TW201229560A - Illumination optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing device - Google Patents

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Description

201229560 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明有關照明光學系統'曝光裝置、及製造裝置的 方法。 【先前技術】 爲改善曝光裝置之解析度,該RET (Resolution Enhancement Technology,解析度增強技術)或諸如環狀 照明及四極照明之修改照明方法一般被採用。尤其於EU V (Extreme Ultraviolet,極紫外線)照明光學系統中,抵 達基板的光之強度隨著鏡片數目中之增加而減少,故孔徑 光闌被使用於擷取光線,代替提供用於修改照明之鏡片單 元。於如此做中,藉由該孔徑光闌所遮蔽之光束的數量係 增加,導致具有低效率之照明。譬如,日本專利公開申請 案第11-312638號中之圖18敘述一實施例,其中來自光源 之EUV光束進入蠅眼鏡片20a及20b,而未藉由鏡片15被一 致化成平行之光束。於此實施例中,對應於想要之修改照 明的孔徑光闌50a至50 f被插入該蠅眼鏡片20b之前面’以 局部地遮蔽該光束,藉此施行修改照明。於此—組構中’ 來自該光源之光束的角度分佈之非一致性係直接反映在該 環狀強度分佈上,故該有效光源分佈之一致性降級’如此 不利地影響該解析度性能。 【發明內容】 -5- 201229560 本發明提供一技術,其在照明光學系統中有利於形成 均勻之光強度分佈,同時消除來自該光源之光的角度分佈 之非一致性。 本發明之第一態樣提供一照明光學系統,其以來自光 源之光照明一照明表面,該系統包括:分隔器,其將來自 該光源之光分隔,以產生複數光束;第一反射積分器,其 使藉由該分隔器所產生之複數光束的光強度分佈一致;聚 光器,其聚集來自該第一反射積分器之光束;第二反射積 分器,其接收來自該聚光器之光束並照明該照明表面;以 及孔徑光闌,被配置於該第二反射積分器及該照明表面之 間,其中該分隔器產生複數光束,使得該複數光束進入其 上配置該孔徑光闌的一平面,每一光束具有與被提供由該 光源至該分隔器之光的橫截面形狀不同之橫截面形狀。 本發明之第二態樣提供一曝光裝置,其將基板暴露至 光線,該裝置包括:如本發明的第一態樣所界定之照明光 學系統,其被建構成照明一原件;以及投射光學系統,其 將該原件之圖案投射至該基板上。 本發明之第三態樣提供製造裝置之方法,該方法包括 以下步驟:使用如本發明的第二態樣所界定之曝光裝置將 基板暴露至光線;以及使該基板顯影。 本發明的進一步特徵參考所附圖式由下述之示範實施 例將變得明顯。 【實施方式】
S -6- 201229560 根據本發明之實施例的曝光裝置EX及照明光學系統IL 將參考圖1被敘述。根據本發明之實施例的曝光裝置EX包 含光源L S、該照明光學系統I l、投射光學系統p 〇、原件驅 動機構26、及基板驅動機構29。該光源LS被容納在真空室 8中。該照明光學系統I l、投射光學系統p 〇、原件驅動機 構26、及基板驅動機構29構成該曝光裝置EX之主要本體, 且被容納在真空室30中。雖然該曝光裝置EX能被建構成例 如使用EUV (極紫外線)光當作曝光光線的Euv曝光裝置 ’其可被建構成使用另一光線(譬如,雷射光)之曝光裝 置。然而’該曝光裝置EX被建構成EUV曝光裝置之詳細範 例將在下文被給與。 該光源LS以藉由高功率脈衝式雷射、諸如藉由脈衝式 電源所驅動之C02雷射所放射的光線照射該真空室8中之電 漿介質,藉此由該電漿介質產生具有高能量密度之電漿2 。譬如Sn液滴能被用作該電漿介質。具有約13.5奈米波長 之EUV光係藉由來自該電漿2的熱輻射所產生。使用此雷 射光的電漿產生方案之光源被稱爲雷射產生之電漿EUV光 源。 