TW201643935A - 抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法 - Google Patents

Abstract

一種抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法。抗汙膜之鍍膜模組包含至少一大氣式電漿裝置以及至少一噴霧元件。大氣式電漿裝置適用以對基材之表面進行電漿前處理，以提供基材之表面一能量以及在基材之表面上形成複數個空懸鍵及複數個活性官能基。噴霧元件適用以將抗汙膜塗料溶液霧化成抗汙膜塗料霧氣或氣化成抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經電漿前處理後之基材之表面上，並藉由能量與空懸鍵或活性官能基鍵結而在基材之表面上形成抗汙膜。大氣式電漿裝置之噴口與噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分。

Description

抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方 法

本發明是有關於一種鍍膜技術，且特別是有關於一種抗汙膜(anti-smudge film，AS)之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法。

隨著可攜式電子裝置的普及，對於這類可攜式電子裝置之表面的保護要求也日益提高，以維持其原有之外觀。目前，為了保護這些電子裝置的表面，通常會在電子裝置的表面上塗佈一層薄膜，例如抗指紋膜等抗汙膜。舉例而言，現在相當流行之觸控式電子裝置的觸控螢幕表面通常均設有一層抗指紋膜，以使螢幕表面在歷經使用者的多次碰觸摩擦後，仍可保有良好的顯示品質與操作敏感度。

一般而言，抗汙膜的表面大都具有良好之抗汙性、可防止指紋沾黏、觸感平滑、可防水排油與透明等特性。此外，抗汙膜對其所覆蓋之裝置的表面需具有高附著力，以延長抗汙膜之使用壽命。

目前，大都採用真空蒸鍍方式來於基材之表面上形成抗汙膜。此種方式係在真空環境下，於基材之下方加熱抗汙膜塗料，使抗汙膜塗料氣化而上升附著在基材之表面上，進而在基材之表面上覆蓋一層抗汙膜。然而，此種塗布方式一次僅可塗布基材的單一表面，因而不適合用來塗布具複雜結構之基材。此外，在此種塗佈方式中，由於受熱後氣化之抗汙膜塗料具有由下而上的方向性，因此基材對於其上方之另一基材具有遮蔽性，故此塗布方式一次蒸鍍所能處理的基材有限。另一方面，此種加熱蒸鍍製程要求之真空度較高，因此需耗費較多的時間與成本來達到與維持反應所需之真空度。再者，此蒸鍍設備造價昂貴，使得製程成本大幅提高。

有另一種抗汙膜之塗布技術，其主要係先以常壓電漿進行基材的表面處理，再於基材之表面上塗布抗汙膜塗料層，然後對基材上之抗汙膜塗料層進行熱處理，以完成抗汙膜之鍍膜作業。此熱處理可將抗汙膜塗料層中之多餘溶劑移除，並藉由熱來使抗汙膜塗料層鍵結、熟成、固化或結晶。

雖然此種塗布技術可以取代傳統蒸鍍製程，達到產能提高，並可有效降低成本的目的，但此塗布技術仍需搭配噴塗後以烤箱進行三十分鐘以上的熱烘烤處理。此外，為了要自動化生產，工廠一般會使用隧道式烤箱，長度約十至數十米。因此，這樣的後烘烤處理不僅會嚴重影響整體產 能，造成製程的流暢度下降，且設備占地廣，更耗費大量的能源。

因此，本發明之一目的就是在提供一種抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法，其先對基材之表面進行電漿前處理，以提供基材表面能量並於基材表面上形成空懸鍵(dangling bond)及/或活性官能基，而後隨即形成抗汙膜塗料霧氣或氣體分子沉積於基材之表面上。如此一來，抗汙膜塗料霧氣或氣體分子可在基材表面仍保有足夠能量時，與基材表面之空懸鍵或活性官能基鍵結，而在基材表面上順利形成抗汙膜。故，可省略抗汙膜塗料沉積於基材表面後的後烘烤步驟。

