TW201250291A - Mirror array - Google Patents

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201250291 v 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係’斜列。再者’本發明侧於包含此 陣列之光料件及光學組件。再者，本發明係關於製造^ 光學70件及此種鮮組件的方法4者，本發日聽關於用於 處理光學70件的1具。:¾後’本發明係關於餘投射曝光裝 置的光學單元、麟極料線(EUV)投㈣光裝置的照明^ 統、投射曝絲置、用於製造微結構或奈⑽構元件的方法 以及用此方法所製造的元件。 【先前技術】 知技術 光學組件包含由複數個別鏡所組成的鏡可由習 中得知。 舉例而§ ’WO 2010/049 076 A2揭露具有複數可位移個 別鏡的鏡陣列。 【發明内容】 本發明之一目的在於改善此種鏡陣列。 可藉由如申請專利範圍第1項的特徵達到此目的。本發 明的核心在於模組化鏡陣列，其藉由並列設置複數此種陣列 而使鏡陣列的反射©可縣何方式延/[卜所憑藉的論據在於 將鏡陣列實施為瓦片元件(tile elemem)，因此可利用此種陣 列拼合成實質具有任何所欲尺寸的表面。 於此及於後應了解拼合(parqueting)係意指可忽略兩個 201250291 、 瓦片元件(即兩個鏡陣列）間的距離，該距離在實際應用中， 尤其是在假設的應用中一定會存在。由複數鏡陣列所組成之 多陣列反射面的填充度係較佳至少0.75，尤其至少0 8，尤 其至少0,85，尤其至少〇.9，尤其至少0.95。於此案例中， 填充度表示總反射面與總表面的比例。利用如此高的填充 度’可防止韓射損失’亦即增加光產量(即透射率）。 特別是，所述拼合(parqueting)為密鋪(tesselation)e以此 種可用於拼合(尤其是密鋪)之瓦片元件的模組型式所實施的 鏡陣列’在製造可調整鏡面的反射鏡時，對於表面的所欲尺 寸及形狀提供極大的彈性。 可以此種鏡陣列拼合的總表面積可具有例如 400 X 400mm2的尺寸’其亦可具有不同的尺寸。再者，可 以此種陣列拼合的總表面形狀實質可依所欲形成。邊界條件 僅在於個別鏡陣列的總表面積。具體而言，個別鏡陣列的總 表面積係在1 mm2至10000 mm2的範圍，尤其是1〇mm2至 1000聰2的範圍，尤其是_ mm2至500 mm2的範圍。舉 例而言’個別鏡陣列具有矩形(尤其是方形)的總表面。然而， 亦可實施為二角形或六角形的形式。原則上亦可為其他形 狀0 、 鏡陣列包含多個鏡元件，其形錢_之總反射面的拼 二部。鏡陣列的填充度(某些實例稱為度)較佳為至少 0.85、尤其至少〇.9、尤其至少〇 95。 ，鏡陣列包含多個鏡元件。具體而言，陣列的鏡元件數目 係至少4個、尤其至少16個、尤其至少科個、尤其至少 201250291 ' 256個、尤其至少1024個。具體而言，鏡元件可設置成類 似矩陣的形式，亦即設置於列及行。 鏡陣列的鏡元件具有至少一自由度的位移❶此意味著個 別鏡元件相對於基板或載置鏡元件的承載結構的位移自由 度，並相對於其鏡元件為可位移的◊鏡元件各具有至少一個 自由度的位移，較佳具有至少兩個自由度的位移，尤其是至 少三個自由度的位移。具體而言，此涉及至少一個自由度的 傾斜及/或平移。具體而言，係具有兩個自由度的傾斜。如 此使鏡陣列的總反射面能非常彈性地配合個別需求。因此， 利用本發明的鏡陣列可彈性地偏轉輻射光束，尤其是部分 射光束。 輻射光束可為EUV輻射，具體而言具有的波長係在 5nm與30nm之間的範圍，尤其在1〇11111與15nm之間的 範圍。此尤其有利於將鏡陣列使用在投射曝光裝置中，用於 製造微結構或奈米結構的元件，尤其是半導體晶片。 根據申請專利範圍第2項，鏡陣列僅具有小的侧向突出 (側向頂出）。結果增加了鏡陣列的填充度，尤其是複數陣 列所構成之多陣列反射面的填充度。鏡陣列的總表面在垂直 於表面法線之方向突出超過陣列的總反射面最多5mm、尤 其最多3 mm、尤其最多lmm、尤其最多〇 5職、尤其最 多0.3 mm、尤其最多0.2 mm、尤其最多〇 1 mm。具體而言， 在相同方向上侧向突出部(側向頂出)與總範圍的比例係最多 〇二卜尤其最多0.G5、尤其最多GG3、尤其最多_、尤其 最多0.01。具體而言，此突出部在相同方向上比鏡陣列的^ 範圍小上至少-個數量級。結果可造成複數鏡陣列實質無縫 201250291 堆集方式設置，亦即實 的並置。因此，鏡陣列可以實質密集 質無任何間隙。 〃 本發明之另—目的在於改善包含鏡_的光學元件。 發明目ΐ係藉由申請專利範圍第3項的特徵來達成。本 於將鏡_設置於承载結構上，承載結構係相 =鏡陣列使用陰影投射原理設置。具體而言，承載結構在 於表面法線之方向突出超過鏡陣列之總表面最多 mm、尤其最多3 mm、尤其最多j _、尤其最多〇 $咖、 尤其最多0.3 mm、尤其最多〇.2 mm、尤其最多〇^咖。較 佳地，承載結構一點都沒有突出超過鏡陣列的總表面。換言 之’其側向頂出為〇。具體而言’其垂直於表面法線的截面 與鏡陣列相同。結果可導致此種光學元件的密集堆集配置。 如此造成高度的填充度。原則上亦可將承載結構實施具有側 向頂出’亦即具有小於鏡陣列總表面的截面。 較佳地，光學元件以模組化方式實施。具體而言，係實 施成瓦片元件’其可藉由拼合複數此種瓦片元件而使總反射 面可以任何所欲方式延伸。 根據申請專利範圍第4項，承載結構僅於邊緣區機械連 接至鏡陣列。結果改善鏡陣列與承載結構之間的機械解耦。 原則上亦可於中央區（尤其是僅於中央區)將鏡陣列連至承載 結構。 具體而言，邊緣區在垂直於表面法線之方向上的寬度精 確地對應於鏡陣列之總表面超過其總反射面的側向頂出。邊 201250291 施例改善元件=2^：^二穩定實 構成部件整合縣構。料、纟。果可將其他功能性 直於在面對鏡陣列的側邊具有切除部。切除部在垂 省二門的方：：：向上由邊緣區所包圍。利用切除部可以節 者元件的其他部件設置於承載結構中。再 者結果可縮短訊號路徑。 根據申請專利範圍第5項，具體而言係將用於控制鏡元 件位移的控制裝置整合至承載結構％控制裝置較佳可設置 在承載結構_除料。控織置較佳實施成所謂的特殊應 用積體電路(ASIC)，某些賴亦稱為電子位移電路。此種電 子位移電路(ASIC)可以符合成本效益的方式製造。再者，可 非常彈性地配合個別需求。控制裝置可直接接合至鏡陣列的 後侧面對承構。如此省卻在最大密度及訊號數量的區域 中進行訊號傳導及重新佈線。因此，可省略所謂的插入件 (interposer)。較佳可提供所謂的覆晶接觸用於與ASIC進行 接觸。具體而言，可將ASIC所有的接觸連接設置在ASIC 的相同側，具體係面對鏡陣列的那側。因此，亦可免除ASIc 的通孔電鑛(原則上可行得通h如此有助於ASIC的製造。 具體而言，鏡陣列與ASIC之間的所有訊號連接(尤其是電接 觸)係位在ASIC的相同侧。如此可將所有線路以單一層方式 設置在鏡陣列的後側。如此簡化製造程序並降低製造成本。 201250291 、 ASIC執行至少一部份訊號處理工作以控制鏡元件。 ASIC訊號連接至中央控制裝置。ASIC的空間相鄰配置與其 指派給鏡元件降低中央控制裝置與鏡元件致動器之間的訊 號傳輸要求。因此，第一可使光學元件具有小型架構。第一 可降低寄生電磁場的影響以及降低干擾訊號。 優勢地’可在ASIC及承載結構之間提供熱介面。如此 可透過承載結構從ASIC散熱。此種熱介面可實施為例如皺 褶式金屬箔(亦稱為彈性箔)或實施為金屬彈簧陣列。 驅動鏡元件的訊號線係整合於承載結構。此案例中，從 承載結構相對於鏡陣列的相反侧上的電介面發生透過承載 結構及ASIC流至鏡陣列的訊號流動，或反向的流動。承載 結構中的訊號線較佳實施為電鍍通孔，具體而言實施為直通 矽晶穿孔(TSV)。具體而言，可實施為填充金的通孔。此種 電錄通孔可以批次製程製造。 根據本發明可知對光學元件的模組架構而言，有利於將 鏡陣列平面遠至介面之元件的訊號數量及密度降低至最大 可能程度。ASIC區域中訊號的減量較佳在4 : 1至7 : 1的範 圍。原則上越大的ASIC也可能具有越大的訊號減量。在 ASIC及介面之間的區域中提供其他的訊號減量。具體而 言’該其他的訊號減量至少為4 : 1，尤其至少為10 : 1。此 可藉由特定訊號的組合而達成，例如控制裝置的供應電壓。 結果造成：第一較低所需訊號線及/或接觸的數目；第二此 種多且合在接觸連接中提供增加的裕度。 ASIC可被依序地驅動。具體而言，如此降低所需的訊 201250291 v 號線數目。 將-λ號線整合至承載結構可達到電訊號在表面法線方 向流入或流出各絲元件。因此第-可達到元件的元件部件 的垂直整合’其次可達到在該些元件部件巾訊號流的垂直整 合。原則上’亦可達到從鏡_至树介面的純粹垂直訊號 傳導。針對此目的’ASIC可具有電鑛通孔，尤其是直通石夕 晶穿孔(TSV)及雙側接觸連接。因此進一步縮短訊號路徑。 再者，也縮短熱路徑。 由於訊號減量，額外可最小化光學元件的電介面。根據 申請專利範圍第6項，相對於鏡陣列將電介面設置在承載結 構的相對侧(後側）。具體而言，介面係完全設置在承載結構 的後側。可省略接觸的侧向配置。結果改善元件相對於彼此 的彈性可配置性。原則上，可提供一或複數額外的介面，用 於連接側向鄰近設置於承載結構上的元件。 介面的連接可實施為觸針，較佳可實施成整合至承載結 構的觸針，即所謂的「介層窗」觸針。因此，第一有助於介 面的製造；第二降低損壞(尤其是製造期間的損壞)的風險。 選替於此，亦可將電接觸實施為承載結構後側的平面形式或 插銷連接介面。實施為平面形式的接觸可增加容限，亦即在 元件配置中所需的精確度。