晶圓(音叉基板)155之期待厚度的AT切割晶圓156之諧振頻率之時，結束研磨亦可。
1‧‧‧壓電振動子
5‧‧‧壓電振動片
100‧‧‧振盪器
110‧‧‧行動資訊機器
130‧‧‧電波時鐘
150‧‧‧研磨裝置
151‧‧‧上定盤
152‧‧‧下定盤
153‧‧‧太陽齒輪
154‧‧‧內齒輪
155‧‧‧水晶晶圓(音叉基板)
156‧‧‧AT切割晶圓
157‧‧‧載體
158‧‧‧探針
第1圖為本發明之實施型態中之壓電振動子之外觀斜視圖。
第2圖為表示第1圖所示之壓電振動子之內部構成圖，在取下頂蓋基板之狀態下，由上方觀看壓電振動片之圖示。
第3圖為沿著第2圖所示之A-A線之壓電振動子的剖面圖。
第4圖為第1圖所示之壓電振動子之分解斜視圖。
第5圖為表示製造第1圖所示之壓電振動子之時所使用之金屬銷的斜視圖。
第6圖為表示製造第1圖所示之壓電振動子之時之流程的流程圖。
第7圖為壓電振動片之製造工程之流程圖。
第8圖為表示與表示本發明之實施型態有關之水晶晶圓(音叉基板)之研磨裝置之概略的圖示。
第9圖為表示從與表示本發明之實施型態有關之水晶 晶圓(音叉基板)之研磨裝置之上定盤側觀看下定盤側的概略圖。
第10圖為表示從與表示本發明之實施型態有關之水晶晶圓(音叉基板)之研磨裝置之上定盤側觀看下定盤側的概略圖。
第11圖為用以說明壓電振動子之製造方法的工程圖，為晶圓接合體之分解斜視圖。
第12圖(a)~(f)為表示形成第2圖所示之壓電振動子所具備之貫通電極之工程圖。
第13圖(a)為在形成第2圖所示之貫通電極之工程中，表示研磨金屬銷之單面研磨裝置之概略的側面圖，(b)為從下定盤側觀看上定盤側之圖示。
第14圖(a)為在形成第2圖所示之壓電振動子所具備之貫通電極的工程中，表示研磨基座基板用晶圓之兩面研磨裝置之概略的側面圖，(b)為(a)之D-D線剖面圖。
第15圖為表示與本發明有關之振盪器之一實施型態的構成圖。
第16圖為表示與本發明有關之電子機器之一實施型態的構成圖。
第17圖為表示與本發明有關之電波時鐘之一實施型態的構成圖。
150‧‧‧研磨裝置
151‧‧‧上定盤
152‧‧‧下定盤
153‧‧‧太陽齒輪
154‧‧‧內齒輪
155‧‧‧水晶晶圓(音叉基板)
156‧‧‧AT切割晶圓
157‧‧‧載體
158‧‧‧探針
160‧‧‧驅動帶

Claims (10)

  1. 一種研磨方法，係被保持於上定盤和下定盤之間之載體的音叉用晶圓之研磨方法，其特徵為：在上述載體配置厚度測量用之AT切割晶圓，與上述音叉用晶圓同時研磨該AT切割晶圓，並檢測出該AT切割晶圓之諧振頻率，根據該檢測結果，控制上述音叉用晶圓之厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之研磨方法，其中，於開始進行上述音叉用晶圓之研磨之後，於規定時間內以規定次數以上檢測出對應於上述音叉用晶圓之期待厚度的上述AT切割晶圓之諧振頻率之時，結束研磨。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之研磨方法，其中，將至少一個之上述AT切割晶圓配置在上述載體之中心位置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之研磨方法，其中，於在上述載體保持複數音叉用晶圓之時，在相鄰之上述音叉用晶圓間配置上述AT切割晶圓。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之研磨方法，其中，上述AT切割晶圓為圓板狀。
  6. 一種壓電振動片之製造方法，為使用光微影技術，用以在形成有壓電振動片之外形的壓電板之表面形成電極的壓電振動片之製造方法，其特徵為：包含藉由如申請專利範圍第1或2項之研磨方法研磨上述壓電板的工程。
  7. 一種壓電振動子，其特徵為：具備藉由如申請專利範圍第6項所記載之壓電振動片之製造方法所製造出之壓電振動片。
  8. 一種振盪器，其特徵為：如申請專利範圍第7項所記載之壓電振動子，係作為振盪子而電性連接於積體電路。
  9. 一種電子機器，其特徵為：如申請專利範圍第7項所記載之壓電振動子，係電性連接於計時部。
  10. 一種電波時鐘，其特徵為：如申請專利範圍第7項所記載之壓電振動子，係電性連接於濾波器部。
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