TW201232651A - Optical device wafer processing method - Google Patents

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Description

201232651 六、發明說明： C 明所屬 領 3 發明領域 本發明係一種有關於將光元件晶圓中之光元件層移至 移設基板之光元件晶圓加工方法，前述光元件晶圓係於藍 寶石基板或碳化矽等磊晶基板表面，隔著緩衝層，層疊由n 型半導體層及ρ型半導體層所構成之光元件層，於光元件層 藉由形成為格子狀之複數切割道所區劃出的複數區域’形 成發光二極體、雷射二極體等光元件。
C ittr J 發明背景 在光元件製造步驟中，在略呈圓板形狀之藍寶石基板 或碳化矽等磊晶基板表面，隔著缓衝層，層疊由η型半導體 層及Ρ型半導體層所構成之光元件層，於光元件層藉由形成 為格子狀之複數切割道所區劃出的複數區域，形成發光二 極體、雷射二極體等光元件而構成光元件晶圓。然後，藉 由沿著切割道分割光元件晶圓，來製造各個光元件(例如， 參照專利文獻1)。 又，提升光元件亮度的技術，如下述專利文獻2所揭示 之稱為剝離(lift-off)的製造方法’係將在構成光元件晶圓之 藍寶石基板或碳化矽等磊晶基板表面隔著緩衝層而層疊由 η型半導體層及ρ型半導體層所構成之光元件層，隔著金 (Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pb)等接合金屬層接合於 鉬(Mo)、銅(Cu)、矽(Si)等移設基板，藉由從磊晶基板的背 3 201232651 面側照射雷射光線於緩衝層，將磊晶基板剝離，而將光元 件層移至移設基板。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本發明公開公報特開平10-305420號 專利文獻2:日本發明公表公報2005-516415號 【發明内容】 發明揭示 發明欲解決之課題 在上述專利文獻2所揭示之技術中，由於在將移設基板 接合於層疊在磊晶基板表面之光元件層時加熱至220〜300 °C的溫度，因此因為磊晶基板與移設基板之線膨脹係數不 同，由磊晶基板與移設基板所構成之接合體會產生翹曲。 所以’在將蟲晶基板從光元件層剝離時，難以將雷射光線 的聚光點定位於磊晶基板與光元件層之間的緩衝層，可能 會有損傷光元件層、或是無法確實地分解緩衝層而順利地 剝離磊晶基板等問題。 本發明係有鑒於上述事實而成者，主要的技術課題係 提供一種可不致損傷層疊於構成光元件基板之磊晶基板表 面的光元件層’而可順利地將光元件層移至移設基板的光 元件晶圓之加工方法。 用以解決課題之手段 為了解決上述主要技術課題，根據本發明’提供了一 種光70件晶圓之加工方法，係在磊晶基板表面隔著緩衝層 201232651 進行層疊，於藉由形成為格子狀之複數切割道所區劃出的 複數區域形成光元件的光元件晶圓，將該光元件晶圓中之 光元件層移至移設基板之光元件晶圓加工方法，其特徵在 於包含有：移設基板接合步驟，將移設基板接合於在該磊 晶基板表面隔著該緩衝層而層疊之該光元件層的表面；移 設基板切斷步驟，將接合於該光元件層表面之該移設基板 沿著該切割道與該光元件層一起切斷；剝離用雷射光線照 射步驟，將已實施該移設基板切斷步驟之該移設基板貼附 於保持構件，從層疊有已接合該移設基板之該光元件層的 該磊晶基板背面側’將透過該磊晶基板之雷射光線定位聚 光點照射於該緩衝層，藉此’分解該緩衝層；及磊晶基板 剝離步驟，在實施該剝離用雷射光線照射步驟後，從該光 元件層剝離該磊晶基板。 上述移設基板切斷步驟係藉由切削刀片沿著切割道切 斷移設基板。