TW201220575A

TW201220575A - Method for making an oreanic EL element

Info

Publication number: TW201220575A
Application number: TW100125775A
Authority: TW
Inventors: Shoji Mima
Original assignee: Sumitomo Chemical Co
Priority date: 2010-07-21
Filing date: 2011-07-21
Publication date: 2012-05-16
Also published as: EP2597934A1; CN103120019B; CN103120019A; JP2012043781A; US9276237B2; JP5862086B2; WO2012011511A1; EP2597934A4; US20130183782A1

Description

201220575 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種有機el元件之製造方法。【先前技術】發光元件係有其構成或發光原理等相異之各種者。中之一係目前有機 EL(Electro Luminescence)元 = 用化。貫有機EL元件係由層合陽極、由有機物所構成之發光層、及陰極所構成。若對此有機EL元件施加電壓，從陽極注入電洞，同時並從陰極注人電子。繼而，從各電極所注入之電洞與電子在發光層中結合以產生發光。在只由陽極、發光層、及陰極所構成之有機el元件係很難#所希㈣發純性，故—般於陽轉陰極之間設有發光層以外之預定的層。例如，在陽極與發光層之間係設有電洞注人層，在發光層與陰極之間係設有電;注二廣。亦即，有機EL it件的構成之一可想到為由陽極、電洞注入層、發光層、電子注人層及陰極所構成者。電洞注入詹係為使源自陽極之電洞容易m，電子注入層使源自陰極之電子容易注入，而分別設置。 ' ' 有機EL元件係可藉由於支樓基板上依序層合各構成要素而形成。繼而’其層合之順序係可想到⑴從陽極依序廣合各構成要素之層合順序（順層合）、與⑵從陰極依序層合各構成要素之層合順序（逆層合）。在習知之技術中係^ 由捲軸式㈣以順層合製作有機EL元件（例如參照專利^ 323317 4 201220575 ' 獻 1)。先前技術文獻專利文獻專利文獻1 :日本特開2007-149589號公報【發明内容】 (發明所欲解決之課題）但’若欲使上述習知之技術直接適用於以逆層合製造有機EL元件的方法，即產生如下之問題。一般，電子注入層係藉由在大氣中不安定的電子注入材料而構成。例如，電子注入層係藉Ba、Ba〇以及NaF等而構成，一般係在真空環境中形成。順層合係於電子注入層上設有陰極，但為抑制陰極形成時之電子注入層的劣化，陰極之形成一般亦在真空環境中進行。如此地，電孑注入層係在其形成後不使曝露於大氣中而被陰極被覆。對於如此之順層合的構成之有機EL元件，使其層合順序相反，而使各構成要件從陰極依序層合時，係使陰極、電子注入層依序形成後，再於電子注入層上形成發光層。藉塗佈法而开〉成此發光層時，不使電子注入層曝露於大氣中，其時，電子注入層會有劣化的情形。為避免電子注入層之劣化，必須在真空環境中形成發光層’在真空環境中印墨會沸騰，故於發光層之形成無法適用塗佈法。因此，發光層之形成方法係限定於蒸鍍法等，甚至發光材料亦限定於適用在蒸鐘法等之材料。又，在捲軸式法中，在真空環境中形成發光層時’必須包含捲取可 5 323317 201220575 撓性薄膜之裝置而使裝置全體保持於真空環境中，故有裂置大型化之問題。因此本發明之目的在於提供一種在從陰極依序形成有機EL元件之各構成要素之方法中，藉由捲軸式（r〇u仂 rol 1)法而簡便地製作有機El元件之有機EL元件的製造方法。 (用以解決課題之手段）本發明之有機EL元件的製造方法，其係藉由捲軸式法而於支撐基板上依序層合陰極、電子注入層、發光層及陽極而製作有機EL元件，其特徵係包含如下之步驟：在幵>成有陰極之支撐基板的陰極上，藉由塗佈含有離子性聚合物之印墨而成膜以形成電子注入層的步驟；於電

子注入層上形成發光層之步驟；於發光層上形成陽極之+ 驟。 V 本發明係關於一種有機EL元件的製造方法，其中支撐基板為由金屬薄板所構成。牙本發明係關於一種有機EL元件的製造方法，其中在形成電子注入層之步驟中，在常壓之環境下塗佈前述 (發明之效果）土若依本發明，可提供一種藉由在常壓程度之環境中使用比較安定且新穎的電子注入材料，從陰極依序形成有機 EL το件之各構成要素之方法中，藉由捲軸式法而簡便地作有機EL元件。 " 【實施方式】 323317 6 201220575 以下說明有關本發明之適佳的實施形態。本實施形態之有機EL元件的製造方法，其係藉由捲軸式法而於支撐基板上製作有機EL元件，其特徵係包含如下之步驟：在形成有陰極之支撐基板上，藉由塗佈含有離子性聚合物之印墨而成膜以形成電子注入層的步驟；於電子注入層上形成發光層之步驟；及於發光層上形成陽極之步有機EL元件係可使用於例如照明裝置的光源、或顯示裝置之背光。以下，參照第1圖而說明有關本實施形態的有機EL元件。第1圖係模式性表示本實施形態之有機EL 元件之截面圖。本實施形態之有機EL元件係於支撐基板上至少依序層合陰極、電子注入層、發光層、及陽極所構成。又，有機EL元件係於陽極與陰極之間，除了發光層及電子注入外’尚依需要而亦可設有預定之層。例如，於陽極與之間亦可設有電㈣人層、電浦㈣及電子輸送層^。第、1圖係就-例而言，表示依序層合支撐基板2、電洞注入層4、發光層5、電洞注入層6及陽極7所槿有機EL元件1。 W構成之有機EL元件軸碰序層合謂成要素所實轭形態中，電子注入層係藉印墨而成朗形成。线3有離子性聚合物之如後述之實驗例所示般，若依本實施形態之方從陰極依序層合有機EL元件之各構成要素所製作之= 323317 7 201220575 機EL元件係可進行發先此有機EL开技# ^ 件係藉由塗佈含有離子性聚合物之印墨而成膜以形成電；& „ _ 王入層。進一步夢塗佈法而形成發光層、電洞輸送層、電、、π、+ _ . 曰办㈣士 w 电洞注入層者。因此’ 電子注入層於其形成後暫時曝露於大_由 ^ 、礼肀。亦即，若仿太實施形態之紐，在衫逆層合之構柄有機EL元件中係藉由塗佈含有離子性聚合物之印墨形成之電子，、主入層係即使曝露於大氣中，亦可維持作為電子注入層之功能。以下’參照» 2 ®，藉由捲轴式法（以下，有時稱為 R2R法）而說明有關製造有機EL元件之方法。在R2R法中係至少配置一對的捲芯11、12。一對的捲芯u、12係分別捲繞帶狀之可撓性薄膜。從一者之捲芯U朝另一者之捲芯12的可撓性薄膜之換捲係從一者的捲芯丨丨所送出之可換性薄膜’捲取於另一者之捲芯12而進行^此可撓性薄膜換捲時，分別層合有機EL元件之各構成要素。在本實施形態中，首先，準備於表面預先形成陰極之支撐基板。繼而，就一者的捲芯11而言，使用於表面預先形成陰極之支撐基板被捲取者。從一者的捲芯11所送出之支撐基板係朝向另一者之捲芯12而朝水平方向移動（在第2圖中係支撐基板朝右方移動）。支撐基板之移動中，含有成為電子注入層之材料的印墨於陰極上塗佈成膜，形成電子注入層。含有成為電子注入層之材料的印墨係從塗佈裝置13供給。 8 323317 201220575 若形成電子注入層，繼而，含有成為發光層之材料的印墨於電子注入層上塗佈成膜，形成發光層。含有成為發光層之材料的印墨係從塗佈裝置14供給。若形成發光層，繼而，含有成為電洞注入層之材料的印墨於發光層上塗佈成膜，形成電洞注入層。含有成為電洞注入層之材料的印墨係從塗佈裝置15供給。若形成電洞注入層，繼而，含有成為陽極之材料的印墨於電洞注人層上塗佈成膜，形成陽極。含有成為陽極之材料的印墨係從塗佈裝置16供給。依以上之步驟而形成有機EL·元件。若形成陽極，繼而，支撐基板係捲取於另一捲芯12。以上之步驟係可在大氣中進行。例如，在無塵室中可藉R2R法而製造有機肛元件。又，依需要而在惰性氣體環境中進行以上之步驟。如此地，不導入真空環境而以r汉法而形成有機EL元件，可簡便地形成有機EL元件。上述之塗佈裝置13、14、15、16係可舉例桿塗裝置、毛細管塗佈裝置、模縫塗佈裝置、喷墨塗佈裝置、噴塗塗佈裝置、喷嘴塗佈裝置及印刷裝置等。本實施形態中係可使用複數之塗佈裝置13、14、15、16，但此等係可為全部相同之種類的裝置。又，亦可依印墨之種類而個別地使用最適宜的塗佈裝置。在第2圖中係表示從支撐基板之垂直方向的上方，於支撐基板上使印墨塗佈成膜的形態，但就另一實施形態而吕，從支撐基板之垂直方向的下方，亦可於支撐基板上使 9 323317 201220575 印墨塗佈成膜。在第2圖中係表示朝水平方向（在第2圖係左右方向）輸送支撐基板之形態，但亦可朝垂直方向、或從水平方向朝垂直方向傾斜之斜方向輸送支撐基板。在第2圖中係僅表示塗佈裝置13、14、15、16，但可依需要而進一步設置清掃裝置、或乾燥裝置、抗靜電裝置等。清掃裝置係於從一者之捲芯11所送出之支撐基板最初塗佈印墨之前的步驟中，進行支撐基板之清掃，例如改質支撐基板之表面（亦即，陰極表面）。清掃裝置係藉由例如低壓水銀燈、準分子雷射及電漿洗淨裝置等而實現。例如，使用5mm至15mm左右間隔配置之波長184· 2nm的低壓水銀燈，使照射強度5至20m W/cm2之光照射於支撐基板而進行清掃。又’電漿洗淨裝置中例如可適宜使用例如大氣壓電漿’使用含有氧1至5體積％之氬氣，以頻率· l〇〇kHz 至150MHz、電壓l〇V至10kV、照射距離5至2〇顏之條件進行清掃。在藉由各塗佈裝置13、14、15、16、17而分別塗佈印墨之前，宜對支撐基板實施抗靜電處理。如此地藉由實施抗靜電處理，可防止塵埃之附著或絕緣破壞等。因此，抗靜電裝置係在塗佈印墨之前的步驟或塗佈印墨後之步驟二仃支撐基板之抗靜電處理的位置。抗靜電裝 ==!空氣中生成離子'抗靜電器而實現。藉由静電裝所生成之空氣中之離子係被帶電體拉引而捕捉 323317 10 201220575 相反極性之電荷。藉此而可中和靜電。其：= 而成膜之印墨係可依需要藉乾燥裝置而被乾 :二乾燥裝置係在塗佈印墨後之步驟中乾 ;處=立置：乾燥裝置可舉例如加熱震置或光照射裝 =。右相較於塗佈印墨之步驟，乾燥時間’易成為狀層劣化的。為抑制乾燥Ϊ驟中之特化’乾燥係亦可在氮氣環境或氬氣環境等之惰性氣體中進行。又，印墨為含有藉加入能量而聚合之材料時，错由使用加熱裝置或光照射裝置而加入能量，可得到構成薄膜之材料的至少一部分經聚合之薄膜。於各塗佈裂置13、14、15、16之間，亦可設有調整支樓基板之移動速㈣速度够手段。#由設有此速度調整手段，而可吸收各塗佈裝置13、14、15、16之塗佈速度的差異。速度調整手段係可藉所謂累加器（咖刪而實又，在本實施形態中係說明有關藉由塗佈法而形成陽極之方法，但陽極亦可藉由轉印•該陽極之導電性的方法而形成。亦即，取代含有成為陽極之材料墨進行塗佈成膜之塗佈裝置16(參照第2圖），而配置所謂㈣ =，伽層法而轉印成為陽極之導電性薄膜，亦可形^ 又，陽極亦可在真空環境中形成。此時，例如形成電洞注入層後，並不在此電洞注人層上形成陽極，暫時，於另一者之捲芯12捲取支縣板’其後，使陽極在真空環境 323317 11 201220575 中形成即可。例如，使形成有電洞注入層之支撐基板切割成特定之大小，將此被切割之支撐基板搬入真空裝置而形成陽極。又，例如將R2R法分成2次進行，在第1次之R2R 法中，係在大氣中至電洞注入層形成，在第2次之R2R法中，係包含捲取支撐基板之捲芯，以使R2R裝置全體保持於真空環境之狀態，亦可使陽極在真空環境中形成。本實施形態之逆層合所構成的有機EL元件係可為底部發光型（bottom emitting)之元件，亦可為頂部發光型 (top emitting)之元件，又，亦可為兩面發光型之元件。此處’所謂底部發光型之元件係指從發光層所放射之光依序透過陰極、支撐基板而射出至外界之型的有機EL元件。又，所謂頂部發光型之有機EL元件係指從發光層所放射之透光陽極而射出至外界之型的有機EL元件。又，所謂兩面發光型之元件係指從發光層所放射之光依序透過陰極、支撐基板而射出至外界，同時並從發光層所放射之透光陽極而射出至外界之型的有機EL元件。如習知之技術般，在順層合之有機EL元件中，技術上很難構成發光效率高之頂《光型的有機EL元件。在順層合之頂部發光型的有機EL元件係必須使陰極透明。導電 f膜之中’透光率高’一般可使用來作為透明電極之Π0 薄膜係適於陽極之電極’一般可使用來作為陽極。但，在薄膜作為陰極時’由於電力效率不會太高，而不 I :為陰極。若與金屬薄膜比較’ ΙΤ0薄膜之功函數較间’ mTQ薄膜注人電子時之障壁變高，故從此ΙΤ0薄 323317 12 201220575 膜注入電子時必然地須要施加高的電壓。而’於透明之電極係可使用使M、Au、Ad薄膜化 A '明之導電性薄膜。若考量電極之電阻，由於A卜 Au、Ag等無法過度薄電極相較於ΤΤΛ Γ U、Ag㈣膜化之 4膜，其透明性較低。如此之透明性低的電才使用，成為阻礙發光效率提昇之因素。刑夕=右依本實施形態，可藉逆層合而形成頂部發光道φΓ故可使陽極透明化。因此，就如此之陽極而言， in 之中’可使用透光率高之1TG薄膜等。藉此， W冓成發光效率高的頂部發光型之有機EL元件。又’使頂部發光型之有機EL元件形成於支撐基板上之 n支撐基板宜由金屬薄板所構成。如後述般，頂部，光型之有機EL元件巾，可於切基板上使料透明者。其時，從倾性讀點’於支縣板錢科鮮高者， :尤如此之支縣㈣言，宜❹金屬薄板。如此之金屬薄 2係可使用由A1、cu、Fe或含有1種以上此等金屬之合金等所構成之薄板。如上述般，以往，在順層合中报難構成發光效率高的頂部發光狀有祕元f此進行逆層合，即可實現 2光效率高_部發光叙元件，進—步，使用金屬薄板作為其支撐基板，即可提高散熱效果。繼而，更詳細地說明有機见元件之層構成及成材料。如前述般，有機EL元件係可採取各種之層構成。有機 323317 13 201220575 EL元件係由合有—對之電極、與設於其等之電極間的複數有機層而構成。在本實施形態中，就複數之有機層而言，具有至v電子注入層與i層的發光層。又，有機元件係除了有機層以外’亦可包含含有無機物與有機物之層，或僅由無機所構成之層等。構成有機層之有機物可為低分子化合物，亦可為高分子化合物，又，亦可為低分子化合物與尚分子化合物之混合物。有機層宜為含有高分子化合物者，宜含有聚苯乙烯換算之數目平均分子量為1〇3至1〇8之南分子化合物。設於陰極與發光層之間的層，係可舉例如電子注入層、電子輸送層、電洞阻隔層等。於陰極與發光層之間設有電子輸送層與電子注入層之兩者的層時，接近陰極之層成為電子注入層，接近發光層之層即成為電子輸送層。設於陽極與發光層之間的層，可舉例如電洞注入層、電洞輸送層、電子阻隔層專。設有電洞注入層與電洞輸送層之兩者的層時，接近陽極之層成為電洞注入層，接近發光層之層成為電洞輸送層。以下表示可適用於本發明之有機EL元件的有機EL元件之層構成的一例。此等之中，（b)相當於第1圖所示之有機EL元件。 (a) 支撐基板/陰極/電子注入層/發光層/陽極 (b) 支稽基板/陰極/電子注入層/發光層/電.洞注入詹/陽極 (c) 支撐基板/陰極/電子注入層/發光層/電洞輸送層/電洞注入層/陽極 14 323317 201220575 (d) 支撐基板/陰極/電子注入層/電子輸送層/發光層/陽極 (e) 支撐基板/陰極/電子注入層/電子輸送層/發光層/電洞注入層/陽極 (Ο支撐基板/陰極/電子注入層/電子輸送層/發光層/電洞輸送層/電洞注入層/陽極 (此處’ S己號「/」係表示挾住記號「/」之各層鄰接而層合。 <支撐基板> 於支樓基板係可使用表示透光性者，或表示不透光性者。又，所s胃底部發光型的有機el元件時，於支樓基板係可使用表示透光性者。又，所謂頂部發光型之有機EL元件時，於支撐基板中並不限於顯示透光性者，亦可使用顯示不透光性者。支樓基板係可適用顯示可撓性者。支撐基板係可使用玻璃板、金屬板、塑膠、高分子薄獏、以及廣合此等者等。又，玻璃板及金屬板亦可依使其厚度薄化而使用來作為顯示可撓性之基板。 <陽極> 頂部發光型之有機EL元件時，於陽極可使用顯示透光性之電極。顯示透光性之電極係可使用導電度高之金屬氧化物、金屬硫化物及金屬等之薄膜、由導電性樹脂所構成之薄膜、或由樹脂與導電性填充劑所構成之薄膜，可適宜使用透光率高者。可使用例如氧化銦.、氧化鋅、氧化錫、銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦辞氧化物（ιζο)、金、銘、銀及銅等所構成之薄膜。此等之中，亦可適宜使用IT〇、丨、或氧 323317 15 201220575 化錫所構成之溥膜。陽極的製造方法係可舉例如真空蒸鍍法、激鍍法、離子锻法、鍍敷法等。又，陽極亦可用聚苯胺或其衍生物、聚嗟吩或其衍生物等之有機的透明導電膜。導電性樹脂係可舉例如3, 4一聚乙歸二氧嘆吩聚苯乙稀續酸。又’陽極為由樹脂與導·填充劑所構成之薄膜所構成時，於韻係可使料錄樹脂。導紐填充劑係可使用金屬微粒子或導電性絲線等。導電性填充劑係可使用 Αιι或Ag、A1等。陽極係藉由使導電性填充劑及樹脂分散於刀散d之印墨塗佈成膜而形成。陽極亦可依需要而加熱又貝P發光里的有機EL元件時，陽極係可使用反射 :之材料，如此之材料宜為功函數3 〇eV以上之金屬、金屬氧化物、金屬硫化物。擇：Ξ之:可考$光之透過性及電阻等而適當地選擇。例如，為10^10心，宜為 50nm至500nm。主l/zm更且為 <電洞注入層> 構成電洞注入層之電心化翻、氧灿、及氧化銘等料可舉例如氧化飢、氧型胺系、酿菁系、非晶碳物、或笨基胺系、星爆電洞注入層之形成方法=、及聚嘆吩衍生物等。料之溶液而進行成膜的方法：二例如使用含有電洞注入材的溶液之溶劑，若為使電"^使用此溶液之成膜所使用定。可舉例如氯仿、二氯以人材料溶解者，則無特別限几、二氯乙烷等氯系溶劑、四 323317 16 201220575 氫呋喃等之醚系溶劑、曱苯、二曱苯等之芳香族烴系溶劑、丙酮、甲乙酮等之酮系溶劑、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等之酯系溶劑、及水。電洞注入層之膜厚係考量電氣特性或成膜之容易性等而可適當選擇，例如為lnm至l#m，宜為2nm至500nm，更宜為5nm至200nm。 <電洞輸送層> 構成電洞輸送層之電洞輸送材料係可舉例如聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、於側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚11比咯或其衍生物、聚（對伸苯基伸乙烯基）或其衍生物、或聚 (2, 5-伸噻吩基伸乙烯基）或其衍生物等。此等之中，電洞輸送材料係宜為聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、於側鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基之聚矽氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚（對伸苯基伸乙晞基) 或其衍生物、或聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基）或其衍生物等之高分子電洞輸送材料，更宜為聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、於側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物。低分子之電洞輸送材料時，宜分散於高分子黏結劑而使用。電洞輸送層之形成方法係無特別限制，但可舉例如以 17 323317 201220575 使用溶液之成膜的方法。使用溶液之成膜所使用之溶液的溶劑係只要為溶解電洞輸送材料者即可，無特別限制，可使用使電洞注入層成膜時所使用之溶液的溶劑所例示者。混合於電洞輸送材料之高分子黏結劑宜為不極度阻礙電荷輸送者’ X ’可適宜使用對可見光之吸收弱者，可舉例如聚碳咖旨、聚丙烯酸§旨、聚曱基丙烯賴、聚甲基丙烯酸甲自旨、聚苯乙婦、聚氣化乙烯、料氧院等。電洞輸送層之膜厚係考量電氣特性或成膜之容易性等而可適當狀。例如為lnm至丨_，宜為2nm至5〇〇nm，更宜為5nm至200nm。 <發光層> ' 發光層係主要由發出$光及/或填光之有機物、或此有機物與輔助此之摻雜物所構成。摻雜物侧如為了發光效率之提昇或改變發光波長而添加。有機物可為低分子化口物亦可為间分子化合物，發光層係宜含有聚苯乙稀換算 =數目平均分子量為1()3至1()8之高分子化合物。構成發光 =發光材料可舉例如以下之色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻雜物材料。 (色素系材料）物、色ΐί材料可舉例如環喷他明(cyclopentamine)衍生唾衍丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、°惡二比唾並喹琳衍生物苯乙烯基料基㈣抓⑯—本乙烯基本何生物一 ""比^衍生物、嘆吩環化合物、°比 18 323317 201220575 唆環化合物、祐銅衍生物、二吐二聚物、咕嗤琳二聚物物等。 (金屬錯合物系材料）茈衍生物、喹吖酮衍生物、、募噻吩衍生物、。惡香豆素衍生金屬錯合物系材料可舉例如於中心

Dy等之稀土族金屬、或Al、Zn、r τ *具有Tb、eu、

Be、ir、p 基具有噁二唑、噻二唑、笨基吡啶、苯義#、寺，於配位構造等之金屬錯合⑼。可舉例如銀錯合ς苯㈣唾、嗜琳合物等之三重態激發狀態的發光之錯丄具有源自鉑錯錯合物、苯並喹啉酚鈹錯合物、苯並噍/ α物、鋁喹啉酚噻唑辞錯合物、偶氮甲基辞錯合物、二:鋅錯合物、笨並啉銪錯合物等。咻鋅錯合物、菲繞 (高分子系材料） …如聚對伸苯基聚噻吩衍生物、聚對伸笨基 :乙烯基衍生物、炔衍生物、聚第衍生物、聚乙烯基咔唑：：衍生物、聚乙素系材料或金屬錯合物轉光材料高分=物、使上述色上述發光性材料之中，t 匕者等。乙烯基伸芳基衍生物1二倾生舉例如二笨 =婦基料衍㈣、料伸笨絲合物、其中’宜為高分子材料之聚生 =何生物等。基衍生物或聚苐衍生物等。卞订生物、聚對伸笨 :，綠色發光之材料可衍生物、及其等之聚合：丁生物、香豆素 ♦對伸本基伸乙烯基衍生物、 323317 19 201220575 聚薙衍生物等。其中，婦基衍生物、聚第衍生物等w子材料之聚對伸苯基伸乙化合物、及:可舉例如香豆素衍生物、嗟吩環聚。塞吩街生物m衍生物苯基伸乙縣衍生物、聚對伸笨騎乙料衍 ^巾’宜為高分子材料之等。塞吩衍生物、聚第衍生物 (換雜物材料）摻雜物材料可舉例如埽街生物、噎。丫_生物、方酸==豆素衍生物、紅螢笨乙婦基系色素、稠q、/㈣了生物、°卜琳衍生物、，秦綱等。又，如此之發光層二厂琳酮衍生物、十環烯、吩發光材料之成膜核可舉H宜為約2nm至_ ° 喷嘴塗佈法等。例如如上述:例刷法、喷墨印刷法、數種類之印墨。版，可碡喷嘴塗佈法而分塗複 <電子輸送層> 構成電子輪送層之電舉例如^㈣^ 係可使用公知者》可街生物、蔡規或其衍生：c物、雜或其二甲p t“ 或其讨生物、四氰基蒽酉昆衍生:二T:广衍生物、二苯基二氰基乙婦或其錯合物、聚料或騎生物其衍生物之金或其街生物等。料㈣或其衍生物、匕等之中’電子輸送材料係宜為嚼二唾衍生物、 323317 20 201220575 或其：生：，或其衍生物、或之金屬錯合物、聚喹啉或复种&& 主亦戎具何生物聚苐或其衍生物，更宜^ 〃、1啥喔琳或其衍生物、 H飞具何生物吏且為2_(4_聯笨基）基）-1，3,4-噁二唑、笨醌、贫 _ 弟一丁基本啉。』、二（8'喹啉醇）鋁、聚喹電子輸送狀朗法射㈣如使㈣電子輸送層之膜厚係考量電氣特而可適當設定。例如為lrm^心，宜為令易性等更宜為5nm至200nm。至500nm， <電子注入層> 電子注入層係含有離子性聚合物。構成電子注入離子性聚合物係可舉例如具有包含由以式（1) 田之以式⑵所示之基所構成的群中選出之—種以上造單几的聚合物。離子性聚合物之—形態 ^ 以式⑴所示之基及以式⑵所示之基所構成W /種以上的基之構造單元在全構造單元巾具有15至 W之聚合物。此等之基可直接鍵結於構成離子性聚合物^ 彡鏈，亦可鍵結於鍵結在主鏈的取代基。 ^ (Q1) n1 — Yl (M1) ai (Z1) ^ ⑴ (武（1)中，Q1表示2價之有機基，γ1表示—c〇2—、』〇3 S〇2 '-p〇3、或-B(Ra)3，M1表示金屬陽離子或具有取代基或不具有取代基之銨陽離子，zl係表示r、ci 1、 r、〇H-、irS〇3-、rCOO-、cl(r、cl〇2-、cl〇3_、ci〇pScNr、、

cif、n〇3-、so?—、HS〇4-、P(v-、HP〇42-、Η2Ρ〇Γ、肌_或 pF 323317 21 201220575 nl為表不0以上之整數，al表示丨以上之整數，至50之芳基一亦可為相異以上之整數。但，al及bl係選擇以式（ι)所示bl表乐〇成為0’Ra係表示具有取代基或不具有取代基之妒基的電荷至30的烷基、或具有取代基或不具有取代U子數1 至50之芳基，Qi、Ml 別有複數個時，其ϋ子數6 ) '、可為同 ~ (Q2) n2-V2 (Μ2) U2) (2) (式⑵中，Q2表示2價之有機基’Y2係表示碳陽離子松陽離子、膦醯基陽離子或賴基陽離子或硪鑷陽 = 係表示 F、Cl' Br' r、〇H' Rbs〇” _、C1