結果簡化元件的配置。 根據申請專利範圍第7項，承載結構包含至少一鐵磁性 元件。因此可利用磁力處理及/或固定元件。鐵磁性元件可 實施為金屬板或金屬箔。鐵磁性元件亦可實施為永久磁鐵形 式。具體而έ，其可由永久磁性材料所構成。其可設置於承 201250291 V 載結構的切除部中’尤其是在ASIC及承载結構之間。選替 或額外於此，此種鐵磁性元件可提供在承载結構後侧上，可 接合至承載結構，亦可直接塗敷(具體係電解塗敷)在承載結 構及/或ASIC。如此在磁性元件及承載結構之間造成特別可 靠又穩定的連接。 本發明之另一目的在於改善包含上述至少一光學元件 的光學組件。此目的可藉由申請專利範圍第8項的特徵達 成。 本發明的核心在於利用固定裝置將至少一光學元件固 疋在底板上。底板實施為機械剛硬形式。因此可使光學組件 具有結構穩定性。同時用作為散熱體。實質上可自由選擇底 板的大小及形狀。具體而言，係無關於光學組件其餘元件的 技術限制。底板可實施為平的，亦可為彎曲的。底板較佳實 施為具有良好的導熱率❶導熱率係至少】5〇 w/(mK)。具體 而言，底板的導熱率可為220 W/(mK)，尤其為至少~350 W/(mK)〇具體而言，可由金屬（例如銅或鋁)製成。具體而言， 可將表面拋光。原則上，底板亦可由導熱率不佳的材料所構 成，具體而言為石英或玻璃。於此案例中，其具有所謂的「熱 介層窗」，亦即填充有高度導熱材料(尤其是銅)的通孔。 為了改善光學組件的冷卻，具體指從光學元件轉移熱， 額外提供冷卻系統。冷卻系統熱連接至底板，具體而言其可 整合至底板。於此案例中，其可僅設置在預定區域，尤其是 底板的邊緣區中。亦可以平行於底板方位的方式延伸設置在 底板。將冷卻系統整合至底板尤其有利於冷卻能力。亦可將 底板間接連結至分離的冷卻系統。分離的冷卻系統可與底板 201250291 機械解耦。為了確保熱從底板流至冷卻系統，於此案例中可 提供具有高導熱率的軟元件。針對此目的，銅纜、銅箔或由 尚位向石全(highly oriented graphite，即所謂的「HOPG」） 囊包構成的元件為合適的軟元件。藉此可避免因冷卻液流動 而造成光學元件的鏡元件產生震盪。 光學組件包含複數上述的此種光學元件，尤其是光學元 件具有相同實施。根據申請專利範圍第9項，光學組件包含 至少五個光學元件’尤其可包含至少16個、尤其至少64個、 尤其至少256個、尤其至少1024個此種光學元件。較佳可 以任何所欲方式延伸。因此可使光學組件的大小及形狀非常 彈性地配合個別需求。 較佳地，相鄰設置的光學元件之間的距離為最多i mm、尤其最多500 μιη、尤其最多300 μιη、尤其最多200μιη、 尤其最多100 μηι、尤其最多50 μιη。具體而言，兩相鄰設置 的光學元件之間的距離為最多與光學元件之總表面突出超 過其總反射面的絕對值一般大。此種在底板上密集堆集光學 元件的配置可達到具有上述鏡陣列以實質無間隙方式拼合 任何所欲尺寸的表面。具體而言，因此可具有可位移鏡元件 以任何所欲方式達到任何所欲尺寸及/或形狀的拼合表面。 根據申凊專利圍第10項’至少一光學元件以可替換 方式設置在底板上。具體而言，係為非破壞性方式的可替 換。如此進一步增加光學元件在底板上配置的彈性。再者， 光學元件在底板上的可替換配置有利於維修目的。原則上， 光學元件亦可固定連接(尤其是黏性接合)至底板。藉此可改 善機械穩定性及/或導熱性。於此種案例中，固定裝置實施 201250291 ' 為例如黏著層。 根據申請專職15第u項，固定裝置包含磁性構件。 具體而言，可包含整合至底板的永久磁鐵。其可具有額外的 鐵磁性70件及/或電磁鐵。永久磁鐵可由適於真空的高磁材 料或相應材料組合所形成。具體而言，雜磁鐵或敍綱磁 鐵為合適的。同樣亦可有選替的材料。固定裝置的永久磁鐵 可完全地整合至底板，亦即完全被底板所包圍。亦可以囊封 置於底板。原則上’亦可考慮永久磁鐵於 替換式配置。 具體而言’將永久磁鐵的尺寸及配置設計為可用於施加 ^ 10 N的支托力於設置在底板的元件。因此湘磁鐵可 牢固地將光學元件固定在底板上。 將光學το件裝狀底板或自雜拆_間，可省略熱製 將水久磁鐵設置於底板及將磁性元件設置於光學元件 中:使光，it件與底板發生自行對準方位尤其有利。於此案 I二言，光學元件在底板上的位置可定義在垂直於 表面法線的方向。可省略額外的機械對準手段。不用說也可 提供額外的機械對準手段。 固定裝置的磁鐵作用在光學元件上的磁力較佳為可調 2針對此目的’磁鐵與底板面對光學元件的那面之 調f广選替或額外於此，固定裝置的永久磁鐵作 用於光子讀的磁力至少可藉由暫時施加另—磁場而進行 12 201250291 、 調整。此種額外的暫時磁場可利用額外的電磁鐵以尤其簡單 的方式產生。額外的電磁鐵較佳相對於光學元件設置在永久 磁鐵的相對側，尤其是底板後側上。具體而言，可以可釋放 方式設置在底板後側上。此優點在於可將額外的電磁鐵設置 在底板後側用於裝設及/或拆除底板上的元件，但可於底板 裝配有光學元件後移除。藉由額外的電磁鐵，可非常精確地 及/或於特定位置（亦即於特定元件)補償永久磁鐵作用於光 學元件的磁力。具體而言，如此可在底板及光學元件間形成 機械連接，而至少於裝設及拆除程序形成所謂零插入力(zer〇 insertion force，簡稱 ZIF)介面。 再者，可於底板上提供用於簡化光學元件方位的光學裝 置。如此進一步簡化光學元件的裝設。 為了簡化光學元件的拆除，可於底板中提供開口。此種 開口可使要拆除的光學元件受壓縮空氣所支撐。具體而言， 針對要設置於底板的各光學元件’在底板中設置一或複數開 Ο 〇 為了簡化光學元件在底板上的裝設，根據申請專利範圍 第12項，可没置彈性觸針(所謂的彈針(Sprung pin))於底板 中，尤其是整合至底板。該彈針用於與光學元件之承載結構 後側上的電介面產生電接觸。具體而言，彈針設置成在將光 學元件設置於底板上時，可變成位在介面的電接觸區域上。 於此案例中，此種觸針與光學元件的接觸間的接觸電阻具體 而言為最多100 ιηΩ。小接觸電阻可降低因電流突波而發生 的電壓浮動。再者，亦可降低訊號傳輸時產生的熱。 13 201250291 " 觸針較佳設置成列。如此有助於製造。具體而言，觸針 可模鑄於陶瓷、玻璃或鐵氟龍(Teflon)中且以群組方式整合 至底板。於各案例中，觸針具體可設置成列(尤其是兩列)於 底板中的固定裝置的磁鐵之間。此種網格式配置有助於光學 元件的模組架構。 在兩側具彈性的觸針實施例尤其有利，其有助於光學元 件在底板上的配置以及例如從中央控制裝置及/或電路板或 底板後側其他電子元件的電訊號的配置。 透過使用彈性(尤其雙向彈性)觸針，可放寬觸針與個別 電接觸之匹配表面間的容限。在觸針為漸細的實施例中，容 限精確地對應於個別相關電接觸之匹配表面邊緣長度的一 半或直徑的一半。舉例而言，匹配表面具有丨mm的邊緣長 度時，容限為0.5 mm。如此有助於底板的製造，尤其是有 助於觸針配置及/或裝設於其中。由於要設置於底板的各光 學元件具有多個電接觸，此種簡化尤其有利。具體而言，底 板及個別光學元件間的電接觸數目為至少20、尤其至少 30、尤其至少50、尤其至少70。電接觸數目取決於光學元 件的尺寸，尤其取決於此種光學元件之鏡陣列的鏡元件數 目0 再者，針對底板後側的訊號拾取及傳導，可設置電路 板，尤其是陶瓷或金屬電路板(PCB)。如此進一步簡化用於 控制鏡元件的訊號傳導。因此，額外的電子元件(尤其是用 於調整底板上的訊號分佈）可設置在底板的後側。具體而 言，此種電子元件可含有個別光學元件的校正資料。 201250291 ， 本發明之另一目的在於改善一種用於製造光學元件的 方法。此目的可藉由申請專利範圍第13項的特徵達成。 本發明的核心在於完全以批次製程(即晶圓級)實施所謂 的封裝，亦即將鏡陣列連接至承載結構。可省略其他在晶片 級而非晶圓級進行處理的製程步驟。如此顯著簡化光學元件 的製造。 本發明另一目的在於提供一種處理上述光學元件的工 具。此目的可藉由申請專利範圍第14項的特徵達成。 本發明的核心在於實施的特徵包含用於產生可個別控 制的支托力的至少一電磁鐵以及預定義該工具與光學元件 之間的機械接觸的間隔元件。 間隔元件較佳實施為在處理光學元件時，僅接觸環繞鏡 陣列之總反射面的邊緣。如此第—可避免接觸鏡元件。第二 確保在承載結構區域中的工具不會側向突出超過光學元 件’其中侧肖即垂直於表面法線的方向。如此使光學元件能 以密集堆集方式設置在底板上。 工具包含至少一(尤其是複數)較佳為個別可驅動的電磁 ^藉由該些電磁鐵，第—可產生支托光學祕的支托力； 第二可藉由工具的磁鐵補償底板之固定裝置之磁鐵作用於 f元件的支托力。因此，工具能使絲藉在底板上達到 特別輕柔又無震動的配置。 八可額外具有至少一(尤其是複數)感壓感測器，用於 15 201250291 監控光學元件施加在工具上的壓力。該些感測器可為調節裝 置的一部分，其中調節裝置係用於調節工具的磁鐵所產生的 支托$ °再者’工具可具有一或複數光學感測器，例如相機， 尤其是迷你相機’藉此可監控及/或對準光學元件相對於底 板的方位。再者，可提供第一距離感測器，藉此可量測工具 與光學元件之間的距離。於一特別優勢的實施例中，工具係 具有至少一(尤其複數，特別是三個)距離感測器，藉此可量 測工具(尤其是工具所支托的光學元件)相對於底板的方位及 ，離。再者，工具係具有至少一(尤其是複數)辅助装置(尤其 是光學式的）’用於支撐工具的方位，進而支撐工具所支托 之光予元件相對於底板的方位。再者，工具可包含定位系 統，尤其是所謂的拾取_放置機械手臂。參考例示實施的 說明將更清楚其他的細節及優點。 本發明之又一目的地在於一種製造光學組件的方法。