TW201229659A - A method of patterning NAND strings using perpendicular SRAF - Google Patents

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201229659 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明概言之係關於半導體裝置，且 又符疋而言，传關 於半導體裝置之微影製造。 货、關 【先前技術】 、用於製造丰導體裝置之微影遮罩具有—構形。該構形改 Μ、改動及/或阻擋透過其之輻射以曝光半導體裝置層上 方之-光阻劑h使以學件來使輻射在其發送透過 罩時聚焦。雖㈣等光學件很精密，但製作具有小尺寸之 -半導體裝置之物理導致該遮罩及該半導體裝置之構形^ 間的差異以致對遮罩構形之修改將有助於形成具有所期望 構形之半導體裝置。 ’ 已開發出促進對具有-所期望構形之一_導體裝置之製 造之幾種技術。例示性技術包括選擇性衰減（例如，使用 一 7L光罩）、干涉（例如，使用相移遮罩）、反射（例如，使 用極i外光反射光學元件）及光束操縱。已使用次解析度 輔助特徵（SRAF)來改進諸如相移遮罩之遮罩之效能。然 而，依賴具有越來越小尺寸之特徵之現代半導體裝置之複 雜設計需要相移遮罩之改進。 【發明内容】 一實施例係關於一種微影遮罩。該微影遮罩包括形成於 —遮罩基板上之複數個圖案化特徵及形成於該遮罩基板上 之第一複數個次解析度輔助特徵（SrAF)。該複數個圖案化 特徵經定尺寸而等於或大於與該微影遮罩一起使用之一微 159038.doc 201229659 〆、 解析度極限，該微影系統具有一微影輻射源。 該複數個圖案化特徵中之每—者具有大於—寬度之一長 又X複數個圖案化特徵在該遮罩基板上沿著其長度延伸 朝向一第一縱向方向。豸第-複數個SRAF經定尺寸而小 於與該微影遮軍—起使用之該微影系統之_解析度極限。 該第-複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之一長 度。該第-複數個SRAF在該遮軍基板上沿著其長度延伸 朝向-第二縱向方向，&中該第二縱向方向實質上垂直於 第縱向方向。έ玄第一複數個SRAF位於兩個眺鄰圖案 化特徵之間。該卜複數個SRAF中之每—者之一第一戈 連接至該兩個毗鄰圖案化特徵中之一第一者之一側且該身 一複數個SRAF t之每—者之—第二端連接至該兩個此舞 圖案化特徵中之一 〇 第二者之一側 另一實施例係關於一種製作一經圖案化光阻劑層之方 法。该方法包括使該光阻劑層曝光於透過一微影遮罩之輕 射。-亥微影遮罩包括形成於一遮罩基板上之複數個圖案化 特徵及形成於該遮罩基板上之第一複數個次解析度輔助特 徵(SRAF)。該複數個圖案化特徵經定尺寸而等於或大於與 2微影遮罩-起使用之—微料統之—解析度極限，該微 〜系統具有一微景〉輻射源。該複數個圖案化特徵中之每一 者具有大於一寬度之一長度。該複數個圖案化特徵在該遮 罩基板上沿著其長度延伸朝向一第一縱向方向。該第一複 數個SRAF較尺寸而小於與職影遮罩—起使用之該微 影系統之一解析度極限。該第一複數個SRAF中之每一者 159038.doc -4- 201229659 具有大於-寬度之-長度。該第一複數個认^在該遮罩 基板上沿著其長度延伸朝向一第二縱向方向，其中該第二 縱向方向實質上垂直於該第一縱向方向。該第一複數個 SRAF位於兩個此鄰圖㈣特徵之間。該第_複數個sraf 中之每一者之一第一端連接至該兩個毗鄰圖案化特徵中之 一第一者之一側且該第一複數個SRAF中之每一者之一第 二端連接至該兩個毗鄰圖案化特徵中之一第二者之一側。 該方法亦包括選擇性地移除該光阻劑層之部分以便形成對 應於該複數個圖案化特徵之光阻劑圖案而不形成對應於該 等SRAF之光阻劑圖案。 另一實施例係關於一種製作一 NAND串之方法。該方法 包括在位於—基板上方之— ΝΑ·間極層上方沈積一光阻 劑層並使該光阻劑層曝光於透過一微影遮罩之輻射。嗜 影遮罩包括形成於-遮罩基板上之複數個圖案化特徵及形 成於該遮罩基板上之第一複數個次解析度輔助特徵 (SRAF)。該複數個圖案化特徵經定尺寸而等於或大於與該 微影遮罩-起使用之—微影系統之—解析度極限。該複數 個圖案化特徵中之每一者具有大於一寬度之一長度。該複 數個圖案化特徵在該遮罩基板上沿著其長度延伸朝向一第 一縱向方向。肖複數㈣案化特徵在形狀上對應於ΝΑ· 選擇閘極及NAND控制閘極。該第一複數mRAF經定尺寸 而小於與該微影遮罩一起使用4該微影系統之一解析度極 限。該第-複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之一 長度。