TW201237143A - Yellow phosphor and manufacturing method therefor - Google Patents

Description

201237143 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於黃色螢光體及其製造方法。 【先前技術】 白色LED是由：射出從紫外線區至藍色區的光（波長 約3 80〜5 OOnm)之LED晶片、以及由從該LED晶片射出 之光所激發而發光之螢光體之組合所構成。根據LED晶 片與螢光體之組合，可實現種種色溫之白色。 由從紫外線區至藍色區的光所激發而發光之螢光體， 可適當地使用在白色LED。白色LED用的螢光體，例如 在專利文獻1中揭示有一種由Y3A15012: Ce(YAG: Ce)表 示之螢光體。該螢光體中，Y3A15012爲螢光體的母體結晶 ，Ce爲該母體結晶所活化之發光離子。 專利文獻2、3中，係揭示一種由Li2SrSi04 : Eu表示 之螢光體。根據專利文獻3，Li2SrSi04 : Eu，其發光色佳 且可有效率地吸收從藍色LED所射出之藍色光，而顯示 出在5 70nm附近具有峰値之廣泛的黃色發光，並且顯示出 即使是暴露在高溫之狀態下，亦可充分地維持發光強度之 優異特性。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本特開平1 0 - 2 4 2 5 1 3號公報 專利文獻2:日本國際公開第03/80763號 -5- 5 201237143 專利文獻3:日本特開2006-237113號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 然而’關於例如Li2SrSi04: Eu般之螢光體，係要求 發光強度之更進一步的提升。 本發明之目的在於製得發光強度（亮度）更進一步得到 改善之黃色螢光體。 (用以解決課題之手段） 本發明係關於由表示之黃色螢光體 的製造方法。本發明之製造方法，係含有：一邊使含有 Μ1、M2、及L之原料混合物接觸於含有氣相Si之含si氣 體一邊進行燒結，而生成由表示之黃色 營光體之步驟。換言之，該黃色螢光體，是藉由使至少含 有Μ1、M2、及L之原料混合物接觸於含Si氣體並進行燒 結而製造出。惟M1爲選自鹼金屬之至少一種元素，μ2爲 選自鹼土類金屬之至少一種元素，M3爲Si、或Si及Ge， L·爲選自稀土類元素、Bi及Μη之至少一種元素。a爲0.1 〜1·5(0·1以上1.5以下），b爲0.8〜1.2(0.8以上1.2以下 )’ c 爲 〇·〇〇5 〜0.2(0.〇〇5 以上 0.2 以下），d 爲 0.8 〜 1 · 2 (0 · 8以上1 · 2以下）。 前述含Si氣體’可含有藉由加熱含si化合物所產生 的氣相s i »亦即，前述含s i氣體例如可藉由含s i化合物 -6- 201237143 的加熱來產生。較佳係使含有藉由在與燒結前述原料混合 物之場所爲不同的場所加熱前述含Si化合物所產生的氣 相Si之前述含Si氣體’接觸於前述原料混合物。亦即， 前述燒結與前述含Si氣體的產生，較佳是在不同場所中 進行。例如，可藉由將前述含Si化合物加熱至1 300t以 上而產生氣相Si。亦即，含Si氣體的產生溫度，例如爲 1300 °C以上。可藉由將前述原料混合物加熱至例如7〇〇艽 〜1 000 °C來進行燒結。亦即，燒結溫度例如爲7〇(TC以上 1000°C以下。前述L，較佳係選自稀土類元素、81及Mn 之至少含有Eu之一種以上的元素，尤佳是該Ell含有2價 Eu者。較佳者’ M1爲Li，M3爲Si。較佳者，M2係僅爲 Sr、Sr及Ba、或Sr及Ca。前述a較佳爲0.9〜1.1(0.9以 上1.1以下）。b、c及d，較佳係滿足b + c= l，d=l。 