201222626 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關熱處理基板的熱處理方法及記錄用以使 該熱處理方法實行的程式之記錄媒體以及熱處理裝置。 【先前技術】 在半導體積體電路的製造工程中，爲了在半導體晶圓 或LCD基板等（以下稱爲晶圓等）的表面形成阻劑圖案， 而進行利用光微影技術（Photolithography)的塗佈顯像處 理。利用光微影技術的塗佈顯像處理是具有：在晶圓等的 表面塗佈阻劑液的阻劑塗佈工程、及在所被形成的阻劑膜 將電路圖案曝光的曝光處理工程、及對曝光處理後的晶圓 等供給顯像液的顯像處理工程。 並且，在利用光微影技術的塗佈顯像處理中，進行各 種的熱處理。 例如，在阻劑塗佈工程與曝光處理工程之間是進行用 以使阻劑膜中的殘留溶劑蒸發而使晶圓等與阻劑膜的密著 性提升之熱處理（預烤）。並且，在曝光處理工程與顯像 處理工程之間是進行用以誘起化學倍增式阻劑（ Chemically Amplified Resist; CAR)的酸觸媒反應之熱處 理（曝光後烘烤（Post Exposure Bake;PEB))。更在顯像處 理工程後進行用以除去阻劑中的殘留溶媒或在顯像時被取 入阻劑中的洗滌液，改善濕蝕刻時的浸入之熱處理（後烘 烤（Post-bake))。 -5- 201222626 上述的各熱處理爲了管理所被形成的阻劑圖案的線寬 (Critical Dimension ； CD )，較理想是嚴格管理其熱處 理的熱處理條件。特別是爲了能夠實現高感度、高解像性 、高乾蝕刻耐性，而使用近年來被注目的化學倍增式阻劑 作爲阻劑時，較理想是嚴格管理曝光後烘烤的熱處理條件 。因爲給予基板的面內各處的阻劑膜的熱量的差會造成所 被製造的半導體積體電路的電路圖案的尺寸精度極大的影 響。 爲了管理如此的熱處理的條件，有其特徵係以熱處理 時所被供給至基板的熱量能夠在基板上的複數處形成相等 的方式來控制熱源的輸出量之熱處理方法及熱處理裝置被 開示（例如參照專利文獻1 )。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開2003 -5 1 43 9號公報 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 可是’在上述那樣的熱處理方法及熱處理裝置中有其 次那樣的問題。 例如’在曝光後烘烤等的熱處理中，連續依序熱處理 各個熱處理溫度不同之被塗佈複數種類的阻劑膜的基板時 ’需要高速進行熱板的溫度變更。 —般熱處理裝置是具有熱板，在被設定成預定溫度的 -6 - 201222626 熱板上載置基板，藉此熱處理基板。而且， 用藉由通電來發熱的加熱器作爲熱源。並且 安定’ 一般熱板的熱容量大。因此，在熱板 變更後，至熱板的溫度到達設定溫度，必須 板的熱處理的開始，無法縮短處理基板的處 無法降低製造成本的問題。 又，一般熱處理裝置不具有冷卻熱板的 此特別是在將熱板的設定溫度從高溫變更至 高速地變更溫度。因此，在熱板的設定溫度 低溫後，至熱板的溫度到達設定溫度，必須 板的熱處理的開始，無法縮短處理基板的處 無法降低製造成本的問題。 另一方面，在熱板的溫度到達設定溫度 的基板的熱處理時，藉由熱板來給予最初的 與在該基板的熱處理之後，熱板的溫度被保 的狀態下開始熱處理的其次的基板所被賦予 因此，在處理複數的基板時，於基板間，會 塗佈膜的特性變動的問題。特別是熱處理爲 ，會有阻劑圖案的線寬CD在基板間變動的問 爲了使熱板的溫度快到達設定溫度，可 的容量的方法。或，在將熱板的設定溫度從 溫時，爲了使熱板快冷卻，可考略在熱板的 對熱板吹上冷卻氣體的冷卻氣體噴嘴等的冷 。但，就縮小熱板的容量的方法而言，隨著 一般熱板是使 ，爲了使溫度 的設定溫度被 等待最初的基 理時間，會有 冷卻機構，因 低溫時，無法 從高溫變更至 等待最初的基 理時間，會有 之前開始最初 基板的熱量是 持於設定溫度 的熱量不同。 有阻劑膜等的 曝光後烘烤時 題。 考慮縮小熱板 高溫變更至低 附近設置用以 卻機構的方法 熱板的小型化 201222626 、薄型化’會有熱板的強度、性能降低的問題。又，對於 在熱板的附近設置冷卻機構的方法而言，會有熱處理裝置 的裝置成本增大的問題。 本發明是有鑑於上述的點而硏發者，提供一種不會有 使熱板的強度降低或使裝置成本增大的情形，可一面防止 基板間的塗佈膜的特性的變動，一面縮短處理基板的處理 時間之熱處理方法及熱處理裝置。 (用以解決課題的手段） 爲了解決上述的課題，本發明的特徵是具備其次所述 的手段。 若根據本發明之一實施例，則可提供一種熱處理方法 ，係於被設定成預定溫度的熱板上，依序載置由複數的基 板所構成的基板群的各基板，而進行熱處理的熱處理方法 ，其特徵係具有： 第1工程’其係將上述熱板的設定溫度從第1溫度變更 成第2溫度’在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開 始上述熱板之上述基板群的最初的基板的熱處理，取得開 始熱處理之後的上述熱板的溫度資料，在上述熱板的溫度 到達上述第2溫度時，根據取得的上述熱板的溫度資料， 自上述第2溫度變更上述熱板的設定溫度，藉由設定溫度 被變更的上述熱板來熱處理上述最初的基板；及 第2工程’其係於上述最初的基板的熱處理之後，使 上述熱板的設定溫度回到上述第2溫度，在上述熱板的溫 -8 - 201222626 度被保持於上述第2溫度的狀態下，藉由上述熱板來熱處 理上述基板群的其次的基板。 