該第一複數個SRAF在該遮罩基板上沿著其長度延 i5903S.doc 201229659 伸朝向-第二縱向方向，其中該第二縱向方向實質上垂直 於該第—縱向方向。該第-複數個SRAF位於兩個毗鄰圖 案化特徵之間。該第一複數個SRAF中之每一者之一第一 端連接至該兩個她鄰圖案化特徵中之一第—者之—側且該 第一複數個SRAF中之每—者之—第二端連接至該兩㈣ 鄰圖案化特徵中之-第二者之—側。該方法亦包括選擇性 地移除該光阻劑層之部分以便形成對應於該複數個圖案化 特徵之光阻劑圖案而不形成對應於該等SRAF之光阻劑圖 案及使用4等光卩且劑圖案作為—遮罩來Μ刻該财·問極 層以形成複數個NAND控制閘極及選擇閘極。 【實施方式】 光微衫係在半導體裝置微加工中用來選擇性地移除一薄 膜或大塊基板之部分之一過程。該過程使用輻射來將一幾 何圖案自-光罩轉印至該㈣或基板上之一幸昌射敏感化學 光阻劑或另—輻射敏感層。典型輻射源包括光、紫外線、 Χ射線及電子束源。於浸沒式微影中通常使用之輕射源發 射193 nm之峰值波長。然而，亦可具有其他波長。 為在一光阻劑中製作具有極小間距之圖案，可與一偶極 透鏡結合使用一相移遮罩（PSMp pSM致使一輻射源之相 位移位以使得由該輻射源發射之輻射之一個波之峰值與— 毗鄰波（偶極照明）之谷值相—致，從而有效地相互抵消且 製作在該等波之間小於該兩個波本身之一雙光束影像（_ 「陰影」影像）^該雙光束影像可用於製造具有低到該輻 射源之理論最小間距之一半之間距之圖案。在pSM製造技 159038.doc •6- 201229659 術中，輻射源光束透射穿過零度及18〇度，且當透過該 PSM遮罩時，導致對該輕射之零度階之消除。 如本文中所使用 — 圖案化特徵」係一光微影遮罩上 之經組態以在一光阻劑層中製作一實質上對應特徵之一特 徵°圖案㈣可具有—長度及—寬度。若該長度與該寬度 不同’則該長度表示該兩個維度中之較長者。—「次解析 度輔助特徵」（SRAF)係該遮罩上之被置於兩個相移圖案化 區域之間以改進該光阻劑中之所得經曝光及未經曝光區域 之形狀之一不透明特徵。較佳地，該等SRAF不在被曝光 之光阻劑中「印刷」但影響該光阻劑處之輻射強度剖面。 SRAF改進影像之反差且由此改進所印刷影像之由其中放 置。亥人解析度輔助特徵之相移區域而引起之清晰度。該複 數個圖案化特徵經尺寸而等於或大於與該微影遮罩一起 使用之一微影系統之一解析度極限，該微影系統具有一微 汾幸田射源。该等SRAF經定尺寸而小於與該微影遮罩一起 使用之”玄祕影系統之一解析度極限。較佳地，具有 大於一寬度之一長度。 如同圖案化特徵，SRAF可具有一長度及一寬度。一 垂直」SRAF係其縱向方向（即，較長方向）實質上平行於 其意欲改進之圖案化特徵之縱向方向之一 SRAF ^ —「水 平」SRAF係其縱向方向實質上垂直於其意欲改進之圖案 化特徵之縱向方向之—齡卜「實#上平行」係指加上或 減去3度。亦即，自_3度至3度。「實質上垂直」係指加上 或減去3度。亦即，自87度至93度。 159038.doc 201229659 一 光阻劑」可界定為在微影之過程中用來在一表面上 形成一經圖案化塗層之一輻射敏感材料。光阻劑通常歸類 為正光阻劑或負光阻劑。正光阻劑區域在選擇性曝光於輻 射時變得對化學蝕刻更敏感且在顯影過程中被移除。與此 相反，負光阻劑區域在選擇性曝光於輻射時變得耐化學蝕 刻。當使用負光阻劑時，該光阻劑之未經曝光區在顯影過 程中被移除。 另外，如本文中所使用，「實質上不透明」之一材料係 一種具有在受到關注之一輻射波長或頻率下小於1〇%之一 輻射透射比之材料。較佳地，該輻射透射比為5_6%。如本 文中所使用，該等實質上不透明材料可視需要具有一 18〇 度相變角纟。「實質上透明」材料具有在受到關注之一輻 射波長或頻率下大於75%之一輻射透射率。該實質上不透 明材料包括但不限於鉻或石夕化翻。實f上透明之該材料包 括但不限於玻璃或石英。 一類型之一習用遮罩100。第 圖1A及圖1B圖解說明一第 一習用微影料⑽包括_透明基板1()2及已關案化以形 成實質上不透明圖案化特徵104之一層實質上不透明材 料。開口！06位於該層實質上不透明材料中之圖案化特徵 之間且分隔該等圖案化特徵。開口⑽延伸至透明基板⑽ 之表面。 較佳與-正光阻劑結合使用第一習用微影遮罩⑽。习 將遮罩⑽置於一輕射源與頂上具有一光阻劑層之一晶圓 或裝置來自㈣⑽源之輻射透過該透明基板及 159038.doc 201229659 實質上不透明圖案化特徵1〇4之間的開口 ι〇6至下方之正光 阻劑。經曝光正光阻劑顯影，亦即，變得對化學姓刻更敏 感。可藉由灰化或任何其他合適技術來移除對應於圖宰化 特請之未經曝光正光阻劑，從而留下'經圖案化正光 阻劑層（即’用作一遮罩以敍刻下伏材料之軌道形抗钱劑 線）。 