TW201236233A - Method for encapsulating an organic light emitting diode - Google Patents

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201236233 六、發明說明_· 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大致上相關於用於封裂有機發光二極 體（OLED)的方法。 【先前技術】 OLED顯示器近來於顯示器的應用中已獲得重要的關 注，這是由於例如相較於液晶顯示器（LED)，〇LED顯示 器具有快速響應時間、寬廣視角、高對比、重量輕、低 功率與可彎曲的基材。然而，0LED結構卻具有有限的 生命週期，而該OLED結構之有限的生命週期的特徵在 於會減少電激發光效率和增加驅動電壓。而對於惡化該 OLED結構的主要原因是在於由於濕氣或氧氣進入所形 成的不發光暗點。為此，0LED結構通常藉由夾設於無 機層間的有機層所封裝。該有機層係被用來填補第一無 機層中的任何空隙和缺陷，致使第二無機層有實質均勻 表面或沉積。 第1A-1C圖說明沉積封裝層的傳統製程，通常包括第 一無機層1〇6(如l〇6a、i〇6b所示）、有機層108(如108a、 108b所示）和第二無機層116(如116a、116b所示）。該製 程首先校準第一光罩層1〇9於基材10〇上方，以致於 OLED結構1 04藉由開孔1 07而露出，而所述之開孔107 201236233 並未利用光罩109來保護，如第1A圖所示。第一光罩 109定義出第一開孔1〇7 ’第一開孔1〇7具有從〇leD結 構104至第一光罩1〇9的邊緣之第一距離no。光罩 109、114通常是由金屬材料製作，像是不變鋼 (INVAR®)。如第1Α圖所述，第一光罩1 〇9係使用於圖 案化第一無機層1〇6(如l〇6a、l〇6b所示）於OLED結構 104上方’而第一無機層丨〇6例如為氮化矽或氧化鋁。 第一光罩109的排列使得鄰近於〇lED結構1〇4之接觸 層102的一部份1〇5被第一光罩1〇9所覆蓋，以致於該 無機層106不能沉積於區域1〇5。如第iB圖所示，移除 第一光罩108並由第二光罩114所取代，而第二光罩114 具有開口 m，且開口 lu小於第一光罩1〇9的開口。第 一光罩114定義具有第二距離112之第二開口 m，第二 距離II2係從0LED結構1〇4到第二光罩ιΐ4的邊緣， 且第一距離m比由第一光罩1〇9所定義的第一距離11〇 紐。利用第二光罩114，有機層1〇8(如108a、108b所示） 被/儿積於第一無機層1〇6上方。由於第二光罩具有 之開口 111小於第-光罩1〇9的開σ，因此有機層ι〇8 不會凡王覆蓋於底下的無機層1〇6上。〇1^〇結構ι〇4 的封裝係藉由利用第-光罩1〇9沉積至少一第二無機層 (如116a、116b所不）於未受第一光罩1〇9保護之第一 無機層1〇6所露出部份的頂部與有機層108的上方來完 201236233 全地封裝有機層 結構1 0 4而同時 成，如第ic圖所示。第二無機層116完 108和第一無機層1〇6,藉此封裝〇led 留下接觸層102露出的部份1〇5。 上述之傳統的製程流程對使用大面積的基材有重大挑 戰’而該挑戰會妨礙商業上可行的尺彳，譬％具有頂部 規劃面積約大於⑽平方厘米的基材。例如，對如此 大面積的基材實施上述製程所需的兩金屬光罩109 114 是非常昂貴的’且各個成本可能超過$4〇,〇〇〇 〇〇。而且， 需要金屬料1G9'114對〇LED結構1G4間非常緊密的 對位公差，該對位公差通常在1〇〇μπι之内。由於這些光 罩1〇9、114在長度上通常超丨1〇〇米，因此當經由環 境溫度加熱至大約攝氏8〇度之製程溫度時，光罩1〇9、 114會有顯著的熱膨脹。這顯著的熱膨脹會對〇led製 造者產生主要挑戰’即如何防止透過光罩1〇9、丨14形成 之開口 107、ill和0LED結構1〇4間的對位失敗。對位 失敗也許會造成OLED結構1〇4的不完整封裝，而反過 來導致OLED裝置1 〇4縮短壽命和性能降低。 因此，針對封裝OLED結構需要一種改良方法和裝置。 