TW201303360A

TW201303360A - 利用干涉儀作為高速可變衰減器

Info

Publication number: TW201303360A
Application number: TW101136400A
Authority: TW
Inventors: Franciscus Jozephus Noordman Oscar; L Kreuzer Justin; Johannes Petrus Vink Henri; Cornelis Van Den Dool Teunis; Perez Calero Daniel
Original assignee: Asml Netherlands Bv; Asml Holding Nv
Priority date: 2006-10-17
Filing date: 2007-10-09
Publication date: 2013-01-16
Also published as: EP1914583A3; JP2008109132A; TWI471599B; TW200821774A; KR20080034794A; JP5250121B2; JP2012084919A; JP4938616B2; EP1914583A2; US20080106717A1; CN101165533A; US20080117494A1; SG142242A1; US7898646B2; TWI424274B; US7683300B2

Abstract

一種系統及方法提供高速可變衰減器。該等衰減器可用於一微影裝置內以控制用以在一初始輻射脈衝之後校正輻射之劑量之一或多個校正脈衝中的輻射強度。

Description

利用干涉儀作為高速可變衰減器

本發明係關於可變衰減器、微影裝置及用於製造器件之方法。

微影裝置係一種將一所要圖案應用至基板或基板之部分的機器。微影裝置可用於製造(例如)平板顯示器、積體電路(IC)及涉及精細結構之其他器件。在習知裝置中，可稱作遮罩或主光罩之圖案化器件可用以產生對應於平板顯示器(或其他器件)之個別層的電路圖案。可藉由將此圖案成像至一提供於基板(例如，玻璃板)上之一層輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)上而將此圖案轉移至基板之全部或部分上。

替代電路圖案，可利用圖案化器件來產生其他圖案，例如，彩色濾光片圖案或點之矩陣。替代遮罩，圖案化器件可為包含個別可控元件之陣列的圖案化陣列。與基於遮罩之系統相比，在該系統中圖案可較為快速地改變且付出較小成本。

平板顯示器基板的形狀通常為矩形。經設計以使此類型之基板曝光的微影裝置可提供覆蓋矩形基板之全部寬度或覆蓋寬度之部分(例如，寬度之一半)之曝光區域。基板可在曝光區域下方經掃描，而遮罩或主光罩經由光束而被同步掃描。以此方式，將圖案轉移至基板。若曝光區域覆蓋基板之全部寬度，則可以單次掃描來完成曝光。若曝光區域覆蓋(例如)基板之寬度之一半，則可在第一次掃描之後橫向移動基板，且通常執行另一次掃描來使基板的剩餘部分曝光。

通常與微影裝置一起利用之輻射源包括脈衝雷射源。通常，對於基於遮罩之微影裝置，利用準分子雷射器且利用數十個雷射脈衝來使基板之一部分上的每一圖案曝光。關於準分子雷射器之問題在於對於每一脈衝存在脈衝能量之隨機變化，該隨機變化為所欲能量之正或負10%。然而，藉由利用快速控制演算法及關於基板上之曝光劑量通常由40至60個脈衝組成之事實，於基板處接收之能量劑量的變化通常約為正或負0.1%或以下。

在無遮罩裝置中，可藉由利用輻射系統之單一脈衝來使由圖案化器件設定之圖案成像至基板上。此係由於在任一瞬間投影至基板上之影像的尺寸相對小且為了經由微影裝置提供基板之足夠產量。然而，如上文所論述，對於單一脈衝，能量變化可為正或負10%。脈衝之能量之該變化導致產生於基板上之線寬的不可接受之大幅變化。

為了提供所需之輻射劑量控制，已提議無遮罩微影系統使用輻射之總劑量包含主脈衝及一或多個校正脈衝之配置。在該配置中，主脈衝提供輻射之大部分劑量。量測輻射脈衝內之能量且隨後判定需要多少額外輻射來提供所需劑量。接著提供校正脈衝，其中輻射源經設定以提供第二全脈衝，但使脈衝通過經設定以將脈衝內之能量減小至所需位準之可變衰減器。

舉例而言，主脈衝可提供所需劑量之90%。因此，對於校正脈衝，衰減器經設定以減小校正脈衝中之能量以使得其僅透射使輻射劑量完整所需的能量。若輻射源產生標稱地提供所需總劑量之90%之脈衝，則對於校正脈衝，衰減器經設定以僅使(例如)輻射脈衝的九分之一通過來提供所需劑量之最後10%。

該配置可允許較為準確地量測主脈衝內之能量。衰減器可經設定以準確地使校正脈衝之必需部分通過。然而，由校正脈衝提供之劑量的潛在誤差(來源於輻射源所產生之脈衝的能量之變化)亦由衰減器減小。因此，劑量之整體準確性得以改良。

舉例而言，可藉由利用第三校正脈衝來提供進一步改良，在該第三校正脈衝中強度經進一步衰減。舉例而言，主脈衝可標稱地提供劑量之90%，第一校正脈衝可標稱地提供劑量之9%且第二校正脈衝可標稱地提供所需劑量之1%。該配置可提供比輻射源之劑量準確性好一百倍之劑量準確性。

然而，對於待可用於微影裝置內之該配置，可變衰減器必須滿足高效能標準。第一，可變衰減器必須能夠非常準確地設定為給定透射位準。第二，可變衰減器必須能夠非常快速地在不同透射位準之間切換(在連續脈衝之間的時間可約為166 μs)。第三，可變衰減器應可在相對高之透射位準與相對低之透射位準之間切換。第四，可變衰減器必須能夠穩定地操作達儘可能長之產品使用壽命。最後，可變衰減器必須能夠對於待用於微影製程中之波長的輻射滿足此等效能標準。目前尚未知滿足此等效能標準之可變衰減器。

因此，需要一種用於提供滿足對於用於微影裝置之子系統中為必要的效能標準之可變衰減器之系統及方法，該子系統用以控制微影曝光製程中的輻射劑量。

在本發明之一個實施例中，提供一種可變衰減器，其經組態以回應於表示該可變衰減器對於一輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準。可變衰減器包含第一半透明反射器及第二半透明反射器以及致動器系統。第一半透明反射器及第二半透明反射器經配置為大體上互相平行，從而輻射光束連續地通過第一半透明反射器及第二半透明反射器。致動器系統經組態以回應於輸入控制信號而控制第一半透明反射器與第二半透明反射器之間隔。

在本發明之另一實施例中，提供一種可變衰減器，其經組態以回應於表示該可變衰減器對於一輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準。可變衰減器包含輻射光束分光器、輻射光束組合器、輻射光束路徑長度控制器。輻射光束分光器將輻射光束劃分為第一輻射光束路徑及第二輻射光束路徑。輻射光束組合器重組來自第一輻射光束路徑及第二輻射光束路徑之輻射，以使得其干涉且產生輸出輻射光束。輻射光束路徑長度控制器經組態以回應於輸入控制信號而控制第一輻射光束路徑之路徑長度，從而控制來自第一輻射光束路徑與第二輻射光束路徑之輻射的干涉。

在本發明之又一實施例中，提供一種可變衰減器，其經組態以回應於表示該可變衰減器對於一輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準。可變衰減器包含第一相位光柵及第二相位光柵以及致動器系統。第一相位光柵及第二相位光柵經配置為大體上互相平行。輻射光束最初入射至第一相位光柵上且在通過第一相位光柵之後入射至第二相位光柵上。該等相位光柵中之每一者包含複數個第一類型之區域及複數個第二類型之區域。相位光柵經建構以使得對於每一相位光柵而言，經引入以通過第一類型之區域之輻射的相移比對於第二類型之區域之情況大或者小輸入至可變衰減器中的該輻射光束之波長之四分之一。致動器系統經組態以回應於該輸入控制信號而至少在第一位置與第二位置之間調整第一相位光柵與第二相位光柵之相對位置。在第一位置中，通過第一相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域的輻射隨後分別通過第二相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域。在第二位置中，通過第一相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域的輻射隨後分別通過第二相位光柵之第二類型之區域及第一類型之區域。

在一個實施例中，提供一種併入有如上文所論述之可變衰減器的微影裝置。

在又一實施例中，提供一種包含以下步驟之器件製造方法。調變脈衝輻射光束且將其投影至基板上。脈衝輻射光束之至少一個脈衝之強度在經調變之前由可變衰減器衰減，該可變衰減器經組態以回應於表示該可變衰減器對於一輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準。可變衰減器包含經配置為大體上互相平行的第一半透明反射器及第二半透明反射器。輻射光束連續地通過第一半透明反射器及第二半透明反射器。該方法進一步包含回應於輸入控制信號而控制第一半透明反射器與第二半透明反射器之間隔。

在又一實施例中，提供一種包含以下步驟之器件製造方法。調變脈衝輻射光束且將其投影至基板上。脈衝輻射光束之至少一個脈衝之強度在經調變之前由可變衰減器衰減，該可變衰減器經組態以回應於表示該可變衰減器對於一輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準。可變衰減器包含將輻射光束劃分為第一輻射光束路徑及第二輻射光束路徑之輻射光束分光器及重組來自第一輻射光束路徑及第二輻射光束路徑之輻射以使得其干涉且產生輸出輻射光束的輻射光束組合器。該方法包含利用輻射光束路徑長度控制器來回應於該輸入控制信號而控制第一輻射光束路徑之路徑長度，從而控制來自第一輻射光束路徑與第二輻射光束路徑之輻射的干涉。