本發明亦包含藉由上述製造方法所製得之黃色螢光體 ’以及具有該黃色螢光體之發光裝置或白色LED ^ 發明之效果： 根據本發明，由於一邊應用含Si氣體一邊燒結原料 組成物’所以可應用Si氣體的強還原力，而更進一步提 高所得之黃色螢光體的發光強度（亮度） 【實施方式】 以下詳細地說明本發明之較佳實施形態。本說明書中 201237143 ，用語「金屬元素」，是以亦含有Si、Ge等的半金屬元 素之涵義來使用。 本實施形態係關於顯示出黃色發光之黃色螢光體。所 謂黃色發光，是指在波長560nm〜590nm附近具有峰値之 發光。作爲本實施形態的對象之黃色螢光體，是由式： 式中，M1爲選自鹼金屬之至少一種元 素，M2爲選自鹼土類金屬（Ca、Sr、B a)之至少一種元素， M3爲選自Si及Ge之至少一種元素，L爲選自由稀土類元 素、Bi及Μη所組成之群組的至少一種元素，a爲0.1〜 1.5，b 爲 0_8 〜1_2，c 爲 0.005 〜0.2，d 爲 0.8 〜1.2)表示 〇 · 前述M1較佳爲選自Li、Na及K之一種或兩種以上（ 特別是一種）的元素，尤佳爲Li。 前述M2較佳爲選自Ca、Sr及Ba之一種或兩種以上（ 特別是一種）的元素，尤佳係含有Sr。M2含有Sr時，該 M2較佳亦進一步含有Ba、含有Ca、或含有Ba及Ca，特 佳爲含有Ca。 L爲活化爲發光離子之元素，該L較佳至少含有Eu» 此時的L可單獨爲Eu，或是Eu與Eu以外的L元素（選自 稀土類元素、Bi及Μη)的一種以上之組合。特佳者L爲 Eu。此外’作爲L的Eu，較佳係至少含有2價Eu。 M3較佳爲Si。M3爲Si時，M1較佳爲Li。 前述a的下限，較佳爲0.5，尤佳爲0.8，更佳爲0.9 ，特佳爲〇. 9 5。a的上限’較佳爲1 · 2，更佳爲1 . 1，特佳 -8 - 201237143 爲 1.05 。 前述b較佳爲〇·8〜1.1。b的下限尤佳爲〇.9。b的上 限尤佳爲1.05。 前述c較佳爲0.01〜0.iDC的下限尤佳爲〇.015°c 的上限尤佳爲0.05。 b + c之値及d可爲相同或不同，較佳爲0.9〜I」。b + c 及d的下限尤佳爲0.95。b + c及d的上限更佳爲1.05。 b + c及d尤佳爲1。 a 與 b + c 之比（a/(b + c))、a 與 d 之比（a/d)、b + c 與 d 之 比（（b + c)/d)可爲相同或不同，例如爲〇 9〜丨^，較佳爲 〇·95 〜1 .〇5。 a、b + c、d之値較佳均位於40.03之範圍內，特佳爲 1。較佳者，M1爲Li、M3爲Si，且M2單獨爲Sr或Sr及 C a 〇 前述螢光體較佳爲六角晶或三角晶。 本實施形態之螢光體，係藉由含有下列步驟之方法所 製造’該步驟係一邊使含有Μ1、M2、及L之原料混合物 與含Si氣體（含有氣相Si之氣體）接觸，一邊燒結原料混 合物。該原料混合物並不一定須含有M3。即使原料混合 物不含有M3成分，作爲M3的成分之Si可從含Si氣體所 供給。 前述原料混合物，詳細而言，爲含有元素M1之物質（ 第1原料）、含有元素M2之物質（第2原料）、及含有元素 L之物質（第3原料）之混合物，且可因應必要進—步包含 201237143 含有元素Μ3之物質（第4原料）。由於元素μ1、M2、L及 Μ均爲金屬兀素（包含半金屬兀素）’所以本說明書中有時 將前述第1〜第4原料稱爲含金屬元素的物質，並且將此 等之混合物稱爲金屬化合物混合物。前述含金屬元素的物 質’可爲各金屬Μ^Μ2、！^或Μ3的氧化物，可爲高溫（ 尤其是燒結溫度）下分解或氧化而形成氧化物之物質。形 成該氧化物之物質，係含有氫氧化物、氮化物、氮氧化物 、酸衍生物、及鹽（碳酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽等）等》 第1原料較佳係選自金屬Μ1(特別是鋰）的氫氧化物、 氧化物、及碳酸鹽。