TW201300556A - 薄膜之蒸鍍方法 - Google Patents

Abstract

一種薄膜之蒸鍍方法，包含下列步驟。提供一基材於一真空腔室內。對真空腔室進行一抽氣處理，以使此真空腔室具有第一壓力。對一薄膜塗料溶液進行一霧化及氣化步驟，以形成複數個薄膜塗料蒸氣分子。使這些薄膜塗料蒸氣分子於真空腔室內擴散。沉積這些薄膜塗料蒸氣分子於基材之一表面上，以形成薄膜鍍覆在此基材之表面上。

Description

薄膜之蒸鍍方法

本發明是有關於一種薄膜之製造方法，且特別是有關於一種薄膜之蒸鍍(evaporation)方法。

隨著可攜式電子裝置的普及，為了維持其外觀，對於這類可攜式電子裝置之外層表面的保護要求也日益提高。目前，為了保護這些電子裝置的外層表面，通常會在電子裝置的外層表面上塗佈一層薄膜，例如抗指紋膜等抗汙薄膜。舉例而言，現在相當流行之觸控式電子裝置的觸控螢幕表面通常均設有一層抗指紋膜，以使螢幕表面在歷經使用者的多次碰觸摩擦後，仍保有良好的顯示品質與操作敏感度。

一般而言，這類表面上所覆蓋的薄膜大都具有良好之抗汙性、可防止指紋沾黏、觸感平滑、可防水排油與透明等特性。此外，這類薄膜對其所覆蓋之裝置的外層表面需具有高附著力，以延長薄膜之使用壽命。

目前，於待處理基材之表面塗佈薄膜之方式主要有四種。第一種方式係真空蒸鍍方式，其係在真空環境下，於基材之下方加熱薄膜塗料，使薄膜塗料氣化而上升附著在基材之下表面上，進而在基材之下表面上覆蓋一層薄膜。然而，此種塗佈方式僅可進行基材的單一表面塗佈，不適合應用來塗佈具複雜結構之基材。此外，在此種塗佈方式中，由於受熱後氣化之塗料具有由下而上的方向性，因此基材對於其上方之另一基材具有遮蔽性，故此塗佈方式一次蒸鍍所能處理的基材有限。另一方面，此種加熱蒸鍍製程要求之真空度較高，因此需耗費較多的時間與成本來達到與維持反應所需之真空度。再者，此蒸鍍設備造價昂貴，使得製程成本大幅提高。

第二種方式係浸潤塗佈(dipping coating)方式，其係將待處理基材浸入薄膜塗料溶液中，再將待處理基材自薄膜塗料溶液中取出，藉此使薄膜塗料塗覆在待處理基材之表面上。此種塗佈方式可對待處理基材進行多面塗佈，但設備體積較為龐大。

第三種方式為噴霧式塗佈(spray coating)方式，其係以噴霧裝置直接朝待處理基材之表面噴射，而將薄膜塗料噴塗在待處理基材之表面上，藉以在待處理基材之表面上塗佈一層薄膜。然而，噴霧裝置所噴出之薄膜塗料大都在尚未氣化前便已接觸到待處理基材之表面，因而噴霧裝置所噴出之霧滴會滴在基材之待塗佈之表面上。如此一來，將導致所形成之保護膜的均勻性不佳。

第四種方式為刷塗(brush coating)法，其係以刷子直接將薄膜塗料塗設在待處理基材之表面上。然而，這樣的塗佈方式常會在相鄰之二塗刷區域之相鄰處上產生重覆塗佈的現象，導致所形成之薄膜不均勻。

因此，本發明之一態樣就是在提供一種薄膜之蒸鍍方法，其基材表面的清潔、改質與鍍膜可在同一真空腔室中臨場(in-situ)進行，故可提高製程的可靠度，並可縮短製程時間。