在又一實施例中，提供一種包含以下步驟之器件製造方法。調變脈衝輻射光束且將其投影至基板上。脈衝輻射光束之至少一個脈衝之強度在經調變之前由可變衰減器衰減，該可變衰減器經組態以回應於表示該可變衰減器對於一輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準。可變衰減器包含經配置為大體上互相平行的第一相位光柵及第二相位光柵，以使得輻射光束最初入射至第一相位光柵上且在通過第一相位光柵之後入射至第二相位光柵上。該等相位光柵中之每一者包含複數個第一類型之區域及複數個第二類型之區域。相位光柵經建構以使得對於每一相位光柵而言，經引入以通過第一類型之區域之輻射的相移比對於第二類型之區域之情況大輸入至可變衰減器中的該輻射光束之波長之四分之一。方法進一步包含回應於輸入控制信號而至少在第一位置與第二位置之間調整第一相位光柵與第二相位光柵之相對位置。在第一位置中，通過第一相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域的輻射隨後分別通過第二相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域。在第二位置中，通過第一相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域的輻射隨後分別通過第二相位光柵之第二類型之區域及第一類型之區域。

在又一實施例中，提供一種器件製造方法，其包含：藉由利用第一半透明反射器及第二半透明反射器而形成可變衰減器，該等半透明反射器經配置為大體上互相平行，以使得脈衝輻射光束連續地通過第一半透明反射器及第二半透明反射器；回應於輸入控制信號而控制第一半透明反射器與第二半透明反射器之間隔，利用可變衰減器衰減脈衝輻射光束之至少一個脈衝之強度，該可變衰減器經組態以回應於表示可變衰減器對於輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準；調變脈衝輻射光束；及將經調變之光束投影至基板上。

在又一實施例中，提供一種器件製造方法，其包含：利用將脈衝輻射光束劃分為第一輻射光束路徑及第二輻射光束路徑之輻射光束分光器及重組來自第一輻射光束路徑及第二輻射光束路徑之輻射以使得其干涉且產生輸出輻射光束的輻射光束組合器而形成可變衰減器；利用輻射光束路徑長度控制器來回應於輸入控制信號而控制第一輻射光束路徑之路徑長度，從而控制來自第一輻射光束路徑與第二輻射光束路徑之輻射的干涉；藉由利用可變衰減器衰減脈衝輻射光束之至少一個脈衝之強度，該可變衰減器經組態以回應於表示可變衰減器對於輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準；調變來自可變衰減器之脈衝輻射光束；及將其投影至基板上。

在又一實施例中，提供一種器件製造方法，其包含：由經配置為大體上互相平行的第一相位光柵及第二相位光柵形成可變衰減器，從而脈衝輻射光束最初入射至第一相位光柵上且在通過第一相位光柵之後入射至第二相位光柵上；在相位光柵中之每一者上形成複數個第一類型之區域及複數個第二類型之區域；建構相位光柵以使得對於每一相位光柵而言，經引入以通過第一類型之區域之脈衝輻射光束的相移比對於第二類型之區域之情況大輸入至可變衰減器中的該輻射光束之波長之四分之一；回應於輸入控制信號而至少在第一位置與第二位置之間調整第一相位光柵與第二相位光柵之相對位置，其中在第一位置中，通過第一相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域的輻射隨後分別通過第二相位光柵之第一類型之區域及第二類型之區域，在第二位置中，通過第一光柵之第一類型之區域及第二類型之區域的輻射隨後分別通過第二相位光柵之第二類型之區域及第一類型之區域；利用可變衰減器衰減脈衝輻射光束之至少一個脈衝之強度，該可變衰減器經組態以回應於表示可變衰減器對於輻射光束之所要透射位準的輸入控制信號而調整其對於該輸入輻射光束的透射位準；及調變脈衝輻射光束；及將經調變之光束投影至基板上。

下文參看隨附圖式而詳細描述本發明之其他實施例、特徵及優勢以及本發明之各種實施例的結構及操作。

本說明書揭示併入有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅舉例說明本發明。本發明之範疇不限於所揭示之實施例。本發明由附屬於本發明之申請專利範圍所界定。

所描述之實施例及在說明書中對於"一個實施例"、"一實施例"、"一實例實施例"等之引用指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括特定特徵、結構或特性。此外，該等短語未必指代同一實施例。另外，在結合一實施例而描述特定特徵、結構或特性時，應瞭解，結合無論是否被明確描述之其他實施例來實現該特徵、結構或特性在熟習此項技術者的理解範圍內。

本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其之任一組合實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於可由一或多個處理器讀取及執行之機器可讀媒體上的指令。機器可讀媒體可包括用於以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式儲存或傳輸資訊之任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光、聲或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟體、常用程式、指令可在本文中描述為執行特定動作。然而，應瞭解，該等描述僅為了便利且該等動作事實上由執行韌體、軟體、常用程式、指令等之計算器件、處理器、控制器或其他器件所產生。

圖1示意地描繪本發明之一個實施例之微影裝置1。裝置包含照明系統IL、圖案化器件PD、基板台WT及投影系統PS。照明系統(照明器)IL經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射)。

應瞭解，雖然該描述針對微影，但在不脫離本發明之範疇的情況下，可在顯示系統中(例如，在LCD電視或投影儀中)形成圖案化器件PD。因此，可將投影圖案化光束投影至許多不同類型之物體(例如，基板、顯示器件等)上。

基板台WT經建構以支撐基板(例如，以抗蝕劑塗佈之基板)W且連接至定位器PW，該定位器PW經組態以根據特定參數準確地定位基板。

投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS經組態以將由個別可控元件之陣列調變之輻射光束投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。用於本文中之術語"投影系統"應廣泛地解釋為涵蓋適於所利用的曝光輻射或適於諸如浸液之利用或真空之利用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統、反射折射光學系統、磁性光學系統、電磁光學系統及靜電光學系統或其之任一組合。本文中對於術語"投影透鏡"之任何利用可視作與較為廣義之術語"投影系統"同義。

照明系統可包括用於導向輻射、使輻射成形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射光學組件、反射光學組件、磁性光學組件、電磁光學組件、靜電光學組件或其他類型之光學組件或其之任一組合。

圖案化器件PD(例如，主光罩或遮罩，或個別可控元件之陣列)調變光束。一般而言，將相對於投影系統PS固定個別可控元件之陣列的位置。然而，該陣列可替代地連接至經組態以根據特定參數準確地定位個別可控元件之陣列的定位器。

用於本文中之術語"圖案化器件"或"對比器件"應廣泛地解釋為指代可用以調變輻射光束之截面以在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。該等器件可為靜態圖案化器件(例如，遮罩或主光罩)或動態(例如，可程式化元件之陣列)圖案化器件。為了簡潔，大部分描述將關於動態圖案化器件而進行，然而應瞭解，在不脫離本發明之範疇的情況下亦可利用靜態圖案化器件。

應注意，舉例而言，若圖案包括相移特徵或所謂之輔助特徵，則賦予至輻射光束之圖案可能並未精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案可能並不對應於於任一瞬間形成於個別可控元件之陣列上的圖案。此在如下配置中可為實際情形：形成於基板之每一部分上的最終圖案在給定時間週期或給定數目次曝光(其間個別可控元件之陣列上的圖案及/或基板之相對位置改變)期間逐步形成。

一般而言，產生於基板之目標部分上之圖案將對應於形成於目標部分中之器件(諸如，積體電路或平板顯示器)中的特定功能層，例如，平板顯示器中之彩色濾光片層或平板顯示器中之薄膜電晶體層。該等圖案化器件之實例包括主光罩、可程式化鏡面陣列、雷射二極體陣列、發光二極體陣列、光柵光閥及LCD陣列。

借助於電子構件(例如，電腦)對圖案進行可程式化的圖案化器件(諸如，包含複數個可程式化元件之圖案化器件(例如，先前陳述中所提及的除主光罩以外之所有器件))在本文中統稱為"對比器件"。圖案化器件包含至少10個、至少100個、至少1,000個、至少10,000個、至少100,000個、至少1,000,000個或至少10,000,000個可程式化元件。

可程式化鏡面陣列可包含具有黏彈性控制層之矩陣可定址表面及反射表面。該裝置之基本原理為反射表面之定址區將入射光反射為繞射光，而非定，址區將入射光反射為非繞射光。藉由利用適當空間濾光片，可將非繞射光濾出反射光束，從而僅留下繞射光到達基板。以此方式，光束變為根據矩陣可定址表面之定址圖案而圖案化。

應瞭解，作為替代方案，濾光片可濾出繞射光，從而留下非繞射光到達基板。

亦可以對應方式利用繞射光學MEMS器件(微機電系統器件)之陣列。在一項實例中，繞射光學MEMS器件包含複數個反射帶，該等反射帶可相對於彼此變形以形成將入射光反射為繞射光之光柵。