特佳的第1原料係含有氫氧化鋰 (LiOH)、氧化鋰（Li20)、及碳酸鋰（Li2c〇3)。此等第1原 料可單獨使用1種或組合複數種以上。 第2原料的較佳例子，係含有金屬μ 2 (特別是緦、鋇 、鈣等）的氫氧化物、氧化物、及碳酸鹽。具體而言，第2 原料例如選自氫氧化緦（S r (Ο Η) 2)、氧化緦（S r Ο)、及碳酸 鍊（SrC〇3)。此等第2原料可單獨使用1種或組合複數種 以上。 第3原料較佳爲金屬L(特別是銪）的氫氧化物、氧化 物、碳酸鹽、或氯化物。第3原料例如選自氫氧化銪（Eu(〇H)2 、（Eu(OH)3)、氧化銪（EuO、Eu203)、碳酸銪（Euc〇3、Eu2(C03)3) 、氯化銪（EuC12、EuC13)、及硝酸銪（Eu(n〇3)2、Eu(N03)3) 。此等第3原料可單獨使用1種或組合複數種。 第4原料較佳爲金屬M3(特別是矽）的氧化物、酸衍生 物、或鹽。較佳的第4原料例如含有二氧化矽、矽酸、矽 -10- 201237143 酸鹽、二氧化鍺、鍺酸、及鍺酸鹽。 第1至第3原料，係以使從各原料及含Si氣體所供給之 元素Μ1、M2、L、M3的原子比滿足式：中 的a'b、c、d的關係之比率來混合。即使在使用第4原 料時，亦推薦以使第1至第4原料及含Si氣體所供給之 元素Μ1' M2、L、M3的原子比滿足式： 中的a、b、c、d的關係之比率來混合。此時，氣相Si可 供給至母體內。 前述第1〜第3原料（較佳爲第1〜第4原料）可以濕式 來混合或乾式來混合。該混合中，可使用泛用裝置，例如 球磨機、V型混合機、攪拌機等。 本實施形態之方法中，如上述般，係一邊使上述原料 混合物（金屬化合物混合物）與含Si氣體（含有氣相si成分 之氣體）接觸’ 一邊燒結原料混合物，而製造出螢光體。 當一邊應用含Si氣體一邊製造燒結物（螢光體）時，可提升 螢光體的發光強度。 一邊使原料混合物與含Si氣體接觸一邊燒結原料混 合物之步驟中’例如可在含Si氣體環境中燒結原料混合 物。目11述含Si氣體’如後述般，可由si以外的氣體稀釋 或加壓。 含Si氣體’例如可將烷氧化矽化合物、富鋁紅柱石 、氧化矽（SiOx等）等之含Si化合物（較佳爲Si〇)加熱至高 溫來產生。加熱含Si化合物之溫度（產生溫度）例如爲 1300 °C以上，較佳爲1350 °C以上，更佳爲1380。0以上， -11 - 201237143 特佳爲1 4 0 〇 t以上。加熱溫度的上限並無特別限定，加熱 溫度例如爲1 600 t以下，較佳爲1 5 00 °C以下，尤佳爲 1 4 5 0 °C 以下。 含Si氣體’亦可僅由藉由含si化合物的加熱所產生 之成分（氣相Si)來構成’但通常是由其他氣體（非活性氣 體、還原性氣體等）所稀釋。非活性氣體可例示出氮氣、 氬氣。還原性氣體，例如爲包含有0.1〜1〇體積％的氫與 非活性氣體（氮氣、氬氣等）之混合氣體，10〜10〇邋積％( 較佳爲50〜1〇〇體積％)的Nh3與非活性氣體（氮氣、氬氣 等）之混合氣體。在含Si氣體環境中燒結原料混合物時， 含Si氣體較佳是由非活性氣體或還原性氣體所稀釋，更 佳是由0.1〜10體積％的氫與非活性氣體（氮氣、氬氣等） 之混合氣體所稀釋。可經稀釋之含Si氣體，可因應必要 進行加壓。 含Si氣體中所含有之氣相Si的生成，較佳係在溫度 與燒結原料混合物之場所的溫度爲不同之場所中進行。例 如’可在形成有溫度梯度之1個燒結爐中，在溫度較高的 第一區域中生成氣相Si，在溫度較第一區域更低之第二區 域中進行原料混合物的燒結。或者是，亦可在與燒結原料 混合物之燒結室不同的場所（例如加熱爐）中，加熱含Si化 合物來產生氣相Si。此時，例如以配管來連接燒結室與加 熱含Si化合物之加熱爐。此時，可使其他氣體從含Si氣 體的產生場所朝燒結場所流通，並使含Si氣體承載於該 其他氣體而供給至燒結場所（燒結室）。 -12- 201237143 在使原料混合物與含Si氣體接觸並燒結原料混合物時， 本實施形態之方法中的燒結，可採用與以往 的燒結所採用之條件同等的條件。