圖2A及圖2B圖解說明—第：類型之—f用微影遮罩 1嶋。第二U微影遮罩⑽a包括—透明基板⑽及已藉 助圖案化特徵1〇4a圖案化之一層實質上不透明材料108。曰 在個態樣中，圖案化特徵1〇4a係延伸至透明基板_之 表面之開口 1〇6。在另-態樣中，圖案化特徵1〇4a包括開 口 106中之一透明材料。 較佳與-負光阻劑結合使用第二習用微影遮罩⑽a。可 將遮罩100a置於一輻射源與頂上具有一光阻劑層之一晶圓 或裝置晶粒之間。來自該輻射源之輕射透過該透明基板及 實質上不透明材料⑽中之圖案化特徵1〇乜至下方之負光 阻劑。經曝光負光阻劑顯影’亦即，變得對灰化或顯影不 敏感。對應於圖案化特徵104a之經曝光光阻劑保留而未經 曝光光阻劑部分藉由灰化或其他方法移除。剩下的軌道形 抗蝕劑線用作一遮罩以蝕刻下伏材料。 圖3A圖解說明經組態以用於製作一 Μ·串之一習用微 影遮罩祕。習用微影遮罩1〇〇b包括經確定尺寸且經配置 以在光阻劑下方之NAND串中形成字線（WL)及選擇問極 ⑽之圖案化特徵WL，SRAF。在該習用設計中，垂 159038.doc 201229659 直（平行於其中該SRAF之長度平行於該5(}長度之選擇間極 特徵SG貫穿）次解析度輔助特徵SRAF提供於對選擇閘極特 徵SG之間。如上所述，垂直8尺八1?改進影像之反差且由此 改進所印刷影像於下伏光阻劑中之清晰度。 在當前技術水平下，藉助偶極照明之38 nm間距、19 特徵尺寸（半間距）相移使用具有一大數值孔徑之照明（圖 3B)(數值孔徑越大，可製作之間距就越小）。例如，丨之 一數值孔徑可藉助浸沒式微影達成。然而，如圖3B中所圖 解說明，使用1.35之一數值孔徑及大單位之部分相干性 (σίη=0.88 ' σ_=0.98)導致一極窄的輻射光束透過遮罩 100b。 圖3C圖解說明使用具有圖3B中所圖解說明之偶極照明 之習用微影遮罩l〇〇b之一模擬之結果。如該模擬中所圖解 說明，子線WLx及選擇閘極sGx之光阻劑區域可印刷於該 裝置基板上方之該光阻劑層中。然而，在上述過程條件 下，SRAF假影SRAFx亦在該光阻劑層中印出。此等假影 干擾進一步製造過程。因此，具有能夠製作具有諸如19 nm特徵尺寸（38 nm間距）之一小特徵尺寸及間距之裝置之 '被影遮罩將係有利的。 圖4係兩個習用遮罩及本發明之一實施例之一遮罩之佈 局之一並排比較❶畫面（a)圖解說明具有垂直Sraf 110b(與 在圖3A中相同）之一習用微影遮罩。晝面（b)圖解說明具有 島狀/孔狀SRAF之習用微影遮罩i〇〇c。晝面（c)圖解說明具 有水平SRAF 400之一微影遮罩之一實施例。島狀/孔狀 159038.doc 201229659 SRAF包含不接觸WL及SG圖案化特徵之一系列小型等尺寸 特徵。島狀/孔狀SRAF可形成呈一單線（lxn)或呈一矩陣 (nxm) 〇 不同於習用遮罩100b、100c ’圖4(c)中所圖解說明之水 平SRAF微影遮罩400包括垂直於或實質上垂直於圖案化特 徵、字線WL及選擇閘極SG之水平、軌道形次解析度輔助 特徵SRAF 1、SRAF2。本發明者已意外地發現藉助使用水 平次解析度輔助特徵，具有一 76 nm間距之38 nm特徵可印 刷於該光阻劑中而無SRAF假影印刷於該光阻劑中。實險 上，藉助垂直於且連接至欲印刷之圖案化特徵之狄从之 印刷據信與習用方法相反。每一 SRAF之—第一端連接至

該兩個毗鄰圖案化特徵中之一第一者之—側。每_ sraF 之一第二端連接至該兩個®比鄰圖案化特徵中之一第二者之 一側0 如所圖解說明，水平SRAF微影遮罩4〇〇包括兩組水平次 解析度輔助特徵SRAF1、SRAF2。第-組水平次解析度輔 助特徵SRAF1貫穿於用於使位於一半導體通道上方之毗鄰 NAND串之選擇閘極成像之毗鄰選擇閘極圖案化特徵8〇之 間。第二組水平次解析度輔助特徵SRAF2貫穿於用於使一 NAND串之毗鄰字線（例如，控制閘極）及選擇閘極成像之 一字線WL圖案化特徵與一毗鄰選擇閘極S(}圖案化特徵之 間。在替代實施例中，水平SRAF微影遮罩4〇〇可只包括第 一組水平次解析度輔助特徵SRAF1或第二組水平次解析度 辅助特徵SRAF2。較佳地，水平次解析度辅助特徵此納 159038.doc 201229659 連接至兩個毗鄰圖案化特徵SG，而SRAF2連接至毗鄰WL 及SG圖案化特徵。 圖5A係圖4(c)中所圖解說明之水平SRAF遮罩400之一放 大圖解。水平SRAF遮罩400可用於圖案化例如可用於一非 揮發性記憶體中之NAND串。表示為SG之特徵可對應於選 擇閘極而標記為WL之特徵可對應於該NAND串之電晶體之 字線。在一實施例中，表示為SG之特徵係毗鄰NAND串之 汲極側NAND選擇閘極且間隔開大約400 nm。在此實施例 中，第一水平次解析度輔助特徵SRAF 1較佳具有小於25 nm之一寬度及小於75 nm之一間距。 