可程式化鏡面陣列之另一替代實例使用微型鏡面之矩陣配置，可藉由施加合適之區域化電場或藉由使用壓電致動構件來使該等微型鏡面中之每一者個別地關於一軸線傾斜。又，鏡面為矩陣可定址的，以使得定址鏡面在與非定址鏡面不同之方向上反射進入之輻射光束；以此方式，可根據矩陣可定址鏡面之定址圖案來對反射光束進行圖案化。可藉由利用合適之電子構件來執行所需矩陣定址。

另一實例PD為可程式化LCD陣列。

微影裝置可包含一或多個對比器件。舉例而言，微影裝置可具有個別可控元件之複數個陣列，每一者彼此獨立地受到控制。在該配置中，個別可控元件之陣列中之一些或所有可具有共用照明系統(或照明系統之部分)、用於個別可控元件之陣列的共用支撐結構及/或共用投影系統(或投影系統之部分)中之至少一者。

在諸如圖1中所描繪之實施例的一項實例中，基板W具有大體上為圓形之形狀，其視情況可沿其周邊之部分具有凹口及/或平坦邊緣。在另一實例中，基板具有例如矩形形狀之多邊形形狀。

基板具有大體上為圓形之形狀的實例包括基板具有至少25 mm、至少50 mm、至少75 mm、至少100 mm、至少125 mm、至少150 mm、至少175 mm、至少200 mm、至少250 mm或至少300 mm之直徑的實例。或者，基板具有至多500 mm、至多400 mm、至多350 mm、至多300 mm、至多250 mm、至多200 mm、至多150 mm、至多100 mm或至多75 mm之直徑。

基板為例如矩形之多邊形的實例包括基板之至少1條邊、至少2條邊或至少3條邊具有至少5 cm、至少25 cm、至少50 cm、至少100 cm、至少150 cm、至少200 cm或至少250 cm之長度的實例。

基板之至少1條邊具有至多1000 cm、至多750 cm、至多500 cm、至多350 cm、至多250 cm、至多150 cm或至多75 cm之長度。

在一項實例中，基板W為例如半導體晶圓之晶圓。晶圓材料可選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP及InAs組成之群。晶圓可為：III/V族化合物半導體晶圓、矽晶圓、陶瓷基板、玻璃基板或塑膠基板。基板可為透明(對於人類肉眼)、有色或無色。

基板之厚度可變化且在一程度上可視基板材料及/或基板尺寸而定。厚度可為至少50 μm、至少100 μm、至少200 μm、至少300 μm、至少400 μm、至少500 μm或至少600 μm。或者，基板之厚度可為至多5000 μm、至多3500 μm、至多2500 μm、至多1750 μm、至多1250 μm、至多1000 μm、至多800 μm、至多600 μm、至多500 μm、至多400 μm或至多300 μm。

本文中所提及之基板可在曝光之前或之後於(例如)勻膠顯影軌道(track)(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且使曝光之抗蝕劑顯影之工具)、計量工具及/或檢驗工具中加以處理。在一項實例中，抗蝕劑層提供於基板上。

投影系統可使個別可控元件之陣列上的圖案成像，以使得圖案相干地形成於基板上。或者，投影系統可使二次源成像，對於二次源個別可控元件之陣列的元件充當快門。在此態樣中，投影系統可包含諸如微透鏡陣列(稱為MLA)或費涅(Fresnel)透鏡陣列的聚焦元件之陣列以形成二次源且使光點成像至基板上。聚焦元件之陣列(例如，MLA)包含至少10個聚焦元件、至少100個聚焦元件、至少1,000個聚焦元件、至少10,000個聚焦元件、至少100,000個聚焦元件或至少1,000,000個聚焦元件。

圖案化器件中的個別可控元件之數目等於或大於聚焦元件之陣列中的聚焦元件之數目。聚焦元件之陣列中的聚焦元件中之一或多者(例如，1,000個或1,000個以上、大部分或每一個)可視情況與個別可控元件之陣列中的個別可控元件中之一或多者相關聯，與個別可控元件之陣列中的個別可控元件中之2個或2個以上、3個或3個以上、5個或5個以上、10個或10個以上、20個或20個以上、25個或25個以上、35個或35個以上或者50個或50個以上相關聯。

MLA可至少在朝向及遠離基板之方向上可移動(例如，藉由利用一或多個致動器)。能夠朝向及遠離基板而移動MLA允許(例如)在無需移動基板之情況下進行聚焦調整。

如本文在圖1及圖2中所描繪，裝置為反射類型(例如，使用個別可控元件之反射陣列)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用個別可控元件之透射陣列)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台之類型。在該等"多平台"機器中，可並行利用額外台，或可在一或多個台上執行預備步驟同時使用一或多個其他台來執行曝光。

微影裝置亦可為如下類型：基板之至少一部分可由具有相對高之折射率之"浸液"(例如，水)覆蓋以填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸液應用至微影裝置中之其他空間，例如，在圖案化器件與投影系統之間的空間。浸漬技術在用於增加投影系統之數值孔徑的技術方面為人所熟知。術語"浸漬"在用於本文中時並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂在曝光期間將液體定位於投影系統與基板之間。

再次參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。輻射源提供具有至少5 nm、至少10 nm、至少11至13 nm、至少50 nm、至少100 nm、至少150 nm、至少175 nm、至少200 nm、至少250 nm、至少275 nm、至少300 nm、至少325 nm、至少350 nm或至少360 nm之波長的輻射。或者，輻射源SO所提供之輻射具有至多450 nm、至多425 nm、至多375 nm、至多360 nm、至多325 nm、至多275 nm、至多250 nm、至多225 nm、至多200 nm或至多175 nm之波長。輻射可具有包括436 nm、405 nm、365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm及/或126 nm之波長。

輻射源及微影裝置可為獨立實體，例如，當輻射源為準分子雷射器時。在該等情況下，不將輻射源視作形成微影裝置之部分，且輻射光束借助於包含(例如)合適之導向鏡面及/或光束放大器之光束傳遞系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，輻射源可為微影裝置之整體部分，例如，當輻射源為汞燈時。輻射源SO及照明器IL連同光束傳遞系統BD(若需要)可稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分布的調整器AD。一般而言，至少可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的外部及/或內部徑向範圍(通常稱作σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含諸如積光器IN及聚光器CO之各種其他組件。照明器可用以將輻射光束調節為在其截面上具有所要均勻性及強度分布。照明器IL或與其相關聯之額外組件亦可經配置以將輻射光束劃分為複數個子光束，該等子光束可(例如)各自與個別可控元件之陣列中的個別可控元件中之一者或複數者相關聯。舉例而言，可利用二維繞射光柵來將輻射光束劃分為子光束。在本文描述中，術語"輻射光束"涵蓋(但不限於)光束包含複數個該等子輻射光束之情形。

輻射光束B入射於圖案化器件PD(例如，個別可控元件之陣列)上且由圖案化器件調變。在已由圖案化器件PD反射之後，輻射光束B通過投影系統PS，該投影系統PS使光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於定位器PW及位置感應器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器、電容感應器或其類似物)，可較為準確地移動基板台WT，以(例如)將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。用於個別可控元件之陣列之定位構件在利用時可用以(例如)在掃描期間相對於光束B之路徑而準確地校正圖案化器件PD之位置。

在一項實例中，借助於圖1中未明確描繪之長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現基板台WT之移動。在另一實例中，短衝程級可能不存在。亦可利用類似系統來定位個別可控元件之陣列。應瞭解，光束B可或者/另外可移動，而物件台及/或個別可控元件之陣列可具有固定位置以提供所需相對移動。該配置可輔助限制裝置之尺寸。作為(例如)可應用於製造平板顯示器的又一替代方案，基板台WT及投影系統PS之位置可固定，且基板W可經配置以相對於基板台WT而移動。舉例而言，基板台WT可具備用於以大體上恆定之速度跨越基板W而對基板W進行掃描的系統。

如圖1所示，藉由光束分光器BS將輻射光束B導向至圖案化器件PD，該光束分光器BS經組態以使得輻射最初由光束分光器反射且導向至圖案化器件PD。應認識到D，亦可在不利用光束分光器之情況下使輻射光束B對準圖案化器件。輻射光束可以在0與90°之間、在5與85°之間、在15與75°之間、在25與65°之間或在35與55°之間的角度(圖1所示之實施例採取90°之角度)對準圖案化器件。圖案化器件PD調變輻射光束B且將其反射回至光束分光器BS，該光束分光器BS將經調變之光束透射至投影系統PS。然而應瞭解，可利用替代配置來將輻射光束B導向至圖案化器件PD且隨後導向至投影系統PS。特定言之，若利用透射圖案化器件，則可能不需要諸如圖1所示之配置。

所描繪之裝置可以若干模式而利用：

1.在步進模式中，保持個別可控元件之陣列及基板本質上靜止，同時將賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著在X及/或Y方向上移位基板台WT以使得可使不同目標部分C經曝光。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中成像的目標部分C之尺寸。

