TW201234089A - Back-light unit - Google Patents

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TW201234089A
TW201234089A TW100125943A TW100125943A TW201234089A TW 201234089 A TW201234089 A TW 201234089A TW 100125943 A TW100125943 A TW 100125943A TW 100125943 A TW100125943 A TW 100125943A TW 201234089 A TW201234089 A TW 201234089A
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Jong-Sun Kim
Sang-Jun Park
Kyoung-Soo Ahn
Kyoung-Jong Yoo
Yong-In Lee
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Lg Innotek Co Ltd
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Description

201234089 · 六、發明說明: 【發明所屬之技領域】 本發明係主張關於2010年11月10日申請之韓國專利案號特 願10-2010-0111234和2010年11月10日申請之韓國專利案號特 願10-2010-0111235之優先權。藉以引用的方式併入本文用作來 考。 本發明係有關一種可以減少及去除熱點(hot spots)之背光單 〇 元。 【先前技術】 被安裝於本身不產生光的LCD之後的一背光單元係均勻地照 明LCD ’以產生一可見的顯示圖像。一導光板係一可實現背光單元 之冗度及均勻照明的元件,並將發光二極體發出之光均句地傳送 至整個LCD表面。 ❹ 圖1係繪示有使用發光二極體作為光源之一背光單元的結 構。如圖所示,該背光單元具有複數個發光二極體20安裝於一印 刷電路板10之一上部分’且具有一導光板30以將發光二極體20 所發出之祕送至虹部分。制是,複數贿光二極體係被使 用作為一光源,並試圖使發光表面均勻地發光穿越整個表面。在 此情況下,複數個發光二極體係被設置於該表面之上,且複數個 孔係形成於該導光板之上,以使發光二極體能被插人該些孔内。 4 201234089 * * 若該些發光二極體被插入於該導光板内,熱點(h〇t sp〇ts)會 因罪近發光二極體之表面的熱而產生。因此,靠近發光二極體之 區域的免度I付相對較商,且據此,亮點(brightness Specks)會 形成於該區域。 【發明内容】 《所欲解決之技術問題》 本發明之目的係在提供一種背光單元,其係可藉由形成高密 〇度光學圖案於-導光板之上表面上以及擴散發光二極體的光來去 除熱點,並可藉由設置低密度光學圖案於鄰近區域,來延伸光之 傳輸範圍並改善取光效率(light extraction efficiency)。 《技術手段》 為解決上述技術問題,本發明係提供一種背光單元,其係包 括:裝設有複數個發光二極體之一印刷電路板;以及一導光板 ❹(light guide plate) ’ 其係裝設有安裝槽(mounting grooves)以 容納該些發光二極體者。