TW201248640A - Error estimation module and estimation method thereof for flash memory - Google Patents

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Description

201248640 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 特別是指一種快 本發明是有關於一種資料儲存領域 閃記憶體糾錯過程的預估技術。 【先前技術】 快閃記憶體元件中的儲存單元通過向浮拇中注入電子 的方式來記錄邏輯資訊’同時儲存單元還通過讀取闊值電 壓來判斷浮柵中保存的邏輯1快閃記憶體元件經過多次 地擦寫之後,其元件特性衰退,導致快閃記憶體的程式化 時間縮短,而擦除時間延長。 快閃記憶體元件在操作的過程中,料隨著各種寄生 效應,從而導致快閃記憶體元件保存的資料發生錯誤。其 中,最主要的錯誤原因為:程式化擾動、讀擾動;通過擾 動以及浮柵耦合效應^當快閃記憶體元件進行程式化操作 時,快閃記憶體控制器將抬高字線(word line)上的電壓’,、這 將導致字線上相鄰的儲存單元產生意外寫動作即程式化 擾動。而在位線⑽line)方向上,同—位元線上的儲存^元 需要加上較高的通過電壓,使快閃記憶體儲存單元導通。 反復的寫操作會導致位元線上的單元發生意外的寫動作, p通過擾動。當快閃記憶體元件進行多次讀操作時,快閃 己隐體陣列將會反復導通,在快閃記憶體儲存單元的溝道 上會累積電子。若累積的電子達到快閃記憶體儲存單二 寫閾值時,會使快閃記憶體的儲存單元發生意外寫操作。 這裡,擾動會影響固態硬碟保存的資料正確性,嚴重的捽
S 3 201248640 動J會降低快閃記憶體元件的使用壽命。除此以外,浮栅 六μ也a▼來嚴重的錯誤。當快閃記憶體工藝不斷進 4疋件的密度不斷增加,從而導致單—儲存單元的浮 閥值電壓的變化對其臨近單元的電壓產生影響,造成意 -卜的電平移動’產生錯誤。快閃記憶體陣列中某-儲存單 $栅電Μ <化會對周圍儲存單元的浮柵造成擾動,從 而導致周圍儲存單元十保存的資料發生意外翻轉。 决門。己隐體7L件中所存在的各種擾動和輕合效應嚴重 干擾了快閃記憶體中所保存的資料,在實際使用的過程中 需要、4錯决算法對快閃記憶體中儲存的資料進行保護。缺 而,快閃記憶體控制器在利用諸如低密度校驗編碼等先進 杈驗編碼技術展開糾錯之前,必須要對通道中的錯誤進行 合理預估。因而,快閃記憶體控制器需要對快閃記憶體的 錯誤預估技術。 【發明内容】 b本發月之目的,即在提供—種快閃記憶體錯誤 預i古模組及其預估方法,為快閃記憶體的糾錯演算法提供 可罪的§十箅依據,提高系統的糾錯性能。 於是’本發明-種快閃記憶體錯誤預估模組,包含— 計時器一量化h丨表、—儲存頁表以及__錯誤素引表。 該計時器用於記錄㈣記憶體的程式化時間或擦除時間, 計時器收集的程式化時間或擦除時間作為量化索引的輸入 。該量化索引表用於記錄程式化等級與程式化時間之間的 映射關係’擦除等級與擦除時間之間的映射關係;捧除等
S 4 201248640 級代表該物理位元址所料庙认& B日1 所對應的快閃記憶體區塊的壽命狀態 ,程式化等級代表該等快閃記憶體區塊内部頁的壽命狀態 /該儲存頁表包括斜個連續儲存單元,每個連續儲存單 疋4冑㈣㈣體區塊的擦除等級、程式化等級 八中’&㈣記區塊的擦料級保存在料連續儲 :子::的開頭,該快閃記憶體區塊内各個頁的程式化等級 二=:Γ續儲存單元内。該錯誤索引表包含區塊 頁錯誤索引表兩個部分’區塊錯誤索引表記 引:::及對應的區塊錯誤率的映射關係,頁錯誤衾 快==化等級以及對應的頁錯誤率的映射關係。該 時t ’…曰误預估槟組接收快閃記憶體控制器發來的計 二吏能信號或快閃記憶體晶片發出…號作為 輸入’輸出錯誤預估值到錯誤校驗模組。 組的阱::月之$目的即在提供該快閃記憶體錯誤預估模 、、且的快閃錢體錯誤預估方法,包括以下具體步驟 ,記===進行擦除和程式化操作的壓力實驗 誤的二及快閃記憶體元件的錯 預估模乜n 索引表'錯誤索引表,作為 核组心了錯誤黯的先驗參縣; 該荨預估模組的計時与义 的擦除時間;在快閃,己體操作區塊 記憶體動作頁的程式行程式化時,採集當前快閃 通過查詢該量化帝μ 擦除等級,將程十化陆預估模組將擦除時間量化為 _式化時間量化為程式化等級,