又，上述移設基板切斷步驟係藉由沿著移設 基板之切割道照射雷射光線，而沿著切割道切斷移設基板。 發明效果 在本發明之光元件晶圓加工方法中，由於包含有：移 設基板接合步驟，將移設基板接合於在磊晶基板表面隔著 缓衝層而層疊之該光元件層的表面；移設基板切斷步驟， 將接合於光元件層表面之移設基板沿著切割道與光元件層 一起切斷；韌離用雷射光線照射步驟，將已實施移設基板 切斷步驟之移設基板貼附於保持構件，從層疊有已接合移 設基板之光元件層的磊晶基板背面侧，將透過磊晶基板之 201232651 雷射光線定位聚光點照射於缓衝層，藉此，分解緩衝層； 及磊晶基板剝離步驟，在實施剝離用雷射光線照射步驟 後*從光元件層剝離蟲晶基板’因此’在貫施剝離用雷射 光線照射步驟時，藉由沿著切割道切斷移設基板，可釋放 因為磊晶基板與移設基板之線膨脹係數不同而產生於由磊 晶基板與移設基板所構成之接合體的翹曲，所以，可確實 地將雷射光線的聚光點定位於緩衝層。又，緩衝層係以氮 化鎵（GaN)形成，藉由雷射光線的照射會分解成2GaN— 2Ga+N2，產生N2氣體雖會對光元件層產生不良影響，但由 於移設基板可分割成各個光元件，透過分割溝可排出N2氣 體，而可減輕對光元件層的不良影響。 圖式簡單說明 第1(a)、1(b)圖係藉由本發明之光元件晶圓加工方法所 加工之光元件晶圓的立體圖及放大重要部份而顯示的截面 圖。 第2(a)、2(b)圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之移 設基板接合步驟的說明圖。 第3圖係用以實施本發明之光元件晶圓分割方法中之 移設基板切斷步驟之第1實施形態的切削裝置的重要部分 立體圖。 第4(a)〜4(d)圖係顯示本發明之光元件晶圓分割方法 中之移設基板切斷步驟之第1實施形態的說明圖。 第5圖係用以實施本發明之光元件晶圓分割方法中之 移設基板切斷步驟之第2實施形態的雷射加工裝置的重要 201232651 部分立體圖。 第6(a)〜6(d)圖係顯示本發明之光元件晶圓分割方法 中之移設基板切斷步驟之第2實施形態的說明圖。 第7圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之光元件晶 圓支持步驟的說明圖。 第8圖係用以實施本發明之光元件晶圓分割方法中之 剝離用雷射光線照射步驟的雷射加工裝置的重要部分立體 圖。 第9(a)〜9(c)圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之 剝離用雷射光線照射步驟的說明圖。 第10圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之磊晶基板 剝離步驟的說明圖。 C實施方式3 用以實施發明之形態 以下，參照附加圖示，詳細說明本發明之光元件晶圓 之加工方法的較佳實施形態。 第1圖顯示藉由本發明之光元件晶圓加工方法所加工 之光元件晶圓的立體圖。第1圖所示之光元件晶圓2係於略 呈圓板形狀之藍寶石基板或碳化矽等磊晶基板20之表面 20a，藉由蠢晶成長法，形成由η型氮化鎵半導體層211及p 型氮化鎵半導體層212所構成之光元件層21。另外，在磊晶 基板20之表面，藉由磊晶成長法，層疊由η型氮化鎵半導體 層211及ρ型氮化鎵半導體層212所構成之光元件層21時，在 磊晶基板20之表面20a與形成光元件層21之η型氮化鎵半導 7 201232651 體層211之間，形成由氮化鎵(GaN)所構成之緩衝層22。如 上述所構成之光元件晶圓2在圖示之實施形態中，磊晶基板 20之厚度形成為例如43〇em，包含緩衝層22之光元件層21 的厚度形成為例如另外，光元件層21如第1(a)圖所 示’在藉由形成為之格子狀的複數切割道23所區劃出的複 數區域，形成光元件24。 