Cl〇3 'Cl〇4-SCN-Cr^N〇3-S〇4^HS〇4->P〇43-.Hp〇22-. 驗、肌m2係表示金屬陽料、或具有取代基或不具有取代基之㈣離子，n2為表示G以上之整數，a2表示1以上之整數，b2表示〇以上之整數。但，a2及b2係選擇成以式（2)所示之基的電荷成為〇，鲈係表示具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至3〇的烷基、或具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至50之芳基，Q2、M2及Z2 分別有複數個時，可為同一亦可為相異。）於本實施形態所使用之離子性聚合物的一形態進一步可舉例如具有以式（3)所示之基的聚合物。離子性聚合物為具有以式（3)所示之基時，以式（3)所示之基可含於離子性聚合物之構造單元中’亦可含在與含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之一種以上的基之構造單元為相同之構造單元内，亦可含於與此等相異之其他 22 323317 201220575 的構造單元内。進一步，離子性聚合物之一形態係可舉例如全構造單元中具有15至100莫耳％以式（1)所示之基、以式（2)所示之基、及以式（3)所示之基中的至少1種的構造單元之聚合物。一（Q3) n3-Y3 (3) (式（3)中，Q3係表示2價之有機基，Υ3係表示-CN或以式（4) 至（12)中之任一者所示之基，η3表示0以上之整數）。 -0- (R，0) a3-R，’ （4) —R'"-~?〇 {〇R')^ (5) _ S — (R’ S) a 4 —R’’ (6) —C 〇0) — (R，一C (=0)) a4 —R" (7) —C C= S ) — (R ’ — C (= S )) a 4 — R ’ ’ ( 8 ) —N KR，）a4R，’} 2 (9) -C 〇0) 0- (R’ -C (=0) 0) a4 —R，’ （10) -C 〇0) 0— (R，0) a4-R” （11) -NHC 〇0) — (R，NHC (=0)) a4-R" (12) (式（4)至（12)中，R’係表示具有取代基或不具有取代基之 2價的烴基，R’ ’係表示氫原子、具有取代基或不具有取代基之 1 價的烴基、-C00H、-S〇3H、-OH、-SH、-NRC2、-CN 或-C(=0)NRe2，R’ ’ ’係表示具有取代基或不具有取代基之3 價的烴基，a3係表示1以上之整數，a4係表示0以上之整數，Re係表示具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 30的烷基、或具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至 50的芳基，R’、R’ ’、及R’ ’ ’分別具有複數個時，其等係 23 323317 201220575 可為同一亦可為相異。）離子性聚合物係宜全構造單元中含有15至100莫耳％以式（13)所示之構造單元、以式（15)所示之構造單元、以式（17)所示之構造單元及以式（20)所示之構造單元所構成的群中選出之一種以上的構造單元。以式（13)所示之構造單元係含有以上述式（1)所示之基及以上述式（3)所示之基的構造單元。

(R1L (13) (式（13)中，R1係含有以式（14)所示之基的1價之基，Ar1 係表示R1以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n4)價的芳香族基，n4係表示1以上之整數。R1具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。 —〒2-{(01)ηϊ-Υ1(Μ%(Ζ1)丄, I (14) {(Q3)n3-Y3}m2 式（14)中，R2表示（l+ml+m2)價之有機基，Q1、Q3、Y1、 Μ1、Z1、Y3、nl、al、bl及n3係表示與前述相同之意義， ml及m2係分別獨立表示1以上之整數，Q1、Q3、Y1、M1、 Z1、Y3、nl、al、Μ及n3係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）以式（15 )所示之構造單元係含有以上述式（2 )所示之基及以上述式（3)所示之基的構造單元。 24 323317 (15) 201220575 (R3)„5 -Αγ2-)- (式（15)中，R3係含有以式（16)所示之基的1價之基，Ar2 係表示R3以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n5)價的芳香族基，n5係表示1以上之整數。R3具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。 (16) •fJ4-{(Q2)n2-Y2(M2)a2(Z2)b2}m3

{(QW 式（16)中，R4表示（l+m3+m4)價之有機基，Q2、Q3、γ2、 Μ2、Ζ2、Υ3、η2、a2、b2及η3係表示與前述相同之意義， m3及m4係分別獨立表示1以上之整數，Q2、Q3、Υ2、Μ2、 Ζ2、Y3、n2、a2、b2及n3係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）以式（17)所示之構造單元係含有以上述式（1)所示之基及以上述式（3)所示之基的構造單元。 ψηβ (Π)

Ar3 (式（17)中，R5係含有以式（18)所示之基的1價之基，R6係含有以式（19)所示之基的1價之基，Ar3係表示R5及R6以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n6+n7)價的芳香埃基’ n6及n7係分別獨立表示1以上之整數。R5及俨分別 323317 8) 201220575 具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。 { (Q1) η1-γι (MO al (2l) bi} 式，中’ R7表示直接鍵結或(1+m5)價之有機基，Qi、 //、心^係表示與前述相同之意義^係上之整數α、γ1、Μΐ、ζ1、η1、^_^ 具有複數個時，其等係可為同一亦可為相里。 - R8 - { (Q3) n3-Y3} m6 (19)、式（19)中，R8表示單鍵或（Um6)價之有機基，a心 =表示與前述相同之意義，m6係表示i以上之整數，但， ^單鍵時16係表示i，Q3、γ3、及W係分別具有複數個時’其等係可為同一亦可為相異。以式（20)所示之構造單元係含有以上述式⑵所示之基及以上述式（3)所示之基的構造單元。 (?9) Π8 (20) n9 (R10) (式（20)中，R9係含有以式⑻所示之基的i價之基，r 係含有以式（22)所示之基的i價之基，紅4係表* r9a R 以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n8+n9)價的芳名方矢基，n8及n9係分別獨立表示1以上之整數。r9及r10 < 別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。 - R" 一 {(Q2)n2 — Y2(M2)a2(Z2)b2}; (21) 323317 26 201220575 式（21)中’ R11表示單鍵或（1+m7)價之有機基，q2、γ2、 &42、22、！12、32及匕2係表示與前述相同之意義，1117係表示 \以上之整數，但，R11為單鍵時，m7係表示i，Q2、γ2、Μ2、 Ζ、η2、a2及b2係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。 -R12- { (Q3) n3-Y3} ms (22) 式（22)令，R12表示單鍵或（1+m8)價之有機基，^及n3 係表示與前述相同之意義，m8係表示i以上之整數，但， R12為單鍵時，m8係表示1，q3、浐及n3係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）離子性聚合物中之構造單元係亦可含有2種類以上以式（1)所示之基，亦可含有2種類以上以式（2)所示之基，亦可含有2種類以上以式（3)所示之基。以下，更詳細地說明有關以式（1)至（3)所示之基。一以式（1)所示之基一式（1)中，以Q所示之2價的有機基，可舉例如亞曱基、伸乙基、1，2-伸丙基、1，3-伸丙基、1，2-伸丁基、1，3-伸丁基、1，4-伸丁基、1，5-伸戊基、1，6-伸己基、丨，9一伸壬基、1，12-伸十二碳基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的2價飽和烴基；伸乙烯基、伸丙烯基、3_ 伸丁烯基、2-伸丁烯基、2-伸戊烯基、2-伸己烯基、2-伸壬烯基、2-伸十二碳烯基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳 27 323317 201220575 原子數2至50的伸烯基、或伸乙炔基等之具有取代基戋不具有取代基之碳原子數2至50的2價不飽和烴基；伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基、伸環壬基、伸環十二碳基、伸降冰片基、伸金剛烷基、使此等之基中的至少 1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數3至50的2價環狀飽和烴基；丨，3_伸苯基、1,4-伸笨基、丨，4-伸萘基、1,5-伸萘基、2, 伸萘基、聯苯基-4, 4’-二基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之後原子數 6至50的伸芳基；亞曱基氧基、伸乙基氧基、伸丙基氧基、伸丁基氧基、伸戊基氧基、伸己基氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的伸烷基氧基；具有含碳原子之取代基的亞胺基；具有含碳原子之取代基的亞石夕基 (si lylene group)。成為離子性聚合物之原料的單體（以下，亦謂「原料單體」）之合成的容易性觀點，宜為2價之飽和烴基、伸芳基、伸烷基氧基。此等之基具有的取代基係可舉例如烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烧氧基、芳基烷基硫基、芳基烯基、芳基炔基、胺基、取代胺基、矽基、取代矽基、齒素原子、醯基、醯基氧基、亞月女殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價之雜環基、羥基、羧基、取代羧基、氰基及硝基等。取代基存在複數個時，其等係可為同一 ’亦可為相異。此等之中，胺基、矽基、鹵素原 28 323317 201220575 子、羥基及硝基以外之取代基係含有碳原子。以下，說明有關取代基。X，在本說明書中，所謂「匕至Cn」（m、rWMsm < n之正的整數）之用語係表示與此用語-起被記载之有機基的碳原子數為m i η。例如若為 CJ Cn烧基，表示烧基之碳原子數為m至η，^匕至匕烷基芳基，表示烷基之碳原子數為m至η，若為芳基_^至" Cn烷基，表示烷基之碳原子數為η。烷基係可為直鏈狀亦可為分枝狀，亦可為環烷基。烷基之碳原子數宜為丨至2G ’更爲丨至1Q。縣係可舉= 如曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第一丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基等。、烷基中之氫原子亦可被氟原子所取代。該氟原子取炫基係可舉例如三氟甲基、五氟乙基、全氟了基、全氣己基、全氣辛基等。又’ c〖至C12烷基可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸月桂基等》烷氧基係可為直鏈狀亦可為分枝狀，亦可為環烷氣基’亦可具有取代基。烷氧基之碳原子數宜為1至2〇，更且為1至10。烧氧基係可舉例如曱氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、月桂氧基等。 323317 29 201220575 烧氧基中之氫原子亦可被氟原子所取代。該氣原子取代烧氧基係可舉例如三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氣丁氧二氟己氧基、全氟辛氧基等。又，於烧氧基亦包含甲氧基甲基氧基、2-曱氧基乙基氧基。又，〇1至^燒氧基可舉例如曱氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁f基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基庚氧基、辛氧基、2_乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3’ 7一二甲基辛氧基、月桂氧基等。烷基硫基係可為直鏈狀亦可為分枝狀，亦可為環烷基硫基’亦可具有取代基。烧硫基之碳原子數宜為1至20，更且為1至10。烧硫基係可舉例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸硫基、月桂硫基等。烧硫基中之氫原子亦可被氟原子所取代。該氟原子取代烷硫基係可舉例如三氟甲硫基等。芳基係除去1個鍵結於從芳香族烴構成芳香環之碳原子的氫原子之殘留原子團。於芳基係亦包含具有苯環之基、具有縮合環之基、獨立之苯環或縮合環2個以上介由單鍵或2價之有機基（例如，伸乙烯基等之伸烯基）而鍵結的基。芳基宜碳原子數為6至6〇,更宜為7至48。芳基可舉例如苯基、Cl至L烷氧基苯基、G至Cu烷基笨基、卜萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等。芳基中之氫原子亦可被氟原子所取代。該氣原子取代 323317 30 201220575 ,=基係可舉例如五氟苯基等。芳基之中宜為烧氧基苯基、Ci至c12烷基苯基。芳基之中，〇至c12烷氧基苯基可舉例如甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、異丙氧基苯基、丁氧基苯基、異丁氧基苯基、第二丁氧基苯基、第三丁氧基苯基、戍氧基苯基、己氧基苯基、環己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙B氧基祕、錢絲基、純基苯基、 3, 7-一甲基辛氧基苯基、月桂氧基苯基等。芳基之中，（^至Cl2烷基苯基可舉例如甲基苯基、乙基苯基Ί絲基、丙基苯基、三巧基、甲基乙基苯基、異=基苯基、丁基苯基、異丁基苯基、第三丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二碳基苯基等。斤芳基氧基宜為碳原子數為6至60,更宜為7至48。芳基氧，可舉例如苯氧基、Gl至Gi道氧基苯氧基、Ο至b ，基苯氧基、卜萘基氧基、2_萘基氧基、五氟苯基氧基等。芳基氧基之中宜為Cd Cl2烧氧基苯氧基及d L烧基氧基。 —_芳基氧基之中，C1至C12烷氧基苯氧基可舉例如甲氧基苯氧基^氧絲氧基、丙氧基苯氧基、異丙氧基苯氧基、 T氧基笨氧基、異丁氧基苯氧基、第二丁氧基苯氧基、第氧土本氧基、戊氧基本氣基、己氧基苯氧基、環己氧笨氧基庚氧基苯氧基、辛氧基苯氧基、2-乙基己氧基苯氧基、壬氧基苯氧基、癸氧基苯氧基、3,7_二甲基辛氧 323317 31 201220575 基苯氧基、月桂氧基笨氧基等。美、中,Cl至Cl2烧基苯氧基可舉例如甲基苯氧 "土本氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3 5_三 :基苯氧基、曱基乙基笨氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁絲氧基、第二了基苯氧基、第三丁異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚;苯氧：、 ^基本氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二碳基苯氧基等。芳基硫基係例如於前述之芳基上鍵結硫元素之基。芳基硫基係亦可於芳基之芳㈣上具有取代基。芳基^基宜碳：子數為6至60，更宜為6至30。芳基硫基可舉例如苯基石瓜基、Cl至Cl2烷氧基苯硫基、G至Cu烧基笨硫基、卜奈基硫基、2-萘基硫基、五氟苯基硫基等。芳基烷基係例如於前述之芳基上鍵結前述之烷基之基。芳基烷基係亦可具有取代基。芳基烷基宜碳原子數為 7至60，更宜為7至30。芳基院基可舉例如苯基_Ci至匸12 烷基、C,至C!2烷氧基苯基-Cl至C!2烷基、Cl至C12烷基苯基一匕至Clz烷基、1-萘基-匕至Cu烷基、2-萘基-(^至c12烷基等。 ^'基烧氧基係例如於前述之芳基上鍵結前述之燒氧基之基。芳基烷氧基係亦可具有取代基。芳基烷氧基宜碳原子數為7至60,更宜為7至30。芳基烷氧基可舉例如苯基 ~Cl至Cl2烷氧基、Cl至Cl2烷氧基笨基-Cl至Cl2烷氧基、c! 至Ci2烷基苯基-匕至L烷氧基、卜萘基-(^至（：12烷氧基、 323317 32 201220575 2-萘基-Ci至Ci2烧氧基等。芳基烧硫基係例如於前述之芳基上鍵結前述之燒硫基之基。芳纽硫基係亦可具有取代基。芳纽硫基宜碳原子數為7至60,更宜為7至30。芳基烷硫基可舉例如苯基 -C,至b烷硫基、匕至L烷氧基苯基-(^至Cl2烷硫基、Ci 至C1Z烷基苯基-(^至C1Z烷硫基、卜萘基_Cl至Ci2烷硫基、 2-萘基-Ci至Ci2烧硫基等。芳基烯基係例如於前述之芳基上鍵結烯基之基。芳基烯基係宜碳原子數為8至60,更宜為8至30。芳基烯基可舉例如苯基-匕至Clz烯基、匕至Clz烷氧基苯基_c2至C12烯基、匕至G2烷基苯基-(：2至C!2烯基、卜萘基—&至Cl2烯基、 2-萘基-(：2至L烯基等，宜為Cli Cl2烷氧基苯基吒2至“ 烯基、C2至Cl2烷基苯基-C2至Cl2烯基等。又，c2至c2烯基可舉例如乙烯基、1-丙烯基、2~丙烯基、卜丁烯基、2_丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、卜己烯基、2_己烯基、卜辛烯基。芳基炔基係例如於前述之芳基上鍵結炔基之基。芳基炔基係宜碳原子數為8至&〇,更宜為8至3〇。芳基炔基可舉例如苯基至C!2炔基、c12烷氧基苯基-匕至（：12炔基、(^至C1Z烷基苯基-Cz至Ci2炔基、卜萘基-匕至匕2炔基、 2—萘基-匕至G2炔基等，宜為（^至c12烷氧基苯基吒2至C12 炔基、Ci至Ci2烷基苯基-ο至Ci2炔基等。又，c2至C2炔基可舉例如乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、卜丁炔基、2_丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、卜己炔基、2_己炔基、卜辛 323317 33 201220575 炔基。取代胺基係宜為胺基之中的至少一個氫原子被由烧基、芳基、芳基烧基及1價的雜環基所構成之群中選出的 1或2個之基所取代的胺基。烷基、芳基、芳基烧基及i 價的雜環基係亦可具有取代基。取代胺基之碳原子數係不含可具有烧基、芳基、芳基烧基或1價雜環基之取代基的碳原子數’宜為1至60,更宜為2至48。取代胺基可舉例如曱基胺基、二曱基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、丙基胺基、二丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、丁基胺基、異丁基胺基、第二丁基胺基、第三丁基胺基、戊基胺基、己基胺基、環己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、2-乙基己基胺基、壬基胺基、癸基胺基、3, 7_ 二甲基辛基胺基、月桂基胺基、環戊基胺基、二環戊基胺基、環己基胺基、二環己基胺基、二（三氟曱基）胺基、苯基胺基、二苯基胺基、（C!至C12烷氧基苯基）胺基、二至Cu烷氧基苯基）胺基、二（匕至Cl2烷基苯基）胺基、卜萘基胺基、2-萘基胺基、五氟苯基胺基、π比啶基胺基、噠嗪基胺基、嘧啶基胺基、D比嗪基胺基、三嗪基胺基、（苯基_Ci 至C!2烧基）胺基、（匕至c12烷氧基苯基-(^至C12烷基）胺基、 (0至Cu烷基苯基-(^至Cl2烷基）胺基、二（(：1至Cl2烷氧基苯基-匕至C。烧基）胺基、二（(：1至Cl2烷基苯基—(^至Cl2烷基）胺基、1-萘基-匕至c12烷基胺基、2-萘基-(^至Cl2烷基胺基等。取代石夕基係可舉例如矽基之中的至少一個氫原子被由 34 323317 201220575 烷基、芳基、芳基烷基及i價的雜環基所構成之群中選出的1至3個之基所取代的矽基。烷基、芳基、芳基烷基或 1價的雜環基係亦可具有取代基。取代矽基之碳原子數係不含有亦可具有烷基、芳基、芳基烷基或1價雜環基之取代基的碳原子數，宜為1至60,更宜為3至48。取代矽基係可舉例如三曱基矽基、三乙基矽基、三丙基碎基、二異丙基碎基、異丙基二甲基石夕基、異丙基二乙基矽基、第三丁基二曱基矽基、戊基二甲基矽基、己基二曱基矽基、庚基二曱基矽基、辛基二曱基矽基、2-乙基己基二甲基矽基、壬基二甲基矽基、癸基二甲基矽基、3, 7一二曱基辛基二曱基矽基、月桂基二甲基矽基、（苯基_Cl至 Cl2烧基）矽基、（匕至C1Z烷氧基苯基_(^至h烷基）矽基、 (Cl至Cl2烧基苯基至C!2烧基）石夕基、（卜萘基-Cl至Cl2 烷基）矽基、（2-萘基—〇1至Ci2烷基）矽基、（苯基至C1Z 烷基）二甲基矽基、三苯基矽基、三（對二甲苯基）矽基、三苯曱基矽基、二苯基甲基矽基、第三丁基二苯基矽基、二曱基苯基石夕基等。鹵素原子可舉例氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。酿基宜碳原子數為2至20，更宜為2至18。醯基可舉例如乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三曱基乙醯基、苯曱醯基、二氟乙醯基、五氟苯甲醯基等。醯基氧基宜碳原子數為2至 2〇，更宜為2至18。酿基氧基可舉例如乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、二甲基乙醯氧基、苯曱醯基氧基、三氟乙醯基氧基、 35 323317 201220575 五氟苯曱醯基氧基等。亞胺殘基係意指從具有以式：h-n= C〈及式：、n=ch_ 的至少一者所示之構造的亞胺化合物，除去此構造中的i 個氫原子後之殘基。如此之亞胺化合物可舉例如醛亞胺 (aldimine)、酮亞胺（ketimine)及鍵結於醛亞胺中之氣原子的氫原子被烷基、芳基、芳基烷基、芳基烯基、芳基炔基等所取代的化合物。亞胺殘基之碳原子數宜為2至2〇，更宜為2至18。亞胺殘基係可舉例以通式：=N_Rr或通式：-N=C(RrM式中，V係表示氫原子、烷基、芳基、芳基烧基、芳基烯基、或芳基炔基，Rr係獨立地表示烷基、方基、芳基烷基、芳基烯基、或芳基炔基。但，存在2 個時’ 2個之RT係互相鍵結成為—體而為2價之基，可舉例如伸乙基、三亞甲基、四亞曱基、五亞甲基、六亞曱基等之奴原子數2至18的伸烷基而形成環）所示之基。亞胺殘基係可舉例以下之基。 36 323317 201220575

(式中，Me表示曱基，以下，為同樣）。醯胺基係宜碳原子數為1至20,更宜為2至18。醯胺基可舉例如甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯曱醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯曱醯胺基、二曱醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯曱醯胺基、二-三氟乙醯胺基、二-五氟苯曱醯胺基等。醯亞胺基係從醯亞胺除去鍵結於其氮原子之氫原子後所得到之殘基，宜碳原子數為4至20，更宜為4至18。醯亞胺基係可舉例如以下之基。 37 323317 201220575

1價之雜環基謂從雜環式化合物除去1個氫原子後之殘留原子圑。此處，雜環式化合物係指在具有環式構造之有機化合物中，就構成環之元素而言，不僅碳原子，亦包含氧原子、硫原子、氮原子、填原子、侧原子、碎原子、硒原子、碲原子、砷原子等之雜原子的有機化合物。1價之雜環基係亦可具有取代基。1價之雜環基係宜碳原子數為3至60,更宜為3至20。又，於1價之雜環基的碳原子數中係形成不含有取代基之碳原子數者。如此之1價的雜環基可舉例如噻吩基、Cl至Cl2烷基噻吩基、吼11各基、吱喃基、D比咬基、Cl至Cl2烧基°比°定基、建嗓基、喷淀基、π比唤基、三嗪基、啦洛β定基、六氫σ比α定基、啥淋基、異啥淋基，其中，宜為π塞吩基、Cl至Cl2烧基嗟吩 38 323317 201220575 基、°比π定基及Cl至Cl2烧基°比σ定基。又，1價之雜環基宜為 1價之芳香族雜環基。取代羧基係羧基之中的氫原子被烷基、芳基、芳基烷基或1價的雜環基所取代的基、亦即以式：-c(=o)or\s 中，為院基、芳基、芳基烧基或1價的雜環基）所示之基。取代氧羰基係碳原子數宜為2至60,更宜為2至48。烷基、芳基、芳基烷基或1價的雜環基係亦可具有取代基。又，形成上述之碳原子數中不含可具有烷基、芳基、芳基烷基或1價雜環基之取代基的碳原子數者。取代羧基可舉例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、第二丁氧基羰基、第三丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3, 7-二甲基辛氧基羰基、十二碳氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吼啶基氧羰基等。式（1)中，Y1 係表示-C〇2_、-S〇3、-S(V、-P(V、或-B(Ra V 等之1價的基。Y1從離子性聚合物之酸性度的觀點，宜為 -c〇2_、-so,、-ρ〇3，更宜為-αν。從離子性聚合物之安定性的觀點，宜為-C(V、-S(V、-S(V或-P(V。式（1)中，Μ1表示金屬陽離子或具有取代基或不具有取代基之銨陽離子。金屬陽離子宜為1價、2價或3價之離子，可舉例如 Li、Na、Κ、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、Ag、Α1、 39 323317 201220575 =1 Cu、Fe、Ga、Μη、Pb、Sn、Ti、V、W、Υ、Yb、Zn、Zr 等之=子。其中’宜為 Li+、Na+、K+、Cs+、Ag+、Mg2+、Ca2+。又錢陽離子亦可具有之取代基可舉例如甲基、乙基、丙第三丁基等之碳原子數i 土、異丙基、正丁基、異丁基、第三至1〇的烧基。式（1)中 ’ Z1 係表示 F-、C1-、Br-、r、〇H-、Ras〇3-、Rac〇〇-、

Cl〇2、Cl〇3、CUV、SCN.、CN_、N〇3-、S〇42.、HSOr、、ΗΡ0Λ、H2P〇4-、BFr、或 PF6。。式（1)中，nl表示0以上之整數。從原料單體的合成觀點且為〇至8的整數，更宜為〇至2之整數。式（1)中，al表示1以上之整數，Μ表示〇以上之整數0 al及bl係以式（1)所示之基的電荷成為〇之方式選擇。例如 Y1 係-C〇2-、_s〇3-、_s〇2-、_p〇3-、或.3)3_，Ml 表不1價之金屬陽離子、或具有取代基或不具有取代基之銨陽離子，Z1 係表示 F-、cr、Br-、〗-、〇H-、RaS〇3-、Rac〇〇-、 cio、ci〇2、ci〇3' ci〇4' scr、cr、no，、hs〇4' h2p〇4-、 B|^、或PF6時’ ai及bl之值係選擇成滿足al=bl + 1。又， Y1 係~C〇2-、~s〇3-、-S(V、-P〇3-、或-B(Ra)3-，M1 表示 2 價之金屬陽離子，z1 係表示 r、Cr、Br-、r、〇IT、RaS〇3_、RaCOCr、 CIO、Cl〇2、ci〇3~、C1(V、SCN—、CN_、、HS〇4_、H2P〇r、 BF4或PF6時，ai及bl之值係選擇成滿足^^=2x3^。 Y 係-C〇2、-S〇3-、-S〇2-、-P〇3-、或-B(Ra)3_，M1 表示 3 4貝之金屬陽離子’ Z1係表示、Cl—、Br_、Γ、Off、RaS(V、 40 323317 201220575 ' RaC00—、cur、C1(V、C1(V、Cl〇r、SCN-、CN、N〇3-、HS〇4_、 H2P〇4-、BFr或PFr時，al及bl之值係選擇成滿足bl = 3x a卜卜 Y1 係-C〇2_、-S(V、-S(V、-P〇3—、或-B(RaV，M1 表示 1價之金屬陽離子、或具有取代基或不具有取代基之銨陽離子，Ζ1為S〇42_4 ΗΡ〇42_時，al及bl之值係選擇成滿足al=2 xbl + 1。即使在表示al與bl之關係的上述之任一者的數式中，al宜為1至5的整數，更宜為1或2。