其中,該導光板係包括一表面以及另一 與其相面對之表面;一第一密度圖案區(first density pattern area)和一第二密度圖案區(second density pattern area)形成 於該一表面之上,且該第二密度圖案區之密度係高於該第一密度 圖案區之密度;以及該第二密度圖案區設置之一區域比該第一密 度圖案區設置之一區域更靠近該發光二極體之發光表面。 5 201234089 特別是,該第-及該第二密度随區形成之方式係使起伏結 構(relief structure)之複數個突出圖案(pr〇truding卯伽㈣) 彼此交疊或彼此各自獨立形成。又,該起伏結構之複數個突出圖 案可形成為多角錐形圖案(P〇lyg0nal c〇ne pattern)或半球型圖 案(hemisphere type pattern)。 在該導光板之另一表面上,形成有一第三密度圖案區以及一 第四密度_區,其中該第四鼓_區之_密度係高於該第 〇 三密度圖案區;較佳地,該第三密度圖案區設置之一區域比該第 四密度圖案區設置之一區域更靠近該發光二極體之發光表面。 該第三及該第四密度圖案區形成之方式係使雕刻結構 (engraving structure)之圖案彼此交疊或彼此各自獨立形成。該 雕刻結構之圖案可向該導光板之内部形成為多角錐形圖案或半球 型圖案。 〇 尤其是,上述結構之該第一至該第四密度圖案區,其形成之 方式係使其可包含上凸(raised)或下凹(depressed)之多角錐形 圖案;其密度可被調整至使該多角錐形圖案之下傾斜角(σ) (lower inclination angle)在 35 度至 70 度之範圍内。 e亥第一猶度圖案區係形成於該導光板之表面上,自該安裝槽 形成之位置,以一向上垂直之方向平躺;該第二密度圖案區可形 成於一區域平躺於該安裝槽和一鄰近安裝槽間之一第一距離dl之 6 201234089 .- 1/5 内。 又,該第三密度圖案區可被設置來包括至少兩個或以上之區 域。 另外,該安裝槽和發光二極體之間的距離可為100麵或以下。 尤其是’根據本發明,該第一密度圖案區係包含有一第一光 學圖案(optical pattern)形成於導光板之一第一方向或一第二光 學圖案形成於導光板之一第二方向;該第二密度圖案區係製作來 ❹ 提供以第一及第二光學圖案之交叉圖案(Cr〇SS patterns)形成之 一背光單元。 該第二密度圖案區設置之一區域可比該第一密度圖案區設置 之一區域更靠近該發光二極體之發光表面。 另外,該第一光學圖案或該第二光學圖案,其形成之方式係 使起伏結構之突出圖案可形成為一直線形狀。在此情況下,起伏 ❹結構之突出圖案可形成為多角錐形圖案(p〇lyg〇nal _邮㈣ 或半球型直線職(heinisphere type line pattern)。 《功效》 根據本發明,藉由形成高密度光學圖案於—導光板之上表面 上以及擴散發光二極體的光,可以去除熱點。同時,藉由設置低 迷度光學®案於鄰近區域,可以延伸光之傳輸細,並可改善取 光效率。 7 201234089 * » 特別是’藉由設置低密度光學圖案於發光二極體之發光單元 的鄰近區域,以及設置高密度光學_於導光板—下表面上,遠 離該發光單元之區域,可改善取光效率,並同時改善光均句度 (light uniformity)。 附圖係對本發明之魄及實_提健—步的制,並被納 入構成本帽麵之-部分,域本申請書之内容綱一起用以 ^ 作為解釋本申請書之申請原則者。 【實施方式】 《最佳模式》 本發明係提供-種#光單元,藉由調整—導光板之上表面及 下表面之上的特殊形狀之光學圖案之密度,進而減少因發光二極 體周圍產生的光之強烈照明而形成的熱點,並改善光均勻度。 