當作另一光源LS,一光源施加藉由用作電流供給源的 脈衝式電源所激發之脈衝式電流至放電頭以放電,藉此使 用藉由該放電所產生之能量由電極間之電漿介質產生具有 高能量密度之電漿2。此一光源被稱爲放電產生電漿EUV 光源。諸如Z箍縮、電漿聚焦、及毛細管放電之各種放電 激發方案係可用於放電產生電漿EUV光源。放電產生電漿 -7- 201229560 EUV光源中之電漿介質的範例係Xe氣體。該電漿介質之其 他範例包含Sn蒸氣。在該後一情況中,具有約13.5奈米波 長之光的光強度能被增加。 諸如球面鏡之聚光鏡4將藉由該電漿2所放射之EUV光 5聚集在針孔孔徑7上,該針孔孔徑7設在該等真空室8及30 間之邊界表面上》如需要,不只用於移除直接地由該電漿 及其附近散佈至該前面之散佈微粒(碎屑)的濾光片6 a能 被配置於該聚光鏡4及該孔徑7之間,同時用於移除EUV曝 光所不需要之波長分量的濾光片6b也能被配置於這些光學 元件之間。該光源LS的真空室8及該曝光裝置EX之主要本 體的真空室30係藉由連接器9彼此連接,且如需要被區別 地抽空。 注意該聚光鏡4能藉由在基底材料上形成反射多層薄 膜而被形成,以便有效率地反射EUV光。既然該聚光鏡4 吸收由該電漿2在高溫所輻射之能量,其於基板28之曝光 期間加熱至高溫。因此,該聚光鏡4之基底材料係藉由諸 如具有高導熱性之金屬的材料所形成,並藉由冷卻機構、 諸如水冷卻機構所冷卻。相同地,構成該照明光學系統IL 及投射光學系統PO (待稍後敘述)之鏡片係設有抗反射薄 膜’以便有效率地反射EUV光,故其基底材料能藉由諸如 具有高導熱性之金屬的材料所形成,並藉由冷卻機構所冷 卻。 該照明光學系統IL以已通過該孔徑7之EUV光照明一 照明表面或原件(反射原件25 )。該照明光學系統IL將例 -8- 201229560 示如下。自該光源LS經由該孔徑7所提供之EUV光5進入分 隔器DIV。該分隔器DIV分隔來自該光源LS之EUV光5,以 產生複數光束。注意該分隔器DIV包含具有不同功能之複 數光學構件101、102及103 (參見圖4,關於該光學構件 103 ),且選自該複數光學構件1〇1、1〇2及103的一光學構 件被插入來自該光源LS之EUV光的光徑。於圖1所示範例 中,該光學構件1 0 1被插入該光徑中。該照明.光學系統IL 能包括一操縱機構,用於互相交換該等光學構件101、102 及103。在該等光學構件101、102及103之中,被插入該光 徑中之光學構件1 〇 1係藉由驅動機構1 1中所提供之固持機 構所固持,且係藉由該驅動機構1 1所驅動。該驅動機構1 1 驅動該分隔器DIV (光學構件101、102及103),以便改變 藉由該分隔器DIV所產生的複數光束之行進方向,且更特 別地是,以便改變在其上配置孔徑光闌22 (待稍後敘述) 的平面上所形成之光強度分佈。 藉由該分隔器DIV所產生之複數光束能藉由用作任意 之構成元件的轉換器12被轉換成平行光束。該轉換器12能 包含複數凹鏡12a至12h,其分別將藉由該分隔器DIV所產 生之複數光束轉換成平行光束,如圖2A至4B所說明。藉由 該分隔器DIV所產生且藉由該轉換器12轉換成平行光束之 複數光束進入第一反射積分器13。該第一反射積分器13使 該複數入射光束之光強度分佈一致。該第一反射積分器13 能包含複數反射積分器13a至13h,其分別使該複數光束之 光強度分佈一致,該等光束係藉由該分隔器DIV所產生及 201229560 藉由該轉換器12轉換成平行光束。注意該圖1僅只顯示該 等反射積分器13a至13h之中的反射積分器13a及13e。該複 數反射積分器13 a至13h能分別與該複數凹鏡12a至12h對應 地被配置。 聚光器14聚集來自該第一反射積分器13之光線。該聚 光器14可包含譬如分別對應於該複數反射積分器13a至13h 之複數聚光鏡(凹鏡)14a至14h,且每一聚光鏡聚集來自 該複數反射積分器13a至13h之中的對應反射積分器之光線 。注意該圖1僅只顯示該聚光鏡14 a至14h之中的聚光鏡14a 及14e。