JP6048497B2 - フラッシュメモリのエラー予測モジュール及びエラー予測方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000013139 quantization Methods 0.000 claims description 22
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008897 memory decline Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
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Description
前記タイマーは、量子化インデックスの入力として、フラッシュメモリのプログラミング時間又は消去時間を記録するためのものであり、
前記量子化インデックステーブルは、フラッシュメモリブロックの内部ページの寿命状態を表すプログラミングレベルとプログラミング時間との間のマッピング関係と、当該物理アドレスが対応するフラッシュメモリブロックの寿命状態を表す消去レベルと消去時間との間のマッピング関係とを記録するためのものであり、
前記実記憶ページテーブルは、若干の連続メモリセルを含み、連続メモリセルのそれぞれは、1つのフラッシュメモリブロックの消去レベルとプログラミングレベルとを記録するために用いられ、当該フラッシュメモリブロックの消去レベルが前記連続メモリセルの先頭に保存され、当該フラッシュメモリブロック内の各ページのプログラミングレベルが順次に前記連続メモリセルに格納され、
前記エラーインデックステーブルは、消去レベルと対応するブロックエラー率とのマッピング関係を記録するブロックエラーインデックステーブルと、プログラミングレベルと対応するページエラー率とのマッピング関係を記録するページエラーインデックステーブルとの2つの部分を含み、
前記フラッシュメモリのエラー予測モジュールは、フラッシュメモリコントローラからの計時情報、イネーブル信号、又はフラッシュメモリチップからのR/B信号を入力として受信し、予測されるエラーの数をエラーチェックモジュールに出力することを特徴とするフラッシュメモリのエラー予測モジュールを提供する。
前記エラー予測モジュールのタイマーは、現時点のフラッシュメモリの操作ブロックの消去時間を採集し、フラッシュメモリがプログラミングする際に、現時点のフラッシュメモリの操作ページのプログラミング時間を採集するステップと、
前記量子化インデックステーブルをクエリすることによって、エラー予測モジュールは、消去時間を消去レベルに量子化し、プログラミング時間をプログラミングレベルに量子化するステップと、
現時点の消去レベルと、プログラミングレベルと、両方が対応する物理アドレスとを、前記実記憶ページテーブルに保存するステップと、
フラッシュメモリコントローラがフラッシュメモリに対して操作するとき、前記エラー予測モジュールに、操作されている物理アドレスに対するエラー予測を行うようにリクエストし、エラー予測モジュールにより前記実記憶ページテーブルから対応する物理アドレスのプログラミングレベルと消去レベルを読取るとともに、前記エラーインデックステーブルにより対応するページにおいて予測されるエラーの数に変換し、予測操作を完成するステップと、
を備えることを特徴とする当該フラッシュメモリのエラー予測モジュールのエラー予測方法を更に提供する。
Claims (2)
- 主にタイマーと、量子化インデックステーブルと、実記憶ページテーブルと、エラーインデックステーブルとから構成されるフラッシュメモリのエラー予測モジュールであって、
前記タイマーは、量子化インデックスの入力として、フラッシュメモリのプログラミング時間又は消去時間を記録するためのものであり、
前記量子化インデックステーブルは、フラッシュメモリブロックの内部ページの寿命状態を表すプログラミングレベルとプログラミング時間との間のマッピング関係と、当該物理アドレスが対応するフラッシュメモリブロックの寿命状態を表す消去レベルと消去時間との間のマッピング関係とを記録するためのものであり、
前記実記憶ページテーブルは、複数の連続メモリセルを含み、連続メモリセルのそれぞれは、1つのフラッシュメモリブロックの消去レベルとプログラミングレベルを記録するために用いられ、当該フラッシュメモリブロックの消去レベルが前記連続メモリセルの先頭に保存され、当該フラッシュメモリブロック内の各ページのプログラミングレベルが順次に前記連続メモリセルに格納され、
前記エラーインデックステーブルは、消去レベルと対応するブロックエラー率とのマッピング関係を記録するブロックエラーインデックステーブルと、プログラミングレベルと対応するページエラー率とのマッピング関係を記録するページエラーインデックステーブルとの2つの部分を含み、
前記フラッシュメモリのエラー予測モジュールは、フラッシュメモリコントローラからの計時情報、イネーブル信号、又はフラッシュメモリチップからのR/B信号を入力として受信し、予測されるエラーの数をエラーチェックモジュールに出力することを特徴とするフラッシュメモリのエラー予測モジュール。 - フラッシュメモリデバイスに対して消去とプログラミング操作のストレステストを行い、消去とプログラミングの時間変化およびフラッシュメモリデバイスのエラーの経験的データを記録するとともに、前記量子化インデックステーブルとエラーインデックステーブルを、エラー予測モジュールがエラー予測を行うための先験的参照テーブルとして作成するステップと、
前記エラー予測モジュールのタイマーは、現時点のフラッシュメモリの操作ブロックの消去時間を採集し、フラッシュメモリがプログラミングする際に、現時点のフラッシュメモリの操作ページのプログラミング時間を採集するステップと、
前記量子化インデックステーブルをクエリすることによって、エラー予測モジュールは、消去時間を消去レベルに量子化し、プログラミング時間をプログラミングレベルに量子化するステップと、
現時点の消去レベルと、プログラミングレベルと、両方が対応する物理アドレスとを、前記実記憶ページテーブルに保存するステップと、