在另一實施例中，表示為SG之特徵係毗鄰NAND串之毗 鄰源極側NAND選擇閘極且間隔開大約1 50 nm。在此實施 例中，第一水平次解析度輔助特徵SRAF 1較佳具有小於25 nm之一寬度及小於75 nm之一間距。在另一實施例中，第 一圖案化特徵SG係一 NAND選擇閘極，第二圖案化特徵 WL係NAND字線或控制閘極且NAND串之一 NAND選擇閘 極與一 ®比鄰NAND控制閘極之間的距離為大約3 8 nm。水平 SRAF遮罩400之其他實施例可包括上述實施例中之任一者 或全部之組合。 圖5B係圖解說明透過可與圖5 A之遮罩一起使用之一偶 極透鏡之偶極照明之一繪圖。與圖3B中針對習用SRAF微 影遮罩100b所圖解說明之偶極照明相反，水平次解析度輔 助特徵SRAF 1、SRAF2與偶極照明之中心極501互動且不 印刷。在曝光之後，選擇性地移除該光阻劑之部分以便形 159038.doc -12- 201229659 成對應於該複數個圖案化特徵之光阻劑圖案而不形成對應 於該等SRAF之光阻劑圖案。使用該等光阻劑圖案作為一 遮罩來敍刻—層（諸如位於—半㈣通道上方及該等光阻 劑圖案下方之-導電間極層）以在移除該等光阻劑圖案之 後在該層中形成線形特徵（例如，閘極電極）。 圖6A及圖6B圖解說明藉助一水平SRAF微影遮罩彻之一 實施例製作之-光阻劑之圖案之模擬。圖6A中之模擬係基 於一聚焦H射源製作’而W6B中所圖解說明之模擬係基於 使用一離焦輻射源（約5〇 nm之離焦）製作。如在該兩個模 擬中可看至]所期望特徵Li、SQ印刷於沒有任何此AF印 刷之杬蝕劑中^ L1及SO執道形抗蝕劑區域可在蝕刻-下伏 摻雜多晶秒、金屬或⑪化物層期間用作—遮罩以形成控制 =選擇閘極。雖然:上文已闡述财仙串之製造，但應注 意’該垂直SRAF微影方法可用於圖案化任—類型之一裳 置中之任一合適特徵。 儘官上文參考特定較佳實施例，但亦理解，本發明並不 受限於此。熟習此項技術者會想到可對所揭示實施例做各 種修改且此等修改意欲歸屬於本發明之範疇。本文中所引 用之A pg H案、專利中請案及專利皆以全文引用方式併 入本文中。 【圖式簡單說明】 圖1A圖解說明具# —透明基板及若干實質上不透明圖案 化特欲之一微影遮罩之一平面圖。 圖1B圖解說明圖1A之微影遮罩之一側面剖視圖。 159038.doc -13· 201229659 圖2A圖解說明具有一透明基板及若干透明圖案化特徵之 一微影遮罩之一平面圖。 圖2B圖解說明圖2 A之微影遮罩之一側面剖視圖。 圖3A圖解說明一NAND串之一習用微影遮罩。 圖3B係圖解說明與圖3A之遮罩一起使用之大數值孔徑 偶極照明之一繪圖。 圖3C係圖解說明藉助使用圖3A之習用微影遮罩形成之 圖案之一模擬。 圖4係微影遮罩之一並排比較，其包括：（a)習用SRAF、 (b)習用島狀/孔狀SRAF及（c)水平SRAF之一實施例。 圖5A圖解說明一 NAND串之一水平SRAF微影遮罩之一 實施例。 圖5B係圖解說明可與圖5A之遮罩一起使用之偶極照明 之一繪圖。 圖6A係藉助具有一聚焦輻射源之水平SRAF微影遮罩之 一實施例製作一圖案之一模擬。 圖6B係藉助具有一離焦輻射源之水平SRAF遮罩之一實 施例製作之一圖案之一模擬。 【主要元件符號說明】 100 習用微影遮罩 100a 習用微影遮罩 100b 習用微影遮罩 100c 習用微影遮罩 102 透明基板 159038.doc -14- 201229659 104 實質上不透明圖案化特徵 104a 圖案化特徵 106 開口 108 實質上不透明材料 400 水平次解析度輔助特徵 LI 所期望特徵 SO 所期望特徵 SG 選擇閘極 SRAF 次解析度輔助特徵 SRAF1 轨道形次解析度辅助特徵 SRAF2 軌道形次解析度輔助特徵 WL 字線 159038.doc 15·

Claims (1)

1. 201229659 七、申請專利範圍： 1. 一種微影遮罩，其包含： 形成於一遮罩基板上之複數個圖案化特徵；及 形成於°亥遮罩基板上之第-複數個次解析度輔助特徵 (SRAF)； 其中： 該複數個圖案化特徵經定尺寸而等於或大於與該微影 遮罩-起使用之一微影系統之一解析度極限，該微影系 統具有一微影輻射源； 該複數個圖案化特徵中之每一者具有大於一寬度之一 長度； 該複數個圖案化特徵在該遮罩基板上沿著其長度延伸 朝向一第一縱向方向； 違第-複數個SRAF經定尺寸而小於與該微影遮罩一起 使用之該微影系統之一解析度極限； 該第一複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之一長 度； & 該第一複數個SRAF在該遮罩基板上沿著其長度延伸朝 向-第二縱向方向’其中該第二縱向方向實質上垂直於 該第一縱向方向； 該第一複數個SRAF位於兩個毗鄰圖案化特徵之間； 該第一複數個SRAF中之每-者之—第—端連接至該兩 個毗鄰圖案化特徵中之一第一者之一側；且 該第一複數個SRAF中之每-者之—第二端連接至該兩 I59038.doc 201229659 個毗鄰圖案化特徵令之—第二者之 側 2. 