此 目的係藉由申請專利範圍第15項的特徵達成。 為了將光學元件配置於錢的目的，本發_核 利用額外的磁場至少部分(尤其是完全)補償固定震置的磁鐵 作用在該光學7C件上的HJ定力。gj定裝置的磁 置之光學元件上的固定力係僅暫時性的補償，亦即係= 個別光學兀件時進行。舉例而言，可藉由 具中:於;理光學元件的電磁鐵來補償額外的磁場:以 由-或複數设置在底板後側的磁鐵(尤其是 ^ 進行補償。對作用在要配置之光學元件上之固 償，可確絲絲元件料魅地(尤枝 二進2;補 於底板上。具體而言’如此確财重複且非破壞 移除個別光學元件。尤其於暫時性進行光學元 16 201250291 ' 間’底板針對光學元件形成所謂零插入力(ZIF)介面。前提在 於工具作用在光學元件的支托力夠大，可足以僅部分補償固 定裝置的磁鐵施加在光學元件的固定力。 根據本發明另一優勢觀點’光學元件配置於底板及從底 板移除時’工具僅接觸該光學元件相對於底板的相對侧β此 優點在於即使在密集堆集許多光學元件於底板上的案例 中’可更換任意的元件，亦即可再次移除及/或插置。具體 而言，不必因此而移除其餘的元件。再者，此種光學元件的 處理方式避免接觸時對鏡陣列及承載結構間的接合區造成 可能的損壞。 。。一本發明的其他目的在於改善用於投射曝光裝置之光學 單元，具體指照射及/或投射光學單元、用於EUV投射曝光 裝置的照明系統以及此種投射曝光裝置。這些目的可藉由申 請專利範圍第16至18項的特徵達成。相關的優點對應以上 所述。 “本發明的其他目的在於改善一種用於製造微結構或奈 米結構元件的方法以及改善以此方式製造的元件。這些目的 可藉由申請專利範圍第丨9至2 〇項的特徵達成。相關的優點 同樣對應以上所述。 【實施方式】 首先參考圖式於下說明投射曝光裝置丨的基本架構。 圖1示意地顯示用於微影的投射曝光裝置丨的切面圖。 17 201250291 _、 投射曝光裝置1的照明系統2除了輻射光源3還具有照射光 學單元4 ’係用於曝光物件平面6中的物場5。物場5可塑 造成例如具有x/y外觀比為13/1的矩形或拱形。於此案例 中，曝光設置在物場5中的反射式光罩(圖i未顯示），該光 罩載有要由投射曝光裝置1投射的結構，以製造微米咬齐米 結構的半導體元件。投射光學單元7用於將物場5、成:到 影像平面9中的影像場8。光罩上的結構係成像到晶圓的感 光層上，晶圓係設置在影像平面9之影像場8的區域中，且 於圖中並未繪示晶圓。 於投射曝光裝置1操作期間，在y方向同步掃瞄由光罩 支托架(未顯示)所支托的光罩及由晶圓支托架(未顯示)所支 托的晶圓。依據投射光學單元7的成像比例，亦可相對於晶 圓在相反方向掃瞄光罩。 藉助於投射曝光裝置1，將至少一部分的光罩成像到晶 圓上的感光層區域，以微影製造微結構或奈米結構元件，= 其是半導體元件，例如微晶片。依據投射曝光裝置丨為掃描 機或步進機實施例’光罩及晶圓於掃描機操作中以短&同^ 方式連續地移動於y方向或者於步進機操作中一步接一步 地移動於y方向。 輻射源3為EUV輻射源，其具有範圍在511111至3〇1^ 之間的發射使用輻射。可包含電漿源，例如氣體放電產生電 漿源(gas discharge produced plasma;簡稱 GDPP)或雷射產生 電漿源(laserproduced plasma;簡稱LPP)。亦可為其他£1^ 輻射源，例如基於同步加速器或自由電子雷射(free laser ;簡稱FEL)的輻射源。 201250291 ' 從輻射源3發射出的EUV輻射10由集光器u聚集。 對應的集光器可由例如ΕΡ 1 225 481 Α得知。在集光器' u 的下游，EUV輻射10在照到具有多個場琢面13a的場°琢面 反射鏡13前通過中間聚焦平面12。場琢面反射鏡13設置 在照射光學單元4的平面中，其與物件平面6係為光學共 輕。 於後，EUV輻射10稱為使用輻射、照射光或成像光。 在場琢面反射鏡13的下游，EUV輻射1〇被具有多個 曈琢面14a的曈琢面反射鏡14反射。瞳琢面反射鏡14位於 照射光學單元7的入射曈面或與其光學共軛的平面。場琢 面反射鏡13及曈琢面反射鏡η係由多個個別反射鏡架構而 成，將於下詳細說明。於此案例中，將場琢面反射鏡13次 分成個別反射鏡可使照射整個物場5的場琢面13a各個剛好 由一個個別反射鏡所表示。選替地，至少某些或全部的場琢 面13a可由複數此種個別反射鏡所架構。同樣可對應地應用 於曈琢面反射鏡14之瞳琢面14a的架構，瞳琢面14a係分 別指派到場琢面13a，其中瞳琢面可由單一個別反射鏡或複 數此種個別反射鏡所形成。 EUV輻射10照到兩個琢面鏡13、14，其入射角係以相 對於鏡面法線入射進行量測’且小於或等於25。。因此，euv 輻射10係以法線入射操作範圍照到這兩個琢面鏡、]4。 亦可應用擦略入射。瞳琢面反射鏡14設置在照射光學單元 4的平面中，其構成投射光學單元7的曈平面或與投射光學 單兀7的瞳平面光學共軛。利用曈琢面反射鏡14及傳輸光 學單元15形式的成像光學單元組件(其中傳輸光學單元15 201250291 ’ 具有反射鏡16、17及18，其依EUV輻射10的光束路徑順 序標示）’場琢面反射鏡13的場琢面以彼此疊加方式成像到 物場5。傳輸光學單元15的最後反射鏡18為用於擦略入射 的反射鏡（「擦略入射鏡(grazing incidence mirror)」）。傳輸 光學單元15與曈琢面反射鏡14 一起稱為後續光學單元，用 於將EUV輻射10從場琢面反射鏡13朝物場5轉移。利用 複數照射通道，將照射光10從辕射源3朝物場5導引。各 照射通道指派有場琢面反射鏡13的場琢面13a及設置在其 下游之曈琢面反射鏡14的曈琢面14a。場琢面反射鏡13及 瞳琢面反射鏡14的個別反射鏡可藉由致動器系統傾斜，改 變曈琢面14a到場琢面13a的指派，因而改變可達成之照射 通道的組態。如此造成不同的照射設定，其不同之處在於物 場5上方照射光10的照射角分布。 為了有助於說明位置關係’於後使用通用笛卡兒Xyz座 標系統。X軸係朝圖1之觀者垂直通過圖面。y軸係朝圖1 的右方。z軸係朝圖1的下方。 於後續圖式中所選的圖式中繪示局部笛卡兒XyZ座標 系統’其中X軸平行於圖1的X軸，且y軸及該χ軸一起拓 展成個別光學元件的光學表面。 圖2顯示投射曝光裝置1之照明系統19的選替組態。 對應於上述圖1已說明的元件具有相同的參考符號且將不 再詳細討論。 從輕射源3 (其同樣可實施成LPP源)射出的使用輕射⑺ 首先由第一集光器20聚集。集光器2〇可為拋物形反射鏡， 20 201250291 其將輻射源3成像到中間聚焦平面12或將輻射源3的光聚 焦於中間聚焦平面12的中間焦點上。可操作集光器2〇使得 使用輻射10的入射角接近於〇。。然後將集光器2〇操作接近 於法線入射並因此成為法線入射(^〖)鏡。亦可使用以擦略入 射方式操作的集光器，而非集光器20。 場琢面反射鏡21設置在中間聚焦平面12的下游，其為 多或微鏡陣列（MMA)形式’例如用於導引使用輻射(即 EUV輻射束)的光學組件。多或微鏡陣列(MMA)於後亦稱為 鏡陣列22 »場琢面反射鏡21實施成微機電系統(MEMS)， 其具有多個個別反射鏡以類似陣列方式設置於陣列的行及 列。個別反射鏡於後亦稱為鏡元件23。鏡元件23設計成可 藉由致動器系統傾斜，如下詳述。總而言之，場琢面反射鏡 21具有約1〇〇 〇〇〇個鏡元件23。依據鏡元件23的尺寸，場 琢面反射鏡21亦可具有例如1〇〇〇、5〇〇〇、7〇〇〇或甚至數萬 或數十萬個鏡元件23 ’例如500 〇〇〇個鏡元件23。 濾光器可設置在場琢面反射鏡21的上游，該濾光器將 使用輻射10與輻射源3發射的其他無法用於投射曝光的波 長成分分開。並未繪示出濾光器。 將具有840 W的功率及6.5 kw/m2的功率密度之使用輻 射10應用到場琢面反射鏡21。使用輻射10亦可具有不同 的功率及/或功率密度。 琢面鏡21的整個個別鏡陣列具有直徑5〇〇 mm,且設計 成密集堆積鏡元件23的方式。全部場琢面陣列被鏡元件23 覆蓋的面積覆蓋率（亦稱為填充度或整合密度）係至少 21 201250291 70 °/〇。除了縮放比例外，目前 剛好-個錄开杜”二l〇 la在各案例中實施為 二，二=成，場5形式。琢面鏡21 在y 其分別代表場琢面⑴，並 剛^1： 瓜的尺寸而在X方向則為觸mm。由 琢面21a 23實施各場琢面仏的選替實例中’各場 寸5 mm 5 鏡元件23馳卿成。可·例如尺