該照明光學系統IL能包含驅動該聚光器14之驅動 機構15,以便改變在其上配置該孔徑光闌22的平面上所形 成之光強度分佈。該驅動機構15能包含複數致動器15a至 15h,該等致動器分別驅動該複數聚光鏡14a至14h。注意 該圖1僅只顯示該等致動器15a至15h之中的致動器15a及 1 5 e ° 來自該驅動機構15之光經由平面鏡16進入第二反射積 分器20。注意該平面鏡16用作任意之構成元件。該第二反 射積分器2 0能包含複數圓柱形鏡片,如圖7所說明。當幾 乎平行之EUV光進入包含該複數圓柱形鏡片之第二反射積 分器20時,複數線性的第二光源係靠近該第二反射積分器 20之表面形成。藉由該複數線性第二光源所放射之EUV光 的角度分佈具有圓柱形表面形狀。進入該第二反射積分器 20之EUV光於藉由該第二反射積分器20之複數圓柱形鏡片 所分隔時發散,並通過該孔徑光闌22。在此時,來自該第
-10- 201229560 二反射積分器20之複數圓柱形鏡片的EUV光束之某些分量 能被輔助鏡片2 1 a及2 1 b所反射,且進入該孔徑光闌22。 已通過該孔徑光闌22之EUV光係藉由弧形轉換光學系 統塑形成弧形,該弧形轉換光學系統藉由球面或非球面凸 鏡23 1及凹鏡23 2所形成,反射多層薄膜係形成在該等凸鏡 及凹鏡上。於包含裂縫板251中所形成之弧形裂縫的區域 中,塑形成弧形之EUV光形成一具有均勻照度分佈的弧形 照明區域。於此弧形照明區域中,來自該第二反射積分器 20之複數圓柱形鏡片的光束係彼此重疊,藉此使其可能改 善該照度一致性,同時獲得高效率。亦即,均勻之弧形照 明係在高效率下施行。藉由該原件驅動機構26所固持之反 射原件25係以EUV光照明,該EUV光通過該裂縫板251中所 形成之弧形裂縫,且具有弧形橫截面。 當作該孔徑光闌22,如將稍後被敘述之各種孔徑光闌 能被製備,以致它們可藉由孔徑光闌切換機構(未示出) 、諸如轉塔被互相切換。該輔助鏡片21a及21b可爲一對相 向之平面鏡,其被配置成垂直於該第二反射積分器20之陣 列表面,該複數圓柱形鏡片係在該陣列表面上排成陣列。 該孔徑光闌22可爲一垂直於該第二反射積分器20之陣列表 面配置的平板構件。平面鏡24能被配置於該凹鏡23 2及該 裂縫板2 5 1之間,其朝向該反射原件2 5彎曲一照明光束24 1 ,該照明光束用作藉由該凸鏡231及凹鏡23 2所形成之弧形 轉換光學系統的影像側面上之光束。該平面鏡24之鏡片表 面的位置及角度係藉由驅動機構(未示出)細微地調整, -11 - 201229560 藉此使其可能調整該照明光束24 1在該反射原件25上之入 射角度。於藉由該平面鏡24彎曲該照明光束241時,藉由 該照明光束24 1所形成的弧形照明區域中之弧形的方向顛 倒。該弧形照明區域中之弧形的中心與該投射光學系統PO 之光學軸AX1重合。該弧形轉換光學系統之影像側主要光 束及該投射光學系統PO之物件側主要光束互相重合,以具 有該反射原件25當作其反射表面。於改善該弧形轉換光學 系統之配置的自由度中,該平面鏡24係有用的。 於圖1所說明之照明光學系統IL中,由該分隔器DIV至 該第二反射積分器20之所有光學元件能藉由全反射鏡片所 形成。當EUV光被使用時,對於小入射角,多層鏡片需要 被使用,而藉由單層薄膜所形成之全反射鏡片能被使用於 大入射角。既然全反射鏡片具有高於多層鏡片之反射比, 更有效率之照明光學系統能使用呈現大入射角之鏡片或積 分器被形成。 以具有弧形橫截面之EUV光照明的反射原件25之電路 圖案係藉由該投射光學系統PO投射至藉由該基板驅動機構 29所固持的基板28上,藉此使該基板28暴露至光線。該基 板驅動機構29包含基板架台,其安裝一固持該基板28之基 板,夾頭;及一機構’其驅動該基板架台,且能繞著六軸心 (該X軸、Y軸、及Z軸,與沿著繞著該等先前軸心之旋轉 方向的軸心)驅動該基板28。該基板架台之位置可藉由諸 如雷射干涉儀之長度測量裝置所測量。讓Μ爲該投射光學 系統ΡΟ之投射倍率,該基板28上之拍攝區域被掃瞄及曝光 201229560 ,而譬如該反射原件25係在速度v下於藉由箭頭A所指示之 方向中掃瞄,且該基板28係在速度WM下於藉由箭頭B所指 示之方向中同步地掃瞄。 