又’若根據本發明之一實施例，則可提供一種熱處理 方法’係於被設定成預定溫度的熱板上，依序載置由複數 的基板所構成的基板群的各基板，而進行預定時間熱處理 的熱處理方法，其特徵係具有： 第1工程，其係將上述熱板的設定溫度從第丨溫度變更 成第2溫度，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開 始上述熱板之上述基板群的最初的基板的熱處理，取得開 始熱處理之後的上述熱板的溫度資料，在上述熱板的溫度 到達上述第2溫度時，根據取得的上述熱板的溫度資料， 自上述預定時間變更上述最初的基板的熱處理時間，在被 變更的上述熱處理時間的期間，藉由上述熱板來熱處理上 述最初的基板； 第2工程，其係於上述最初的基板的熱處理之後，使 上述熱處理時間回到上述預定時間，在上述熱板的溫度被 保持於上述第2溫度的狀態下，於上述預定時間的期間， 藉由上述熱板來熱處理上述基板群的其次的基板。 又，若根據本發明之一實施例，則可提供一種熱處理 裝置，係具有熱板，在被設定成預定溫度的上述熱板上， 依序載置由複數的基板所構成的基板群的各基板，而進行 熱處理的熱處理裝置，其特徵係具有控制部，其係將上述 熱板的設定溫度從第1溫度變更成第2溫度，在上述熱板的 溫度到達上述第2溫度之前，開始上述熱板之上述基板群 -9- 201222626 的最初的基板的熱處理，取得開始熱處理之後的上述熱板 的溫度資料，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度時，根 據取得的上述熱板的溫度資料，自上述第2溫度變更上述 熱板的設定溫度，藉由設定溫度被變更的上述熱板來熱處 理上述最初的基板，在上述最初的基板的熱處理之後，使 上述熱板的設定溫度回到上述第2溫度，在上述熱板的溫 度被保持於上述第2溫度的狀態下，藉由上述熱板來熱處 理上述基板群的其次的基板。 又，若根據本發明之一實施例，則可提供一種熱處理 裝置，係具有熱板，在被設定成預定溫度的上述熱板上， 依序載置由複數的基板所構成的基板群的各基板，而進行 預定時間熱處理的熱處理裝置，其特徵係具有控制部，其 係將上述熱板的設定溫度從第1溫度變更成第2溫度，在上 述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開始上述熱板之上 述基板群的最初的基板的熱處理，取得開始熱處理之後的 上述熱板的溫度資料，在上述熱板的溫度到達上述第2溫 度時，根據取得的上述熱板的溫度資料，自上述預定時間 變更上述最初的基板的熱處理時間，在所被變更的上述熱 處理時間的期間，藉由上述熱板來熱處理上述最初的基板 ，在上述最初的基板的熱處理之後，使上述熱處理時間回 到上述預定時間，在上述熱板的溫度被保持於上述第2溫 度的狀態下，於上述預定時間的期間，藉由上述熱板來熱 處理上述基板群的其次的基板。 -10- 201222626 〔發明的效果〕 若根據本發明，則不會有使熱板的強度降 成本增大的情形，可一面防止基板間的塗佈膜 動，一面縮短處理基板的處理時間。 【實施方式】 其次，與圖面一起說明有關用以實施本發 以下，參照圖1〜圖8來說明有關包含實施 理裝置的塗佈顯像處理系統。 最初，參照圖1〜圖3來說明有關本實施形 像處理系統。圖1是表示本實施形態的塗佈顯 的構成的槪略平面圖。圖2是表示塗佈顯像處 成的槪略正面圖，圖3是表示塗佈顯像處理系 槪略背面圖。 塗佈顯像處理系統1是例如圖1所示具備設 裝置A的兩側之第1處理系統1〇及第2處理系統1 系統1 〇是具有一體連接例如卡匣站1 2、處理站 14的構成。卡匣站12是以卡匣單位從外部來對 理系統1搬出入25片的晶圓W，或對卡匣C搬出 處理站13是多段地配置複數的各種處理裝置而 ，該複數的各種處理裝置是在光微影工程之中 施預定的處理。介面站14是在與曝光裝置A之 W的交接之搬送部。卡匣站12、處理站13及介 有曝光裝置A的Y方向正方向側（圖1中的右方 低或使裝置 的特性的變 明的形態。 形態的熱處 態的塗佈顯 像處理系統 理系統的構 統的構成的 於夾著曝光 1。第1處理 1 3及介面站 塗佈顯像處 入晶圓W。 成的處理部 單片式地實 間進行晶圓 面站Μ是朝 向）依序配 -11 - 201222626 置，且介面站14是被連接至曝光裝置A。 在卡匣站12設有卡匣載置台20，該卡匣載置台20是在 X方向（圖1中的上下方向）一列地自由載置複數的卡匣C 。在卡匣站12設有可沿著X方向來移動於搬送路21上的晶 圓搬送體22。晶圓搬送體22是在被收容於卡匣C的晶圓W 的晶圓配列方向（Z方向；鉛直方向）也移動自如，可對 卡匣C內配列於上下方向的晶圓W選擇性地存取。晶圓搬 送體22是可繞著鉛直方向的軸（Θ方向）旋轉，可對處理 站13側的後述第3處理裝置群G3的各處理裝置進行存取。 處理站1 3是具備多段地配置有複數的處理裝置之例如 5個的處理裝置群G1〜G5。在處理站13的X方向負方向（ 圖1中的下方向）側，從卡匣站12側起依序配置有第1處理 裝置群G1、第2處理裝置群G2。在處理站13的X方向正方 向（圖1中的上方向）側，從卡匣站1 2側起依序配置有第3 處理裝置群G3、第4處理裝置群G4及第5處理裝置群G5。 在第3處理裝置群G3與第4處理裝置群G4之間設有第1搬送 裝置30。第1搬送裝置30可對第1處理裝置群G1'第3處理 裝置群G3及第4處理裝置群G4內的各裝置選擇性地存取搬 送晶圓W。在第4處理裝置群G4與第5處理裝置群G5之間設 有第2搬送裝置31。第2搬送裝置31是可對第2處理裝置群 G2、第4處理裝置群G4及第5處理裝置群G5內的各裝置選 擇性地存取搬送晶圓W。 如圖2所示，在第1處理裝置群G1中，對晶圓W供給預 定的液體而進行處理的液處理裝置，例如阻劑塗佈裝置（ -12- 201222626 COT ) 40、41、42、底塗層裝置（BARC) 43、44會由下 依序重疊成5段。阻劑塗佈裝置40、41、42是對晶圓W塗 佈阻劑液而形成阻劑膜的阻劑膜形成裝置。底塗層裝置43 、44是形成防止曝光時的光的反射之反射防止膜。在第2 處理裝置群G2中，液處理裝置，例如對晶圓W供給顯像液 而進行顯像處理的顯像處理裝置（DEV) 50〜54會由下依 序重疊成5段。