如請求項！之微影遮罩， 早其令該複數個圖案化特徵及該 第一複數個S驗包含一實質上不透明材料’且該遮罩基 板包含對該微影輕射源之輕射實質上透明之一材料。 3. 如請求項2之微影遮罩，其 絡或石夕仙，且該W上不透明材料包含 透明之材料包含玻璃或石英。 4. 如請求項丨之微影遮罩，其中： 、 遮罩基板包含對該微影輻射源之輻射實質上透明之-材料，且 該複數個圖案化特徵及該第一複數個sraf包含： 〇)該遮罩基板上之—實質上不透明材料層中之開口；或 ⑴）對S亥微影輪射源之輻射眘 <平曰珩貫質上透明之一材料，該材 料位於該遮罩基板上之該實質上不透明層之部分之 間。 5. 如請求項4之微影遮罩’其中該實質上不透明材料包含 6 · 鉻或石夕化_，且該實質上透明之材料包含玻璃或石英。 如請求項1之微影遮罩，其中： 該複數個圖案化特徵中 v 为包含延伸朝向該 第一方向彼此延伸之複數個軌道形特徵；且 該第一複數個SRAF包含延伸朝向該第二方向彼此延伸 之複數個執道形特徵。 7_如請求項1之微影遮罩，其中： 該微影遮罩經組態以圖案化NAND閘極層； 該複數個圖案化特徵在形狀上對應於Μ·選擇間極 159038.doc 201229659 及NAND控制閘極，·且 該複數個圖案化特徵中之每一者在形狀上對應於該 NAND選擇閘極或該NAND控制閘極。 8.如請求項7之微影遮罩，其中： • $兩個❹圖案化特徵中之該第-者在形狀上對應於 - 一第一沒極側NAND選擇閉極； 該兩個田比鄰圖案化特射之該第二者在形狀上對應於 一毗鄰第二汲極NAND選擇閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一預定距離以圖案化間隔開大約4〇〇 nm之毗鄰汲極側 NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該預定距離之 一長度以圖案化毗鄰汲極側NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度；且 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距。 9·如請求項7之微影遮罩，其中： 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 一第一源極側NAND選擇閘極； 该兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 一批鄰第二源極側NAND選擇閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一預定距離以圖案化間隔開大約15〇 nm之毗鄰源極側 NAND選擇閘極； 159038.doc 201229659 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該預定距離之 一長度以圖案化毗鄰源極側NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度；且 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距。 1 0.如請求項7之微影遮罩，其中： 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 該NAND選擇閘極； 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 該NAND控制閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一預定距離以圖案化間隔開大約3 8 nm之一毗鄰NAND 選擇閘極及NAND控制閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該預定距離之 一長度以圖案化一毗鄰NAND選擇閘極及NAND控制閘 極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度；且 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距。 11.