0 5 m ^ Γ X 2G個鏡元件23 _至尺找5随X 2()G個鏡元件23陣列架構成y方向尺寸為5 將尺寸為⑽顏的場琢面21a嘯據本發明， 到場琢面^的方式為彈性的。具體而言， =面2la^由鏡耕23適當地驅動來定義。具體而古， 鏡το件23的形式與宏觀的場琢面形式無關。 σ 琢，2i的鏡元件23將使用光1()朝曈琢面反射鏡ΐ4 反射。曈琢面反射鏡14具有約2〇〇〇個靜態瞳琢面…。瞳 琢面14a設置成彼此並排的複數同心環，而使最内圈環之瞳 琢面14a組態成扇形形式，且直接相鄰環的曈琢面14“且離 成環扇形形式。在曈琢面反射鏡14的四分體中，曈琢面^ 可罐顺娜。各曈糾⑷可實施 使用光10被曈琢面14a反射到設置在物件平面6中的 反射式光罩24。然後接著的是投射光學單元7，如上述圖i 有關投射曝光裝置的相關說明。 再次可將傳輸光學單元15提供在琢面鏡u及光罩24 之間’如上述圖1有關照射光學單元4的說明。 22 201250291 圖3例舉顯示瞳琢面反射鏡14之曈琢面14&的照射， 而約可達到圖2之傳統照射設定。在曈琢面反射鏡14的兩 個内瞳琢面環中，照射每第二個曈琢面14a的圓周圍方向。 圖3中選替的照射圖式意欲表示於此照射設定案例中的填 充也、度比環形照射設定案例少了 2倍。在兩個内瞳琢面環中 類似地要得到均勻照射分布，但是佔據密度少2倍。圖3中 的兩個外瞳琢面環並未受到照射。 圖4示意地顯示照射光學單元4案例的條件，於此設定 為環形照射設定。場琢面反射鏡21的鏡元件23可利用具有 致動器之致動器系統(於下說明)傾斜，使得在曈琢面反射鏡 14上利用使用光1〇照射環扇形曈琢面的外環。此瞳琢 面反射鏡14的例示照射顯示於圖5。將鏡元件23傾斜以產 生此種照射，如圖4所示，其係以一個鏡元件23為基礎。 為了將圖2的照射設定改變到圖5，可將鏡元件23樞 轉一傾斜角度。具體而言，鏡元件23可樞轉至少±50 mrad、 尤其是至少士80 mrad、尤其是±100mrad的傾斜角度。於此 案例中，個別傾斜位置的精確度在至少0.2 mrad、尤其是至 少0.1 mrad、尤其是至少0.05 mrad即可符合本案例要求。 鏡元件23具有多層塗層，用於最佳化在使用輻射1〇波 長的反射率。於投射曝光裝置1操作期間，多層塗層的溫度 不應超過425 K。此可藉由鏡元件23的架構達成，如下舉 例說明。照射光學單元4的鏡元件23(如圖2示意所示)容置 於可真空化腔室25中。圖2僅示意地顯示可真空化腔室25 的邊界壁26。腔室25經由流體管線27與真空泵29相通， 流體管線27中設有斷流閥28。可真空化腔室25中的操作 23 201250291 ’ 壓力係幾Pa(H2分壓）。所有其他分壓確實地低於1〇-7mbar。 鏡元件23設置在基板30中。基板3〇經由導熱部分31 機械連接至鏡本體32。部分的導熱部分3】為容許鏡本體32 可相對於基板30傾斜的關節體33。關節體33可實施成固 態關節，但卻容許鏡本體32可繞例如一或二個傾斜轴(尤其 兩個相互垂直設置的傾斜軸)傾斜預定的傾斜自由度。關/節 體33具有固定至基板30的外支托環34。再者，關節體％ 具有以鉸接方式連接至外支托環34的内支托體35。該支托 體中心設置於鏡元件23的反射面36下方。間物 在中央支托體35及反射面36之間。 ^ 沉積在鏡本體32中的熱，尤其是吸收照射使用輻射1〇 所產生的熱經由導熱部分31(亦即經由間隔物37、中央支托 體35及關節體33與外支托環34)朝基板3〇消散。經由導熱 部分31可以至少l〇kW/m2、尤其是至少3〇kW/m2、尤其是 至少50kW/m2的熱功率密度將熱消散至基板3〇。散熱至基 板30的熱功率可取決於鏡元件，其為至少2 5 、尤 其疋至少7.5 mW、尤其是至少12 5 mW。選替地將導熱部 分31设計成以至少i kw/m2的熱功率密度或至少〇 25mW 的功率將鏡本體32所吸收的熱散熱至基板 30。所吸收的功 率除了是吸收來自輻射源3之使用⑽射⑴的功率，亦可為 例如吸收的電功率。 在支托體35相對於間隔物37的相反側設置致動器插銷 38於該支托體上。致動器插銷38可具有小於間隔物37的 外役。致動器插銷38亦可具有與間隔物37相同或更大的外 徑0 24 201250291 • “基板3〇形成環繞致動器插銷38的套筒。於各案例中， ㈣u=II ㈣其中將電極設置成彼此電絕 申約小於12G° °電極54構成相對於 == 對應電極’致動器插銷38於本實施例實施 插：。於此案例中’致動器插銷38尤其可實施成中 工柱狀。原則上每—致動器插銷38亦可提供不同數量的電 =54。具體而言，每一致動器插銷％可提供四個或更多的 極54在-或多個電極54及致動器插銷％之間產生電 位差異’可於致動器插銷38靜電力產生，其中該力可造成 鏡元件23偏轉’例如圖6右半部所示。 具體而s，基板30可由矽晶圓所形成，其上係設置鏡 元件23的整個陣列。 致動器插銷38亦可為洛倫茲致動器(L〇rentz actuat〇rs) 的一部分。於此案例中，永久磁鐵設置在致動器插銷38的 自由端。可將永久磁鐵定向成使其n極與8極沿著致動器插 銷38並列設置。此種Lorentz致動器可由例如 US 7 145 269 B2得知》其可以批次製程製造成微機電系統 (MEMS)。利用此種Lorentz致動器可達到20 kPa的力密度。 力密度定義為致動器力與致動器力作用的致動器面積的比 例。致動器插銷38的截面可作為致動器力作用並要考慮的 致動器侧面積的度量。 於Lorentz致動器實施例的選替實施例，用於傾斜鏡元 件23的致動器可實施為磁阻致動器如W0 2007/134 574 A 所述或壓電致動器。利用磁阻致動器可達到50 kPa的力密 度。依據組態利用壓電致動器可達到50 kPa至1 MPa的力 25 201250291 • 密度。 關於基板30中個別反射鏡23之配置以及利用致動器達 到可樞轉性與關節體及導熱部分31的進一步細節，可參考 WO 2010/049 076 A2。 關於具有鏡陣列2 2之光學元件4 〇的觀點及細節參考圖 7至圖15於下說明。具有鏡元件23及基板30之鏡陣列22 具有垂直表面法線41延伸的總表面。鏡陣列22包含多個鏡 元件23，各鏡元件23具有反射面36及兩個位移自由度。 一般而言，鏡元件23具有至少一位移自由度。鏡元件23 亦可具有三個或更多的位移自由度。具體而言，鏡元件23 具有至少一傾斜自由度，較佳至少兩個傾斜自由度。鏡元件 23亦可具有平移自由度。反射面36可具有 0.5 mm X G.5 mm、l mm X 1 mm、4 mm X 4 mm、8 mm X 8 mm 或10 mm x 10 mm的範圍^反射面36亦可偏離方形。反射 面36同樣可具有其他的尺寸。 具體而言，鏡陣列22具有至少4個、尤其是至少16個、 尤其是至少64個、尤其是至少256個、尤其是至少刪個 鏡凡件23。鏡元件23較佳設置成矩形(尤其是方形)矩陣。 鏡το件23具有方形截面，其原則上亦可實施成三角形、矩 形或六角形的形式。鏡元件23可實施讀合元件4部的 鏡元件23形成鏡陣列22之總反射面的拼合部。㈣而言， 拼合係為密鋪。鏡元件23尤其是以密集堆積方式設置。°具 體而言，鏡陣列的填充度係至少、〇 85，尤其至少〇 9、尤其 案广’填充度(在某些實例中亦稱積集度)係 心、，悤反射面(即鏡_ 22之所械元件23之反射面％的總 26 201250291 * 和)與陣列22之總表面的比例。 查兄元件23的反射面36實施為平的。原則上並亦 為凹面或凸面或自由表面。 、 貝死* 具體而言，鏡元件23的反射面36具有（多層）塗層， 於最佳化其在使賴射1G波長的反射率。频*言: 塗層能反射具有EUV波長範圍（尤其是5nm至& 圍）的使用輻射10。 乾 將鏡陣列22模組化實施。具體而言，將其實施為瓦片 元件，而使鏡陣列22之總反射面的拼合部可由複數此種瓦 片元件（即複數相同實施的鏡陣列22)的鋪砌以任何所欲方 式延伸。於此案例中’使用不同的用語「拼合」及「鋪砌」 僅為了區別利用鏡元件23所進行之個別鏡陣列22之總^ 射面的拼合以及利用複數鏡陣列22所進行之多鏡陣列g拼 合。兩者皆指在一個平面中無縫且無重疊覆蓋的簡易連接 域。即使於本案例中總反射面的覆蓋不是完美無縫(其填充 度< 1)，於後所使用的拼合或鋪砌用語係指填充度具有上述 指明的數值(具體而言至少0.85)。 ’、 鏡元件23係由基板30支托。基板3〇具有邊緣區42， 其延伸於垂直表面法線41的方向。具體而言，邊緣區42設 置在鏡元件23的圓周，其在垂直表面法線41的方向具有寬 度b，具體而言最大寬度b為最多5 mm，尤其最多3 mm、 尤其最多1 mm、尤其最多0.5 mm、尤其最多〇 3 mm、尤其 最多0.2 mm。因此，鏡陣列22的總表面在垂直表面法線^ 的方向上突出超過總反射面，亦即超過其外緣最多5mm、 27 201250291 尤其最多0.5 mm、尤其 • 尤其最多3 mm、尤其最多1 mm 最多〇.3mm、尤其最多0.2 mm。 鏡陣列22 I總表面積係在lmmxi匪至 mrnx _的範圍、尤其在i〇mmxi〇mm至 圍。同樣地原則上亦可為其他尺寸。具 ^ 偏離方形。鏡_ 22之總表面超過其反射 側向頂出。側向頂出與總範圍在相同方向 „最夕（U、尤其最多_、尤其最多_、尤其最 夕0.02、尤其，多請。因此，側向突出部比鏡陣列。之 總反射面的總範圍小了至少一個數量級。 光學元件40除了鏡陣列22還包含承載結構43。 結構43設置成相對於餅列22在表面法線41之方向偏 移’具體而言係鄰接。承載結構43較佳具有與鏡陣列Μ之 基板30相同_面。承載結構43在垂直於表面法線41之 方向突出超過基板30且因而超過鏡陣列22之總表 1= ί其最多3 mm、尤其最多1 mm、尤其最多。5職、 尤其最多。.1麵、尤其最多0.。5 mm、尤其一點沒超過。此 種配置亦稱為根據「陰影投射原理 的配置。具體而言，此係意指承載結構43在表面法線4ι方 向上係完全設置在鏡陣列22之總表面的平行投影内。 承載結構43係由陶瓷及/或含矽及/或含鋁材料所組 成。如此使鏡_ 22能散熱並有高度的機械穩定性。 結構43的材料實例包含陶曼材料、二氧化石夕、亞確酸铭及 氧化鋁(例如A〗2〇3陶瓷）。具體而言，承載結構43可由晶 製造。承載結構43亦可由石英或玻璃晶圓，其係具有所謂 28 201250291 • 的熱介層窗。 承載結構43具有朝一側開放的切除部44。切除部 形成朝-側開放的容鮮間，用於容納其它功能性構。成部 件。切除部44在表面法線41方向上由承載結構之基部必 將其相對側界定在鏡陣列22，其係側向界定，亦即在垂直 =表面法線41的方向上，由承載結構43之邊緣區牝所界 定。邊緣區46在垂直表面法線41的方向上具有寬度^。於 此案例中’ 0.5xb$bcs 2xb。具體而言，承載結構43的 邊緣區46可剛好與基板3〇的邊緣區42的寬度相等即 b = bc ° 承載結構43僅該邊緣區46機械連接至鏡陣列22。密 封元件61設置在承载結構43及鏡陣列22之間。