S 5 201248640 將當前擦除等級、程式化等級以及二者對應的物理位 元址,保存在該儲存頁表中; 在快閃S己憶體控制器對快閃記憶體進行操作時,向該 等預估模組請求對所操作的物理位元址進行錯誤預估;由 預估模組從該儲存頁表中讀取相應物理位元址的程式化等 級以及擦除等級,並通過該錯誤索引表轉換為相應頁的預 估錯誤數目,從而完成預估操作。 。本發明之功效在於利用快閃記憶體元件中特定的物理 號來預先估。十§己憶體的錯誤率,為快閃記憶體的糾 錯演算法提供合適的錯誤估計。適合應用於固態硬碟控制 器、快閃記憶體控制器等以快閃記憶體元件為儲存介質的 場合中’大大提高了快閃記憶體元件的可靠性。 【實施方式】 有關本發明之前述及其他技術内容、特點與功效,在 以下配。參考®式之—個較佳實施例的詳細說明中,將可 清楚的呈現。 快閃記憶體元件中最基本的操作單元是頁’快閃記憶 體控制器可以對頁進行程式化或者讀取操作;在快閃記憶 體元件内。P由夕個頁又組成一個區塊’擦除操作的最小單 位疋快閃記憶體元件中的區塊。當快閃記憶體元件中的區 ,進仃擦除操作時,由快閃記憶體控制器記錄擦除操作所 化費的時間’备快閃記憶體中的頁進行程式化操作時快 閃記憶體控制器還將監控快閃記憶體元件的程式化時間。 參閱圖1與®| 2 ’快閃記憶體中的擦除時間和程式化時 6 Θ 201248640 Z與元件的操作次數存在關聯性。隨著㈣記憶㈣寫次 ’ &力其t除時間逐漸變長,而程式化時間則逐漸縮 ^造成這種現象的原因在於:擦寫操作造成快閃記憶體 :特性哀退’使元件的閾值電壓升高了。升高的閾值電 _導致快㈣憶體在操作過程中,程式化操作更加容易 广察寫操作更加困難。快閃記憶體區塊的擦除時間和程 2化時間真實地反映了快閃記憶體區塊的整體使用情況。 南的閾值電壓同時也意味著元件的物理寄生效應會更加 者,從而導致快閃記憶體的錯誤增加。因而,可以通過 對擦除時間和程式化時間的監控來預測快閃記憶體中的_ 誤。 曰 在快閃記憶體控制器中採用擦除時間和程式化時間進 之前’需要事先瞭解快閃記憶體元件擦除時間和程 時間的變化趨勢,以及擦除時間和程式化時間與快閃 記憶體的錯誤的關聯。這個關^ ^ ^ ^ ^ 件的壓力實……r 閃記憶體元 斷進驗中,對快閃記憶體元件不 情況以及快閃記憶體元件的錯誤;的時間變化 干的錯誤清况。通過對經驗資料收 ,整理和/刀析’建立擦除和程式化時間變化的表格、程 與錯誤率的對應表格’以及擦除時間與錯 對應表格,作為預估模組進行預估操作的先驗參考資料。 二圖3所示的預估模組介面1示意圖,預估模… =記憶體控制器(圖未示)中,並將所得到的預估資; 仏快閃記憶體控制器中的校驗模組3。快閃記㈣ 201248640 4與快閃記憶㈣制H之間通過資料匯流排5進行資料交換 ,並由快閃記憶體控制器的快閃記憶體介面模組6進行控 制;而在快閃記憶體晶片4的介面中有一組趟信號用來 指明快閃記憶體的工作狀態。當快閃記憶體在進行程式化 以及擦除操作時,R/B信號的電平將會進入有效狀態,表明 快閃記憶體目前正處於忙綠狀態,不會響應新的操作。當 操作結束以後,R/B信號將重新進入無效狀態,表明快閃記 憶體進入空間狀態。當快閃記憶體控制器對快閃記憶體元 件進行操作時,由預估模組2對快閃記憶體元件中r/b信 號的有效時間進行計時,從而獲得快閃記憶體在程式化或 者擦除操作中所花費的時間開銷,以説明預估模組2對快 閃記憶體元件的錯誤進行預估。預估模組2作出的預估錯 誤發送到檢驗模組3 ’檢賴組3對㈣記憶體的程式化或 者擦除操作進行錯誤檢驗。 除了採用R/B信號進行直接計時的方法以外,預估模 組2還可以通過與快閃記憶體控制器相配合的方式完成計 時。當快閃記憶體在進行擦除或者程式化操作時,快閃記 憶體控制器可以不斷地向快閃記憶體發送“讀狀態,,命令 ,以瞭解快閃記憶體的工作狀態。快閃記憶體控制器將根 據快閃記憶體完成操作前後,工作狀態的變化狀況,統計 出快閃記憶體在擦除或者程式化操作時所花費的時間開銷 ,並將所得到的計時資訊,發送給預估模組2,從而説明預 估模組2完成計時工作。 參閱圖3與圖4,預估模組2主要由計時器21、量化 8 201248640 索弓丨表22、儲存頁表a以 器對快閃記憶體進行操作二及^索引表24構成。當控制 動預估模組2中的計、’ #制器輸入使能信號,啟 作時間進行記錄。所記二21 ’開始對快閃記憶體的有效工 量化㈣表Μ中量間或擦除時間,將在 理位元址保存在儲存頁表23Γ級或擦除等級,並根據物 作時,從儲存頁表23 — 控制器需要進行糾錯操 以及擦除等級’並通過=理位元址的程式化等級 錯誤數目,從而完成預估^表24轉換為相應頁的預估 :二4與圖5,在操作〜收集 時間不便於保存,因此,· 搽除 及捧除時πs , '、 而要對程式化時間以 汉ί不陈Bf間進仃量化操作, 笼妨 冑連續的時間量化為離散的時 間專級’以方便預估模組2將 ㈣子 c ^ , , 叹果的貧枓進行索引和保存 量化過程通過量化索引表22 集的程式化時間或擦除時間作為量化實^ 引k錄有程式化等級與程式化時間之間的映㈣係,2 及擦除等級與擦除時間之間的映 θ 、射關係。I化索引將會查 找輸入的時間所對應的量化等級,從而對時間進行了量: 處理。 參閱圖4與圖6’量化後的程式化等級和擦除等級需要 以圖6所示的方式予以保存。擦除等級與程式化等級同物 理位元址相對應,擦除等級代表物理位元址所對應的快閃 記憶體區塊的使用壽命,而程式化等級則表徵快閃記憶體 區塊内部的頁使用壽命。當快閃記憶體的—個區塊内部包