フラッシュメモリコントローラがフラッシュメモリに対して操作するとき、前記エラー予測モジュールに、操作されている物理アドレスに対するエラー予測を行うようにリクエストし、エラー予測モジュールにより前記実記憶ページテーブルから対応する物理アドレスのプログラミングレベルと消去レベルを読取るとともに、前記エラーインデックステーブルにより対応するページにおいて予測されるエラーの数に変換し、予測操作を完成するステップと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリのエラー予測モジュールのエラー予測方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110138166 CN102163165B (zh) | 2011-05-26 | 2011-05-26 | 一种闪存错误预估模块及其预估方法 |
CN201110138166.6 | 2011-05-26 | ||
PCT/CN2012/072955 WO2012159490A1 (zh) | 2011-05-26 | 2012-03-23 | 一种闪存错误预估模块及其预估方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014517970A JP2014517970A (ja) | 2014-07-24 |
JP6048497B2 true JP6048497B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=44464402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014511714A Active JP6048497B2 (ja) | 2011-05-26 | 2012-03-23 | フラッシュメモリのエラー予測モジュール及びエラー予測方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9047212B2 (ja) |
JP (1) | JP6048497B2 (ja) |
CN (1) | CN102163165B (ja) |
TW (1) | TW201248640A (ja) |
WO (1) | WO2012159490A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102163165B (zh) * | 2011-05-26 | 2012-11-14 | 忆正存储技术(武汉)有限公司 | 一种闪存错误预估模块及其预估方法 |
TWI525635B (zh) | 2013-12-17 | 2016-03-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置及其資料維護方法 |
US9396080B2 (en) * | 2014-08-07 | 2016-07-19 | Sandisk Technologies Llc | Storage module and method for analysis and disposition of dynamically tracked read error events |
CN104217765B (zh) * | 2014-09-09 | 2017-11-24 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 闪存芯片操作时间的测量方法 |
CN105159840B (zh) * | 2015-10-16 | 2018-11-02 | 华中科技大学 | 一种闪存器件的软信息提取方法 |
CN106155587B (zh) * | 2016-06-29 | 2019-11-12 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 信息处理方法及存储设备 |
CN107203341A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-26 | 建荣半导体(深圳)有限公司 | 基于闪存的数据存储方法、装置以及闪存芯片 |
CN107220185A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-29 | 建荣半导体(深圳)有限公司 | 基于闪存的数据存储方法、装置以及闪存芯片 |
CN109390027B (zh) * | 2017-08-08 | 2021-05-07 | 慧荣科技股份有限公司 | 解码方法及相关的闪存控制器与电子装置 |
US10269422B2 (en) * | 2017-09-08 | 2019-04-23 | Cnex Labs, Inc. | Storage system with data reliability mechanism and method of operation thereof |
CN110806794A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-02-18 | 浙江大华技术股份有限公司 | 存储系统的掉电保护方法、系统、计算机设备以及介质 |
CN111240887A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-06-05 | 苏州大学 | 基于三维闪存存储结构的错误页识别方法 |
CN113362877B (zh) * | 2020-03-03 | 2022-06-03 | 杭州海康存储科技有限公司 | 一种阈值电压确定方法和装置 |
CN111859643B (zh) * | 2020-07-08 | 2023-12-19 | 上海威固信息技术股份有限公司 | 一种三维闪存编程时延模型的建立方法及基于该模型的预测方法 |
CN111859792B (zh) * | 2020-07-08 | 2023-12-26 | 上海威固信息技术股份有限公司 | 一种闪存操作时延仿真方法 |
CN111859791B (zh) * | 2020-07-08 | 2023-12-26 | 上海威固信息技术股份有限公司 | 一种闪存数据保存错误率仿真方法 |