密封元件 61整合至鏡陣列22之基板3〇的後侧48上的金屬化，其亦 可實施為設置在承載結構43之邊緣區46上的密封環。因 此，至少在元件40的製造期間囊封由切除部44所形成的容 納空間，亦即以液密方式或尤其是氣密方式密封。原則上亦 可將ASIC 52設置成囊封式，亦即以液密方式或尤其是氣密 方式密封。因此在鏡陣列22及ASIC 52之間需要連續中間 層（圖未顯示）。 多條訊號線47係整合至承載結構43 ^訊號線47實施 為電錄通孔’即所謂的「介層窗(vias)」。訊號線47直接接 合至鏡陣列22的後側48，該後側係反射面36的相反側。 訊號線47額外具有接觸元件50，其係位於鏡陣列22的相 .反側’亦即位於承載結構43的後側49上。各元件40可具 有多於30條、尤其多於50條、尤其多於70條的訊號線47。 29 201250291 • 訊號線47用於控制裝置51之電源供應，其中控制裝置51 用於控制鏡元件23的位移。用於控制鏡元件23位移的控制 裝置51係整合至承載結構4;^具體而言，可實施為特殊應 用積體電路52 (ASIC)。元件40可具有複數ASIC 52，其& 含至少一個ASIC 52、尤其至少兩個、尤其至少四個、尤其 至少九個、尤其至少16個、尤其至少25個、尤其至少1〇^ 個ASIC 52。於此案例中，各ASIC 52係訊號連接到至少一 鏡元件23、尤其至少複數鏡元件23(尤其至少兩個、尤其至 少四個、尤其至少八個鏡元件23)。關於位移鏡元件23 ^致 動器的控制細節可參考WO 2010/049 076 A2。 訊號線47至ASIC 52的連接係從承載結構43的後侧 49通過承載結構43到鏡陣列22的後側48，從該處沿著鏡 陣列22的後側48及覆晶接觸53到ASIC 52。關於覆晶技 術的說明可參考「Baugruppentechnologie der

Elektronik-Montage」一書（「電子裝設的組裝技術」）（編輯:

Wolfgang Scheel，2nd edition，Verlag Technik，Berlin，1999)。 因此’訊號線至積體或區域驅動器電子的連接係連接至鏡陣 列22的後側48。ASIC 52上所產生用於控制其中一個鏡元 件23位移的控制電壓係經由覆晶接觸53施加到鏡陣列22 之後侧48上的對應電極54。因此，其中一個ASIC 52的所 有電接觸連接係位在ASIC 52的相同側。具體而言，係位在 ASIC 52面對鏡陣列22的那側。藉此避免雙側接觸連接及 ASIC 52的通孔電鍍(原則上可行得通）。訊號線47此種配置 的另一優點在於訊號線47可為在鏡陣列22之後側48的單 一金屬層。如此簡化製造程序，因而降低製造成本。 再者’訊號線47係實施及配置成使特定訊號線47 —同 30 201250291 ’ 置於承載結構43面對鏡陣列22的前側43a及/或該承載結 構的後側49。舉例而言，ASIC 52之供應電壓訊號線47係 連接在一起。如此使得承載結構43區域中的訊號減少。具 體而言’承載結構43區域中的訊號減少至少1〇: 1。 元件40在承載結構43的後側49係具有電介面55。具 體而言’介面55完全設置在承載結構43的後側49，其中 該後側係相對於鏡陣列22的相反側。可完全地省略側向接 觸(原則上可能的）。因此，在訊號流期間亦符合「陰影投射 原理」（參見圖25)。結果元件40的元件部件及其中的訊號 與熱流皆疋向在表面法線41的方向。因此，元件4〇具有垂 直整合。 於圖7所示的實施例案例中，電介面55具有多個觸針 56施用在承載結構43的後側49。選替地，電介面55的接 觸元件50亦可實施為平面方式，例如圖9所示。 選替地，電介面55的接觸元件50亦可實施為承載結構 4。3中的一體式插銷。於此案例中，在承載結構43的後側49 =域中，至少部分裸露承載結構43中的電鍍通孔(介層 =)(例如實施成通孔中填充金）。具體而言，此乃藉由蝕刻部 分承載結構43包圍電鍍通孔的材料即可達成。然後電鍍 孔的裸露部分則形成接觸元件50。 又 再者，承載結構43包含鐵磁性元件57，具體而言其勺 含至少一鐵磁性元件57。亦可提供複數鐵磁性元件 磁陡元件57貫施成金屬板或金屬箔。鐵磁性元件57亦可督 施成永久磁性元件。根據圖7及圖9例舉所示的實施例，金 31 201250291 . 係設置在承載結構43的切除部44中。且體而今， =構43 °例如可μ至承^結 直接麵崎鐵磁性金屬 Λ可設ίί承載結構43的後側49。原則上，亦 的組合式Π 部44中及承載結構43之後侧49 的7可設置在Asic 52及承載結構43 及ϋ Λ之 此案例中，該金屬猪亦可形成asic 52 rt構43之間的熱介面。於此案例，金屬箱57較佳實 轭為軟皺褶式金屬箔，亦即所謂彈性箔。 槿们ϋ卜導熱元件78可設置在asic 52及承載結 =的基部45之間，具體而言係在縱52及金屬箱57 ，間。亦可提供複數導熱元件78。具體而言，ASIC 52可至 =分嵌人在姆部44 _導熱元件78。在ASic 52及承 '、:構43的基部45之間的此種熱介面改善熱流通過元件 士总f直整合。於此案例，可將來自鏡陣列22的熱(具體而 5系來自ASIC 52的熱)直接消散至承載結構43的基部45 並通過基部45，亦即實質在表面法線41的方向。 再者，元件40具有定向元件58。定向元件58可為定 =裝置的一部分，其首先有助於元件 40的握持及處理，其 =有助於在底板59上的配置及方位，於下文中將更詳細說 明。具體而言，定向元件58可實施為光學式、機械式或電 性式。具體而言，定向元件58係設置在鏡陣列22之基板 3〇的邊緣區42中。因此，定向元件58設置在元件40的前 32 201250291 ， 側60。定向元件58對應地可提供在承載結構43的後側49。 具體而言，可將承載結構43後侧49的定向元件58實施成 與底板59的對應元件相互作用時，可與底板59上的元 40自行對準。定向元件58額外可防止底板分上的元件奶 滑動。因此，可引起並確保元件4〇的預定配置及方位。 參考圖8，於下說明關於元件4〇另一實施例的觀點。 與上述例示實施例相同的部件具有相同的參考符號，藉此 考相關的說明。 曰 圖=不意地顯示通過元件4〇a的電接觸及訊號線47的 主要細節。在此實施例+，訊號線47通過ASIC仏。 此目的’ASIC 52a具有所謂的電鑛通孔，具體而言係 通石夕晶穿孔(TSV)。魏通孔係具有雙側接點連接。進 =短通過it件的訊號路徑。因此降低短路的風險 者’降低齡，其有利㈣直整合及進—步減少侧向突出。 ^圖U至圖14，於下說明承載結構43的其他觀點。 U及圖13中’可見識到實施為電鑛通孔(穿 訊躲47。具體㈣，賴線設置在相對於彼此 則上，亦可將訊號線47設置在一列或多於兩列， ;舰m、尤其至少四列或更多列。具體而言， ，線47亦可設置在切除部44的所有四邊。舉例而 號線47亦可設置成制，尤其偏離的细。 ° 在圖11至圖14所示的實施例中，將鐵磁金 =載:構43的後側49’其具有兩個條狀(具體而細 開口 62，用於與接觸元件5〇接觸。於圖u及圖η中額: 33 201250291 ’ 強調用於接觸鏡陣列22的接觸元件63。接觸元件63同樣 可設置在相對於彼此的兩列。同樣可考慮選替的配置方式。 再者’舉例繪示用於降低承載結構63内訊號的連接線64。 圖式舉例顯示複數接觸元件63可如何利用此種連接線64連 接至(即電連接至)相同的訊號線47。訊號線47的實際數目 (具體而言係承載結構43之接觸元件63的實際數目）可明顯 大於圖11至圖14所示的數目。在承載結構43後側49上的 接觸元件50數目係在1〇至200的範圍，尤其係在40至15〇 的範圍。具體而言，通過承載結構43之訊號線47數目至少 與承載結構43後側49上接觸元件50數目的大小相同。具 體而言’通過承載結構43之訊號線47數目係在1〇至3〇〇 的範圍’尤其係30至200的範圍，尤其至少50、尤其至少 1〇〇。具體而言，用於接觸鏡陣列22的接觸元件63數目至 少與訊號線47數目的大小相同。原則上，亦可將複數訊號 線47連接至單獨的接觸元件63。於此案例中，接觸元件63 數目亦可小於訊號線47數目。具體而言，接觸元件63數目 係在10至1000的範圍，尤其至少50、尤其至少】〇〇。