本發明之另一態樣是在提供一種薄膜之蒸鍍方法，其薄膜塗料蒸氣分子可擴散於真空腔室內，因此可進行無方向性的鍍膜，如此一來可進行具複雜結構之基材的表面鍍膜處理。

本發明之又一態樣是在提供一種薄膜之蒸鍍方法，其薄膜塗料蒸氣分子可均勻散佈於真空腔室內，因此可一次進行大量基材之表面鍍膜處理。

本發明之再一態樣是在提供一種薄膜之蒸鍍方法，其無需如習知加熱蒸鍍製程需高度真空的反應室，因此可大幅降低製程成本。

本發明之再一態樣是在提供一種薄膜之蒸鍍方法，其真空腔室內之壓力高於習知加熱蒸鍍製程之真空腔室，因此薄膜塗料蒸氣分子在真空腔室內之碰撞頻率較高，使得薄膜塗料蒸氣分子可快速移動充滿真空腔室，而可提高真空腔室內之薄膜塗料蒸氣分子的均勻度，進而可增進基材之表面上所鍍覆之薄膜的厚度均勻性。

根據本發明之上述目的，提出一種薄膜之蒸鍍方法，包含下列步驟。提供一基材於一真空腔室內。對真空腔室進行一抽氣處理，以使此真空腔室具有第一壓力。對一薄膜塗料溶液進行一霧化及氣化步驟，以形成複數個薄膜塗料蒸氣分子。使這些薄膜塗料蒸氣分子於真空腔室內擴散。沉積這些薄膜塗料蒸氣分子於基材之一表面上，以形成薄膜鍍覆在此基材之表面上。

依據本發明之一實施例，上述之第一壓力可小於9×10^-1torr。

依據本發明之另一實施例，當薄膜塗料蒸氣分子於真空腔室內擴散時，此真空腔室具有一第二壓力，其中此第二壓力可小於760torr。

依據本發明之又一實施例，於上述之抽氣處理與霧化及氣化步驟之間，此薄膜之蒸鍍方法更包含對基材之表面進行一電漿處理，藉以在此基材之表面上形成複數個官能基，這些官能基可包含複數個氫氧官能基、複數個氮氫官能基、複數個羧基、複數個鹵素官能基、複數個氫官能基及/或複數個空懸鍵。

依據本發明之再一實施例，進行上述之電漿處理時，更包含在真空腔室內形成一電漿或一離子源。

依據本發明之再一實施例，進行上述之電漿處理時，更包含在真空腔室外形成一電漿或一離子源，再將電漿或離子源導入真空腔室中。

依據本發明之再一實施例，進行上述之電漿處理時，真空腔室具有一第三壓力，且此第三壓力之範圍可從1×10^-2torr至10torr。

依據本發明之再一實施例，上述之薄膜可為抗汙薄膜，且此薄膜塗料溶液包含一抗汙塗料與一溶劑，且此溶劑包含一高揮發性液體及/或水。

依據本發明之再一實施例，上述之抗汙塗料之材料可包含氟碳矽烴類化合物、全氟碳矽烴類化合物、氟碳矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴醚類化合物、含氯基全氟矽烷烴醚類化合物、或含氯基全氟矽烷烴醚類化合物。

依據本發明之再一實施例，上述之高揮發性液體在常溫下之蒸氣壓比水的蒸氣壓大，且此高揮發性液體可選自於由醇類、醚類、烷類、酮類、苯類、含氟基醇類、含氟基醚類、含氟基烷類、含氟基酮類與含氟基苯類所組成之一族群。

依據本發明之再一實施例，上述之霧化及氣化步驟可在真空腔室內或真空腔室外進行。

依據本發明之再一實施例，上述使該些薄膜塗料蒸氣分子於該真空腔室內擴散之步驟包含將一輔助氣體加入該真空腔室中，以加速該些薄膜塗料蒸氣分子的擴散與均勻性。

請參照第1圖、第2A圖與第2B圖，其中第1圖係繪示依照本發明一實施方式的一種薄膜之蒸鍍方法的流程圖，第2A圖係繪示依照本發明之一實施方式的一種薄膜蒸鍍設備的裝置示意圖，且第2B圖係繪示依照本發明之另一實施方式的一種薄膜蒸鍍設備的裝置示意圖。本實施方式之薄膜之蒸鍍方法100可在如第2A圖所示之蒸鍍設備200a、或第2B圖所示之蒸鍍設備200b中實施。