Ra係表示具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 30的烷基或具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至50 之芳基，但，此等之基亦可具有的取代基，可舉例如與在有關前述Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。

Ra係可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基等之碳原子數1至20之烷基、苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等之碳原子數6至30之芳基等。以式（1)所示之基可舉例如以下之基。 41 323317 201220575 COOM^ -CH2-COOM^ -<CH2)2-C00-M* -(CH2)3-C〇〇 -(C^-COOM* __(CH2)&_co〇-m^ -<ch2)6-co〇-m* -(ch2)7-c〇〇-m^ -(ch2)8-co〇-m^ _〇_ch2-co〇m* -〇-(ch2)2-coo^ 一〇-(CH2)3-獅♦一。-㈣-c 咖♦ -0-(CH2)s-CCX3^ -O-iCHzJe-COO-M* -〇-(CH2)7-CO〇-M+ -O'-tCHzfe-COOM*

COOM+ +MOOC COO'M4 一 sow —CH2-S03M+ —(CH2)2-S〇3'M+ —(CH2)3-S〇3M+ —(CH2)4-S03-M* 一{CH2)5-S〇3*M+ 一(CH2)e_S03-M* —(CH2)?-S〇3'M+ —(CH2)e-S03M+ 一〇—CH2_S〇3.lvr —〇-(CH2)2-S03-M^ —〇-(CH2)3-S〇3'M+ —〇—(CH2)4-S〇3'M+ —0-(CH2)5-S〇3'M+ —〇-(CH2)6-S03'M* —0-(CH2)7-S03M* —0-(CH2)g-S03M* S〇3~M*

S03M* +M -¾ M = Li, Na. K, Cs. N(CH3)4 一以式（2)所示之基一式（2 )中’以Q所示之2價的有機基係可舉例與以前述 Q1所示之2價的有機基所例示者同樣的基。從原料單體的合成容易之觀點宜為2價之飽和烴基、伸芳基、伸烧基氧基。以Q2所示之2價的有機基之例所舉出的基係亦可具有取代基，絲絲可舉·在㈣前狀Q1的朗中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一’亦可為相異。 ” (2)+，Y2係表示碳陽離子、銨陽離子、鱗陽離子、毓陽離子、或礙鑌陽離子。 323317 42 201220575 碳陽離子可舉例以_C+r2 (式中，R係同一或相異，表示烷基或芳基）所示之基。敍陽離子可舉例以_N+r3 (式中，R係同一或相異，表示烷基或芳基）所示之基。鱗陽離子可舉例以_P+r3 (式中，R係同一或相異，表示烧基或芳基）所示之基。锍陽離子可舉例以 (式中，R係同一或相異，表示烷基或芳基）所示之基。碘鏘陽離子可舉例以—广R2 (式中，R係同一或相異，表示烷基或芳基）所示之基。式（2)中，Y2係從原料單體之合成容易性以及原料單體及離子性聚合物對空氣、濕氣或熱之安定性的觀點，宜為礙陽離子、銨陽離子、鱗陽離子、疏_子，更宜為離子。式（2)中，z2表示金屬陽離子、或具有取代基或不具1 取代基之銨陽離子。金屬陽離子宜為1價、2價或3價二離子，可舉例* Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、^ A卜 Bi、Cu、Fe、Ga、Mn、Pb、Sn、Ti、v、W、Y、Yb、^

Zr等之離子。又，銨陽離子亦可具有之取代基可舉例如n 基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁之碳原子數·1至1〇的烷基。 ' 式（2)中，Μ2 係表示 Γ、C Γ、Br_、Γ、〇『、RbS(V、Rbc〇〇— cio—、ci〇2-、cl〇3-、cl〇4-、SCN-、CN-、N〇3.、肌2_ 〇 P〇43—、HP〇42—、H2P〇4-、BFr、或 PFr。 4 323317 43 201220575 宜為〇至6的整數，表示〇以上之整式（2)中，π2表示0以上之整數，更宜為0至2之整數。式（2)中，a2表示1以上之整數數。係以式（2)所示之基的電荷成為 0之方式選 a2及b2係以擇。例如 M2係表示 Γ、C1_、Br_、Γ、0H-、Rbs〇3_、Rbc〇〇_、 cur、ci〇2-、cl〇3-、cl〇4-、SCN-、CN-、N(V、Hs〇4_、H2p〇4.、 bf4-、或pf6-時，若Z2表示1價之金屬離子、或具有取代基或不具有取代基之錢離子’ a2及b2之值係選擇成滿足 a2=b2+l，若Z2表示2價之金屬離子，a2及b2之值係選擇成滿足a2=2xb2+l ’若Z表示3價之金屬離子，a2及匕2 之值係選擇成滿足a2=3xb2+l。 Μ為SOJ、HPCh2時’若Z2為1價之金屬離子、或具有取代基或不具有取代基之錢離子，a2及b2之值係選擇成滿足b2=2xa2-l，若Z2表示3價之金屬離子，a2及b2之值係選擇成滿足2xa2=3xb2+l之關係。即使在表示a2與b2 之關係的上述之任一者的數式中，a2宜為1至3的整數，更宜為1或2。式（2)中，Rb係表示具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至30的烷基、或具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至50之芳基。此等之基亦可具有的取代基，可舉例如與在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。 Rb係可舉例如曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異 44 323317 201220575 丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基等之碳原子數1至20之烷基、苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等之碳原子數6至30之芳基等。以式（2)所示之基可舉例如以下之基。

—ΝΜθ2Ε^Χ· —CH2_NMe2EfX* —(CHih-NMeaEt^X· 一(〇Η2)3-ΝΜβ2Ε^Χ' —<CH2>4-NMe2EfX —(〇Η2)δ-ΝΜβ2Εί"χ·

—(CH2)s-NMe2Erx- —(CH2)e-NMe2Et*X· — (CH2)7-NMe2Et4X

—0—CH2-NWle2Et*X. 一〇_(CH2)2_NMe2Et*X —O—(CH2)3_NMe2Et+X· —O—(CH2k_NMe2EfX —〇-(CH2)5-NMe2EfX- -〇-(CH2)6-NMe2Et*X· —〇-(CH2)7-NMe2EfX· —〇-^Η2>β-ΝΜβ2εΛ<·

一NHMe/X* —CH2-NHMe2+X· —(CH2)2-NHMe2*x* 一(CH2)3_NHMe2*X· —(CH2>4-NHMe2+X· —(CH2)s_NHMe2+X· _(CH2)6-NHMe21X* —(CH2)7_NHMe2+X* —<CH2)e**NHMe2+x 一〇_CH2_NHMe2+X" —〇—(CH^j-NHMej^X' —O—<CH2)3_NHMe2+X. —O；—(CH^-NHMe/X. —〇-(CH2)6-NE^+X* 一〇~(CH2>e-NEVX- —〇-(CH2)7-NHMe2+X- —〇-(CH2)8-NHMe2+X·

NHMe2，- -X*Me?HN

—NEt3+X* —CH2*NEti+X- —(CH2)2-NEtj+X· —(ΟΗ2)3-ΝΕ^+χ· —(CH^-NEta^* —(CH^S-NEt,^* 一 (CHj^-NEI^X· —(CH^-NEt^X· —(CH2)8-NE%^X- —0-CH2-NEVX· —〇-(CH2)2-NE(b+X· -〇-(ΟΗ2)3-ΝΕ^χ· -〇-(CH2)4-NE^X- —〇-(CH2)5-NEt3+X* -〇-(CH2)e-NEfe+X- 一〇—(〇^ 广 NEt3+X* —0-(CH2)8-NEVX-

Me = CH$

EtsCHaCHj X : F.CI_ Br· I, BPh4,CH3COO· CF3SO》 45 323317 201220575 —NHEt2+X' 一CH2-NHEt2+X. —(CH2)2_NHEt2+X. 一(CH2)3_NHEt2+X- _{CH2)4-^Et2^X ~~{CH2>5—NHEt2*X· —(CH2)e —NHEt2+X· —(CH2>7—NHEt2+X_ 一{CH2)8_NHEt2 X —〇—ΟΗ2~ΝΜΒ2*Χ- —〇 — (CH2)2~NHEt2+X' —Ο —(CH2)3-NHEt2+X" _〇 _(CH2k -NHEt2+X' —〇-(CH2)5-NHEt2+X- -〇-(CH2)6-NHEt2+X- —0_(CH2>7-NHEt2+X· 一〇-(CH2)8-NHEt2+X.

NHEt2*X- 'X^EtjHN ^〇-_+χ，

—NEtPh24X' 一CH2~NBPh2+X* 一{Ch^—NEtPh2+X· 一(CHa)3~NEtPh2*x* 一(CH^-NEtPt^^X 一 (CH2)5 - NEtPh2+X. 一 (CH2)e-NEtPh2+X- 一 (CH2)7-NEtPh2+X· 一 (CHife-NEtPhA. 一〇-~CH2-NEtPh2+X· —〇—(CH2)2-NEtPh2+X* —〇-{CH2h*"NEtPh2+X- —〇—(CH^i-NEtPhi+X* —O-iCHjJs-NEtPhj'^X· —0-(CH2)e-NEtPh2+X* —0~(CH2)7-NEtPh2+X· ~O-CCHaJe-NEtPhz^· NEtPW 'X4Ph2EtN^ -NEtPh2+X* -NHPha^X- —CH2-NHPh2+X- —(CH2)2-WHPh2+X- —(〇Η2)3-ΝΗΡΛ2+Χ* ^-(CH^-NHPh^- -(CH2)5-NHPh2+X- —(CH2)e-NHPh2+X· —(CH2>7-NHPh2+X' ~(CH^a^NHPh^-

-O—(CH2)4-NHPh2+X* -(CHjJe-NHPhjV —〇-CH2-NHPh2+X- —〇~<CH2)2-NHPh2*X- -〇-(CHj)3-NHPh2+X- —O-iCHzJs-NHPha^- -O-iCH^e-NHPhz^- -〇-(CH2)7-NHPh2+X-

NHPhz^X- -X^hjHN —N H Pha*X~ -"""""C—y

Et = CH2CH3 Ph = C6H5 X = F, Cl. Br, I, BPh4, CHsCOO, CF3S03, 一以式（3)所示之基一式（3)中，以Q3所示之2價的有機基係可舉例與以前述 Q1所示之2價的有機基所例示者同樣的基。從原料單體的合成容易性之觀點，宜為2價之飽和烴基、伸芳基、伸烷基氧基。以Q3所示之2價的有機基之例所舉出的基係亦可具有 46 323317 201220575 取代基，該取代基可舉例與在有關前狀Q1的說明中所例示的取代基同狀取代基。取絲存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。以Q3所示之2價的有機基，宜為以一（CH〇_所示之基。式⑶中，n3表示0以上之整數，宜為0至20之整數，更宜為0至8的整數。式（3)中’Y表不-CN或以式（4)至（12)的任一者所示之基。式（4)至（12)中’卩R’所示之2價的烴基，可舉例如亞甲基、伸乙基、1>2~伸丙基、1，3-伸丙基、1，2-伸丁基、 1，3-伸丁基、1,4-伸τ基、！，5—伸戊基、16_伸己基、1>9_ 伸壬基、1，12-伸十二碳基、使此等之基中的至少i個氮原子以取代基取代之基等的具有取代基或科有取代基之碳原子數1至50的2價飽和煙基；伸乙烯基、伸丙烯基、3_ 伸丁烯基、2-伸丁烯基、2_伸戊稀基、2_伸己婦基、2_伸壬稀基、2-伸十二碳稀基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之鱗的具有取代基或*具有取代基之碳原子數2至50的伸縣、及、伸乙快基等之具有取代基或不具有取代基之碳原子數2至5G的2價不飽和烴基；伸環丙基、伸％丁基、伸環戊基、伸環己基、伸環壬基、伸環十二碳基、伸降冰片基、伸金剛絲、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數3至5G的2價雜飽和烴基；1，3-伸苯基、1，4-伸笨基、1,4-伸萘基、丨，5_伸萘基、2 6_伸萘基、 47 323317 201220575 聯苯基_4,4’—二基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數 6至50的伸芳基；亞子基氧基、伸乙基氧基、伸丙基氧基、伸丁基氧基、伸絲氧基、伸己基氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5G的伸燒基氧基。此等之基的取代基係可舉例與在有關前述之.Ql的說明中所例示的取代基關之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。式（4)至（12)中’以R，，所示之（價的烴基，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、$丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氳原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至2〇的烷基；苯基、1-萘基、2-萘基、卜蒽基、2_蒽基、9_蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至3〇的芳基等。從離子性聚合物之溶解性的觀點，宜為曱基、乙基、本基、1-蔡基、2-蔡基。此等之基中的取代基係可舉例與在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時’其等係可為同一，亦可為相異。式（5)中，以R’ ’’所示之3價的烴基，可舉例如甲烷二基、乙烷三基、1，2, 3-丙烷三基、1，2, 4-丁烷三基、1，2, 5- 323317 48 201220575 戊烷三基、丨，3 5_戊烷三烷三基、使此望夕η认烷二基、1>3,6一己基等的"、至少1個氫原子以取代基取代之代基或不具有取代基之碳原子數…。的坑基-基’1，2,3—苯三基、以使此等之基中的至少丨本二基、有取代基或不1有取代代基取代之基等的具離子性聚八队原子數6至3〇的芳基等。從 1，2 4-笨：其之溶解性的觀點’宜為甲烷三基、乙烷三基、，么4本二基、1，3,5-笨三基。土明中基巾的取代基係可舉例與在有關前述之Q1的說 =:可的:门代基同樣之取代基。取代基存在複= 哥係可為同一，亦可為相異。宜為2)至（12)中，R°從離子性聚合物之溶解性的觀點，且為甲基、乙基、苯基、卜萘基、2_萘基。 ()及式（5)中，a3表示1以上之整數，宜為3至i〇之整數。式（6)至（12)中，a4表示〇以上之整數。在式（6) 中a4且為0至30之整數，更宜為3至20之整數。在式 (7)至（10)中，a4宜為〇至10之整數，更宜為〇至5之整數°在式（11)中，a4宜為〇至20之整數，更宜為3至2〇之整數。在式（12)中，a4宜為〇至20之整數，更宜為〇至10之整數。 Y3從原料單體之合成容易性的觀點，宜為-CN、以式（4) 所示之基、以式（6)所示之基、以式（10)所示之基、或以式 (11)所示之基，更宜為以式（4)所示之基、以式（6)所示之基、或以式（11)所示之基，尤寬為以下之基。 49 323317 201220575

——〇-(CH2CH2〇)3Me —O-(CH 2〇H 2〇 )6 M e —〇-(CH2CH2P)3H ——Oia^CHpJeH

——〇iCH2CH2〇)2Me —-0-(CH2CH2p)5Me ——0-(CH2CH2〇)2H

—〇iCH2CHp)5H O 一 CHCH2CH：：p)2Me 0-(CH2CHp)5Me o —C—〇iCH2CH2〇)3Me 0-<CH2CH20)6Me 〇 -OHCHjCHp^H Ο —i!—0-(CH2CH20)3H 〇 4 -〇-(CH2CHP)5H Ο II 一C—〇iCH2CH2P)6H O —〇iCH2CHP)4Me -〇iCH2CH2〇)7Me -0-(ΟΗ2〇Η2〇)4Η

——〇iCH2CH2〇)7H O

—"C—〇iCH2CH^O)4IVle O

一 0<CH2CHp)7Me *—0-(CH2CHp)4H —〇iCH2CHP)7H —離子性聚合物中之構造單元_ 本實施形態之離子性聚合物係宜具有以式（13)所示之構造單元、以式（15)所示之構造單元、以式（17)所示之構造單元及以式（20)所示之構造單元所構成的群中選出之一種以上的構造單元，更宜為全構造單元中具有此構造單元 15至100莫耳％之離子性聚合物。 (以式（13)所示之構造單元）式（13)中，R1係含有以式（14)所示之基的丨價之基， Arl係表示R1以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n4) 價的芳香族基’ n4表示1以上之整數。以式（14)所示之基係亦可直接鍵結於a〆，亦可介由特疋之基而鍵結於Ar1。此特定之基係可舉例亞曱基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸壬基、伸十二 50 323317 201220575 碳基、伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基、伸環壬基、伸環十二碳基、伸降冰片基、伸金剛烷基、使此= 之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至50的伸烷基；氧亞甲基、氧伸乙基、氧伸丙基、氧伸丁基、氧伸戊基、氧伸己基、氧伸壬基、氧伸十二碳基、伸環丙基氧基、伸環丁基氧基、伸環絲氧基、伸環己縣基、伸環壬基氧基、ς 環^二碳基氧基、伸降冰片基氧基、伸金眺基氧基、使此等之基_的至少i個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至5()的氧伸燒基|且有取代基或Μ有取代基之亞絲；具有取代基或不且^ 基；具有取代基或不具有取代基之伸乙烯土，、、土，具有取代基或不具有取代基之甲烧二基. 氧原子、氮原子、硫原子等之雜原子等。 —基’ 亦可具有〜外之取代基。娜代基係可舉例與 q 中所例示的取代基同樣之取代基。取代複數個時’其等係可為同…亦可為相異。 r /、有之R以外的取代基係從原料單體之合成容易性的觀點，宜為焓其倾基。4基、燒氧基、芳基、芳氧基，基或取式（丨3)中’ n4係表示1以上之整數，宜為1至4之整數’更宜為1至3的整數。以j(13)中之Ar】所示的（2+n4)價之芳香族基，可舉例 (2+n4)&^香族烴基、（2+n4)價之芳香族雜環基。其中’ 51 323317 201220575 宜為只由碳原子所構成，或，由碳原子、與由氫原子、氮原子及氧原子所構成的群中選出的1個以上之原子所構成之（2+n4)價之芳香族基。 (2+n4)價之芳香族基可舉例從苯環、咐啶環、1，2-二 0秦環、1，3-二°秦環、1，4-二嗓環、1，3, 5-三°秦環、吱σ南環、 0比17各環、°比°坐環、味°坐環、°惡吐環、氮雜二β坐環等之單環式芳香環除去（2+η4)個氫原子之（2+η4)價的基；從由單環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之環經縮合的縮合多環式芳香環除去（2+η4)個氫原子之（2+η4)價的基；從使由單環式芳香環及縮合多環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之芳香環以單鍵、伸乙烯基或伸乙炔基連接而成之芳香環的集合體除去（2+η4)個氩原子之（2+η4)價的基；具有使縮合多環式芳香環或芳香環的集合體相鄰之2個芳香環以亞曱基、伸乙基、羰基等之2價的基架橋之交聯的有橋多環式芳香環除去（2+η4)個氫原子之（2+η4)價的基等。單環式芳香環可舉例以下之環。

Η Η Η 9 m II ]2 縮合多環式芳香環可舉例以下之環。 52 323317 201220575

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芳香環的集合體可舉例以下之環

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0—0 Ο 21 址有橋多環式芳香環可舉例以下之環 53 323317 201220575 22 38 39

40 41 44. (2+n4)價之芳香族基，從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從以式1至14、26至29、37至39或41所示之環除去（2+n4)個氫原子的基，更宜為從以式i至6、8、13、 26、27、37或41所示之環除去（2+n4)個氫原子的基，最宜為從以式1、37或41所示之環除去（2+n4)個氫原子的基。式（14)中，以R2所示之（1+ml+m2)價的有機基，可舉例從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第二丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至2〇的烷基除去（inl+m2)個氫原子之基；從苯基、卜萘基、2_ 奈基、卜蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少夏個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（mHm2)個氫原子之基； 323317 54 201220575 從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛炫氧基、使此等之基中的至少1個氳原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的烧氧基除去（ml+m2)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（ml+m2)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（ml+m2)個氫原子之基。從原料單體之合成谷易性的觀點，宜為從烧基除去（ml +m2)個氫原子之基、從芳基除去（ml+m2)個氫原子之基、從烷氧基除*(ml+m2)個氫原子之基。此等之基的取代基係可舉例與在有關前述之y的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。 (以式（15)所不之構造單元）式（15)中，R係含有以式（μ)所示之基的1價之基， Ar2係表# R3以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n5) 4貝的方香族基’ n5表示1以上之整數。以式（16)所示之基係可直接鍵結於紅2,亦可介由特定之基而鍵結;^Ar2。此特定之基係可舉例亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸T基、伸縣、伸己基、伸壬基、伸十二礙基、伸環丙基、伸環T基、伸環縣、伸環己基、伸環壬基、伸ί辰十二碳基、伸降冰片基、伸金㈣基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代絲代之料的具有取代基或不 323317 55 201220575 具有取代基之碟馬乙基、氧伸_原"Γ 50的伸絲；氧亞甲基、氧伸壬基、氧伸K伸丁基、氧伸戊基、氧伸己基、氧伸環戊基氧基、3基、伸環丙絲基、伸環了基氧基、伸基氧基、伸降基、伸環壬基氧基、伸環十二碳中的至少丨^ 氧基、伸金軌基氧基、使此等之基不具有取代基之碳原子數i至5G的氧佩，或或不具有取代美h 的軋伸烷基，具有取代基伸石夕基；具、祕，具有取代基衫具有取代基之 A . a 代基或不具有取代基之伸乙烯基；伸乙炔 f具有取代基或不具有取代基之甲烧 :乙: 原子、硫原子等之雜原子等。 1原子、鼠在有具有R3财卜之取絲。該取代基係可舉例與；L Q的說明中所例示的取代基同樣之、性的觀點、，宜為：卜的取代基係從原料單體之合成容易 :。為燒基、燒氧基、芳基、芳氧基、緩基或取式（15)中’ n5係表示（以上之整數，宜為數，更宜為1至3的整數。主4之整 (2二=2二所示的_之芳香族基，可_ n5)h之方香純基、（2+n5)價之料族宜為只由碳原子所構成，或，由碳原子、與由氣基上原子及氧原子所構成的群巾選出的丨個以二之（2+π5)價之芳香族基。原子所構成 323317 56 201220575 (2+n5)價之芳香族基可舉例苯環、環、1，3-二秦環、！，4_二嗓環、i，3, 5_三^、1，2—二噪吡咯環、咣唑環、咪唑環、噁唑環、氮、长、呋喃環、式芳香環除去（2+n5)個氫原子之⑵⑹ 等之單環芳香環所構成之群中選出的二個以上之環由單環式環式芳香環除去（2+n5)個氫料之（2+n5) =合的縮合多式芳香環及該縮合多環式芳香環所構成之2基；由單環以上之芳香環從以單鍵、伸乙稀基或伸〔選出的二個芳香環的集合體除去（2+n5)個氫原子之（2+、基連接而成之合夕％式芳香環或芳香環的集合體相鄰之冑的基’縮甲基、伸乙基、嶋之2價的基架橋的交=環以亞式芳，環除去（2+n5)個氫原子之（2+n5)價的基等有橋多環單環式芳香環可舉例如以於有關以式^。單元的說財所例示之式1至12所示的環所示之構造縮合多環式芳香環可舉例如以於有關構造^元的說明中所例示之式13至27戶斤示的環U)所示之、时方香環的集合體可舉例如以於有關以式（1 造單元的說明中所例示之式28至36所示的環。不之構有橋多環式芳香環可舉例如以於有關以 _ 構造單元的說明中所例示之式37至44所示的環。不之 (2切5)價之芳㈣基，.從補單體之合絲易點’宜為從以式1至14、26至29、37至39或41所示 %除去（2+n5)個氫原子的基，更宜為從以式i至6、8、^之扣、27、37或41所示之環除去（2+n5)個氫原子的基，最 323317 57 201220575 宜為從以式卜37或41所示之環除去（2+n5)個氫原子的基。式（16)中，m3及m4係分別獨立表示1以上之整數。式（16)中，以R4所示之（l+m3+m4)價的有機基，可舉例如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的烷基除去（m3+m4)個氫原子之基；從苯基、1 —萘基、 2-萘基、1 -蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少 1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之礙原子數6至30的芳基除去（m3+m4)個氩原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至的烧氧基除去（m3+in4)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（m3+m4)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m3+ra4)個氫原子之基，從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m3+m4)個氫原子之基、從芳基除去U3⑽简料之基、從絲基除去（ffl3+m4) 個氫原子之基。此等之基中的取代基係可舉例與在有關前述之Ql的說明中所例㈣取代基同樣之取代基。取代基存在複數個 323317 58 201220575 時，其等係可為同一’亦可為相異。 (以式（17)所示之構造單元）式（17)中，R5係含有以式（18)所示之基的1價之基’ R6係含有以式（19)所示之基的1價之基，Ar3係表示R5及 R6以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n6+n7)價的芳香族基，n6及n7分別獨立表示1以上之整數。以式（18)所示之基及以式（19)所示之基係亦可直接鍵結於Ar3 ’可介由特定之基而鍵結於Ar3。此特定之基係可舉例亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸壬基、伸十二碳基、伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基、伸環壬基、伸環十二碳基、伸降冰片基、伸金剛烷基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的伸烷基；氧亞甲基、氧伸乙基、氧伸丙基、氧伸丁基、氧伸戊基、氧伸己基、氧伸壬基、氧伸十二碳基、伸環丙基氧基、伸環丁基氧基、伸環戊基氧基、伸環己基氧基、伸環壬基氧基、伸環十二碳基氧基、伸降冰片基氧基、伸金剛烷基氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至5〇的氧伸烷基；具有取代基或不具有取代基之亞胺基；具有取代基或不具有取代基之伸矽基；具有取代基或不具有取代基之伸乙稀基；伸乙炔基；具有取代基或不具有取代基之甲烧三基；氧原子、氮原子、硫原子等之雜原子等。

Ar係亦可具有R5及K以外之取代基。該取代基係可 323317 59 201220575 舉例與在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。