本發明之另一目的是在提供一種抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法，可省略抗汙膜塗料沉積於基材表面後的後烘烤步驟，因此可縮小設備占地空間，節約能源，縮減製程時間，進而可降低製程成本與提升產能。

根據本發明之上述目的，提出一種抗汙膜之鍍膜模組，適用以在基材之表面上形成抗汙膜。抗汙膜之鍍膜模組包含至少一大氣式電漿裝置以及至少一噴霧元件。此大氣式電漿裝置適用以對基材之表面進行電漿前處理，以提供基材之表面一能量以及在基材之表面上形成複數個空懸鍵或複數個活性官能基(如-OH)。此噴霧元件適用以將抗汙膜塗料溶液霧化成複數個抗汙膜塗料霧氣或氣化成複數個抗 汙膜塗料氣體分子，而沉積在經電漿前處理後之基材之表面上，並藉由電漿對基板處理時提供的能量與空懸鍵或活性官能基鍵結而在基材之表面上形成抗汙膜。大氣式電漿裝置之噴口與噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分。

依據本發明之一實施例，上述之抗汙膜之鍍膜模組更包含至少一承載治具，其中大氣式電漿裝置與噴霧元件裝設於此承載治具。

根據本發明之上述目的，另提出一種抗汙膜之鍍膜系統，適用以在基材之表面上形成抗汙膜。此抗汙膜之鍍膜系統包含至少一鍍膜模組以及一移載系統。鍍膜模組包含至少一大氣式電漿裝置以及至少一噴霧元件。大氣式電漿裝置適用以對基材之表面進行電漿前處理，以提供基材之表面一能量以及在基材之表面上形成複數個空懸鍵或複數個活性官能基。噴霧元件適用以將抗汙膜塗料溶液霧化成複數個抗汙膜塗料霧氣或氣化成複數個抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經電漿前處理後之基材之表面上，並藉由基材之表面上的能量與空懸鍵或活性官能基鍵結而在基材之表面上形成抗汙膜。大氣式電漿裝置之噴口與噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分。移載系統適用以移動基材通過鍍膜模組下方。

依據本發明之一實施例，上述之鍍膜模組更包含至少一承載治具，且大氣式電漿裝置與噴霧元件裝設於此承載治具。

依據本發明之另一實施例，上述抗汙膜之鍍膜系統更包含一滑動機構，其中鍍膜模組裝設於此滑動機構，且此滑動機構適用以帶動鍍膜模組該基材之表面之上方滑動。

依據本發明之又一實施例，上述抗汙膜之鍍膜系統更包含一預熱系統，適用以在電漿前處理前，對基材進行預熱處理。

依據本發明之再一實施例，上述抗汙膜之鍍膜系統更包含一上料(loading)系統以及一下料(unloading)系統。上料系統適用以將基材載於移載系統上。下料系統適用以將基材移出移載系統。

根據本發明之上述目的，更提出一種抗汙膜之製造方法。在此抗汙膜之製造方法中，設置至少一鍍膜模組，其中此鍍膜模組包含至少一大氣式電漿裝置以及至少一噴霧元件。利用大氣式電漿裝置對基材之表面進行電漿前處理，以提供基材之表面一能量以及在基材之表面上形成複數個空懸鍵或複數個活性官能基。利用噴霧元件將一抗汙膜塗料溶液霧化成複數個抗汙膜塗料霧氣或氣化成複數個抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經電漿前處理後之基材之表面上，其中電漿前處理與將抗汙膜塗料溶液霧化成抗汙膜塗料霧氣或氣化成抗汙膜塗料氣體分子之步驟之間之一時間間隔小於或等於30秒。抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子利用基材之表面的能量與空懸鍵或活性官能基反應鍵結，而在基材之表面上形成抗汙膜。

依據本發明之一實施例，上述之大氣式電漿裝置之噴口與噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分。

