TW201245044A - Hydrogenation of organochlorosilanes and silicon tetrachloride - Google Patents

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201245044 '六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種用於製備三氯矽烷的方法，其特徵爲 讓氫及至少一種有機氯砂院於在超大氣壓下運轉並包含一 或多個由氣密性陶瓷材料組成的反應器管的反應器中反應 【先前技術】 三氯矽烷（TCS )是用於半導體和光伏打裝置產業所 需的高純度矽之製造的重要原料。近幾年對於TCS的要求 持續升闻且預料此要求在可見的未來將持續升高。 來自TCS的高純度矽之沉積係藉由西門子（Siemens )法以化學氣相沉積（CVD )製程進行，其中，根據所用 的加工參數，獲得呈共同產物形式的較大量四氯化矽（ STC )。所用的TCS通常藉由氯矽烷製程，即粗製矽與 HC1於約300°C在流體化床反應器中或於約l〇〇〇°C在固定 床反應器中的反應獲得，隨後藉由蒸餾而移除共同產物形 式之其他氯矽烷類（例如STC )。再者，上述製程中，有 機雜質導致形成有機氯矽烷類之其他副產物。大量的有機 氯矽烷類例如甲基三氯矽烷（MTCS )、甲基二氯矽烷（ MHDCS)或丙基三氯矽烷（PTCS)也可藉由穆勒-羅秋（ Miiller-Rochow )合成法由矽及烷基氯以所欲的方式製備 爲了滿足對TCS的升高要求，並改善用於製造高純度 201245044 矽的方法之經濟情況，因此必須有讓四氯化矽及有機氯矽 烷類有效轉化爲TCS的方法，以便使來自西門子法和氯矽 烷法的共同產物還有來自該穆勒-羅秋合成法的物流可用 於製造高純度矽。已知有多種不同用於將STC加氫脫氯化 爲TCS的方法。根據此技藝的現況，使用STC與氫氣一 起引進襯以石墨的反應器（稱爲“西門子爐”）之熱控制 方法。存在於該反應器中的石墨棒係以電阻加熱的方式操 作’所以可達成1 1 00°c及更高的溫度。高溫及氫氣的存在 使平衡狀態朝向TCS產物的方向偏移。產物混合物係於反 應之後自該反應器排出並以複雜製程分餾》經由該反應器 產生連纘流，且該反應器內表面係由石墨作爲耐腐蝕性材 料組成。金屬材料的耐腐蝕性不足以於高反應溫度下與氯 矽烷類直接接觸。然而，金屬外殼係用以使該反應器安定 化。此外壁必須被冷卻以儘可能抑制熱反應器壁於高溫下 發生的分解反應，該等分解反應會導致矽沉積物。 製程改良特別包含使用具有化學惰性塗層的以碳爲底 質的建構材料，特別是SiC，以免該以碳爲底質的材料與 該氯矽烷/h2氣體混合物之反應引起該建構材料的降解及 產物氣體混合物的污染。 因此，US 5,906,799提出附帶適用於改善反應器構造 對於熱衝擊的耐受性之經塗覆SiC的碳纖維複合材料之用 途。 DE 1 02005046703 A1描述用於將氯矽烷脫氫鹵化的 方法，其中與該氯矽烷接觸的石墨加熱元件及反應室之表 -6- 201245044 面係藉由該石墨與有機矽烷類於脫氫鹵化的步驟之前的步 驟中在高於該脫氫鹵化的反應溫度之溫度下反應而在當場 塗覆以保護性SiC層。於該反應室內部中設置加熱元件提 高了電阻加熱的能量輸入效率。 在所有以上的方法中，均需要複雜的塗覆方法。另一 個缺點是使用上述電阻加熱比起藉由天然氣直接加熱較不 經濟。於所必須的非常高反應溫度下所形成之不想要的矽 沉積物也使該反應器的定期清潔成爲必須。此外，該金屬 壓力反應器必須先以複雜方式在外部冷卻並藉由高溫隔熱 材料襯於內側，且同時該襯裡必須提供保護以防腐蝕性攻 擊。 另一個缺點是沒用觸媒進行單純熱反應，使以上的方 法整體來說非常沒有效率。