並且，在第1處理裝置群G1及第2處理裝置 群G2的最下段分別設有用以對各處理裝置群Gl、G2內的 上述液處理裝置供給各種處理液的化學室（CHM ) 60、61 〇 例如圖3所示’在第3處理裝置群G3中，溫調裝置（ TCP) 70、轉移裝置（TRS) 71、高精度溫調裝置（CPL) "72〜74及熱處理裝置（BAKE) 75〜78會由下依序重疊成9 段。轉移裝置71是進行晶圓W的交接。高精度溫調裝置72 〜74是在精度局的溫度管理下調節晶圓溫度。熱處理裝置 75〜78是熱處理晶圓W。 在第4處理裝置群G4中，例如高精度溫調裝置（CPL )80、預烤裝置（PAB) 81〜84及後烘烤裝置（p〇ST) 85 〜89會由下依序重疊成10段。預烤裝置81〜84是熱處理阻 劑塗佈處理後的晶圓W。後烘烤裝置85〜89是熱處理顯像 處理後的晶圓W。 在第5處理裝置群G5中，熱處理晶圓w的複數的熱處 理裝置，例如高精度溫調裝置（CPL) 90〜93、作爲熱處 理裝置的曝光後供烤裝置（PEB) 94〜99會由下依序重疊 -13- 201222626 成1 〇段。 如圖.1所示，在第1搬送裝置30的X方向正方向（圖1中 的上方）側配置有複數的處理裝置，例如圖3所示，用以 疏水化處理晶圓W的附著裝置（AD ) 100、101會由下依序 重疊成2段。如圖1所示，在第2搬送裝置31的X方向正方向 側配置有例如只將晶圓W的邊緣部予以選擇性地曝光的周 邊曝光裝置（WEE ) 102。 例如圖1所示，在介面站14設有移動於朝X方向延伸的 搬送路110上的晶圓搬送體111及緩衝卡匣112。晶圓搬送 體111是可移動於Z方向且亦可旋轉於Θ方向，可對與介面 站14鄰接的曝光裝置A、緩衝卡匣112及第5處理裝置群G5 內的各裝置進行存取搬送晶圓W。 在第2處理系統11中設有作爲搬送裝置的晶圓搬送裝 置120、及第6處理裝置群G6、以及作爲收容部的緩衝卡匣 121。晶圓搬送裝置120是可移動於設在曝光裝置A側之延 伸於X方向的搬送路123上。晶圓搬送裝置120是可移動於Z 方向且亦可旋轉於Θ方向’可對曝光裝置A、第6處理裝置 群G6及緩衝卡匣121進行存取搬送晶圓W。晶圓搬送裝置 12 0是具備進行晶圓W的對位之對準機能。 第6處理裝置群G6及緩衝卡匣121是在搬送路123的Y 方向正方向側排列於X方向而設。在第6處理裝置群G6中 ，如圖2所示，作爲熱處理裝置的曝光後烘烤裝置（PEB ) 1 3 0〜1 3 3會由下依序重疊成4段。緩衝卡匣1 2 1是可暫時性 地收容複數片的晶圓w(參照圖3)。 -14- 201222626 並且，如圖1所示，例如在卡匣站1 2設有線寬測定裝 置1 40，其係測定晶圓W上的阻劑圖案的線寬。 其次，參照圖4〜圖7說明有關曝光後烘烤裝置。另外 ，曝光後烘烤裝置是相當於本發明的熱處理裝置。 圖4是表示本實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的槪 略縱剖面圖。圖5是表示本實施形態的曝光後烘烤裝置的 構成的槪略橫剖面圖。圖6是擴大顯示熱板170的平面圖。 圖7是沿著圖6的A-A線的縱剖面圖。另外，在圖6及圖7中 ，爲了容易圖示，而省略第1昇降銷、貫通孔等的圖示。 如圖4及圖5所示，曝光後烘烤裝置130是在框體150內 具備加熱晶圓W的加熱部1 5 1及冷卻晶圓W的冷卻部1 52。 如圖4所示，加熱部151具備： 位於上側，上下動自如的蓋體1 60 ;及 位於下側’與蓋體160成爲一體，而形成處理室S的熱 板收容部1 6 1。 在蓋體160的頂部的中央設有排氣部160a，可從排氣 部160a將處理室S內的環境予以均一地排氣。 在熱板收容部161的中央設有載置晶圓W而加熱的熱 板170。熱板170是具有比晶圓W大且厚的大致圓盤形狀。 在熱板170中內藏有藉由給電來發熱的加熱器171。加熱器 171的發熱量是例如藉由加熱器控制裝置172來調整。加熱 器控制裝置1 72的溫度控制是例如藉由後述的本體控制部 2 2 0來進行。 另外，加熱器控制裝置172及本體控制部220是相當於 -15- 201222626 本發明的控制部。 如圖6及圖7所示，加熱器171是藉由複數的加熱器 171a〜171c所構成。複數的加熱器171a〜17〗c是在熱板 1 70同心圓狀地隔著適當間隔配置，如前述般，內藏於熱 板1 70，分別獨立地連接至加熱器控制裝置1 72。 在圖6中，加熱器171是藉由3個的加熱器l7la〜171c 所構成，但並非限於3個，亦可藉由任意的複數的加熱器 所構成。 並且，在熱板170中，爲了獨立控制各加熱器l7】a〜 171c，在對應於各加熱器171a、171b、171c的複數的位置 PI、P2、P3設有未圖示的溫度感測器，可藉由各溫度感測 器來測定熱板溫度PV。並且，藉由各溫度感測器所被測定 的熱板溫度PV會被輸入至加熱器控制裝置172，加熱器控 制裝置172可根據熱板溫度PV與設定溫度的差來控制各加 熱器171a〜171c的輸出。 如圖6及圖7所示，在熱板170上設有間隙銷173，其係 使晶圓W與熱板1 70具有間隙來予以支撐，防止微粒等附 著於晶圓W。在圖6所示的例子是設有7處間隙銷1 73，晶 圓W是藉由7處的間隙銷173所支撐。間隙銷173是構成可 隔著從熱板1 70的上面到間隙銷1 73的上面的高度之間隙（ 間隙高度）Η來支撐晶圓W。此時的間隙高度Η是例如可設 爲0.1〜0.3mm。而且，間隙銷173是形成晶圓W可藉由間 隙銷1 73來隔著上述的間隙而支撐之狀態下，使從熱板！ 70 表面主要經由空氣來傳導熱。 -16- 201222626 如圖4所示，在熱板170的下方設有由下方來支撐晶圓 W而昇降的第1昇降銷180。第1昇降銷180可藉由昇降驅動 機構181來上下動。在熱板170的中央部附近形成有在厚度 方向貫通熱板170的貫通孔182。第1昇降銷180是可由熱板 170的下方上昇，通過貫通孔182，突出至熱板170的上方 〇 熱板收容部161是具有：收容熱板170而保持熱板170 的外周部之環狀的保持構件190、及包圍該保持構件190的 外周之大略筒狀的支承環191。在支承環191的上面形成朝 處理室S內噴出例如不活性氣體的吹出口 191a。