S 9 201248640 塊的擦除等 行摔作時在快閃記憶體控制器對快閃記憶體進 模組2請求對所操作的物理位元址的錯 •、★懸模組2需要將該物理位元址的程式化等級 =除等級轉換為區塊或頁的預估錯誤數。預估模組2錯二 Μ 124實現時間等級到錯誤數的轉換。錯誤㈣表= 包含兩個部分構成:區塊錯誤索引241和頁錯誤索引⑷。 區塊錯誤索引241負責將區塊的擦除等級進行轉換;頁錯 誤索引242負責將頁的程式化等級進行轉換。錯誤索引表 24中的内容事先通過離線實驗完成。快閃記憶體控制器根 據需要獲取相應的區塊的預估錯誤’或者是頁的預估錯誤 〇 參閱圖4與圖8,在快閃記憶體控制器對快閃記憶體進 行操作時,向預估模組2請求對所操作的物理位元址的錯 誤預估。預估模組2進行預估操作的操作流程如圖8所示 。在預估模組2開始工作以後,進入計時步驟,在快閃記 隐體進行擦除時,採集當前快閃記憶體操作區塊的擦除時 間;在快閃記憶體進行程式化時,採集當前快閃記憶體動 作頁的程式化時間。S"}*時完成後’進入量化步驟,預估模 組2通過查詢所述量化索引表22,預估模組2將擦除時間 量化為擦除等級,將程式化時間量化為程式化等級,將當 前擦除等級、程式化等級以及二者對應的物理位元址,保
S 10 201248640 存在儲存頁表23中》當控制器需要進行糾錯操作時,從儲 存頁表23中5賣取相應物理位元址的程式化等級以及擦除等 級,並通過所述錯誤索引表24轉換為相應頁的預估錯誤數 目’從而完成預估操作。 惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不 能以此限定本發明實施之範圍,即大凡依本發明申請專利 範圍及發明說明内容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍 屬本發明專利涵蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1是一本發明快閃記憶體錯誤預估模組及其方法的 量測示意圖’說明快閃記憶體元件程式化時㈣變化規律 « 9 圖2疋里測示思圊,說明本實施例快閃記憶體元件 擦除時間的變化規律; 圖3是一示意圖,說明預估模組介面; 圖4是一示意圖,說明預估模組内部結構; 圖5是一示意圖,說明操作時間索引表. 圖6是一示意圖,說明操作時間儲存結構表; 圖7是一示意圖,說明錯誤查詢索引表丨及 圖8是一流程示意圖,說明預估操作流程。 201248640 【主要元件符號說明】 1…… •…預估模組介面 242 ‘… …頁錯誤索引 2…… •…預估模組 3 ....... …校驗模組 21•.… …· s十時器 4 ....... …快閃記憶體晶片 22 …·量化索引表 5 ....... …^料匯&排 23·.... •…儲存頁表 6 ....... …快閃記憶體介面 24·.··. …·錯誤索引表 模組 241… •…區塊錯誤索引 3 12

Claims (1)

  1. 201248640 七、申凊專利範圍: 與一快閃記憶體控制 且電連接一校驗模組 。種快閃D己憶體錯誤預估模組適合 器或-快閃記憶體晶片結合使用, ,並包含: 除時問,料,I 4記憶體的—程式化時間或一擦 ”计時器收集的程式化時間或” 化索引的輪入; 療除時間作為量 一量化索引表,記錄一程式化等 之間的映射關# 寻吸…亥耘式化時間 I係,以及一擦除等級與該擦除時 映射關係;該捧除黧妨a主# & 间的 不除4級代表该物理位址所對應 記憶體區塊的毒I μ & ^ ^ ^ ^ Γα1 紅塊之: 等級代表該快閃記憶 塊之-内部w的壽命狀態; 健存:儲!頁表,包括若干個連續儲存單元,每個連續 a 70用於崎該快閃記憶體區塊的擦除等級與程式 化等級’其中’該快閃記憶體區塊的擦除等級保存在該 連續儲存單元的開頭,該快閃記㈣區塊内各個頁^ 式化等級依次存放在該連續儲存單元内; 錯誤索引表,包含一區塊錯誤索引表和一頁錯誤 索引表兩個部分,該區塊錯誤索引表記錄擦除等級二及 對應的-區塊錯誤率的映射關係,該頁錯誤索引表記錄 該程式化等級以及對應的-頁錯誤率的映射關係;' 該快閃記憶體錯誤預估模組接收該快閃記憶體控制 »發來的计時資訊、一使能信號或該快閃記憶體晶片 出的 R/B t號作為輸入,並輸出一錯誤預估值到該 S 13 201248640 錯誤校驗模組。 2. 閃記憶體錯誤預估方 :種快閃記憶體錯誤預估模組的快 法’包含以下具體步驟: 會駱 ^ 傺除和程式化操作的壓 2件Γ錄擦除和程式化的時間變化以及該快閃記 :錯誤的經驗資料;並建立一量化索引表與一 表;,作為該預估模組進行錯誤預估的一先驗參 的-=預估模組的-㈣器採集當前—快閃記憶體區衫 :::除時間;在該快閃記憶體進行程式化時,採集, 前。/快閃記憶體動作一頁的一程式化時間; 通過查詢該量化素引表,該預估模組將該擦除時指 化為-擦除等級,將該程式化時間量化為—程 級, 1 將當前該擦除等級、該程式化等級以及二者對應的 物理位址,保存在一儲存頁表中; 在一快閃記憶體控制器對該快閃記憶體進行操作時 ’向該預估模組請求對所操作的物理位址的錯誤預估; 由該預估模組從該儲存頁表㈣取相應物理位址的該程 式化等級以及該擦除等級,並通過該錯誤索引表轉換為 相應頁的預估錯誤數目,從而完成預估操作。 S 14