在一實施例中，如第2A圖所示，蒸鍍設備200a主要可包含真空腔室202、霧化裝置206、排氣系統208、進氣系統218、以及承載元件210。此外，蒸鍍設備200a更可根據製程需求，而選擇性地包含電漿裝置204、壓力計220與儲液桶212。

真空腔室202可提供密閉的處理空間。進氣系統218可將所需之工作氣體載入真空腔室202內，而排氣系統208可將多餘的工作氣體或廢氣排出真空腔室202。藉由排氣系統208，可將真空腔室202內之氣體抽出，而可降低真空腔室202內的壓力。儲液桶212可儲放薄膜塗料溶液214，並可藉由連通儲液桶212與霧化裝置206之輸送管路232，而將薄膜塗料溶液214輸送至霧化裝置206。儲液桶212與霧化裝置206之間的輸送管路232上更設有閥216，用以控制薄膜塗料溶液214從儲液桶212至霧化裝置206的傳送。

薄膜塗料溶液214可包含薄膜塗料與溶劑。薄膜塗料溶液214之溶劑可例如包含高揮發性液體、水、或高揮發性液體與水所混合而成之液體。在一實施例中，當欲鍍覆在基材222表面上之薄膜為抗汙薄膜，薄膜塗料溶液214之薄膜塗料包含抗汙塗料。此抗汙塗料之材料可例如包含氟碳矽烴類化合物、全氟碳矽烴類化合物、氟碳矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴醚類化合物、含氯基全氟矽烷烴醚類化合物、或含氯基全氟矽烷烴醚類化合物。

在一實施例中，高揮發性溶劑之性質為常溫下液體狀態、具有穩定的化學結構、具有高揮發性、低沸點、透明無色、以及對生物無明顯傷害性的液體。在一較佳實施例中，高揮發性液體在常溫下之蒸氣壓比水的蒸氣壓大，且此高揮發性液體可選自於由醇類、醚類、烷類、酮類、苯類、含氟基醇類、含氟基醚類、含氟基烷類、含氟基酮類與含氟基苯類所組成之一族群。

承載元件210係用以裝載一或多個基材222，並在製程期間支撐基材222。壓力計220則係用以量測真空腔室202內之壓力。承載元件210可例如為承載架或承載盤。此外，承載元件210可為具有開口之鏤空平板，以使基材222與承載元件210接合表面的部分不會受到承載元件210遮蔽，而可進行蒸鍍。

在蒸鍍設備200a中，電漿裝置204與霧化裝置206均設置在真空腔室202內。電漿裝置204可用以產生電漿，以利用所產生之電漿對基材222之表面進行清潔與表面改質處理，藉此活化基材222之表面。霧化裝置206係用以將薄膜塗料溶液214霧化成薄膜塗料霧氣224。霧化裝置206可例如為超音波霧化裝置、加熱霧化裝置、高壓噴霧裝置、或噴嘴霧化裝置。

本發明之蒸鍍設備的電漿裝置與霧化裝置亦可設置在真空腔室外，其中電漿裝置所產生之電漿、以及霧化裝置所形成之薄膜塗料霧氣可分別藉由輸送管路而傳送至真空腔體內。在另一些實施例中，本發明之蒸鍍設備的電漿裝置與霧化裝置之一者可設置在真空腔室內，而另一者則可設置在真空腔室外。

舉例而言，如第2B圖所示，蒸鍍設備200b的架構大致上與上述實施例之蒸鍍設備200a相同，二蒸鍍設備200a與200b之間的差異在於蒸鍍設備200b之霧化裝置206係設置於真空腔室202外，且霧化裝置206與真空腔室202之間以輸送管路230來加以連通。此外，霧化裝置206與真空腔室202之間的輸送管路230上設有閥228，以控制霧化裝置206所形成之薄膜塗料霧氣224及/或薄膜塗料蒸氣分子226從霧化裝置206至真空腔室202的傳送。