依據本發明之另一實施例，於電漿前處理前，上述抗汙膜之製造方法更包含利用一預熱系統對基材進行一預熱處理。

100‧‧‧鍍膜模組

102‧‧‧基材

104‧‧‧表面

106‧‧‧大氣式電漿裝置

108‧‧‧噴霧元件

110‧‧‧噴口

112‧‧‧噴口

114‧‧‧距離

116‧‧‧移載系統

118‧‧‧承載治具

120‧‧‧移動方向

200‧‧‧鍍膜系統

202‧‧‧基材

204‧‧‧表面

206‧‧‧鍍膜模組

208‧‧‧移載系統

210‧‧‧大氣式電漿裝置

212‧‧‧噴霧元件

214‧‧‧噴口

216‧‧‧噴口

218‧‧‧距離

220‧‧‧輸送帶

222‧‧‧滾輪

224‧‧‧滑動機構

226‧‧‧滑動機構

228‧‧‧治具

230‧‧‧治具

232‧‧‧移動方向

234‧‧‧預熱系統

236‧‧‧上料系統

238‧‧‧下料系統

300‧‧‧步驟

302‧‧‧步驟

304‧‧‧步驟

306‧‧‧步驟

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：〔圖1〕係繪示依照本發明之一實施方式的一種抗汙膜之鍍膜模組的裝置示意圖；〔圖2〕係繪示依照本發明之一實施方式的一種抗汙膜之鍍膜系統的裝置示意圖；以及〔圖3〕係繪示依照本發明之一實施方式的一種抗汙膜之製造方法的流程圖。

有鑑於習知抗汙膜之製造技術於抗汙膜塗料層塗布於基材之表面上後，需對基材上之抗汙膜塗料層再進行熱處理，藉以使抗汙膜鍵結、熟成、固化或結晶。然而，多了這道熱處理會影響整體產能，降低製程的流暢度，增加設備所占之空間，也會耗費大量的能源。因此，本發明在此提出一種抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法，其藉由先 對基材之表面進行電漿前處理，來提供基材表面能量並於基材表面上形成空懸鍵或活性官能基，再於基板表面之能量未消失前，沉積抗汙膜塗料霧氣或氣體分子。藉此，抗汙膜塗料霧氣或氣體分子可利用基材表面之能量與基材上之空懸鍵或活性官能基反應鍵結，順利成長出抗汙膜。因此，本發明實施例的運用，可省略抗汙膜塗料沉積於基材表面後的後烘烤步驟，並可省掉後烘烤設備，而可縮小設備占地空間，節約能源，縮減製程時間，進而可降低製程成本、及提升產能。

請參照圖1，其係繪示依照本發明之一實施方式的一種抗汙膜之鍍膜模組的裝置示意圖。在本實施方式中，抗汙膜之鍍膜模組100可適用以在基材102之表面104上形成抗汙膜。在一些例子中，鍍膜模組100主要包含至少一大氣式電漿裝置106與至少一噴霧元件108。如圖1所示，鍍膜模組100包含一個大氣式電漿裝置106、與一個與此大氣式電漿裝置106對應之噴霧元件108。在另一些示範例子中，鍍膜模組100包含多個大氣式電漿裝置106、以及分別與這些大氣式電漿裝置106對應之多個噴霧元件108。在基材102之鍍膜作業中，大氣式電漿裝置106係設置在對應之噴霧元件108的前端，以在噴霧元件108之前，先對基材102進行處理。

大氣式電漿裝置106可適用以對基材102之表面104進行電漿前處理，藉以在鍍膜前先利用電漿來對基材102之欲鍍膜的表面104進行表面處理。大氣式電漿裝置 106所進行之電漿前處理將基材102之表面104上的微量油汙或髒汙去除。此外，大氣式電漿裝置106所進行之電漿前處理可提供基材102之表面104能量，例如熱能及/或位能。而且，大氣式電漿裝置106所進行之電漿前處理可對基材102之表面104進行表面改質處理，以活化此表面104，藉此在基材102之表面104上形成許多的空懸鍵，或活性官能基，例如羥基(-OH)。在一些示範例子中，大氣式電漿裝置106包含陣列噴射式電漿源、旋轉噴射式電漿源、絕緣障蔽式放電(dielectric barrier discharge，DBD)電漿源或高週波(RF)電漿源。

