TW201250016A - Two-layered copper-clad laminate material, and method for producing same - Google Patents

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201250016 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明其特徵在於：一種2層覆銅積層材，其係於聚 醯亞胺（PI)膜上使用濺鍍或鍍敷處理形成銅層而成者，該 2層覆銅積層材可確保金屬層_PI膜之密合力，並且對 姓刻液之蝕刻速率與未處理之PI膜相比不變。 【先前技術】 近年來，可撓性電路基板被使用於各種用途中，亦根 據應用亦有各種特性之要求。於可撓性印刷基板之材料之 一的聚醯亞胺（PI)膜上以濺鍍法或鍍敷法形成銅層而成的 ^層覆銅積層（CCL : Cu Clad Laminate )材料與洗鑄材料 等相比較，具有可使銅層薄至5 V m以下以及可自由地設計 膜之厚度等特徵。 因此，上述2層覆銅積層材料適合用於醫療用探針或 虱體電子倍增管等用途中所要求的銅層厚度為2〜5“爪、 PI膜厚度為12.5〜5G/zm的單面及雙面CCL之製造方法。 、濺鑛法或锻敷法製造之2層CCL·材係於PI膜上藉由 賤鍍去形成次微米級之銅層後，藉由硫酸銅鍍敷處理形成 銅層者。基本發明記載於下述專利文獻1中。 於如此之用途中之CCL加工步驟中，有銅層蝕刻步 丰壓製步驟、及ρι膜之飯刻步驟等。其中，尤其Η触刻 ’一'成通孔或形成架空引線而實施之步驟，且係 用於進行自由之電路設計的重要步驟。 玄聚醯亞胺膜之蝕刻步驟中，有使用蝕刻液之濕式 201250016 、離子等之乾式法。濕式法與乾式法相比較， 製造成本較低，適合於大量生產。 於上述濺鍵法或鍵敷法中，為了使金屬層—ρι間之密 合力提高而對_進行電漿處理。？1膜接受㈣處理等時 產生吸附、脫離、分子鏈切斷等反應，從而pi膜之表面受 到改質。若PI膜表面改質，則存在根據其改質之程度而對 PI蝕刻液之溶解速度降低等問題。 然而’ 於PI膜之表面改質之調查、研究等幾乎均為 僅评價密合力之報告，但即便進行表現優異密合力之η表 面改質亦存在上述對ρι触刻液之溶解速度降低的問題， 有時無法作為電路材料而實際應用。&，於不實施聚醢亞 胺之表面改質之情形時，會因密合力較低而於銅層敍刻時 專產生電路剝離。 專利文獻1 :美國專利第5685970號公報 【發明内容】 為了解決如上所述之問題，本發明係對電漿處理前後 、表面進行XP S分析而實施表面特性分析，進而評價 電漿處理前後之？1膜之溶解特性及密合力，尋找出最適合 於利用濕式PI蝕刻步驟之加工的2層覆鋼板及其製造方 、 八體而。，本發明係提供一種2層覆銅積層材（板） 及其製ie方法’該2層覆銅積層材（板）係於聚醯亞胺膜 上藉由濺鍍及鍍敷處理形成銅層而成的2層覆銅積層材 ( 材料），尤其是銅層厚度為5#m以下，Pi膜之厚度 為12.5〜50以爪的2層覆銅積層材（板），其顯示出良好之 4 201250016 密合性’並㈣膜之溶解特性與未處理之㈣相比無變化。 本發明人為了使密合性與溶解特性並存而進行潛心研 究，結果發現了於聚酿亞胺膜上藉由賤鍵及鑛敷處理形成 銅層而成# 2層覆銅積層材顯示良好之密合性與溶解特性 的電漿處理條件。 基於該等發現，本申請案提供以下之發明。 1) 一種2層覆銅積層材，其係於氧氣環境中，對厚度 為12.5〜50#m之聚醯亞胺膜之單面或雙面進行利用輝^ 放電之電«理的改質處理，於該改#處理後之聚酿亞胺 膜之單面或雙面，藉由濺鍍或電鍍形成厚度為1〜5"爪之 銅層而成纟’其特徵在於：上述電漿處理後之聚醯亞胺臈 表面藉由光電子光譜法（XPS)求得之起因於⑴之波峰 加〜287eV與287〜29_各波峰的面積強度比在〇〇3至 0.11之範圍。再者，上述「C1S」有時亦表述為「cis」，該 荨為相同之表述。 2) 如上述1)之2層覆銅積層材，其中，改質處理後 之聚醯亞胺膜與未處理之聚醯亞胺膜相比，聚醯亞胺膜對 蝕刻液的溶解速度無差異。 3) 如上述1)或2)之2層覆銅積層材，其中，銅層 之厚度為1 8 # m之情形時的常態剝離強度為〇 9kN/ m以 上。 4) 如上述1)至3)中任一項之2層覆銅積層材，其 中’上述^^醯亞胺膜係在該聚醯亞胺膜之單面或雙面形成 銅層之刚’藉由滅鍵將Ni、Cr、Ni—Cu合金或Ni—Cr合 201250016 金之黏結層（tie coat layer)形成於該聚醯亞胺膜而成者。 5) 一種2層覆銅積層材之製造方法，係用於製造如下 2層覆銅積層材，該2層覆銅積層材係於氧氣環境中，對厚 度為12.5〜50//1I1之聚醯亞胺膜之單面或雙面進行利用輝 光放電之電漿處理的改質處理，於該改質處理後之聚醯亞 胺膜之單面或雙面，藉由濺鍍或電鍍形成厚度為1〜5/im 之銅層而成者，其特徵在於：上述電漿處理後之聚醯亞胺 膜表面藉由光電子光譜法（XPS)判定量求得之起因於Cls 之波峰283〜287eV與287〜290eV各波峰的面積強度比在 〇.〇3至〇· 1丨之範圍。 6) 如上述5)之2層覆銅積層材之製造方法，其中， 在聚酿亞胺膜之單面及雙面形成銅層之前，藉由濺鑛將