如上所述’為了將光元件晶圓2之磊晶基板2〇從光元件 層21剝離而移至移設基板，實施將移設基板接合至光元件 層21之表面21a的移設基板接合步驟。亦即，如第2(a)及2(b) 圖所示’在形成於構成光元件晶圓2之磊晶基板20表面20a 的光元件層21之表面21a，隔著接合金屬層4接合厚度例如 為220 μ m的移設基板3。另外’移設基板3可使用鉬（M〇)、 銅(Cu)、矽（Si)等，又，形成接合金屬層4之接合金屬可使 用金(Au)、鉑（Pt)、鉻(Cr)、銦（In)、鈀(Pb)等。該移設基板 接合步驟’在形成於蟲晶基板20之表面2〇a的光元件層21表 面21a或移设基板3之表面3a上，將上述接合金屬蒸氣沉積 形成厚度為3 μ m左右的接合金屬層4，將該接合金屬層4與 移》又基板3之表面3a或光元件層21之表面2la相對面而壓 接，藉此，可將移没基板3之表面3a隔著接合金屬層4接合 於構成光元件晶圓2之光元件層21之表面2ia。如此一來， 由於當移設基板3接合於形成在磊晶基板2〇之表面2如的光 元件層21之表面21a時，加熱至220〜3〇〇〇c的溫度，故因為 磊晶基板20與移設基板3之線膨脹係數不同而會使得由磊 晶基板20與移設基板3所構成的接合體產生翹曲。該翹曲量 201232651 在蟲晶基板20之直徑為l〇cm時為0_5mm左右。 若已實施上述移設基板接合步驟，則施行將移設基板3 沿著切割道23與光元件層21 —併切斷的移設基板切斷步 驟。參照第3及4圖，說明該移設基板切斷步驟之第1實施形 態。並使用第3圖所示之切削裝置5，施行移設基板切斷步 驟之第1實施形態。第3圖所示之切削裝置5具備有：保持被 加工物之夾頭台51、具有用以切削保持在該夾頭台51上之 被加工物之切削刀5 21的切削機構5 2、及拍攝保持在該夾頭 台51上之被加工物的拍攝機構53。另外，拍攝機構兄在圖 示之實施形態中，除了藉由可視光拍攝之一般拍攝元件 (CCD)外，由將紅外線照射於被加工物之紅外線照明機構、 捕捉藉由該紅外線照明機構所照射之紅外線的光學系統、 輸出對應於藉由該光學系統所捕捉到紅外線之電氣訊號的 拍攝元件(..X彳l$_CCD)等所構成，將所拍攝的影像訊號傳送 至未圖示之控制機構。使用如上述構造之切削裝置5來實施 移設基板輯步料，將上述料基㈣合步騎實施之 接口有移基板3之光π件晶圓2的蟲晶基板職置於夾頭 口 51上因此接口在形成於構成光元件晶圓2之蟲晶基板 20表面的光元件層21表面叫的移設基板3之背 面3b為上 側。並且，藉由相示之％丨機構進行動作，將接合有移 設基板3之光元件晶圓2吸引保持於爽頭台”上。如此一 來，吸引保持了接合有蒋讯盆, 移6又基板3之光元件晶圓2的夾頭台 51，藉由未圖示之切削推 進^機構定位於拍攝機構53的正下 201232651 當夾頭台51定位於拍攝機構53的正下方，藉由拍攝機 構5 3及未圖示之控制機構，施行檢測出移設基板3應進行切 削加工之加工區域的校準作業。在該校準作業中，當以矽 基板形成移設基板3時’拍攝機構53及未圖示之控制機構實 行用以將在構成光元件晶圓2之光元件層21形成於第1方向 的切割道23、與切削刀521進行對位的型樣匹配等圖像處 理’來進行切削區域的校準(校準步驟）。又’形成於構成光 元件晶圓2之光元件層21延伸於相對上述第1方向為直交之 第2方向的切割道23，對於此種切割道23也同樣地進行切削 區域的校準。另外，在形成有切割道23之光元件層21的上 侧，定位有移設基板3，但在以矽基板形成移設基板3的情 況下，由於拍攝機構53如上所述係具有由紅外線照明機 構、捕捉紅外線之光學系統、及輸出對應於紅外線之電氣 訊號的拍攝元件（紅外線CCD)等所構成的拍攝機構，故可通 過由矽基板所構成之移設基板3而拍攝切割道23。