例如，燒結原料混合物 時的環境氣體’亦即燒結環境氣體’只要可容許原料混合 物與含Si氣體之接觸者，則可爲非活性氣體環境及還原 性氣體環境中的任一種。在強還原性氣體中燒結原料混合 物時’可於上述原料混合物（金屬化合物混合物）中添加適 量的碳。 燒結可重覆進行複數次。此時，第一次的燒結與第二 次的燒結中，可變更環境氣體，第三次以後的燒結中，亦 可變更環境氣體。例如，在非活性氣體環境中進行燒結後 ’較佳更進一步在還原性氣體環境中進行燒結。 進行複數次燒結時，只要在任一項以上的燒結中使原 料混合物（包含該燒結中間物）與含Si氣體接觸，則在其他 燒結中可在不存在含Si氣體之環境下燒結原料混合物。 燒結溫度通常爲700〜1000 °c，較佳爲750〜950。(：， 尤佳爲800〜900°C。燒結時間通常爲1〜100小時，較佳 爲1 0〜9 0小時，尤佳爲2 〇〜8 0小時》 本實施形態之方法中，在前述燒結之前，可因應必要 進一步含有：先在較燒結更低溫（例如5 00〜80(TC)下將原 料混合物保持既定時間（例如！〜1 〇〇小時，較佳爲1 〇〜90 小時）’來對原料混合物進行預燒結之步驟。 本實施形態之方法中，可因應必要而在反應促進劑的 存在下進行預燒結或燒結。藉由使用反應促進劑，更可提 -13- 201237143 升所得之螢光體的發光強度。反應促進劑’例如可選自鹼 金屬鹵化物、鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬碳酸氫鹽、鹵化敍、 硼的氧化物（B2〇3)、及硼的含氧酸（H3B〇3)。前述鹼金屬鹵 化物，較佳爲鹼金屬的氟化物或鹼金屬的氯化物，例如 LiF、NaF、KF、LiCl、NaCl及KC1。前述鹼金屬碳酸鹽 例如爲Li2C03、Na2C03、及K2C03。前述鹼金屬碳酸氫 鹽例如爲NaHC03。前述鹵化銨例如爲NH4C1、及NH4I。 藉由本實施形態之製造方法所得之螢光物（燒結體）， 除了由式：表示之黃色螢光體之外，更 可含有來自原料混合物之鹵素元素，亦即F、Cl、Br及I 的1種以上。鹵素元素的合計含量，只要相對於原料中所 含有之鹵素元素的合計量爲同量以下即可，較佳爲50%以 下，更佳爲25%以下。 相對於預燒結物或燒結物，可因應必要而施以粉碎、 洗淨及分級中的任一種以上的處理。粉碎例如可使用球磨 機、噴磨機等。 藉由上述製造方法所得之黃色螢光體，由於具有高發 光強度，故適合用在發光裝置（白色LED)中。白色LED是 由：射出從紫外線區至藍色區的光（波長約200〜5 5 0nm， 較佳爲3 80〜500nm)之發光元件（LED晶片）、以及含有螢 光體之螢光層所構成。該白色LED，例如可藉由曰本特開 平11-31845號公報、日本特開2002-226846號公報等所揭 示的方法來製造出。亦即，例如以環氧樹脂、聚矽氧烷樹 脂等之透光性樹脂將前述發光元件密封，並以螢光體來覆 -14- 201237143 蓋該表面，可藉由此方法來製造出白色LED。只要適當地 設定螢光體的量，則可使白色LED發出期望的白色光。 第1圖係顯示發光裝置的一實施形態之剖面圖。第1 圖所示之發光裝置1，係具備：發光元件10、以及設置在 發光元件10上之螢光層20。形成螢光層20之螢光體，接 受到來自發光元件10的光而被激發，並發出螢光。藉由 適當地設定構成螢光層20之螢光體的種類、量等，可得 白色的發光。亦即可構成白色LED。本實施形態之發光裝 置或白色LED，並不限定於第1圖所示之形態，在不脫離 本發明的主旨之範圍內，可進行適當的變形。 發光層，亦可僅含有上述黃色螢光體作爲螢光體，或進 —步含有其他螢光體。