因此，已經發展出多種不同之 STC的催化性脫氫鹵化方法。 例如，WO 2005/1 02927 A1 及 WO 2005/1 02928 A1 描 述使用Ca、Sr、Ba或其氯化物或金屬加熱元件，特別是 由Nb、Ta、W或其合金構成者，作爲用於將H2/ SiCl4氣 體混合物轉化爲TCS的觸媒，且在由熔融矽石製成的流通 式反應器中於700至950°C的溫度及1至10 bar的壓力下 產生實質之熱力學轉化率。 再者，由本發明發明人申請的早期專利案描述於反應 器中將SiCl4加氫脫鹵化爲TCS之方法，該反應器係在超 大氣壓下運轉並包含一或多個由氣密式陶瓷材料所組成的 反應器管。該管的內壁較佳是以包含至少一種活性組分之 201245044 觸媒塗覆’該至少一種活性組分係選自金屬Ti、Zr、Hf、 Ni、Pd、Pt > Mo ' W、Nb、Ta、Ba、Sr、Ca、Mg、Ru、 Rh、Ir及其組合及其矽化物化合物，且該等管能任意地塡 充由相同陶瓷材料製成且類似地塗覆觸媒的塡充元件之固 定床。轉化爲TCS的反應係在約900 °C之溫度下具有實質 熱力學轉化率及高選擇性之情況下發生。反應溫度可有益 地藉由將該等反應器管配置在藉由燃燒天然氣加熱的燃燒 室中而產生。 上述方法係用於氯矽烷類，特別是STC，的脫氫鹵化 。由於相當大量的有機氯矽烷類以共同產物形式自西門子 法或氯矽烷法獲得或以穆勒-羅秋合成產物形式獲得，所 以會非常想要開發一種利用這些來源來製造高純度矽的方 法’該方法也能讓有機氯矽烷類有效率氫化爲TCS。 根據DE 4343169 A1，過渡金屬或其矽化物同樣適合 作爲STC的脫氫鹵化反應之觸媒及有機氯化合物的加氫反 應之觸媒。該方法提議使用全方位活性（all-actWe)觸媒 。這意指材料的相當大量消耗及催化活性組分的不完全利 用。此外，於流通式反應器中在大氣壓下進行此反應造成 相當低的時空產率。 因此本發明的目的在於提供使有機氯矽烷類與氫氣反 應以形成三氯矽烷之有效率且不貴的方法，該方法使高時 空產率及對TCS的高選擇性變得可能。 爲了解決此問題，頃發現至少一種有機氯矽烷及氫氣 的混合物可通過在超大氣壓下運轉之管狀反應器並可裝設 -8- 201245044 催化性壁塗層及/或固定床觸媒。根據本發明，特佳是該 反應器中的反應係藉由能催化該反應之一或多個反應器管 中的內塗層而催化。該反應器中的反應可另外藉由被佈置 於該反應器中或該一或多個反應器管中之固定床上的能催 化反應之塗層所催化。用於改良反應動力學並提高選擇性 的觸媒及在超大氣壓下操作的反應之聯合應用確保經濟且 生態上非常有效率的方法。在此意外地發現有機氯矽烷化 合物轉爲TCS的高轉化率在根據本發明之系統中是可行的 。反應參數如壓力、滯留時間及起始材料的莫耳比之適當 設定可提供同時獲得TCS的高時空產率與高選擇性之方法 。在該反應器中反應的混合物可任意含有至少一種有機氯 矽烷及氫氣作爲STC以外的其他起始材料。 已發現由下文中更詳細載明的特定氣密性陶瓷材料製 成之反應器管可用於氯矽烷類，特別是有機氯矽烷類的加 氫反應，因爲該等反應器管於高於700°c的必須反應溫度 下之惰性也足夠並可確保該反應器的耐壓性。該等反應器 管內壁，如同存在於該管內部中由相同陶瓷材料製成的任 何塡充元件之表面，可以簡單方式安裝催化活性塗層而不 需特殊設備。 使用由於高溫下也有耐腐蝕性及氣密性的陶瓷材料製 成之反應器管的另一個優點是有機會藉由天然氣燃燒器加 熱，其結果是比起電阻加熱可以更經濟許多的方式引進必 須的反應熱。此外，藉由燃料氣加熱的系統具有均勻的溫 度分佈。電阻加熱’另一方面，會顯示局部過熱’因爲該 -9- 201245044 電阻由於電阻加熱組件的幾何形狀變化或由於磨損而無法 保持充分均勻，所以發生局部沉積且因清潔導致的昂貴停 工。