【發明内容】 本揭示案提供使用柔軟/聚合物光罩技術或在不利用 任何光罩的情況下用來封裝設置於基材上之〇Led結構 201236233 的方法和裝置。當相較於傳統硬光罩圖案化技術，該柔 軟/聚合物光罩技術可有效提供簡單且低成本的〇LED封 裝方法。在一實施例中，該柔軟/聚合物光罩技術可使用 低成本且沒有當使用習知金屬光罩時所存在之校準問題 的單一聚合物光罩來完成整個封裝製程。當不使用任何 光罩時，該等封裝層是毯覆地沉積於該基材上。之後， 使用雷射燒蝕法來移除該接觸層之一部分上的封裝層， 以便於該接觸層的該部份被露出。 在-實施例中，揭示用於形成封裝層於〇遍基材上 的方法。該OLED結構形成於該基材的第一區域上。該 方法包括設置聚合物光罩於該基材的第二區域上；形成 第-無機層於設置於該第二區域上的該聚合物光罩上及 該基材之該第一區域上；形杰古 形成有機層於設置於該基材之 該第二區域上的該第一無機層之一部份上；形成第二备 機層於設置於該基材之該第二 匕埤上的該第一無機層及 該有機層上；以及執行聚合物光罩移除製程，以從該基 材移除該聚合物光罩。 在其它實施例中，該聚合物 物九罩移除製程可包括灰化 或溶解該聚合物光罩於溶液中。 仕些貫施例中，該聚 合物光罩移除製程可包括於第一 第一無機層中形成開 口，而該第一和第二無機層係 戌曰你。又置於該聚合物光罩上； 灰化或溶解聚合物光罩於溶液 所留下之外殼為由該 201236233 第一和第二無機層所組成；以及執行外殼移除製程，以 從該基材移除該外殼。 在另一實施例中，揭示用於封裝具有OLED結構之基 材的方法，該OLED結構形成於該基材上方。該方法包 括沉積一或更多個封裝層於該OLED結構、該基材和一 接觸層上，該接觸層係設置於該OLED結構和該基材 間’使得在該OLED結構和該基材間的該接觸層從該接 觸層之第一部份延伸，且該0LED結構係設置於該接觸 層的第二部份上方。該方法也包括雷射燒蝕設置於該接 觸層的該第一部份上方之該一或更多個封裝層，以暴露 出該接觸層的該第一部份。 在另一實施例中’揭示用於封裝具有〇LED結構之基 材之方法，而該OLED結構形成於該基材上方。該方法 包括沉積第-無機封裝層於該〇LED結構、該基材和接 觸層上方，該接觸層係設置於該〇LED結構與該基材 間使得在忒OLED結構和該基材間的該接觸層從該接 觸層之第冑份延伸，且該〇LED結構係、設置於該接觸 層的第_部份上方。該方法也包括沉積有機封裝層於該 第無機封裂層上方，沉積第二無機封裝層於該有機封 裝層上方，以及雷射燒蝕設置於該接觸層之該第一部份 上方的該第二無機封裝層、該有機封裝層和該第一無機 封裝層’以暴露出該接觸層的該第一部份。 201236233 在另一實施例中’揭示用於封裝具有oled結構之基 材之方法，而該OLED結構形成於該基材上方。該方法 包括，於該基材上沉積聚合物光罩於該基材之第二區域 上，該基材具有該OLED結構形成於第一區域上，且該 第二區域具有一暴露出的接觸層。該方法亦包括形成第 一無機層於設置於該第二區域上的該聚合物光罩上及該 基材之該第一區域上；當該聚合物光罩係設置於該基材 之該第二區域上時，沉積有機層於該基材的該第二區域 上，形成第一無機層於該第一無機層上；以及從該基材 之該第二區域移除該聚合物光罩，以暴露出該接觸層。 【實施方式】 本揭示案提供藉由柔軟/聚合物光罩技術或在不使用 任何光罩的情況下用於封裝設置於基材上之〇咖結構 之方法與裝置。相較於利用昂貴的金屬光罩之傳統的硬 式光罩技術W/聚合物光罩〇led封裝技術有效地 提供簡單且低成本之封裝實施財，該柔軟/ 聚合物光罩技術可使用單一聚合物光罩來完成該封裝製 〜封裝t程具低成本且不會出現傳統製程中的校 準門通备不使用任何光罩時，該封裝層是毯覆沉積於 =基材上。之後’使用雷射燒蝕來移除該接觸層之一部 分上方的封裝層，使該接觸層的部份露出。 柔軟/聚合物光罩技術 201236233 第2圖為用以封裝設置於基材上之〇led結構之方法 200的流程圖。第3A-3G圖說明第2圖之封裝方法2〇〇 於不同階段期間的OLED結構之剖面示意圖。封裝方法 200始於步驟202，提供具有預製的〇LED結構1〇4的基 材，且OLED結構104設置於基材1〇〇上。