2.在掃描模式中，同步地掃描個別可控元件之陣列與基板，同時將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板相對於個別可控元件之陣列的速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在脈衝模式中，保持個別可控元件之陣列本質上靜止，且藉由利用脈衝輻射源而將整個圖案投影至基板W之目標部分C上。以本質上恆定之速度移動基板台WT從而使得光束B掃描跨越基板W之線。根據需要在輻射系統之脈衝之間更新個別可控元件之陣列上的圖案且對脈衝進行定時以使得在基板W上之所需位置處使連續目標部分C曝光。因此，光束B可跨越基板W而掃描以曝光對於基板之一條的完整圖案。重複該過程直至已以逐線方式使完整基板W曝光為止。

4.連續掃描模式在本質上與脈衝模式相同，除了相對於經調變之輻射光束B以大體上恆定之速度掃描基板W且在光束B跨越基板W而掃描且使其曝光時更新個別可控元件之陣列上的圖案。可利用大體上恆定之輻射源或與個別可控元件之陣列上的圖案的更新同步之脈衝輻射源。

5.在可藉由利用圖2之微影裝置執行的像素柵格成像模式中，形成於基板W上之圖案藉由光點產生器所形成的導向至圖案化器件PD上之光點的後續曝光而實現。所曝光之光點具有大體上相同之形狀。在基板W上，光點印刷於大體上柵格中。在一項實例中，光點尺寸大於印刷像素柵格之間距，但遠小於曝光光點柵格。藉由改變所印刷之光點之強度來實現圖案。在曝光閃光之間改變光點上的強度分布。

亦可使用對上文所述之利用模式的組合及/或變化或完全不同之利用模式。

在微影中，將一圖案曝光在基板上的抗蝕劑層上。接著對抗蝕劑進行顯影。隨後，對基板執行額外處理步驟。此等後續處理步驟對基板之每一部分之影響視抗蝕劑之曝光而定。特定言之，對該等過程進行調諧以使得基板之接收到在給定劑量臨限以上之輻射劑量的部分與基板之接收到在劑量臨限以下之輻射劑量的部分以不同方式作出回應。舉例而言，在蝕刻過程中，藉由經顯影之抗蝕劑層來保護基板之接收到在臨限以上之輻射劑量的區不受蝕刻。然而，在後曝光顯影中，抗蝕劑之接收到在臨限以下之輻射劑量之部分經移除且因此彼等區未受到保護而經蝕刻。因此，可蝕刻所要圖案。特定言之，圖案化器件中之個別可控元件經設定以使得透射至基板上之圖案特徵內之一區的輻射係以足夠高以使得該區於曝光期間接收到在劑量臨限以上之輻射劑量的強度而進行。藉由設定對應個別可控元件以提供零或顯著較低之輻射強度而使基板上之剩餘區接收到在劑量臨限以下之輻射劑量。

實務上，即使個別可控元件經設定以在特徵邊界之一側提供最大輻射強度且在另一側提供最小輻射強度，圖案特徵之邊緣處的輻射劑量亦不自給定最大劑量突然改變為零。替代地，歸因於繞射效應，輻射劑量之位準跨越一過渡區帶而下降。最終由經顯影之抗蝕劑所形成的圖案特徵之邊界之位置由所接收之劑量降至輻射劑量臨限以下的位置判定。輻射劑量跨越過渡區帶而下降之輪廓及因此圖案特徵邊界之精確位置可藉由設定向基板上之處於圖案特徵邊界上或圖案特徵邊界附近之點提供輻射的個別可控元件而較為精確地受到控制。此等可不僅關於最大或最小強度位準，而亦關於在最大與最小強度位準之間的強度位準。通常將此稱為"灰度調整"。

與由給定個別可控元件向基板提供之輻射強度僅可設定為兩個值(例如，僅最大值及最小值)之微影系統中所可能的控制相比，灰度調整提供對圖案特徵邊界之位置之較高程度的控制。可向基板上投影至少3個、至少4個輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、至少64個輻射強度值、至少128個輻射強度值或至少256個不同輻射強度值。

應瞭解，可出於對於上文所述之目的之另外或其他之目的而利用灰度調整。舉例而言，在曝光之後對基板之處理可經調諧以使得視所接收之輻射劑量位準而定，存在基板之區域的兩個以上之潛在回應。舉例而言，基板之接收到在第一臨限以下之輻射劑量的部分以第一方式作出回應；基板之接收到在第一臨限以上但在第二臨限以下之輻射劑量的部分以第二方式作出回應；且基板之接收到在第二臨限以上之輻射劑量的部分以第三方式作出回應。因此，可利用灰度調整來提供跨越基板具有兩個以上所要劑量位準之輻射劑量輪廓。輻射劑量輪廓可具有至少2個所要劑量位準、至少3個所要輻射劑量位準、至少4個所要輻射劑量位準、至少6個所要輻射劑量位準或至少8個所要輻射劑量位準。

另外應瞭解，可藉由不同於如上文所述之僅控制於基板上每一點處接收之輻射強度之方法的方法來控制輻射劑量輪廓。舉例而言，由基板上每一點接收之輻射劑量可其他或另外藉由控制該點之曝光的持續時間而受到控制。作為另一實例，基板上之每一點可潛在地於複數次連續曝光中接收輻射。因此，由每一點接收之輻射劑量可其他或另外藉由利用複數次連續曝光之一選定子集來使該點曝光而受到控制。

圖2描繪根據本發明之可用於(例如)製造平板顯示器之裝置的配置。以相同參考數字來描繪對應於圖1所示之組件的組件。又，對於例如基板、對比器件、MLA、輻射光束等之各種組態的各種實施例之以上描述仍可應用。

如圖2所示，投影系統PS包括一包含兩個透鏡L1、L2之光束放大器。第一透鏡L1經配置以接收經調變之輻射光束B且經由孔徑光闌AS中之孔徑使其聚焦。可將另一透鏡AL定位於孔徑中。輻射光束B既而發散且由第二透鏡L2(例如，場透鏡)聚焦。

投影系統PS進一步包含經配置以接收經放大的經調變之輻射B的透鏡陣列MLA。經調變之輻射光束B之對應於圖案化器件PD中的個別可控元件中之一或多者的不同部分穿過透鏡陣列MLA中之各別不同透鏡ML。每一透鏡使經調變之輻射光束B之各別部分聚焦至一落在基板W上之點。以此方式，將輻射光點S之陣列曝光至基板W上。應瞭解，雖然僅展示所說明之透鏡陣列14之八個透鏡，但透鏡陣列可包含數千個透鏡(此對於用作圖案化器件PD之個別可控元件之陣列同樣為實際情況)。

圖3示意地說明根據本發明之一個實施例，如何藉由利用圖2之系統來產生基板W上之圖案。實心圓圈表示由投影系統PS中之透鏡陣列MLA而投影至基板W上之光點S的陣列。隨著在基板W上曝光一系列曝光而相對於投影系統PS在Y方向上移動基板W。空心圓圈表示先前已曝光於基板W上之光點曝光SE。如圖所示，由投影系統PS內之透鏡陣列投影至基板上之每一光點使基板W上的光點曝光之一列R曝光。藉由由光點S中之每一者而曝光的光點曝光SE之所有列R的總和來產生對於基板之完整圖案。通常將該配置稱作上文論述之"像素柵格成像"。

可觀察到，輻射光點S之陣列經配置以相對於基板W成角θ(基板之邊緣保持為與X及Y方向平行)。進行此以使得當在掃描方向(Y方向)上移動基板時，每一輻射光點將越過基板之不同區，由此允許由輻射光點之陣列15覆蓋整個基板。角θ可為至多20°、至多10°、至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0.10°、至多0.05°或至多0.01°。或者，角θ為至少0.001°。

圖4示意地展示根據本發明之一個實施例，如何可藉由利用複數個光學引擎而在單次掃描中使整個平板顯示器基板W曝光。在所示之實例中，輻射光點S之八個陣列SA由以"棋盤"式組態而配置為兩列R1、R2之八個光學引擎(未圖示)產生，以使得輻射光點(例如，圖3中之光點S)之一個陣列的邊緣與輻射光點之鄰近陣列的邊緣稍稍重疊(在掃描方向Y上)。在一項實例中，將光學引擎配置為至少3列，例如，4列或5列。以此方式，輻射帶延伸跨越基板W之寬度，從而允許在單次掃描中執行整個基板之曝光。應瞭解，可利用任何合適數目之光學引擎。在一項實例中，光學引擎之數目為至少1個、至少2個、至少4個、至少8個、至少10個、至少12個、至少14個或至少17個。或者，光學引擎之數目小於40個、小於30個或小於20個。

每一光學引擎可包含如上文所述的獨立照明系統IL、圖案化器件PD及投影系統PS。然而應瞭解，兩個或兩個以上光學引擎可共用照明系統、圖案化器件及投影系統中之一或多者的至少一部分。