另外，當 移設基板3由金屬材料所形成時，以透明體形成夾頭台51之 保持部，從該保持部的下側拍攝切割道23。 如以上所述，若已進行校準，檢測出接合於保持在夾 頭台51上之光元件晶圓2的移設基板3之切削區域，則將保 持有接合於光元件晶圓2之移設基板3的夾頭台51移動至切 削作業區域，如第4(a)圖所示，將預定之切割道23之一端定 位於較切削刀521正下方而稍微位於第4(a)圖中右側處。接 著，將切削刀521旋轉於以箭號521a所示之方向，並且使未 圖示之切割進給機構動作，將切削刀521從兩點鏈線所示之
S 10 201232651 退避位置向箭號zi所示之方向切割進給預定量。該切割進 給位置係設定於切削刀521之外周緣可達到緩衝層22的深 度位置。如上所述實施切削刀521的切割進給，將切削刀512 旋轉於箭號521a所示之方向，並且使夾頭台51以預定的切 削進給速度移動於第4(a)圖中箭號XI所示之方向，當接合 在保持於夾頭台51之光元件晶圓2的移設基板3之另一端， 如第4(b)圖所示般到達切削刀521正下方稍左側，停止夾頭 台51的移動，並且使切削刀521於箭號Z2所示之方向上升至 兩點鏈線所示之退避位置。結果，移設基板3如第4(c)圖所 不，沿著第1方向之切割道23，與形成於構成光元件晶圓2 之磊晶基板20表面的光元件層21—起被切斷，並形成由切 割溝所構成之分割溝31 (移設基板切斷步驟）。藉由將上述移 設基板切斷步驟實施於與所有切割道23對應之區域，如第 4(d)圖所示，在移設基板3沿著形成為格子狀的切割道23形 成格子狀的分割溝31。另外，由磊晶基板2〇與移設基板3所 構成之接合體會產生〇.5mm左右的翹曲，由於藉由夾頭台 51的吸引可多少減緩翹曲程度，但無法使之為零(〇)，故磊 晶基板20有可能會被切削刀521所切削。 接著’參照第5及6圖，說明移設基板切斷步驟的第2實 施形態。移設基板切斷步驟的第2實施形態係使用第5圖所 不之雷射加工裝置6來進行。第5圖所示之雷射加工裝置6具 備有：保持被加工物之夾頭台61、對保持在該夾頭台61上 之被加工物照射雷射光線的雷射光線照射機構62、及拍攝 保持在夾頭台61上之被加工物的拍攝機構63。夾頭台61係 11 201232651 構成為可吸引保持被加工物，藉由未圖示之加工進給機構 加工進給於第5圖中之箭號X所示之方向，並且藉由未圖示 之分度進給機構分度進給於第5圖中之箭號γ所示之方向。 上述雷射光線照射機構62係從安裝於實質上配置成水 平之圓筒形套管621前端的聚光器622照射脈衝雷射光線。 又’安裝於構成上述雷射光線照射機構62之套管621前端部 的拍攝機構63，在圖示之實施形態中，除了藉由可視光拍 攝之一般拍攝元件(CCD)外，由將紅外線照射於被加工物之 紅外線照明機構、捕捉藉由該紅外線照明機構所照射之紅 外線的光學系統'輸出對應於藉由該光學系統所捕捉到紅 外線之電氣訊號的拍攝元件（紅外線CCD)等所構成，將所拍 攝的影像訊號傳送至後述之控制機構。 參照第5及6圖，說明使用上述雷射加工裝置6而實施的 移設基板切斷步驟。要實施移設基板切斷步驟，首先，如 上述之第5圖所示，將實施了上述移設基板接合步驟而接合 有移設基板3的光元件晶圓2之磊晶基板2〇，載置於雷射加 工裝置6之夾頭台61上。因此，與形成於構成光元件晶圓2 之磊晶基板20表面的光元件層21表面213接合的移設基板3 之背面3b為上側。然後，藉由使未圖示之吸引機構動作， 將接合有移設基板3之光元件晶圓2吸引保持於夾頭台61 上。如此一來，吸引保持了接合有移設基板3之光元件晶圓 2的夾頭台61，藉由未圖示之加工進給機構定位於拍攝機構 63的正下方。 當夾頭台61定位於拍攝機構63的正下方，藉由拍攝機