由此吹出 口 191a噴出不活性氣體，藉此可淨化處理室S內》並且， 在支承環191的外方設有成爲熱板收容部161的外周之圓筒 狀的容器192。 在與加熱部1 5 1鄰接的冷卻部〗52設有例如載置晶圓W 而予以冷卻的冷卻板200。冷卻板200是例如圖5所示具有 大略方形的平板形狀，熱板1 70側的端面會往外側彎曲成 凸的圓弧狀。如圖4所示在冷卻板200的內部內藏有例如冷 卻（Peltier )元件等的冷卻構件200a，可將冷卻板200調 整成預定的設定溫度。 冷卻板200是被安裝於朝加熱部ι51側延伸的軌道20 i 。冷卻板200是藉由驅動部202來移動於軌道201上，可移 動至加熱部1 5 1側的熱板1 7 〇的上方。 在冷卻板200 ’例如圖5所示，形成有沿著X方向的2條 狹縫203。狹縫203是從冷卻板2〇0之加熱部151側的端面形 -17- 201222626 成至冷卻板200的中央部附近。藉由此狹縫203來防止移動 至加熱部151側的冷卻板200與塗出至熱板17〇上的第1昇降 銷1 80的干擾。如圖4所示，在冷卻板200的下方設有第2昇 降銷204。第2昇降銷204可藉由昇降驅動部205來昇降。第 2昇降銷204可由冷卻板200的下方上昇，通過狹縫203而突 出至冷卻板200的上方。 如圖5所示，在夾著冷卻板200的框體150的兩側壁形 成有用以搬出入晶圓W的搬出入口 210。 另外，其他的曝光後烘烤裝置94〜99、131〜133是具 有與上述曝光後烘烤裝置130同構成，因此其說明省略。 其次，參照圖8說明有關線寬測定裝置。圖8是表示線 寬測定裝置的構成的槪略縱剖面圖。 例如圖8所示，線寬測定裝置1 40是具備：水平載置晶 圓W的載置台141、及光學式表面形狀測定計142。載置台 141是例如形成X-Y平台，可在水平方向的2次元方向移動 。光學式表面形狀測定計142是例如具備光照射部143、光 檢測部144及算出部145。光照射部143是由斜方向來對晶 圓W照射光。光檢測部144是檢測出從光照射部143照射而 反射於晶圓W的光。算出部145是根據該光檢測部144的受 光資訊來算出晶圓W上的阻劑圖案的線寬CD。線寬測定裝 置140是例如使用散射測量（Scatterometry )法來測定阻 劑圖案的線寬者。在使用散射測量法時，於算出部1 45， 對照藉由光檢測部1 44所檢測出的晶圓W的面內的光強度 分布與預先被記憶的假想的光強度分布。然後，求取對應 -18- 201222626 於該被對照之假想的光強度分布的阻劑圖案的線寬CD，藉 此可測定阻劑圖案的線寬CD。 並且，線寬測定裝置140是可使晶圓W對光照射部143 及光檢測部1 44相對性地水平移動，藉此可測定晶圓W的 面內的複數的測定點的線寬。 在以上那樣構成的塗佈顯像處理系統1是進行以下那 樣的塗佈顯像處理。 首先，藉由圖1所示的晶圓搬送體22來從卡匣載置台 20上的卡匣C內一片一片地取出未處理的晶圓W，依序搬 送至處理站13。晶圓W是被搬送至屬於處理站13的第3處 理裝置群G3的溫調裝置70，溫調至預定溫度。之後，晶圓 W藉由第1搬送裝置30來搬送至例如底塗層裝置43，形成 反射防止膜。之後，晶圓W藉由第1搬送裝置30來依序搬 送至熱處理裝置75、高精度溫調裝置80，在各處理裝置中 實施預定的處理。之後，晶圓W藉由第1搬送裝置30來搬 送至例如阻劑塗佈裝置40。 在阻劑塗佈裝置40是由噴嘴來供給預定量的阻劑液至 例如被旋轉的晶圓W的表面。然後，藉由該阻劑液擴散於 晶圓W的表面的全面，在晶圓W上形成阻劑膜。 被形成阻劑膜的晶圓W是藉由第1搬送裝置3 0來搬送 至例如預烤裝置8 1，實施熱處理（預烤）。之後，晶圓W 藉由第2搬送裝置31來依序搬送至周邊曝光裝置102、高精 度溫調裝置93，在各裝置中實施預定的處理。之後，晶圓 W藉由介面站14的晶圓搬送體111來搬送至曝光裝置A。一 -19- 201222626 旦晶圓w被搬送至曝光裝置A，則會從曝光光源經由遮罩 來照射光至晶圓W的阻劑膜上，在阻劑膜形成預定的圖案 。如此對晶圓W實施曝光。 曝光終了的晶圓W是藉由介面站1 4的晶圓搬送體1 1 1 來搬送至處理站13的例如曝光後烘烤裝置94。在曝光後烘 烤裝置94是首先晶圓W會從搬出入口 210搬入，載置於圖4 所示的冷卻板200上。接著藉由冷卻板200移動，晶圓W移 動至熱板170的上方。晶圓W從冷卻板200交接至第1昇降 銷180，之後，藉由第1昇降銷180來載置於熱板170上。如 此開始晶圓W的熱處理（曝光後烘烤）。然後，預定時間 經過後，晶圓w藉由第1昇降銷180來離開熱板170，晶圓W 的熱處理終了。之後，晶圓W從第1昇降銷180交接至冷卻 板200，藉由冷卻板200來冷卻，從該冷卻板200經由搬出 入口 210來搬送至曝光後烘烤裝置94的外部。 曝光後烘烤終了的晶圓W是藉由第2搬送裝置3 1來搬 送至例如顯像處理裝置50，對晶圓W上的阻劑膜進行顯像 處理。之後，晶圓W例如藉由第2搬送裝置31來搬送至後 烘烤裝置85，實施熱處理（後烘烤），之後，藉由第1搬 送裝置30來搬送至高精度溫調裝置72，進行溫度調節。之 後，晶圓W藉由晶圓搬送體22來回到卡匣站12的卡匣C。 如此塗佈顯像處理系統1的一連串的晶圓處理終了。 包含在上述塗佈顯像處理系統1所進行的熱處理的塗 佈顯像處理是例如藉由圖1所示的本體控制部220來控制。 本體控制部220是連利用線寬測定裝置140之晶圓W上的阻 -20- 201222626 劑圖案的線寬測定也控制。本體控制部220是藉由例如具 備CPU或記憶體等的泛用電腦所構成，可實行所被記憶的 程式來控制晶圓處理或線寬測定。另外，本體控制部220 的程式亦可爲藉由電腦可讀取的記錄媒體來安裝於本體控 制部220者。而且，用以使後述的本實施形態的熱處理方 法實行的程式亦可爲藉由電腦可讀取的記錄媒體來安裝於 本體控制部220或加熱器控制裝置172者。 其次，參照圖9〜圖1 5說明有關本實施形態的熱處理 方法。