Cr Ni ~ Cu合金或Ni — Cr合金之黏結層形成於該聚酼 亞胺膜。 7) 如上述5)或6)所記載之2層覆銅積層材之製造 方法’其中，以改質處理後之聚醯亞胺臈與未處理之聚醯 亞胺膜相比’聚醯亞胺膜對蝕刻液之溶解速度無差異的方 式進行改質處理。 8) 如上述5)至7)中任一項之2層覆銅積層材之製 造方法’其中’將銅層之厚度為丨8 β m之情形時的常態剝 離強度設為〇.9kN/m以上。 本發明之2層覆銅積層材係於聚醯亞胺膜上藉由藏鐘 及鍍敷處理形成銅層而成的2層覆銅積層材（CCL材料）， 尤其是於厚度為12.5〜50ym之聚醯亞胺膜之單面及雙 6 201250016 面，藉由濺鍍或電鍍形成厚度為5以m以下之銅層而成的2 層覆銅積層材（板）’該2層覆銅積層材具有以下之優異效 果，即可獲得顯示常態剝離強度為〇 9kN/ m以上的良好之 雄、口性，且聚醯亞胺膜之溶解特性與未處理之ρι膜相比無 變化的2層覆銅積層材（板 藉此，具有以下特徵：於醫療用探針或氣體電子倍增 管等用途中，$會於銅層蝕刻步驟中產生剝離問題，並且 藉由於不使聚酿亞胺膜之溶解特性產生變化之範圍進行改 質處理，力聚醯亞胺膜之㈣步驟中可簡便地進行聚酿亞 胺膜之溶解。 L貫施方式】 (關於聚醯亞胺（ρι)膜加工步驟） 覆銅積層板之加工步驟之一為ρι膜之 驟係於對PI膜形忐„ 3丨,2 ^ ^ ^ _ . ^ 4孔（通孔）或架空引線部時實施。即， §亥步驟係去除不需要 之去除方 亡 膜之步驟。PI膜加工步驟（PI膜 方法）有濕式處理與乾式處理。 濕式處理係_ __液轉去除 覆銅積層板之情开/ f 於 _容解去除=，鋼層部係發揮抗㈣之作用1將 玄陈之步驟示於圖1中。 目的為低成本且大 明提供-種適合於 ，、於該濕式法。本案發 亞胺⑻膜。 層覆銅積層材及其製造方法之聚酿 (pi膜之加 覆鋼積層板 工步驟與PI膜之表面處理） 之製造步驟中的PI臈之表面處理 步驟係為 7 201250016 了提高pi膜與鋼層之密合性而必 之密合性較低之情形時，除了鋼層心於PI膜與銅層 工時之問題以外，電路 1 ，之電路流通等加 電路形成後之長期可靠性 對μ膜進行表面處理時，表面附近 理方法之不同而產生各種變化，例如處 化學結合狀態變化等。重要的是…之、，且成比變化、 表面處理之#μ #的疋充分㈣錢於該ΡΙ膜之 表面處理之變化與PI膜加工步驟之關係，提 於姓刻之經改質之聚酿亞胺膜。 〃種最適口 —ΡΙΜ之加工之濕式步驟中，制液體水解PI膜並進 :飯刻。因此，根據表面之化學結合狀態，存在難以產生 水解且難以㈣之情形。於本案發明巾，為碳波峰之形狀 產生大幅變化之情形。 設置於真空腔室内且藉由電衆處理使聚酿亞胺膜表面 活化後，藉由濺鍍形成次微米級之銅層。 由於所形成之銅層為用於其後所進行之形成電解銅層 之種，故而稱作銅晶種層。又，於藉由濺鍍形成次微米級 之銅層之前’可藉由濺鍍將由Ni、Cr、Ni-Cu合金或Ni —Cr合金構成之黏結層形成於聚酿亞胺膜表面。 如上述般，根據電漿處理所引起的聚醯亞胺膜之改質 程度’有時聚醯亞胺膜之溶解特性大幅變化，於聚醢亞胺 膜之飯刻步驟中產生#刻殘留，製品率降低。 因此’本發明人對聚醯亞胺膜表面之電漿處理進行潛 心研究。其結果，獲得下述發現。 對聚醯亞胺膜實施電漿處理時，一般而言會於聚醯亞 8 201250016 胺膜表面發生氣體吸附、脫離、官能基形成、分子鏈破壞 等。該改質層對聚醯亞胺膜之溶解特性造成較大之影響。 