S 12 201232651 構63及未圖示之控制機構，施行檢測出移設基板3應進行雷 射加工之加工區域的校準作業。在該校準作業中，當以石夕 基板形成移設基板3時，拍攝機構63及未圖示之控制機構實 行型樣匹配等圖像處理，該等型樣匹配等圖像處理係用以 將在構成光元件晶圓2之光元件層21形成於第1方向的切割 道23、與沿著該切割道23照射雷射光線的雷射光線照射機 構62之聚光器622進行對位者，而進行雷射光線照射位置的 校準（校準步驟）。又，形成於構成光元件晶圓2之光元件層 21延伸於相對上述第1方向為直交之第2方向的切割道23， 對於此種切割道23也同樣的進行切削區域的校準。另外， 在形成有切割道23之光元件層21的上側’定位有移設基板 3，但在以石夕基板形成移設基板3的情沉下，由於拍攝機構 63具有如上所述由紅外線照明機構、捕捉紅外線之光學系 統、及輸出對應於紅外線之電氣訊號的拍攝元件（紅外線 CCD)等所構成的拍攝機構，故可通過由矽基板所構成之移 設基板3而拍攝切割道23。另外，當移設基板3由金屬材料 所形成時’以透明體形成夾頭台61之保持部’從該保持部 的下側拍攝切割道23。 如以上所述，若已進行校準’檢測出接合於保持在夾 頭台51上之光元件晶圓2的移設基板3之切削區域’則將保 持有接合於光元件晶圓2之移設基板3的夾頭台61，移動至 如第6(a)圖所示的雷射光線照射機構62之聚光器622所在的 雷射光線照射區域，將第1方向之切割道23之一端（在第6(a) 圖中為左端）定位於雷射光線照射機構62之聚光器622的正 13 201232651 下方。然後，從聚光器622對移設基板3照射具有吸收性波 長的脈衝雷射光線’並且使夾頭台61以預定之加工進給速 度移動於第6(a)圖中箭號XI所示之方向。而後，如第6(b) 圖所示，當切割道23之另一端（第6(b)圖中之右端）到達雷射 光線照射機構62之聚光器622的照射位置後，停止雷射光的 照射’並且停止失頭台61的移動（雷射光線照射步驟）。在該 雷射光線照射步驟中’使脈衝雷射光線的聚光點P聚焦於移 設基板3的背面3b(上表面）附近。沿著形成在構成光元件晶 圓2之光元件層21的所有切割道23，實施上述之雷射光線照 射步驟。 上述雷射光線照射步驟中之加工條件例如設定如下。 光源：YAG脈衝雷射 波長：355nm 平均輸出：7W 重複頻率：10kHz 聚光點徑：短軸l〇Vm、長軸1〇〜200“ m的橢圓 加工進給速度：100mm/秒 在上述加工條件中，藉由沿著各切割道23實施4〜6次 上述雷射光線照射步驟，可如第6(c)圖所示，移設基板3沿 著預定之切誠23與形成在構絲元件晶圓之蟲晶基板2〇 表面的光元件層2卜起被切斷，卿成由雷射加工溝所構 成之分賴31(移設基板續步驟)。藉由將上述料基板切 斷步驟實施於與所㈣割道23對應之區域，如第6⑷圖所 不在移δ又基板3沿著形成為格子狀的切割道23形成格子狀 201232651 的分割溝31。 …如以上實施移設基板切斷步驟，藉由將移設基板3沿著 形成為格子狀的_道23與光元件層21_起切斷，可釋放 因磊晶基板20與移設基板3之線膨脹係數不同而產生於由 蟲晶基板2〇鄉設基板3關叙接讀上的麵曲。 接著’實施光元件晶圓支持步驟，將已實施上述移設 餘切斷步驟之接合有移設基板3的光元件晶圓2，貼附於 安裝在％狀框之作為保持構件的切割膠帶。亦即，如第7圖 所示’將接合於光元件晶圓2之移設基板3側，_於安裝 於環狀框F之作為保持構件的切割膠帶τ之表面（保持構件 貼附步驟）。因此，貼附於切割膠帶τ表面之移設基板3所接 5的光元件晶圓2之蟲晶基板2〇的背面2〇b為上側。 若已如上述實施光元件晶圓支持步驟，則實施剝離用 雷射光線照射步驟，從磊晶基板2〇之背面側2〇b，將透過磊 晶基板20之雷射光線的聚光點定位於緩衝層22而照射，藉 此，分離緩衝層22。