類似於上述 所討論的，基材1〇〇可具有接觸層1〇2和〇led結構 104，且該接觸層係設置於該基材上而〇led結構⑺4 係设置於接觸層1〇2上，如第3A圖中所示。 於步驟204中，聚合物光罩3〇2設置於基材1〇〇之第 一區域306上’而留下露出之該基材的第二區域3〇[ 以用於之後的沉積。設置於基材1〇〇之第一區域3〇6上 的聚合物光罩302覆蓋於接觸層1()2的—部份如並遮 蔽部份303而免受沉積。聚合物光罩3〇2可與〇led結 構104相隔距離3 16。藉由旋轉塗佈/微影技術製程、喷 霧製程、喷墨製程、槽式沉積製程或其他可將聚合物光 ^形成於基材1〇〇上之所需的第—區域3()6上之適合的 製程，而可使聚合物光罩3〇2沉積於基材1〇〇上，如第 3A圖中所示。 '1 ^ 口 T7* ， 聚 物材料於SiN化學氣相沉積製程期間適合作為光罩， 該聚合物材料之後可藉由灰化或暴露於溶解液來移除 10 201236233 在-實施例中，使用於聚合物光罩302之材料是適合藉 由喷墨式或槽式沉積製程來沉積於基材上。 a 在一實施例中，當聚合物光罩302與接觸層ι〇2接觸 時，使用於聚合物光罩3G2之材料具有低濕潤傾向和/或 高表面張力。聚合物光罩302之低濕潤傾向和/或高表面 張力導致聚合物光| 302產生圓頭端322。圓頭端M2 的底面與接觸層102定義出，接觸層1〇2於後來的處理 期間突出部份330被圓頭端322所遮蔽免受沉積材料沉 積0 在步驟206中，第一無機層3〇8係沉積於基材ι〇〇上， 如第3B圖所示。第一無機層3〇8具有第一部份和 第二部份308b。第一無機層308之第一部份3〇8&係沉 積於基材1〇〇被聚合物光罩302所露出的第二區域3〇4 上第無機層308的第二部份308b係沉積於基材1〇〇 的第一區域306上，且該第二部份係覆蓋於聚合物光罩 302的上表面。第一無機層308係一介電層，該介電層 係選自於由SiN、SiON、Si02、Al2〇3、A1N或其它合適 介電層所組成之群組。第一無機層308可由任何合適的 沉積技術所沉積’像是CVD、PVD、旋轉塗佈或其它合 適的技術。 在步驟208中，於第一無機層3 08形成於基材1〇〇上 之後’有機層312於後係形成於基材100上的第一無機 11 201236233 層3 08上，如第3C圖所示。有機層312可設置於基材 100上的基材100之預設區域内，且有機層312係朝内 且與聚合物光罩302之邊緣相間隔，譬如位於基材1〇〇 之第二區域304中之〇LED結構104的頂面。在一實施 例中’有機層3 12可利用直接沉積技術來沉積，而該直 接沉積技術不需要遮罩，像是噴墨式沉積、凹槽式沉積 和其他類似之方式。或者，有機層3 12可形成於基材1〇〇 之整個表面上並繼之以圖案化製程，而留下有機層312 僅於所需的區域上，譬如於OLED結構104的頂面。或 者’可使用習知的遮罩技術而使有機層3 12沉積於基材 100上’如參照第1Β圖所述。有機層312可以是一有機 材料’該有機材料係選於丙烯酸酯（acrylate)、丙烯酸曱 酉曰（methacrylate)、丙烯酸（acrylic acid)、六曱基二石夕氧 烧（hexamethyldisil〇xane，HMDSO)或其混合物中的至少 一個。 在步驟210中，第二無機層3 14係形成於基材ι〇〇上， 且該第二無機層封裝形成於0LED結構104上之有機層 312和第一無機層3〇8，如第3D圖所示。第二無機層314 包括沉積於有機層312上的第一部分314a和沉積於第一 無機層308之第二部份308b上的第二部份314b。 第二無機層314可以是類似於第一無機層3〇8之介電 層。第二無機層314係一介電層，該介電層選自於由 12 201236233