噴霧元件108設於大氣式電漿裝置106之後方，可用以將抗汙膜塗料溶液霧化成許多抗汙膜塗料霧氣或氣化成許多的抗汙膜塗料氣體分子。這些抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子可朝基材102之表面104飄落，而沉積在經電漿前處理後之基材102的表面104上。在一些示範例子中，抗汙膜塗料之材料可包含氟碳矽烴類化合物、全氟碳矽烴類化合物、氟碳矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴類化合物、或全氟矽烷烴醚類化合物。

在本實施方式中，大氣式電漿裝置106之噴口110與噴霧元件108之噴口112之間的距離114小於20公分。藉由將鍍膜模組100之大氣式電漿裝置106與噴霧元件108鄰接設置，且設計使大氣式電漿裝置106之噴口110與噴霧元件108之噴口112之間的距離114小於20公分，可使得抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子沉積在基材102 之表面104上時，基材102之表面104上仍保有足夠之能量，而使得沉積在基材102之表面104上的抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子可利用留在基材102之表面104上的能量來與表面104上之空懸鍵快速發生縮合反應而形成鍵結，或與表面104上的活性官能基反應鍵結，進而順利在基材102之表面104上形成抗汙膜。

舉例而言，當基材102為玻璃時，玻璃之表面一般含有一層水膜及吸附在水膜上之汙染物，例如有機汙染物。利用大氣式電漿裝置106對玻璃表面進行電漿前處理時，不僅可去除玻璃表面上的有機汙染物，電漿多餘的能量也會移除吸附在玻璃表面上的水膜，而留下玻璃表面上的空懸鍵及活性官能基，例如矽氧烷鍵(Si-O-Si鍵)及矽醇鍵(Si-OH鍵，silanol bonding)。在一些特定例子中，當電漿能量夠高時，甚至也會移除玻璃表面上之矽醇鍵。

由於乾淨的玻璃在空氣中很快就會再形成水膜，因此當表面含有水膜的玻璃欲進行抗汙膜的鍍膜製程時，要使抗汙塗料的分子與玻璃產生鍵結需先將介於抗汙塗料的分子與玻璃之間的水膜移除。因此，習知技術均需將噴塗有抗汙膜塗料的玻璃放到烤箱烘烤，方能使抗汙塗料分子順利在玻璃表面上鍵結。本實施方式利用控制鍍膜模組100之大氣式電漿裝置106之噴口110與噴霧元件108之噴口112之間的距離114，使得玻璃等基材可在電漿前處理後，玻璃吸附水膜前，且電漿提供予玻璃表面之能量尚存前，即使抗汙塗料分子與玻璃表面接觸。藉此設計，抗汙塗料分子 與玻璃便可利用留存在玻璃表面上的能量，在室溫環境下快速發生縮合反應而形成鍵結，進而順利在玻璃表面上鍍覆一層抗汙膜。

如圖1所示，基材102可為移載系統116所傳送，而依序通過大氣式電漿裝置106與噴霧元件108之下方。此外，在一些例子中，如圖1所示，鍍膜模組100更可選擇性地包含至少一承載治具118，且大氣式電漿裝置106與噴霧元件108均裝設在此承載治具118。藉由承載治具118，可將大氣式電漿裝置106與噴霧元件108整合成一組件，如此有利於控制與維持大氣式電漿裝置106之噴口110與噴霧元件108之噴口112之間的距離114，且可降低移動大氣式電漿裝置106之噴口110與噴霧元件108時的困難度。當然，在另一些例子中，鍍膜模組100可不具有結合大氣式電漿裝置106與噴霧元件108之承載治具，且大氣式電漿裝置106與噴霧元件108為彼此分開設置。

在一些例子中，如圖1所示，鍍膜模組100可僅包含一大氣式電漿裝置106與一噴霧元件108。鍍膜模組100之大氣式電漿裝置106與噴霧元件108可設置在一滑動機構(未繪示)上。如此一來，可利用滑動機構來帶動大氣式電漿裝置106與噴霧元件108在基材102之表面104的上方順著基材102之橫向(垂直於移載系統116之移動方向120)來回移動。