已知雖然藉由電漿處理而形成之改質層係為了確保聚 酿亞胺膜與金屬之密合性而必需者，但過度之改質處理會 伴隨聚醯亞胺膜表面之分子結構變化，甚至使聚酿亞胺膜 之溶解特性產生變化。 因此’本發明人對電漿處理條件、聚酿亞胺膜表面改 質程度、密合力及溶解特性之關係進行研究。其結果示於 圖2。本發明人發現藉由控制聚醯亞胺膜之碳（c )之化學 鍵結狀態之變化’可使密合力與溶解特性並存，具體内容 係示於下述之實施例中。 本案發明之聚醯亞胺膜之厚度為12·5〜50"m，對該聚 醯亞胺膜之單面或雙面進行電漿處理後，藉由濺鍍或電鑛 幵>成厚度為5em以下之銅層，而製造2層覆銅積層材。 藉由控制聚醯亞胺膜之CIS波峰之波峰強度比，可獲 得實現下述事項之條件：顯示常態剝離強度為0 9kN/ m以 上之密合性，且CCL之聚醯亞胺膜之溶解速度與未處理之 聚醯亞胺膜相比無變化。 電漿輝光處理係於低壓之氣體（氬、氮、氧等氣體） 中’藉由於陽極與陰極間施加電壓而產生之放電（輝光放 電）現象’於該處理中，稀薄氣體發生電離，產生由電子 與氣體正離子（例如氬、氮等離子）構成之電漿。將聚醯 亞胺膜暴露於電漿時，電漿中之正離子、電子、紫外線等 發生作用’將聚醯亞胺膜表面改質。該作用認為有吸附、 201250016 脫離、切斷分子鏈等。 本發明之電漿處理較佳A & 中之雷艰㈣^、 電，進行氧環續 ’ 5 。然而，只要是將聚醯亞胺膜朝向且有 下述實施例所示之特徵之表面狀態改質的處理，則亦；以 離子照射、紫外線照射#代#上述電衆處理作為表面處理。 藉由以上所述，可獲得常態剝離強度顯示為〇划, m，且聚酿亞胺膜對钮刻液（T〇ray 製造之p -3000 )之蝕刻速率與未處理之聚醢亞胺臈為相同程度的 CCL。本案發明之㈣亞胺膜之全溶解時間為6〜7分二左 右，可於極短之時間内溶解聚醯亞胺膜。 里 於本發月之2層CCL材料中使用之聚酿亞胺膜只要為 可達成本發明者龍無㈣限定，較佳為使用BPDA:ppD 系聚酿亞胺膜。 [實施例] 以下，將本發明之特徵具體地說明如下。再者，以下 之說明係用以使本案發明容易理解者，而並不限制於此。 即，基於本案發明之技術思想的變形、實施態樣、其他例 亦包含於本案發明中。 (實施例1 ) 使用聚醯亞胺膜（DuP〇nt 一 T〇ray公司製造，) 之厚度25/ζηι之產品，#由電漿處理、濺鍍及鍍敷處理形 成厚度5ym之銅層。 電漿處理中係使用氧氣之輝光放電，以以下條件實施 電聚輝光處理β μ 10 201250016 其後，藉由濺鍍形成l〇nm之黏結層NiCr ( 2〇wt%)、 200nm之銅晶種層，且藉由電鍍於其上形成5以爪之銅層。 對如上述般製作之2層CCL進行電鑛，將銅層厚度形 成為18" m之後’形成3mm寬之電路。繼而，卩9〇。測定 剝離強度。將銅層厚度形成& 18μπι之理由係為了使剝離 強度測定變得簡便。 又’藉由光電子光譜法（XPS)對電漿處理後之聚醢亞 胺膜表面進行分析。圖3係表示藉由光電子光譜法（xps) 所件之CIS之波峰之對比。由圖3可知：根據電漿處理條 件之強弱，起因於C1S之波峰分佈產生變化。 又，求出起因於CIS之波峰283〜 287eV (波峰A)與 287〜290eV (波峰B)之面積強度比。 存在於283〜287eV之波峰係來自於—c—c Η 因 專鍵結狀態之波峰，另一方而，，β7 οηη 另方面287〜290eV之波峰係起 於一 C = 0等之波峰。