如第1圖所示，進行本實施方式之薄膜之蒸鍍方法100時，可先如同步驟102所述，提供一或多個基材222，並利用承載元件210來裝載這些基材222。在一實施例中，基材222可例如為保護玻璃、塑膠基材、強化玻璃或金屬基材。在一些例子中，基材222可為具簡單結構的板狀物，例如玻璃板。在另一些例子中，基材222亦可為具複雜結構的物件，例如電子元件之殼體或球具。然後，利用承載元件210將這些基材222傳送至蒸鍍設備200之真空腔室202中。

接下來，如同步驟104所述，利用排氣系統208，對真空腔室202進行抽氣處理，以抽出真空腔室202內之氣體。經抽氣處理後，真空腔室202內具有一壓力。在一實施例中，經抽氣處理後，此時真空腔室202之壓力可例如小於9×10^-1torr。此外，經抽氣處理後，真空腔室202內可能仍具有一些殘留氣體，例如空氣或水氣等。

在本實施方式中，進行薄膜的塗佈時，可根據製程需求，而如第1圖之步驟106所述，先選擇性地利用電漿裝置204所產生之電漿或離子源，來對基材222之表面進行清潔與表面改質處理，藉以活化基材222之表面。電漿處理步驟106時，由於進氣系統218將工作氣體導入真空腔室202中，故此時真空腔室202內所具有之壓力可能會略高於抽氣處理步驟104後之真空腔室202的壓力。在一實施例中，電漿處理步驟106時之真空腔室202內的壓力範圍可例如從1×10^-2torr至10torr。此電漿處理步驟106所使用之電漿可例如為直流電漿、交流電漿、脈衝電漿、高週波電漿或微波電漿。

在一例子中，電漿處理步驟106用來產生電漿或離子源之工作氣體可包含氧氣(O₂)、氬氣(Ar)、氮氣(N₂)、二氧化碳(CO₂)、一氧化碳(CO)、胺(NH₂)、空氣、氫氣(H₂)、水氣、或上述氣體之組合。在另一例子中，電漿處理步驟106可直接使用抽氣處理步驟104後殘留在真空腔室202內的氣體來做為工作氣體。

在一示範實施例中，此電漿處理步驟104可例如分成二個階段，其中第一個階段為基材222表面之清潔處理，而第二個階段為基材222之表面改質處理。此二階段可使用不同之工作氣體。舉例而言，當基材222為金屬時，第一階段的電漿清潔處理可使用氫氣來做為產生電漿或離子源之工作氣體；而第二階段之基材222表面改質處理則可使用水氣來做為產生電漿或離子源之工作氣體。在另一些實施例中，電漿處理步驟104可採用二種以上的工作氣體。

在一實施例中，基材222表面經電漿活化後，可在基材222表面上形成數個官能基。經電漿處理步驟106後，基材222表面上所產生之官能基較佳係可以與後續形成之薄膜塗料蒸氣分子226形成鍵結之官能基，例如包含氫氧官能基、氮氫官能基、羧基、鹵素官能基、氫官能基及/或空懸鍵。

在一實施例中，當基材222之材料或其表面材料為官能基不易附著的材料時，例如高分子材料，可在電漿處理步驟106前，先利用例如濺鍍、蒸鍍、化學氣相沉積或物理氣相沉積等方式，先於基材222表面上披覆一層薄薄的改質膜，以改變基材222之表面的特性。此改質膜可例如為金屬膜、氧化金屬膜、陶瓷膜、含矽或矽氧之薄膜、或玻璃等可改變基材表面之特性的薄膜。

在一實施例中，當蒸鍍設備200a之電漿裝置204係設置於真空腔室202內時，電漿處理步驟106係在真空腔室202內形成電漿或離子源。在另一實施例中，當電漿裝置204係設置於真空腔室202外時，電漿處理步驟106係先在真空腔室202外形成電漿或離子源，再利用連通電漿裝置204與真空腔室202之輸送管路，來將所形成之電漿或離子源從電漿裝置204導入真空腔室202中。