在另一些例子中，鍍膜模組100可包含多個大氣式電漿裝置106及多個分別與這些大氣式電漿裝置106對 應之噴霧元件108，其中大氣式電漿裝置106設置在對應之噴霧元件108前方。這些大氣式電漿裝置106及噴霧元件108可沿著垂直於移載系統116之移動方向120之基材102的橫向延伸或排列。藉此，鍍膜模組100可同時對基材102之表面104中的一橫向範圍進行鍍膜作業。

請參照圖2，其係繪示依照本發明之一實施方式的一種抗汙膜之鍍膜系統的裝置示意圖。在本實施方式中，抗汙膜之鍍膜系統200可適用以在基材202之表面204上形成抗汙膜。在一些例子中，鍍膜系統200主要包含至少一鍍膜模組206以及移載系統208。在一些例子中，鍍膜系統200可包含多個鍍膜模組206。這些鍍膜模組206可沿著垂直於移載系統208之移動方向232之基材202的橫向延伸或排列。藉此，鍍膜系統200可同時對基材202之表面204中的一橫向範圍進行鍍膜作業。

在鍍膜系統200包含一個鍍膜模組206的例子中，每個鍍膜模組206包含至少一大氣式電漿裝置210與至少一噴霧元件212。如圖2所示，鍍膜模組206包含一個大氣式電漿裝置210、與一個噴霧元件212與此大氣式電漿裝置210對應。在另一些示範例子中，鍍膜模組206包含多個大氣式電漿裝置210、以及多個噴霧元件212分別與這些大氣式電漿裝置210對應。在這樣的示範例子中，這些大氣式電漿裝置210及噴霧元件212可沿著垂直於移載系統208之移動方向232之基材202的橫向延伸或排列。藉此，鍍膜系統 200可同時對基材202之表面204中的一橫向範圍進行鍍膜作業。

在鍍膜系統200包含多個鍍膜模組206的例子中，每個鍍膜模組206可僅包含一個大氣式電漿裝置210與一個噴霧元件212。在基材202之鍍膜作業中，大氣式電漿裝置210係設置在對應之噴霧元件212的上游，以在噴霧元件212之前，先對基材202進行處理。

大氣式電漿裝置210可用以對基材202之表面204進行電漿前處理，藉以在鍍膜前先利用電漿來對基材202之欲鍍膜的表面204進行表面處理。大氣式電漿裝置210所進行之電漿前處理不僅可去除基材202之表面204上的微量油汙或髒汙，更可提供基材202之表面204能量，例如熱能及/或位能。而且，大氣式電漿裝置210所進行之電漿前處理可對基材202之表面204進行表面改質處理，而可活化此表面204，藉此在基材202之表面204上形成許多的空懸鍵或活性官能基，例如羥基。在一些示範例子中，大氣式電漿裝置210包含陣列噴射式電漿源、旋轉噴射式電漿源、絕緣障蔽式放電電漿源或高週波電漿源。

噴霧元件212設於大氣式電漿裝置210之下游，可用以將抗汙膜塗料溶液霧化成許多抗汙膜塗料霧氣或氣化成許多的抗汙膜塗料氣體分子。這些抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子可向下方之基材202飄落，而沉積在經電漿前處理後之基材202的表面204上。在一些示範例子中，抗汙膜塗料之材料可包含氟碳矽烴類化合物、全氟碳矽 烴類化合物、氟碳矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴類化合物、或全氟矽烷烴醚類化合物。