其他螢光體，例如可選自BaMgAhoOw :Eu、（Ba、Sr、Ca)(Al、Ga)2S4 : Eu、BaMgAlioO” ：（Eu 、Mn)、BaAli2〇i9 : (Eu、Mn)、（Ba、Sr、Ca)S : (Eu ' Mn)、YB03 : (Ce、Tb)、Y203 : Eu、Y 2 0 2 S : E u、Y V O 4 : Eu ' (Ca、Sr)S : Eu、SrY204 : Eu、Ca-Al-Si-O-N ： Eu、 (Ba、Sr、Ca)Si202N2 : Eu、冷-賽隆（冷-Sialon)、及 CaSc204 : Ce、Li-(Ca、Mg)-Ln-Al-0-N: Eu(惟 Ln 表示 Eu 以外的稀土類金屬元素）。. 發出波長200nm〜5 5 0nm的光之發光元件，可列舉出 紫外光LED晶片、藍色LED晶片。此等LED晶片，可使 用具有 GaN、IriiGabiNCiXicl)、InjAljGa卜ΗΝ(0<ί<1、 〇<j<l、i+j<l)等之層作爲發光層。藉由改變發光層的組成 ’可改變發光波長。 -15- 201237143 螢光體亦可使用在白色LED以外的發光裝置’例如 有螢光體激發源爲真空紫外線之發光裝置（例如PDP);螢 光體激發源爲紫外線之發光裝置（例如液晶顯示器用的背 光、三波長形螢光燈）；螢光體激發源爲電子束之發光裝 置（例如CRT或FED)等。 實施例 以下係列舉出實施例來更具體說明本發明，但本發明 並不限定於下列實施例。當然可藉由在適合於前述及後述 的主旨之範圍內適當地加入變更之形態，來實施本發明， 並且此等均包含於本發明之技術範圍內。 以下的實施例中所得之螢光體的發光強度，係使用螢 光分光測定裝置（日本分光股份有限公司製的FP- 65 00)來 決定。螢光體的X射線繞射（XRD)測定，係使用X射線繞 射裝置（Rigaku公司製的RINT2000)。螢光體中之Eu的價 數比率，係藉由X射線吸收細微結構（XAFS)測定來評估 〇 XAFS 測定’在 Spring-8 中，係使用 Beam Line BL-14B2並藉由穿透法來進行。將位於Eu-L3的吸收端之 6650〜7600eV 設爲測定區域。使用 BaMgAllQ〇17 : Eu2 + (bam) 作爲Eu2 + (6972eV)的標準試樣，使用氧化銪（信越化學工 業股份有限公司製、純度 99.99%)作爲Eu3 + (6980eV)的標 準試樣。使用解析程式（Rigaku股份有限公司製的 REX2000) ’根據背景値對各試樣的xaFS數據進行處理， -16- 201237143 而得X射線吸收端附近結構（XANES)光譜。然後使用Euh 標準試樣及Eu3 +標準試樣的XANES光譜，進行各試樣之 XANES光譜的模式擬合，從Eu2 +峰値的比率中，算出試 樣中之Eu2 +的比率。 比較例1 以使 Li: Sr: Eu: Si 的原子比成爲 1.96: 0.98: 0.02 :1.0之方式秤取碳酸鋰（關東化學股份有限公司製、純度 99%)、碳酸緦（堺化學工業股份有限公司製、純度99%以 上）、氧化銪（信越化學工業股份有限公司製、純度99.99%) 、及二氧化砂（Japan Aerosil股份有限公司製：純度 99.99%)，藉由乾式球磨機將此等混合6小時而得金屬化 合物混合物。 在含有5體積％的H2之N2氣體環境中，以溫度800 °C將前述金屬化合物混合物加熱（燒結）24小時。將此等緩 慢冷卻至室溫，而得含有由式Lh.^Sro.gsEuo.oOSiCU表 示之化合物之螢光體。將所得之螢光體的發光強度（峰値 強度）設爲1〇〇。 螢光體之全Eu中的2價Eu(Eu2 + )的比率爲14%。 實施例1 以使 Li: Sr: Eu: Si 的原子比成爲 1.96: 0.98: 0.02 :1.0之方式秤取碳酸鋰（關東化學股份有限公司製、純度 99%)、碳酸緦（堺化學工業股份有限公司製、純度99%以 -17- 201237143 上）、氧化銪（信越化學工業股份有限公司製、純度99.99%)、 及二氧化矽（Japan Aerosil股份有限公司製：純度99.99%) ，藉由乾式球磨機將此等混合6小時而得金屬化合物混合 物。