最後，比起以石墨爲底質的加氫鹵化反應器，不一定 得冷卻金屬外壁，且該金屬外壁必須加以保護以防腐蝕。 下文將更詳細描述根據本發明的解決上述問題的方法 ，包括多個不同或較佳具體實施例。 【發明內容】 本發明提供一種用於製備三氯矽烷之方法，其特徵爲 讓氫及至少一種有機氯矽烷於在超大氣壓下運轉並包含一 或多個由氣密性陶瓷材料組成的反應器管的反應器中反應 0 在本發明方法之一特定具體實施例中，與該至少一種 有機氯矽烷混合物的四氯化矽額外地與氫反應而形成三氯 矽烷》 在這些氫與有機氯矽烷的反應中，任意於與STC的混 合物中，甲基三氯矽烷可，在特定具體實施例中，作爲唯 —的有機氯矽烷。該措辭“唯一的有機氯矽烷”在此意指 存在於該反應混合物中的其他有機氯矽烷類之累積莫耳量 以甲基三氯矽烷的莫耳量計少於3莫耳％。 在上述本發明方法的變化例中，讓含氫的進料氣體和 含至少一種有機氯矽烷的進料氣體以及任意地含四氯化矽 的進料氣體在反應器中在供應熱的情況下反應，以形成含 三氯矽烷的產物氣體，且該含有機氯矽烷的進料氣體及/ -10- 201245044 或該含氫的進料氣體及/或該含四氯化矽的進料氣體能以 加壓流形式輸入在超大氣壓下運轉的反應器中，且產物氣 體以加壓流形式自該反應器輸出。該產物流可不僅包含三 氯矽烷及由該等有機氯矽烷類中的Si-C鍵之氫解作用所 形成的有機化合物，例如，在烷基氯矽烷類案例中的烷類 ’還有副產物如HC1、四氯矽烷、二氯矽烷、單氯矽烷及 /或甲矽烷以及其他有機氯矽烷類及/或與所用的起始材 料不同之有機氯矽烷類。該產物流一般也含有尙未反應的 起始材料，該至少一種有機氯矽烷、氫及可能的話四氯化 砂。 在所有上述本發明方法的變化例中，把該含有機氯矽 烷的進料氣體及該含氫的進料氣體及，若有的話，該含四 氯化矽的進料氣體也可以混合流形式引入在超大氣壓下運 轉的反應器。 在本發明的方法中，該含有機氯矽烷類的進料氣體較 佳含有式RSiCl3的有機三氯矽烷類，其中R是烷基，特 別是具有1至8個碳原子的線性或分支烷基，例如甲基、 乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基及辛基、苯基或芳 烷基，結果可得到高產率之想要的TCS產物。甲基三氯矽 烷（MTCS)、乙基三氯矽烷（ETCS)及/或正丙基三氯 矽烷（PTCS )可特佳地用作爲本發明方法中的有機氯矽烷 。這些有機氯矽烷類可以個別得到或以混合物形得到，特 別是來自氯矽烷製程的二次流、藉由西門子法及/或穆 勒-羅秋合成法製備在適當產物氣體加工後得到的高純度 -11 - 201245044 砂。 在特定具體實施例中，在本發明的方法中除含有機氯 矽烷的進料氣體之外，還使用含四氯化矽的進料氣體。也 可使用含有機氯矽烷及四氯化矽的進料氣體》在這些案例 中，在該反應器中，氫氣的反應與至少一種有機氯矽烷的 加氫反應及SiCl4的加氫脫鹵化反應同時發生。 含四氯化矽的進料氣體可得自，特別是，由氯矽烷製 程的二次流及/或由該西門子法製備在適當產物氣體加工 後得的高純度矽。 再者，本發明的方法也可應用於式RxSiCl4.x之經二 取代或更多取代的有機氯矽烷類之加氫反應，其中x = 2、 3或4且R =烷基（特別是具有1至8個碳原子）、苯基或 芳烷基，及/或經有機基取代的二矽烷類或更高級矽烷類 。然而，產物混合物在這些案例中僅具有較小比例的TCS 。在此，具有較高比例的氫或Si-Si鍵之氯矽烷類佔優勢 地存在於該產物混合物中。 組成該反應器的一或多個反應器管之氣密性陶瓷材料 較佳是選自SiC及Si3N4及混合系統（SiCN )。由這些材 料製造的管具有足夠的惰性、耐腐蝕性及加壓安定性，即 使在必須的高於700°C的高反應溫度的情況下，所以由有 機氯矽烷類及任意的STC之TCS合成法可於數巴的表壓 下運作。原則上，必須使用氣密性材料作爲反應器管材料 。這也包括可能使用適合的非陶瓷材料如熔融矽石。 特佳是具有含SiC反應器管之反應器，因爲此材料具 -12- 201245044 有特別好的導熱性且因此使得反應用之均句熱分佈及良好 熱輸入變得可能。在本發明方法的有用具體實施例中’該 氣密性反應器管可，特別是，由滲矽的Sic (sisic)或無 壓（pressureless )燒結的SiC ( SSiC )構成，但是不限於 此。專用陶瓷的商業來源是，例如，Saint-Gobain Industriekeramid Rodental GmbH · Advancer®'型管； Saint Gobain Ceramics “Hexoloy®” > MTC Haldenwanger “Halsic-I” 以及來自 Schunk Ingenieurkeramik GmbH 的 SSiC。 曾提及的材料之耐腐蝕性可另外藉由具有在1至100 μπι範圍中的層厚度之Si02層提高》在特定具體實施例中 ，因此使用帶有適當Si02層作爲塗層之由SiC、Si3N4或 SiCN製造的反應器管。 在本發明方法的另一個變化例中，至少一個反應器管 可以與組成該管相同的氣密性陶瓷材料所組成之塡充元件 塡充。此惰性床可負責使流動力學最佳化。至於床材料， 可使用塡充元件如環型、球型、棒型或其他適合的塡充元 件。 在本發明方法的特佳具體實施例中，至少一個反應器 管的內壁及/或該等塡充元件的至少一部分係經至少一種 材料塗覆’而該至少一種材料催化氫與有機基氯矽烷及任 意地四氯化矽的反應以形成三氯矽烷。一般，該等管可在 有或沒有觸媒的情況下使用，但是該等經催化塗覆的管代 表較佳具體實施例，因爲適合的觸媒導致反應速率提高， -13- 201245044 進而提高時空產率。如果該等塡充元件經塗覆以催化活性 塗層，可能能省掉反應器管的催化活性內部塗層。然而， 在此案例中較佳也包括該等反應器管的內壁，因爲此案例 中，比起單純的受載觸媒系統（例如靠固定床）增加了有 效催化表面積。 該催化活性塗層，即用於該等反應器管的內壁及/或 任何使用的固定床，較佳由包含至少一種活性組分的組成 物組成，該至少—種活性組分係選自金屬Ti、Zr、Hf、Ni 、Pd、Pt、Mo、W、Nb、Ta、Ba、Sr、Ca、Mg、Ru、Rh 、Ir及其組合及其矽化物化合物，如果這些存在的話。在 此特佳的活性組分是Pt、Pt/ Pd、Pt/ Rh及Pt/ Ir。 把該催化活性塗層施於該等反應器管的內壁及/或任 何使用的固定床可包含下列步驟： 1 · 提供一種懸浮液，該懸浮液含有a)至少一種選 自金屬 Ti、Zr、Hf、Ni、Pd、Pt、Mo、W、Nb 、Ta、Ba、Sr、Ca、Mg、Ru、Rh、Ir 及其組合 及其矽化物化合物的活性組分；b )至少一種懸 浮介質；及任意地c)至少一種輔助組分，而該 輔助組分特別是用於將該懸浮液安定化，用於改 善該懸浮液的儲存安定性，用於改善該懸浮液對 待塗覆的表面之黏附力及/或用於改善該懸浮液 對待塗覆的表面之施加。 2. 把該懸浮液施加於該一或多個反應器管的內壁及 /或該等塡充元件的表面。 -14- 201245044 3. 乾燥該被施加的懸浮液。 4. 於500 °C至1500 °C範圍的溫度在惰性氣體或氫氣 下熱處理該被施加且乾燥的懸浮液。 把該經熱處理過的塡充元件可接著被引進該一或多個 反應器管。然而，也可對已經引進該等反應器管的塡充元 件進行該熱處理以及任意地前述的乾燥。 至於作爲根據本發明的懸浮液之組分b)的懸浮介質 ，可使用，特別是具有黏合劑特性的懸浮介質，有益的是 ，例如，在塗料及清漆工業中也有使用的熱塑性聚丙烯酸 酯樹脂。這些包括，例如，以聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙 酯、聚甲基丙烯酸丙酯及/或聚丙烯酸丁酯爲底質的組成 物。這些是可由，例如，Evonik Industries的商品名 Degalan®獲得的商品。 任意地，一或多種輔助組分可有益地作爲其他組分（ 即在組分c )的意義下）使用。 因此，可使用溶劑或稀釋劑作爲輔助組分c )。較佳 的輔助組分是有機溶劑，特別是芳族溶劑或稀釋劑如甲苯 、二甲苯以及酮類 '醛類、酯類、醇類或上述溶劑和稀釋 劑中至少二者之混合物》 該懸浮液的安定化可，必要的話，有益地藉由無機或 有機流變性添加物達成。作爲組分c)的較佳無機流變性 添加物包括，例如，矽藻土、皂土類、膨潤石群及矽鎂土 、合成片狀矽酸鹽類、熱解矽氧或沉積氧化矽。有機流變 性添加物或輔助組分C )較佳包括蓖蔴油及其衍生物（例 -15- 201245044 如經聚醯胺改質的蓖蔴油）、聚烯烴或經聚烯烴改質的聚 醯胺及其衍生物（例如，在商品名Luvotix®下販售者）以 及無機和有機流變性添加物的混合系統。 至於用於改善該懸浮液對待塗覆的表面之黏附力的輔 助組分c) ’可使用選自由矽烷類及矽氧烷類所組成的群 組之適合黏合劑。這些（作爲示範但是不排他性地）包括 二甲基聚矽氧烷、二乙基聚矽氧烷、二丙基聚矽氧烷、二 丁基聚矽氧烷、二苯基聚矽氧烷或其混合系統（例如苯基 乙基矽氧烷類或苯基乙丁基矽氧烷類）或其他混合系統以 及其混合物。根據本發明的懸浮液可以相當簡單且經濟的 方式，例如，將起始材料（即組分a ) 、b )及任意地c ) )於熟於此藝之士習知的習用設備中進行混合、攪拌或捏 合而獲得。 本發明方法中的反應通常在700°C至l〇〇〇°C，較佳是 850 °C至950 °C的範圍之溫度及/或於1至10 bar，較佳是 3至8 bar，特佳是4至6 bar的範圍之壓力，及/或於氣 流中進行。爲了避免不受控制的矽沉積，應該避免高於 lOOOt的溫度。 氫對有機氯矽烷和四氯化矽的總和之莫耳比應該有益 地設定在1: 1至8: 1的範圍中，較佳是2: 1至6: 1’ 特佳是3 : 1至5 : 1，特別是4 : 1。 該反應器管的尺寸及整個反應器的設計係以該管幾何 形狀的可得性以及以關於引進該反應所需的熱之必備條件 爲準。加熱室中可佈置單反應器管或多個反應器管的組合 -16- 201245044 。使用壓力穩定且耐腐蝕性陶瓷流管的另一個優點是可藉 由天然氣燃燒器直接或間接加熱，該等天然氣燃燒器供應 比電力更經濟許多的必要能量輸入。然而，供該反應器中 的反應用之熱的供應原則上可藉由電阻加熱或燃料氣體如 天然氣的燃燒達成。使用藉由天然氣加熱的系統之優點是 均勻的溫度分佈。電阻加熱會造成局部過熱，因爲該電阻 由於電阻加熱組件的幾何形狀變化或由於磨損而無法保持 充分均勻，所以發生局部沉積，及因清潔造成的昂貴停工 。在藉由燃料氣體加熱的案例中爲了避免於該等反應器管 的局部溫度尖峰，燃燒器應該不得直接針對反應器管。該 等反應器管可，例如，分佈於該加熱室上方並對齊使其置 於平行反應器管之間的自由空間中。由上述陶瓷材料製造 的管之機械安定性高到足以將壓力設定於數巴，較佳是在 1至10 bar的範圍，特佳是在3至8 bar的範圍，特佳是 4至6 bar。相對於前述具有於反應空間之以石墨爲底質的 襯裡之反應器，不需要必須被冷卻並被保護以防腐蝕的金 屬壁。 爲了提高能量效率，該反應器系統可被連接至熱回收 系統。在一個特定具體實施例中，該等反應器管之一或多 者係爲了此目的而封閉一端並各自含有引入氣體的內管， 該內管較佳是由與組成該等反應器管相同的材料組成。個 別反應器管的封閉端與面對此封閉端的內管開口之間發生 逆流。