在本實施方式中，大氣式電漿裝置210之噴口214與噴霧元件212之噴口216之間的距離218小於20公分。藉由將大氣式電漿裝置210之噴口214與噴霧元件212之噴口216之間的距離218設置成小於20公分，可使得抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子沉積在基材202之表面204上時，基材202之表面204上仍保有足夠之能量，而使得沉積在基材202之表面204上的抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子可利用留在基材202之表面204上的能量來與表面204上之空懸鍵快速發生縮合反應而形成鍵結，或與表面204上之活性官能基反應鍵結，進而順利在基材202之表面204上形成抗汙膜。因此，鍍膜系統200並未包含任何烘烤裝置設置於噴霧元件212之下游來對基材202之表面204上的抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子進行烘烤。故，運用鍍膜系統200來製作抗汙膜時，於噴霧元件212形成抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子於基材202之表面204上後，即可在基材202之表面204上形成抗汙膜，無需再利用烤箱等烘烤裝置來對基材202上之抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子進行烘烤處理。

在一些例子中，如圖2所示，鍍膜模組206之大氣式電漿裝置210與噴霧元件212為彼此分開設置。在這樣的例子中，對於每個鍍膜模組206，鍍膜系統200可選擇性地包含二滑動機構224與226，且大氣式電漿裝置210及噴 霧元件212分別與此二滑動機構224及226連結。舉例而言，大氣式電漿裝置210及噴霧元件212可分別透過治具228及230，而裝設於滑動機構224及226下。滑動機構224及226可用以分別帶動大氣式電漿裝置210及噴霧元件212，使大氣式電漿裝置210及噴霧元件212在基材202之表面204的上方順著基材202之橫向(垂直於移載系統208之移動方向232)來回滑動。

在另一些例子中，鍍膜模組206可如同圖1之鍍膜模組100般包含至少一承載治具，且大氣式電漿裝置210與噴霧元件212均裝設在此承載治具。在這樣的例子中，對於每個鍍膜模組206，鍍膜系統200可選擇性地包含一滑動機構，且鍍膜模組206裝設於此滑動機構。滑動機構可帶動此鍍膜模組206，使鍍膜模組206於基材202之表面204的上方滑動。

請再次參照圖2，鍍膜系統200之移載系統208通常設於鍍膜模組206之下方，且可用以移動基材202，使其依序通過鍍膜模組206之大氣式電漿裝置210與噴霧元件212的下方，來進行鍍膜作業。如圖2所示，移載系統208可由一輸送帶220與數個滾輪222所構成。在另一些例子中，移載系統208可僅包含一輸送帶220，或僅包含數個滾輪222。

鍍膜系統200可選擇性地包含預熱系統234。此預熱系統234設置在大氣式電漿裝置210之上游。預熱系統234可用以在大氣式電漿裝置210對基材202進行電漿前處 理前，先對基材202進行預熱處理，來加熱基材至處理所需之溫度。

鍍膜系統200更可選擇性地包含上料系統236與下料系統238。上料系統236設置在移載系統208之前端，且位於大氣式電漿裝置210之上游。下料系統238則設置在移載系統208之末端，且位於噴霧元件212之下游。上料系統236可用以將基材202載於移載系統208上，而下列系統238則可用以將基材202移出移載系統208。藉由上料系統236與下料系統238的設置，可自動化地進行基材202的上料與下料，增加鍍膜製程的流暢性。

請同時參照圖3與圖2，其中圖3係繪示依照本發明之一實施方式的一種抗汙膜之製造方法的流程圖。在本實施方式中，製造抗汙膜時，可先進行圖3之步驟300，以設置至少一鍍膜模組206。鍍膜模組206可例如包含至少一大氣式電漿裝置210與至少一噴霧元件212。在一些例子中，如圖2所示，鍍膜模組206為鍍膜系統200之一部分，且進行步驟300時，可提供包含至少一鍍膜模組206之鍍膜系統200。鍍膜系統200之構件與裝置可如同上述根據圖2所描述之實施例，於此不再贅述。

在一些例子中，接下來可利用上料系統236將基材202載於移載系統208上，並利用移載系統208沿著移動方向232將基材202往鍍膜模組206之大氣式電漿裝置210下方傳送。在一些示範例子中，可在基材202尚未到達大氣式電漿裝置210下方時，先利用預熱系統234來對基材 202進行預熱處理，以在電漿前處理前，先加熱基材202至所需之溫度。