SiN、SiON、Si〇2或其它合適之介電層所組成之群組。 第二無機I 314係一介電層，該介電層選自於由训、 Si〇N、Si〇2或其它合適之介電層戶斤組成之群組。第二無 機層314可利用任何合適的沉積技術來沉積，譬如 CVD、PVD、旋轉塗佈或其它合適的技術。 第二無機層314可利用沉積第一無機層3〇8所使用之 相同的聚合物光罩302以沉積於基材1〇〇上。因此聚 合物光罩302於封裝順序期間則不需被改變或移除。 於步驟212中，執行聚合物光罩移除製程以從基材ι〇〇 移除聚合物光罩302。該聚合物光罩移除製程可以是乾 (電漿）製程或渥製程。在-實施例中，聚合物光罩3〇2 係利用灰化製程而自基# 100移除，像是曝露於含有電 漿之氧氣。在另一實施例中’藉由將聚合物光罩3〇2溶 解於液體中，使聚合物光罩3〇2自基4才1〇〇移除。在一 實施例中，該液體是水。 步驟2i2的聚合物光罩移除製程可利用由聚合物光罩 3〇2的突出部份33〇而露出的裸露的聚合物光罩材料 334(亦即，於先前沉積步驟期間，未被第二部份％扑和 /或第二部份314b所覆蓋)當作濕或乾製程的反應物種/ 化學藥品的進入位點來著手並移除聚合物光罩。 』或者，步驟212的聚合物光罩移除製程可利用圖案化 製程而於無機殼中形成開口 318 ’無機殼3ιι係由 13 201236233 形成於基材100上之該無機層的第一和第二部份3Mb、 314b所形成，如第托圖中所示。該圖案化製程可藉由 合適的圖案化技術來形成開口 318，像是蝕刻，包括乾 或濕蝕刻、雷射燒蝕或其它適合的技術。開口 318露出 裸露的聚合物光罩材料336。裸露的聚合物光罩材料336 可破隨後之濕或乾製程的反應物種/化學藥品而移除 旦5^合物光罩302被移除’具有空白办門/丄搞 π工曰工間320(由曾經是 聚合物光罩302的位置定義）之無機殼311可能會留在基 材100上，如第3F圖中所示。 如果在聚合物光罩302已從基材1〇〇移除之後而出現 無機殼3U，步驟212的聚合物光罩移除製程可進一步 包括殼體移除製程。該殼體移除製程可以是喷砂製程、 蝕刻製程、雷射燒蝕製程、電漿製程、處理製程或其它 適合的製程。在-實施例中，該喷砂製程可包括使用微 粒狀物質（譬如冰凍的一氧化碳（C〇))衝擊無機殼3ιι。 第4圖描繪使用聚合物光罩4〇6的另一個實施例聚 合物光罩406設置於基材100的第一區域3〇6上。不同 於第3A-3G圖中所描繪的實施例之處在於，聚合物光罩 406可以實質上矩形或梯形來形成，以加強轉移所需的 特徵結構至基材100上。由於第3A_3G圖中所描繪之聚 合物光罩302為滴形，分散的第—和/或第二無機層 3〇8 ' 314並非故意地覆蓋於接觸層1〇2的部份ι〇5。因 14 201236233 此，朝向OLED結構104之肀入私，印 之聚合物光罩406的邊緣與接 觸層102接觸，以保證製 、 说…機層308、314的乾淨倒 落終止。 聚合物光罩406如上述參照第2圖、第AG圖來冗 積與移除，除了其中沒有突出部份3心聚合物光罩偏 上’聚合物光罩406利用形成開口 318來移除，來露出 裸露的聚合物光罩材料336，以易於利用乾或濕製程將 聚合物光罩406移除，如需要，之後再去除殼體，如第 3E-3G圖中所描繪。 第从-5E S圖解根據本發明另一實施例之封裝〇咖 的剖面示意圖。類似於參照上述第3A_3G圖的封裝方法 200基材1〇0具有第一區域3〇6和第二區域Μ*，第一 區域306係配置來保護下面的梯形聚合物光罩々μ，第 二區域304容易以所需封裝形成OLED結構1〇4，包括 第一無機層404、有機層408和第二無機層4〇2，如第 5A圖中所示。相似地’第一無機層404和第二無機層4〇2 類似於第一和第二無機層3〇8、314且有機層4〇8可類似 於如上參照第3B_3F圖所討論的有機層312。 之後，執行有機層沉積製程，以用來塗佈有機覆蓋層 502於基材100的表面各處，基材1〇〇的表面包括基材 100之第一和第二區域3〇6、3〇4，如第5B圖中所示。有 機覆蓋層502可以是旋轉塗佈、噴霧塗佈、噴墨、方塊 15 201236233 式（縫模）塗佈或其它合適的沉積和/或塗佈技術來沉積有 機層312於基材1〇〇上。有機層312可以是一有機材料， 該有機材料係選由丙烯酸酯（acry]late)、丙婦酸甲醋 (methacrylate)、丙烯酸（acrylic acid)、六甲基二矽氧烷 (HMDSO)或其混合物中的至少-個。有機覆蓋層5〇2被 配置來保護基材100的整個表面。有機覆蓋層5〇2包括 第一部份502a和第二部份502b，第一部份5〇2a沉積於 基材100的第一區域306上，而第二部份5〇沘沉積於基 材100的第二區域304上。 