Ar3具有之R5及R6以外的取代基係從原料單體之合成容易性的觀點，宜為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、叛基或取代羧基。式（17)中，n6係表示1以上之整數，宜為1至4之整數，更宜為1至3的整數。式（17)中，n7係表示1以上之整數，宜為1至4之整數，更宜為1至3的整數。以式（17)中之Ar3所示的（2+n6+n7)價之芳香族基，可舉例（2+n6+n7)價之芳香族烴基、（2+n6+n7)價之芳香族雜 %基。其中’宜為只由碳原子所構成，或，由碳原子、金由氫原子、氮原子及氧原子所構成的群中選出的1個以上之原子所構成之（2+n6+n7)價之芳香族基。（2+n6+n7)價之芳香族基可舉例苯環、吼啶環、：1，2_二嗪環、丨，3_二嗪環、 1，4-二嗪環、1，3-二嗪環、丨，4_二嗪環、呋喃環、吼咯環、。比唑環、咪唑環、噁唑環等之單環式芳香環除去（2+n6+n7) 個氫原子之（2+n6+n7)價的基；由單環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之環經縮合的縮合多環式芳香環除去 (2+n6+n7)個氫原子之（2+n6+n7)價的基；由單環式芳香環及該縮合多環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之芳香環從以單鍵、伸乙烯基或伸乙块基連接而成之芳香環的集合體除去（2遍n7)職料之（2+n6+n7)_基；縮合 323317 60 201220575 多環式芳香環或芳香環的集合體相鄰之2個芳香環以亞甲基、伸乙基、羰基等之2價的基架橋的交聯之有橋多環式芳香環除去（2+n6+n7)個氫原子之（2+n6+n7)價的基等。單環式芳香環可舉例如以於有關以式（13)所示之構造單元的說明中所例示之式i至5、式7至1〇所示的環。縮合多環式芳香環可舉例如以於有關以式（13)所示之構造單70的說明中所例示之式13至27所示的環。芳香環的集合體可舉例如以於有關以式（13)所示之構 w單兀*的說明中所例示之式28至36所示的環。有橋多環式芳香環可舉例如以於有關以式（13)所示之構單元的說明中所例示之式3了至料所示的環。 (2+n6+n7)價之芳香族基，從原料單體之合成容易性的觀點’宜為從以式1至5、7至1G、13、14、26至29、37 f 39或41所示之環除去（2+n6+n7)個氫原子的基，更宜為攸以式1、37或41所示之環除去（2+116化7)個氫原子的基，最且為從以式1、38或42所示之環除去（2+n6+n7)個氫原子的基。式（18)中’ R係表示單鍵或（1+m5)價的有機基，宜為 Cl+m5)價的有機基。式（18)中，以R7所示之（1+m5)價的有機基，係可舉例 :從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁二第二丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、 :基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 61 323317 201220575 20的烧基除去m5個氣原子之基·從苯基、卜蔡基、2一蔡，1蒽基、2~蒽基、9~蒽基、使此等之基中的至少1個氫^子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之反原子數6至3G的芳基除去心個氫原子之基：從甲氧基、^氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十一奴氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、 %壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至5〇的烷氧基除去 m5個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去出5 個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去m5個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去m5個虱原子之基、從芳基除去❿個氫原子之基、從烧氧基除去m5個氫原子之基。此等之基中的取代基係可舉例與在有關前述之Ql的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。式（18)中’ m5係表示1以上之整數，但R7為單鍵時， m5係表示1。式（19)中，R係表示單鍵或（i+m6)價的有機基，宜 (l+m6)價的有機基。式（19)中，以R8所示之（i+m6)價的有機基，係可舉1 如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二_ 基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基 323317 62 201220575 1、=桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丄至 20的说基除去m6個氫原子之基；從苯基、卜蔡基、2一蔡基、1-蒽基、2-蒽基、9_葱基、使此等之基中的至少ι個氫原子以取代絲代之⑽的具有取絲或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去㈣個氫料之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛燒氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取絲或不具有取代基之碳原子數i至5()敝氧基除去 ra6,氫原子之基；從具有含碳料之取代基的絲除去㈣，虱原子之基’·從具有含碳原子之取代基㈣基除去㈣個虱原子之基，從原料單體之合成容祕的觀點，宜為從燒基除去m6個氫原子之基、從芳基除去砧個氫原子之基、從烧乳基除去ηι6個氫原子之基。此等之基中的取代基係可舉例與在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時’其等係可為同一，亦可為相異。式（19)中，Μ係表示1以上之整數，但R8為單鍵時， ηι6係表示1。 (以式（20)所示之構造單元）式（20)中，R9係含有以式（21)所示之基的1價之基，係含有以式（22)所示之基的1價之基，Ar4係表示y及 323317 63 201220575 R10以外之具有取代基或不具有取代基之（2+n8+n9)價的芳香族基，n8及n9分別獨立表示1以上之整數。以式（21)所示之基及以式（22)所示之基係亦可直接鍵結於Ar4 ’亦可介由特定之基而鍵結於Ar4。此特定之基係可舉例亞曱基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸壬基、伸十二碳基、伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸己基、伸環壬基、伸私十一碳基、伸降冰片其、伸金剛烷基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的伸烷基；氧亞曱基、氧伸乙基、氧伸丙基、氧伸丁基、氧伸戊基、氧伸己基、氧伸壬基、氧伸十二碳基、伸環丙基氧基、伸環丁基氧基、伸環戊基氧基、伸環己兵氧芙、伸環壬基氧基、伸環十二碳基氧基、伸降冰片基氧基、伸金剛烷基氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數i至 50的氧伸烷基；具有取代基或不具有取代基之亞胺基；具有取代基或不具有取代基之伸矽基；具有取代基或不具有取代基之伸乙絲；伸乙炔基；具有取代基或不具有取代基之曱烷三基；可介由氧原子、氮原子、硫子而鍵結於Ar4。 7十寺之雜原

Ar4係亦可具m R1。以外之取代基。該取代基係舉例與在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個日寺，其等係可為同一，亦可為相 323317 64 201220575

Ar4具有之R9及R1()以外的取代基係從原料單體之合成容易性的觀點，宜為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、羧基或取代羧基。式（20)中，n8係表示1以上之整數，宜為丨至4之整數，更宜為1至3的整數。式（20)中，n9係表示1以上之整數，宜為丨至4之整數，更宜為1至3的整數。以式（20)中之Ar4所示的（2+n8+n9)價之芳香族基，可舉例（2+n8+n9)價之芳香族烴基、（2+n8+n9)價之芳香族雜環基。其中，宜為只由碳原子所構成，或，由碳原子、與由氫原子、氮原子及氧原子所構成的群中選出的i個以上之原子所構成之（2+n8+n9)價之芳香族基。 (2+n8+n9)價之芳香族基可舉例苯環、吡啶環、丨，2_ 二嗪環、1，3-二嗪環、L4—二嗪環、呋喃環、吡咯環、’吡唑環、咪唑環等之單環式芳香環除去（2+n8+n9)個氫原子之 (2+n8+n9)價的基；由單環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之環經縮合的縮合多環式芳香環除去（2+n8+n9)個氫原子之（2+n8+n9)價的基；由單環式芳香環及縮合多環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之芳香環從以單鍵、伸乙稀基或伸乙炔基連接而成之芳香環的集合體除去 (2+n8+n9)個氫原子之（2+n8+n9)價的基；縮合多環式芳香環或芳香環的集合體相鄰之2個芳香環以亞甲基、伸乙基、羰基等之2價的基架橋的交聯之有橋多環式芳香環除去（2+n8+n9)個氫原子之（2+n8+n9)價的基等。 323317 65 201220575 • 單環式芳香環可舉例如以於有關以式（13)所示之構造單兀的說明中所例示之式i至5、式7至1〇所示的環。，合多環式芳香環可舉例如以於有關以式⑽所示之構造單70的說明中所例示之式13至^所示的環。芳香環的集合體可舉例如以於有關以式⑽所示之構造單元的說明中所例示之式28至36所示的環。有橋多％式芳香環可舉例如以於有關以式（⑶所示之構造單7C的說明中所例示之式37至44所示的環。 (2+n8+n9)價之芳香族基，從原料單體之合成容易性的觀點’宜為從以式1至5、7至1〇、13、14、26至29、37 至39或41所不之環除去（2+n8+n9)個氫原子的基，更宜為從以式1至6、8、14、27、28、38或42所示之環除去（2+n8+n9) 個氫原子的基，隶宜為從以式1、或41所示之環除去 (2+n8+n9)個氫原子的基。式（21)中，R係表示單鍵或（1+m7)價的有機基，宜為 (l+m7)價的有機基。式（21)中，以R11所示之（1+m7)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第二丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至2〇的烷基除去m7個氫原子之基；從苯基、丨_萘基、2_萘基、 1 -蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳 323317 66 201220575 原子數6至30的芳基除去m7個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、王辰壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至5G的烧氧基除去 m7個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去以個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基㈣基除去^個氫原子之基，從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烧基除去m7個氫原子之基、從芳基除去m7個氫原子之基、從烷氧基除去m7個氫原子之基。此等之基巾的取航射舉難在錢前狀qi的說明中所例不的取代基同樣之取代時，其料可相_，村為；^取代基存在複數個式（21)中，ra7係表示！以上之 H17係表示卜 I U為早鍵時，的有機基，宜為式（22)中’ Rl2係表示單鍵或（1+ιπ8)價 (l+m8)價的有機基。從甲A之―價的有機基，可舉例如第一；美：丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、 ΓΙί其基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基㈣至少丨個氫原子代之基等的具錄代基衫具絲代基之碳好數2至20 的燒基除去m8個氫原子之基；從苯基、卜萘基、2_蔡基、 323317 67 201220575 .卜蒽基、2_蒽基、9_蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的务基除去m8個氫原子之基；從曱氧茂乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等^具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至5〇的烷氧基除去 m8個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去咄個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去岵個氫原子之基，從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去m8個氫原子之基、從芳基除去祕個氫原子之基、從燒氧基除去m8個氫原子之基。此等之基中的取代基係可舉例與在有關前述之Ql的說明中所例㈣取代基⑽之取絲。取代基存在複數個時，其專係可為同一，亦可為相異。式（22)中，m8係表示i以上之整數，但Rlz為單鍵 m8係表示1。以下，說明有關上述之各構造單元的例。 (以式（13)所示之構造單元的例）以式（13)所示之構造單元係從所得到之離子性聚合物的電子輸送性之觀點，宜為以式⑽所示之構造單元、以式（24)所示之構造單元，更宜為以式（24)所示之構造單元。首先，說明有關以式（23)所示之構造單元。 68 323317 201220575

RiARi3-|(Q1)nrY1(M1)ai(21)bi}m9 (23) ^(Q3)n3-Y3 } m10 (式（23)中’ R13表示（1+m9+ml〇)價之有機基，RU表示^價之有機基，Q1、Q3、γΐ、Μι、z丨、γ3、M、a卜 bl 及係^ 示與前述相同之意義，m9及mio係分別獨立表示1以上之整數，Q1、Q3、γ1、Μι、ζι、Υ3、μ、&卜 bl 及 n3 係分別 ^ 有複數個時’其等係可為同一亦可為相異。）〃式（23)中’以W所示之（1+m9+ml〇)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第: 丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數 1至20的烷基除去（m9+mi〇)個氫原子之基；從笨基、1 一萘基、2-萘基、卜蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m9+mi〇)個氣原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、'己氧基、壬氧基、十一被乳基、環丙氧基、環丁氧武、产戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片其氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子P 、基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1 323317 69 201220575 • 至50的烷氧基除去（m9+ml0)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（m9+mi〇)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m9+ral0)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m9+ml〇)個氫原子之基、從芳基除去（m9+mi〇)個氫原子之基、從烧氧基除去（m9+ml0)個氫原子之基。式（23)中，以Rl4所示之1價的有機基，可舉例如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至2〇的烷基除去1個氫原子之基；從苯基、卜萘基、2_萘基、卜蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去1個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、裱丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的烷氧基除去丨個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去丨個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去丨個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去^ 個氫原子之基、從芳基除去1個氫原子之基、從院氧基除 323317 70 201220575 去1個氫原子之基。以式（23)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元

0(CH2CH20)3CH3 Μ = Li, Na, K, CS, N(CH3)4 H3c ΥΛ^0ΟΟ'Μ+

H9C4 |^vC〇〇'M+ g(ch2ch2o)2ch3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

COOM+ o(ch2ch2o>2ch3 M = Li, Na. K, Cs, N(CH3)4 M = Li. Na, K. Cs, N(CH3)4

H5C2O )r^vC〇〇'M+ O(CH2CH20)3CH3 M = Li, Na, K, Cs. N(CH3)4

H9C4O Γγ〇00'Μ+ 、o(ch2ch2o)2ch3

M = Li, Na, K. Cs, N(CH3)4 H13C6〇 rV^COO'M+ 0(CH2CH20)2CH3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

h17c8o rvco〇M+ ){CH2CH2〇)2CH3 H2iC10d rVC〇〇'M+ )(CH2CH20)2CH3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4 71 323317 201220575 接著’說明有關以式（24)所示之構造單元。

(式（24)中 ’ R13表示（i+mii+mi2)價之有機基，Q1、Q3、Y1、 Μ1、Z1、Y3、ni、al、bl及n3係表示與前述相同之意義， mil及ml2係分別獨立表示1以上之整數，R!3、mU、ml2、 Q1、Q3、Y1、Μ1、Z1、Υ3、nl、al、bl 及 n3 分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（24)中，以R13所示之（i+mil+mi2)價的有機基，可乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、舉例如從曱基、乙邊二丁基、第三丁基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至20的烷基除去（mlUml2)個氫原子之基；從苯基、 1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2_蒽基、9_蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或 :具有取代基之碳原子數6至3G的芳基除去（mlUml2)個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、两氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基' 環戊氧基、環己氧基、環錢基、料二錢基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少i個氫原子以 323317 72 201220575 取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之域廣數1至50的烷氧基除去（mii+mi2)個氫原子之基；從具= 含碳原子之取代基的胺基除去（mil+ml2)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的石夕基除去2)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去 (mll+ml2)個氫原子之基、從芳基除去（mll+ml2)個氫原子之基、從烧氧基除去（mll+ml2)個氫原子之基。以式（24)所示之構造單元’可舉例以下之構造單元。 323317 73 201220575

+MOOCV^a,( KV-COO'M'*' H3C(OH2CH2C)20， (D(CH2CH2〇)2CH3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4 "ΜΌοογΜ jrycoo-M* Η3〇(ΟΗ2〇Η2〇)3〇^ <D(CH2CH2〇)3CH3 M = Li, Na, K, Cs, N{CH3)4

+moocv°s "irvcoo-M- H3C(0H2CH2C)50, 0(CH2CH20)sCH3 M = Li, Na, K. Cs. N(CH3)4

"MOOCV'K )TV.COO'M+ H3C(OH2CH2C)6CT ~ 'b(CH2CH20)6CH3 M = Li. Na, K, Cs. N(CH3)4

+M.OOC’ ^^ΟΟ-Μ. Η30{〇Η2ΟΗ2〇20>*/γ<ς：〇(〇Η2〇Η2〇)2^Η3 M = Li. Na, K, Cs, N(CH3)4

H3C(OH2CH2C)s〇^A^〇(CH2CH20)5CH3 *MOOC^ ^COO-M" M = Li, Na. K, Cs. N(CH3)4

74 323317 201220575

"MOaSv^i ]TVS03-M+ H3C(OH2CH2C)2Cr D(CH2CH2〇)2〇H3 M = Li, Na, K, C$, N(CH3)4 +m-〇3s>^^( ]rv-so3-M+ H3C(OH2CH2C)3Ci ' t){CH2CH20>3CH3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

+mo3s-^»( rVs〇3_M+ H3C(OH2CH2C)4Ci — 0(CH2CH20)4CH3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4 H3C(0H2CH2C)5O^ <D(CH2CH20)5CH3 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

+mo3S"Y^ ^ryso3-wi+ H3C(〇H2CH2C)7〇^ (D(CH2CH2〇)7CH3 M = Li, Na. K. Cs. N(CH3)4

H3C(OH2CH2C)2〇>W<〇(CH2CH2〇)2CH3 +MO3S…^ 'SOa M+ M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4 H3C(OH2CH2C)3〇>^/V<〇(CH2CH20)3CH3 +M-〇3S，' f'S03.M+ M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

+_S一 ^ 'SOa M" H3C{OH2CH2C)4〇>yVc〇(CH2CH2〇)4CH3 M = U. Na, K, Cs, N(CH3)4

H3C{OH2CH2C)60>!!/V<O{CH2CH2〇)6CH3 M = Li, Na. K. Cs, N(CH3)4

75 323317 201220575

COOCH2CH3 t)CH2CO〇-M+ H3CH2COOC +m-〇och2c M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

H3CH2COOC、(^ ]t-^COOCH2CH3 *^ΌΟΟ(Η2(：>2σ 、o(ch2)2coo-m4 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

H3CH2COOC-/^ ]T^yCOOCH2CH3 *MOOC(H2C)4a 0(CH2)4C〇〇"M" M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

H3CH2COOCY^ 'r^yC〇〇CH2CH3 ^ΜΌ00(Η20)50^ ^〇<^2)5〇〇〇^+

r>v-COOCH2CH3 ^^CKCHACOO-N/T Μ = Li, Na, K, C$, N(CH3)4 H3CH2COOC ♦MO〇C(H2C)6i M = Li, Na, K, Cs, N(CH3),

H3CH2COOC +MO3SH2G

ooch2ch3 och2so3m+

^ΜΌ35(Η2〇)2〇Γ d<ch2>2so3m+ H3CH2COOCm )^yCOOCH2CH3 M = Li, Na. K, Csf N(CH3)4 M = Lt, Na, K, Cs, N(CH3)4

H3CH2COOC^^ >^V-COOCH2CH3 'ΜΌ33(Η20)3σ t){CH2>3S03-M+ M = Li, Na, K, Cs, N{CH3)4 H3CH2COOCY^ ]nyCOOCH2CH3 fMO3S(H2C)5a (D{CH2)5S03-M+ M = Li, Na. K. Cs. N(CH3)4 Η30Η200Ο0γΜ |rY-COOCH2CH3 嘗033(明40入^ b(CH2)4S03M+ M = Li, Na, K. Cs, N(CH3)4 h3ch2cooc~/^ ]rycoocH2cn3 fMO3S(H2C)6a 、o(ch2)6so3m+ M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4 76 323317 201220575

M = U,Na,K.Cs.N(CH3)4

^MOOC H3C(OH2CH2C)2〇 H3C(OH2CH2C)2Gi COO*M" (CH2CH20)2CH3 0(CH2CH20)2CH3

+MOOC H3C{0H2CH2C)30 H3C(OH2CH2C)3Ci COO*M+ o(ch2ch2o)3ch3 (ch2ch2o)3ch3 M = LI. Na, K, Cs,

+MOOC h3c(oh2ch2c>4o H3C(OH2CH2C)4Ci COOIW* 0{CH2CH2〇)4CH3 (ch2ch2o)4ch3

^MOOC H3C(OH2CH2C)5〇 H3C(OH2CH2C)5' COO'M+ {CH2CH20)5CH3 (ch2ch2o)5ch3 M = Li, Na· K, Cs, N(CH3)4 M = U, Na, K, Cs. N(CH3)4

+MOOC H3C(OH2CH2C)7〇 H3C(OH2CH2C)7〇i

M = U, Na, K, Cs· N(CH3)4

+MOOC H3C(0H2CH2C)60 H3C(OH2CH2C)6〇， COO-M* (CHjCHzOfeCHa '0{CH2CH2〇)6CH3 C00*M+ 0(CH2CH20)7CH3 〇(CH2CH20)7CH3 M = Li_ Na, K· Cs, N<CH3)4 H3CH2COOC +mo3s(h2c)3o'

COOCHaCHs 〇(CH2)3S〇3M* H3CH2COOC *MO3SC6H4

M = Li, Na, K, Cs, N{CH3)4 cooch2ch3 C5H4S〇3"M+ M = Lir Na. K. Cs, N(CH3)4

Η30Η20ΟΟ〇γΜ jr^ycOOCH^CHa +MOOC(H2C)3〇/^ J3(CH2)3COO'M+ H3CH2CO〇C +ΜΌΟΟ〇6Η4<

M = Li, Na. K, Cs, N(CH3)4 ooch2ch3 c6h4co〇-m+ K. Cs, N(CH3)4 又，以式（13)所不之構造早元從所得到之離子性聚合物的耐久性觀點，宜為以式（25)所示之構造單元。

m13 m15 (25) 323317 77 201220575 • (式（25)中 ’ R15表示（l+ml3+ml4)價之有機基，q1、q3、γ1、 Μ1、Ζ1、Υ3、nl、al、bl及η3係表示與前述相同之意義， ml3、ml4及ml5係分別獨立表示1以上之整數，、ml3、 ml4、Q1、Q3、γ1、Μ1、Z1、Y3、nl、al、bl 及 n3 係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（25)中’以R15所示之（i+mi3+ml4)價的有機基，可舉例如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至20的烧基除去（mi3+mi4)個氫原子之基；從苯基、 1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（mi3+ml4)個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛炫氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的烷氧基除去（mi3+ml4)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（ml3+ml4)個氫原子之基；從具有含礙原子之取代基的石夕基除去（m13+mi4)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去 (ml3+ml4)個氫原子之基、從芳基除去（ml3+ml4)個氫原子 323317 78 201220575 之基、從烧氧基除去（ml3+ml4)個氫原子之基。以式（25)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元。

*MOOC +MOOC +MOOC

i 7—0(CH2CH20)2CH3 名- Μ = Li. Na, K, Cs, NMe4 M = U. Na K, Cs. NMe4 M = Li. Na; K, Cs, NMe4

*MOOC +MOOC +MOOC

/ V-0(CH2CH20)5CH3 ^ - M = Li, Na, K. Cs: ΝΜβ4 M = Li. Na, K, Cs, NMe4 M = Li, Na: K, Cs, NMe4 (以式（15)所示之構造單元的例）以式（15)所示之構造單元係從所得到之離子性聚合物的電子輸送性之觀點，宜為以式（26)所示之構造單元、以式（27)所示之構造單元，更宜為以式（27)所示之構造單元。首先，說明有關以式（26)所示之構造單元。 79 323317 (26) 201220575

r17 胪加W-Y2(M2)aA m17 m16 (式（26)中，R16表示（l+ml6+ml7)價之有機基，R17表示1價之有機基，Q2、Q3、Y2、Μ2、Z2、Y3、n2、a2、b2 及 n3 係表示與前述相同之意義，ml6及ml7係分別獨立表示1以上之整數，Q2、Q3、Y2、Μ2、Z2、Y3、n2、a2、b2 及 n3 係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（26)中，以R16所示之（l+ml6+ml7)價的有機基，可舉例如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至20的烷基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從苯基、 1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氡基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子 80 323317 201220575 *數1至5〇的烧氧基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從具有含奴原子之取代基的石夕基除去（m16+mi7)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去 (ml6+ml7)個氫原子之基、從芳基除去個氧原子之基、從烧氧基除去（ml6+ml7)個氫原子之基。式（26)中，以Rn所示之1價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第二丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至2〇的烷基除去1個氫原子之基；從苯基、卜萘基、2_萘基、丨一蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少i個氮原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去1個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、T氧基、絲基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的縣基除去丨個氣原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去1個氮原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去丨個氫原子之基，從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烧基除去i 個氫原子之基、從芳基除去！個氫原子之基、從院氧基除 323317 81 201220575 去1個氫原子之基。以式（26)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元

H5〇2 >^V^{N(CH3)2CH2CH3}+X* )(CH2CH2〇hCH3 X = F, Cl. Br, I, BPh4, CF3SO3. CH3COO

X

HaC^ Γν^{Ν(ΟΗ3)2〇Η2〇Η3}+Χ^ O(CH2CH20)3CH3 F. CL Brt I, BPh4, CF3SO3, CH3COO

-{N(CH3〉2CH2CH3>+X_ )(CH2CH2〇)3CH3 X = F. Cl. Br, I, BPh4i CF3SO3. CH3COO

X

-{N(CH3)2CH2CH3}+X· 3(CH2CH2〇)3CH3 F, Cl. Br, I. BPh4, CF3S03, CHaCOO {N(CH3)2CH2CH3}+X- )(ch2ch2o>3ch3

X = F, Cl. Br, I, BPh4. CF3S03) CH3COO

H3CO 'f^N(CH3)2CH2CH3)+)C ^0(CH2CH20)3CH3 X = F, Cl. Br, I, 8Ph4, CF3SO3, CH3COO

{Ν(ΟΗ3)2〇Η2〇Η3ΓΧ* O(CH2CH2〇)3CH3 X = F, Cl. Br, I, BPh4, CF3S03( CH3COO

-{N(CH3)2CH2CH3}+X-G(CH2CH20)3CH3 X = F· Cl. Br. I, BPh4, CF3S〇3, CH3COO

-{Ν(ΟΗ3)2〇Η2〇Η3Γχ· O(CH2CH2〇hCH3 X = F. Cl. Br. I, BPh4, CF3SO3, CH3COO

-{N(CH3)2CH2CH3}4X' '0(CH2CH2〇)3CH3 X = F. Cl. Br. I, BPh4, CF3S03j CH3COO 其次，說明有關以式（27)所示之構造單元 82 323317 201220575

{(Z2>b2(M2)a2Y2_(Q2)n2j^Xi6>2)n2_Y2(M2)a2(z2)b2}祕(27) mlpR •'v * [Y3-(Q3)n3K,17 1(Q3)n3-Y3 } m17 (式（27)中，R16表示（l+ml6+ml7)價之有機基，Q2、Q3、Y2、 Μ2、Z2、Y3、n2、a2、b2及n3係表示與前述相同之意義， ml6及ml7係分別獨立表示1以上之整數，R16、ml6、ml7、 Q2、Q3、Y2、Μ2、Z2、Y3、n2、a2、b2 及 n3 係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（27)中，以R16所示之（l+ml6+ml7)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至20的烷基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從苯基、 1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9_蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；#甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環两氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金職氧基、使此等之基中的至少i個氫原子以取代基取代之基等祕有取代基或不具有取代基之碳原子 323317 83 201220575 數1至50的烧氧基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從具有含石厌原子之取代基的胺基除去（ml6+ml7)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（ml6+ml7)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去 (ml6+ml7)個氫原子之基、從芳基除去（ml6+ml7)個氫原子之基、從烷氧基除去（ml6+ml7)個氫原子之基。以式（27)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元。

·χ<{Η3〇Η20(Η3〇)2Ν)~γ·*Η ΓΛΗΝ(ΟΗ3)2〇Η2ΟΗ3>+Χ· "X+{H3CH2C(H3C)2I X = F, Cl, Br, I, BPh4, CF3SO3

(CH3)2CH2CH3}+X· (CH2CH20)3CH3 X = F, Cl. Br. I, BPh4. CF3S03

*Χ*{Η3〇Η20(Η3〇)2Ν}-γ^ V^y-(N(CH3)2CH2CH3}*X-H3C(OH2CH2C)4Cr^ tJtCHjCHzO^CHs X=F,CI, Br.l, BPh4, CF3SO3 ^•{(HsCHjOjNhY^ ^ΥΚΝ(ΟΗ3)2〇Η2ΟΗ3}*Χ-HjCtOHaCHaC^Cl·^ ^OtCHzCHaOJsCHa X = F,CI.Br,l, BPh4. CF3SO3

-Χ*{Η3〇ΗζΟ(Η3〇>2Ν}-γ*^ ryiU{W3yCH2CH^*y： X'iHaC^qHsCfcNW^ /^-(NtCHjJaCHjCH^X-Η3〇(ΟΗ2ΟΗ2〇)5〇Γ^ 0(CH2CH20)6CH3 HaCKOHjCHzC^Cf^ ^OfCHaCHaO^CHa X = F, Cl, Br, I, BPh„, CF3S03 X = F, Cl. Br, I, BPh4l CF3SO3