圖9是用以說明本實施形態的熱處理方法的各工程 的程序的流程圖。圖10(a)及圖10(b)是表示步驟S11 及步驟S12的熱板溫度PV的時間變化的圖表。圖11是將晶 圓藉由熱板170來給予熱量的現象作爲等效電路顯示的圖 。圖12是將熱板溫度PV假定一定時的晶圓溫度Tw的時間 變化的圖表。圖1 3是模式性地顯示曝光後分別根據與步驟 S11及步驟S12同等的熱處理條件來曝光後烘烤、顯像處理 ，藉此形成的阻劑圖案的剖面圖。圖1 4是表示在對應於各 熱源的位置的位置之間比較根據與步驟S11同等的熱處理 條件來曝光後供烤時所形成的阻劑圖案的線寬CD的圖表。 圖15是表示第1工程的熱板溫度PV的時間變化的圖表。 如圖9所示，本實施形態的熱處理方法是具有：資料 取得工程（步驟S11、步驟S12)、算出工程（步驟S13) 、第1工程（步驟S14〜S16)及第2工程（步驟S17)。 本實施形態的熱處理方法是變更設定溫度到達前開始 的熱處理的後半的熱處理溫度者，而使在設定溫度到達前 -21 - 201222626 開始熱處理時給予晶圓的熱量會等於在設定溫度到達後開 始熱處理時給予晶圓的預定的熱量。因此，本實施形態的 熱處理方法是具有：預先測定預定的熱量的測定工程、及 根據測定後的預定的熱量來實際對晶圓進行熱處理的熱處 理工程。測定工程是具有資料取得工程（步驟s 1 1、步驟 S12)及算出工程（步驟S13)。而且，熱處理工程是具有 第1工程（步驟S14〜步驟S16)及第2工程（步驟S17)。 並且，第1工程是具有開始工程（步驟S14)、預測工程（ 步驟S15)及變更工程（步驟S16)。 在步驟S11是將熱板170的設定溫度從第1溫度T1變更 成第2溫度T2，在設定溫度被變更的熱板170的溫度從第1 溫度T1到達第2溫度T2之前，以第1溫度T1與第2溫度T2之 間的第3溫度T3，將第1測定用晶圓TW1載置於熱板170而 開始熱處理。然後，藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的 熱板170來熱處理第1測定用晶圓TW1。在熱處理第1測定 用晶圓TW1時，測定熱板170的溫度之熱板溫度PV。藉此 ，取得熱板溫度PV的溫度資料。而且，在進行預定時間熱 處理後，從熱板170取出第1測定用晶圓TW1。 如前述般，加熱器171是被分成複數的加熱器171a〜 171c»因此，將各加熱器171a〜171c的設定溫度從第1溫 度T1變更成第2溫度T2/而且，在對應於各加熱器171a、 171b、171c的位置PI、P2、P3的熱板溫度PV到達第2溫度 T2之前，以第1溫度T1與第2溫度T2之間的第3溫度T3，將 第1測定用晶圓TW 1載置於熱板1 70而開始熱處理。然後， -22- 201222626 藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的熱板170來熱處理第1 測定用晶圓T W 1 ’且測定對應於加熱器1 7丨a、1 7 1 b、1 7 1 c
的複數的位置PI、P2、P3的熱板170的溫度之熱板溫度PV 〇 有關熱板溫度PV是例如在圖6所示的位置P1〜P3設置 溫度感測器，按一定時間，例如每1秒測定位置P 1〜P 3的 熱板溫度P V，且將測定的熱板溫度p V輸入至加熱器控制 裝置1 72，記憶於加熱器控制裝置1 72。 另外，有關第1溫度T1、第2溫度T2，亦可按各加熱器 1 7 1 a〜1 7 1 c設定相異各別的値，作爲各加熱器1 7 1 a〜1 7 1 c 的設定溫度。藉此，可調整成使晶圓W的面內之線寬CD的 均一性提升。 又，可使用附熱電偶的晶圓作爲第1測定用晶圓TW 1 ，其係於晶圓的複數處設有例如由熱電偶所構成的溫度感 測器，藉此測定晶圓溫度Tw。 其次，在步驟S12，在熱板170的溫度被保持於第2溫 度T2的狀態下，將第2測定用晶圓TW2載置於熱板170而開 始熱處理。然後，藉由熱板170來以第2溫度T2熱處理第2 測定用晶圓TW2。在以第2溫度T2熱處理第2測定用晶圓 TW2時，測定熱板170的溫度之熱板溫度PV。藉此，取得 熱板溫度PV的溫度資料。而且’在進行預定時間熱處理後 ，從熱板170取出第2測定用晶圓TW2。 在步驟S 1 2也是按一定時間，例如每1秒測定位置P 1〜 P3的熱板溫度PV，且將測定後的熱板溫度PV輸入至加熱 -23- 201222626 器控制裝置1 72，記憶於加熱器控制裝置1 72。而且，有關 第2溫度T2 ’亦可按各加熱器171a〜171c設定相異各別的 値，作爲各加熱器171a〜171c的設定溫度。 又，可使用附熱電偶的晶圓作爲第2測定用晶圓TW2 ，其係於晶圓的複數處設有例如由熱電偶所構成的溫度感 測器，藉此測定晶圓溫度Tw。 另外，第2測定用晶圓TW2是相當於本發明的測定用 基板。 將在資料取得工程（步驟S 1 1及步驟S 1 2 )所取得的熱 板溫度PV的溫度資料的一例分別顯示於圖1 〇 ( a )及圖1 〇 (b) 〇 在步驟SI 1中，將熱板170的設定溫度從第1溫度T1的 140°C變更成第2溫度T2的110°C。然後，如圖10 ( a)所示 ，在熱板溫度PV到達第2溫度T2的1 10°C之前，形成第3溫 度T3的1 17°C時，載置第1測定用晶圓TW1而開始熱處理。 於是，熱板溫度PV是在第1測定用晶圓TW 1的熱處理開始 後也下降，到達第2溫度T2的1 10°C。 並且，在步驟S12中，在熱板溫度PV被保持於第2溫度 T2的110°C的狀態下，載置第2測定用晶圓TW2而開始熱處 理。於是，如圖10 ( b )所示，熱板溫度PV雖在第2測定用 晶圓TW2的熱處理開始後若干變動，但之後會被保持於第 2溫度T 2的1 1 0 °C。 其次，在算出工程（步驟S13)，根據所取得的熱板 溫度PV的溫度資料來算出第1測定用晶圓TW 1及第2測定用 -24- 201222626 晶圓TW2藉由熱板170所被賦予的熱量。 如圖7所示，晶圓W自熱板170配置於間隙高度Η的位 置時，在上述的熱板溫度Ρ V的溫度領域中，從熱板1 7 0往 晶圓W的熱傳達可想像是對流，且輻射可無視的程度，爲 經由空氣的熱傳導所主導。此時，經由空氣的熱傳導所產 生的熱流，如圖11所示，是將熱板170假定爲直流電源， 將晶圓W假定爲電容C的電容器，將經由間隙高度Η之間的 空氣的熱傳導的熱電阻假定爲電阻値R的電阻，可置換成 等效電路。並且，將熱板溫度PV設爲預定溫度Τρ，將時間 定數設爲τ。於是，時刻t的晶圓溫度Tw是以式（1 )及式 (2 )來表示。 [數學式1] ⑴ 7V = 7>(l_e_,/r) [數學式2]