接著，進行步驟302，以利用鍍膜模組206之大氣式電漿裝置210對基材202之表面204進行電漿前處理，藉以利用電漿來對基材202之欲鍍膜的表面204進行表面處理。電漿前處理可去除基材202之表面204上的微量油汙或髒汙，同時可提供基材202之表面204能量，例如熱能及/或位能。而且，電漿前處理可對基材202之表面204進行表面改質處理，而可活化此表面204，藉此在基材202之表面204上形成許多的空懸鍵或活性官能基，例如羥基。

完成電漿前處理後，可進行步驟304，以利用鍍膜模組206之噴霧元件212將抗汙膜塗料溶液霧化成許多抗汙膜塗料霧氣或氣化成許多的抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經電漿前處理後之基材202之表面204上。在一些示範例子中，抗汙膜塗料之材料可包含氟碳矽烴類化合物、全氟碳矽烴類化合物、氟碳矽烷烴類化合物、全氟矽烷烴類化合物、或全氟矽烷烴醚類化合物。

在本實施方式中，電漿前處理之步驟302與將抗汙膜塗料溶液霧化成抗汙膜塗料霧氣或氣化成抗汙膜塗料氣體分子之步驟304之間的時間間隔控制在小於或等於30秒。在一些例子中，將大氣式電漿裝置210之噴口214與噴霧元件212之噴口216之間的距離218設置成小於20公分。

接著，進行步驟306，沉積在基材202之表面204上的這些抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子，利用電漿前處理所提供予基材202之表面204且留存在表面204上之能量與表面204上的空懸鍵或活性官能基鍵結，如此可在基材202之表面204上順利形成抗汙膜。

藉由將電漿前處理與將抗汙膜塗料溶液霧化成抗汙膜塗料霧氣或氣化成抗汙膜塗料氣體分子之間的時間間隔控制在小於或等於30秒，可使得抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子沉積在基材202之表面204上時，基材202之表面204上仍保有足夠之能量，而使得沉積在基材202之表面204上的抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子可利用留在基材202之表面204上的能量來與表面204上之空懸鍵快速發生縮合反應而形成鍵結，或與表面204上之活性官能基反應鍵結，進而順利在基材202之表面204上形成抗汙膜。因此，運用本實施方式之方法來製作抗汙膜時，於噴霧元件212形成抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子於基材202之表面204上後，即可在基材202之表面204上形成抗汙膜，直接進入下一製程進行貼合或網印等作業，無需再利用烤箱等烘烤裝置來對基材202上之抗汙膜塗料霧氣或抗汙膜塗料氣體分子進行烘烤處理。

由上述之實施方式可知，本發明之一優點就是因為本發明之抗汙膜之鍍膜模組、鍍膜系統及製造方法係先對基材之表面進行電漿前處理，以提供基材表面能量並於基材表面上形成空懸鍵或活性官能基，而後隨即形成抗汙膜塗 料霧氣或氣體分子沉積於基材之表面上。因此，抗汙膜塗料霧氣或氣體分子可在基材表面仍保有足夠能量時，與基材表面之空懸鍵或活性官能基鍵結，而在基材表面上順利形成抗汙膜。故，可省略抗汙膜塗料沉積於基材表面後的後烘烤步驟。

由上述之實施方式可知，本發明之另一優點就是因為本發明之抗汙膜之製造方法可省略抗汙膜塗料沉積於基材表面後的後烘烤步驟，因此可縮小設備占地空間，節約能源，縮減製程時間，進而可降低製程成本與提升產能。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧鍍膜模組

102‧‧‧基材

104‧‧‧表面

106‧‧‧大氣式電漿裝置

108‧‧‧噴霧元件

110‧‧‧噴口

112‧‧‧噴口

114‧‧‧距離

116‧‧‧移載系統

118‧‧‧承載治具

120‧‧‧移動方向

Claims (10)