圖5描繪可變衰減器可用作微影裝置內之輻射劑量控制系統之部分的配置。如圖所示，輻射光束10由(例如)照明系統11所提供。輻射光束通過部分反射器12，該部分反射器12允許大部分輻射光束傳遞至可變衰減器13，但使輻射光束之部分轉向至輻射偵測器14。如上文所論述，照明系統提供脈衝輻射光束10且偵測器14經組態以判定每一輻射脈衝內的能量。應瞭解，偵測器14將受到校準以使得其可由脈衝輻射光束10之轉向至偵測器14的部分判定每一脈衝內透射至可變衰減器13的能量。提供劑量控制器15，其向可變衰減器13提供控制信號以設定可變衰減器13對於輸入至其之輻射光束的透射位準。自可變衰減器13輸出且根據來自劑量控制器15之控制信號而衰減之輻射光束16隨後傳遞至微影裝置的剩餘部分且可(例如)由個別可控元件之陣列17調變。

如上文所論述，輻射劑量控制系統可經配置以使得第一輻射脈衝基本上未衰減地透射過系統且提供所需大部分輻射劑量。輻射偵測器14判定第一脈衝內之能量且劑量控制器15判定後續校正脈衝中所需之能量。控制器15設定可變衰減器13以使得其透射位準處於將後續輻射脈衝衰減至所需位準的必需位準。需要時，可關於額外校正脈衝而重複此過程。

應瞭解，可利用圖5中描繪之配置之變化。舉例而言，可先於照明系統(例如，在輻射源與調節輻射光束之照明系統之間)提供劑量控制系統。另外，輻射偵測器14及部分反射器12可經配置以判定輻射脈衝在其由可變衰減器13衰減之後的內部能量(例如，部分反射器可經配置以使自可變衰減器輸出的輻射光束16之部分轉向至輻射偵測器14)。該配置可能夠較好地補償可變衰減器13之控制的任何誤差。應進一步瞭解，輻射偵測器14可為簡單的光電二極體，且對於判定輻射脈衝內之總能量(而非僅僅在給定時間脈衝內之輻射強度)為必要的校正功能及整合功能可由劑量控制器15提供。應進一步瞭解，本發明之可變衰減器13可用於除圖5中說明之應用以外的應用。

實施例1

圖6描繪根據本發明之第一實施例之用於控制輻射光束21之強度的可變衰減器20。可變衰減器包括一對部分反射器22、23。部分反射器22、23經配置為彼此平行且經設定為彼此間隔開一距離。間隔由受到控制器25控制之致動器系統24控制。

於部分反射器22、23之間反射之輻射的干涉影響可變衰減器之透射位準T。若：部分反射器22、23之表面之間的間距為L

部分反射器22、23之反射係數為R

輻射之波長為λ

且光入射至鏡面上之入射角為θ

則

因此，藉由兩個部分反射器22、23以輻射之波長之數量級而進行的相對移動，可變衰減器之透射位準可在最大與最小之間切換且可切換至其間的任一值。因此，致動器系統可包含(例如)能夠非常迅速地以高精確度在所需移動範圍內調整第一部分反射器22與第二部分反射器23之相對位置的一或多個壓電致動器。

一般而言，可由可變衰減器產生的透射位準之值的範圍由部分反射器之反射係數R判定。對於較高值之R，透射-間隔曲線變得非常陡峭，從而使得透射位準T對於部分反射器22、23之較小相對移動的較大改變，但同樣增加透射位準T對於鏡面之位置誤差的敏感度。較高值的鏡面之係數R亦導致可達到較低的最小透射位準T之可變衰減器。此為重要的，因為可變衰減器可達到之最小透射位準愈低，所提供之輻射之總劑量的精細準確度愈高。

圖7展示圖6所描繪之配置之變化。在此情況下，部分反射器經配置以使得輻射光束以小角θ入射至部分反射器上。以小角將輻射光束導向至部分反射器上之優勢在於部分反射器所反射之輻射不返回至輻射源。入射角θ經選擇以足以防止該等背反射或將其減小至容許位準。然而，隨著入射角θ增大，可變衰減器之透射位準對於兩個部分反射器(其理想地應為完全平行)之相對角之變化的敏感度增大。另外，可變衰減器之可達對比度可減小，因為輻射光束並不精確地與其自身干涉而是與稍稍移位之複本干涉。此兩個效應可藉由使入射角θ最小化及藉由使間隔L最小化而減小。

對兩個部分反射器之相對位置之準確控制對於提供對可變衰減器之透射位準的準確控制為根本的。因此，控制器25可包括儲存校準資料之記憶體26，該校準資料(例如)關於可變衰減器對於提供至致動器系統24之控制信號的達成之透射位準。

實施例2

圖8描繪本發明之第二實施例之可變衰減器的配置。第二實施例對應於如圖6及圖7中所描繪之第一實施例，但在對用以控制部分反射器32、33之相對位置之致動器系統34的控制上不同。在此情況下，利用位置感應器36來量測兩個部分反射器32、33之相對位置。位置感應器可(例如)為電容感應器。位置感應器36經簡單配置以提供對部分反射器32、33之表面之間的間隔L之量測。然而，藉由提供兩個或兩個以上位置感應器，量測表面之間的相對角亦變為可能的。因此，控制器35可不僅調整部分反射器32、33之間隔L以控制可變衰減器之透射位準，而亦可控制致動器34以調整部分反射器32、33之間的相對角，從而改良(例如)輸出輻射光束37之輻射強度的均勻性。

控制器35可具備反饋系統，以使得(例如)控制器35判定部分反射器32、33之用以提供可變衰減器之給定透射位準的所要相對位置、判定在所要相對位置與由位置感應器36提供之量測得之相對位置之間的差異且向致動器系統34提供對於減小差異為必要之控制信號。該配置可需要較少校準來提供準確透射控制，而不論組件之機械漂移及熱漂移以及壓電致動器系統之遲滯及蠕變。

實施例3

圖9a描繪本發明之第三實施例。又，第三實施例之可變衰減器40基於與第一及第二實施例相同之原理而操作，但在對兩個部分反射器42、43之相對位置的控制上不同。在此情況下，第二輻射光束46以與待控制之輻射光束41之入射角不同的入射角穿過部分反射器42、43。第二輻射光束46亦由可變衰減器衰減，但隨後由輻射偵測器47檢驗。第二輻射光束46可由輻射源48提供，該輻射源48以與待控制之輻射光束41之波長不同的波長產生輻射光束。同樣地，輻射源48無需提供相同強度，且出於實踐原因很可能無法提供相同強度。因此，由於對於輻射源48關於第二輻射光束46之要求相對低，因此可將輻射源48安裝於可變衰減器內。或者，可將輻射源48安裝於可變衰減器40外部，且甚至可將其安裝於可變衰減器所用於之微影裝置外部。在任何情況下，輻射偵測器47經組態以在第二輻射光束46已由可變衰減器之部分反射器42、43衰減之後偵測第二輻射光束46之輻射強度。因此，控制器45可直接判定可變表減器對於第二輻射光束46之透射位準。

應瞭解，若對第二輻射光束之強度之控制的準確性並不足夠高，則可在第二輻射光束46穿過部分反射器42、43之前與部分反射器相關聯地提供第二輻射偵測器。可進行此以使得可對在第二輻射光束由可變衰減器衰減之前及之後的量測得之強度值進行比較。控制器45隨後可由可變衰減器對於第二輻射光束46之透射位準而判定可變衰減器對於待控制之輻射光束41的透射位準。此判定可基於藉由利用兩個輻射光束之已知波長及各自入射至部分反射器42、43之入射角而進行的計算或可基於校準資料。

如圖9b所示，偵測器單元可包含部分反射器49，該部分反射器49將第二輻射光束46劃分為通向(例如)用於量測輻射強度的光電二極體50之第一路徑及(例如)用於量測跨越第二輻射光束46之輻射強度之均勻性的電荷耦合器件(charge coupled device,CCD)51。因此，光電二極體50可迅速地判定輻射強度，由此控制器45可判定可變衰減器之總透射位準，且因此可向致動器系統44發送控制信號以調整部分反射器42、43之間隔(必要時)從而提供所要透射位準。另外，CCD 51可較為緩慢地提供對跨越第二輻射光束46之輻射之均勻性的量測，由此控制器45可判定應進行以調整部分反射器42、43之相對角從而保持正由可變衰減器控制之輻射光束41的輻射分布之均勻性的校正。

實施例4

圖10描繪根據本發明之第四實施例之可變衰減器60。在此實施例中，藉由部分反射器64將待控制之輻射光束61劃分為第一光束路徑62及第二光束路徑63。藉由第二部分反射器65重組第一光束路徑62及第二光束路徑63以提供輸出輻射光束66。第一光束路徑62及第二光束路徑63在第二部分反射器65處以其干涉之方式而重組。提供安裝於致動器系統68上之反射器67，該反射器67藉由反射器67之合適移動而調整第一輻射光束路徑62之長度。藉由調整第一路徑長度62之長度，來自第一輻射光束路徑62及第二輻射光束路徑63之輻射以相長方式或相消方式，或在該兩者之間的某種程度而干涉。因此，輸出輻射光束66之強度可受到控制。可提供輻射光束轉儲器件69以吸收可變衰減器60所斥拒之輻射。