為達此目的,本發明係提供一種背光單元包括:裝設有複數 〇發光二極體之一印刷電路板,以及一導光板裝設有安裝槽以容納 該些發光二極體,其中,該導光板係包括一表面以及另一與其相 面對之表面;一第一密度圖案區和一第二密度圖案區形成於該一 表面之上,且該第二密度圖案區之密度係高於該第一密度圖案區 之费度,以及該第一密度圖案區設置之一區域比該第一密度圖案 區設置之一區域更靠近該發光二極體之發光表面。 特別疋,該第一及该第二密度圖案區形成之方式係使起伏結 8 201234089 » » 構之複數個突出圖案彼此交疊或彼此各自獨立形成。又,該起伏 結構之犬出圖案可形成為多角錐形圖案或半球型圖案。另一方 面’該第-密度圖案區係包含有一第一光學圖案形成於導光板之 一第一方向或—第二光學随形成於導絲之-第二方向;該第 -密度圖案區係製作來提供以第—及第二光學圖案之交叉圖案形 成之一背光單元。 0 在該導光板之另—表面上,形成有-第三密度圖案區以及- 第四密度_區,其中糾四密度圖案區之_密度係高於該第 二密度輯區;較佳地’該第三密度圖龍設置之—區域比該第 四密度圖案區設置之-區域更靠近該㈣二極體之發光表面。 《實施方式》 在下文中,將配合所附圖式詳細說明本發明之結構及運作。 其中整篇發軸容巾的她元件賴會參照她元件,並且省略 〇 對這些兀件所作的多餘說明。詞語包含「第一」、「第二」等等可 被使用作為敘述各種不同齡成元件,但該些組成元件並不限於 這些用語。這些聽僅是使祕為區別—喊元件料—組成元 件者。 圖2係根據本發明,繪示有一背光單元結構之概念剖面圖。 (1)第一實施例:一第一及一第二密度圖案區形成於—導光板之 上表面上: 9 201234089 如圖所示,根據本發明,一背光單元係包括:裝設有複數發 光二極體120之一印刷電路板11〇,以及一導光板13〇裝設有安裝 槽140以容納該些發光二極體120,其中,導光板之一表面或另一 表面係具有光學圖案區,其密度係被調整過。發光二極體12〇可 為一側光式LED,其發光表面121係安裝於安裝槽14〇之一側壁的 方向。也就是說,發光二極體120可應用具有發光結構之一光源 ^於一側壁方向而非向上的方向。較佳地,安裝槽140與發光二極 體之間的距離(d)可為100腿或以下。 也就是說,根據本發明,導光板130係包括一表面以及另一 與其相面對之表©;以及—第—密度_區X1和―第二密度圖案 區X2形成於該-表面之上,且第二密度圖案區χ2之密度係高於 第-密度贿區XI之密度。且較佳地,第二紐職區設置之一 區域比第-密度圖龍設置之—區域更#近該發光二極體之發光 〇 表面。 該些光學_係包含有第—及第二密度圖躯Xh X2,且其 形成之方式係使域結構之複數個突出_彼此交疊或彼此各自 獨立形成。舉例而言,第二密度_區X2中的光學_其係形成 具有比第-密賴龍X1更高之密度;可藉由形成複數個突出圖 案於起伏結構中且相鄰之圖案間具有—較小雜、或形成部分的 突出圖案彼此交疊,進而控制^學圖_度,較高之 201234089 密度。
特別是,較佳地,第二密度圖案區X2設置之—區域比第一密 度圖案區XI設置之一區域更靠近該發光二極體之發光表面。也就 是說,較佳地,第二密度圖案區Χ2形成為與發光二極體光源之發 光表面較為接近者,㈣-密賴親χι形成騎發光二極體光 源之發光表面較為遠離者。既然形成於該導光板上表面上之第二 密度圖案HX2細高密度_之設置或彼此交疊之_來實現, 且亦因為第二密度_區χ2之設置減發光二極縣源之發絲 面而使传狀射紐餘或麟(diffused qi_ ⑹,故可 達到減5熱點之效果。另外,較佳地,第二密朗案區紅係形成 於該導光板之表面上,自該安裝槽形成之位置,以—向上垂直之 向平躺’ β亥第—密度圖案區开义成於一區域平躺於該安農槽和一 鄰近安裝槽H_dl之⑽。