該投射光學系統PO係藉由複數多層反射鏡片所形成, 且被設計,以致離開該光學軸AX1之狹窄的弧形區域具有 良好之成像性能。該投射光學系統PO被建構,以減少及投 射該反射原件25之圖案至該基板28上,且用作影像側(基 板側)遠心系統。該投射光學系統PO之物件側(反射原件 側)通常具有非遠心組構,以便避免與進入該反射原件25 之照明光束24 1物理干涉,且該物件側主要光束係相對於 至該反射原件25之法線方向傾斜達大約6度。 藉由該分隔器DIV分隔光束之方法將例示在下面參考 圖2A至4B。當由該光源LS之側面觀看時,圖2A圖示地顯 示該光學構件1〇1(分隔器DIV)及凹鏡12a至12h(轉換器 12)。用作該分隔器DIV之光學構件101具有被配置在楔子 形狀中之二反射表面,以便將來自該光源LS之光分成二光 束。該二反射表面用作全反射鏡片。該轉換器12包含該八 面凹鏡12a至12h。該八面凹鏡12a至12h被固持機構111所 固持,以便在垂直於該光學軸的橫截面中形成八邊形。該 固持機構111被配置,以便不會遮蔽該等被分隔之光束。 當來自該光源LS之光係藉由具有配置於楔子形狀中之二反 射表面的光學構件101分成二光束時,藉由分隔所產生之 二光束進入該八面凹鏡12a至12h之中的二凹鏡。 於圖2A所示範例中,該二光束進入該凹鏡12a及12e。 -13- 201229560 在構成該第一反射積分器13的複數反射積分器13a至i3h之 中,藉由該凹鏡12a及12e所反射之二光束接著進入對應於 該凹鏡12a及12e的反射積分器13a及13e。進入該反射積分 器13a及13e的二光束之光強度分佈分別藉由該反射積分器 13a及13e使一致化。在構成該聚光器14的複數聚光鏡14a 至14h之中,來自該反射積分器13a及13e之光束被對應於 該反射積分器13a及13e的聚光鏡14a及14e所聚集。來自該 聚光鏡14 a及14e之光束經由該平面鏡16進入該第二反射積 分器20。該第二反射積分器20經由該凸鏡231、凹鏡232、 及平面鏡24照明該反射原件25。 出自該聚光鏡14 a及14e與離開該第二反射積分器20的 光束形成一對應於在其上配置該孔徑光闌22的平面上之γ 偶極照明的光強度分佈,如圖2 B所說明。亦即,具有一橫 截面形狀之光強度分佈係形成在於其上配置該孔徑光闌22 的平面上,該橫截面形狀與由該光源LS至該分隔器DIV所 提供之光的橫截面形狀(典型,圓形或環形橫截面形狀) 不同。這是使用該分隔器DIV所做成,以分隔由該光源LS 所提供之光。 圖2C圖示地顯示該光學構件1〇1當其由圖2A所示狀態 藉由該驅動機構11被旋轉經過90度時。於此情況中,藉由 該光學構件101所產生之二光束進入在該八面凹鏡12a至 12h之中的二凹鏡12c及12g。在構成該第一反射積分器13 的複數反射積分器13a至13h之中,藉由該凹鏡12c及12g所 反射之二光束進入對應於該凹鏡12c及12g的反射積分器 -14-
S 201229560 13c及13g。進入該反射積分器13c及13g的二光束之光強度 分佈係藉由該反射積分器13c及13g—致化。在構成該聚光 器14的複數聚光鏡14a至14h之中,來自該反射積分器13c 及13g之光束被對應於該反射積分器13c及13g的聚光鏡14c 及14g所聚集》來自該聚光鏡14c及14g之光束經由該平面 鏡16進入該第二反射積分器20。以該前述之方式,出自該 聚光鏡14 c及14g與離開該第二反射積分器20之光束形成一 對應於在其上配置該孔徑光闌22的平面上之X偶極照明的 光強度分佈,如在圖2D所說明。 當由該光源LS之側面觀看時,圖3A圖示地顯示該光學 構件1〇2(分隔器DIV)及凹鏡12a至12h(轉換器12)。用 作該分隔器DIV之光學構件102具有配置在四邊角錐形狀中 之四個反射表面,以便將來自該光源LS之光分成四光束。 該四個反射表面用作全反射鏡片。藉由該光學構件102所 產生之四光束在其上配置該孔徑光闌22的平面上形成對應 於四極照明的光強度分佈,如圖3B所說明。