完成基材222之電漿處理步驟106後，可先利用排氣系統208將真空腔室202內的殘留氣體抽出，並調整真空腔室202內的壓力後，再進行薄膜的蒸鍍。在一實施例中，請一併參照第1圖與第2A圖，先利用霧化裝置206霧化薄膜塗料溶液214，以在真空腔室202內產生許多薄膜塗料霧氣224。由於薄膜塗料溶液214之溶劑可包含高揮發性溶劑及/或水，因此溶劑可帶動分子較大之薄膜塗料，而有助於將薄膜塗料溶液214霧化轉化成薄膜塗料霧氣224。隨後，因薄膜塗料霧氣224中之溶劑快速揮發，可使薄膜塗料霧氣224變成薄膜塗料蒸氣分子226。

由於在蒸鍍設備200a中，霧化裝置206係設置在真空腔室202內，因此這些薄膜塗料霧氣224、以及隨後由薄膜塗料霧氣224所轉變而成之薄膜塗料蒸氣分子226係產生於真空腔室202內。亦即，在此實施方式中，薄膜塗料溶液214之霧化及氣化步驟108係在真空腔室202內進行。

在另一實施方式中，請參照第2B圖，由於蒸鍍設備200b之霧化裝置206係設置在真空腔室202外，因此在薄膜塗料溶液214的霧化及氣化步驟108中，薄膜塗料霧氣224、以及隨後由薄膜塗料霧氣224所轉變而成之薄膜塗料蒸氣分子226係產生於真空腔室202外，再透過輸送管路230將所產生之薄膜塗料蒸氣分子226導入真空腔室202中。也就是說，在此實施方式中，薄膜塗料溶液214之霧化及氣化步驟108係在真空腔室202外進行。

接著，如第1圖之步驟110所述，由於真空腔室202內之壓力較外界壓力低，亦即真空腔室202係一負壓腔室，因此薄膜塗料蒸氣分子226形成於真空腔室202內、或進入真空腔室202內時，可快速擴散而均勻分佈於整個真空腔室202內。此外，由於真空腔室202內之壓力較低，使得薄膜塗料蒸氣分子226可快速移動充滿真空腔室202，提高鍍膜均勻性。此外，更可降低塗料的浪費，而減少所需之塗料。在一實施例中，當這些薄膜塗料蒸氣分子226於真空腔室202內擴散時，此時真空腔室202內的壓力可例如小於760torr。

在另一實施例中，此蒸鍍方法100更可在擴散薄膜塗料蒸氣分子226的步驟110期間，另外於真空腔室202中加入輔助氣體，以增加真空腔室202內之所有氣體的碰撞頻率，藉以加速薄膜塗料蒸氣分子226的擴散。輔助氣體較佳係選用不會與薄膜塗料蒸氣分子226快速產生反應的氣體，例如氮氣。而氯氣或酒精等會與薄膜塗料蒸氣分子226快速產生反應的氣體，則不適合做為輔助氣體。在一些實施例中，輔助氣體可例如為氧氣、氬氣、氮氣、二氧化碳、一氧化碳、胺、空氣、氫氣、水氣、或這些氣體的組合。

然後，如同步驟112所述，由於薄膜塗料霧氣224中之溶劑易揮發，因此散佈在真空腔室202內的薄膜塗料霧氣224在溶劑揮發後便會氣化成薄膜塗料蒸氣分子226。這些均勻分佈在真空腔室202內之薄膜塗料蒸氣分子226與基材222接觸後，便沉積在基材222之表面上，進而在所有基材222之表面上形成薄膜。