槪,形成該第二密 度圖案區之-極限點(limi1;p〇int)係自該發光二極體之發光表面 形成於lGmm的距離内,進祕止熱點的生成。 另方面’導光板上表面之第一密度圖案區幻之圖案密度係 以Μ在起伏結構之複數個突出圖案彼此各自獨立形成之處為一 單一結構’而被降低;據此,因長距離傳輸發出之光的功能以及 取光效率均被改善,故可改善光均句度。 >實施例·—第二及—第I!四密度圖案區形成於—導光板之 201234089 . 下表面上: 除了配合圖2所述之實施例,根據本發明之另一實施例可實 現一光學圖案於一導光板之面對該一表面之另—表面上。特別 是,形成於導光板之另一表面上的該光學圖案同樣能夠以包括獨 立形狀或獨立結構之光學圖案的交疊結構來被實現;然而,較佳 地,该光學圖案係以雕刻結構(engravingstructure)之形式直接 形成於該導光板之上。 〇 亦即,較佳地,該光學圖案係形成於導光板130之另一表面 上(下表面),且同時’該光學__成於絲面上沒有安裝槽 之一區域。 更精確來說,於導光板130之另一表面上,形成有一第三密 度圖案區Y1以及密度高於第三密賴案區之—第四密度圖案區 Y2,特別是’較佳地,該第三密度_區設置之—區域比該第四 〇密度圖龍設置之-區域更靠近該發光二極體之發絲面。在此 清況下’該第二及第四密度圖案區形成之方式係使雕刻結構之圖 案彼此交疊或彼此各自獨立形成。 也就疋說,導光板13G之該第三及該第四密度醜區形成之 方式係使_結構之糾形柄剖⑽狀(半圓、橢圓、不規則 等等)形成於該導光板之内部的方向。在本發明之一實施例中, 可形成一多角錐形圖案或一半球型圖案。 12 ” 201234089 特別是,由於第三密度圖案區Y1改善了發光二極體發出之光 的取光效率,進而改善光均勻度,而第四密度圖案區”係由相對 鬲於第三密度圖案區Y1圖案之密度的光學圖案來實現,以改善光 之擴散(diffusion)和散射(scattering)。 圖3係繪示有圖2中形成於導光板之上表面(該一表面)之 一光學圖案之範例。 0 如圖所不,圖3(a)、(b)係將突出結構之光學圖案以多角錐形 圖案之形式來實現;(a)係繪示了緊密設置有四角錐形圖案之一結 構’而(b)係繪不了藉由設置具有較大空間的光學圖案於相鄰的圖 案之間來控制該些光學圖案的密渡。尤其,㈤鱗示了一範例, 其中部分的獨立四角錐形圖案係彼此交疊,大大地增加了光學圖 案之密度。 W 3(c)、⑷係繪示有半球型圖案之設置。其中(c)係綠示了 〇車乂緊密叹置的光學圖案’而⑷係繪示了較不緊密設置、彼此間較 為刀離的光學職。在後者的情況下,可藉由將部分的獨立半球 型圖案如(c)所述設置為彼此交疊之形式,來增__之密度。 此時,根據本發日月之半球型圖案係指包括一半擴圓形圖案以及各 種’與半球細餘同’不具有尖銳邊緣之的3D圖案。 圖4係繚示有圖3中,起伏結構之突出圖案之實際圖像;⑹ 係繚示了_設置之圖像,其中係藉由將⑷中所示之四角 201234089 , 錐形圖案印刷為彼此交疊者,來形成一較緊密之結構者。而(d)係 繪示了如(C)之實際圖像。如前所述,應注意的是,如此之圖案可 由雕刻圖案來形成於導光板之下表面上。 特別是,在(f)之情況下,若如(e)中所示之上凸或下凹之多 角錐形圖案被列入考慮,則多角錐形圖案之下傾斜角(l〇wer mclination angle)(cr)在15度至80度之範圍内。更佳地,藉 〇 由使多角錐形圖案之下傾斜角(σ)落在35度至70度之範圍内, 可控制光學圖案之密度。當傾斜角小於15度時,因取到的光量變 小,其效率亦變差;而當傾斜角大於8〇度時,因光學圖案之角度 過大’其可靠度會減低。尤其,在35度至70度之範圍内,取光 效率係為最大化且可靠度也能夠被維持。 