如請求項7之微影遮罩，其進一步包含形成於該遮罩基 板上之第二複數個SRAF，其中： 該第二複數個SRAF經定尺寸而小於與該微影遮罩一起 使用之該微影系統之一解析度極限； 該第二複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之一長 159038.doc -4- 201229659 度； 該第二複數個S R A F在該遮罩基板上沿著其長度延伸朝 向該第二縱向方向， 該第二複數個SRAF位於該兩個毗鄰圖案化特徵中之該 第一者與該複數個圖案化特徵甲之一第三圖案化特徵之 間； 該複數個圖案化特徵中之該第三圖案化特徵位於毗鄰 於該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者之與該第一複數 個SRAF之一位置之一相對側處； 該第二複數個SRAF中之每一者之一第一端連接至該兩 個毗鄰圖案化特徵中之該第一者之一側；且 該第二複數個SRAF中之每一者之一第二端連接至該複 數個圖案化特徵中之該第三圖案化特徵之一側。 12.如請求項11之微影遮罩，其中： 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 一第一源極或汲極側NAND選擇閘極； 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 一毗鄰第二源極或汲極側NAND選擇閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一第一預定距離以圖案化間隔開大約15〇 nm或以上之 田比鄰第一及第二源極或及極側NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該第一預定距 離之一長度以圖案化毗鄰第一及第二源極或汲極側 NAND選擇閘極； 159038.doc 201229659 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度； 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距； 該複數個圖案化特徵中之該第三圖案化特徵在形狀上 對應於該NAND控制閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第三毗鄰圖案化特徵間隔 開一第二預定距離以圖案化間隔開大約38 一毗鄰 NAND選擇閘極及NAND控制閘極； 該第二複數個SRAF中之每一者具有等於該第二預定距 離之—長度； 該第二複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度；且 該第二複數個SRAF具有小於75 nm之一間距。 .如請求項12之微影遮罩，其進—步包含在形狀上對應於 該等NAND控制閘極之該複數個圖案化特徵中之複數個 額外圖案化特徵’其中該複數個額外特徵位於她鄰於該 第三圖案化特徵處且實質上平行於該第三圖案化特徵延 伸。 14.如請求項1之微影遮罩，其中： 該第一縱向方向盘讀笼 忑弟一縱向方向之間的一角度介於 87度與93度之間；且 該微影輻射源包含發射193叫一峰值波長之一浸沒 式微影輻射源。 •-種製作一經圖案化光阻劑層之方法，其包含： 159038.doc 201229659 使該光阻劑層曝光於穿過一微影遮罩之輻射，該微影 遮罩包含： 形成於一遮罩基板上之複數個圖案化特徵；及 形成於該遮罩基板上之第一複數個次解析度輔助特 徵（SRAF); 其中： 該複數個圖案化特徵經定尺寸而等於或大於與該微 影遮罩一起使用者之一微影系統之一解析度極限，該 微影系統具有一微影輻射源； 該複數個圖案化特徵中之每一者具有大於一寬度之 一長度； 該複數個圖案化特徵在該遮罩基板上沿著其長度延 伸朝向一第一縱向方向； 忒第一複數個SRAF經定尺寸而小於與該微影遮罩 一起使用之該微影系統之一解析度極限； 該第一複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之 一長度； 〇玄第複數個SRAF在該遮罩基板上沿著其長度延 伸朝向-第二縱向方向，其中該第二縱 垂直於該第一縱向方向； 該第一複數個SRAF位於兩個毗鄰圖案化特徵之 間； ’ 該第一複數個SRAF中U一者之一第一端連接至 該兩個毗鄰圖案化特徵中之一第一者之—側；且 I59038.doc 201229659 該第-複數個SR，之每一者之一第二端連接至 該兩個田比鄰圖案化特徵中之一第二者之一側；及 選擇性地移除該光阻劑層之部分以便形成對應於該複 數個圖案化特徵之光阻劑圖案而不形成對應於該等sraf 之光阻劑圖案。 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 求員15之方法，其中該輻射係選自由光、紫外線、 X射線及電子束組成之群組。 