CR ⑵ 在式（1 )所示的晶圓溫度Tw的時間變化是被顯示於 圖12。 此時，若將晶圓W的面積設爲S，將空氣的熱傳導率 設爲κ，則在時刻t的單位時間給予晶圓W的熱量是以式（3 )來表示。 •25- 201222626 [數學式3] Q = —(Tp~Tw) = ⑶ 具體而言，根據時刻t = 0的熱板溫度PV的溫度資 式（1 )來算出微小時間Δί後（t = /\t )的晶圓溫度TW 根據算出的晶圓溫度Tw及式（3)來求取在此微小時 的期間給予晶圓W的熱量QAt。同樣，更求取微小時 後（t = 2At)的晶圓溫度Tw及所被賦予的熱量Q“。可 予以重複的數値計算來求取步驟S11及步驟S12的晶圓 Tw及所被賦予的全熱量Q。 另外，爲了進行後述的第1工程的預測工程（步磨 )，至少進行步驟S 1 2即可，亦可省略步驟S 1 1。 圖10(a)及圖10(b)所示的例子是在熱處理的 ，第1測定用晶圓TW 1的熱板齊度PV要比第2測定用 TW2的熱板溫度PV更高。因此，給予第1測定用晶圓 的合計熱量要比給予第2測定用晶圓TW2的合計熱量 〇 並且，對應於各加熱器171a、171b、171c的熱板 PV彼此相異時，給予第1測定用晶圓TW1或第2測定用 TW2的每單位面積的熱量是在各位置PI、P2、P3之間 〇 若在晶圓W間或晶圓W的面內所被賦予的熱量不 料及 ，且 間At 間Δί 進行 溫度 IS\5 前半 晶圓 tw 1 更多 溫度 晶圓 不同 同， -26- 201222626 則進行至顯像處理所形成的阻劑圖案的線寬CD不同。在曝 光後烘烤中，因爲曝光領域的阻劑膜可溶化於顯像液的反 應的進展不同，所以在顯像處理時所被除去的可溶部的寬 度不同。在此，線寬CD是可利用線寬測定裝置140來測定 取得。 圖1 3 ( a )及圖1 3 ( b )是模式性地顯示在晶圓W上經 由反射防止膜301來將所被形成的阻劑膜302曝光，曝光後 ，分別根據相當於步驟SI 1及步驟S12的熱處理條件來曝光 後烘烤、顯像處理，藉此形成的阻劑圖案303的剖面圖。 圖1 3 ( a )是表示步驟S 1 1，亦即給予晶圓W的熱量相對多 的情況，圖1 3 ( b )是表示步驟S 1 2，亦即給予晶圓W的熱 量相對少的情況。若給予晶圓W的熱量變多，則因爲曝光 領域的阻劑膜3 02可溶化於顯像液而形成可溶部3 04的反應 的進展更進一步，所以在顯像處理時所被除去的可溶部 304的寬度會變大，所被形成的阻劑圖案3〇3的線寬CD會變 小。 圖14是表示在對應於各熱源的位置P1〜P3的位置之間 比較曝光後根據與步驟S11同等的熱處理條件來進行曝光 後烘烤，進行顯像處理時所被形成的阻劑圖案的線寬CD的 圖表。當給予晶圓W的每單位面積的熱量爲依Pi、P2、P3 的順序增大時，所被形成的阻劑圖案的線寬CD會依p 1、 P2、P3的順序減少。亦即，若給予晶圓W的每單位面積的 熱量在晶圓W的面內不同，則線寬CD的晶圓面內的均一性 會降低。 -27- 乜· 201222626 以上’藉由進行資料取得工程（步驟S12)及算出工 程（步驟S13 )’算出在熱板17〇被保持於第2溫度T2的狀 態下開始熱處理時給予晶圓W的預定的熱量。而且，之後 ’對實際被處理的複數的晶圓所構成的晶圓群的各晶圓W 進行熱處理。 第1工程的開始工程（步驟S14)是將熱板170的設定 溫度從第1溫度Τ1變更成第2溫度Τ2，在設定溫度被變更的 熱板170的溫度到達第2溫度Τ2之前，以第1溫度Τ1與第2溫 度Τ2之間的第3溫度Τ3，將第1晶圓（最初的晶圓）W 1載 置於熱板1 70而開始熱處理。然後，取得開始熱處理之後 的熱板170的溫度之熱板溫度pV的溫度資料。 另外，第1晶圓W1是相當於本發明的基板群的最初的 基板。 具體而言，將各加熱器171a〜171c的設定溫度從第1 溫度T1變更成第2溫度T2。而且，在各加熱器171a〜171c 的附近的熱板溫度PV到達第2溫度T2之前，以第1溫度T1 與第2溫度T2之間的第3溫度T3，將第1測定用晶圓TW1載 置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由設定溫度被變更 成第2溫度T2的熱板170來熱處理第1測定用晶圓TW1，且 測定對應於加熱器171a、171b、171c的複數的位置PI、P2 、P3的熱板170的溫度之熱板溫度PV。 其次，第1工程的預測工程（步驟S 1 5 )是在熱板1 70 的溫度到達第2溫度T2時，根據取得的熱板溫度PV的溫度 資料來預測未自第2溫度T2變更熱板170的設定溫度時第1 -28- 201222626 晶圓W1藉由熱板170所被賦予的熱量。 藉由與算出工程（步驟S13)同樣的方法，根據所取 得的熱板溫度PV的溫度資料來算出第1晶圓wi藉由熱板 170所被賦予的熱量。但，所取得的熱板溫度pv的溫度資 料是只針對熱處理的前半的部分。因此，在熱板溫度PV到 達設定溫度之後第1晶圓W1藉由熱板170所被賦予的熱量 是假定熱板溫度PV之後等於第2溫度T2者來算出。 另外’在取得對應於加熱器171a〜171c的各位置P1〜 P3的溫度資料時，是根據按各位置P1〜P3所取得的熱板溫 度PV的溫度資料來預測在各位置P1〜P3，第1晶圓wi藉由 熱板170所被賦予的熱量。 