舉例而s,在四角錐形圖案之情況下,當低密度設置,其圖 案形成為具有傾斜角於35度至50度之範圍内;而當高密度設置, 〇圖案形成為具有傾斜角於5〇度至7〇度之範圍内。 (3)第二實施例:—第—及—第二密度圖案區形成於—導光板之 上表面上-形成—直線圖案及—交又圖案: 在下文中’將詳細說明第—實施例中的第一及第二密度圖案 區其另一實施例。 、參閱圖2至圖5’根據第三實施例之—背光單元係包括:裝設 有複數發光—極體12〇之—印刷電路板ιι〇,以及一導光板⑽ 201234089 » * 裝设有安裝槽14〇以容納該些發光二極體12G,其巾,導光板之一 表面或3表面係具有一光學圖案區,其密度係被調整過。發光 二極體120可為—侧光式LED ’其發光表面121係安裝於安裝槽 140之一側壁的方向。也就是說,發光二極體12〇可應用具有發光 、’、《構之光源13〇於一側壁方向而非向上的方向。較佳地,安裝 槽140與發光二極體之間的距離«)可為1〇〇刪或以下。 0 也就是說,根據本發明,導光板130係包括一表面以及另一 /、相面對之表面,一第一密度圖案區XI和一第二密度圖案區X2 形成於該一表面之上,且第二密度圖案區X2之密度係高於第一密 度圖案區XI之密度。在此情況下,第一密度圖案區χι係包含有 第光學圖案形成於導光板之一第一方向或一第二光學圖案形 成於導光板之一第二方向;而第二密度圖案區似係包含有第一及 第二光學圖案之交又圖案。此時,該交又圖案係顯示當直線形狀 Ο 之光學圖案形成為以導光板之第一方向或第二方向(即水平或垂 直方向)彼此交叉時,該些光學圖案形成。 也就是說,本發明中導光板130之一表面,亦即實施例中之 上表面,具有一結構,其係包括一高密度圖案區(第二密度圖案 區)以及一低密度圖案區(第一密度圖案區)。該第—及第二密度 圖案區係各自由在導光板水平或垂直方向的直線形狀光學圖案來 實施;特別是,該第二密度圖案 15區係由交叉圖案形成,故能具有 ·· 1 201234089 高密度之光學圖案。 /尤其’根據本發明,該第一及該第二密度圖案區之形成方式 係使起伏結構中突出圖案被以直線形狀配置於導光板之水平或垂 直方向(在本發明中,將之稱為『直線圖案』)。如圖5所示,起 、構巾該大出圖案(直顧案)可以多角錐形直線圖案或半球 型直線圖案來實現’其垂直剖面形狀為多角形或半圓形。 ◎ 糾,較佳地,第二密度圖案區被設置於較接近發光二極體 之發光表φ之—區域。也就是說,較佳地,第二密度圖案區以係 形成為與發光二_絲讀絲錄為接聽,的一密度圖 案區XI形成為與發光二極體光源之發光表面較為遠離者。既然形 成於該導光板上表面上之第二密度圖案區χ2係以高密度圖案之交 叉圖案叹置來實現’且亦因為第二密度圖案區χ2之設置靠近發光 -極體光社發絲面而使得強人射級缝紐佈,故可達到 〇 減少熱點之效果。 尤其,較佳地,第一密度圖案區Χ2係形成於該導光板之表面 上,自該安裝槽形成之位置,以一向上垂直之方向平躺;該第二 密度圖案區形成於一區域平躺於該安裝槽和一鄰近安裝槽間之一 第一距離dl之1/5内。更佳地,形成該第二密度圖案區之一極限 點係自該發光二極體之發光表面形成於1〇mm的距離χ3内,進而 防止熱點的生成。 16 201234089 另一方面,導光板上表面之第-密度圖案區χι之圖案密度係 以形成該第-光學_或該第二光學圖案成為—單—結構而非一 父又圖案而被降低;據此,因長距離傳輪發出之光的功能以及取 光效率均被改善,故可改善光均勻度。