如明求項16之方法，其中該輻射具有193⑽之—峰值波 如請求項15之方法 如請求項18之方法 部分曝光於該輻射 如請求項15之方法 如請求項20之方法 部分曝光於該輻射 如請求項15之方法 之一偶極輻射。 如請求項1 5之方法 75 nm之一間距。 其中該光阻劑層係一負光阻劑。 其中不使該光阻劑層之該等被移除 其中該光阻劑係一正光阻劑。 其中不使該光阻劑層之該等被移除 其中s玄輻射係透過一偶極透鏡傳遞 其中該複數個圖案化特徵具有小於 如請求項15之方法，其進一步包含： 使用該等光阻劑圖案作為一遮罩來蝕刻位於該等光阻 劑圖案下方之一層以在該層中形成線形特徵；及 移除該等光阻劑圖案。 如請求項24之方法，其中該等線形特徵包含nand控制 159038.doc 201229659 閘極及NAND選擇閘極。 26. 一種製作一 NAND_之方法，其包含： 在位於-基板上方之_ Nand閘極層上方沈積一光阻 劑層； 使該光阻劑層曝光於穿過一微影遮罩之㈣，該微影 遮罩包含： 形成於一遮罩基板上之複數個圖案化特徵；及 幵y成於J遮罩基板上之第—複數個次解析度輔助特 徵（SRAF); 其中： ，該複數個圖案化特徵經定尺寸而等於或大於與該微 影遮罩一起使用之—微影系統之一解析度極限，該微 影系統具有一微影輻射源； 該複數個圖案化特徵中之每一者具有大於一寬度之 一長度； 該複數個圖案化特徵在該遮罩基板上沿著其長度延 伸朝向一第一縱向方向； 該複數個圖案化特徵在形狀上對應於選擇閘 極及NAND控制閘極； 該第-複數個SRAF經定尺寸而小於與該微影遮罩 一起使用之該微影系統之一解析度極限； 該第一複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之 一長度； 該第一複數個SRAF在該遮罩基板上沿著其長度延 I59038.doc 201229659 伸朝向-第二縱向方向，其中該第二縱向方向實質上 垂直於該第一縱向方向； 。亥第複數個SRAF位於兩個毗鄰圖案化特徵之 間； 該第一複數個SRAF中之每一者之一卜端連接至 該兩個毗鄰圖案化特徵中之一第一者之一側；且 該第一複數個SRAF中之每—者之—第二端連接至 該兩個她鄰圖案化特徵中之一第二者之一側；及 選擇f生地移除該光阻劑層之部分以便形成對應於該 複數個圖案化特徵之光阻劑圖案而不形成對應於該等 SRAF之光阻劑圖案；及 使用該等光阻劑圖案作為-遮罩來姓刻該NAND閘極 層以形成複數個N A N D控制閘極及選擇閘極。 27·如請求項26之方法’其中該複數個圖案化特徵中之每— 者在形狀上對應於該NAND選擇閘極或該nand控制閘 極0 28.如請求項27之方法，其中： 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 一第一汲極側NAND選擇閘極； 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 一毗鄰第二汲極NAND選擇閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一預定距離以圖案化間隔開大約400 nm之毗鄰汲極側 NAND選擇閘極； 159038.doc -10· 201229659 該第-複數個SRAF中之每—者具有等於該駭距離之 一長度以圖案化毗鄰汲極側NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25證之一寬 度； 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距；且 使用該等光阻劑圖案作為一遮罩來蝕刻該nand閘極 層之該步驟形成間隔開大約4〇〇 nm之兩個毗鄰汲極側 NAND選擇閘極。 29.如請求項27之方法，其_ : 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 一第一源極側NAND選擇閘極； 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 一毗鄰第二源極側NAND選擇閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一預定距離以圖案化間隔開大約15〇 nm之毗鄰源極側 NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該預定距離之 一長度以圖案化毗鄰源極側NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度； 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距；且 使用該等光阻劑圖案作為一遮罩來蝕刻該nand閘極 層之該步驟形成間隔開大約150 nm之兩個毗鄰源極側 NAND選擇閘極。 