CN111880736B (zh) | 2020-07-28 | 2022-08-16 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种固态硬盘访问方法、装置、设备及介质 |
CN112069004B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-01-06 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种闪存芯片中块读取与页读取换算关系测试方法及系统 |
CN113643746B (zh) * | 2021-07-02 | 2023-09-26 | 深圳市宏旺微电子有限公司 | 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08190510A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 不良部分を含む半導体メモリを搭載可能な情報処理装置 |
WO1996028826A1 (fr) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a memoire a semiconducteur dote d'une fonction de determination de la deterioration |
JPH09259593A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Canon Inc | メモリ装置 |
US7012835B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-03-14 | Sandisk Corporation | Flash memory data correction and scrub techniques |
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TWI368225B (en) * | 2007-11-29 | 2012-07-11 | Ind Tech Res Inst | Recoding medium structure capable of displaying defect rate |
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JP4439569B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-03-24 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
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CN101752008B (zh) * | 2008-12-05 | 2013-07-10 | 建兴电子科技股份有限公司 | 固态储存媒体可靠度的测试方法 |
US8316173B2 (en) * | 2009-04-08 | 2012-11-20 | International Business Machines Corporation | System, method, and computer program product for analyzing monitor data information from a plurality of memory devices having finite endurance and/or retention |
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CN102163165B (zh) * | 2011-05-26 | 2012-11-14 | 忆正存储技术(武汉)有限公司 | 一种闪存错误预估模块及其预估方法 |
US9176810B2 (en) * | 2011-05-27 | 2015-11-03 | SanDisk Technologies, Inc. | Bit error reduction through varied data positioning |
-
2011
- 2011-05-26 CN CN 201110138166 patent/CN102163165B/zh active Active
-
2012
- 2012-03-23 WO PCT/CN2012/072955 patent/WO2012159490A1/zh active Application Filing
- 2012-03-23 JP JP2014511714A patent/JP6048497B2/ja active Active
- 2012-03-23 US US14/119,121 patent/US9047212B2/en active Active
- 2012-05-11 TW TW101116890A patent/TW201248640A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102163165B (zh) | 2012-11-14 |
TWI471864B (ja) | 2015-02-01 |
TW201248640A (en) | 2012-12-01 |
US20140089765A1 (en) | 2014-03-27 |
WO2012159490A1 (zh) | 2012-11-29 |
US9047212B2 (en) | 2015-06-02 |
JP2014517970A (ja) | 2014-07-24 |
CN102163165A (zh) | 2011-08-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160308 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161011 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |