TW201239907A - Touch panel and display device including the same - Google Patents

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201239907 六、發明說明： f發明所屬之技術領域】 面板之顯示裝置 本發明係關於觸控面板及具備該觸控 【先前技術】 先前’作為用以檢測利用手指或筆等進行接觸之位置之 輸入裝置，已知有觸押而把 . 〇夭有觸控面板。例如’日本特開第2〇〇9_ 69984號公報中揭示有電容耦合式觸控面板。 然而，電今耦合式觸控面板係以複數之透明導電膜來形 成特定圖案。因此，具有形成導電膜之區域、與未形成導 電膜之區域。其結果’存在所謂利用外光反射可視認導電 膜之問題。 另，為解決該問題’日本特開第2__61425號公報甲揭 示有將透明電極與透明絕緣層之折射率差設定在特定範圍 内，而不易看見透明電極之觸控面板。 然而，日本特開第2〇1〇_61425號公報中描述之觸控面板 係存在所謂透明電極與透明絕緣層之折射率必須大致相同 之問題。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種即使不考慮導電膜與絕緣膜之 折射率’亦可使導電膜不易見之觸控面板及具備該觸控面 板之顯示裝置。 本發明之觸控面板具備：基板、形成於該基板上之透明 絕緣膜、及形成於該絕緣膜上複數個部位之透明導電膜， 且上述導電膜之反射率R1、與上述絕緣膜之反射率R2係 162204.doc 201239907 滿足下述公式： | (IU-R2)/R1 I xlOOg 4.54。 根據本發明之觸控面板’即使不考慮導電膜與絕緣膜之 折射率，亦可使導電膜不易見。 【實施方式】 本發明之一實施形態之觸控面板具備：基板、形成於該 基板上之透明絕緣膜、及形成於該絕緣膜上複數個部位之 透明導電膜’且上述導電膜之反射率！^、與上述絕緣膜之 反射率R2係滿足下述公式（關於觸控面板之第1構成）： | (R1-R2)/R1 I X100S 4.54。 觸控面板之第1構成係即使不考慮導電膜與絕緣膜之折 射率，亦可使導電膜不易見。 觸控面板之第2構成係在觸控面板之上述第1構成中，進 而具備以覆蓋上述絕緣膜及上述導電膜之方式形成之保護 膜之構成。如此之構成與未以保護膜覆蓋絕緣膜及導電膜 之情形相比’可使導電膜更不易見。 觸控面板之第3構成係在觸控面板之上述第2構成中，以 丙烯酸樹脂膜作為上述保護膜之構成。 觸控面板之第4構成係在觸控面板之上述第1至第3構成 之任一項中，以氮化矽膜作為上述絕緣膜之構成。 觸控面板之第5構成係在觸控面板之上述第I至第4構成 之任一項中，以氧化銦錫膜作為上述導電膜之構成。 觸控面板之第6構成係命觸控面板之上述第1至第5構成 之任一項中’使上述導電膜之膜厚為35 nm以下之構成。 162204.doc 201239907 在如此構成中，可確保導電膜之膜厚之設計自由度。 本發明之-實施形態之顯示裝置係具備本發明：一實施 形態之觸控面板者。在如此構成中，可實現具備導電膜不 易見之觸控面板的顯示裝置。 以下’對本發明具體之實施形態，—邊參照圖示一邊加 以說明…以下參照之各圖為便於說明，僅簡單顯示本 發明之實施形態之構成構件中為說明本發明所必須之主要 構件。因&，本發明之觸控面板及顯示裝置可具備本說明 書所參照之各圖中未顯示之任意構成構件。又，各圖中構 件之尺寸並非忠實顯示實際構成構件之尺寸及各構件之尺 寸比例等者。 [第1實施形態] 圖1係顯示作為本發明之第丨實施形態之顯示裝置1〇。顯 示裝置10具備：顯示面板12、背光源14、及觸控面板16。 在顯示裝置10中，顯示面板12之顯示區域可通過觸控面板 16之輸入區域而被觀察者視認。且其構成為，若以觀察者 之手指觸碰觸控面板16之輸入區域，則在顯示面板12進行 對應觸控位置之處理。 顯示面板12係液晶顯示面板。簡單而言，顯示面板〖2具 備.主動矩陣式基板18，其係以矩陣狀形成有複數像素 (未圖示）；對置基板20，其係設置有彩色濾光片（未圖 示）’及液晶層22 ’其被注入該等主動矩陣式基板1 $與對 置基板20之間。矩陣狀形成有複數像素之區域為顯示面板 12之顯示區域。 162204.doc 201239907 顯示面板12之厚度方向之一側配置有背光源14。作為背 光源14係例如可採用直下型或端面照光型、及平面光源型 等。作為背光源14之光源例如可採用冷陰極管或發光二極 體（LED)等。 顯示面板12之厚度方向之另一側配置有觸控面板16。觸 控面板16係投影型靜電容量式觸控面板。 觸控面板16係如圖2〜圖4所示，具備基板26。作為基板 26係例如可採用玻璃基板等。 附帶說明，本實施形態中，基板26係採用無鹼玻璃基 板。基板26之厚度尺寸為〇.3 mm。基板26之折射率（波 長：550 nm)為 1.5 1 〇 基板26上形成有透明絕緣膜28。絕緣膜28係例如可採用 氮化矽膜（SiNx)等。 附帶說明，本實施形態中，絕緣膜28係採用氮化矽膜 (SiNx膜絕緣膜28之厚度尺寸為6〇〇 nm。絕緣膜“之折 射率（波長：550 nm)係2.0(^絕緣膜28之反射率為5 52%。 絕緣膜28上形成有觸控電極3〇。觸控電極3〇之形成區域 係觸控面板16之輸入區域。 觸控電極30係具備··複數個縱向電極32a〜32c、及複數 個橫向電極34a〜34d。 縱向電極32a〜32c係具備：複數個島狀電極部36、及複 數個橋接配線部38。該等島狀電極部36與橋接配線部38係藉 由以交替排列之方式形成於絕緣膜28上，縱向電極32a〜32c 係延伸於基板26之一邊（延伸於圖2上下方向之一邊 162204.doc 201239907 橫向電極34a〜34d係具備：複數個島狀電極部4〇、及複 數個橋接配線部42。島狀電極部40係形成於絕緣膜28上。 另一方面，橋接配線部42係形成於基板26上，且由絕緣膜 28覆蓋。 俯視基板26時，該等島狀電極部4〇與橋接配線部42係以 父替排列之方式形成’橫向電極34a〜34d沿基板26之一邊 (延伸於圖2左右方向之一邊）延伸。島狀電極部4〇與橋接配 線部42之電性連接係通過在厚度方向貫通絕緣膜28形成之 接觸孔4 4而進行。 另’觸控電極30所具備之縱向電極32a〜32c及橫向電極 34a〜34d之數量、縱向電極32a〜32c所具備之島狀電極部36 及橋接配線部38之數量、橫向電極34a〜34d所具備之島狀 電極部40及橋接配線部42之數量皆為任意。 此處’作為縱向電極32a~32c及橫向電極34a〜34d所具有 之島狀電極部40(以下將該等稱為導電膜45)，可採用例如 氧化銦錫（ITO)膜等透明且具有導電性之膜。附帶說明， 本實施形態中，採用氧化銦錫膜作為導電膜45。導電膜45 之厚度尺寸為35 nm以下。導電膜45之折射率（波長：550 nm)為 1.85。 又’作為橋接配線部42，可採用例如以鈦膜、鋁膜、氮 化鈦膜之順序積層而成之金屬膜等。若將橋接配線部42之 線寬設為例如1 〇 μιη以下’則橋接配線部42難以視認。 又，於基板26上形成有複數之配線46a〜46g。作為配線 46a〜46g ’可採用例如以鈦膜、鋁膜、氮化鈦膜之順序積 162204.doc 201239907 層而成之金屬膜專。另，配線46a〜4 6g之數量為任意。 配線46a〜46g中之配線46c〜46e係分別連接於縱向電極 32a〜32c。剩餘配線46a、46b、46f、46g係分別連接於橫 向電極34a〜d。另，配線46c〜46e與縱向電極32a〜32c之電 性連接、及配線46a、46b、46f、46g與橫向電極34a〜34d 之電性連接係分別通過在厚度方向貫通絕緣膜28形成之接 觸孔48、50而進行（參照圖3及圖4)。 在配線46a〜46g之延伸端形成有端子部52a〜52g。覆蓋端 子部52a〜52g之絕緣膜28上對應端子部52a〜52g之位置，形 成有端子膜54a〜54g。作為端子膜54a〜54g係可採用例如氧 化姻錫（ITO)膜。端子部52a〜52g與端子膜54a〜54g之電性 連接係通過形成於絕緣膜28之開口部（未圖示）而進行β 觸控面板16進而具備覆蓋絕緣膜28及導電膜45之保護膜 56。作為保護膜56係可採用例如丙烯酸樹脂膜等有機膜、 或氮化矽膜等無機膜。附帶說明，本實施形態中採用丙烯 酸樹脂膜作為保護膜56。保護膜56之厚度為丨·3 μηι。保護 膜56之折射率（波長^5〇 ^⑷係丨⑷。 如此之觸控面板16係在黏貼於顯示面板12之狀態下被使 用。在觸控面板1 6黏貼於顯示面板12之狀態下，觸控面板 16之輸入區域與顯示面板12之顯示區域係一致。 觸控面板1 6連接有作為外部電路之可撓性印刷基板（未 圖不）。具體而言，可撓性印刷基板所具備之連接端子係 介隔未圖示之異方性導電膜（ACF)連接於端子膜54a〜54g。 藉此’可撓性印刷基板與端子部52a〜52g係介隔端子膜 162204.doc 201239907 54a〜54g及異方性導電膜（未圖示）而電性連接。 觸控面板16係在觀察者之手指觸碰配置於導電膜45上方 之保護玻璃基板（未圖示）時，藉由捕捉形成於該手指、與 位於s亥手指附近之縱向電極32a〜32c及橫向電極34a〜34d各 自間之靜電容量變化，檢出觸控位置。 該處’觸控面板16係如圖5中簡略所示，絕緣膜28上具 有形成導電膜45之區域、及未形成導電膜45之區域。導電 膜45之反射率尺}、與絕緣膜28之反射率尺2係滿足以下公 式⑴。 R= I (R1-R2)/R1 | χ1〇〇$4.54 · · · (1) 此處’ R係顯示反射率差之比率。 另，導電膜45之反射率R1、與絕緣膜28之反射率尺2係 分別測定明度（Y值）來作為觸控面板〗6單體之D65光源之光 的反射光量，且將鋁之反射光量作為1〇〇%情形下之規定 值。所謂D65光源係作為CIE(國際照明委員會）規定之標準 光源之代用光源規格之一。作為D65光源係使用色溫度為 6504絕對溫度，且接近自然晝光之特殊螢光燈。 如此之觸控面板16中，若試著測定在使導電膜45之厚度 尺寸.憂化之情形下之反射率差之比率R，則如表1所示結 果。 [表1]

導電膜之膜厚(nm) 20 25 35 50 100 反射率差之比率 0.28 0.54 3.33 4.99— 22.58 導電膜之可視認性 (不可視認：〇、可視認：X) 〇 〇 〇 X X 162204.doc 201239907 如表1所示之測定結果可明確，反射率差之比率為4 54 以下之情形’可確認不可視認導電膜45。附帶說明，厚产 為20 nm之導電膜45之反射率為5.54%。厚度為25 nm之導 電膜45之反射率為5.55%。厚度為35 nm之導電膜45之反射 率為5.71%。厚度為50 nm之導電膜45之反射率為5 81%。 厚度為100 nm之導電膜45之反射率為7.13%。 又’由於本實施形態中導電膜45之厚度只要為35 nm以 下即可，故可確保導電膜45之厚度之設計自由度。 [第1實施形態之應用例1] 尺寸為 300、450 nm。 [第1實施形態之應用例2] 本應用例中，採用氮化衫 第1實施形態中，雖以調整導電膜45之膜厚之情形之一 具體例來加以說明，但若調整導電膜45與絕緣膜28中至少 一方之膜厚，亦可滿足上述公式（1卜因此，例如導電膜Μ 之厚度大於35 rnn之情形，若絕緣膜28之厚度尺寸設定為 特定值’亦可滿足上述公式⑴。該情形，絕緣⑽之厚度 採用氮化矽膜作為保護膜56。

。保護膜56之 2·00。導電膜45之厘疮或，

可更抑制反射率差之比率R。 550 nm)為 45。又 若試著測定反射率差之比率 .8，可確認不可視認導電膜 &丙烯酸樹脂膜之情形相比， 、絕緣膜28、及保護膜 另，本應用例中，雖以導電膜45、 162204.doc 201239907