159038.doc -11- 201229659 30.如請求項27之方法，其中： 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 該NAND選擇閘極； 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 該NAND控制閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一預定距離以圖案化間隔開大約38 nm之一毗鄰NAND 選擇閘極及NAND控制閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該預定距離之 一長度以圖案化一毗鄰NAND選擇閘極及NAND控制閘 極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度； 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距；且 使用該等光阻劑圖案作為一遮罩來蝕刻該NAND閘極 層之該步驟形成間隔開大約38 nm之毗鄰NAND選擇閘極 及NAND控制閘極。 3 1.如請求項27之方法，其進一步包含形成於該遮罩基板上 之第二複數個SRAF，其中： 該第二複數個SRAF經定尺寸而小於與該微影遮罩一起 使用之該微影系統之一解析度極限； 該第二複數個SRAF中之每一者具有大於一寬度之一長 度； 該第二複數個SRAF在該遮罩基板上沿著其長度延伸朝 159038.doc -12- 201229659 向該第二縱向方向， 該第二複數個SRAF位於該兩個毗鄰圖案化特徵中之該 第一者與該複數個圖案化特徵中之一第三圖案化特徵之 間； ' 該複數個圖案化特徵中之該第三圖案化特徵位於毗鄰 於該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者之與該第一複數 個SRAF之一位置之一相對側處； 該第二複數個SRAF中之每—者之—第—端連接至該兩 個毗鄰圖案化特徵中之該第一者之一側；且 該第二複數個SRAF中之每一者之一第二端連接至該複 數個圖案化特徵中之該第三圖案化特徵之一側。 3 2.如請求項3 1之方法，其中： 该兩個毗鄰圖案化特徵中之該第一者在形狀上對應於 一第一源極或汲極側NAND選擇閘極； 該兩個毗鄰圖案化特徵中之該第二者在形狀上對應於 一毗鄰第二源極或汲極側NAND選擇閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第二毗鄰圖案化特徵間隔 開一第一預定距離以圖案化間隔開大約i5〇 nm或以上之 一毗鄰第一及第二源極或汲極側NAND選擇閘極； 該第一複數個SRAF中之每一者具有等於該第一預定距 離之一長度以圖案化毗鄰第一及第二源極或汲極側 NAND選擇閘極； 6亥第一複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度； 159038.doc S 201229659 該第一複數個SRAF具有小於75 nm之一間距； 該複數個圖案化特徵中之該第三圖案化特徵在形狀上 對應於該NAND控制閘極； 該第一毗鄰圖案化特徵與該第三毗鄰圖案化特徵間隔 開一第二預定距離以圖案化間隔開大約38 nm之一毗鄰 NAND選擇閘極及NAND控制閘極； 該第二複數個SRAF中之每一者具有等於該第二預定距 離之一長度； 該第二複數個SRAF中之每一者具有小於25 nm之一寬 度；且 該第二複數個SRAF具有小於75 nm之一間距。 33.如請求項32之方法，其中： 單次曝光該光阻劑層以形成該等光阻劑圖案；且 使用該等光阻劑圖案作為一遮罩來蝕刻該NAND閘極層 之該步驟在一半導體通道上方形成以下NAND閘極： 間隔開大約400 nm之兩個毗鄰汲極側NAND選擇閘 極； 間隔開大約1 50 nm之兩個毗鄰源極側NAND選擇閘 極； 該NAND串之複數個毗鄰NAND控制閘極； 該NAND串之一第一端NAND控制閘極係以大約38 nm與一毗鄰源極側NAND選擇閘極間隔開；且 該NAND串之一第二端NAND控制閘極係以大約38 nm與一 ®比鄰沒極側NAND選擇閘極間隔開。 159038.doc -14- 201229659 34.如請求項26之方法，其進一步包含在該微影遮罩與該光 阻劑層之間提供一流體以便該曝光步驟包含一浸沒式微 影步驟。 159038.doc -15-