圖15舉例顯示鏡陣列22後側48上的接觸。於此案例 中，為說明目的以虛線顯示位在下方的四個ASK： 52的位 置。於此實施例，密封環61整合至鏡陣列22之基板30的 金屬化後側48。以各ASIC 52而言，在鏡陣列22後側48 上&供類似矩陣形式的覆晶接觸53群組。再者，於各荦例 中舉例顯示四條訊號線47，其用於ASIC 52的電源供應及 供應訊號輸入(具體而言係指數位訊號）。因此，訊號線47 具體為電源供應導線及/或控制ASIC 52的資料線。於此案 例中’一組訊號線47可用於供應複數ASIC 52。因此減少 訊號數。同樣提供覆晶接觸53用於將訊號線47連接至ASIC 34 201250291 - 52。所有的接觸53及訊號線47可架構(即整合)於鏡陣列22 後侧48的單一金屬層。原則上亦可為鏡陣列22後側钝上 多層金屬化的實施例。關於ASIC 52的電壓及訊號供應的例 示細節及利用AS1C 52對鏡陣列22之致動器的控制應參考 WO 2010/049 076 A2。 夕 元件40形成自給式功能性單元。 參考圖16至圖24於下說明光學組件65的細節及特 色。舉例而言，組件65可用作為投射曝光裝置丨之照射光 學單元4的琢面鏡13、14。原則上組件65亦可為投射曝光 裝置1之投射光學早元7的部件。如圖16極示意所示，組 件65包含底板59以及複數的上述光學元件4〇、4〇a。底板 59形成光學元件40的機械支撐元件。底板59的尺寸及形 式在底板59之材料的材料處理(具體而言為金屬處理)可能 性範圍内可自由選擇。再者，底板59用於冷卻光學元件40。 元件40、40a設置在底板59上。元件40、40a利用固定裝 置66固定在底板59上’於下將更詳細說明。因為元件40 的模組化架構’所以原則上可在底板59上設置任何所欲數 目的元件40。元件40的數目及設置僅受限於底板59的尺 寸。一般而言，組件65之光學元件40的數目至少1個，尤 其至少5個、尤其至少16個、尤其至少64個、尤其至少 256個。具體而言，元件40係以實質無任何間隙之方式於 底板59上拼合成預定區域的方法設置在底板59上。具體而 言，元件40以密集堆積方式設置在底板59。相鄰元件40 以彼此距離d的方式設置在底板59上。具體而言，相鄰設 置的元件40之間的距離d為最多1 mm、尤其最多500 μιη、 尤其最多300 μιη、尤其最多200 μιη、尤其最多100 μιη、尤 35 201250291 • 其最多50哗。兩相鄰設置的元件40之間的距離d最多與 個別元件40的侧向頂出大小相同。因為個別元件的垂直 整合’因此可藉由元件40的配置而在底板59上產生實質任 意形狀(具體而言任意尺寸)的總鏡表面。 、 根據一優勢實施例，元件40可替換地設置，具體而言 係以非破壞性方式替換設置於底板59上。選替地，元件4〇 可固定地連接至底板59。元件40可利用例如黏著層（圖中未 顯示)連接至底板59。具體而言，藉此可進一步改善元件4〇 及底板59之間的熱傳導。 元件40及底板59之間的熱阻較佳小於1 κ/W。底板59 係由具有良好導熱性的材料所構成。具體而言，底板59係 由金屬所構成’例如銅、銘或該些元素的化合物。底板59 在面對元件40的前側67具有拋光表面。如此可改善元件 4〇及底板59之間的機械及/或熱及/或電接觸。具體而言， 從元件40至底板59的熱轉移阻抗可因表面的拋光而降低。 為了改善組件65(具體而言指光學元件4〇)的冷卻，組件 65具有冷卻糸統68。冷卻糸統68可包^ —或複數冷卻線 70 ’冷卻流體69可施用至冷卻線70。各冷卻線7〇包含饋 入線71、整合至底板59的冷卻部分72以及排出線73。饋 入線71及排出線73皆設置在底板59的後侧74上，該後側 係光學元件40的相反側。舉體而言，適當的氣體或液體 做為冷卻流體69。 冷卻系統68可具有一或複數冷卻線70。冷卻線70可 6又置成分布於底板59周邊的方式。亦可將冷卻線7〇僅設置 36 201250291 ' 在底板59的特定周邊區域中，具體而言係僅在底板59的一 側上。如圖21所示，冷卻部分72可僅設置在底板59的邊 緣區。於此案例中，該冷卻部分具體實施成蜿蜒的方式。 圖22顯示冷卻系統68的選替實施例。在本實施例中， 冷卻線70(具體指冷卻部分72)係以平行於底板59範圍的方 式設置’亦即具體指垂直於表面法線41的方式。於本實施 例中’冷卻部分72亦整合至底板59。冷卻線70(具體指冷 卻部分72)的此種設置方式可降低’尤其可避免底板59的側 向溫度梯度。 圖23顯示冷卻糸統68之另一選替或額外實施例。在本 實施例中，冷卻線70設置在分開的冷卻板75。冷卻板75 設置成與底板59相距一段距離。具體而言，冷卻板75係與 底板59機械地解耦。具體而言，冷卻板75可在表面法線 41方向上相對於底板59偏離的方式設置。為了確保有足夠 的熱流從底板59流至冷卻板75，係提供多個導熱元件76。 導熱元件76為具有高導熱性的機械性軟元件。舉例而言’ 銅縵、銅箔或其他專用於熱傳導的機械性軟元件為適當的導 熱元件76。於一尤其優勢的實施例中，導熱元件％可由囊 包式高定向石墨(encapsulated highly oriented graphite ;簡稱 HOPG)所製成。 原則上底板59與冷卻板75的機械解轉可藉由設置在底 板59及冷卻板75之間的額外機械阻尼元件77進一步改 善。於本冷卻系統68實施例中，可降低因冷卻液體流至底 板(尤其設置於其上的元件4〇’尤其是鏡元件Μ)而激發的震 盪傳遞，尤其降低至少9G%的範圍。如此改善鏡藉23的 37 201250291 ' 位置穩定性，因而改善組件65之元件40之鏡陣列22的光 學品質。 原則上亦可將冷卻板75以不同方式設置，例如係設置 成相對於底板59側向偏離。再者，冷卻板75可具有弓|通開 口（圖23未顯示），用於引導電訊號線通過至底板59。 因此’冷卻系統68可直接或間接地連結至底板％。具 體而言，冷卻系統68可實施成整合至該底板的方式或與該 底板分開而利用導熱元件76連接的方式。 於下更詳細說明固定裝置66。固定裝置66包含至少一 (具體指複數)磁性構件。因此，亦稱為磁性固定裝置66，具 體而言其包含複數永久磁鐵79的配置。永久磁鐵79設置成 於表面法線41方向上將其N極與S極分別並排設置。以要 設置在底板59上的各元件40而言，將具有相互相反極性的 兩個永久磁鐵79在垂直表面法線41的方向上並排設置》同 樣地’元件40可具有不同數目的永久磁鐵79。具體而言， 可提供一個、四個或八個永久磁鐵79至一個元件4〇。將永 久磁鐵79的配置選擇成最佳化永久磁鐵79作用在元件4〇 的支托力。 固定裝置66(尤其指永久磁鐵79)係整合至底板59。 再者’固疋裝置66包含鐵磁性元件。額外的鐵磁性 疋件80同樣地整合至底板59，用於放大永久磁鐵79所產 生的磁通量。 38 201250291

ά!3 ^ Λί\ 〜今、且 υυ < 不；/ 之鐵磁性元件57之間的距離而進行調整 ’可將磁性支托力作用於光學元件 的支托力至少為10 Ν，其為可 57。具體而言，固定裝置66之永久 卜 40 的去杯.* s a , Λ* a __ 可藉由調整固定裝置66之永久磁鐵79 ^磁鐵79與鐵磁性元件57之間的距離範圍高達 cm，八體而言係在1〇〇 μιη至i mm的範圍。 永久磁鐵79較佳可設置在底板％，而使得其與元件4〇 的鐵磁性元件57相互作㈣元件4G在底板59發生自 準方位。 於一優勢實施例中(參見圖37)，固定裝置66可具有額 外的電磁鐵81。於此案例中，電磁鐵81較佳設置在永久磁 鐵79相對於元件4〇的相反侧上，具體係底板59的後側47。 具體而言，電磁鐵81可以可釋放方式設置在底板59的後側 74。利用電磁鐵可產生額外暫時的電場。具體而言，藉此可 對永久磁鐵79作用於光學元件40的支托力進行暫時的補 償。因此，利用電磁鐵81可將固定裝置66實施成使底板 59與其中一個光學元件4〇之間的機械連接尤其於裝設/拆除 程序期間形成所謂的零插入力(ZIF)介面。 再者，底板59包含用於與光學元件40之介面55產生 電接觸的手段/裝置，其係實施成觸針82。觸針82整合至底 板59中的切除部83。觸針82設置成列。具體而言，觸針 82分別設置在固定裝置66之永久磁鐵79的兩個相互相反 側(參見圖18)。具體而言，觸針82在用於固定相鄰元件40 39 201250291 • 的永久磁鐵79之間設置成雙列。具體而言，觸針82的配置 精確地對應於光學元件40之後側49上介面55之接觸元件 50的配置。觸針82係設置成因應底板59上元件40的配置， 個別觸針82與該元件之介面55的接觸元件50形成電接 觸。具體而言，於個案例中，觸針82與接觸元件50之間的 接觸電阻係最多100 ιηΩ。於一優勢實施例中，向兩側開放 的通道89網格係設置在底板59中。通道89自底板59的前 侧67延伸遠至其後側74。具體而言，於各案例中，通道89 設置在固定裝置66的兩個永久磁鐵79之間。因此，通道 89於各案例中係以相對於光學元件40集中的方式設置。壓 縮空氣可施用至通道89以助於拆除元件40。 為了促使在觸針82與元件40之介面55的相關接觸元 件50之間形成電接觸，於各案例中觸針82為彈性的，亦即 係實施成彈性觸針、簡稱彈性針。具體而言，觸針82可實 施成雙側具有彈性。觸針82可以群組方式結合，具體即鎮 入電絕緣基板84，例如可由陶瓷、玻璃或鐵氟龍(Teflon)所 構成。基板84可整體併入底板59。此種實施例尤其可簡化 觸針82在底板59中的配置’因此有利於製造方法。 於各案例中’觸針82在底板59的後側74電接觸電路 板85。具體而言，電路板85係由陶瓷或金屬材料所構成。 具體而言，電路板85可為印刷電路板(pcb)。電路板85利 用ASIC 52接收並傳送訊號以控制個別反射鏡23。具體而 言’個別光學元件40的校正資料可儲存於施用至電路板85 的額外微晶片/ASIC中。具體而言，組件65包含多個電路 板85。電路板實施成條狀形式。具體而言，電路板設置成 對應於介面55之接觸元件50的配置方式，係底板59之後 201250291 . 側74上的平行條。於各案例中，針對雙__ 82可提供 -個電路=5。電路板85固定地連接至底板59: 85可以可釋放的方式連接至雜外。具體而言^ ^螺絲鎖至底板59。於她种，—個電路板f 連接螺絲86可達到此目的。當電路板％用_鎖至底板 59時’電路板85的接觸區87與觸針82電接觸。於選替實 施例中，觸針82直接連接(具體係焊接或锻接)至電路板^。 於此案例中’將觸針82引入底板59中的切除部83，因而 在鎖固電路板85時整合至底板59。 觸針82可額外用作為將元件4〇定向在底板59的光學 及/或機械辅助件。此種額外的光學/或機械辅助件亦可設置 在底板59的前側67。圖16示意地以簡化方式顯示此種輔 助件88。具體而言，具體而言，輔助件88使底板59以自 動方式裝配元件40。如此有助於組件65的生產。機械輔助 件88較佳實施成使光學元件4〇在底板59達到被動式自行 對準。 參考圖35於下說明製造光學元件40的方法。