執行第一圖案化製程，以從基材1〇〇的第一區域3〇6 移除有機覆蓋層5G2的第二部份鳩，而有機覆蓋層5〇2 的第一部分502a實質上完整的留在基材1〇〇的第二區域 3〇4上，如第5C圖中所示。因有機覆蓋層502是聚合物 材料0此’可使用任何合適聚合物移除技術，像是灰 化製程、氧清除製程、雷射燒蝕製程、蝕刻製程、水溶 解 '浸泡於溶解液、液體或空氣喷霧中或任何合適的製 程，以移除有機覆蓋層502的第二部份5〇2b。 ’以從基材100移除 —區域306移除設置 之後，執行聚合物光罩移除製程 聚合物光罩406並且從該基材之第 於基材1〇0上的第一無機層404和第二無機層402’如 第5D圖中所不。當聚合物光罩4。6是聚合物材料且第— 和第二無機層402、404是介電層時，被選來移除聚合物 16 201236233 光罩406及第-和第二無機層4〇2、4〇4的化學藥品應該 具有足夠的miu㈣性來移除形成於基材⑽的第 一區域306上的有機和無機兩者材料。在一實施例中， 該聚合物光罩移除製程可以是乾_製程，該㈣刻製 程使用含有鹵素的|生玄,丨弥丨在〇 / , %川和/或含有氧的蝕刻劑，以移除 形成於基材100的第一區域3〇6中的有機和無機兩者材 料在另f施例中，該聚合物移除製程可以是渔餘刻 製程豸屋蝕刻製程使用氟、強酸或鹼溶液來移除形成 於基材100的第-區域鳩中的有機和無機兩者材料。 任何適合移除形成於基材⑽的第-區域306上的有機 和無機兩者材料的技術根據需求也可被使用。 在最、、步驟中，，然後有機覆蓋層502留下之第—部份 2a從基材1〇〇的第二區域3 〇4移除，留下所需的〇LED 結構1〇4’該所需的GLED結構具有合適封|，包括置 於基材1〇0之第二區@ 304上的第-無機層402、有機 層408和第二無機層404,如第5E圖中所示。 第6圖描繪生產線6⑽的實施例，該生產線可被用來 根據本發明之實施例封裝QLED結構。如上述參照第2 圖所討論’具有。LED結構104形成於基材_上之基 可首先裝載於基材裝載站602。基材J 〇〇係從基 材褒載站6G2傳送到聚合物光罩沉積系統6()〇如上所 ' ’於汆。物光罩沉積系統604中，聚合物光罩3〇2、 17 201236233 604可以所需的形狀設置於基材1〇〇之所需的第一區域 306上，以促使形成適合的封裝於基材1〇〇之所需的第 二區域304上。在一實施例中，聚合物光罩沉積系統6〇4 係直接式沉積系統’像是噴墨沉積系統或狭縫式沉積系 統和其他沉積系統。 具有該聚合物光罩設置於基材100上的基材1〇〇之後 被移送至無機層沉積系統606，以形成基材10〇上之第 一無機層308、404。如上所討論，無機層沉積系統6〇6 可以是毯覆沉積系統，像是物理氣相沉積（PVD)或電漿辅 助化學氣相沉積（PECVD)和其他類似沉積。或者，無機 層沉積系統606可以是沉積第一無機層3〇8、404橫跨該 基材的整個表面的毯覆沉積系統。在使用毯覆沉積系統 的情況下’以串聯使用圖案化系統，以留下只覆蓋於 OLED結構1〇4之頂面之所需區域的有機層。 具有第一無機層308、404形成於基材1〇〇上的基材 1〇〇被移送至有機層沉積系統6〇8，以沉積有機層3 12、 4〇8。有機層沉積系統6〇8是直接式沉積系統，可使有機 層312、408被沉積於基材100上，且有機層312、408 與留在基材100上之聚合物光罩302、406橫向地向内分 隔配置（面對OLED.結構1 〇4)。或者，有機層312、408 可以是使用傳統的光罩技術而沉積於基材丨〇〇上，如參 照第1B圖所述。 18 201236233 於形成有機層312、408於第一無機層308、404上之 後’基材1 00然後可以被移送回無機層沉積系統606(或 生產線600的其它無機層沉積系統6〇6)，以沉積第二無 機層3 14、402於有機層312、408上，而聚合物光罩3〇2、 406仍然留在基材1〇〇上。於所有無機和有機層3〇8、 404、314、402、312、408形成於基材1〇〇上之後，假 如聚合物光罩302、406具有因露出而裸露之聚合物材料 的足夠數莖而易於如上所述之灰化或溶解製程，則基材 1〇〇可被直接地移送至光罩層移除系統612，以移除設置 於基材100上之聚合物光罩302、406。