H3C(OH2CH2C)2〇 •X*{H3CH2C(H3C)2Ny X = F,a, BM,BPh4.CF3SOj rV〇(CH2CH2〇)2CH3 lN{CH3)2CH2CH3rX-

HaCtOHjjCHaCHOY^ ry〇(CH2CH20)3CHj •X^CHaCfHaCfeN}-^ ^{N(CH3)2CH2CH3KX· X = F,CI,Br, I. BPh4.CF3S03

H3C(OH2CH2C)4〇Y^ ^y〇(CH2CH2〇)4CH3 H3C(0H2CH2C)50~^j ^y〇(CH2CH20)sCH3 ^^{NiCHsJzCHzCHaJ^X- •X^HsCHaClHsOjN}·^^ N^S{N(CH3)2CH2CH3)+X· X = F, CI. Br, I, BPh4. CF3S03 X = F. Cl, Br, I, BPh4> CF3S03

H3C(OH2CH2C)6〇Y^ ^Y〇(CH2CH20)6CH3 Η30(ΟΗ2〇Ηζ{^0^^ Cy〇(CH2CH20>7CH3 •ΧΜΗΚΗ^Η^ΟίΝ}^^ '''^NiCHslaCHaCHapC •X*{H3CH2C(H3C)2N}/·^ ''""VnCHACHjCWX· X = F,CI,Br,l,BPh4，CF3S〇3 X = F,CI. Br. I, BPh4, CF3S03 84 323317 201220575

HjCHsCOOC^n r>yCOOCH2CHa -X*{(H3C)2HN}HaCCf^ ^OCH2(NH(CH3)2}*X· X = F· Cl. Br, I, BPtv CFaSO* CH3COO

HjCHsCOOC^^ /^yCOOCH^CHs X = F, Cl. Br.l, BPh. CF3S〇3, CH3COO

H3CH2COOCY^ )^ν〇ΟΟΟΗ2〇Η3 -X^iHgCbHNKHzC)^ ^(CHabiNHCCH^X· X = F, a. Br. I. BPh4. CF3S〇3. ch^coo

HsCHsCOOC· *Xf{<H3C)2HN}(H2C)4〇,

OOCH2CH3 ；CH2)4{NH(CH3)2}*X·

X » F. Cl. Br. I. BPh^. CF3SO3. CH3COO

H3CH2COOC

OOCHzCHj (CH2)5{NHtCH3)2)+X-

H3CH2COOC •X^H^C^HNHHaCW

OOCH2CH3 '(CHaJtjtNHtCHabrx·

X*F,Cl· Br,l. BPh4·CF3S03·CH3COO

X « F, a. Bf. I. BPh4. CF3S〇3, CH3COO

X"(H3CH2C(H3C)aNJH2C〇r^ ^DCHil^CHshiCHaCH^X-X - F. Cl, Br, I, BPhjt CF3503, CH3COO H3CH2COOC-^"^ rY«C〇〇CH2CH3

y^yCOOCH2CH3

H^CH2COOC^y^i rX-COOCH2CH3 TiHsCHjCiHaOaNKHaCJaOr^ ^OCCH^NCCHafeCH^H^* X = F, Cl. Br. I. BPh*. CF^SOg. CH3COO

H3CH2COOC

COOCH2CH3 pHzWNtCHafeCHaCH^-

H3CH2COOC· V(H3CH2C(H3C)zNKH2C)a〇r^ 一、CH 總叫抑㈣欠.X，{H3CH2C(H3C)2NKH2C),i X = F. Cl, Br. I, BPh4.0F3SO3. CH3COO X = F, Cl, Br, I, BPh*, CF^SO^ CH3COD H3CH2COOC -X*(H3CH2C(H3C)2N)(H2C)stf

COOCH2CH3 HaCHjCOOC <CH2)5{N<CH3)2CH2CH3J*X· •XlHaQHaCtHaCJaNMHjOeCi

COOCH2CH3 '(CHjJeJNiCH^CHaCHa^X·

X * F, C!. Br, I, 0Ρίν· CP3S〇3. CHaCOO

X ; P, Cl· Br. I，ΒΡ〜, CFjSOa, CH3COO 85 323317 201220575

H3COOC' och3 -X^HsCHsCCHsCfeN^H^O OC^NtCH^^CHzCHJX X = F, Cl, Br, 1. BPh4, CFjSOa, CH3CO〇

COOCH2CHj (CH2>#WH3)2)+X·

：coch2ch3 CeH4{NH(CH3)2}+X·

HaCHaCOOC •X+{(H3C)2HNKH2C)30，

X » F. Cl, Br, I, BPh4. CF3S〇3, CH3COO H3CH2COOC X = F. Cl: ΒΓ, I, BPh4, CF3SO3, CH3CCX)

H3CH2COOC.

：00CH7CH3

HjCHjCOOC-Y^ /^VCOOOtjCHa •X^HaCHaCiHjCfeNKH^ad ^(CHz^iNi^feCHjCH^X·

X = F. Cl, Br,丨.BPh4, CF3S〇3、CH3COO X^aCHjCtHjCJaNJCeHiCi bCeHaNiCHs^CHaCH^X-

X = F. Ο, Br. I, BPh<( CF3S03l CH3COO 又，以式（15)所示之構造單元從所得到之離子性聚合物的耐久性觀點，宜為以式（28)所示之構造單元。 ((Q2)n2-Y2 (M2)a2(Z2)b2 }^β·^(α3)η3-γ3 ] m18

m19 m20 (28) (式（28)中，R18表示（l+ml8+ml9)價之有機基，Q2、Q3、Y2、 Μ2、Z2、Y3、n2、a2、b2及n3係表示與前述相同之意義， ml8、ml9及m20係分別獨立表示1以上之整數，R18、ml8、 ml9、Q2、Q3、Y2、Μ2、Z2、Y3、n2、a2、b2 及 n3 係分別具 86 323317 201220575 ‘. 有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（28)中，以R18所示之（l+ml8+ml9)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至20的烷基除去（ml8+ml9)個氫原子之基；從笨基、 1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基$ 不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（11118+11119)個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的烧氧基除去（mi8+nil9)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（mi8+m19)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（ml8+ml9)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去 (ml8+ml9)個氫原子之基、從芳基除去（ml8+ml9)個氫原子之基、從燒氧基除去（ml8+ml9)個氫原子之基。以式（28)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元。 323317 87 201220575 'X*{(H3C>2HNK p(CH2CH20>2CH3 ^{(HaCJaHN). p(CH2CH20)aCH3 ^{(HiCfcHNK OlO^CH^Chb

X = F, Cl, Bf, I. BPh4, CF3S〇3. CH3COO X = F. 〇. Brt I, BPh4, CF3SOj. CH3COO X = F. Cl. Br. I, BPh4( CH3COO X^HHjCfeHNK OiCHaCH^feCHj X^iHjO^HNK OiC^CHjOfeCHj -X*{(H3CKfHNK CXCHzCHaOJrCH^

X = F· Cl, Br· I. SPh4· CF3SQ3· CHaCOO X = F, a, Br, I, BPh4f CF3SOj, CH3COO X = F. Cl. Br, I, BPha. CFjSOj, CH3COO

X'iHaCH^HaC^ OiCHzCHjOfeCHj *X*{H3CH2C(H3ChN}v 0(0^0^0^3 X = F. Cl, Br, I, BPh4, CF3S〇3, CH3COO ·Χ*{Η3〇Η2〇(Η3〇2ΝΚ piCH-iCHaO^CHj

X* F, Cl, Br, I, BPh*.CF3SO3. CH3COO X= F. Cl, Br. I. BPh*. CFaSOj. CH3COO X * F. Cl. Br, I, BPh4.CF3SO3, CH3COO l(CH2CH2〇)3CH3

X = F· Cl, Br. I，BR14. CFgSOa, CH3COO χ = F. a, Brf I, BPh4. CF3SO> CH3COO OiCHzO^OJBCHa

X = F. a. Br. I, BPh4. CF3S〇3. CH3COO χ s F, Cl. Br. I. BPh^. CF3SO3. CHjCOO X = F. Cl, Br, I, BPh4, CF3SO3. CH3COO X^HjCHjCiHiCkN^ Xf{H3CH2C(H3C)2N)s X*{HaCH2C<H3C>2N}、 -0(CHaCH20)2CK4 (V-Otd^CH^O^^ ( H〇<CH2CH20)*CH3

X = F, Cl, Br. I. RPh4. CF3SO3. CH^COO χ = F, Cl. Br. I, BPh*. CF^, CH3COO X = F, D. Br. I, BPh4. CF3SO3. CH3COO *X+{H3CH2C(H3C)2N}v -^{HaCHzCtHaCfeNK ^{H3CH2C{H2Ch^\ -OiCHjCHzOJsCHa (V-OiCHjCH^OJeCHj ( CXCHaCHjO^CH,

X= F. Cl, Br, I. BPh4. CF3S03. ChjCOO χ * F. Cl. Br, I. BPh4, CF^SQj, CHaC00 X = F. Cl, 8r, 1· BPfu. CF3S〇3, CKjCOO (以式（17)所示之構造單元的例） 88 323317 201220575 • 以式（17 )所示之構造單元係從所得到之離孑性聚合物的電子輸送性之觀點，宜為以式（29)所示之構造單元。

(式（29)中，R19表示單鍵或（l+m21)價之有機基，r2°表示單鍵或（l+m22)價之有機基，Q1、Q3、γ1、Μ1、Z1、Y3、η卜 al、 bl及n3係表示與前述相同之意義，m21及m22係分別獨立表示1以上之整數，但，R19表示單鍵時，m21表示1，R20 表示單鍵時 ’ m22 表示 1。Q1、Q3、γ1、Μ1、Z1、Y3、nl、al、 bl及n3係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（29)中，以R19所示之（1+m2i)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的烷基除去（m21)個氫原子之基；從苯基、ι_萘基、2_ 萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少i 個虱原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去(m21)個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環 323317 89 201220575 己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的烧氧基除去（ΠΙ21)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（m21)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m21)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點’宜為從烧基除去（m21)個氫原子之基、從芳基除去 (m21)個氫原子之基、從烧氧基除去（m2i)個氫原子之基。式（29)中’以R2Q所示之（i+m22)價的有機基，可舉例如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第二丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的燒基除去（m22)個氫原子之基；從苯基、1-萘基、2-蔡基、1 -葱基、2-基、9-蒽基、使此等之基中的至少1 個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m22)個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至50的烷氧基除去（m22)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（m22)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的 90 323317 201220575 矽基除去（m22)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m22)個氫原子之基、從芳基除去 0n22)個氫原子之基、從烷氧基除去（m22)個氫原子2^'。以式（29)所示之構造單元，可舉例以下之構造單

cooivr

M = Li, Na. K. Cs, N(CH3)A M = Li, Na. K, Cs. N(CH3)4

H3C(OH2CH2C)3〇/ (sCH2)4C〇〇'M* M = Li, Na, K, Cs, N(CH3>4 M = Li, Na, K, Cs, N(CH3)4

M = Li, Na, K, Cs. N(CH3)4

M = Li, Na. K, Cs, N(CH3)4 一 M = U, Na, K. Cs. N(CH3)4 以式⑽财之構造單㈣從所得狀離子性聚合物的耐久性之觀點，宜為以式（3〇)所示之構造單元。 323317 r- 91 201220575

(式（30)中，R21表示單鍵或（l+m23)價之有機基，R22表示單鍵或（l+m24)價之有機基，Qi、Q3、Y1、Μ1、Z1 ' Y3、nl、al、 bl及n3係表示與前述相同之意義，m23及m24係分別獨立表示1以上之整數，但，R21表示單鍵時，m23表示1，R22 表示單鍵時，m24表示1，m25及m26係分別獨立表示1以上之整數。m23、m24、R21、R22、Q1、Q3、Y1、Μ1、Z1、Y3、 nl、al、bl及n3係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（30)中，以R21所示之（i+m23)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至 20的烷基除去（m23)個氫原子之基；從苯基、卜萘基、2_ 萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1 個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之奴原子數6至30的芳基除去（m23)個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、祕基、己氧基、壬 323317 92 201220575 氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的烷氧基除去（m23)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的月女基除去（m23)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m23)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m23)個氫原子之基、從芳基除去 (m23)個氫原子之基、從烷氧基除去（11123)個氫原子之基。式（30)中，以R22所示之（i+m24)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的烷基除去（m24)個氳原子之基；從苯基、卜萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1 個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m24)個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的烷氧基除去（m24)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的 93 323317 201220575 胺基除去（m24)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m24)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點.，宜為從烷基除去（m24)個氫原子之基、從芳基除去 (m24)個氬原子之基、從烷氧基除去（m24)個氬原子之基。以式（30)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元。 94 323317 201220575

*MOOC

0(CH2CH2O)2CH3 +MOOC +MOOC 0(ΟΗ2〇Η2〇)3〇Η3 0(CH2CH20)4CH3

M = Li, Na, K, Cs, NMe4 +MOOC

M = Li, Na，K, Cs, NMe4 +MOOC

M = Li, Na(K, Cs, NMe4 +MOOC

o(ch2ch2o)5ch3 M = Li, Na· K, Cs_ NMe4 COO'M+ o(ch2ch2o)2ch3 M = Li, Na, K. Cst NMe4 COO*M+ //Kv. 、o(ch2ch2o)5ch3 M = Li, Na, K_ Cs, NMe4 tnr 〇(ch2ch2〇)2ch3 C00M4 M = Li, Na, Kt Cs, NMe4 t〇i 〇(CH2Ch2〇)sch3 coom+ M = U, Na, K( Cs, NMe4 0(CH2CH20)2CH3 0(CH2CH20)6CH3 M = Li, Na, K, Cs, NMe4 COOM+ 0(CH2CH2〇hCH3 M = Li. Na, K. Cs, NMe4 cocnr o(ch2ch2o>6ch3 M = U, Na. K, Cs. NMe4 trtf 0(CH2CH2〇bCH3 cocn/r M = U. Na, K Cs, NMe4 tiTji y，^0(CH2CH2〇)6CH3 COO*M+ M = Ut Na, K, Cs( NMe4 0(CH2CH20)3CH3 0(CH2CH2O)7CH3 M = Li, Na, K, Cst NMe4 COOM+ o(ch2ch2o>4ch3 M = Li. Na. Kf Cs. NMe4 cocnvr o(ch2ch2o)7ch3 M = Li( Na. K. Cs, NMe4 tQf ^^^0(CH2CH20)4CH3 C00M+ M = Li, Na, K. Cs. NMe4

tif)J y^O(CH2CH2〇)7CH3 COOM+ M = Li. Na. K, Cs. NMe4 0(CH2CH20)4CH3

M = Li, Na, K, Cs. NMe4 0(CH2CH2O)sCH3 M = Li. Na. K, Cs, NMe4 o<ch2ch2o>sch3 M = Li. Na. K, Cs. NMe4 0(CH2CH2O)7CH3 M = Li, Na, K, Cs, NMe4 M = Li(NatKt Cs, NMe4 M = Li, Na. K, Cs, NMe4 95 323317 201220575 (以式（20)所示之構造單元的例）以式（2 0 )所示之構造單元係從所得到之離孑性聚合物的電子輸送性之觀點，宜為以式（31)所示之構造單元。

ίγ3·(( l2)n2_Y2(M2)a2(Z2)b2}m27 (式（31)中’ R23表示單鍵或（i+m27)價之有機基’ R表示皁鍵或（l+m28)價之有機基，Q2、Q3、γ2、Μ2、Z2、Y3、n2、a2、 b2及n3係表示與前述相同之意義，m27及m28係分別獨立表示1以上之整數，但，R23表示單鍵時，m27表示1 ’ R24 表示單鍵時，m28 表示 1。Q2、Q3、Υ2、Μ2、Ζ2、Υ3、n2、a2、 b2及n3係分別具有複數個時，其等係可為同/亦可為相異。）式（31)中，以R23所示之（i+m27)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第二丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的燒基除去（m27)個氫原子之基；從苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1 個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m27)個氫原子之基；從曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬 323317 96 201220575 氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的烷氧基除去（m27)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（m27)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m27)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從院基除去（m27)個氫原子之基、從芳基除去 (m27)個氫原子之基、從烷氧基除去（m27)個氫原子之基。式（31)中，以R24所示之（i+m28)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的烷基除去（m28)個氫原子之基；從苯基、卜萘基、2-萘基、1 -蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少1 個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m28)個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烧氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的烧氧基除去（m28)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的 323317 97 201220575 胺基除去（m28)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m28)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m28)個氫原子之基、從芳基除去 (m28)個氳原子之基、從烷氧基除去（m28)個氫原子之基。以式（31)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元。

X = F. Cl, Br. I, 8Ph4, CF3SO3. CH3COO

H3C(OH2CH2C)3〇 (〇η2)4 (N(CH3)2CH2CH3>+X-X = F. Cl, Br. I. BPh4. CF3SO3. CH3CO〇

H3C(OH2CH2C)3〇 (c(*2>e <N{CH3)2CH2CH3}*X-

X = F, Cl, Br. I, BPh4, GF3SO3· CH3COO 以式（2 0)所示之構造單元係從所得到之離子性聚合物的耐久性之觀點，宜為以式（32)所示之構造單元。

R26f(Q3)nrY3 (Q2)n2"Y2 (M2)a2(Z2)b2| m29 } (32) m31 m30 m32 (式（32)中，R25表示單鍵或(l+m29)價之有機基，R26表示單鍵或（l+m30)價之有機基，Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、 323317 98 201220575 .b2及n3係表示與前述相同之意義，m29及m3〇係分別獨立表示1以上之整數。但，R25表示單鍵時，m29表示i，R26 表示單鍵時，m30表示1。ιη31及m32係分別獨立表示i以上之整數。m29、m30、R25、ye、、γ2、μ2、ζ2、γ3、 n2、a2、b2及n3係分別具有複數個時，其等係可為同一亦可為相異。）式（32)中，以R25所示之（1+m29)價的有機基，可舉例如從曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少i個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數^至 20的烷基除去（m29)個氫原子之基；從苯基、1 —萘基、2一萘基、卜蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的：少！個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m29)個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基、環己氧基、環壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至5〇的烧氧基除去（m29)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的月女基除去（m29)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的石夕基除去（m29)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m29)個氫原子之基、從芳基除去 99 323317 201220575 -(m29)個氫原子之基、從烷氧基除去（m29)個氫原子之美。式（32)中，以R26所示之（1+m3〇)價的有機基，可舉例如從甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第一丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、使此等之基中的至少丨個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數1至 20的烷基除去（m3〇)個氫原子之基；從苯基、卜萘美、2一萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、使此等之基中的至少i 個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數6至30的芳基除去（m30)個氫原子之基；從甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、壬氧基、十二碳氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧^、環己氧基、％壬氧基、環十二碳氧基、降冰片基氧基、金剛烷氧基、使此等之基中的至少1個氫原子以取代基取代之基等的具有取代基或不具有取代基之碳原子數丨至5〇的烷氧基除去（m30)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的胺基除去（m30)個氫原子之基；從具有含碳原子之取代基的矽基除去（m30)個氫原子之基。從原料單體之合成容易性的觀點，宜為從烷基除去（m30)個氫原子之基、從芳基除去 (m30)個氫原子之基、從烷氧基除去（〇13〇)個氫原子之基。以式（32)所示之構造單元，可舉例以下之構造單元。 323317 100 201220575 *X*{H3CH2C(H3C)2N)

•X*{H3CH2C(H3CKiN}

X+{H3CH2C(H3C)2N} 0(CH2CH20)2CH3 C){CH2CH20)3CH3 X = F, Cl. Br, I. BPh4i CF3SO3, CH3COO X « F, Cl. Br, l_ CF3SO3, CH3COO •X^HaCHzCCHaCJaN^ _X*{H3CH2C<H3CJ2N} *X4iH3CH2C(H3C)2N}

0(CH2CH20)4CH3 X = F, Cl. Br, i, BPhH< CF3SO3, CH3COO

0(CH2CHa〇^CH3 X = P, Cl. Br. I. BPh4, CF3SO3. CHjCOO

0(CH2CHa〇h〇Hb X = F. Cl. Br, I* 8Ph4. CF3SO3. CHjCOO {NiCHahCHaCH^X·

〇(CH2CH2〇)6CHa X = F. Cl. Br# I. BPh4, CF3SO3. CH^COO {NiCHafcCH^HajV

OiCHjCHjOJTCHa X = F, Cl. Br. I. BPh^ CF3SO3. CH3COO {N<CH3)2CH2CH^X-

0(CH2CH20J5CH3 X » F, Cl, ΒΓ, I. BPh4, CFsSOjj. CH3COO {Ν(ΟΗ3)2〇Η2〇Μ3Γχ· 0(CH3CH3〇bCH3 X - F. Cl, Bf. I, BPh4, CF3SO3, CH3COO (NiCHjiaCHaCH^X· 0(CH2CH20)4CHs X = F. Cl. Br. I. BPh4, CF3S〇3. CH3COO {Ν(ΟΗ3)2〇Η2〇Η3}+Χ'

CHCH^CHjOJeCHs CHCH^CHjOJtCHs X = F, Cl, ΒΓ, lf BPh4. CFjSOa, CH3COO X = F. Cl· Br· I, BPtU» CF3S〇a· CH3COO

0(CH2CH2〇)2CH3 (NtCH^CHaCH^ X « F, Cl. Br, I, B?hA, CF3S03. CH3CO〇

OtCHjCHjOJsCHj {N<CHj)2CH2CH3J*X-X = F, Cl. Br, I, BPh4. CRS03, CH3COO 0<CH2CH20)2CH3

0(CH2CH2〇hCH3 {NiCH^HaCH^X-X * F_ Cl，Br.l. BPh4, CFaSOa. CH3COO 0<CH2CH2〇)eCH3 {^(CHafeCHaCHj)^*

X = F, Cl, Bf( I, BPh4P CF3SO3. CH3COO 0(CH2CH2〇)3CH3

0(CH2CHa〇)4CH3 (NiCHafeCHzCH^X·

X = F_ Cl, Br· I· Bf%. CFaSO》CH3COO 0(CH2CH2〇}7〇H3 (N{CH3ijCH2CH3)+X-X = F, Cl, Br, I, BPh4, CF3SOj. CH3COO 0(CH2CH20)4CH3 {N(CH3)2CH2CH3}*X· X = F. Cl. Br. I, BPh<( CF3SO3, CHsCOO 0<CH2CH2〇)5CH3

{NiCH^CHaCHaJ4^ (NiCH^^HjCHa)^* X = F. Cl. Br. I. BPh4. CF3SO3. CH3COO X = F. Cl. Br. I. BPh4. CF3SO3. CH3COO O<CH2CH20feCH3 0(CH2CH2〇hCH3

iN(CH3)2CH2CH3KX. {N(CH3)2CH2CH3}*X- {Ν(〇Η3)2〇Η2〇Η3}*χ· X 3 F. Cl, Bf, I, BPh,,, CF3SO3. CH3COO X = F, Cl, Br，I, BPh小 Cf^SC^ CH3COO X = F. Cl, Br, I. BPhA. CF3S03. CH3COO(其他之構造單元）本實施形態之離子性聚合物係除了以上述之式（13)、 101 323317 201220575 ‘ . （15)、（17)及（20)所示之構造單元外，進一步亦可具有以式（33)所示之1種以上的構造單元。 x)二)—(33) (式（33)中，Ar5係表示具有取代基或不具有取代基之2價的芳香族基、或具有取代基或不具有取代基之2價的芳香族胺殘基，X’係表示具有取代基或不具有取代基之亞胺基、具有取代基或不具有取代基之伸矽基、具有取代基或不具有取代基之伸乙烯基或伸乙炔基，m33及m34分別獨立表示0或1，m33或m34之至少一個為1。）以式（33)中之Ar5所示的2價之芳香族基，可舉例如2 價的芳香族烴基、2價之芳香族雜環基。2價之芳香族基可舉例如從苯環、吡啶環、1，2-二嗪環、1，3-二嗪環、1，4-二嗪環、1，3, 5-三嗓環、咬喃環、D比洛環、嗟吩環、°比〇坐環、味β坐環、°惡°坐環、σ惡二唆環、氮雜二唾環等之單環式芳香環除去2個氫原子之2價的基；從由單環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之縮合的縮合多環式芳香環除去2個氫原子之2價的基；使由單環式芳香環及縮合多環式芳香環所構成之群中選出的二個以上之芳香環從以單鍵、伸乙烯基或伸乙炔基連接而成之芳香環的集合體除去 2個氫原子之2價的基；從具有使縮合多環式芳香環或芳香環集合相鄰之2個芳香環以亞曱基、伸乙基、羰基、亞胺基等之2價的基架橋的交聯之有橋多環式芳香環除去2 個氫原子之2價的基等。 102 323317 201220575 在縮合多環式若岙目，從離子性聚合物之溶縮合之單環式芳香環的數為2至3,最宜為2。在 m的觀點’宜為2至4，更宜環的數目，從溶解性的^點^^合射，所連結之芳香最宜為2。在有橋多環式二：2至4,更宜為2至3’ 目，從離子性聚合物之中，經交聯之芳香環的數為2至3,最宜為2。的觀點，宜為2至4,更宜

縮合多環式芳香環可舉例以下之環 323317 103 201220575

69 IQ 21 72 73

芳香環的集合體可舉例如以下之環。

85 86 87 88 〇~=_^〇 Ο = Ο 0~νΌ 89 90 SI 有橋多環式芳香環可舉例如以下之環。 104 323317 201220575 ο

從離子性聚合物之電子接受性及電洞接受性的任一者或兩者之觀點，以Ar5所示之2價的芳香族基宜為從以式 45 至 50、61 至 71、77 至 80、91、92、93 或 96 所示之環除去2個氫原子之2價的基，更宜為從以式45至50、59、 60、77、80、91、92或96所示之環除去2個氫原子之2 價的基。上述2價之芳香族基係亦可具有取代基。該取代基係可舉例與在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。以式（33)中之Ar5所示的2價之芳香族胺殘基，可舉例以式（34)所示之基。 105 323317 201220575