1. 一種抗汙膜之鍍膜模組，適用以在一基材之一表面上形成一抗汙膜，該抗汙膜之鍍膜模組包含：至少一大氣式電漿裝置，適用以對該基材之該表面進行一電漿前處理，以提供該基材之該表面一能量以及在該基材之該表面上形成複數個空懸鍵或複數個活性官能基；以及至少一噴霧元件，適用以將一抗汙膜塗料溶液霧化成複數個抗汙膜塗料霧氣或氣化成複數個抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經該電漿前處理後之該基材之該表面上，並藉由該能量與該些空懸鍵或該些活性官能基鍵結而在該基材之該表面上形成該抗汙膜，其中，該至少一大氣式電漿裝置之噴口與該至少一噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分。
2. 如申請專利範圍第1項之抗汙膜之鍍膜模組，更包含至少一承載治具，其中該至少一大氣式電漿裝置與該至少一噴霧元件裝設於該至少一承載治具。
3. 一種抗汙膜之鍍膜系統，適用以在一基材之一表面上形成一抗汙膜，該抗汙膜之鍍膜系統包含：至少一鍍膜模組，其中該至少一鍍膜模組包含：至少一大氣式電漿裝置，適用以對該基材之該表面進行一電漿前處理，以提供該基材之該表面一能量 以及在該基材之該表面上形成複數個空懸鍵或複數個活性官能基；以及至少一噴霧元件，適用以將一抗汙膜塗料溶液霧化成複數個抗汙膜塗料霧氣或氣化成複數個抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經該電漿前處理後之該基材之該表面上，並藉由該能量與該些空懸鍵或該些活性官能基鍵結而在該基材之該表面上形成該抗汙膜，該至少一大氣式電漿裝置之噴口與該至少一噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分；以及一移載系統，適用以移動該基材通過該至少一鍍膜模組下方。
4. 如申請專利範圍第3項之抗汙膜之鍍膜系統，其中該至少一鍍膜模組更包含至少一承載治具，且該至少一大氣式電漿裝置與該至少一噴霧元件裝設於該至少一承載治具。
5. 如申請專利範圍第3項之抗汙膜之鍍膜系統，更包含一滑動機構，其中該至少一鍍膜模組裝設於該滑動機構，且該滑動機構適用以帶動該至少一鍍膜模組於該基材之該表面之上方滑動。
6. 如申請專利範圍第3項之抗汙膜之鍍膜系統，更包含一預熱系統，適用以在該電漿前處理前，對該基材進行一預熱處理。
7. 如申請專利範圍第3項之抗汙膜之鍍膜系統，更包含：一上料系統，適用以將該基材載於該移載系統上；以及一下料系統，適用以將該基材移出該移載系統。
8. 一種抗汙膜之製造方法，包含：設置至少一鍍膜模組，其中該至少一鍍膜模組包含：至少一大氣式電漿裝置；以及至少一噴霧元件；以及利用該至少一大氣式電漿裝置對一基材之一表面進行一電漿前處理，以提供該基材之該表面一能量以及在該基材之該表面上形成複數個空懸鍵或複數個活性官能基；利用該至少一噴霧元件將一抗汙膜塗料溶液霧化成複數個抗汙膜塗料霧氣或氣化成複數個抗汙膜塗料氣體分子，而沉積在經該電漿前處理後之該基材之該表面上，其中該電漿前處理與將該抗汙膜塗料溶液霧化成該些抗汙膜塗料霧氣或氣化成該些抗汙膜塗料氣體分子之步驟之間之一時間間隔小於或等於30秒；以及該些抗汙膜塗料霧氣或該些抗汙膜塗料氣體分子利用該能量與該些空懸鍵或該些活性官能基鍵結，而在該基材之該表面上形成該抗汙膜。
9. 如申請專利範圍第8項之抗汙膜之製造方法，其中該至少一大氣式電漿裝置之噴口與該至少一噴霧元件之噴口之間的距離小於20公分。
10. 如申請專利範圍第8項之抗汙膜之製造方法，於該電漿前處理前，更包含利用一預熱系統對該基材進行一預熱處理。