忒兩波峰之面積強度之變化表示ρι表面之c之化學鍵 結狀態之比率。即’與由比較例1之未進行電毅處理之W 所得之面積強度比的差異，表示電漿處理所引起的ρι中之 C之鍵結狀態的變化詈。剩_ μ七、& — 山々 览化重對於求取該各波峰之面積強度時藉 由直線近似而進行之背哥本哈，丨、彡眘&九丨，从 牙不舌除以實施例1為例而示於圖2 中。 進而，以氯化鐵與鹽酸之混合液將所製作之2層ccl 之金屬層完全地去除，且進行水洗並僅取出㈣亞胺膜。 將該聚醯亞胺臈浸潰於液溫5〇t之TP-扇中，求得至全 201250016 部溶解之時間。將該結果示於表1。 [表1] 實施例 實施例 實施例 實施例 比較例 比較例' 比較例 波峰A與B之 __鱼積強度比 0.101 0.036 0.097 0.034 0.148 0.000 〒·000 PI全部溶 解時間 6 7 6 7 14 14* 黏結層組成

Ni —Cr (20wt%)

Ni — Cr (20wt% )

Cr

Cr

Ni—Cr(20wt%)

Ni —Cr(20wt%) ~ Cr 黏結層膜 厚（nm) 常態制離 (kN/m) 0.96Too- 1.00 "09Γ 10 0.70 1.00ΤσΓ 如表1及圖3所示般，面積強度比為〇. i 0 i，聚酿亞胺 (PI)獏之溶解時間為6分鐘之較短時間，黏結層之組成為