該剝離用雷射光線照射步驟係使用第8 圖所示之雷射加工裝置7來進行。第8圖所示之雷射加工裝 置7具備有：保持被加工物之夾頭台71、對保持在該夾頭台 71上之被加工物照射雷射光線的雷射光線照射機構72。夾 頭台71係構成為可吸引保持被加工物，藉由未圖示之加工 進给機構加工進給於第8圖中之箭號X所示之方向，並且藉 由未圖示之分度進給機構分度進給於第8圖中之箭號Y所示 之方向。上述雷射光線照射機構72係從安裝於實質上配置 成水平之圓筒形套管721前端的聚光器722照射脈衝雷射光 15 201232651 線。 參照第8及9圖，說明使用上述雷射加工裝置7而實施的 剝離用雷射光線照射步驟。要實施剝離用雷射光線照射步 驟，首先，如上述之第8圖所示，將上述接合於光元件晶圓 2的移δ又基板3所貼附之切割膠帶T側，載置於雷射加工裝置 7之夾頭台71上，藉由使未圖示之吸引機構動作，將光元件 晶圓2吸引保持於夾頭台71上。因此，吸引保持在夾頭台71 上之光元件晶圓2 ’係遙晶基板2〇之背面2〇b為上側。另外， 第8圖中，雖省略安裝有切割膠帶τ之環狀框F，但環狀框F 係保持在配設於夾頭台71之適當的保持機構。 若已如以上所述，將接合有移設基板3之光元件晶圓2 吸引保持在夾頭台71上，則如第9(a)圖所示，將夾頭台71 移動至雷射光線照射機構7 2之聚光器72 2所在的雷射光線 照射區域，將一端（在第9(a)圖中為左端）定位於雷射光線照 射機構72之聚光器722的正下方。然後，如第9(b)圖所示， 使從聚光器722照射之脈衝雷射光線的聚光點p聚焦於緩衝 層22。然後，使雷射光線照射機構72動作，從聚光器722照 射脈衝雷射光線’並且。使夾頭台71以預定之加工進給速 度移動於第9(a)圖中箭號XI所示之方向。並且，如第9(c) 圖所示，當磊晶基板20之另一端（第9(c)圖中之右端）到達雷 射光線照射機構62之聚光器622的照射位置，停止照射脈衝 光線，並且停止夾頭台71的移動（剝離用雷射光線照射步 驟）。該剝離用雷射光線照射步驟實施於緩衝層22的全面。 結果’緩衝層22分解，喪失了緩衝層22結合磊晶基板20與
S 16 201232651 光元件層21的機能。 上述剝離用雷射光線照射步驟中之加工條件例如設定 如下。 光源：激生分子脈衝雷射 波長：284nm 平均輸出：0.08W 重複頻率：50kHz 聚光點徑：p4〇〇ym 加工進給速度：20mm/秒 在實施上述剝離用雷射光線照射步驟時，由於藉由實 施上述移設絲步驟ϋ形^_為好㈣㈣道23切斷 移设基板3，而釋放因磊晶基板20與移設基板3之線膨脹係 數不同而產生於由磊晶基板2〇與移設基板3所構成之接合 體上的翹曲，故從聚光器722照射之脈衝雷射光線的聚光點 P可_貫地對位於緩衝層22。又，緩衝層22係以氮化鎵(GaN) 形成，藉由雷射光線的照射會分解成2GaN_>2Ga+N2，產 生N2氣體雖會對光元件層21產生不良影響，但由於移設基 板3可分割成各個光元件24，透過上述分割溝31可排出N2 氣體’而可減輕對光元件層21的不良影響。 若已如上述般實施剝離用雷射光線照射步驟，則實施 蟲晶基板剝離步驟，將蟲晶基板2〇從光元件層21剝離。亦 即’由於結合磊晶基板2〇與光元件層21之緩衝層22 ’因為 實施剝離用雷射光線照射步驟而喪失了結合機能，故如第 10圖所示，磊晶基板2〇可容易地從光元件層21剝離。結果’ 17 201232651 由於貼附於安裝在環狀框F之切割膠帶T表面的移設基板 3，因為實施上述移設基板切斷步驟，而與光元件層21—起 分割成各個光元件24，故可得到分割成各個接合在移設基 板3的光元件24。 C圖式簡單說明3 第1(a)、1(b)圖係藉由本發明之光元件晶圓加工方法所 加工之光元件晶圓的立體圖及放大重要部份而顯示的截面 圖。 