如上第三實施例所述,第二實施例中的第三及第四密度圖案 區形成之方式係使雕刻結構之不同形式的剖面形狀(半圓、擴圓、 不規則等等)係形成於該導光板之_的方向。 圖5係繪不有械於導絲之上表面(該—表面)之一直線 圖案及一交又圖案之一範例。 如圖所不’ 5(a)及(c)係根據本發明緣示了直線圖案之範 例;⑷係繪示有一稜鏡絲圖案(Prism line Pattern),而(c) 係緣示有一半圓直線圖案(semi-circle line pattern)。如上所 述’該直線圖_示直線形狀之光學圖龍形成在導光板之第一 0或第二方向;根據該直線圖案之剖面形狀,可形成各種不同之光 子圖案如多角形直線圖案、—半圓直線圖案、—橢圓直線圖案、 及一稜鏡直線圖案(三角形直線圖案)。 圖5(b)、(d)係根據本發明繪示了藉由該第一和該第二光學圖 案所形成之父又圖案的範例;(b)係繪示有由(a)中稜鏡直線圖案 之交叉結構卿成之—交叉随,而⑷係繪示妹)巾半圓直線 圖案之交叉結構所形成之—交叉圖案。因此,本發明之交又, 17 ” 201234089 • * 樹光學_之結構形狀,可形麵Μ者 言,交叉圖案可為(a)及(c)中的交又結構形式。 圖6係根據本發明,緣示有導光板之下表面上形成之 圖案之形狀,梅了—細臟㈣肖__或一: 球型圖案,其係具有闕結構鱗光板之畴的方向。 圖6(a)係綠示有一多角錐賴案之範例,其中— Ο 案係具有雕刻結構於導光板之内部方向者。目6(b)崎示有一半 球型圖S之範例’其中辭球麵案係具有_結構於 内部方向者。 特別是’這樣_案可根據其設置方式而具有不同之密度, 其中絲難可齡如形娜⑷或6⑹中顯示之部分結構^此 互相交疊,來提升其密度。圖6(c)係繪示有(a)中顯示之多角錐形 圖案之實際_,_ 6⑷躲示結構 〇 、τ 70予圚案係藉 叫目鄰之絲_間—預設分離距離來獨立設置多角錐形圖 案,進而降低其密度。 圖7係根據本發明,繪示有背光單元中之一光學圖案之一範 例上部平面圖。 ν 參閱圖示,在有複數個發光二極體120裝設於導光板11〇内 之結構中’若導光板之上表面之H向Ρ1以及-第二方向Ρ2 係破考慮在内,則第二密度圖案區Χ2可由形成於第一方向P1 18 201234089 第-光學圖案以及形成於第二方向p2 成之交又圖案來實現。也就 一“予圖案彼此交又構 仏就疋說,如圖所示, 圖案係對應於-稜鏡型圖索 一或第一光學 類 型結構之交又圖案 刊㈣—门也 千圓直線圖索,則可形成不同 又目為第S 戈第二光學圖案係由—單—圖案 =所~2除蚊咖二密度圖案 〇 ^2可_翻_辭職線職來形成。 #上所述,特定實施例在本發明之詳細内容中被詳細說明 之。然而,在她、圖式及所附申請專利範圍之料内,所主 張者的各種變化及修改為可能的。本發明之技術原則並不限制於 ^發明上述所述之實_。本㈣之技術原職柯限於所附申 5月專利範圍所述者’而亦包括與其等同之範鳴。 Q 【圖式簡單說明】 圖1係纷不有將發光二極體作為光源之一背光單元的結構; 圖2係根據本發明,綠示有一背光單元結構之概念剖面圖·, 圖3係根據本發明,!會示有一光學圖案之範例; 系根據本發明’繪示有實現一導光板之一光學結構的多角錐 形圖案之範例; 圖5係根據本發明,繪示有一光學圖案之一範例; 19 201234089 圖6係根據本發明,繪示有導光板之下表面形成之一光學圖案之 形狀;以及 圖7係根據本發明,繪示有背光單元中之一光學圖案之一範例上 部平面圖。
【主要元件符號說明】 10 印刷電路板 20 發光二極體 30 導光板 110 印刷電路板 120 發光二極體 121 發光表面 130 導光板 140 安裝槽 d2 距離 P1 第一方向 P2 第二方向 XI 第一密度圖案區 X2 第二密度圖案區 X3 距離 20 201234089 Y1 Υ2 第三密度圖案區 第四密度圖案區