亦即,具有一 橫截面形狀之光強度分佈係形成在於其上配置該孔徑光闌 22的平面上,該橫截面形狀與由該光源LS至該分隔器DIV 所提供之光的橫截面形狀(典型,圓形或環形橫截面形狀 )不同。這是使用該分隔器DIV所做成,以分隔由該光源 LS所提供之光。圖3C圖示地顯示該光學構件102當其由圖 3 A所示狀態藉由該驅動機構1 1被旋轉經過45度時。於此情 況中,如圖3 D所說明之光強度分佈係形成在於其上配置該 孔徑光闌22的平面上。 -15- 201229560 當由該光源LS之側面觀看時’圖4A圖示地顯示該光學 構件丨〇3 (分隔器DIV )及凹鏡12a至12h (轉換器12 )。用 作該分隔器DIV之光學構件103具有配置在八邊角錐形狀中 之八個反射表面,以便將來自該光源LS之光分成八光束。 該八個反射表面用作全反射鏡片。於此情況中,該轉換器 12之八面凹鏡12a至12h、該第一反射積分器13的八個反射 積分器13a至13h、及該聚光器14之八面聚光鏡14a至14h被 使用。藉由該光學構件103所產生之八光束在其上配置該 孔徑光闌22的平面上形成對應於環狀照明的光強度分佈’ 如圖4B所說明。雖然在此實施例中已給與一範例’其中該 分隔器DIV將來自該光源LS之光分成八光束之最大値,但 該分隔器DIV將來自該光源LS之光分成光束之最大數可爲 大於或小於八。 圖8係一立體圖,圖示地顯示構成該第一反射積分器 13之反射積分器13 a至13h的每一者之組構的範例。該反射 積分器13a至13h之每一者具有複數凹鏡之陣列。該反射積 分器13a至13h之每一者用作全反射鏡片,且能具有譬如拋 物面或超環面的形狀。
於該前述之各種照明模式中,將相干度(σ)設定至 —想要之値的方法將其次參考圖5Α至6Β敘述。該相干度( σ )係該投射光學系統之物件側ΝΑ及該照明光束的ΝΑ間之 比率。大致上,具有高對比之影像係在低σ獲得,反之對 罩幕圖案爲正確的影像係在高σ獲得。圖5Α圖示地顯示在 參考圖2 Α所敘述之偶極照明中增加σ値之方法。參考圖5 A -16-
S 201229560 ,來自該反射積分器13a及13e之光束分別進入該聚光器14 之聚光鏡14a及14e。於該等聚光鏡14a及14e間之間隔加寬 的方向中,該驅動機構15之致動器15a及15e分別驅動該聚 光鏡14a及14e。這使其可能加寬在其上配置該孔徑光闌22 之平面上的二極(偶極)間之間隔5 0 2,如圖5 B所說明。 這意指該σ値增加。同樣於四極照明及環狀照明中,該σ値 能同樣地增加。 圖6Α圖示地顯示在參考圖2Α所敘述之偶極照明中減 少σ値之方法。參考圖6Α,來自該反射積分器13a及13e之 光束分別進入該聚光器14之聚光鏡14a及14e。於該等聚光 鏡14a及14e間之間隔變窄的方向中,該驅動機構15之致動 器15a及15e分別驅動該聚光鏡14a及14e。這使其可能讓在 其上配置該孔徑光闌22之平面上的二極(偶極)間之間隔 602變窄,如圖6B所說明》這意指該σ値減少。同樣於四極 照明及環狀照明中,該σ値能同樣地減少。 如上面所述,依據此實施例,最佳照明模式及σ値能 按照待形成在該基板上之圖案被設定,而不會減少該基板 表面上之照度。 雖然一範例已在該前述實施例中被敘述,其中包含複 數圓柱形鏡片之積分器被採納當作該第二反射積分器20, —組構可被採納,其中呈現小入射角的二蠅眼鏡片係彼此 相向。然而,爲改善該效率,其更有利的是使用單一個全 反射積分器當作該第二反射積分器20° 該第二反射積分器20、二輔助鏡片21、及孔徑光闌22 -17- 201229560 之配置其次將參考圖7例示。參考圖7’參考數字801標示 進入該第二反射積分器20的EUV光之中心主要光束的方向 。此中心主要光束幾乎在該y-z橫截面內通過該第二反射 積分器20之中心附近。位置802幾乎爲藉由該凸鏡231及凹 鏡2 3 2所形成之弧形轉換光學系統的光瞳平面之中心。圖7 敘述具有該位置8〇2當作其原點之x-y-z座標系。該z軸幾乎 與該弧形轉換光學系統的同軸心AX2重合。 