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CN 201110138166 CN102163165B (zh) 2011-05-26 2011-05-26 一种闪存错误预估模块及其预估方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9620245B2 (en) 2013-12-17 2017-04-11 Silicon Motion, Inc. Data storage device and data maintenance method thereof

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163165B (zh) * 2011-05-26 2012-11-14 忆正存储技术(武汉)有限公司 一种闪存错误预估模块及其预估方法
US9396080B2 (en) * 2014-08-07 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Storage module and method for analysis and disposition of dynamically tracked read error events
CN104217765B (zh) * 2014-09-09 2017-11-24 武汉新芯集成电路制造有限公司 闪存芯片操作时间的测量方法
CN105159840B (zh) * 2015-10-16 2018-11-02 华中科技大学 一种闪存器件的软信息提取方法
CN106155587B (zh) * 2016-06-29 2019-11-12 深圳忆联信息系统有限公司 信息处理方法及存储设备
CN107203341A (zh) * 2017-05-23 2017-09-26 建荣半导体(深圳)有限公司 基于闪存的数据存储方法、装置以及闪存芯片
CN107220185A (zh) * 2017-05-23 2017-09-29 建荣半导体(深圳)有限公司 基于闪存的数据存储方法、装置以及闪存芯片
CN109390027B (zh) * 2017-08-08 2021-05-07 慧荣科技股份有限公司 解码方法及相关的闪存控制器与电子装置
US10269422B2 (en) * 2017-09-08 2019-04-23 Cnex Labs, Inc. Storage system with data reliability mechanism and method of operation thereof
CN110806794A (zh) * 2019-10-10 2020-02-18 浙江大华技术股份有限公司 存储系统的掉电保护方法、系统、计算机设备以及介质
CN111240887A (zh) * 2020-01-07 2020-06-05 苏州大学 基于三维闪存存储结构的错误页识别方法
CN113362877B (zh) * 2020-03-03 2022-06-03 杭州海康存储科技有限公司 一种阈值电压确定方法和装置
CN111859643B (zh) * 2020-07-08 2023-12-19 上海威固信息技术股份有限公司 一种三维闪存编程时延模型的建立方法及基于该模型的预测方法
CN111859792B (zh) * 2020-07-08 2023-12-26 上海威固信息技术股份有限公司 一种闪存操作时延仿真方法
CN111859791B (zh) * 2020-07-08 2023-12-26 上海威固信息技术股份有限公司 一种闪存数据保存错误率仿真方法
CN111880736B (zh) 2020-07-28 2022-08-16 苏州浪潮智能科技有限公司 一种固态硬盘访问方法、装置、设备及介质
CN112069004B (zh) * 2020-08-21 2023-01-06 苏州浪潮智能科技有限公司 一种闪存芯片中块读取与页读取换算关系测试方法及系统
CN113643746B (zh) * 2021-07-02 2023-09-26 深圳市宏旺微电子有限公司 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08190510A (ja) * 1995-01-12 1996-07-23 Hitachi Ltd 不良部分を含む半導体メモリを搭載可能な情報処理装置
WO1996028826A1 (fr) * 1995-03-15 1996-09-19 Hitachi, Ltd. Dispositif a memoire a semiconducteur dote d'une fonction de determination de la deterioration