在另一些實施例中，更可利用例如加熱器，來提供適當輻射熱，以加熱薄膜塗料霧氣224、輔助氣體及/或薄膜塗料蒸氣分子226。輻射熱的加入，不僅可在霧化及氣化步驟中加速薄膜塗料霧氣224轉化成薄膜塗料蒸氣分子226，更可在擴散薄膜塗料蒸氣分子226期間增加薄膜塗料蒸氣分子226與輔助氣體的擴散速率。藉此，可更進一步加速薄膜塗料蒸氣分子226在真空腔室202中的擴散。此外，輻射熱的加入亦可在薄膜塗料蒸氣分子226沉積過程中，加速薄膜塗料蒸氣分子226與基材222之表面鍵結反應，縮短沉積反應的時間。其中，輻射熱的導入可例如使真空腔室202內的溫度大於室溫，但小於200℃。

在又一些實施例中，可在薄膜塗料蒸氣分子226沉積過程中，利用加熱裝置，例如加熱絲或其內裝載有熱煤油之熱管，來加熱真空腔室202之腔壁，以減少薄膜塗料蒸氣分子226附著在真空腔室202之腔壁內側面上。加熱絲或熱管較佳係設置在真空腔室202外，例如加熱絲可貼設在真空腔室202之腔壁的外側面上，以避免薄膜塗料蒸氣分子226附著，更可防止因熱管破損而導致熱油外漏進而對真空腔室202內造成污染。

在一實施例中，由於基材222之表面已先經電漿活化而具有官能基，因此薄膜塗料蒸氣分子226會以非等向性的方式附著於基材222之表面，並與基材222表面上之官能基產生縮合反應(Condensation Reaction)。藉由這樣的縮合反應，鍍覆在基材222表面上的薄膜可穩固地附著於基材222上。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之一優點就是因為在本發明之薄膜蒸鍍方法中，基材表面的清潔、改質與鍍膜可在同一真空腔室中臨場進行，因此可提高製程的可靠度，並可縮短製程時間。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之另一優點就是因為在本發明之薄膜蒸鍍方法中，薄膜塗料蒸氣分子可快速擴散於真空腔室內，因此可進行無方向性的鍍膜，而可進行具複雜結構之基材的表面鍍膜處理。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之又一優點就是因為在本發明之薄膜蒸鍍方法中，薄膜塗料蒸氣分子可均勻散佈於真空腔室內，因此可一次進行大量基材之表面鍍膜處理。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之再一優點就是因為本發明之薄膜蒸鍍方法無需如習知加熱蒸鍍製程需高度真空的反應室，因此可大幅降低製程成本。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之再一優點就是因為在本發明之薄膜蒸鍍方法中，真空腔室內之壓力高於習知加熱蒸鍍製程之真空腔室，因此薄膜塗料蒸氣分子在真空腔室內之碰撞頻率較高，使得薄膜塗料蒸氣分子可快速移動充滿真空腔室，而可提高真空腔室內之薄膜塗料蒸氣分子的均勻度，進而可增進基材之表面上所鍍覆之薄膜的厚度均勻性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．蒸鍍方法

102．．．步驟

104．．．步驟

106．．．步驟

108．．．步驟

110．．．步驟

112．．．步驟

200a．．．蒸鍍設備

200b．．．蒸鍍設備

202．．．真空腔室

204．．．電漿裝置

206．．．霧化裝置

208．．．排氣系統

210．．．承載元件

212．．．儲液桶

214．．．薄膜塗料溶液

216．．．閥

218．．．進氣系統

220．．．壓力計

222．．．基材

224．．．薄膜塗料霧氣

226．．．薄膜塗料蒸氣分子

228．．．閥

230．．．輸送管路

232．．．輸送管路

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1圖係繪示依照本發明一實施方式的一種薄膜之蒸鍍方法的流程圖。

第2A圖係繪示依照本發明之一實施方式的一種薄膜蒸鍍設備的裝置示意圖。

第2B圖係繪示依照本發明之另一實施方式的一種薄膜蒸鍍設備的裝置示意圖。

100．．．蒸鍍方法

102．．．步驟

104．．．步驟

106．．．步驟

108．．．步驟

110．．．步驟

112．．．步驟

Claims (19)