該輔助鏡片21a及21b係沿著垂直於該第二反射積分器 20之陣列表面的方向配置,其中用作該第二反射積分器20 之構成元件的每一者圓柱形鏡片之產生線延伸在該方向中 ,而該複數圓柱形鏡片係成陣列地排在該陣列表面上。在 圖7所示範例中,該二輔助鏡片21a及2 lb係相向至夾住在 它們之間的孔徑光闌22之孔徑。調整該二輔助鏡片21a及 2 1 b間之間隔的驅動機構可被提供。構成該孔徑光闌22的 平板構件之表面被配置在幾乎垂直於該第二反射積分器20 之陣列表面的出口側面上,而該複數圓柱形鏡片係成陣列 地排在該陣列表面上。 爲細微地調整該有效之光源分佈,該孔徑光闌22可被 配置成相對於一平面傾斜達一小角度(大約1度至2度), 該平面正好垂直於該第二反射積分器20之陣列表面,而該 複數圓柱形鏡片係成陣列地排在該陣列表面上。以此方式 ,當該孔徑光闌22相對於一平面具有小傾斜時,而該平面 也同樣正好垂直於該陣列表面,此組構能落入一組構之範 疇,其中該孔徑光闌22係垂直於該陣列表面。譬如,爲允 -18- 201229560 許該有效光源分佈及該遠心之調整,調整該孔徑光闌22相 對於該第二反射積分器20之陣列表面的角度之驅動機構可 被提供,而該複數圓柱形鏡片係成陣列地排在該陣列表面 上。 於配置該輔助鏡片21 a及21b時,藉由該第二反射積分 器20所反射之光的某一分量能被引導通過該孔徑光闌22及 被使用於照明。這在有效率地照明該弧形區域中係有利的 。日本專利公開申請案第2009-03293 8號敘述一提供輔助 鏡片的方法之細節,以改善該照明系統之效率。 根據本發明之較佳實施例的製造裝置之方法係適合用 於製造裝置、諸如半導體裝置或液晶裝置。此方法能包含 使用該前述曝光裝置EX將塗以感光劑之基板暴露至光線的 步驟、及使已曝光之基板顯影的步驟。此方法亦可包含隨 後之習知步驟(譬如,氧化、薄膜形成、蒸氣沈積、加入 摻雜劑、平面化、蝕刻、抗蝕劑移除、切割(dicing )、 接合、及封裝)。 雖然本發明已參考示範實施例被敘述,應了解本發明 不被限制於所揭示之示範實施例。以下申請專利之範圍將 被給予最寬廣之解釋,以便涵括所有此等修改及同等結構 與功能。 【圖式簡單說明】 圖1係一視圖’用於說明根據本發明之實施例的曝光 裝置及照明光學系統; |><! 5 -19- 201229560 圖2A至2D係視圖,顯示一範例,其中—光束被分成 二光束; 圖3A至3D係視圖’顯示—範例’其中—光束被分成 四光束; 圖4A及4B係視圖,顯示一範例,其中一光束被分成八 光束; 圖5 A及5 B係視圖,說明改變〇之方法; 圖6A及6B係視圖,說明改變σ之另一方法; 圖7係一視圖,說明第二反射積分器 '輔助鏡片、與 孔徑光闌;及 圖8係立體圖,說明第一反射積分器。 【主要元件符號說明】 2 :電漿 4 :聚光鏡 5 :極紫外光 6a :濾光片 6b :濾光片 7 :孔徑 8 :真空室 9 :連接器 11 :驅動機構 12 :轉換器 12a :凹鏡
-20- S 201229560 12b :凹鏡 12c :凹鏡 12d :凹鏡 1 2 e :凹鏡 12f :凹鏡 12g :凹鏡 12h :凹鏡 1 3 :第一反射積分器 1 3 a :反射積分器 1 3 b :反射積分器 1 3 c :反射積分器 1 3 d :反射積分器 13e:反射積分器 1 3 f :反射積分器 1 3 g :反射積分器 1 3 h :反射積分器 14 :聚光器 14a :聚光鏡 14b :聚光鏡 14c :聚光鏡 14d :聚光鏡 14e :聚光鏡 14f :聚光鏡 14g :聚光鏡 -21 201229560 14h :聚光鏡 15 :驅動機構 15a :致動器 15b :致動器 15c :致動器 15d :致動器 1 5e :致動器 15f :致動器 1 5g :致動器 15h :致動器 1 6 :平面鏡 20:第二反射積分器 2 1 a :輔助鏡片 2 1 b :輔助鏡片 2 2 :孔徑光闌 24 :平面鏡 2 5 :原件 26 :原件驅動機構 28 :基板 29 :基板驅動機構 30 :真空室 1 0 1 :光學構件 102 :光學構件 103 :光學構件 -22 £ 201229560 1 1 1 :固持機構 231 :凸鏡 2 3 2 :凹鏡 241 :照明光束 251 :裂縫板 5 0 2 :間隔 6 0 2 :間隔 801 :方向 8 0 2 :位置 AX1 :光學軸 AX2:同軸心 DIV :分隔器 EX :曝光裝置 IL :照明光學系統 LS :光源 PO :投射光學系統