第2(a)、2(b)圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之移 設基板接合步驟的說明圖。 第3圖係用以實施本發明之光元件晶圓分割方法中之 移設基板切斷步驟之第1實施形態的切削裝置的重要部分 立體圖。 第4(a)〜4(d)圖係顯示本發明之光元件晶圓分割方法 中之移設基板切斷步驟之第1實施形態的說明圖。 第5圖係用以實施本發明之光元件晶圓分割方法中之 移設基板切斷步驟之第2實施形態的雷射加工裝置的重要 部分立體圖。 第6(a)〜6(d)圖係顯示本發明之光元件晶圓分割方法 中之移設基板切斷步驟之第2實施形態的說明圖。 第7圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之光元件晶 圓支持步驟的說明圖。 第8圖係用以實施本發明之光元件晶圓分割方法中之 剝離用雷射光線照射步驟的雷射加工裝置的重要部分立體
S 18 201232651 圖。 ‘ 第9(a)〜9(c)圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之 剝離用雷射光線照射步驟的說明圖。 第10圖係本發明之光元件晶圓分割方法中之蟲晶基板 剝離步驟的說明圖。 【主要元件符號說明】 2...光元件晶圓 52...切削機構 20...蟲晶基板 521...切削刀 20a…表面 521a...箭號 20b...背面 53...拍攝機構 21...光元件層 6...雷射加工裝置 21a...表面 61...夾頭台 211...η型氮化鎵半導體層 62...雷射光線照射機構 212... ρ型氮化鎵半導體層 621...套管 22...緩衝層 622...聚光器 23...切割道 63...拍攝機構 24...光元件 7...雷射加工裝置 3...移設基板 71...夾頭台 3a._.表面 72...雷射光線照射機構 3b...背面 721...套管 31...分割溝 722...聚光器 4...接合金屬層 F...環狀框 5...切削裝置 T...切割膠帶 51...夾頭台 X、Y、X卜Z卜Z2...箭號 19

Claims (1)

  1. 201232651 七、申請專利範圍： 1. 一種光元件晶圓之加工方法，係在磊晶基板表面隔著緩 衝層進行層疊，於藉由形成為格子狀之複數切割道所區 劃出的複數區域形成光元件的光元件晶圓，將該光元件 晶圓中之光元件層移至移設基板之光元件晶圓加工方 法，其特徵在於包含有： 移設基板接合步驟，將移設基板接合於在該磊晶基 板表面隔著該緩衝層而層叠之該光元件層的表面； 移設基板切斷步驟，將接合於該光元件層表面之該 移設基板沿著該切割道與該光元件層一起切斷； 剝離用雷射光線照射步驟，將已實施該移設基板切 斷步驟之該移設基板貼附於保持構件，從層疊有已接合 該移設基板之該光元件層的該磊晶基板背面側，將透過 該磊晶基板之雷射光線定位聚光點照射於該緩衝層，藉 此，分解該緩衝層；及 磊晶基板剝離步驟，在實施該剝離用雷射光線照射 步驟後，從該光元件層剝離該磊晶基板。 2. 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓之加工方法，其中 該移設基板切斷步驟係藉由切削刀片沿著該切割道切 斷該移設基板。 3. 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓之加工方法，其中 該移設基板切斷步驟係藉由沿著該移設基板之切割道 照射雷射光線，而沿著該切割道切斷該移設基板。 S 20
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