為了說明 本方法’於圖26至圖34中示意地顯示在此案例中所得的中 間產物。首先，於預備程序123中預處理鏡陣列22。預備 程序可包含提供步驟、研磨步驟以及塗佈步驟。這些預處理 步驟的細節應參考WO 2010/049 076 A2,尤其是圖17及相 關說明。 於接合步驟90中，產生具有經預處理的鏡陣列22與承 載基板92的鏡陣列晶圓堆疊91。承載基板92亦稱為「反 射鏡處理晶圓」，其第一用於保護鏡陣列22的鏡元件23， 201250291 . 第二其對鏡陣列晶圓堆疊91的機械穩定性有決定性的貢 獻。承載基板92可連接至—個，尤其是複數個經預處理的 鏡陣列22。承載基板92亦可已經是經預處理的鏡陣列22 的部件。具體而言，承載基板92可已經是製造具有極平滑 表面之微鏡之方法的部分，其係描述於 WO 2010/049 076 A2。 於連結步驟93中，然後將ASIC 52接合至鏡陣列22的 後側48。此可利用覆晶方法進行。圖27示意顯示以此方式 所產生的中間產物。 提供步驟94係提供周於製造承載結構43的基板95。 基板95為晶圓，具體而言為石夕晶圓，尤其是所謂直通矽晶 穿孔(TSV)晶圓。具體而言，直通矽晶穿孔晶圓已具有用於 5孔號線47的電鐵通孔96。該基板亦可具有接觸元件5〇。 施用步驟97係將鐵磁金屬箔57施用至TSV晶圓95。 於此案例中，已預先結構化金屬箔57。具體而言，金屬箔 57具有通達到介面55(尤其是接觸元件50)的開口 62。若有 需要’針對此目的可提供分開的結構化步驟。具體而言，將 金屬箔57接合至TSV晶圓95的後側49。選替地，亦可電 沉積鐵磁金屬層至TSV晶圓95的後側49。 於蝕刻步驟98中，使TSV晶圓95具有切除部44。於 圖30所示之中間產物的案例中’切除部44設置在tsv晶 圓95相對於金屬箔57的相反側。 舉例而言，於蝕刻步驟98係提供矽沉浸蝕刻方式。原 42 201250291 • 則上切除部44亦可以某些方式導入TSV晶圓95，例如機械 方式。 為了同時製造複數個元件40，可導入複數切除部44至 TSV晶圓95。具體而言’可於單一方法步驟中同時將複數 切除部44導入TSV晶圓95。 如上所述，可有各種具有不同金屬箔57配置的實施 例。於將金屬箔57配置於切除部44的案例中，當然钱刻步 驟98係在施用步驟97之前。 施用步驟97及蝕刻步驟98 —起形成TSV晶圓95的預 處理步驟1〇5。預處理步驟1〇5之後形成承载結構43。 於連接步驟99中，將具有切除部44的TSV晶圓95連 接至鏡陣列晶圓堆疊9卜具體而言，將TSV晶圓95接合至 鏡陣列晶圓堆疊91的後侧。如此形成TSV晶圓95中之電 與鏡陣列22之基板3G之後側48上對應相關覆晶 接觸53之間的雷接觸。 於亓杜40 AA,叠1於此案例中’切割切除部設置成對應 晶圓95與部，尺寸。於切割步驟1〇0期間，完全切斷TSV 係選擇為總1車歹· 22之基板3〇。切割步驟100的切割深度 圓堆疊言仍保持完整)形成鏡陣列晶 4。因而只由承4二 切割步鄉⑽之後’元件 43 201250291 於後續單個化步驟101中’移除承載基板92而達到單 個化元件40的目的。針對此目的較佳提供蝕刻方法。移除 承載基板92後，保護層1〇2仍位在鏡陣列22上。保護層 102係由例如氧化石夕所構成。 於另一蝕刻步驟103中，移除保護層1〇2。具體而言’ 提供利用氣態氟化氫酸的蝕刻來達成此目的。具體而言，蝕 刻步驟103可執行於無氧化氛圍以避免鏡元件23的反射面 36再氧化。直到移除保護層1〇2之前，鏡元件23 一直受到 保護層102的保護《因此，具體而言，於連結步驟93期間， 鏡元件23受到保護層1〇2及承載基板92的保護。ASI(： & =連結以及TSV晶圓95至鏡陣列晶圓堆疊91的連接係在 單個化步驟101之前執行。 然後可提供塗佈步驟104，以提供塗層至鏡元件23，具 體係其反射φ 36。具體而言，塗層可為EUV反射塗層。具 體而言，亦可涉及多層塗層。 八 上述製ϋ元件4〇之方法的—個主要伽在於可以批次 $連續進行’亦即以晶_製程進行q避免在晶片級要 ，仃的處理步驟。因此本方法較簡彳卜藉此可降低 40的製造成本。 - 於下參考圖36說明用於處理(尤其是位移)光學元件4〇 ίΐΐ 1〇6。工具1〇6包含基體107。基體107的尺寸係配 。先二讀4㈣尺寸。魏電磁鐵⑽，係設置於基體 中，於圖36中分別舉例繪示兩個電磁鐵。一般而言， 工具106包含至少一電磁鐵1〇8。電磁鐵1〇8可個別驅動。 44 201250291 針對此目的’工具l〇6具有控制裝置11〇。電磁鐵⑽亦可 藉由控制裝置個別驅動。利用電磁鐵108可產生用於支托元 件40的磁性支托力。可利用控制裝置ι]〇彈性地控制此支 托力。電磁鐵109用於補償底板59中之固定裝置66作用在 元件40的支托力。具體而言，該支托力取決於元件40與底 板59之間的距離。透過利用控制裝置11〇控制由電磁鐵1〇9 所產生的磁場，可非常精確地補償固定裝置66作用於元件 40的力p 原則上，若工具1〇6可以預定支托力支托元件4〇就足 夠了。針對此目的，僅需要適當地控制電磁鐵1〇8所產生的 磁場。原則上可省略磁鐵1〇9。 為了量測作用於元件40的支托力，具體指元件4〇與工 具106之間的施加壓力，工具1〇6具有感壓感測器U1的陣 列。感壓感測器111係訊號連接至控制裝置11〇β具體而言， 感壓感測器1U分別設置在間隔元件112與基體1〇7之間。 間隔元件112根據鏡陣列22之基板30的邊緣區42實施。 具體而言，間隔元件112具有寬度bs，其係小於邊緣區42 的寬度b。藉由間隔元件112，可確保光學元件4〇與工具 106之間的接觸僅發生在邊緣區42而不會在鏡元件23區域。 原則上感壓感測器111可整合至間隔元件112。 將光學(尤其是透射)結構113引入間隔元件112中，該 些結構使工具106能精確地相對於光學元件40定向。為了 監視及/或控制工具106相對於元件40的方位，額外提供光 學感測器114，例如迷你相機。光學感測器114可整合至基 45 201250291 ' 體107。光學感測器114可配合定向元件58，具體係與定向 元件58進行互動。 再者，提供中央距離感測器115，用於量測工具1〇6與 光學元件40之間的距離。具體而言，距離感測器Π5係居 中設置’亦即設置在基體107對元件40之前側116的中間。 原則上亦可提供複數(至少四個)距離感測器115。距離感測 器U5訊號連接至控制裝置11〇。 再者’提供距離感測器117以量測工具106相對於底板 59的距離及/或方位，具體係指工具1〇6所支托的光學元件 °距離感測器117訊號連接至控制裝置11〇〇工具1〇6較 佳具有至少三個(尤其至少四個)距離感測器117。 再者，可側向提供一或複數光學參考件118於基體1〇7 上，以監視及/或控制工具106或由工具1〇6所支托的元件 40相對於底板59的方位。 上述具有功能性構 具體係拾取-放置機 以自動方式(尤其是 為了使光學元件40有較佳的處理， 成部件的基體107係連接至定位系統， 械手臂119。利用工具1〇6可使底板59 全自動方式)裝配光學元件40。 於下參考圖37及圖38說明用於製造光學組件仍之方 法的觀點。提供步驟120係涉及提供具有固定裝置的的底 板59。制上可設置元件40至底板59上，以、利用执置在 t板固上的一或複數電磁鐵81來補償(‘係中 牙）固疋裝置66之水久磁鐵79所產生的磁場。可利用磁鐵 46 201250291 81部分補償永久磁鐵79所產生的電場。於此案例中 供電磁鐵81作為組件65的部件，尤其是底板59的部件， :=地=可釋放地連接至底板59。選替地，電磁鐵81 亦可為另-辅助1具的部件。原壯亦可提 非電磁鐵81 〇 m而 利用磁鐵81至少部分補償磁鐵79所產生的磁 擇性補償細12卜 ^ 在一或複數放置步驟122中，將元件40設置在底板59 上:具體而言，此乃利用工具1〇6進行。根據本發明，為了 將兀件40設置在底板59上，將固定裝置66之永久磁鐵79 的磁2作用於元件40，其係分別設置以利用額外的磁場進 行補償。額外的磁場可利用磁鐵81及/或將元件4()支托於 工具106的電磁鐵及/或尤其利用電磁鐵1〇9來實現。 具體而言，進行的補償係僅對作用在要設置的元件40上的 力進行補償’藉此不影響已設置在底板59上的元件4〇。適 當配置及/或驅動磁鐵81及/或1〇8及/或尤其是1〇9可達到 此目的。補償永久磁鐵79作用於元件40的支托力使得底板 59針對要設置的元件4〇形成零插入力(ZIF)介面。具體而 言’如此能柔軟、輕柔、尤其無震動地將元件40配置於底 板59上。具體而言，可避免元件4〇接近底板59時突然彈 開。 針對處理目的，尤其是針對底板59上配置的目的或從 底板59上移除的目的，利用工具1〇6接觸元件40僅在鏡陣 列22之基板30的邊緣區42。具體而言，可省略側向接觸。 於此案例中，利用感測器111量測工具106施加到元件40 47 201250291 置110控制支 上的支托力，尤其是施加壓力。可利用控制農 托力’尤其是利用自動控制。 是其==::17監測元件40朝底板59前進，尤其 位 利用光學參考件118監測元件40相對於底板 59的方 U7指示元件40是否 感壓感測器111及/或距離感測器 與底板59接觸。 2在於元件40已達到其在絲59上的預定位置，藉 _4G蚊托賴償可降至零。補 4 員係較佳逐漸地尤其是連續地降低。 為了騎元件40，_永久磁鐵79施加職元件4〇 It力可利用磁鐵81及/或尤其是工具1G6的電磁鐵 、㈧進订補償。可施加壓縮空氣到對應通道89以額外 支援元件40的拆除。 使用具有上述其中一個集光器變化例的投射曝光裝置^ 提供光罩24及具有對照射光1G為感光塗層的晶圓。