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Claims (1)

  1. 201234089 七、申請專利範圍: 1. 一種背光單元包括: -印刷電路板,其係觀有魏鱗光二極體;以及 -導光板,其係裝設衫個安裝_容減些發光二極 體’該導光板係包括-表面以及與該—表面相面對之一另一表 面;一第一密度圖案區和-第二密度圖案區形成於該一表面之 Ο 〇 上,且該第三密賴龍之密度係高於該第—密度_區之密 度;以及 該第二密度圖案區設置之一區域比該第一密度圖案區設置 之一區域更靠近該發光二極體之發光表面。 2.如申請專利細第丨項所叙f林元,其中該第—密度圖案 區及該第^密度圖案區係形成為起伏結構中複數個突出圖案彼 此交疊或彼此各自獨立之方式形成。 ’、 如申請補_第2撕述之料單元,其巾触 出圖案係為多肖錐形圖案或半球型圏案。 稱 mi·。項所述之背先單元,其中該第—密度 區係由—第-絲轉形成於該導域之_第_杨H 光學圖案形成於該導光板之一 一 y 第一方向來形成;而該第二密# 圖案區係由該第一光學圖率 ^ 茶及该第一先學圖案之交又圖案形 22 201234089 成 5·如申請翻範_ 4韻述之背鮮元,其巾起簡構中形成 =突出圖案的該第—光學圖案或該第二光學圖案係形成直線 6. 如申物難第5佩嫩單元,其中起伏結構中該突 出圖案係為多角錐形直線圖案或半球型直線圖案。
    7. 如帽__ 1補述之背光單元,其巾,錢導光板之 另一表面上’形成有—第三密度圖案區以及—第四密度圖案 區,其中該第四密度圖案區之圖案密度係高於該第三密度圖案 區之圖案密度;且該第三密度圖案區設置之一區域比該第四密 度圖案區設置之-區域更靠近該發光二频之發光表面。 8. 如申請細刪7項所述之縣單元,其中鄕三密度圖案 區及該第四密·_軸之方式雜_結構之_彼此交 疊或彼此各自獨立形成。 .如申請專利範圍第8項所述之背光單元,其中該雕刻結構之圖 案可向該導光板之内部形成為多角錐形圖案或半球型圖案。 1〇.如申請專利麵第7項所述之背光單元,其中該第-密度圖案 區至該第四密度圖案區形成之方式係使其可包含上凸或下凹 之多角錐案,該多角錐糊案之下傾斜角⑷在35度至 70度之範園内。 23 201234089 11. 如申請專利範圍第i項所述之背光料,其中該第—密度圖案 區及該第二密度圖案區係包括起伏結構中多個多角錐形圖 案,且包含該第-密度®龍之該多角錐形圖案之下傾斜角 ⑷係於35度至50度之範圍内,而包含該第二密度圖案區之 該多角錐形圖案之下傾斜角(σ)係於5〇度至7()度之範圍内。 12. 如申請專利範圍第7項所述之背光單元,其中該第三密度圖案 區及該第四密度圖案區係包括雕刻結構中多個多角錐形圖 案,且包含該第三密度圖案區之該多角錐形圖案之下傾斜角 (σ)係於35度至50度之範圍内,而包含該第四密度圖案區之 該多角錐形圖案之下傾斜角(σ)係於5〇度至7〇度之範圍内。 13·如申請專·圍第7顧述之f解元,其找第二密度圖案 區係形成於該導光板之表面上,自該安裝槽形成之位置,以一 向上垂直之方向平躺;該第二密度圖案區形成於一區域平躺於 該安裝槽和一鄰近安裝槽間之一第一距離dl之1/5内。 14·如申請專利範圍第13項所述之背光單元,其中該第三密度圖 案區係被設置以包含至少兩個或更多的區域。 15.如申請專利範圍第12項所述之背光單元,其中該安裝槽與該 發光二極體之間的距離可為10Q mm或以下。 24
TW100125943A 2010-11-10 2011-07-22 背光單元 TWI456309B (zh)

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