將所得之金屬化合物混合物容納於燒結爐中。 秤取出相對於前述金屬化合物混合物100質量份爲50 質量份的量之SiO(WAKO公司製），並裝入於藉由配管與 前述燒結爐連接之密閉式加熱爐》—邊將 SiO加熱至 1 400°C —邊使含有5體積％的H2之N2氣體流通，將含有 從SiO產生的氣相Si之氣體供給至燒結爐，而使該含Si 氣體接觸金屬化合物混合物。 -邊連續地供給含Si氣體，一邊以溫度800°C將金屬 化合物混合物加熱（燒結）24小時。將此等緩慢冷卻至室溫 ，而得含有由式LindSro.^Euo.oOSiC^表示之化合物之 螢光體。所得之螢光體的發光強度（峰値強度），當將前述 比較例1中所得之螢光體的發光強度設爲1 00時，爲1 5 5 。螢光體之全Eu中的2價Eu(Eu2 + )的比率爲27%。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示發光裝置的一實施形態之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :發光裝置 1 〇 :發光元件 2〇 :螢光層 -18-

Claims (1)

1. 201237143 七、申請專利範圍： 1·一種黃色螢光體的製造方法，其係含有：一邊使含 有Μ1、M2、及L之原料混合物接觸於含有氣相si之含si 氣體一邊進行燒結，而生成由Ml2a(M2bLe)M3d〇4表示之黃 色螢光體之步驟， Μ爲選自驗金屬之至少一種元素， Μ2爲選自鹼土類金屬之至少一種元素， Μ3 爲 Si、或 Si 及 Ge， L爲選自稀土類元素、Bi及Mn之至少—種元素， a 爲 〇· 1 〜1 .5， · b 爲 0.8 〜1 .2， c 爲 0.005〜0.2， d 爲 0.8 〜1.2。 2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中前述原料 混合物進一步含有M3。 3. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中前述 含Si氣體’係含有藉由加熱含Si化合物所產生的氣相Si 〇 4. 如申請專利範圍第3項之製造方法，其係使含有藉 由在與燒結前述原料混合物之場所爲不同的場所加熱前述 含Si化合物所產生的氣相Si之前述含Si氣體，接觸於前 述原料混合物。 5 .如申請專利範圍第！至4項中任一項之製造方法， •其係使含有藉由將前述含Si化合物加熱至130(TC以上所 -19- 201237143 產生的氣相Si之前述含Si氣體，接觸於前述原料 〇 6 ·如申請專利範圍第i至5項中任—項之製造 其中藉由將前述原料混合物加熱至7〇〇t〜1〇〇(r(： 燒結" 7.如申請專利範圍第丨至6項中任一項之製造 其中L爲選自稀土類元素、⑴及Mn之含有Eu之 上的元素。 8·如申請專利範圍第7項之製造方法，其中l 稀土類元素、Bi及Mn之含有2價Eu之至少一種 元素。 9 ·如申請專利範圍第1至8項中任—項之製造 其中M1爲Li，M3爲Si。 1 〇 .如申請專利範圍第1至9項中任一項之製 ，其中Μ係僅爲Sr、Sr及Ba、或Sr及Ca。 1 1 .如申請專利範圍第1至1 〇項中任—項之製 ’其中a爲0.9〜1.1。 1 2 ·如申請專利範圍第1至丨丨項中任一項之製 ’其中b + c爲1，d爲1。 13.—種黃色蛋光體，其係可藉由如申請專利範 至12項中任一項之方法製造出。 1 4.一種發光裝置’其係具有如申請專利範圍第 之黃色螢光體。 1 5 ·—種白色LED ’其係具有如申請專利範圍第 混合物 方法， 來進行 方法， 一種以 爲選自 以上的 方法， 造方法 造方法 造方法 圍第1 13項 U項之 -20- 201237143 黃色螢光體。 -21 -