JPH09259593A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Canon Inc メモリ装置
US7012835B2 (en) * 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
WO2006013529A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Data storage and replay apparatus
US7512847B2 (en) * 2006-02-10 2009-03-31 Sandisk Il Ltd. Method for estimating and reporting the life expectancy of flash-disk memory
JP4575346B2 (ja) * 2006-11-30 2010-11-04 株式会社東芝 メモリシステム
TWI372397B (en) * 2007-08-06 2012-09-11 Ind Tech Res Inst Method and system of defect management for storage medium
TWI368225B (en) * 2007-11-29 2012-07-11 Ind Tech Res Inst Recoding medium structure capable of displaying defect rate
WO2009072103A2 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Densbits Technologies Ltd. Flash memory apparatus and methods using a plurality of decoding stages including optional use of concatenated bch codes and/or designation of 'first below' cells
JP4439569B2 (ja) * 2008-04-24 2010-03-24 株式会社東芝 メモリシステム
KR101413137B1 (ko) * 2008-07-04 2014-07-01 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
TWI410976B (zh) * 2008-11-18 2013-10-01 Lite On It Corp 固態儲存媒體可靠度的測試方法
KR20100064005A (ko) * 2008-12-04 2010-06-14 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자의 소거 방법
CN101752008B (zh) * 2008-12-05 2013-07-10 建兴电子科技股份有限公司 固态储存媒体可靠度的测试方法
US8316173B2 (en) * 2009-04-08 2012-11-20 International Business Machines Corporation System, method, and computer program product for analyzing monitor data information from a plurality of memory devices having finite endurance and/or retention
JP2011070346A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp メモリシステム
CN102163165B (zh) * 2011-05-26 2012-11-14 忆正存储技术(武汉)有限公司 一种闪存错误预估模块及其预估方法
US9176810B2 (en) * 2011-05-27 2015-11-03 SanDisk Technologies, Inc. Bit error reduction through varied data positioning

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9620245B2 (en) 2013-12-17 2017-04-11 Silicon Motion, Inc. Data storage device and data maintenance method thereof

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