此配置允許調整鏡面以將第一輻射光束路徑62與第二輻射光束路徑63之路徑長度的差異提供為輻射波長之整數倍加上輻射波長的一半。因此，有可能達到可變衰減器對於輻射之非常低的透射位準。此係由於來自兩個輻射光束路徑62、63之輻射在第二部分反射器65處相消地干涉。此為所要的，因為如上文所論述，可變衰減器可達到之最小透射位準判定輻射劑量控制系統(其中主輻射脈衝之後為一或多個校正脈衝)所提供之劑量的最終準確性。

致動器系統68可包含一或多個壓電致動器。該等致動器能夠準確且快速地調整反射器67在所需移動範圍(例如，輻射光束之波長之約四分之一)內之位置，從而以輻射光束之波長之一半調整路徑長度(例如，自最小透射至最大透射)。以對應於上文論述之第一實施例之方式，控制器70可包括儲存校準資料之記憶體71，該校準資料使提供至致動器系統68之控制信號與可變衰減器60對於輻射光束61之透射位準相關。

實施例5

圖11描繪根據本發明之第五實施例之可變衰減器80。第五實施例對應於上文論述之第四實施例，(例如)其中由第一部分反射器84將輸入輻射光束81劃分為第一輻射光束路徑82及第二輻射光束路徑83，此在由第二部分反射器85對第一輻射光束路徑82及第二輻射光束路徑83進行重組以提供輸出輻射光束86之前進行。如同第四實施例之情況一樣，(例如)借助於由致動器系統88致動之反射器87來調整第一輻射光束路徑82之路徑長度。第四實施例與第五實施例之間的差異在於用於控制可變衰減器之配置。

在與第三實施例類似之配置中，第二輻射光束91經導向通過可變衰減器80且由輻射偵測器92檢驗。因此，可對可變衰減器之透射位準進行直接量測。如同第三實施例之情況一樣，可提供第二偵測器以在第二輻射光束91經導向通過可變衰減器之前對其進行檢驗以使得可準確地比較輸入及輸出強度位準。

如圖所示，第二輻射光束91可與待控制之輻射光束81遵循同一輻射光束路徑。在此情況下，提供反射器93、94以將第二輻射光束91引入至待控制之輻射光束81之輻射光束路徑且自輸出輻射光束86之路徑對其加以提取。如上文參看圖3所論述，可在可變衰減器內部或在其外部或甚至在可變衰減器所用於之微影裝置外部提供第二輻射光束91之輻射源95。

在任一情況下，若對於第二輻射光束利用與用於待控制之輻射光束81之輻射波長不同的輻射波長，則可選擇用以插入及提取第二輻射光束91之反射器93、94以使得其反射第二輻射光束91之波長的輻射但透射待控制之輻射光束81之波長的輻射。因此，第二輻射光束可經引入至待控制之輻射光束81之光束路徑且可自該光束路徑提取第二輻射光束而不干涉待控制之輻射光束81。

在替代配置中，用以將第二輻射光束91引入至待控制之輻射光束81之光束路徑且自該光束路徑提取第二輻射光束91的反射器93、94可為偏振光束分光器。待控制之輻射光束81及第二輻射光束91可以適當定向正交地起偏振。

作為又一替代方案，第二輻射光束91可能並不精確地遵循待控制之輻射光束81之光束路徑，而是遵循一平行路徑(例如，向圖11之平面內或平面外平移)。藉由致動反射器87而進行的對第二輻射光束之路徑長度之改變與待控制之輻射光束81的路徑長度之改變相同。

控制器90經組態以基於第二輻射光束91之由偵測器92偵測的偵測得之強度來產生用於致動器系統88之控制信號以控制鏡面87之位置。應瞭解，輻射偵測器92可具有與圖9b關於第三實施例而描繪之組態相同的組態，以使得偵測器可不僅偵測第二輻射光束之強度而亦偵測第二輻射光束91之截面之強度的均勻性。在彼情況下，控制器90可經另外組態以向致動器系統88提供控制信號，從而調整鏡面87之位置以使輻射光束之強度均勻性最佳化。

實施例6

第六實施例之可變衰減器包含一對λ/4相位光柵。舉例而言，相位光柵劃分為(例如)具有複數個狹長條紋的第一類型及第二類型之複數個區，且其中在入射至第一類型之區上之輻射中引起的相移比在入射至第二類型之區上之輻射中引起的相移大波長之四分之一或小波長之四分之一。如圖12a所示，在第一相位光柵100中，此可藉由使第一區102具有厚度t1且使第二區103具有較小厚度t2而提供。第二光柵101具有類似結構。

兩個相位光柵經配置為彼此平行，但至少一者經可移動地安裝以使得第二相位光柵可相對於第一相位光柵而在圖12a中所描繪之第一位置之間移動。在第一位置中，第一相位光柵100及第二相位光柵101之第一類型之區102、104經對準，且第一相位光柵100及第二相位光柵101的第二類型之區103、105經對準，且以上各者可移位至圖12b中描繪之第二位置。在第二位置中，第一相位光柵100的第一類型之區102與第二相位光柵101的第二類型之區105對準且第一相位光柵100的第二類型之區103與第二相位光柵101的第一類型之區104對準。因此，在第一位置中有效地產生λ/2相位光柵且在第二位置中完全不形成相位光柵，因為相同相移引入至所有輻射。因此，在第一位置中，零級輻射穿過組合之相位光柵之透射經最小化，且在第二位置中，零級輻射穿過相位光柵之組合的透射經最大化。

其他或另外，如圖12c中所說明，相位光柵100、101可間隔開距離143以使得相位光柵100、101中之一者或兩者處於另一者之"塔耳波特(Talbot)"平面142或"半塔耳波特 (half-Talbot)"平面141中。一般而言，將塔耳波特平面界定為平坦週期性結構/光柵之影像在結構/光柵由準直輻射光束照明時形成的平面。半塔耳波特平面為在中間一半長度處之平面。平面之間的間距可稱作塔耳波特間距及半塔耳波特間距。相位光柵100、101之間的間隔物可為(例如)空氣(如圖所示)、玻璃或兩者之組合。

圖12a至圖12c展示相位光柵100、101，其配置有光柵之平行後側。此可表示光柵之面對彼此及/或與彼此接觸之基板側(亦即，非圖案化側)。然而，相位光柵100、101同樣可經配置以使得其正面(圖案化側)面對彼此或彼此接觸，或者一個光柵之正面可經配置以面對另一光柵之後側或基板側。在每一情況下，光柵可彼此接觸或以塔耳波特間距或半塔耳波特間距間隔開。

在一項實例中，相位光柵100、101為週期性的且區102至105均具有相同寬度。為了促進製造，光柵週期可大於或遠大於入射輻射之波長。又，可藉由小於或遠小於作為光柵之波長/週期的光柵繞射角之散度來使照明準直。因此，將衰減器置放於用以增加照明散度之調整器AD(圖1)之前可為便利的。

在一例示性實施例中，塔耳波特平面及半塔耳波特平面之位置由表達式s=m p²/λ近似給出，其中自參考光柵量測出s，p為光柵週期，λ為入射輻射之波長且m為整數(1、2、3…等)。奇數值之m表示半塔耳波特平面/間隔且偶數值之m表示全塔耳波特平面。對於光柵由氣隙間隔開之情況，對於λ=193 nm且p=10 μm，s=m*518 μm。為了達成良好效率，在此實例中，光柵應定位於塔耳波特平面及半塔耳波特平面之約2 μm內。若間隙由諸如玻璃之光柵基板材料填充，則間隔將與填充材料之折射率成比例地增大。

因此，如圖13中所描繪，本發明之第六實施例之可變衰減器110包含兩個λ/4相位光柵111、112。兩個光柵111、112互相平行地配置，且致動器系統113經組態以調整相位光柵之相對位置從而使該兩個光柵在上文關於圖12a及圖12b而論述之第一位置與第二位置之間切換。可進行此以使得可變衰減器之透射位準受控於最小透射位準與最大透射位準之間。致動器系統113可(例如)包含能夠快速且準確地控制兩個相位光柵111、112之相對位置的複數個壓電致動器。或者，致動器可為電磁的。

為了維持可達到之對比位準，可提供具有孔徑117之障壁116，其僅允許零級輻射作為來自可變衰減器之輸出輻射光束118而通過。

可添加透鏡系統以幫助將所要零級光束與其他級光束分離。雖然該配置可能會添加複雜性，但其可縮短光柵112與光闌116之間的距離。

提供用以產生對於致動器系統113為必要之控制信號的控制器114。控制器114可包括含有校準資料之記憶體115，該校準資料使待提供給致動器系統113之控制信號與可變衰減器110對於輸入輻射光束115之透射位準相關。

實施例7

圖14描繪根據本發明之第7實施例之可變衰減器120。第七實施例之可變衰減器對應於第六實施例之可變衰減器，例如，第七實施例之可變衰減器包含一對互相平行之相位光柵121、122及回應於控制器124所提供之控制信號而控制該對相位光柵之相對位置的致動器系統123。