若聚合物光罩 302、406是被無機層308、4〇4所覆蓋，則基材1〇〇可 以被移送至無機層圖案化系統61〇，以於無機層3〇8、 404 314 402 312上形成開口，透過該開口使聚合物 光罩302、406然後於光罩層移除系統612中灰化或溶 解。如果需要，可以在上述之無機層移除系統614中移 除該聚合物光罩後，使該無機層的殼體留於基材上。需 注意的是’生產線600中可包括較多或較少的沉積系統 或圖案化、蚀刻或其它相關處理系統，以促進執行該封 裝製程。 無光罩封裝 如上所述，有機電子設備通對於環境常極為敏感，因 此有機電子設備需要由可避免濕氣或氧氣或其他有害的 201236233 化學物質擴散的屏障來保護。為了能夠將該設備連接至 電源及驅動電子設備’從保護塗層移除部分是必需的， 以獲得接觸點。如上所述，該屏障塗層的沉積可以經由 遮蔽（shadow)或硬式光罩（hard masks)來完成，而該遮蔽 或硬式光罩保護該設備的接觸面積。硬式光罩的處理和 校準會產生技術考驗。對光罩之定期清洗的需求和相關 於光罩處理、校準、儲存之附加硬體於製程之整體所有 權成本（cost of ownership)上有負面影響。 為了避免有關於以硬式光罩為基礎技術的所有考驗， 可利用無光罩製程。在無光罩製程，，封裝層被用來做 為毯覆塗佈於完整的基材上。然後，利用雷射來處理該 接觸面積，以選擇性地移除該封裝層和留下之後的清潔 面積。 用來移除屏障層的一項技術係利用適當頻率的雷射， 而該屏障層係藉由材料上直接的能量吸收而被沉積於該 接觸面上方。第7A_7D圖圖解於第8圖之封裝方法_ 的不同階段期間0LED結構的剖面示意圖。如第 所示，提供基材100且基材1〇〇上具有已執行的結構（步 驟_)。該已執行的結構包括接觸層ι〇2和〇咖結構 1 04。而於接觸層！ 02和〇LED結構！ 〇4上沉積第一°無 機封裝層㈣步驟_)，繼之以沉積有機封裝層⑽)（步、 驟806)和第二無機封裝層7〇6(步驟8〇8)，如第π圖中 20 201236233 斤’、隹」可以理解有機封裝層704圖示是毯覆沉積於 材 仁有機封裝層704也可如上所討論的選擇性地 沉積。 。在所有的封裝層沉積於整體基材100上方之後，第一 品域 暴露於雷射燒蝕處理708，以露出接觸層1 〇2(步 驟81〇)該雷射燒蝕法可藉由暴露該等封裝層於紫外線 雷射來凡成，該紫外線雷射操作的重覆頻率約是在1 80 至約21〇 kHz間。該雷射的光斑大小（即，雷射的焦 又）可"於約20 μΓη至約150 μιη間。當雷射於約2 atts至約4 Watts的功率等級操作時，該雷射可除去封 裝材料介於約50 mm/sec至約5〇〇〇 mm/sec間。於該雷 射燒姓製程期間，該雷射離基材_可間隔為介於約5 mm至約1〇 mm間。藉由毯覆沉積封裝層和然後雷射燒 钱該等設置於第—區域3〇6上方的封裝層，使接觸層1〇2 於-亥等封裝層沉積的期間不使用任何硬式光罩就可顯露 出來》 可理解的，雖然已對由基材上設置封裝層的該側使封 裝曰暴露於雷射燒蝕中提出說明，但技術領域的人預期 可理解藉由直接讓雷射於基材的另—側執行雷射燒餘， 而使該雷射穿過該基材而使該封裝層剥落。 另一使用雷射來暴露接觸層1〇2的無光罩技術包含應 用介於金屬接觸層與封裝層間的犧牲有機中間層。卷 田1 21 201236233 機層被雷射燃燒時，利用極女 〗用_作雷射，該雷射頻率於可被 犧牲層吸收的頻率，讓封裝層間接且機械性地摧毁。可 ;LED 構1 〇4形成前（例如，整個製程的前端部份） 或使用用於OLED έ士椹！ w„ …構1 04中且具有所需的吸收性質之 材料於OLED結槿1〇4吐姦制 稱 生產製程的期間，應用該犧牲層。 層於第一區域306中 為分離層或作為形成 形成該等無機和有機 犧牲層製程係藉由沉積犧牲有機 之接觸層102上方來操作（無論是作 OLED結構1 〇4的一部份）。之後， 封裝層。如上所述，該無機封裝層為毯覆式沉積，且該 有機封裝層為可選擇地沉積或毯覆式沉積。—旦所有的 封裝層完成沉積，雷射直接對著第—區域3()6。雷射於 藉由犧牲有機層吸收之頻率下操作。，然而，因為雷射對 者第-區域306’且因該雷射並不是直接對著⑽ 構HM，所,乂 0LED、结構1〇4的有機材料並不會被影響。 該犧牲層被雷射毁壞。