Cr ( 20wt /〇 ) ’黏結層之臈厚為！ 〇nm，常態剝離強度為 0-96kN/ m，獲得了良好之結果。 再者，此時之面積強度比與比較例丨之〇148相比減 小，教示藉由電漿處理，一 C = 0鍵之個數減少。 (實施例2) 於本實施例2中，除了使電漿處理後之面積強度比為 0.036以外，以與實施例“目同之條件實施。將該結果同樣 地示於表卜聚醯亞胺（ΡΙ)膜之溶解時間為7分鐘之較短 時間’ I结層之組成為Ni-Cr(2Gwt%)，黏結層之膜厚為 常態剝離強度為，獲得了良好之結果。 再者，此時之面積強度比與實施例丨之〇1〇1相比進一 步減小，教示藉由電漿處理，—c = 〇鍵之個數進一步減少。 該情況表示PI表面之C之鍵結狀態之變化大於實施例卜 12 201250016 (實施例3) 於本實施例3中’除了使電漿處理後之面積強度比為 0.097 ’且使藉由濺鍍所形成之黏結層之組成為Cr、膜厚為 7nm以外，進行與實施例1相同之處理。將該結果同樣地示 於表1。 其結果，聚酿亞胺（PI )膜之溶解時間為6分鐘之較短 時間，黏結層之組成為Cr，黏結層之膜厚為7nm，常態剝 離強度為1.00kN/m，獲得了良好之結果。 再者’此時之面積強度比與比較例1之〇. 14 8相比減 小’教示藉由電漿處理，一C = 0鍵之個數減少。 (實施例4 ) 於本實施例4中，除了使電漿處理後之面積強度比為 0.034，且使藉由濺鍍所形成之黏結層之組成為、膜厚為 7nm以外，以與實施例i相同之處理條件進行。將該結果同 樣地示於表丨。其結果，聚醯亞胺（ρι)膜之溶解時間為7 分鐘之較短時間，黏結層之組成為Cr，黏結層之膜厚為 7nm ’常態剝離強度為〇 93kN/m，獲得了良好之結果。 再者此時之面積強度比與實施例3之〇 Ο”相比進一 f減小’教示藉由電漿處理’ 鍵之個數進—步減少。 。玄清况表不PI表面之C之鍵結狀態之變化大於實施例3。 (比較例1 ) 於比較例1中，哈7 除了不實施電漿處理以外，設為與實 施例1為相同之條件。將兮 i ^ ^ V # ^ ^ "、、Q果同樣地示於表1。又，將藉 由光電子先D日法（XPS ) 得之CIS之波峰強度示於圖3。 13 201250016 如該表1所示，雖聚醯亞胺（PI)膜之溶解時間為7 分釦之較紐時間，黏結層之組成為Ni _ Cr (2〇wt%)，黏結 層之膜厚為l〇nm，但常態剝離強度降低至〇 7〇kN、，變 得不佳。此時之面積強度比為0148，反映出電漿處理前之 pi膜所具有之c之鍵結狀態。藉由以該比較例i之面積強 度比0.148料基準，且對電聚處理後之面積強度比進行比 較’可得知電聚處理所引起的〔之鍵結狀態之變化的大小。 (比較例2) 於比較例2中，進行較實施例強之電漿處理，使電漿 處理後之面積強度比為〇.〇。除此以外與實施例i同樣地進 行。 將該結果同樣地示於表lox，將藉由光電子光譜法 (xps)所得之C1S之波峰強度示於圖3。如該表i所示， 如上所述般面積強度比為〇.〇 ’聚醯亞胺（ρι)膜之溶解時 間為14分鐘之較長時間。雖黏結層之組成為Ni—心 (2〇wm)，黏結層之膜厚為1〇nm，t態剝離強度為較高之 UOkN/m，但如上述般，於特性方面，聚醯亞胺（PI)膜 之溶解時間變長，故而不佳。 此時之面㈣度比（)，〇意味著ρι表面幾乎不存在— c=0鍵。該情況表示與原來之…之化學鍵結狀態相差 甚遠。因此，難以產生由ΡΤ Μ 座生由PI蝕刻液引起的化學反應，其結 果溶解時間變長。 (比較例3) 於比較例3中’除了使藉由錢鑛所形成之黏結層之組 14 201250016 成為Cr ’使膜厚為7nm以外，與比較例2同樣地進行。將 該結果同樣地示於表1。 如該表1所*，如上述般，面積強度比為〇 〇，聚酿亞 胺⑺）肖之溶解時間$ 14分鐘之較長時μ。雖黏結層之 組成為Cr，黏結層之膜厚為7nm，常態剝離強度為較高之 1.07kN/m，但如上述般，於特性方面，聚醯亞胺（⑴膜 之溶解時間變長，故而不佳。 、 此時之面積強度比〇·〇意味著PI表面幾乎不存在— C-0鍵。該情況表示與原來之ρι之c之化學鍵結狀態相差 甚遠。因此，難以產生由PI#刻液引起之化學反應，其結 果，溶解時間變長。 根據以上可知：於實施例中，儘管常態剝離強度提高， 但聚酿亞胺膜㈣時間與未處理之聚醯亞胺膜相比並無變 化°此時上述面積強度比為〇 〇3至〇丨i。 觀察比較例’雖常態剝離提高，但發現聚醯亞胺膜之 蝕刻時間延遲》 雖為了提高聚醯亞胺與金屬層之密合性，必須藉由電 漿處理等進行表面改質，但藉由控制改質之程度，可於不 使聚醯亞胺本身之物性產生大幅變化之情況下，獲得金屬 層之密合性。 [產業上之可用性] 本發明之2層覆銅積層材係於聚醯亞胺臈上藉由濺鍍 及鍍敷處理形成銅層而成的2層覆銅積層材（CCL材料）， 尤其是於厚度為12 · 5〜5 0 βm之聚醯亞胺臈之單面及雙面 15 201250016 藉由濺鍍或電鍍形成厚度為5以爪以下之銅層而成的2層覆 銅積層材（板），該2層覆鋼積層材具有以下之優異效果， 即可獲得顯示常態剝離強度為〇9kN/ m以上之良好之密合 性，且聚醯亞胺膜之溶解特性與未處理之ρι膜相比無變化 的2層覆銅積層材（板）。 藉此’於銅層钮刻步驟中不會產生剝離問題，並且藉 由於不使聚醯亞胺膜之溶解特性產生變化之範圍進行改質 處理，於聚醯亞胺膜之蝕刻步驟中可簡便地進行聚醯亞胺 膜之溶解’故而可用於醫療用探針或氣體電子倍增管等用 途中。 【圖式簡單說明】 圖1係藉由钮刻液去除聚醯亞胺膜之一部分之步驟的 說明圖。 圖2係表示為了由藉由光電子光譜法（XPS)所得之實 施例1之C 1 S之波峰求得各波峰之面積強度而進行的利用 直線近似之背景去除的圖。 圖3係表示實施例丨、2及比較例丨、2中藉由光電子 光譜法（XPS )所得之c丨s之波峰之對比的圖。 【主要元件符號說明】 無 16