然而，可變衰減器之第七實施例包括至少一個位置感應器125，其量測第一相位光柵121及第二相位光柵122之實際相對位置。因此，控制器124可判定相位光柵121、122之所要相對位置，從而提供可變衰減器120對於輸入輻射光束126之所要透射位準。隨後其向致動器系統123提供對於使所要相對位置與量測得之相對位置之間的差異最小化為必要的控制信號。

位置感應器系統可包含一或多個電容感應器且經簡單組態以量測相位光柵121、122在相位光柵之相對移動之方向上的相對位置，該相對移動對於在圖12a及圖12b中所描繪之第一位置與第二位置之間切換為必要的。然而，另外，位置感應器可監測相位光柵121、122之間隔及/或相位光柵121、122之相對角。因此，控制器124可向致動器系統123提供控制信號以調整相位光柵121、122之間隔及/或相位光柵121、122之相對角。此為有益的，因為為了對於本發明之包含兩個相位光柵的可變衰減器中之任一者提供最大及最小透射位準，相位光柵121、122應保持為儘可能接近於平行且應以由所謂之塔耳波特平面或由半塔耳波特平面近似之特定距離而非常接近地間隔或分隔開。在後者之情況下，最大透射位準與最小透射位準所需的相位光柵121、122之相對位置經互換。

實施例8

圖15描繪根據本發明之第八實施例之可變衰減器130。如圖所描繪，第八實施例對應於本發明之第六及第七實施例，第八實施例包含兩個相位光柵131、132、用於調整相位光柵131、132之相對位置之致動器系統133及向致動器系統133提供控制信號之控制器135。

在第八實施例中，第二輻射光束136經導向通過相位光柵131、132且由輻射偵測器137檢驗。如同涉及第二輻射光束之先前實施例之情況一樣，第二輻射光束136可具有與待由可變衰減器130控制之輻射光束138不同的波長。同樣地，可將第二輻射光束136之輻射源139配置於可變衰減器130內或可配置於可變衰減器外部或可變衰減器所用於之微影裝置的外部。輻射源139與偵測器137之位置可互換。

第二輻射光束136於遠離待控制之輻射光束138的獨立位置處通過相位光柵131、132。因此，第二輻射光束不干涉待控制之輻射光束138。對通過相位光柵131、132之第二輻射光束之檢驗提供對可變衰減器對於彼輻射光束的透射位準的直接量測。如同先前實施例之情況一樣，可提供第二偵測器以在輻射通過相位光柵131、132之前對其加以檢驗以提供輻射強度在通過可變衰減器之前與之後的準確比較。

控制器135可利用來自輻射偵測器137之資料以控制致動器系統133，從而提供可變衰減器130對於待控制之輻射光束138的所需透射位準。若第二輻射光束136之輻射不同於待控制之輻射光束138之輻射，則可變衰減器130對於第二輻射光束136的透射位準可能不直接反映可變衰減器130對於待控制之輻射光束138的透射位準。然而，控制器135可具備計算模組，該計算模組可自可變衰減器130對於第二輻射光束136的透射位準計算可變衰減器130對於待控制之輻射光束138的透射位準。或者，控制器可包括含有校準資料之記憶體，該校準資料使可變衰減器130對於第二輻射光束136的透射位準與可變衰減器130對於待控制之輻射光束138的透射位準相關。

如圖15中所描繪，可變衰減器130可包含經配置以於不同位置處通過相位光柵131、132之複數個第二輻射光束及對應偵測器。藉由比較可變衰減器對於不同位置處之第二輻射光束的透射位準，控制器可判定對於相位光柵131、132之間隔及/或相對角所需的調整，且向致動器系統133提供必需之控制信號。

在微影裝置之環境中或在更為一般之環境中，為了達成增加之動態範圍及/或解析度，可以串聯方式配置上文所述之衰減器中之任何一或多者(以使得待衰減之輻射相繼通過該等衰減器)。

實施例9

圖16描繪根據本發明之第九實施例之可變衰減器140。第九實施例對應於上文論述之第四實施例，其中藉由利用部分反射器144將輻射光束141劃分為第一輻射光束路徑142及第二輻射光束路徑143且在第二部分反射器145處重組第一輻射光束路徑142及第二輻射光束路徑143以使得其干涉。如同第四實施例之情況一樣，可提供輻射光束轉儲器件146以吸收可變衰減器140所斥拒之輻射。

如同第四實施例之情況一樣，第九實施例藉由調整第一光束路徑142與第二光束路徑143之相對路徑長度以使得當輻射於第二部分反射器145處經重組時，來自第一輻射光束路徑142及第二輻射光束路徑143的輻射以相長方式或相消方式干涉而調整自可變衰減器140輸出之輻射之強度。

第九實施例關於經提供以調整第一輻射光束路徑之路徑長度之方式而不同於第四實施例。特定言之，第九實施例經配置以使得第一輻射光束路徑142中之輻射在第一反射器151與第二反射器152之間反射複數次。因此，可藉由改變第一反射器151與第二反射器152之間的間隔而改變第一輻射光束路徑142之路徑長度。

在圖16所描繪之配置中，舉例而言，固定第一反射器151之位置且可借助於致動器系統153調整第二反射器152之位置。然而，應瞭解，在其他組態中，任一反射器可經致動或者兩個反射器均可經致動以控制反射器之間隔。另外，致動器系統可經組態以調整第一反射器151與第二反射器152之相對定向。

以與上文關於第四實施例所描述相同的方式，致動器系統可由可包括用以儲存校準資料之記憶體155之控制器154控制，該校準資料使提供至致動器系統153之控制信號與可變衰減器140對於輻射光束141的透射位準相關。

藉由使輻射在兩個反射器151、152之間反射多次，第一輻射光束路徑142之路徑長度對於反射器之給定移動的總改變大於第四實施例對於對應反射器移動而達成之路徑長度的改變。因此，在第九實施例中用於調整路徑長度之系統與提供於第四實施例中之系統相比較具回應性。應瞭解，在第一輻射光束路徑142內於兩個反射器151、152之間的反射數目愈大，可變衰減器140對於單一反射器之移動愈具回應性。

一般而言，在系統中反射器之所需移動之量愈小，其可愈簡單且愈迅速地起作用。舉例而言，用於第四及第九實施例中之致動器系統可包括一或多個壓電致動器。特定言之，反射器及致動器系統可包括形成於基板上、研磨至所需表面平坦度且由形成反射器之反射塗層而塗佈的壓電材料層。可在壓電材料之每一側上提供電極，從而提供控制信號來控制壓電材料。然而，塗佈於壓電材料之一側上以充當反射器之反射材料層可用作電極中之一者。

為了使壓電材料之回應速度最大化，必須將壓電材料層製作為儘可能薄，例如，約40 μm至80 μm。然而，致動壓電材料所需之電功率隨著其變得較薄而增大。增大在微影系統中致動壓電致動器所需之功率為不合需要的，因為其增加向壓電致動器提供所需控制信號的難度且增加必須自系統耗散而不有害地影響微影裝置之效能的熱量。因此，諸如第九實施例之配置的配置可為有益的，在該配置中，第一輻射光束路徑142對於壓電致動器之給定致動之路徑長度改變的程度及因此切換速度可得以最大化。

然而應瞭解，當對系統進行組態(特定言之，判定在第一輻射光束路徑142中於第一反射器151與第二反射器152之間反射之數目)時，必須考慮到，雖然可藉由增加第一輻射光束路徑142於第一反射器151與第二反射器152之間的反射數目來使切換速度最大化，但反射器之位置之任何誤差的影響亦將增大。

應瞭解，可將上文關於第四實施例及第五實施例(其為第四實施例之變化)而描述之第四實施例的變化及修改中之任何者或所有應用於第九實施例，特定言之以改良對致動器系統之控制的準確性。

在以上描述中，已描述用於諸如圖5中所描繪之輻射劑量控制系統之輻射劑量控制系統中的可變衰減器，該等可變衰減器可迅速地調整通過其之輻射光束之衰減。舉例而言，在該系統中，輻射光束之第一脈衝未衰減地通過可變衰減器13，但對關於該脈衝之能量之精確量測經判定，且後續輻射脈衝藉由可變衰減器13而衰減以使得兩個脈衝中之總能量較為接近地對應於可藉由利用經組態以在單一脈衝中提供所需輻射劑量之習知輻射源而達成之所需輻射劑量。

然而，亦可在用於微影裝置內之其他輻射劑量控制系統中利用上文所述之可變衰減器。該替代輻射劑量控制系統之一實例描繪於圖17中。如圖所示，輻射光束160由(例如)照明系統161所提供。輻射光束通過部分反射器162，該部分反射器162允許大部分輻射光束通過但使輻射光束之部分轉向至輻射偵測器164。如同圖5描繪之輻射劑量控制系統之情況一樣，照明系統161提供脈衝輻射光束160且偵測器164經組態以判定每一輻射脈衝內的能量。

通過部分反射器162之輻射165在傳遞至可變衰減器167之前傳遞至光學延遲裝置166中。由觸發器單元168控制可變衰減器167。觸發器單元168自偵測器164接收對輻射脈衝中之總能量之量測且自控制器170接收表示輻射脈衝中所需的總能量之控制信號。由此，觸發器單元168判定對於輻射脈衝所需之衰減且向可變衰減器167提供必需控制信號以使得在自光學延遲裝置166接收到輻射之脈衝時對其進行適當衰減。