在此配置中，熱在各案例中係藉由通過該陶瓷內管 的熱傳導，自於該反應器管內壁與該內管外壁之間流動的 -17- 201245044 產物氣體混合物轉移至流過該內管的進料氣體。整體熱交 換管也可以至少部份地經塗覆以上述催化活性材料。 【實施方式】 以下實施例例示本發明的方法，但是並未構成任何限 制。 實施例 實施例1 觸媒糊的製造，根據本發明的實施例 在混合容器中，強烈混合54重量％的甲苯、0.3重量 %的Aerosil R 974、6.0重量％的苯基乙基聚矽氧烷、16.8 重量％的鋁顏料Reflaxal、10.7重量％的Degalan LP 62/ 03溶液及12.2重量％的矽化鎢之混合物。 實施例2 觸媒糊的應用，根據本發明的實施例 藉由將該觸媒混合物引進該反應器管的方式，以實施 例1所述的調合物塗覆由碳化矽（SSiC)製造的陶瓷管。 藉由搖晃以栓塞封閉的管的方式，使該混合物均勻分佈並 接著於空氣中乾燥過夜。該管具有15mm的內徑及120 cm的總長度。等溫加熱區爲40 cm。 實施例3 -18- 201245044 觸媒活化及氫化反應，根據本發明的實施例 將該反應器管設立於可以電力加熱的管爐中。帶有個 別的管之管爐先加熱至900°C，且使於3 bar絕對壓力的 氮通過該反應器管。經過2小時之後，藉由氫氣替換氮氣 。於氫氣流中經過另外1小時之後，同樣於3.6 bar絕對 壓力，將來自 Aldrich的甲基三氯矽烷或甲基三氯矽烷與 四氯化矽的混合物泵抽至該反應管中。當從氮氣換成進料 時該管爐中的溫度已經被設定於900°C。氫氣流被設定於 4: 1的莫耳過量。藉由線上氣體層析分析該反應器輸出並 從而計算所形成的三氯矽烷、四氯化矽、二氯矽烷及甲基 二氯矽烷之量。使用純物質進行氣體層析計的校正。 沒分析所形成的氯化氫或其他副產物。將結果顯示於 表1中。 表1 MTCS，任意地和 STC ^與氮氣的混合f 勿中之催化反應 的結果 進料中的 進料中 爐溫 產物中的 產物中 產物中 產物中 產物中的 MTCS 的STC [°C] MTCS 的DCS 的TCS 的STC MHDCS [ml/h] [ml/h] tmm%] [重量％] [重量％] [重量％] mm%] 78.0 0.0 900 13.9 2.4 37.4 45.1 1.1 156.0 0.0 900 25.1 2.3 35.8 34.8 1.9 78.0 0.0 950 7.6 2.2 36.5 52.2 0.82 39.0 39.0 950 1.6 0.33 22.2 71.4 0.10 STC =四氯化矽 TCS =三氯矽烷 DCS =二氯矽烷 MHDCS=甲基二氯矽烷 -19-

Claims (1)

1. 201245044 七、申請專利範圍： 1. 一種用於製備三氯矽烷之方法，其特徵爲讓氫及至 少一種有機氯矽烷於在超大氣壓下運轉並包含一或多個由 氣密性陶瓷材料組成的反應器管的反應器中反應。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中與該至少一種 有機氯矽烷混合的四氯化矽另外與氫反應而形成三氯矽烷 〇 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中甲基三氯 矽烷係作爲唯一有機氯矽烷。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在反應中，讓 含氫的進料氣體和含至少一種有機氯矽烷的進料氣體以及 任意地含四氯化矽的進料氣體在反應器中在供應熱的情況 下反應，以形成含三氯矽烷的產物氣體，且該含有機氯矽 烷的進料氣體及/或該含氫的進料氣體及/或該含四氯化 矽的進料氣體能以加壓流形式輸入在超大氣壓下運轉的反 應器中，且產物氣體以加壓流形式自該反應器輸出。