Claims (1)

1. 201250016 七、申請專利範圍： 1· 一種2層覆銅積層材，其係於氧氣環境中，對厚度為 12·5〜50ym之聚醯亞胺膜之單面或雙面進行利用輝光放 電之電漿處理的改質處理，於該改質處理後之聚醯亞胺膜 之早面或雙面，藉由濺鍍或電鍍形成厚度為1〜5#m之鋼 層而成者’其特徵在於： 該電聚處理後之聚醯亞胺膜表面藉由光電子光譜法 (XPS)求得之起因於cis之波峰283〜287eV與287〜 29〇eV各波峰的面積強度比在0.03至〇. 11之範圍。 2 ·如申請專利範圍第1項之2層覆銅積層材，其中，改 質處理後之聚醯亞胺膜與未處理之聚醯亞胺膜相比，聚醯 亞胺膜對蝕刻液的溶解速度無差異。 3·如申請專利範圍第1或2項之2層覆銅積層材，其 中，銅層之厚度為18μ m之情形時的常態剝離強度為〇 9kN / m以上。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之2層覆銅積層 材’其中’該聚醯亞胺膜係在聚醯亞胺膜之單面或雙面形 成銅層之前’藉由濺鍍將Ni、Cr、Ni-Cu合金或Ni-Cr 合金之黏結層（tie coat layer)形成於該聚醯亞胺膜而成者。 5· 一種2層覆銅積層材之製造方法，係用於製造如下2 層覆銅積層材，該2層覆銅積層材係於氧氣環境中，對厚 度為12.5〜5〇ym之聚醯亞胺膜之單面或雙面進行利用輝 光放電之電漿處理的改質處理，於該改質處理後之聚醯亞 胺膜之單面或雙面，藉由濺鍍或電鍍形成厚度為1〜 17 201250016 之銅層而成者’其特徵在於： 該電激處理後之聚醯亞胺膜表面藉由光電子光譜法 (XPS)判定量求得之起因於CIS之波峰283〜287eV與287 〜290eV各波峰的面積強度比在0.03至〇.11之範圍。 6·如申請專利範圍第5項之2層覆銅積層材之製造方 法’其中’在聚醯亞胺膜之單面及雙面形成銅層之前，藉 由濺锻將Ni、Cr、Ni-Cu合金或Ni—Cr合金之黏結層形 成於該聚酿亞胺膜。 7.如申請專利範圍第5或6項之2層覆銅積層材之製造 方法’其中’以改質處理後之聚醯亞胺膜與未處理之聚醯 亞胺膜相比’聚醯亞胺膜對蝕刻液之溶解速度無差異的方 式進行改質處理。 8 ·如申請專利範圍第5至7項中任一項之2層覆銅積層 材之製造方法，其中，將銅層之厚度為18ym之情形時的 常態剝離強度設為〇.9kN/ m以上。 18