其次，第1工程的變更工程（步驟S16)是根據預測的 熱量、及第2晶圓W2藉由熱板170所被賦予的熱量，自第2 溫度T2變更熱板170的設定溫度，藉由設定溫度被變更的 熱板170來熱處理第1晶圓W1。此時，根據預測的熱量， 以實際第1晶圓W1藉由熱板170所被賦予的熱量能夠等於 在算出工程（步驟S 1 3 )所算出之給予晶圓W的熱量的方 式，自第2溫度T2變更熱板170的設定溫度。 例如，將所被預測的熱量設爲Q 1。並且，將所預先算 出之步驟S12的熱量設爲Q2。而且，將在第1工程的變更工 程（步驟S16)中變更設定溫度而熱處理的時間設爲tl， 將晶圓W的重量及比熱分別設爲M、Cw。此時，可藉由式 (4)來簡單地算出設定溫度的變更量ΔΤ。 —29 - 201222626 [數學式4] ΔΤ = Q2-Q1 ⑷ 具體而言，藉由在設定溫度加上變更量ΔΤ，變更成新 的設定溫度。亦即，當第2溫度Τ2比第1溫度Τ 1更低時，熱 量Q1會比熱量Q2大，AT形成負，使設定溫度比第2溫度Τ2 只下降變更量AT。另一方面，當第2溫度T2比第1溫度T1 更高時，熱量Q1會比熱量Q2小，ΔΤ形成正，使設定溫度 比第2溫度T2只上升變更量ΔΤ。 例如可將第1溫度T1設爲140°C，將第2溫度T2設爲 M〇°C，將第3溫度T3設爲117°C，且將熱處理時間設爲60秒 ’作爲具體例。又，可將熱處理時間之中，至計算熱板溫 度PV到達第2溫度T2時第丨晶圓W1m被賦予的熱量爲止取 得資料的時間設爲30秒。而且，可將自第2溫度T2僅變更 量ΔΤ變更設定溫度來熱處理的時間tl設爲30秒。另外，資 #取得的時間間隔是例如可設爲1秒。 此時，所被預測的熱量Q1是成爲8983J，步驟S12的熱 量Q2是成爲8774J，Q2‘Q1是成爲-209J。並且，將Μ設爲 12〇g，將Cw設爲0.71 J/g.°C。於是，式（4)的ΔΤ是成 爲- 0.08 t：，在第1工程的變更工程（步驟S16)中只要將熱 板17〇的設定溫度下降0.08°C下即可求取。 然後，如圖15所示，藉由自第2溫度T2僅變更量ΔΤ變 更設定溫度的熱板170來熱處理第1晶圓W1。而且，在進 -30- 201222626 行預定時間熱處理之後，從熱板170取出第1晶圓Wl» 另外，在對應於加熱器171a〜171c的各位置P1〜P3預 測第1晶圓W 1藉由熱板1 7 0所被賦予的熱量時，亦可根據 預測的熱量、及第2晶圓W2藉由各加熱器17]la〜171c所被 賦予的熱量，自第2溫度T2以不同的變更量ΔΤ1、AT2、 AT3來變更熱板170的設定溫度。藉此，可使給予晶圓w的 熱量的晶圓面內的均一性提升，可使顯像處理後所被形成 的阻劑圖案的線寬CD的晶圓面內的均一性提升。 又’亦可取代步驟S15及步驟S16，在熱板170的溫度 到達第2溫度T2時，根據所取得的熱板溫度pv的溫度資料 來預測使熱板1 70的設定溫度從第2溫度T2變更設定溫度ΔΤ 時第1晶圓W 1藉由熱板1 7 0所被賦予的熱量，且根據預測 的熱量、及其次的基板藉由熱板170所被賦予的熱量來決 定設定溫度的變更量AT。此時，根據預測的熱量，以實際 第1晶圓W1藉由熱板所被賦予的熱量能夠等於在算出工程 (步驟S13)所算出之給予晶圓W的熱量的方式，決定設 定溫度的變更量ΔΤ。 其次’在第2工程（步驟S17 )是使熱板17〇的設定溫 度回到第2溫度T2，在熱板170的溫度被保持於第2溫度T2 的狀態下，將第2晶圓（其次的晶圓）W2載置於熱板170 而開始熱處理。然後，藉由熱板170來熱處理第2晶圓W2 。而且，在進行預定時間熱處理之後，從熱板1 7 0取出第2 晶圓W2。 另外，第2晶圓W 2是相當於本發明的基板群的其次的 -31 - 201222626 基板》 若根據本實施形態，則在熱板170的溫度從第1溫度ΤΙ 到達第2溫度Τ2之前，爲第1溫度Τ1與第2溫度Τ2之間的第3 溫度Τ3時，開始第1晶圓（最初的晶圓）W 1的熱處理。藉 此，可比熱板170的溫度到達第2溫度Τ2之後開始熱處理的 情況更早開始第1晶圓（最初的晶圓）W 1的熱處理。例如 ，將第1溫度Τ1設爲140°C，將第2溫度Τ2設爲110°C，將第 3溫度T3設爲117t時，可將第1晶圓（最初的晶圓）W1的 熱處理提早30秒程度開始。 又，若根據本實施形態，則可使在第1工程（步驟S 1 4 〜S16 )給予第1晶圓（最初的晶圓）W1的熱量與在第2工 程（步驟S 1 7 )給予第2晶圓（其次的晶圓）W2的熱量形 成大略相等。因此，可使曝光領域的阻劑膜可溶化於顯像 液的反應的進展大略相等，可使顯像處理時所被除去的可 溶部的寬度大略相等。因此，在第1晶圓（最初的晶圓） W 1與第2晶圓（其次的晶圓）W2 (及以後的晶圓W )之間 ，可使藉由顯像處理所形成的阻劑圖案的線寬CD大略相等 〇 例如，取代第1工程（步驟S 1 4〜步驟S 1 6 )，藉由資 料取得工程的步驟S 1 1來熱處理第1晶圓W 1，接著進行第2 工程（步驟S17 )時，線寬CD在第1晶圓W1中爲65.3 7nm， 在第2晶圓W2中爲66.00nm。另一方面，藉由第1工程（步 驟S14〜步驟S16)來熱處理第1晶圓W1，接著進行第2工 程（步驟S17 )時，線寬CD在第1晶圓W1中爲65.80nm，在 -32- 201222626 第2晶圓W2爲66.00nm。 又，若根據本實施形態，則不會有爲了縮小熱容量， 弄薄熱板170，而使強度降低之虞。又，由於不需要冷卻 熱板170的冷卻機構’因此不會有使裝置成本增大之虞。 另一方面’本實施形態的熱處理方法是亦可爲變更在 設定溫度到達前開始的熱處理的後半的熱處理時間者，而 使在設定溫度到達前開始熱處理時給予晶圓的熱量等於在 設定溫度到達後開始熱處理時給予晶圓的預定的熱量。以 下，參照圖1 6及圖1 7，說明有關本實施形態的變形例的熱 處理方法。 圖16是用以說明本變形例的熱處理方法的各工程的程 序的流程圖。圖17是表示第1工程的熱板溫度pv的時間變 化的圖表。 