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中將該含有機氯 矽烷的進料氣體及該含氫的進料氣體及，若有的話，該含 四氯化矽的進料氣體以混合流形式引入在超大氣壓下運轉 的反應器。 6. 如申請專利範圍第2項之方法，其中氫對有機氯矽 烷和四氯化矽的總和之莫耳比係在1 : 1至8 : 1的範圍中 ，較佳是2 : 1至6 : 1，特佳是3 : 1至5 : 1，特別是4 : -20- 201245044 7 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該反應係於1 至10 bar及/或在”(^至“⑽七的範圍之溫度及/或於 氣流中進行。 8 .如申請專利範圍第1項之方法，其中用於該反應器 中的反應之熱供應係藉由電阻加熱或燃料氣的燃燒達成。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中組成該反應器 管的氣密性陶瓷材料係選自SiC及Si3N4及其混合系統（ SiCN )。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該氣密性陶 瓷材料係選自渗砂的SiC (SiSiC)或無壓（pressureless )燒結的 SiC ( SSiC )。 1 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中至少一個反 應器管被封住一端並含有引進氣體的內管。 12.如申請專利範圍第1項之方法，其中至少一個反 應器管係以與組成該管相同的氣密性陶瓷材料所組成之塡 充元件塡充。 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中至少一個反 應器管的內壁及/或該等塡充元件的至少一部分係經至少 一種材料塗覆’而該至少一種材料催化氫與有機基氯矽院 及任意地四氯化矽的反應以形成三氯矽烷° 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法’其中該催化活性 塗層係由包含至少一種活性組分的組成物組成’該至少一 種活性組分係選自金屬Ti、Zr、Hf、Ni、Pd、Pt、M〇' W 、Nb、Ta、Ba、Sr、Ca、Mg、Ru、Rh、Ir 及其組合及其 -21 - 201245044 矽化物化合物。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該催化活性 塗層的施加包含下列步驟： - 提供一種懸浮液’該懸浮液含有a)至少一種選 自金屬 Ti、Zr、Hf、Ni、Pd ' pt、Mo、W、Nb 、Ta、Ba、Sr ' Ca ' Mg ' RU > Rh ^ Ir 及其組合 及其矽化物化合物的活性組分；b )至少一種懸 浮介質；及任意地c )至少一種輔助組分，而該 輔助組分係用於將該懸浮液安定化及/或用於改 善該懸浮液的儲存安定性及/或用於改善該懸浮 液對待塗覆的表面之黏附力及/或用於改善該懸 • 浮液對待塗覆的表面之施加； - 把該懸浮液施加於該一或多個反應器管的內壁及 /或該等塡充元件的表面； - 乾燥該被施加的懸浮液； - 於500°C至1 500°C範圍的溫度在惰性氣體或氫氣 下熱處理該被施加且乾燥的懸浮液： - 任意地，把該經熱處理過的塡充元件引進該一或 多個反應器管，且對已引進該等反應器管中的塡 充元件進行熱處理還有任意地進行前述的乾燥。 -22- 201245044 四 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明：無 201245044 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無