Claims (1)

  1. 201229560 七、申請專利範園: 1 ·—種照明光學系統,其以來自光源之光照明一照明 表面,該系統包括: 分隔器,其將來自該光源之光分隔,以產生複數光束 » 第一反射積分器,其使藉由該分隔器所產生之複數光 束的光強度分佈一致; 聚光器,其聚集來自該第一反射積分器之光束; 第二反射積分器,其接收來自該聚光器之光束並照明 該照明表面;以及 孔徑光闌,被配置於該第二反射積分器及該照明表面 之間, 其中該分隔器產生複數光束,使得該複數光束進入其 上配置該孔徑光闌的一平面,每一光束具有與被提供由該 光源至該分隔器之光的橫截面形狀不同之橫截面形狀。 2.如申請專利範圍第1項之照明光學系統,其中該第 —反射積分器包含複數反射積分器,該複數反射積分器分 別使藉由該分隔器所產生之複數光束的光強度分佈一致。 3 .如申請專利範圍第2項之照明光學系統,其中該聚 光器包含對應於該複數反射積分器之複數聚光鏡,且該等 聚光鏡之每一者聚集來自該複數反射積分器中的對應反射 積分器之光。 4.如申請專利範圍第1項之照明光學系統,另包括驅 動機構,其驅動該聚光器,以改變形成在其上配置該孔徑 -24- S 201229560 光闌的該平面上之光強度分佈。 5 .如申請專利範圍第1項之照明光學系統,另包括轉 換器,其被配置於該分隔器及該第一反射積分器之間,並 將藉由該分隔器所產生之複數光束轉換成平行的光束。 6. 如申請專利範圍第5項之照明光學系統,其中該轉 換器包含複數凹鏡,該等凹鏡分別將藉由該分隔器所產生 之複數光束轉換成平行的光束。 7. 如申請專利範圍第1項之照明光學系統,另包括驅 動機構,其驅動該分隔器,以改變藉由該分隔器所產生之 複數光束的行進方向。 8. 如申請專利範圍第1項之照明光學系統,其中該分 隔器包含複數具有不同功能之光學構件,該複數光學構件 之每一者被建構成分隔來自該光源之光,以產生該複數光 束,且一個選自該複數光學構件的光學構件被插入來自該 光源之光的光徑。 9. 一種曝光裝置,其將基板暴露至光線,該裝置包括 在申請專利範圍第1至8項中任一項所界定之照明光學 系統,其被建構成照明一原件;以及 投射光學系統,其將該原件之圖案投射至該基板上。 10. —種製造裝置的方法,該方法包括以下步驟: 使用如申請專利範圍第9項所界定之曝光裝置將基板 暴露至光線;以及 使該基板顯影。 -25-
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013214708A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Gigaphoton Inc レーザ装置、レーザシステムおよび極端紫外光生成装置
JP6494259B2 (ja) 2014-11-21 2019-04-03 キヤノン株式会社 照明光学装置、およびデバイス製造方法
JP6816099B2 (ja) * 2016-02-26 2021-01-20 ギガフォトン株式会社 ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系
CN111655332A (zh) * 2017-12-04 2020-09-11 艾利克斯医疗私人有限公司 用于治疗视网膜疾病的光生物调节装置
US11958246B2 (en) * 2020-03-03 2024-04-16 Sciperio, Inc Laser oven with transparent chamber and external laser source