、—- m35 Ar12 (式（34)中，Ar6、Ar7、Ar8及Ar9係分別獨立表示具有取代基或不具有取代基之㈣基、或具有取代基或*具有取代基之2價的雜環基，Ar1()、Arii及A〆2係分別獨立表示具有取代基或不具有取代基之芳基、或具有取代基或不具有取代基之1價的雜環基，nl0及m35分別獨立表示〇或丨。）伸芳基、芳基、2價之雜環基、丨價之雜環基亦可具有之取代基，係可舉例如齒素原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基'芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、烯基、炔基、芳基烯基、芳基炔基、醯基、醯基氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、取代矽基胺基、氰基、硝基、1價之雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、烷基氧羰基、芳基氧羰基、芳基烷基氧羰基、雜^ 基氧羰基及羧基等。取代基係亦可為含有乙烯基、乙炔基、丁烯基、丙烯酸基、丙烯酸酯基、丙烯醯胺基、曱基丙烯酸基、曱基丙烯酸酯基、曱基丙烯醯胺基、乙烯基醚基、乙烯基胺基、矽烷醇基、小員環（環丙基、環丁基、環氧基、氧雜環丁烷基、二乙烯酮基、環硫基等）之基、内酯基、内 323317 106 201220575 ?io ^矽氧烷衍生物之構造的基等之交聯基。直接鍵時’紅6中之制子及Ar8中之彻子可分別 =接，建'·，。於氮原子，亦可介由_。…"之.2價的基而鍵同樣之基。說月所例示之芳基、1價的雜環基族烴^^、^、^、^卿之^基係可舉例如從芳香族k除去2個鍵結於構成㈣環原子團。可舉例如具有苯環之基、具^子的虱原子之殘留之苯環或縮合環2個以上介由單❸、有縮合環之基、獨立伸乙烯基等之伸稀基）而鍵結的基鍵或2價之有機基（例如，伸芳基宜碳原子數為6至6〇，更〜之具體例可舉例如伸苯基、伸絲A 1為7至48。伸芳基基、。至C痛笨基、卜伸蔡基:;=，氧基伸苯 2-伸慧基、9-伸蕙基等。芳基中之^料基、卜料基、取代。該氟原子取代芳基係可舉例如四氟原子所芳基之中，宜為伸苯基、伸聯笨義、土專。_ 苯基、&至基伸笨基。 a 1 12烧氧基伸以Ar6、Ar7、Ar8、Ar9所示之2價之化合物除去2個氮原子之殘留原子團，此物謂具有環式構造之有機化合物中，^ -衣式化口言’不僅碳原子’亦包含氧原子、⑪就構成％之疋素而子、硼原子、矽原子、硒原子、碲屌：子氮原子、磷原崎原子、石申原子等之雜原 323317 107 201220575 子的有機化合物。2價之雜環基係亦可具有取代基。2價之雜環基係宜碳原子數為4至60,更宜為4至20。又，於2 價之雜環基的碳原子數中係形成不含有取代基之碳原子數者。如此之2價的雜環基可舉例如噻吩二基、匕至C12烷基 0塞吩二基、°比p各二基、吱喃二基、β比°定二基、Cl至Cl2炫基吡啶二基、噠嗪二基、嘧啶二基、吡噃二基、三嗓二基、 0比洛唆二基、六氫°比咬二基、啥淋二基、異喧淋二基。其中，宜為噻吩二基、匕至C12烷基噻吩二基、吡啶二基及C! 至Cl2烧基吡β定二基。含有2價之芳香族胺殘基作為構造單元的離子性聚合物，進一步亦可具有其他之構造單元。其他之構造單元係可舉例伸苯基、»二基等之伸芳基等。又，此等之離子性聚合物中宜為含有交聯基者。以式（34)所示的2價之芳香族胺殘基係可例示從以式 101至110所示的芳香族胺除去2個氫原子的基。 108 323317 201220575

以式101 S 110所示的芳香族胺係在可生成2 = 香族胺：基的範圍内可具有取代基。此取代基係可二二在有關前述之Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基了取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異广。式（33)中，X’係表示具有取代基或不具有取代基之亞胺基、具有取代基或不具有取代基之伸矽基、具有取代基或不具有取代基之伸乙烯基或伸乙炔基。亞胺基、矽基、伸乙烯基可具有之取代基係可舉例如曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3, 7-二曱基辛基、月桂基等之磙原子數1至2〇的烷基；苯基、 1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等之碳原子數 6至30的芳基等。取代基存在複數個時，其等係可為同一’ 109 323317 201220575 - 亦可為相異。離子性聚合物對空氣、濕氣或熱之安定性的觀點，X’ 宜為亞胺基、伸乙烯基、伸乙炔基。從離子性聚合物之電子接受性、電洞接受性之觀點，宜 m33 為 1，m34 為 0。就以式（33)所示之構造單元而言，從離子性聚合物之電子接受性之觀點，宜為以式（35)所示之構造單元。 -(-Ar13)—— (35) (式（35)中，Ar13係表示具有取代基或不具有取代基之啦啶二基、具有取代基或不具有取代基之°比嗪二基、具有取代基或不具有取代基之嘧啶二基、具有取代基或不具有取代基之噠嗪二基或具有取代基或不具有取代基之三嗪二基。）吡啶二基可具有之取代基，係可舉例與在有關前述之 Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。 °比嗪二基可具有之取代基，係可舉例與在有關前述之 Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。嘧啶二基可具有之取代基，係可舉例與在有關前述之 Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦可為相異。噠嗪二基可具有之取代基，係可舉例與在有關前述之 Q1的說明中所例示的取代基同樣之取代基。取代基存在複 110 323317 201220575 數個時，其等係可為同一，亦灯為相異。三嗪二基可具有之取代基，係可舉例與在有關前述之 Q1的說明中所例示的取代基同椽之取代基。取代基存在複數個時，其等係可為同一，亦町為相異。 (構造單元之比率）於本實施形態之離子性聚舍物所含有的以式（13)所示之構造單元、以式（15)所示之構造單元、以式（17)所示之構造單元、以式（20)所示之構造單元的合計之比率，從有機EL元件之發光效率的觀點，更宜為除去末端之構造單元的離子性聚合物所含有的全構造單元中為30至1〇〇莫耳％。 (末端之構造單元）本實施形態之離子性聚合物的末端之構造單元（末端基），係可舉例氫原子、曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、月桂基、甲氧基、乙氡基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7—二曱基辛氧基、月桂氧基、甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、戊硫基、己硫基、衣己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸琉基、月桂硫灵、甲氣基本基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、異丙氧基苯美、丁氧基苯基、異丁氡基苯基、第二丁氧基笨基、第三丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、環己氧基苯基、庚氧 323317 111 201220575 基本基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氡基笨美癸氧基笨基、3, 7-二甲基辛氧基苯基、月桂氧基^基:甲基苯基、乙基苯基、二曱基苯基、丙基苯基、三曱苯基、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基笨基、異丁基笨基、第二丁基本基、戊基苯基、異戍基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基笨基、壬基苯基、癸基苯基、十二碳基苯基、曱基胺基、二曱基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、丙基胺基、一丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、丁基胺基、異丁基胺基、第二丁基胺基、第三丁基胺基、戊基胺基、己基胺基、環己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、2-乙基己基胺基、壬基胺基、癸基胺基、3, 7-二曱基辛基胺基、月桂基胺基、環戊基胺基、二環戊基胺基、環己基胺基、二環己基胺基、二（三氟曱基）胺基、笨基胺基、二笨基胺基、 ((^至U烷氧基苯基）胺基、二（〇至C12烷氧基苯基）胺基、二（匕至（：12烷基苯基）胺基、1-萘基胺基、2-萘基胺基、五氣本基胺基、吼咬基胺基、健唤基胺基、Ό密咬基胺基、0比唤基胺基、三嗪基胺基、（苯基-(^至C12烷基）胺基、（匕至 L烷氧基苯基-(^至C12烷基）胺基、（匕至（：12烷基苯基至Clz烷基）胺基、二（匕至c12烷氧基苯基-(^至h烷基）胺基、二（C!至C12烷基笨基至C12烷基）胺基、卜萘基-Cl 至烷基胺基、2-萘基-〇至（：12烷基胺基、三甲基矽基、二乙基石夕基、三丙基梦基、三異丙基梦基、異丙基二曱基矽基、異丙基二乙基矽基、第三丁基二曱基矽基、戊基二甲基矽基、己基二曱基矽基、庚基二曱基矽基、辛基二甲 112 323317 201220575 基矽基、2-乙基己基二曱基矽基、壬基二曱基矽基、癸基二曱基矽基、3’7-二甲基辛基二甲基矽基、月桂基二曱基矽基、（苯基-Ci至Ci2烷基）矽基、（Ci至。烷氧基苯基_Ci 至C1Z烷基）矽基、（〇至C!2烷基苯基_Cl至Cl2烷基）矽基、 (1-萘基-(^至Ck烷基）矽基、（2-萘基_Cl至Ci2烷基）矽基、 (苯基-Ci至Cl2烷基）二曱基矽基、三苯基矽基、三（對—二甲笨基）矽基、三苯曱基矽基、二苯基曱基矽基、第三丁基二笨基矽基、二曱基苯基矽基、噻吩基、Ci至Ci2烷基噻吩基、D比咯基、呋喃基、吡咬基、G至Cl2院基°比啶基、噠°秦基、嘧啶基、批嗪基、三嗪基、吡咯啶基、六氫吼啶基、喹啉基、異喹啉基、羥基、氫硫基、氟原子、氣原子、溴原子、及換原子等。存在複數個末端的構造單元時，可分別為同一，亦可相異。 ''離子性聚合物之特性一本實施形態之離子性聚合物宜為共輥化合物。離子性聚合物為共軛化合物，意指包含此離子性聚合物於主鏈中多鍵（例如雙鍵、三鍵）或氮原子、氧原子等具有之非共價電子對挾住一個單鍵而相連之區域。離子性聚合物為共軛化合物時’從共軛化合物之電子輸送性的觀點，宜為{(多鍵或氣原子、氧原子等具有之非共價電子對挾住一個單鍵 2相連之區域所含有之主鏈上的原子之數目）/(主鏈上之全原子的數目）} xlOO%所計算的值（比）為50%以上，更宜為6〇%以上’最宜為70%以上，尤宜為80%以上，最尤宜為〇0%以上。 113 323317 201220575 本實施形態之離子性聚合物宜為高分子化合物，更宜為共軛高分子化合物。此處，高分子化合物謂聚苯乙烯換算之數目平均分子量為lxio3以上的化合物。又，若離子性聚合物為共軛高分子化合物意指此離子性聚合物為共軛化合物且為高分子化合物。從本實施形態之離子性聚合物的塗佈所得到之成膜性觀點，離子性聚合物之聚苯乙烯換算的數目平均分子量宜為lxio3至lxio8，更宜為2xl03至lxio7，最宜為3xl03至 lxlO7，尤宜為5xl03至lxlO7。又，從離子性聚合物之純度的觀點，聚苯乙烯換算的重量平均分子量宜為lxlO3至5x 107，更宜為lxlO3至lxlO7，最宜為lxlO3至5xl06。又，從離子性聚合物之溶解性的觀點，聚苯乙烯換算的數目平均分子量宜為lxlO3至5xl05，更宜為lxlO3至5xl04，最宜為 lxlO3至3xl03。離子性聚合物之聚苯乙烯換算的數目平均分子量及重量平均分子量係使用例如凝膠滲透色層分析 (GPC)而求取。從本實施形態之離子性聚合物的純度之觀點，除去末端構造單元之離子性聚合物中所含有之全構造單元的數目 (亦即，聚合度）宜為1以上20以下，更宜為1以上10以下，最宜為1以上5以下。從本實施形態之離子性聚合物的電子接受性、電洞接受性之觀點，離子性聚合物之最低非占有分子執道（LUM0) 的執道能量宜為-5.0eV以上-2.0eV以下，更宜為-4.5eV 以上-2. OeV以下。又，從同樣的觀點，離子性聚合物之最 114 323317 201220575 • 高占有分子軌道的軌道能量宜為-6. 〇eV以上0eV 以下，更宜為-5.5eV以上-3.〇ey以下。但，homo之軌道能量低於LUM0之執道能量。離子性聚合物之最高占有分子轨道（H〇M〇)的軌道能量係測定離子性聚合物之離子化位能，以所得到之離孑化位能作為執道能量來求取。另外，離子性聚合物之最低祚占有分子軌道（LUM0)的軌道能量係求出H〇M〇與LUM〇之能量差，以其值與在前述所測定之離子化位能之和作為軌道能量來求取。離子化位能之測定係使用光電子分光裝置。又， HOMO與LUM0之能量差係使用紫外、可見、近紅外分光光度計而測定離子性聚合物的吸收光譜，從其吸收末端求出。從本實施形態之離子性聚合物所構成的聚合物係於電 %發光疋件所使用時，宜實質上為非發光性。此處，所謂某聚合物實質上為非發光性，係如以下之意義。首先，製作具有含某聚合物之層的電場發光元件A。另外，製作不具有合聚合物之層的電場發光元件2。電場發光元件A係具有含聚合物之層，但電場發光元件2只在不具有含聚合物之層的點上，電場發光元件A即與電場發光元件2相異。其-人’對電场發光元件A及電場發光元件2施加1〇v之順方向電壓而測定發光光譜。於電場發光元件2於所得到之發光光譜中求出得到最大譜峯的波長又。以在波長λ之發光強度為1，使對於電場發光元件2所得到之發光光譜規格化，對波長積分而計算規格化發光量S。。另外，以在波長入之發光強度為1，使對於電場發光元件Α所得到之發 115 323317 201220575 光光譜亦規格化，對波長積分而計鼻規格化發光量s。 (S-S〇)/S〇xlOO%所計算的值為30%以下時，亦即，相較於不具有含聚合物之層的電場發光元件2之規格化發光量，具有含聚合物之層的電場發光元件A之規格化發光量之増加分為30%以下時，所使用之聚合物係形成實質上為非發光性者。本實施形態之聚合物以（S-S〇)/S〇xl〇〇所計算的值宜為15%以下，更宜為10%以下。含有以式（1)所示之基及以式（3)所示之基的離子性聚合物係可舉例如：只由以式（23)所示之基所構成的離子性聚合物、從以式（23)所示之基及以式45至50、59、、 Π、80、91、92、96、101至11〇所示之基除去2個氫原子的基所構成之群巾選出的丨種以上之基所構成之離子性聚合物、只由以式⑽所示之基所構成的離子性聚合物、從以式（24)所示之基及以式45至5〇、59、6〇、77 ^，、則㈣所示之基除去“固氫原子的基所構成之群中選出的i種社之基所構成之 :由示之基所構成的離子性聚合物二所不之基及以式45至50、59、60、77 飞^5) 1〇1至110所示之基除去2個氫原子的基成2雜96、出的1種以上之基所構成之離子性聚合；、口 =9選所示之基所構成的離子性聚合，、由Μ式⑽ 以式《至5〇，、6。'77、8。：9=示之基及所示之基除去2個氫原子的基所構 6、101至110 上之基所構成之離子性聚合物、群中選出的1種以〇由以式（30)所示之基所 323317 116 201220575 構成的離子性聚合物、從以式（30)所示之基及以式45至 50、59、60、77、80、91、92、96、101 至 110 所示之基除去2個氫原子的基所構成之群中選出的1種以上之基所構成之離子性聚合物。含有以式（1)所示之基及以式（3)所示之基的離子性聚合物係可舉例如以下之高分子化合物。此等之中，2種之構造單元為以斜線「/」區隔之式所示的高分子化合物中，係左側之構造單元的比率為p莫耳％、右側之構造單元的比率為（100-p)莫耳％，此等之構造單元呈隨機排列。又，以下之式中，η表示聚合度。 117 323317 201220575

HaCiOHjCHjCJjO Μ

'η οοσΜ+ O(CH2CH2〇>3CHs Li,Na. K.Cs +M'OOC H^COHjjCHjQy

QM+ ；CH2CH20),CHj M=L»,Na, KCs Η3α〇Η2〇Η2〇3<

οοσΜ4* (CHjCHjO^CHj Μ = ϋ. N3，K. Cs (p: ίΟΟ-p mol%)

Vooc

!-〇f: -00O1y|+ HJC(OHjCHilQ,〇，〇{CH2CHjO)3CHj ^ = U.Na.K,Cs (p： 700-p mol%)

^μοοο^-λ fyCOOM*

HjqOHaCHzC)»^ LI N3, K, Cs (p: fOO-pmol%)

Vooc HjCtOHjCHaC^

(CH2CH2〇}3CH3 M*U. Na. K,Cs

VoocvV V-yoo〇-M+

HjCpHjCHjC^or^ 0(CH2CH20)jCHj M=|j1Na, K, Cs ♦ΜΌΟΟγ^Λ^ HjQOHzCHzQaCJ^ > rCOOM+ y^oocTM 十 0(ΟΗ2〇120)3〇Ηι HjQOI^mjCJjCr^ '〇(CH2CH20)3CHj M = Li? Na.K Cs M = Li, Na, K Cs (p; TOO- pmoi%) 118 323317 201220575

♦MOOCO^Y^ycOOrivr* H3C(〇H2CH2Q3C^ M = U，Na，K〇s (p： tOO-pmol%)

*Ό〇σΜ^

Hsq〇H2CH2〇)3〇 ^ ^notCH^O^O^Cit M= U Ma, K. Cs (p;f00-pmoi%) +MOOC、 Η30(〇Η2〇Η20}3〇, ' ^ '0(CH,CH20)5CH5 M = U,Na(K,C8

Vooc M

^OOO-M^ >(CH2CH?0}aCHj *UtNaK,C^

(p: ^00-p mol%)

(p: too-pmoi%)

(p:100-pvnd%)

119 323317 201220575

(p: ΙΟΟ-pmoi%)

(p: TOO-p mol%)

(p: fOO-p mol%)

(p; fOO-pmol%)

+M*OCC· Η30(ΟΗ2〇Η2〇3〇,

00〇·Μ+ O(CH2CH3〇)sCH3

令 MOOC、 HiOpHzCHiC^C

)(CH2CH2〇)3C^ M = UfNa,KiCs (p: tOO-p mol%) M = Li. Na, K Cs *M-〇OC· HfeC(OH2CHaC)3d

qCHaCHjOJaOU LI. Na，K，Cs (p: iOO-pmol%) *M-〇OCv--/ v-'yCOOM^ yj 1\入 CeH'ia HaqOHzCHaQscT OiCHiCKphC^ M = UNa,K，Cs

0Q 〇eHu 120 323317 201220575

(p: 100-pmc(%)

(p： 100-pm<A%) 121 323317 201220575 十 μό3: H3q〇H2CH2C)30,

M = U.Na.K. C5 Μ* CH2CH20)3CH3

HjqOHjCHjQjCT^ 10(CH2CH2O)3CHj M=Li,Na,K, Cs +M-〇3! H3q〇H2CH2Q,(

M=Li.Na.K. Cs {p:100-pmo\%} /-Ot [CHjCHp)^

3*M* H^CiOHiCH^Cr^ ^(CH^CH^CHa M = U,NaKtCs (p: r〇〇-p mot%)

+M-〇3SV^ WSOi'M^ HaQOHjCHjCJsCr'" ^ tXCHjCH20)jCHj M = U.Na.KCe ip: 100-pmdi%)

H3C(〇HiCH2Q30 DiCHaCHaQjCH M = U.NaK.Cs

+wo3sys Yyso^M4 HjCpHjCHjQ^CT^ ^"nCXCHjCHjO^CHj M = L(,Na,KfCs (p: 100-p mot%) *MO； H^CCOHjCHaQ^

(CH2CH20)3CH3 M = U,Nal K,Cs

122 323317 201220575

(p:100-pwoM)

(p: fOO-pmoi%)

(p; lOO^pmd%)

123 323317 201220575

(p: tOO-pmd%)

φ: iOO-pmol%)

(p: fOO-pax)l%)

(p： f(»-pmol%)

(p: fOO-p mol%)

(p: iOO-pmol%) M = Li, Na.K.Cs 124 323317 201220575

H3C(OH2CH2〇3〇 0(CH2CH2p)sCH3 M = LlNa.K.Os ψ: iOO-prod%>

(P： 100-pmdi%) (式中’P表示15至100之數目）含有以式（2)所示之基及以式（3)所示之基的離子 =射舉例如：只由以式⑽㈣之基所構柄離子^ ♦ σ匆、從以式（26)所示之基及以式45至50、μ _ 77 、 sn ⑽ ' 6〇、 U、91、92、96、101至110所示之基除去2 的基所構成之群中選出的丨種以上之基所構乳、聚合物、只由以式（27)所示之基所構成的離子性聚人 323317 125 201220575 從以式（27)所示之基及以式45至50、59、60、77、80、 91、92、96、101至110所示之基除去2個氫原子的基所構成之群中選出的1種以上之基所構成之離子性聚合物、只由以式（28)所示之基所構成的離子性聚合物、從以式（28) 所示之基及以式 45 至 50、59、60、77、80、91、92、96、 101至110所示之基除去2個氫原子的基所構成之群中選出的1種以上之基所構成之離子性聚合物、只由以式（31) 所示之基所構成的離子性聚合物、從以式（31)所示之基及以式 45 至 50、59、60、77、80、91、92、96、101 至 110 所示之基除去2個氫原子的基所構成之群中選出的1種以上之基所構成之離子性聚合物、只由以式（32)所示之基所構成的離子性聚合物、從以式（32)所示之基及以式45至 50、59、60、77、80、91、92、96、101 至 110 所示之基除去2個氳原子的基所構成之群中選出的1種以上之基所構成之離子性聚合物。含有以式（2)所示之基及以式（3)所示之基的離子性聚合物係可舉例如以下之高分子化合物。此等之中，2種之構造單元為以斜線「/」區隔之式所示的高分子化合物中，係左侧之構造單元的比率為p莫耳％、右側之構造單元的比率為（100-P)莫耳％，此等之構造單元呈隨機排列。又，以下之式中，η表示聚合度。 126 323317 201220575 -X*{H3CH2C(H3C)2N] H3C(〇H2CH2C)3i

•{N(CH3)2CH2CH3}+X· O(CH2CHaO)3CH3 X*{H3CH2C{H3C)2N) H3C(〇H2CH2C)3<

:N《CH3)2CH2CH3}*X· (CHjCHjOhCHa

X = F. Cl. Or. I. BPh4, Cr3S〇3, CH3COO

X = F. Cl. Brt I. BPh4i CF3SO3. CH3COO Χ^Η3〇Η2〇(Η3〇2Ν] H3C(OH2CH2C)3(

CH2CH20)3CH3 •X+{H3CH2C(H3C)2N H3C(OH2CH2C)3〇r

(CH3)2CH2CH3pC (CH2CH2〇)3CH3 X = F. Cl. Br. I. BPh4, CF3SO3, CH3CCX) (p ： ίΟΟ-p mol%)

X * F. Cl. Br，l· BPh4, CF3SO3. CHjCOO

-X+{H3CH2C(H3C)2N卜Π H3C(OH2CH2C)3〇r^ ID(CH2CH2〇bCH3 X = F. Cl. Br. I. BPh4, CF3S03i CH3COO (p: 100-p mol%) X，H3CH2C(H3C)2NV H3C(〇H2CH2C)3〇,

NtCHahCHjCHaJ^X· ；CH2CH2〇)3CH3

X = F. Cl. Br. I, BPh4· CFjSOj CH3COO

X+{H3CH2C(H3C)2NW^< rY^NtCHa^CHzCH^X· ^0(ΟΗ2〇Η2〇)3〇Η3 X = F, Cl Br, lr BPh4, CF3S03, CH3COO (p: 100-p mol%) X*{H3CH2C(H3C)2l H3C(OH2CH2C)3<

N(CH3feCH2CH3}*X_ ：CH2CH2〇)3CH3

X = F, Cl. Bf. I, BPh4, CF3SO3. CH3COO

'Χ+{Η3〇Η20<Η30)2Ν)-γν< rV-{N(CH3)2CH2CH3}*X* HaqOHgCHaChc/'^ >^0{CH2CH2〇)3CH3 X = F. Cl· Br, I，BPh4, CF3S03. CH3COO (p: TOO -p mol%) •X+{H3CH2C{H3C)aN}· H3C(OH2CH2Cb〇'

{N(CH3)2CH2CH3>+X_ (CH2CH20)3CH3

X = F. CL Br. I, BPh4l CF3S03, CH3COO -X"{H3CH2C(H3C)2N}- H3C(OH2CH2〇)3i

，(CH3>2CH2CH3}+X- (CH2CH2〇)3CH3 •X+{H3CH2C(H3C)2N} H3C(OH2CH2C)30,

{N(CH3)2CH2CH3}*X- (CH2〇H20)3CH3 X = F, Cl. Br, I, BPh4, CF3S〇3, CH3COO (p: 700-pmol°/〇)

X = F, Cl. Br( I, BPh4, CF3S03l CH3COO 127 323317 201220575 X^HaCHaCiHaChN) Η3〇(ΟΗ2ΟΗ2〇)3<

{N(CH3)2CH2CH3>*X· -^{HjCHzCtHjCfcNW^ 〇(CH2CH2〇)3CH3 Η3<：(ΟΚΐ2〇Η2€：)3ΰ^·^ X = F. Cl. Br, I, BPh4. CF3SO3, CH3COO . (p: 100. p m〇|%)

nO^hC^CH^X' CHaCHpjjCHa X = F. a Br· I. BPh4· CF3S〇3· CH3COO

X{H3CH2C(H3C)2N}^/^ Vv^N^Ha^CHjCH^'X* *Χ+{Η3〇Η2〇(Η3〇2Ν] H3C(OH2CHaC)3Ci^ 0{CH2CH20)3CH3 V^CiWjC^zOh1 X= F. Cl. Br. I. BP^, CF3S03( CH3COO (P： i〇0-pmol%)

[N(CH3)2CH2CH3}+X· i(CH2CH20)3CH3 X * F· Cl. Br, I, BPh4· CF3S〇3. CH3COO

·χ*{Η30Η20(Η30)2Ν}-γ^ rV-(N(CH3)2CH2CH3}+X· H3C(OH2CH2C)3Cr^ ^OfCHzCHzOb^ X = F. Cl. Br, I. BPh4. CF3SO3. CH3COO (p: ίΟΟ-ρ mol%)

Χ*{Η3〇Η2〇(Η3〇2Ι HjCiOHzCHaCW

N(CH3)2CH2CH3}+X· i(CH2CH20)3CH3 〇〇}

X = F. a. Br, I. BPh4l CF3S〇3, CH3COO

X+{H3CH2C(H3C)2M}

NJCHaJaCHjCHJ^X* (CH2CH2〇hCH3

-X^fHsCH^HaOaNhY^ yX^N(CH3)2CH2CHi*X· HaCfOHjC^CJjjO^^ ^OlCH2CH20)jCH^ X = F, Cl. Qrt I, BPh4l CF3SO3, CH3COO (p : 100-prmol%)

•X+{H3CH2C(H3C)2N}'YW pyiN(CH3)2CH2CH3)*X· h3c(oh2ch2c)3c/^ ^d(ch2ch2o)3ch3 X = F, a. Br, I, BPh4. CF3S〇3. CH3COO (p: ϊΟΟ-pmol%)