56之膜厚之任—者皆*姓—L B 乂 ^ 為特疋大小之情形之一具體例來加以 說明，但右調整導雷胳^ 導電祺45、絕緣膜28及保護臈56之膜厚中 至少1者，則即使導雷趙 、 導電臈45、絕緣膜28、及保護膜 為本應用例說明之特定+ , 犋厚 夂特疋大小以外者，亦可滿足上述公式 (1)。 [第2實施形態] 其次，一邊參照圖6一邊對本發明之第2實施形態加以說 明。另’以下說明中’關於與第1實施形態相同構造之構 件及。P位，藉由於圖中附加與第i實施形態相同之符號， 而省略該等之細節說明。

本實施形態之顯示裝置係與第i實施形態之顯示裝置W 相比觸控面板58之構成有所不同^本實施形態所採用之 觸控面板58與第1實施形態採用之觸控面板相比，未設 置保護膜56。 本實施形態之導電膜45之厚度為35 nme導電膜45之反 射率為8.59%。絕緣膜28之反射率為8 2〇%。 在如此之觸控面板58中，若試著測定反射率差之比率 R，則反射率差之比率r為4.54，雖然與具有保護膜56之情 形相比數值變高，但可確認不可視認導電膜45。 由於本實施形態中未設置保護膜56，故可削減觸控面板 58之製造步驟數β 另’本實施形態中，雖以導電膜45、及絕緣膜28之膜厚 之任一者皆為特定大小之情形之一具體例來加以說明，但 若調整導電膜45、及絕緣膜28之膜厚中至少1者，則即使 162204.doc 201239907 導電膜45、及絕緣膜28之膜厚為本實施形態說明之特定大 小以外者’亦可滿足上述公式（1)。 如上所述’雖對本發明之實施形態加以詳細說明，但該 等僅為例示，本發明係經由上述實施形態而提出，且並非 意欲限定於此。 例如，上述第1及第2實施形態中亦可採用電漿顯示面板 (PDP)或有機El(電致發光）面板、無機el面板等來作為顯 示面板12。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示作為本發明之第丨實施形態之顯示裝置之概略 構成模式圖。 圖2係顯示作為本發明之第丨實施形態之觸控面板之俯視 圖。 圖3係圖2中ΠΙ-ΙΙΙ剖面圖。 圖4係圖2中IV-IV剖面圖。 圖5係顯示圆2所示之觸控面板之概略構成之剖面圖。 圖6係顯示本發明之第2實施形態之顯示裝置所具備之觸 控面板之概略構成之剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 顯示裝置 12 顯示面板 14 背光源 16 觸控面板 18 主動矩陣式基板 162204.doc 12· 201239907 20 對置基板 22 液晶層 26 基板 28 透明絕緣膜 30 觸控電極 32a 縱向電極 32b 縱向電極 32c 縱向電極 34a 橫向電極 34b 橫向電極 34c 橫向電極 34d 橫向電極 36 島狀電極部 38 橋接配線部 40 島狀電極部 42 橋接配線部 44 接觸孔 45 導電膜 46a 配線 46b 配線 46c 配線 46d 配線 46e 配線 46f 配線 162204.doc 201239907 46g 酋己線 52a 端子部 52b 端子部 52c 端子部 52d 端子部 52e 端子部 52f 端子部 52g 端子部 54a 端子膜 54b 端子膜 54c 端子膜 54d 端子膜 54e 端子膜 54f 端子膜 54g 端子膜 56 保護膜 58 觸控面板 162204.doc

Claims (1)

1. 201239907 七、申請專利範圍： 1. 一種觸控面板，其包含： 基板； 透明絕緣膜，其係形成於該基板上；及 透明導電膜’其係形成於該絕緣膜上複數個部位；且 上述導電膜之反射率R1、與上述絕緣膜之反射率尺2係 滿足下述公式： | (R1-R2)/R1 | X100S4.54。 2.如請求項1之觸控面板，其中進而包含：保護膜，其係 以覆蓋上述絕緣臈及上述導電膜之方式形成。

   項之觸控面板，其中上述保護膜為 4.如請求項1至3中任一 氮化矽膜。 項之觸控面板，其中上述導電膜為

   5 ·如請求項1至4中任— 氧化銦錫膜。 6.如請求項1至5中任— 膜厚係3 5 nm以下。 7. —種顯示裝置，其 板0 其包含如請求項1至6中任一 項之觸控面 162204.doc