如圖16所示，本變形例的熱處理方法是具有：資料取 得工程（步驟S 1 1、步驟S 1 2 )、算出工程（步驟S 1 3 )、 第1工程（步驟S14〜S16，）及第2工程（步驟S17，）。從步 驟S 1 1到步驟S 1 5是與利用圖9來前述的實施形態的熱處理 方法同樣。但’在預測工程（步驟S 1 5 )是根據所取得的 熱板溫度PV的溫度資料來預測未自預定時間變更熱處理時 間時第1晶圓W 1藉由熱板〗7 〇所被賦予的熱量。 其次，第1工程的變更工程（步驟S16')是根據預測 的熱量、及第2晶圓W2藉由熱板1 70所被賦予的熱量，自 預定時間變更熱處理時間，在所被變更的熱處理時間的期 間’熱處理第1晶圓W 1。此時，根據預測的熱量，以實際 -33- 201222626 第1晶圓W1藉由熱板170所被賦予的熱量能夠等於在算出 工程（步驟S13)所算出之給予的晶圓W的熱量的方式， 自預定時間變更熱處理時間，在所被變更的熱處理時間的 期間，熱處理第1晶圓W 1。 例如，將所被預測的熱量設爲Q1。並且，將所預先算 出之步驟S12的熱量設爲Q2。而且，將自預定時間變更第1 工程的熱處理時間的變更時間設爲ti，將晶圓W的重量及 比熱分別設爲Μ、Cw。此時，可藉由式（5)來簡單地算 出熱處理時間的變更量Δί。 [數學式5] Δί = Q2-QI M-Cw(f2 + 273.15) ⑸ 具體而言，藉由在預定時間加上變更量At，變更成新 的熱處理時間。亦即，當第2溫度T2比第1溫度T1更低時， 熱量Q1會比熱量Q2大，Δί形成負，使熱處理時間形成比預 定時間只短變更量Δί。另一方面，當第2溫度Τ2比第1溫度 Τ1更高時，熱量Q1會比熱量Q2小，At形成正’使熱處理 時間形成比預定時間只長變更量Δί。 然後，如圖1 7所示，藉由熱板1 7〇，在自預定時間僅 變更量At被變更的熱處理時間的期間，熱處理第1晶圓W 1 。而且，在進行熱處理之後，從熱板17〇取出第1晶圓 〇 其次，第2工程（步驟S17’）是使熱處理時間回到預 -34- 201222626 定時間，在熱板170的溫度被保持於第2溫度T2的狀態下， 將第2晶圓W2載置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由 熱板170來熱處理第2晶圓W2。而且，在進行預定時間熱 處理之後，從熱板170取出第2晶圓W2。 本變形例也是在熱板1 7 0的溫度從第1溫度Τ 1到達第2 溫度Τ2之前，爲第1溫度Τ1與第2溫度Τ2之間的第3溫度Τ3 時，開始第1晶圓（最初的晶圓）W 1的熱處理。藉此，可 比熱板170的溫度到達第2溫度Τ2之後開始熱處理的情況更 早開始第1晶圓（最初的晶圓）W 1的熱處理。 例如，將第1溫度Τ 1設爲1 40°C，將第2溫度Τ2設爲 1 l〇°C，將第3溫度T3設爲1 17t時，可使第1晶圓（最初的 晶圓）W 1的熱處理早開始3 0秒程度。 並且，在本變形例亦可使在第1工程（步驟S14〜S16' )給予第1晶圓（最初的晶圓）W 1的熱量與在第2工程（ 步驟S17')給予第2晶圓（其次的晶圓）W2的熱量形成大 略相等。因此，因此，可使曝光領域的阻劑膜可溶化於顯 像液的反應的進展大略相等，可使顯像處理時所被除去的 可溶部的寬度大略相等。因此，在第1晶圓（最初的晶圓 )W 1與第2晶圓（其次的晶圓）W2 (及以後的晶圓W )之 間，可使藉由顯像處理所形成的阻劑圖案的線寬CD大略相 而且，本變形例亦不會有爲了縮小熱容量，而弄薄熱 板170，使強度降低之虞。又，由於不需要冷卻熱板170的 冷卻機構，因此不會有使裝置成本增大之虞。 -35- 201222626 以上’針對本發明的較佳實施形態來敘述，但並非限 於本發明的特定實施形態，亦可在申請專利範圍內所記載 的本發明的要旨範圍內實施各種的變形.變更。 另外，本發明不僅曝光後烘烤裝置，可適用於熱處理 晶圓的各種的熱處理裝置。又，本發明可適用於用以熱處 理半導體基板、玻璃基板及其他各種基板的裝置。 【圖式簡單說明】 圖1是表示實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的槪 略平面圖。 圖2是表示實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的槪 略正面圖。 圖3是表示實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的槪 略背面圖。 圖4是表示實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的槪略 縱剖面圖。 圖5是表示實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的槪略 橫剖面圖。 圖6是擴大顯示熱板的平面圖。 圖7是沿著圖6的A-A線的縱剖面圖。 圖8是表示線寬測定裝置的構成的槪略縱剖面圖。 圖9是用以說明實施形態的熱處理方法的各工程的程 序的流程圖。 圖10是表示步驟SI 1及步驟S12的熱板溫度的時間變化 -36- 201222626 的圖表。 圖11是將晶圓藉由熱板來給予熱量的現象作爲等效電1 路顯示的圖。 圖1 2是將熱板溫度假定一定時的晶圓溫度的時間變化 的圖表。 圖1 3是模式性地顯示曝光後分別根據與步驟s 1 1及步 驟S 1 2同等的熱處理條件來曝光後烘烤、顯像處理，藉此 形成的阻劑圖案的剖面圖。 圖14是表示在對應於各熱源的位置的位置之間比較根 據與步驟S11同等的熱處理條件來曝光後烘烤時所形成的 阻劑圖案的線寬CD的圖表。 圖15是表示第1工程的熱板溫度的時間變化的圖表。 圖1 6是用以說明實施形態的變形例的熱處理方法的各 工程的程序的流程圖。 圖1 7是表示第1工程的熱板溫度的時間變化的圖表。 【主要元件符號說明 '】 1 :塗佈顯像處理系統 1 3 0 :曝光後烘烤裝置 170 :熱板 1 7 1 :加熱器 172 :加熱器控制裝置 2 2 0 :本體控制部 W :晶圓（基板） -37-