應瞭解，由光學延遲裝置166提供之延遲必須足以提供用於使偵測器164判定來自輻射脈衝之能量、觸發器單元168判定所需衰減且使可變衰減器167改變至所需衰減位準的時間。同樣，應瞭解，可變衰減器167必須經組態以足夠迅速地在衰減狀態之間切換以使得其可在輻射光束之連續脈衝之間進行切換。該系統允許提供脈衝中之每一者具有所需劑量的脈衝輻射光束。因此，可藉由利用單一輻射脈衝而非利用如同在利用如圖5中所描繪之輻射劑量控制系統時所需的兩個脈衝來形成待形成於基板上之每一圖案。

若切換可變衰減器167之速度足夠快且其能夠實質上防止輻射光束之透射(亦即，其具有非常高之對比率)，則可利用圖17中所描繪的輻射控制系統之又一變體。在該變體中，偵測器164經組態以隨著輻射脈衝在其持續時間內變化而向觸發器單元168提供輻射脈衝之強度量測。觸發器單元168整合輻射脈衝之量測得之強度直至輻射脈衝中的總能量達到所需輻射劑量為止。此時，觸發器單元168向可變衰減器167發送控制信號以自對於輻射光束的最大透射率之狀態切換至最小透射率之狀態，從而輻射脈衝經調整以提供具有所需劑量之輸出輻射脈衝。

雖然在此正文中可特定參考微影裝置於製造特定器件(例如，積體電路或平板顯示器)之過程中的利用，但應瞭解，本文描述之微影裝置可具有其他應用。應用包括(但不限於)製造積體電路、積體光學系統、磁域記憶體之導引與偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微機電器件(MEMS)、發光二極體(LED)等。又，(例如)在平板顯示器中，本發明之裝置可用以幫助產生多種層，例如，薄膜電晶體層及/或彩色濾光片層。

雖然上文特定參考本發明之實施例在光學微影之環境中的利用，但應瞭解，本發明可用於環境允許之例如壓模微影之其他應用中，且本發明並不限於光學微影。在壓模微影中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入供應至基板之抗蝕劑層中，其中在該基板上藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而使抗蝕劑固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化器件移出抗蝕劑以於其中留下圖案。

結論

雖然上文已描述本發明之各種實施例，但應瞭解其僅以實例且非限制之方式提出。熟習相關技術者將顯而易見，可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下對本發明進行形式及細節上之各種改變。因此，本發明之廣度及範疇不應由上文所述之例示性實施例中之任一者限制，而是應僅根據以下申請專利範圍及其等效物而界定。

應瞭解，[實施方式]章節意欲用以解釋申請專利範圍，且並非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可陳述一或多個而非全部如發明者所涵蓋的本發明之例示性實施例，且因此[發明內容]及[中文發明摘要]章節不欲以任何方式限制本發明及所附申請專利範圍。

1‧‧‧微影裝置

10‧‧‧輻射光束

11‧‧‧照明系統

12‧‧‧部分反射器

13‧‧‧可變衰減器

14‧‧‧輻射偵測器

15‧‧‧劑量控制器

16‧‧‧輻射光束

17‧‧‧個別可控元件之陣列

20‧‧‧可變衰減器

21‧‧‧輻射光束

22‧‧‧部分反射器

23‧‧‧部分反射器

24‧‧‧致動器系統

25‧‧‧控制器

26‧‧‧記憶體

32‧‧‧部分反射器

33‧‧‧部分反射器

34‧‧‧致動器系統/致動器

35‧‧‧控制器

36‧‧‧位置感應器

40‧‧‧可變衰減器

41‧‧‧輻射光束

42‧‧‧部分反射器

43‧‧‧部分反射器

44‧‧‧致動器系統

45‧‧‧控制器

46‧‧‧第二輻射光束

47‧‧‧輻射偵測器

48‧‧‧輻射源

49‧‧‧部分反射器

50‧‧‧光電二極體

51‧‧‧電荷耦合器件(CCD)

60‧‧‧可變衰減器

61‧‧‧輻射光束

62‧‧‧第一光束路徑/第一輻射光束路徑/第一路徑長度

63‧‧‧第二光束路徑/第二輻射光束路徑

64‧‧‧部分反射器

65‧‧‧第二部分反射器

66‧‧‧輸出輻射光束

67‧‧‧反射器

68‧‧‧致動器系統

69‧‧‧輻射光束轉儲器件

70‧‧‧控制器

71‧‧‧記憶體

80‧‧‧可變衰減器

81‧‧‧輸入輻射光束

82‧‧‧第一輻射光束路徑

83‧‧‧第二輻射光束路徑

84‧‧‧第一部分反射器

85‧‧‧第二部分反射器

86‧‧‧輸出輻射光束

87‧‧‧反射器/鏡面

88‧‧‧致動器系統

90‧‧‧控制器

91‧‧‧第二輻射光束

92‧‧‧輻射偵測器

93‧‧‧反射器

94‧‧‧反射器

95‧‧‧輻射源

100‧‧‧第一相位光柵

101‧‧‧第二相位光柵

102‧‧‧第一區/第一類型之區

103‧‧‧第二區/第二類型之區

104‧‧‧第一類型之區

105‧‧‧第二類型之區

110‧‧‧可變衰減器

111‧‧‧λ/4相位光柵

112‧‧‧λ/4相位光柵

113‧‧‧致動器系統

114‧‧‧控制器

115‧‧‧記憶體/輸入輻射光束

116‧‧‧障壁/光闌

117‧‧‧孔

118‧‧‧輸出輻射光束

120‧‧‧可變衰減器

121‧‧‧第一相位光柵

122‧‧‧第二相位光柵

123‧‧‧致動器系統

124‧‧‧控制器

125‧‧‧位置感應器

126‧‧‧輸入輻射光束

130‧‧‧可變衰減器

131‧‧‧相位光柵

132‧‧‧相位光柵

133‧‧‧致動器系統

135‧‧‧控制器

136‧‧‧第二輻射光束

137‧‧‧輻射偵測器

138‧‧‧輻射光束

139‧‧‧輻射源

140‧‧‧可變衰減器

141‧‧‧"半塔耳波特"平面/輻射光束

142‧‧‧"塔耳波特(Talbot)"平面/第一輻射光束路徑/第一光束路徑

143‧‧‧距離/第二輻射光束路徑/第二光束路徑

144‧‧‧部分反射器

145‧‧‧第二部分反射器

146‧‧‧輻射光束轉儲器件

151‧‧‧第一反射器

152‧‧‧第二反射器

153‧‧‧致動器系統

154‧‧‧控制器

155‧‧‧記憶體

160‧‧‧輻射光束

161‧‧‧照明系統

162‧‧‧部分反射器

164‧‧‧輻射偵測器

165‧‧‧輻射

166‧‧‧光學延遲裝置

167‧‧‧可變衰減器

168‧‧‧觸發器單元

170‧‧‧控制器

AD‧‧‧調節器

AL‧‧‧透鏡

AS‧‧‧孔徑光闌

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束傳遞系統

BS‧‧‧光束分光器

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

L1‧‧‧第一透鏡

L2‧‧‧第二透鏡

ML‧‧‧透鏡

MLA‧‧‧透鏡陣列

PD‧‧‧圖案化器件

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧定位器

R‧‧‧列

R1‧‧‧列

R2‧‧‧列

S‧‧‧輻射光點

SA‧‧‧陣列

SE‧‧‧光點曝光

SO‧‧‧輻射源

t1‧‧‧厚度

t2‧‧‧厚度

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

θ‧‧‧角

圖1及圖2描繪根據本發明之各種實施例之微影裝置。

圖3描繪根據圖2所示之本發明之一個實施例而將圖案轉移至基板之模式。

圖4描繪根據本發明之一個實施例之光學引擎的配置。

圖5描繪可變衰減器在微影裝置內的根據本發明之利用。

圖6及圖7描繪根據本發明之可變衰減器之第一實施例。

圖8描繪根據本發明之可變衰減器之第二實施例。

圖9a描繪根據本發明之可變衰減器之第三實施例。

圖9b描繪根據本發明之第三實施例之可變衰減器之細即。

圖10描繪根據本發明之可變衰減器之第四實施例。

圖11描繪根據本發明之可變衰減器之第五實施例。

圖12a及圖12b描繪根據本發明之替代類型之可變衰減器的操作原理。

圖12c描繪由塔耳波特間距間隔開之相位光柵。

圖13描繪根據本發明之可變衰減器之第六實施例。

圖14描繪根據本發明之可變衰減器之第七實施例。

圖15描繪根據本發明之可變衰減器之第八實施例。

圖16描繪根據本發明之可變衰減器之第九實施例。

圖17描繪可變衰減器在微影裝置內的根據本發明之替代利用。

上文參看隨附圖式描述本發明之一或多個實施例。在圖式中，相似參考數字可指示相同或在功能上類似之元件。另外，參考數字之最左數位可識別參考數字第一次出現於之圖式。