由於該犧牲層的毁壞，該等於第 一區域306中的封裝層將會被移除且接觸層1〇2會於第 "^域3 0 6上暴露出。 在這兩種技術中之任-種技術中，於形成冑裝層的期 間不使用硬式光罩會造成低所有權成本（c〇〇)和簡化整 個製造製程。隨著於第一區$ 306之封裝層的移除，暴 露出的接觸層1G2可藉由沖洗、利用空氣或氣體或甚至 擦拭來清潔，以移除任何殘留的封裝層材料。 22 201236233 藉由於封裝層形成製程期間使用聚合物光罩，可獲得 一次聚合物光罩形成/沉積製程，藉此’相較於傳統兩次 光罩沉積製程，有利於降低製造成本同時增加製造產出 量。或者，藉由毯覆式沉積該等封裝層，且然後暴露出 於接觸面積上方的封裝層，於該沉積製程期間不使用硬 式光罩可使該等封裝層移除並暴露出該接觸層。 上述係對本揭示案的實施例直接敘述，而在不脫離本 揭示案之範鳴的情況下，可設計本揭示案之其他和進一 步實施例，且本揭示案之範疇是由以下的申請專利範圍 來決定。 【圖式簡單說明】 因此’以此方式本揭示案之以上描述特徵結構可詳細 瞭解’簡要總結如上的本揭示案之更特定描述，可參考 貫施例得到，6玄等貫施例之一些實施例纷示於附加圖式 中。然而，應注意到，附加圖式僅繪示本揭示案之典型 貫施例，且因此並非視為限制本揭示案之範疇，基於本 揭示案可認可其他同樣有效的實施例。 第1A 1C圖圖解於本領域熟知之傳統封裝順序之不同 步驟期間OLED結構的剖面示意圖； 第2圖係依據本發明之一實施例而用以封襄沉即結 構之方法的流程圖； 23 201236233 第3A_3G圆圖解於第2 圖之方法的不同步驟期間 OLED結構的剖面示意圖； 第4圖為依據本發明之另— 1固貫靶例封裝形成於基材 上的OLED結構之剖面示意圖； 第5A-5E圖繪示根據本發 — 之另一貫施例於封裝順序 期間之OLED結構的剖面示意圖； 第ό圖係適用於依據本發明 w β <貫施例封裝OLED結構 的生產線之示意圖； 第7A-7D圖圖解於第8 H夕古.+ 乐 圖之方法之不同階段期間的 OLED結構的剖面示意圖；以及 第8圖係依據本發明之實施例用於封裝〇LED結構之 方法的流程圖。 為便於理解’儘可能使用相同的元件符號來標出圖式 中共同之元件。可預期的是，一個實施例的元件和特徵 結構’在沒有進一步描述下可受益於併入其它實施例中。 【主要元件符號說明】 100 基材 102 接觸層 104 OLED結構 105 接觸層的一部份 106 第一無機層 106a 第一無機層 106b 第一無機層 107 第一開孔 108 有機層 108a 有機層 24 201236233 502 108b 有 機層 109 第 一 光 罩層 110 第 一 距 離 111 開 Π 112 第 二 距 離 114 第 二 光 罩 116 第 二 無 機 層 116a 第 二 益 #»»> 機層 116b 第 二 無 機 層 200 封 裝 方 法 202 步 驟 204 步 驟 206 步 驟 208 步 驟 210 步 驟 212 步 驟 302 聚 合 物 光 罩 303 接 觸 層 的一 304 第 二 區 域 306 第 一 區 域 308 第 一 無 機 層 308a 第 — 無 機} 部 份 308b 第 一 無 機 層之第二部 311 益 機 殼 份 312 有機層 314 第二無機層 314a 第二無機層之第一部314b 第二無機層 502a 分 316 距離 320 空白空間 330 突出部份 402 第二無機層 406 聚合物光罩 有機覆蓋層 部分 318 開口 322 圓頭端 334 裸露的聚合 材料 404 第一無機層 408 有機層 有機覆蓋層 之第一 之第二 物光罩 之第一 25 201236233 502b 有 機 覆 蓋 層 之第二部 600 份 602 基材裝 載 站 604 606 無 機 層 沉 積 糸統 608 610 無 機 層 圖 案 化系統 612 614 無 機 層 移 除 系統 702 702a 第 一 無 機 封 裝層 704 704a 有 機 封 裝層 706 706a 第 二 無 機 封 裝層 708 800 封 裝 方 法 802 804 步 驟 806 808 步 驟 810 部份 生產線 聚合物光罩沉積系 統 有機層沉積系統 光罩層移除系統 第一無機封裝層 有機封裝層 第二無機封裝層 雷射燒#處理 步驟 步驟 步驟 26