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6967710B2 (en) 1990-11-15 2005-11-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
KR20000048227A (ko) 1998-12-17 2000-07-25 오노 시게오 이미지 투사 장치를 이용한 표면 조명 방법 및 조명 광학시스템
JP3363882B2 (ja) * 2000-10-17 2003-01-08 株式会社日立製作所 露光装置
JP3605055B2 (ja) * 2001-07-31 2004-12-22 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP3605053B2 (ja) * 2001-07-27 2004-12-22 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
TW594847B (en) 2001-07-27 2004-06-21 Canon Kk Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed
US6703625B1 (en) 2002-12-31 2004-03-09 Intel Corporation Methods and apparatus for off-axis lithographic illumination
JP2005268265A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Nikon Corp コリメーター光学系及び照明光学装置
JP2005303084A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、露光装置の調整方法及びマイクロデバイスの製造方法
US8134687B2 (en) 2004-08-23 2012-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
WO2006082738A1 (ja) * 2005-02-03 2006-08-10 Nikon Corporation オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006351586A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4986754B2 (ja) 2007-07-27 2012-07-25 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを有する露光装置
JP5398185B2 (ja) 2008-07-09 2014-01-29 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置およびデバイス製造方法
JP5142892B2 (ja) 2008-09-03 2013-02-13 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
WO2010099807A1 (de) 2009-03-06 2010-09-10 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik sowie optische systeme für die mikrolithographie
TWI502283B (zh) 2009-04-03 2015-10-01 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法

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