1. 一種薄膜之蒸鍍方法，包含：提供一基材於一真空腔室內；對該真空腔室進行一抽氣處理，以使該真空腔室具有一第一壓力；對一薄膜塗料溶液進行一霧化及氣化步驟，以形成複數個薄膜塗料蒸氣分子；使該些薄膜塗料蒸氣分子於該真空腔室內擴散；以及沉積該些薄膜塗料蒸氣分子於該基材之一表面上，以形成該薄膜鍍覆在該基材之該表面上。
2. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該第一壓力小於9×10^-1torr。
3. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該些薄膜塗料蒸氣分子於該真空腔室內擴散時，該真空腔室具有一第二壓力，該第二壓力小於760torr。
4. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，於該抽氣處理與該霧化及氣化步驟之間，更包含對該基材之該表面進行一電漿處理，藉以在該基材之該表面上形成複數個官能基，該些官能基包含複數個氫氧官能基、複數個氮氫官能基、複數個羧基、複數個鹵素官能基、複數個氫官能基及/或複數個空懸鍵。
5. 如請求項4所述之薄膜之蒸鍍方法，其中電漿處理時更包含使用一工作氣體，該工作氣體包含氧氣、氬氣、氮氣、二氧化碳、一氧化碳、胺、空氣、氫氣、水氣、或其組合。
6. 如請求項4所述之薄膜之蒸鍍方法，其中進行該電漿處理時，更包含在該真空腔室內形成一電漿或一離子源。
7. 如請求項4所述之薄膜之蒸鍍方法，其中進行該電漿處理時，更包含：在該真空腔室外形成一電漿或一離子源；以及將該電漿或該離子源導入該真空腔室中。
8. 如請求項4所述之薄膜之蒸鍍方法，其中進行該電漿處理時，更包含形成一電漿，且該電漿係直流電漿、交流電漿、脈衝電漿、高週波電漿或微波電漿。
9. 如請求項4所述之薄膜之蒸鍍方法，其中進行該電漿處理時，該真空腔室具有一第三壓力，該第三壓力之範圍從1×10^-2torr至10torr。
10. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該薄膜係一抗汙薄膜，且該薄膜塗料溶液包含一抗汙塗料與一溶劑，且該溶劑包含一高揮發性液體及/或水。
11. 如請求項10所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該抗汙塗料之材料包含氟碳矽烴類化合物、全氟碳矽烴類化合物、氟碳矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴醚類化合物、含氯基全氟矽烷烴醚類化合物、或含氯基全氟矽烷烴醚類化合物。
12. 如請求項10所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該高揮發性液體在常溫下之蒸氣壓比水的蒸氣壓大，且該高揮發性液體係選自於由醇類、醚類、烷類、酮類、苯類、含氟基醇類、含氟基醚類、含氟基烷類、含氟基酮類與含氟基苯類所組成之一族群。
13. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該霧化及氣化步驟係在該真空腔室內進行。
14. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該霧化及氣化步驟係在該真空腔室外進行，且該薄膜之蒸鍍方法更包含將該些薄膜塗料蒸氣分子導入該真空腔室內。
15. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，其中使該些薄膜塗料蒸氣分子於該真空腔室內擴散之步驟包含將一輔助氣體加入該真空腔室中，以加速該些薄膜塗料蒸氣分子的擴散及均勻性。
16. 如請求項15所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該霧化及氣化步驟期間、將該輔助氣體加入該真空腔室中之步驟期間、及/或沉積該些薄膜塗料蒸氣分子之步驟期間，更包含提供一輻射熱。
17. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，在提供該基材於該真空腔室內之步驟與對該真空腔室進行該抽氣處理之步驟之間，更包含形成一改質膜披覆在該基材之該表面上。
18. 如請求項17所述之薄膜之蒸鍍方法，其中該基材之材料或該基材之表面的材料包含一高分子材料，且該改質膜包含一金屬膜、一氧化金屬膜、一陶瓷膜、一含矽或矽氧之薄膜、或一玻璃。
19. 如請求項1所述之薄膜之蒸鍍方法，於沉積該些薄膜塗料蒸氣分子之步驟期間，更包含加熱該真空腔室之一腔壁，以減少該些薄膜塗料蒸氣分子附著於該真空腔室之該腔壁。