Claims (1)

1. 201236233 七、申請專利範圍： 1· 一種用於封裝具有一 〇LED結構之一基材之方法， 該OLED結構形成於該基材上方，該方法包括以下步 驟： 沉積一或更多個封裝層於該OLED結構、該基材和一 接觸層上方，而該接觸層係設置於該〇LED結構和該基 材間’使得在該OLED結構和該基材間的該接觸層從該 接觸層之一第一部份延伸，且該OLED結構係設置於該 接觸層的一第二部份上方；以及 雷射燒姓設置於該接觸層的該第一部份上方之該一或 更多個封裝層，以暴露出該接觸層的該第一部分。 2. 如請求項1之方法，其中該雷射燒蝕係用一紫外線 雷射執行 3. 如請求項2之方法，其中該雷射操作的重覆頻率是 在約180 kHz至約210 kHz間。 4·如請求項3之方法，其中該雷射的一光斑大小介於 約20 至約15〇 μπ1間。 5.如請求項4之方法’其中該雷射以介於約5〇 mm/sec 27 201236233 至約5000 mm/sec間從該 等封裝層除去材料 〇 6.如請求項5之方法， Watts至約4 Watts間的一 其中該雷射係操作於介於約2 功率等級。 7.如請求項6之方法， 距離該基材之間隔為介於 其中該雷射於該雷射燒蝕期間 約5 mm至約1〇 mm間。 8·如請求項1之方法 沉積期間無使用光罩。 其中於該一或更多個封裝層之 〜珂教具有 該OLED結構形成於該基材上方，該方法包括 驟： 沉積-第-無機封裝層於該〇咖結構 '該基材和 接觸層上方’而該接觸層係設置於該OLED結構和該 材間’使件在該qLed結構和該基材間的該接觸層從 接觸層之-第一部份延伸，且該〇咖結構係設置於1 接觸層的—第二部份上方·, 儿積一有機封裝層於該第一無機封裝層上方； 沉積一第二無機封裝層於該第一無機封裝層上方·以 28 201236233 部份上方之該第二 無機封裝層，以暴 雷射燒蝕設置於該接觸層的該第一 無機封裝層、該有機封裝層和該第一 露出該接觸層的該第一部分。 1〇·如請求項9之方法，其中該雷射燒㈣用-紫外 線雷射執行。 u.如請求項 是在約1 80 kHz 10之方法，其中該雷射操作的重覆頻率 至約210 kHz間。 •如吻求項11之方法，其中該雷射的一光斑大小介 於約20 μϊη至約15〇 _間。 13. 如請求項1〇 、 之方法’其中該雷射以介於約 mm/sec 至約 s〇nn , mm/sec間從該等封裝層除去材料 14. 如請求項13之古、土 ^ 之方法’其中該雷射係操作於介戈 2 Watts 至約 4 «π Watts間的—功率等級。 15. 如請求項14 '之方法，其中該雷射於該雷射燒^ 間距離該基材之卩卩* 曰隔為；I於約5 mm至約1〇 mm間 29 201236233 16.如請求項9之方法’其中於該第—無機封裝層、 該有機封裝層和該第二無機封裝層的沉積_無使用光 罩。 17. 一種用於封裝具有—〇LED結構之—基材之方 法，該OLED結構形成於該基材上方，該方法包括以下 步驟： 於該基材上沉積一聚合物光罩於該基材之一第二區域 上，該基材具有該〇LED結構形成於一第一區域上且該 第二區域具有一暴露出的接觸層； 形成一第一無機層於設置於該第二區域上的該聚合物 光罩上及該基材之該第一區域上； 當該聚合物光罩係設置於該基材的該第二區域上時， 沉積一有機層於該基材的該第二區域上； 形成一第二無機層於該第一無機層上；以及 從該基材的該第二區域移除該聚合物光罩，以暴露出 該接觸層。 18.如請求項17之方法，進—步包括以下步驟： 於該第-無機層和該第二無機層中形成一開口，以於 從該基材的該第二區域移除該聚合物光罩之前，暴露出 該聚合物光罩。 30 201236233 19. 如請求項18之方法，其中該第一無機層和第二無 機層形成一殼體於該聚合物光罩被移除處之一區域上， 該方法進一步包括以下步驟： 該第一無機層和該第二無機層係覆蓋於該聚合物光 罩，於移除該聚合物光罩前，移除由該第一無機層和該 第二無機層所形成之該殼體。 20. 如請求項19之方法，其中移除該聚合物光罩的步 驟包括一灰化製程。 31