之 後，利用投射曝光裝置1將至少―部分的光罩24投射到晶 圓。將光罩24投射到晶圆時，光罩支托器及/或晶圓支托器 可在平行於物件平面6及/或平行於雜平面9的方向上位 ，。光罩24及晶圓的位移較佳以彼此同步的方式實施。最 後顯衫晶圓上照射光1〇曝光的感光層。以此方式製造微 48 201250291 ' 結構或奈米結構元件，尤其是半導體元件。 【圖式簡單說明】 基於複數例示實施例的說明並參考圖式將更清楚本發 明其他細節及優點，其中： 圖1示意地顯示用於微影的投射曝光裝置的切面示意 圖，其具有照明系統及投射光學單元； ~ 圖2顯不投射曝光裝置的照明系統實施例，其具有鏡陣 列(MMA)及被鏡陣列所照射的瞳琢面反射鏡； 圖3示意地顯示圖2之曈琢面反射鏡的例示平面圖，其 具有對應於照射設定的瞳琢面照射； 圖4不意地顯示圖2之照明糸統，其具有鏡陣列至曈琢 面反射鏡之通道指派，其中通道指派可由鏡元件的位移所產 生； 圖5顯示圖3之瞳琢面反射鏡之示意平面圖，其具有對 應於環形照射設定之曈琢面照射； 圖6顯示圖2至圖4之鏡陣列的兩個鏡元件的示意圖， 該等鏡元件位在彼此旁邊； 圖7顯示具有鏡陣列(MMA)之光學元件實施例的示意 截面圖； 圖8至圖10顯示具有鏡陣列(MMA)之光學元件其他實 施例的示意截面圖； 圖Π至圖15顯示光學元件之承載結構的示意圖，以說 明個別細節； 49 201250291 ' 圖16顯示具有鏡陣列(MMA)設置在底板之四個光學元 件之光學組件的例示圖； 圖口顯示底板實施例之截面圖； 圖18顯示圖π底板之示意平面圖，其中顯示觸針的配 置及整合至底板之磁鐵的配置以說明個別細節； 圖19至圖20顯示底板中彈性觸針的配置及設置在底板 後側之電路板的兩個選替實施例； 圖21至圖23顯示底板的示意圖，以說明不同實施例的 冷卻系統； 圖24顯示光學組件的截面圖，其具有元件設置在底板 上； 圖25顯示元件在底板上的配置示意圖，以說明本發明 其他觀點； 圖26至圖34顯示光學元件製造期間的不同中間產品； 圖35示意地顯示製造光學元件之方法順序的方法步 驟； 圖36示意地顯示用於處理光學元件之工具的示意圖； 圖37示意地顯示將元件配置在底板上以製造圖24 件的方法示意圖；以及 圖38示意地顯示用於製造圖24之組件的方法順序的方 法步驟。 50 201250291 【主要元件符號說明】 1 投射曝光裝置 2 照明系統 3 輻射光源 4 照射光學單元 5 物場 6 物件平面 7 投射光學單元 8 影像場 9 影像場 10 EUV輻射 11 集光器 12 中間聚焦平面 13 場琢面反射鏡 13a場琢面 14 瞳琢面反射鏡 14a瞳琢面 15 傳輸光學單元 16 反射鏡 17 反射鏡 18 反射鏡 19 照明系統 20 第一集光器 21 場琢面反射鏡 21a場琢面 201250291 22 鏡陣列 23 鏡元件 24 反射式光罩 25 可真空化腔室 26 邊界壁 27 流體管線 28 斷流閥 29 真空泵 30 基板 31 導熱部分 32 鏡本體 33 關節體 34 外支托環 35 内支托體 36 反射面 37 間隔物 38 致動器插銷 40 光學元件 40a元件 41 表面法線 42 邊緣區 43 承載結構 43a前側 44 切除部 45 基部 52 201250291 46 邊緣區 47 訊號線 48 後側 49 後側 50 接觸元件 51 控制裝置 52 ASIC 52a ASIC 53 覆晶接觸 54 電極 55 介面 56 觸針 57 鐵磁性元件 58 定向元件 59 底板 60 前側 61 密封元件 62 開口 63 開口 64 連接線 65 光學組件 66 固定裝置 67 前側 68 冷卻系統 69 冷卻流體 201250291 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 冷卻線 饋入線 冷卻部分 排出線 後側 冷卻板 導熱元件 機械阻尼元件 導熱元件 永久磁鐵 鐵磁性元 鐵磁性元件 觸針 切除部 基板 電路板 連接螺絲 接觸區 辅助件 通道 接合步驟 鏡陣列晶圓堆疊 承載基板 連結步驟 提供步驟 54 201250291 95 基板 96 電鍵通孔 97 施用步驟 98 蝕刻步驟 99 連接步驟 100切割步驟 101單個化步驟 102保護層 103蝕刻步驟 104塗佈步驟 105處理步驟 106工具 107基體 108電磁鐵 109電磁鐵 110控制裝置 111感壓感測器 112間隔元件 113光學結構 114光學感測器 115中央距離感測器 116前側 117距離感測器 118光學參考件 119拾取·放置機械手臂 55 201250291 120提供步驟 121補償步驟 122放置步驟 123預備程序

Claims (1)

1. 201250291 七、申請專利範圍： 1. 一種鏡陣列(22),係具有垂直一表面法線(41)延伸的一 總表面，包含： a. 多個鏡元件(23)，各具有： i. 一反射面(36);以及 ii. 至少一自由度的位移； b. 其中該等鏡元件(23)的全部形成該鏡陣列(22)之一 總反射面的一拼合部；以及 c•其中該鏡陣列(22)模組化實施為一瓦片元件，而使該 總反射面的該拼合部可由複數此種鏡陣列(22)的鋪砌而延 伸。 2. 如申請專利範圍第1項所述之鏡陣列(22),特徵在於該 總表面在一垂直於該表面法線(41)之方向突出超過該總反射 面最多5 mm。 3. 一種光學元件(40 ; 40a)，包含： a.如申请專利範圍第1或2項之鏡陣列p2);以及 b· —承載結構(43)，設置成相對於該鏡陣列(22)在該表 面法線(41)之方向偏移； c. 其中該承載結構(43)在一垂直於該表面法線(41)之 方向突出超過該鏡陣列(22)之該總表面最多imm。 4. 如申請專利範圍第3項所述之光學元件(4〇 ; 4〇a),特 徵在於該承載結構(43)僅於一邊緣區(42)機械連接至該鏡陣 列(22)。 5. 如申請專利範圍第3或4項所述之光學元件(4〇; 40a) ’ 57 201250291 • 特徵在於用於控制該等鏡元件(23)位移的一控制裴置(51)係 整合至該承載結構(43)。 6. 如申凊專利範圍第3至5項任一項所述之光學元件 (40 ; 40a) ’特徵在於提供一電介面(55)，其相對於該鏡陣列 (22)設置在該承載結構(43)之相對側。 7. 如申請專利範圍第3至6項任一項所述之光學元件 (40 ; 40a)，特徵在於該承載結構(43)包含至少一鐵磁性元件 (57)。 8. 一種光學組件(65)，包含： a. —底板(59) ’供設置光學元件(4〇 ; 40a); b. 至少一如申請專利範圍第3至7項任一項所述之光 學元件(40 ; 40a); c. 其中該至少一光學元件(4〇; 4〇a)利用一固定裝置(66) 固定在該底板上。 9. 如申請專利範圍第8項所述之光學組件(65)，特徵在於 其包含至少五個如申請專利範圍第3至7項任一項所述之光 學元件(40 ; 40a)。 10·如申請專利範圍第8或9項所述之光學組件(65)，特徵 在於該至少一光學元件(40;40a)以可替換方式設置在該底板 (59)上。 11.如申請專利範圍第8至10項任一項所述之光學級件 (65) ’特徵在於該固定裝置(66)包含磁性構件(79)。 58 201250291 12. 如申請專利範圍第8至u項任一項所述之光學組件 (65)，特徵在於提供彈性觸針(82)，用於與該至少一光學元 件(40 ; 40a)之一介面(55)形成一電接觸。 13. —種製造如申請專利範圍第3至7項任一項所述之光學 元件(40 ; 40a)的方法，包含以下步驟： 提供一晶圓堆疊’係具有至少一如申請專利範圍第1 或2項所述之鏡陣列(22)以及一覆蓋基板(92); 提供一承載基板(95); 預處理該承載基板(95); 將該承載基板(95)連接至該晶圓堆疊， 其中提供一批次方法用於將該承載基板(95)連接至該 晶圓堆疊。 14. 一種處理如申請專利範圍第3至7項任一項所述之光學 元件(40 ; 40a)的工具(1〇6)，包含： 至少一電磁鐵(108 ; 109)，用於產生一預定支托力；以 及 至少一間隔元件(112)，用於定義該工具(1〇6)與該光學 元件(40 ; 40a)之間的一預定機械接觸區。 15. —種製造如申請專利範圍第8至12項任一項所述之光 學組件(65)的方法，包含以下步驟： 提供一磁性固定裝置(66, 79)至該底板(59); 設置該等光學元件(40 ; 40a)於該底板(59)上， 其中為了將該等光學元件(40 ; 40a)設置於該底板(59) 上’利用一額外磁場至少部分補償要設置在該個別光學元件 (40 ; 40a)上之磁鐵(79)所施加的力。 59 201250291 16. —種用於一投射曝光裝置(丨)之光學單元(4, 7)，包含： 如申凊專利範圍第8至12項任一項所述之光學組件(65)。 17. —種用於一極紫外線投射曝光裝置(1)的照明系統，包 含： a·如申請專利範圍第16項所述之光學單元(4);以及 b. —極紫外線輻射源(3)。 H 一種用於極紫外線微影的投射曝光裝置(丨），包含：如 申晴專利範圍第16項所述之光學單元(4, 7)。 19. 一種用於製造一微結構或奈米結構元件的方法，包含以 下步驟： 提供一基板’該基板至少部分塗有由一感光材料所組成 的一層； 提供一光罩(24) ’該光罩具有要成像之結構； 提供如申請專利範圍第18項所述之投射曝光裝置(1); 利用該投射曝光裝置(1)將該光罩(24)之至少一部分投 射至該基板之該感光層之一區域上。 2〇. —種利用如申請專利範圍第19項所述之方法製造的元 件。 60