X -= F. CL Br. I. BPh4. CF3SO3, CH3COO

tXO- -Χ+{Η3〇Η2〇(Η3〇)2Ν}-γ^^*^γ^Ν(〇Η3)2〇Η2〇Η3}*χ- H3C(OH2CH2C)3Cr^ ^"〇(CH2CH20)3CH3 H3C(0H2CH2C)30^ X = F, Cl. Br, I, BPhAl CF3S03. Chl3COO {p :100- pm〇l%)

{NiCH^CHaCHapC ►(CH2CH20>3CH3 X = F, a. Br. I. BPh4> CF3S03, CH3COO 128 323317 201220575 ，x^h3ch2c(h3c)2n: H3C(0H2CH2C)30,

[y{N(CH3)2CH2CH3rx. '^OiCH2CH2〇hC^ X = F, Cl- Br, I, BPh4, CF3SO3. CH3COO (p : /00 - p mol%) •X*{H3CH2C(H3C)2N^Y^ H3C(〇H2CH2C)3CJ^

HN(CH3)2CH2CHf b(CHzCH20)3CH3 X = F. Cl. Br, I. BPh4. CF3SO3. CH3C〇〇

_X+{H3CH2C(H3C)2N} H3C(OH2CH2C)3CT

{N(CH3)2CH2CH3}*X' 'o(ch2ch2o)3ch3 Χ+(Η3〇Η2〇(Η30)2Ν}· H3C(OH2CH2C)3〇r

:N(CH3)2CH2CH3}*X· ；CH2CH20)3CH3 •-S、 X = F, Cl. Brf l, BPh4l CF3SO3, CH3COO (p ： ίΟΟ-p moi%)

X = F, Cl. Βγ，I, BPh4· CF3S〇a, CH3COO

(p： fOO-p mol%) X*(H3CH2C(H3C)2N} H3C(OH2CH2C)3<

N(CH3)2CH2CH3)*X- i(CH2CH2〇)3CH3

X = F, Cl. Br. I, BPh4, CF3SO3. CH3COO 3ChN}-W〇-{N(CH3)aCH2CH3}*X- χ •X+{H3CH2C<H3C)2N 卜 H3C(OH2CH2C)3G>^ Ϊ)(ΟΗ2〇Η2〇)3〇Η3 X = F. a. Br. I. BPh4. CF3SO3. CH3COO (p: 100 - p mol%) X*{H3CH2C(H3C>2N) H3C(OH2CH2C)3〇'

(CHACHjCHaTX- CH2CH2〇)3CH3

X = F. a Bf. I. BPhd. 0F3S〇3. CH3COO

T：5H17 •XlHaCHzCiHaCfeNh^ ^y^N<CH3hCH2CH3T)C X*{H3CH2C(H3C)2NhY^ ^y^N(CH3)2CH2CH3}+X· H3C(OH2CH2C)3a ^ 0(CH2CH2〇)3CH3 H3C(OH2CH2C)3〇"^ (D(CH2CH2〇)3CH3

X = F· a Br,l. BPh4· CF3S〇3. CH3COO X = F, Cl. Br. I, BPh4l CF3SO3, CH3COO (p: 100 - p rr\〇\%)

CaHu ^βΗ17 <N(CH3)2C：H2CH3}+X· O(CH2CH2〇)3CH3 Χ*{Η3〇Η2〇(Η3〇2Ν}

C6Hr 、<N(CH3)2CH2CH3}+X- 0(ΟΗ2〇Η20)3〇Η3 •X*{H3CH2C(H3C)2N}. H3C(OH2CH2C)3« X = F, Cl. Br. I. BPh4. CFjSC^, CH3CCX> (p : f (W - p mol%) H3C(〇H2CH2C)3(

X = F. Cl. Sr, I, BPh4. CF3S03> CH3COO 129 323317 201220575 X+{H3CH2C(H3CJaNJ* H3C(OH2CH2C>3C5

{Ν(〇Η3Ϊ2〇Η2〇Η3Γχ·

(CH2CHa〇)3CH3

Χ*{Η3ΟΗ2〇(Η3〇2Ν}-*^ ^ x{N(CH3)2CH2CH3rX* HaCiOHzCHaCfeO 0(CH2CH2〇)3CH3 X = F_ Cl. Br, I. BPh CF3S03. CH3COO X = F, Cl. Br, I. BPh4, CF3SO3. CH3COO (p： 100-pmo\%)

.(N(CH3hCH2CH3rx. 0iCH2CH20)3CH3

•X*{H3CH2C(H3C)2N}-H3C(OH2CH2C)30 X = Γ. a. Br. I. BPh4. CFaSOs. CH3COO (p: 100 ~ p mo\%)

•X*{H3CH2C<H3C)2N}-^ ^-{NtCHACHaCHaJ+X· ^3(CH2CH20)3CH3 X = F. Cl. Br. I, BPh4l CF3SO3, CH3COO

-<N(CH3)2CH2CH3>，X. H3C(〇H2〇H2C)3〇’， t)(CH2CH2〇)3CH3 X = F. Cl. Br. I BPh4l CF3SO3. CH3COO *XWH^H3ChN)-W χ^ΟΗ^^ΟζΝ： Η30(〇Η2〇Η2〇)3〇Λ^ 0(CHaCH2〇)3CH3 X = F. Cl. Bf. I. BPiU. CF3SO3. CH3COO (p； fOO-p mol%)

x°t ·χ+{Η3α :N(CH3)2CH2CH3}+X_

•X+{H3CH2C(H3C)iiN}· H3q〇H2CH2C)3〇^ C3(CH2CH20)3CH3 X = F. Cl. Br, I, BPh4, CF3S03l CH3COO (p: W-pmoi%) W2C(H3ChN)· H3C(OH2CH2C)3〇,

；N(CH3)2CH2I O(CH2CH2〇hCH3

X = F, CJ. Br, I, BPh4l CF3SO3, CH3COO

(式中’p表示15至100之數目） _離子性聚合物之製造方法— 其次’說明有關製造本實施形態的離子性聚合物之方法0 用以製造離子性聚合物之適當方法，可舉例含有以式 (36)所示之化合物作為必要的原料，再縮合聚合之方法。其中’就以式36所示之化合物而言，宜使用_^_為以式〇3) 130 323317 201220575 所不之構造單元的化合物、-Aa-為以式（15)所示之構造單 70的化合物、、Aa~為以式（17)所示之構造單元的化合物、及-Aa-為以式（2〇)所示之構造單元的化合物之至少一種。丫4-〜-丫5 (36) ('(36)中’ Aa表示含有由以.式（1)所示之基及以式（2)所不之基所構成之群中選出的1種以上之基、與以式（3)所示之 1種以上的基之重複單元，Y4及Y5係分別獨立表示參與縮合聚合之基）又’於本實施形態之離子性聚合物中，含有以式（36) 中之-Aa-所示的構造單元，以及-Aa-以外之其他的構造單元時’使用具有成為_Aa-以外之其他的構造單元之參與2個縮合聚合之取代基的化合物，再與以式（36)所示之化合物一起共存而縮合聚合即可。就具有用以含有如此之其他的構造單元所使用之2個可縮合聚合的取代基之化合物而言，可例示以式（37).所示之化合物。如此做法，除了以式（36)所示之化合物（Y4-Aa-Y5 所示之化合物），尚可使以式（37)所示之化合物縮合聚合，製造進—步具有以-Ab_所示之構造單元的離子性聚合物。 Υ6~ΊΥ7 (3 7) (一式（37)中，^表示以式（33)所示之構造單元或以式⑶) 不之構造單元，γ6及γ7係分別獨立表示參與縮合聚合之$ 二：如此之縮合聚合的基"、…‘例氫素原子、烧基磺酸酯基、芳基續酸酷其磺酸酯其万丞声、文®曰基、芳基烷夂酉曰基、蝴酸酉旨殘基、銃甲基、鱗甲基、鱗酸醋甲基 323317 131 201220575 單鹵化甲基、-b(oh)2、甲醯基、氰基、乙烯基等。可選擇作為參與如此之縮合聚合的基之鹵原子，可舉例氟原子、氯原子、漠原子及蛾原子。又，可選擇作為參與縮合聚合之基的烷基磺酸酯基，可例示曱烷磺酸酯基、乙烷磺酸酯基、三氟曱烷磺酸酯基，芳基磺酸酯基可例示苯磺酸酯基、對曱苯磺酸酯基。可選擇作為參與縮合聚合之基的芳基烷基磺酸酯基，可例示苯曱基石黃酸醋基。又，可選擇作為參與縮合聚合之基的硼酸酯殘基，可例示以下述式所示之基。 och3 —B OCH3

-B 〇!vCH3 Ο h3c 、ch3

•ο C\—f 進一步，可選擇作為參與縮合聚合之基的鈒甲基係可例示以下述式： -CH2S+Me2E_、或-CH2S+Ph2E- (式中，E表示鹵素原子。Ph表示苯基，以下，為相同）所示之基。又，可選擇作為參與縮合聚合之基的鱗曱基係可例示以下述式： -CH2P+Ph3E· (式中，E表示鹵素原子）所示之基。又，可選擇作為參與縮合聚合之基的膦酸酯曱基係可 132 323317 201220575 例示以下述式： -CH2P0(0Rd)2 (式中，Rd表示烷基、芳基、或芳基烷基）所示之基。進一步’可選擇作為參與縮合聚合之基的單鹵化曱基’係可例示氟化甲基、氯化曱基、溴化曱基、碳化曱基。進一步’作為參與縮合聚合之基的適當之基係依聚合反應之種類而異’但使用例如Yamam〇t〇偶合反應等之〇價鎳錯合物時，可舉例邊素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸醋基、芳基烧基磺酸酯基。又，使用Suzuki偶合反應等之鎳觸媒或鈀觸媒時，可舉例烷基磺酸酯基、函素原子、硼酸酯殘基、-B(OH)2等，氧化劑或電化學氧化聚合時可舉例氫原子。製造本實施形態之離子性聚合物時，亦可採用例如使具有複數參與縮合聚合之基的以式（36)或（37)所示之化合物（單體），依需要而溶解於有機溶劑，使用鹼或適當的觸媒’在有機溶劑之融點以上沸點以下之溫度反應的聚合方法。如此之聚合方法，可採用例如 “ Organic

Reactions”，第 14 卷，270 至 490 頁，John Wiley & Sons， inc·’1965 年、“Organic Synthesis”，Collective Volume VI ’ 407 至 411 頁，John Wiley & Sons，inc.，1988 年、 Chem· Rev，第 95 卷，2457 頁（1995 年）、J. Organomet· Chem. ’ 第 576 卷 ’ 147 頁（1999 年、Macromol. Chem.， Macromol. Symp. ’第12卷，229頁（1987年）記載之公知 133 323317 201220575 . 的方法。又’製造離子性聚合物時，依據參與縮合聚合之基，而可採用已知之縮合聚合反應。如此之聚合方法可舉例使該單體藉Suzuki偶合反應進行聚合之方法、藉Grignard 反應進行聚合之方法、藉Ni(0)錯合物進行聚合之方法、藉FeCh等之氧化劑進行聚合之方法、電化學性進行氧化聚合之方法、以具有適當的脫離基之中間體高分子的分解之方法等。如此之聚合反應中，宜為藉Suzuki偶合反應進行聚合之方法、藉Grignard反應進行聚合之方法、藉Ni(〇) 錯合物進行聚合之方法，因易控制所得到之離子性聚合物的構造，故佳。本實施形態之離子性聚合物較佳的製造方法之一個態樣，就參與縮合聚合之基而言，使用具有由鹵素原子、烷基石買酸Sa基、芳基磺酸酯基及芳基烷基續酸酯基所構成之群中選出的基之原料單體，在鎳零價錯合物的存在下進行縮合聚合，製造離子性聚合物之方法。於如此之方法使用的原料單體’可舉例二―化合物、雙（烧基績酸酿）化合物、雙（芳基石黃酸醋）化合物、雙（芳基烧基續酸酯）化合物、 i素-烧基俩醋化合物、齒素、芳基確酸醋化合物、齒素_ 芳基炫基魏醋化合物、隸續酸酯—芳基績酸醋化合物、燒基續酸目旨1魏基钮g旨化合物及芳基雜酯_芳基烧基磺酸酯化合物。離子陸聚。物較佳的製造方法之另-個態樣，就參與縮°聚°之基而5 ’係使用具有由鹵素原子、烧基績酸醋 323317 134 201220575 基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-Β(ΟΗ)2、及硼酸酯殘基所構成之群中選出之基，且全原料單體具有之鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳基烷基磺酸酯基的莫耳數之合計（J)、與-Β(〇Η)2及硼酸酯殘基之莫耳數之合計（Κ)的比實質上為丨（一般K/J為〇. 7至丨.2的範圍）之原料單體’在鎳觸媒或鈀觸媒的存在下進行縮合聚合，而製造離子性聚合物的方法。就有機溶劑而言係依所使用之化合物或反應而異，但一般為抑制副反應，宜使用已充分實施脫氧處理之有機溶劑。製造離子性聚合物時，宜使用如此之有機溶劑而在惰性環境下進行反應。又，在有機溶劑中宜與脫氧處理同樣地進行脫水處理。但’不限於與Suzuki偶合反應等的水之 2相系的反應之情形。如此之有機溶劑係可例示戊烷、己烷、庚烷、辛烷、環己烧等之飽和煙、苯、甲笨、乙基苯、二曱苯等之不飽和烴、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、漠丁烷、氣戊烧、溴滅、氣己烧1己燒、氯環己烧、漠環己烧等之_化飽和烴、氯笨、二氯笨、三氣苯等之氯化不飽和烴、曱醇乙醇6醇'異丙醇、丁醇、第三丁醇等之醇類、蟻酸、醋酸、丙酸等之_類、二甲基醚、二乙基醚、甲基一第三丁細、四氫料、四氫吨喃、二魏等之賴、 ς曱基胺、二乙基胺、N，N，N，，N、四曱基伸乙二胺、吼咬專之胺類、N广二甲基甲酸胺、二甲基乙醯胺、N，N-基乙醯月女N甲基嗎琳氧化物等之酿胺類。此等之有 323317 135 201220575 機溶劑係可單獨1種，或混合2種以上而使用。又，如此之有機溶劑中，從反應性之觀點，更宜為醚類，最宜為四氮11夫喃、二乙基鍵’從反應速度的觀點，宜為曱苯、二曱苯。在製造離子性聚合物時’為使原料單體反應，宜添加鹼或適當的觸媒。如此之驗或觸媒只要依採用之聚合方法等而選擇即可。如此之驗或觸媒宜為充分溶解於反應所使用之溶劑者。又，混合鹼或觸媒之方法，係可例示一邊將反應液在氬氣或氮等之惰性環境下攪掉，一邊徐緩地添加驗或觸媒之溶液，或於鹼或觸媒的溶液中徐緩地添加反應液的方法。在本實施形態之離子性聚合物中，若聚合活性基直接殘存於末端基’所得到之發光元件的發光特性或壽命特性會有降低之情形’故末端基可以安定的基保護。以如此安定的基保護末端基時’離子性聚合物為共軛化合物時，宜為具有與此離子性聚合物之主鏈的共軛構造連續之共輕鍵’其構造可舉例介魏而與芳基或雜環基鍵結之構造。保護如此之末端基的安定基，可舉例在日本特開平 9-45478號公報中以化學式1 〇的構造式所示之（價的族化合物基等之取代基。製造含有以式⑴所示之構造單元的離子性聚合物之其他較住方法，可舉例在第丨步料使不具有陽離子之離子性聚合㈣行聚合’衫2步财從轉子絲合物製造含有陽離子之離子性聚合物的方法。將第i步驟中不具 323317 136 201220575 有陽離子的離子性聚合物進行聚合的方法，係么之縮„合反應。第2步驟的反應可舉例以金屬氫：：物、風氧化烧基錢等所產生之水解反應等。製造含有以式⑵料之基的科絲合物之直佳方法，可舉例在第i步驟中將不具有離子之離子^聚合物進行聚合，在第2步驟中從該離子性聚合物製造含有離子之離子性聚合物的方法。使第i步驟之不具有離子的離子性聚合物進行聚合的方法，係可舉㈣述之缩應。第2步驟的反應可舉例使用函化燒基之胺的:級^氯化反應、以SbF5拔除鹵素之反應等。本實施形態之離子性聚合物係電荷的注入性或輸送性優異，故可得到以高亮度發光之元件。形成含有離子性聚合物之層的方法可舉例使用含有離子性聚合物之溶液而成膜的方法。於使用如此之溶液的成膜之溶劑係除水外，尚有醇類、醚類、醋類、腈化合物類、確基化合物類、齒化燒基 $、自化芳基類、硫醇類、硫_、亞賴、硫_類二ς 胺類、羧酸類等之溶劑中，以溶解度參數為9 3以上之溶劑為佳。該溶劑之例（各括弧内之值係表示各溶劑的溶解= 參數之值）係可舉例曱醇（12·9)、乙醇（112)、2_丙= (11. 5)、1-丁醇（9. 9)、第三丁醇（1〇· 5)、乙腈（m)^. ^ 乙二醇（14.7)、N’N-二甲基曱醯胺（ι15)、二甲基亞碾 (12.8)、醋酸（12.4)、硝基苯（1M)、硝基甲烷（11〇)、 1，2-二氯乙烷（9.7)、二氯曱烷（9·6)、氣笨（9.6)、溴苯 323317 137 201220575 .(9. 9)、一噁烷（9· 8)、碳酸丙烯酯（13· 3)、π比啶（ίο. 4)、二硫化碳（10. 〇)、及此等溶劑的混合溶劑。此處，若說明有關混合2種溶劑（作為溶劑1、溶劑2) 而成之混合溶劑，混合溶劑之溶解度參數（5m)係依 ><(^+(5心2求出（51係溶劑1之溶解度參數、少1係溶劑1 之體積分率、L係溶劑2之溶解度參數、φ2係溶劑2之體積分率）。電子注入層之膜厚係依所使用之離子性聚合物使最適值相異，故只要使驅動電壓與發光效率成為適度的值進行選擇即可，但宜為不產生針孔的厚度。從降低元件之驅動電壓之觀點，膜厚宜為lnm至i ，更宜為2nm至5〇〇nm，最宜為2nm至200nm。從保護發光層之觀點，膜厚宜為5nm 至 1 // m。〈陰極〉陰極之材料宜為功函數小、於發光層之電子注入容易，且導電度高之材料。又，頂部發光型之有機乩元件中，為使從發光層放射之光在陰極朝陽極侧反射，陰極之材料宜為可見光反射率南之材料。陰極係可使用例如鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬及周期表之丨3族金屬等。陰極之材料係可使用例如鈹、鎂、!呂、筑、飢、鋅、紀、銦、飾、釤、銪、铽、镱等之金屬、此等之金屬中的2種以上之合金、此等之金屬中的1種以上、與金、銀、鉑、銅、鐘、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中的一種以上之合金、或石墨或石墨層間化合物等。合金之例可舉例如鎂_銀合金、鎂_銦合金、 323317 138 201220575 ^齡金，—銀合金U合金、鐘-鎂合金、鋰-銦合金、妈-叙合金等。滅二Ϊ極係可使用由導電性金屬氧化物及導電性有機 π物叮無、之透明導電性電極。具體上，就導電性金屬氧 =:!例如氧化銦、氧化鋅、氧化錫、™、及™。又，。機物可舉例如聚笨胺或其衍生物、㈣吩或其衍 5介二陰極係亦可以層合2層以上之層合體所構成。又，亦有時可使用電子注人層作為陰極。陰極係可使用以往使用來作為陽極之材料。在形成由合物广構成之電子注入層時，即使藉由使用來作 ^ t陽極的材料形成陰極，較藉由金屬而形成陰極時’若施加高的電壓，從陰極注入電子，可得到發光之有機EL元件之故。 …陰極之膜厚係考量所求取之特性及步驟的簡易性等而適田认3十。例如l〇nm至10#m，宜為2〇⑽至，更宜為 50nm 至 500nm。陰極之製作方法係可舉例如真空蒸艘法、賴法、熱壓接金屬薄膜之積層法等。實施例以下’依據實驗例及比較例等而更具體地說明本發明，但本發明係不限定於以下之實驗例。 [測定方法等] 聚合物之重量平均分子量（Mw)及數目平均分子量（Mn) 係使用凝膠滲透色層分析（Gpc)(T〇s〇h股份公司製：hlc— 323317 139 201220575 8220GPC) ’作為聚苯乙烯換算之重量平均分子量及數目平均分子夏而求出。又，所測定之試料係成為約0.5重量％之濃度般溶解於四氳呋喃，將i注入於GpC。進一步， GPC的移動相係使用四氫呋喃’以0.5ml/分鐘的流速流動。聚合物之構造分析係藉由使用Varian公司製300MHz NMR光邊儀之1jj-NMR解析而進行。又，測定係成為20mg/mL 的濃度般使試料溶解於可溶之氘化溶劑（deuterated solvent)(溶劑分子中之氫原子以乳原子（deuterium)所取代之溶劑）中溶解而進行。聚合物之最高占有分子軌道（HOMO)的軌道能量係測定聚合物之離子化位能，以所得到之離子化位能作為該軌道能量來求取。另外，聚合物之最低非占有分子執道（LUM0) 的執道能量係求出HOMO與LUM0之能量差，以其值與在前述所測定之離子化位能之和作為該軌道能量來求取。離子化位能之測定係使用光電子分光裝置（理研計器股份公司製：AC-2)。又，HOMO與LUM0之能量差係使用紫外、可見、近紅外分光光度計（Varian公司製：Cary5E)而測定聚合物的吸收光譜，從其吸收末端求出。 [參考例1] (2, 7-二溴-9, 9-雙[3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-苐（化合物A)的合成）將2, 7-二溴-9-苐酮（52. 9g)、水楊酸乙酯（154. 8g)、及氫硫基醋酸（1.4g)置入於300ml燒瓶中，進行氮氣取代。於此，添加曱烷磺酸（630ml)，使混合物以75°C攪拌 140 323317 201220575 整夜。放冷混合物，添加於冰水中而攪拌1小時。濾別所生成之固體’以所加熱之乙腈洗淨。使洗淨畢之該固體溶解於丙酮，從所得到之丙酮溶液使固體再結晶，濾別。使所得到之固體（62· 7g)、2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]-對曱苯磺酸酯（86. 3g)、碳酸鉀（62. 6g)、及18-冠狀醚 -6(7.2g)溶解於N，N-二曱基甲醯胺（DMF)(670ml)，使溶液移至燒瓶而以105°C攪拌整夜。使所得到之混合物放冷至室溫，加入於冰水中，攪拌1小時。於反應液中加入氯仿 (300ml)而進行分液萃取，濃縮溶液，以得到2, 7-二溴-9, 9-雙[3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-苐（化合物A)(51.2g)。 C2H5〇OC^^ ^^yc〇OC2H5 <3{CH2CH2〇 )3CH3

化合物A

[參考例2] (2, 7-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二氧雜硼戊環-2-基）~9, 9-雙[3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-苐（化合物B)之合成）在氮氣環境下，混合化合物A(15g)、雙（頻那醇合）二侧（8.9g)、[1，1，-雙（二苯基膦基）二茂鐵]二氯鈀（II)二氯甲燒錯合物（〇.8g)、1，Γ-雙（二苯基膦基）二茂鐵（0.5g)、醋酸鉀（9.4g)、二噁烷（400ml)，加熱至110°C，加熱回流 141 323317 201220575 * ίο小時。放冷後，過濾反應液，減壓濃縮濾液。以曱醇洗淨反應混合物3次。使沉澱物溶解於甲苯中，於溶液中加入活性碳而攪拌。其後，進行過濾，減壓濃縮濾液，得到 2, 7-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二氧雜硼戊環-2-基） -9, 9-雙[3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-苐（化合物B)(11.7g)。

[參考例3] (聚[9,9-雙[3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-苐](聚合物A)的合成）在惰性環境下，混合化合物A(0.55g)、化合物B (0. 61g)、三苯基膦鈀（0. Olg)、氣化曱基三辛基銨（Aldrich 製、商品名Aliquat 336(註冊商標））（〇.20g)、及曱苯 (10ml)，加熱至105°C。於此反應液中滴下2M碳酸鈉水溶液（6ml)，回流8小時。於反應液中加入4-第三丁基苯基棚酸（0. 01 g) ’回流6小時。然後’加入二乙基二硫胺基甲酸納水溶液（10ml ’濃度：0.05g/ml)，攪摔2小時。使此混合溶液滴入於曱醇300ml中而攪拌1小時後，過濾所析出之沉澱而減壓乾燥2小時，溶解於四氫咬B南2〇m 1。使所 142 323317 201220575 得到之溶液滴入於甲醇120〇1卜3重量％醋酸水溶液50ml的混合溶劑中而授拌1小時後，過濾所析出之沉澱，溶解於四氳呋喃20ml。將如此做法所得到之溶液滴入於甲醇 200ml而攪拌30分鐘後，過濾所析出之沉澱而得到固體。使所得到之固體溶解於四氫呋喃中，藉由通過氧化鋁管柱、矽膠管柱來精製。濃縮從管柱所回收之四氫呋喃溶液後，滴入於曱醇（200ml)中，過濾所析出之固體並使之乾燥。所得到之聚[9,9-雙[3-乙氧基羰基_4-雙[2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-第](聚合物A) (BSAFEGP))的收量為 52〇mg。聚合物A之聚苯乙烯換算的數目平均分子量為5.2X 104。聚合物Α係由以式（Α)所示之重複單元所構成。

[實驗例1] (聚合物A鉋鹽之合成）將聚合物A(200mg)置入於100ml燒瓶中，以氮氣取代。添加四氫°夫喃（20ml)、及乙醇（20ml)，使混合物昇溫至55°C。其中’再添加使氫氧化铯（200mg)溶解於水（2mi) 之水溶液，以55X)攪拌6小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（15〇mg)。藉NMR光譜，確認出聚合物a 323317 143 201220575 内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物A的鉋鹽稱為共軛高分子化合物1。共輛高分子化合物1係由以式（B)所示之重複單元所構成。又’在共輕tfj分子化合物1中，「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為1〇〇莫耳共軛高分子化合物 1的HOMO之軌道能量為-5. 5eV、LUMO之軌道能量為-2. 7eV。

[實驗例2] (聚合物A鉀鹽之合成）將聚合物A(200mg)置入於l〇〇ml燒瓶中，以氮氣取代。混合四氫咬σ南（2Om 1)、及曱醇（20m 1)，於混合溶液中添加使氫氧化鉀（400mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65。〇攪拌1小時。於反應溶液中加入曱醇50ml，進一步以65 °C攪拌4小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（131mg)。藉NMR光譜，確認出聚合物A内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物A的鉀鹽稱為共軛高分子化合物2。 144 323317 201220575 共輕高分子化合物2係由以式（C)所示之重複單元所構成，在共扼高分子化合物2中’「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為100莫耳％。共軛高分子化合物 2的HOMO之軌道能量為-5. 5eV、LUM0之轨道能量為-2. 7eV。

[實驗例3] (聚合物A鈉鹽之合成）將聚合物A(200mg)置入於l〇〇ml燒瓶中，以氮氣取代。混合四氫呋喃（20ml)、及曱醇（10ml)，於混合溶液中添加使氩氧化鈉（260mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65°C 攪拌1小時。於反應溶液中加入曱醇30ml，進一步以65 °C攪拌4小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（123mg)。藉NMR光譜’確認出聚合物a内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物A的鈉鹽稱為共輛高分子化合物3。共輊咼分子化合物3係由以式（D)所示之重複單元所構成。在共軛高分子化合物3中，「全重複單元中之含有以 323317 145 201220575 式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為100莫耳％。共軛高分子化合物 3的HOMO之執道能量為-5. 6eV、LUMO之軌道能量為-2. 8eV。

[實驗例4] (聚合物A銨鹽之合成）將聚合物A(200mg)置入於100ml燒瓶中，以氮氣取代。混合四氫呋喃（20ml)、及曱醇（15ml)，於混合溶液中添加使氫氧化四甲基銨（5Omg)溶解於水（1 m 1)之水溶液，以 65°C攪拌6小時。於反應溶液中加入使氫氧化四甲基銨 (50mg)溶解於水（lml)之水溶液，進一步以65°C攪拌4小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（150mg)。藉NMR光譜，確認出聚合物A内之乙基酯部位的源自乙基之訊號消失90%。所得到之聚合物A的銨鹽稱為共軛高分子化合物4。共軛高分子化合物4係由以式（E)所示之重複單元所構成。在共軛高分子化合物4中，「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1 146 323317 201220575 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為90莫耳％。共軛高分子化合物 4的HOMO之執道能量為-5. 6eV、LUMO之軌道能量為_2. 8eV。

[參考例4 ] (2, 7-雙[7-(4-甲基苯基）-9, 9-二辛基第-2-基]-9, 9_雙 [3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-第）（聚合物B)的合成）在惰性環境下，混合化合物A(0. 52g)、2, 7-雙（1, 3, 2_ 二氧雜硼戊環-2-基）-9,9-二辛基第（1.29g)、三苯基膦鈀 (〇. 〇〇87g)、氯化甲基三辛基銨（Aldrich製、商品名

Aliquat 336(註冊商標））（〇. 20g)、曱苯（1〇1111)及 2M 碳酸鈉水溶液（10ml)，加熱至8(rc。使反應液反應3_5小時。其後，再於其中加入對溴甲苯（〇.68g)，進一步反應2 5小時。反應後，冷卻反應液至室溫，加入醋酸乙酯50ml/蒸餾水50ml而除去水層。再加入蒸餾水5〇ml而除去水層後，加入硫酸鎂作為乾燥劑，而祕*溶物，除去有機溶劑。其後’使所得到之殘渣再溶於曹_中，添加飽和基二硫胺基m鈉水2m卜㈣3{)分鐘後通過氧化料桂（展_邮：醋酸乙叫： 147 323317 201220575 - 進行精製，過濾所析出之沉澱而減壓乾燥12小時後，可得到2,7_雙[7_(4-甲基笨基）-9,9-二辛基第一2-基]-9,9-雙 [3-乙氧基羰基-4-[2-[ 2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯基]-第（聚合物B)524mg。聚合物B之聚苯乙烯換算的數目平均分子量為2.〇x 103。聚合物B係由以式（F)所示。

[實驗例5] (聚合物B絶鹽之合成）將聚合物B(262mg)置入於100ml燒瓶中，以氬氣取代。於其中添加四氫呋喃（l〇ml)、及甲醇（15ml)，使混合物昇溫至55°C。其中’再添加使氫氧化铯（341mg)溶解於水（lml)之水溶液，以55°C攪拌5小時。使混合物冷卻至室溫後’減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（250mg)。藉NMR光譜，確認出乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物 B的鉋鹽稱為共軛高分子化合物5。共輕向分子化合物5係以式（G)所示。在共輛高分子化合物5中，「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式 (2)所示之基所構成的群中選出之1種以上的基與以式（3) 所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20)所示之重複單元的比率」 148 323317 201220575 - 係於小數第2位四捨五入為33. 3莫耳％)。共軛高分子化合物5的HOMO之執道能量為-5.6eV、LUMO之軌道能量為 -2. 6eV。

[參考例5] (聚合物C之合成）在惰性環境下，混合化合物A(0.40g)、化合物B (〇. 49g)、Ν，Ν’ -雙（4-溴苯基）-Ν，Ν’ -雙（4-第三丁基-2, 6~ 二甲基苯基）1，4-苯二胺（35mg)、三苯基膦鈀（8mg)、氯化曱基三辛基錄（Aldrich製、商品名Aliquat 336(註冊商標）） (0.20g)、及甲苯（l〇mi)，加熱至i〇5°C。於此反應液中滴入2M碳酸鈉水溶液（6ml)，回流8小時。於反應液中加入苯基硼酸（0. Olg)，回流6小時。然後，加入二乙基二硫胺基曱酸鈉水溶液（10ml，濃度：0 05g/ml)，攪拌2小時。使混合溶液滴入於曱醇3〇〇mi中而攪拌1小時後，過濾所析出之/儿版而減壓乾燥2小時，溶解於四氫咬鳴2〇mi。使所付到之溶液滴入於甲醇12〇ml、3重量％醋酸水溶液5〇ml 的混合溶射㈣拌1小時後，過賴析出之沉澱，溶解於四氫咬喃2Gml °使如此做法所得到之溶液滴入於甲醇 200ml而攪拌30分鐘後，過濾所析出之沉澱而得到固體。使所得到之固體溶解於四Μ喃中，藉由通過氧化銘管柱、石夕膠管柱來精製。濃縮從管检所回收之四氫。夫喃溶液 323317 149 201220575 . 後，滴入於曱醇（200ml)中’過濾所析出之固體並使之乾燥。所得到之聚合物C的收量為526mg。聚合物C之聚苯乙烯換算的數目平均分子量為3 6χ 10。聚合物C係由以式（Η)所不之重複單元所構成。又，Ν，Ν’-雙（4-溴苯基）-Ν，Ν’-雙（4-第三丁基_2,6_ 二曱基苯基）1，4-苯二胺係可以例如日本特開2〇〇8_74917 號公報所記載的方法進行合成。

[實驗例6] (聚合物C鉋鹽之合成）將聚合物C(200mg)置入於l〇〇ml燒瓶中，以氮氣取代。於其中添加四氫呋喃（20ml)、及曱醇（20ml)，進行混合。於混合溶液中添加使氫氧化鉋（200mg)溶解於水（2ml) 之水溶液，以65°C攪拌1小時。於反應溶液中加入甲醇 30ml，進一步以65°C攪拌4小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（150mg)。藉丽R光譜，確認出聚合物c 内之乙基醋部位的源自乙基之訊號完全v肖失。所得到之聚合物C的铯鹽稱為共軛高分子化合物6。共扼高分子化合物6係由以式（I)所示之重複單元所 323317 150 201220575 構成在共輛同分子化合物6中，「全重複單元中之含有以式⑴所不之基及以式⑵所示之基所構成的群中選出之上種以上的基與以式（3)所示之丨種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式(⑶、（⑸、（⑺、⑽ 所不之重複單TL的比率」係為95莫耳％。共扼高分子化合物6的HGMG之軌道能量為、5 3eV、LUMQ之執道能量為 _2.6eV。

(聚合物D之合成）在惰性環境下’混合化合物A(〇.55g)、化合物B (0. 67g)、Ν，Ν’ -雙（4-溴笨基）-N，N’ _雙（4_第三丁基_2, 6_ 二曱基苯基）1，4-苯二胺（〇. 〇38mg)、3, 7-二溴-N-(4-正丁基本基）齡11 惡嗪0.009g、三苯基膦紐（〇· 〇img)、氣化甲基三辛基銨（Aldrich製、商品名Aliquat 336(註冊商標 (0.20g)、及甲苯（l〇ml)，加熱至i〇5°c。於此反應液中滴入2M碳酸鈉水溶液（6ml) ’回流2小時。於反應液中加入笨基硼酸（0.004g) ’回流6小時。然後，加入二乙基二碌胺基曱酸鈉水溶液（lOmL·濃度：〇.〇5g/ml) ’攪拌2小時。使此混合溶液滴入於曱醇300ml中而擾拌1小時後，過、廣 323317 151 201220575 伟n/二而減壓乾㉟2小時，溶解於四氫咬喃20ml。 Μ 1 液滴入於甲醇120ml、3重量％醋酸水溶液、々觫於’：Γ劏中而攪拌1小時後，過濾所析出之沉澱， -中。使如此做法所得到之溶液滴入於曱醉200ml而擾抹如八Air 刀雀里後，過濾所析出之沉殿而得到固，使所得^之固體溶解於四氮咬喃中，藉由通過氣化銘管柱、㈣管絲精製。濃駿管柱㈣收之四氫吱喃溶液後4人曱醇（2GGmi)巾，過濾所析出之隨並使之乾燥。所得到之聚合物D的收量為590mg。聚合物D之聚笨乙烯換算的數目平均分子量為2.以 10 °聚合物D係由以式⑴所示之重複單元所構成。又3, 7-二溴，-(4-正丁基苯基）酚噁嗪係依據日本特開2007-70620號公報記載的方法（或，以日本特開2〇〇4_ 137456號公報所記載的方法作為參考）而合成。

[實驗例7]

(J) c4h9 (聚合物D铯鹽之合成）使聚合物D(200mg)置入於100ml燒瓶中，以氣氣取代。添加四氫咬喃（15ml)、及曱醇（10ml)進行混合。於混合溶液中添加使氫氧化鉋（360mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65°C攪拌3小時。於反應溶液中加入甲醇l〇mi，進 323317 152 201220575 一步以65°C攪拌4小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（21〇mg)。藉NMR光譜，確認出聚合物D内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物D 的絶鹽稱為共軛高分子化合物7。共辆高分子化合物γ係由以式（Κ)所示之重複單元所構成（「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之 1種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（⑺、所示之重複單元的比率」為90莫耳。/9)。共輛高分子化合物 7的HOMO之執道能量為-5. 3eV、LUM0之軌道能量為-2.4eV。

(K) C4H9 [參考例7 ] (聚合物E之合成）在惰性環境下，混合化合物A(〇.37g)、化合物β (0. 82g)、1,3-二漠苯（0. 〇9g)、三苯基膦把（〇_〇img)、氯化曱基三辛基銨（Aldrich製、商品名Aliquat 336(註冊商標））（0. 20g)、及曱苯（10ml) ’加熱至1〇5。〇。於此反應液中滴入2M碳酸鈉水溶液（6ml) ’回流7小時。於反應液中加入苯基棚酸（〇. 〇〇2g)，回流1〇小時。然後，加入二乙基二硫胺基甲酸鈉水溶液（l〇ml ’濃度：〇. 〇5g/ml)，搜拌1 323317 153 201220575 小時。使混合溶液滴人於甲醇3_1中而麟i小時後，過渡所析出之㈣而減㈣燥2切，溶解於四氫咬喊㈣中。使所得到之溶液滴入於曱醇mmi、3重量％醋酸水溶液5Gmi的混合溶财而·丨小時後，過濾所析出之沉殿’溶解於四氫°夫喃施1中。使如此做法所得到之溶液滴入於曱醇2GGml而擾拌3〇分鐘後，過渡所析出之沉殺而得到固體。使所得到之固體溶解於四氫㈣中，藉由通過氧化銘管柱、鄉管柱來精製。濃縮從管柱所回收之四氮吱喃溶液後’滴人甲醇⑽ml)巾，㈣崎出之固體並使之乾燥。所得到之聚合物E的收量為293mg。聚合物E之聚苯乙稀換算的數目平均分子量為1 k 1〇4。聚合物Ε係由以式（L)所示之重複單元所構成：

[實驗例8] (聚合物Ε鉋鹽之合成）使聚合物E(200mg)置入於100ml燒瓶中，以氣氣取代。添加四氫呋喃（l〇ml)、及甲醇（5ml)進行混合。於彡昆入溶液中添加使氫氧化鉋（2〇〇mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65°C攪拌2小時。於反應溶液中加入曱醇ΙΟιηΐ，進—步以65t攪拌5小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓觸除反 323317 154 201220575 , 應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（170mg)。藉匪R光譜，確認出聚合物e内之乙基西旨部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物E的鉋鹽稱為共輛南分子化合物8。共軛高分子化合物8係由以式（M)所示之重複單元所構成。在共輛南分子化合物8中，「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為75莫耳％。共軛高分子化合物 8的HOMO之軌道能量為_5. 6eV、LUM0之軌道能量為-2. 6eV。

(聚合物F之合成）在惰性環境下，混合化合物B(l.Olg)、1,4-二溴-2, 3, 5, 6-四氟苯（〇. 3〇g)、三苯基膦鈀（〇. 〇2mg)、氣化甲基三辛基銨（Aldrich製、商品名Aliquat 336(註冊商標）） (0. 20g)、及甲苯（1〇ml)，加熱至1〇5cc。於此反應液中滴入2M碳酸鈉水溶液（6ml)，回流4小時。於反應液中加入苯基硼酸（0.002g)，回流4小時。然後，加入二乙基二硫 323317 155 201220575 .胺基曱酸鈉水溶液⑽卜濃度：〇·〇_)，!小時。使混合溶液滴入於甲醇_ml中而攪拌i小時後，過滤所析出之沉澱而減壓乾燥2小時，溶解於四氫吱喃2〇ral中。使所得到之溶液滴入於甲醇12〇ml、3重量％醋酸水溶液 50ml的混合溶劑中而授拌1小時後，過滤所析出之沉殿，溶二:^吱喃_中。使如此做法所得到之溶液滴入於甲醇2漏而縣3〇分鐘後，過據所析出之沉殿而得到固體。使所传到之g]體溶解於四氫吱喃/酷酸比））之混合溶劑中，藉由通過氧㈣管柱、石夕膠管；^ 製。派縮從官柱所回收之四氫呋喃溶液後，滴入甲醇⑽ 二二=析出之固體並使之乾燥。所得到之聚合物收量為343mg。聚合物F之聚笨乙烯換算的數目平均分子 104。聚合物F係由以式（N)所示之重複單元所構成:·

(N) (聚合物F鉋鹽之合成）以氮氣取。於混合使聚合物F(150mg)置入於100ml燒瓶中，代。添加四氫D夫喃（10m 1)、及曱醇（5m 1)進行丨見人 323317 156 201220575 , 溶液中添加使氫氧化铯（26〇mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65°C攪拌2小時。於反應溶液中加入曱醇10ml，進一步以65。(：攪拌5小時。使混合物冷卻至室溫後’減壓顧除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體’減壓乾燥以得到淡黃色的固體（130mg)。藉NMR光譜’確認出聚合物E内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物F的絶鹽稱為共輛高分子化合物9。共軛高分子化合物9係由以式（〇)所示之重複單元所構成。在共輛南分子化合物9中’「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之i 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為75莫耳％。共輛高分子化合物 9的HOMO之軌道能量為-5. 9eV、LUM0之軌道能量為-2. 8eV。 p tr

在惰性環境下，混合2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]一對曱苯磺酸酯（11. Og)、三乙二醇（3〇· 〇g)、氫氧化鉀 (3. 3g) ’以10(TC過熱攪拌18小時。放冷後，使反應溶液加入於水（100ml)中，以氣仿進行分液萃取，濃縮溶液。使 323317 157 201220575 所濃縮之溶液進行Kugelrohr蒸顧（lOmmTorr、180°C )，得到2-(2-(2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）乙醇（6. lg)。 [參考例10] 在惰性環境下，混合2-(2-(2-(2-(2-(2-曱氧基乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）乙醇（8. Og)、氫氧化納（1· 4g)、蒸德水（2ml)、四氫吱喃（2ml)後，冰冷之。於混合溶液中花30分鐘滴入對曱苯磺基氯（5. 5g)之四氫呋喃（6.4ml)溶液，滴入後使反應溶液提高至室溫而攪拌 15小時。於反應溶液中加入蒸餾水（50ml)，以6M硫酸中和反應溶液後，以氣仿進行分液萃取。濃縮溶液以得到 2-(2-(2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）對曱苯磺醯氯（11.8g)。 [參考例11] (2，7-二漠-9，9-雙[3 -乙氣基獄基-4-[2-(2-(2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）乙氧基]苯基]-苐（化合物C)的合成）將2, 7-二溴-9-苐酮（127. 2g)、水揚酸乙酯（375. 2g)、及氫硫基醋酸（3.5g)置入於300ml燒瓶中，進行氮氣取代。再添加甲烷磺酸（1420m 1 )，使混合物以75°C攪拌整夜。放冷混合物，添加於冰水中而攪拌1小時。濾別所生成之固體，以所加熱之乙腈洗淨。使洗淨畢之該固體溶解於丙酮，從所得到之丙酮溶液使固體再結晶，濾別，得到固體 (167. 8g)。 158 323317 201220575 使所得到之固體（5g)、2-(2-(2-(2-(2-(2-曱氧基乙氧基 >-乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）—乙氧基）對曱苯績酸酯 (10.4g)、碳酸鉀（5.3g)、及18-冠狀醚-6(0.6g)溶解於 N，N-二甲基甲醯胺（DMF)(10〇ml)，使溶液移至燒瓶而以105 °C攪拌4小時。使所得到之混合物放冷至室溫，加入於冰水中，攪拌1小時。於反應液中加入氯仿（3〇〇mi)而進行分液萃取’濃縮溶液’使濃縮物溶解於醋酸乙酯，通液於氧化鋁之管柱，濃縮溶液，以得到2, 7_二溴_9, 9_雙[3_乙氧基羰基-4-[2-(2-(2-(2-(2〜（2-甲氧基乙氧基）-乙氧基）- 乙氧基）-乙氧基）-乙氧基）乙氧基]苯基]-苐（化合物C) (4.5g)。

[參考例12] (聚合物G之合成）在惰性環境下’使化合物C(l. Og)、4-第三丁基苯基溴（0. 9mg)、2, 2’ -聯°比啶（〇· 3g)、脫水四氫呋喃（5〇mi)加入200ml燒瓶中混合。使混合物昇溫至55。(：後，添加雙 (1，5-環辛二烯）鎳（〇. 6g)，以55°C攪拌5小時。使混合物放冷至室溫後，使反應溶液滴入甲醇（200ml)、1N稀鹽酸 323317 159 201220575 (200ml)之混合液中。使所產生之沉澱物藉過濾收集後，再溶解於四氫呋喃中。滴入甲醇（200ml)、15%氨水（100mn 的混合液中，使所產生之沉澱物藉過濾收集。使沉澱物再溶解於四氫呋喃，滴入甲醇（200ml)、水（100ml)的混合液中’使所產生之沉澱物藉過濾收集。使所收集之沉澱物減壓乾燥’彳于到聚合物G(36〇mg)。聚合物G之聚笨乙烯換算的數目平均分子量為6. OxlO4。聚合物G係由以式（p)所示之重複單元所構成。

[實驗例10] (聚合物G鉋鹽之合成）使聚合物G(150mg)置入於100ml燒瓶中，以氮氣取代。混合四氫呋喃（15ml)、及甲醇（5ml)。於混合溶液中添加使氫氧化铯（170mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65。(：搜拌6小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體 (95mg)。藉NMR光譜，確認出聚合物G内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物G的铯鹽稱為共輛高分子化合物10。共軛高分子化合物10係由以式（Q)所示之重複單元所 160 323317 201220575 構成。在共軛高分子化合物10中「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（2〇) 所示之重複單元的比率」為1〇〇莫耳％。共扼高分子化合物 10的HOMO之軌道能量為_5 7eV、lum〇之執道能量為 -2. 9eV。

(1，3-二溴-5-乙氧基羰基_6_[2_[2_(2_曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯之合成）惰性環境下，混合3, 5-二溴水揚酸（20g)、乙醇 (17ml)、濃硫酸（1.5ml)、甲笨（7ml)，以130〇c過熱攪拌 20小時。放冷後，使反應溶液加入於冰水（1〇〇ml)中，以氯仿進行分液萃取，濃縮溶液。使所得到之固體溶解於異丙醇中，使溶液滴入於蒸餾水中。濾別所得到之析出物，得到固體（18g)。惰性環境下，混合所得到之固體（ig)、 2_[2-(2_甲氧基乙氧基）乙氧基]-對曱苯續酸g旨（1. gg)、礙酸鉀（0. 7g)、DMF(15ml)，以l〇〇°c過熱擾拌4小時。放冷後，加入氯仿而進行分液萃取，濃縮溶液，使濃縮物溶解 161 323317 201220575 ^氯仿t，魏於㈣f柱以進韻製。#濃縮溶液，以得到1,3-二溴-5-乙氧基羰基_6_[2_[2_(2_甲氧基乙氧基）乙氧基]乙氣基]笨（l.Qg)。 [參考例14] (聚合物Η之合成）在惰性環境下’混合化合物A(0.2g)、化合物β (0.5g)、l，3-二溴-5-乙氧基羰基-6_[2_[2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]苯（〇. lg)、三笨基膦鈀（3〇mg)、溴化四丁基銨（4mg)、及曱苯（19mi)，加熱至1〇5^。於此反應液中滴入2M碳酸鈉水溶液（5ml)，回流5小時。於反應液中加入苯基硼酸（6mg)，回流Η小時。然後，加入二乙義一硫胺基甲酸鈉水溶液（l〇ml，濃度：〇. 〇5g/ml)，攪拌2小時。除去水層而以蒸餾水洗淨，濃縮而使所得到之固體、、容解於氣仿中，藉由通過氧化鋁管柱、矽膠管柱來精製。^ 縮來自管柱之溶出液而乾燥。所得到之聚合物H的收量為 Λ λ Λ ν 聚合物Η之聚本乙婦換异的數目平均分子量為3 1〇4。聚合物Η係由以式（R)所示之重複單元所構成。6χ

(只） (75:25 mol%) H3CH2cq H3C(OH2CH^C)3

och2ch3 o(ch2ch2o>3ch3 [實驗例11] 323317 ϋ 162 201220575 (聚合物Η鉋鹽之合成）使聚合物H(200mg)置入於i〇〇mi燒瓶中，以氮氣取代。添加混合四氫呋喃（14ml)、及甲醇（7ml)。於混合溶液中添加使氫氧化鉋（90mg)溶解於水（2ml)之水溶液，以65 °C擾拌1小時。於反應溶液中加入甲醇5ml，進一步以65 °C授拌4小時。使混合物冷卻至室溫後，減壓德除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（190mg)。藉NMR光譜，確認出聚合物Η内之乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物Η的铯鹽稱為共耗高分子化合物11。共輛高分子化合物11係由以式（S)所示之重複單元所構成。在共輛高分子化合物11中「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1 種以上的基與以式（3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20) 所示之重複單元的比率」為1〇〇莫耳％。共軛高分子化合物 11的HOMO之軌道能量為-5. 6eV、LUMO之軌道能量為 _2.8eV。

163 323317 201220575 (2, 7-二溴-9, 9-雙[3, 4-雙[2-[ 2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]-5-甲氧基羰基苯基]-第（化合物D)的合成）將2, 7-二溴-9-荞酮（34· lg)、2, 3-二羥安息香酸甲酯 (101.3g)、及氫硫基醋酸（1 4g)置入於500ml燒瓶中，進行氮氣取代。再添加甲烷磺酸（35〇ml)，使混合物以90°C 攪袢19小時。放冷混合物，添加於冰水中而攪拌丨小時。濾別所生成之固體，以所加熱之乙腈洗淨。使洗淨畢之該固體办解於丙酮’從所得到之溶液使固體再結晶，滤別。使所得到之固體（16.3g)、2、[2_(2_曱氧基乙氧基）乙氧基]-對曱苯俩§旨⑽.3g)、碳酸鉀（48 6g)、及18—冠狀趟-6(2.4g)溶解於N，N-二甲基甲酿胺⑽F)(5⑼ml)中，使溶液移至輪M 11(rc；_ 15小時。使所得到之混合物放冷至室溫’加人於冰水巾，_丨小時。於反應液中加入醋酸乙自旨⑽ml)㈣行分料取，濃液，溶解於氯仿/曱醇（50/1(體積比））之混合溶劑中，藉由通過石夕膠管柱來精製。濃縮通液於管柱之溶液，以制2,7_二漠_9 9_ 雙[3,4-雙[2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]乙氧基]_5_甲氧基幾基苯基]-苐（化合物D)(2〇.5g)。 [參考例16] (2, 7-雙[7-(4-曱基苯基）-9, 9、二辛基第_2_基]_9, 9_雙 [5-甲氧餘基-3, 4-雙[2-[2_(2_甲氧基乙氧基）乙氧基] 乙氧基]苯基]-第（聚合物I)之合成惰性裱境下，混合化合物D(〇· 7〇g)、2_(4, 4, 5, 5—四甲基-1’ 2, 3-二氧硼烧-2-基）-9, 9~二辛基苐（〇. 62g)、三苯 323317 164 201220575 基膦la(〇· 〇19g)、二噁烷（4〇mi)、水（6ml)及碳酸鉀水溶液 U· 38g)，加熱至8〇°c。使反應液反應1小時。反應後，添加飽和二乙基二硫胺基曱酸鈉水5ml，攪拌3〇分鐘後，除去有機溶劑。使所得到之固體通過氧化鋁管柱（展開溶劑己烧：醋酸乙酯: 1(體積比））而進行精製，濃縮溶液，得到2, 7-雙[7-(4-甲基苯基）_9, 9-二辛基苐-2-基]_9, 9-雙[3-乙氧基羰基-4-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙氣基]苯基]-苐（聚合物I)66〇mg。聚合物I之聚笨乙烯換算的數目平均分子量為2.〇x 1〇3。聚合物I係以式（T)所示。又，2-(4, 4, 5, 5-四甲基-1，2, 3-二氧雜硼環-2-基）~ 9, 9-二辛基苐係例如以 The Journal of Physical Chemistry B 2000，104，9118-9125 記載的方法進行合成。

[實驗例12] (聚合物I鉋鹽之合成）使聚合物I(236mg)置入於100ml燒瓶中，以氬氣取代。於其中添加四氫呋喃（20ml)、及曱醇（l〇ml)。使混合物昇溫至65°C。於其中添加使氫氧化铯（240mg)溶解於水 165 323317 201220575 (2ml)之水溶液，以65〇c攪拌7小時。使所得到之混合物冷卻至室溫後’減壓餾除反應溶劑。以水洗淨所生成之固體，減壓乾燥以得到淡黃色的固體（19〇mg)。藉NMR光譜，確認出乙基酯部位的源自乙基之訊號完全消失。所得到之聚合物I鉋鹽稱為共軛高分子化合物12。共軛高分子化合物12係以式（U)所示。在共軛高分子化合物12 t，「全重複單元中之含有以式（1)所示之基及以式（2)所示之基所構成的群中選出之1種以上的基與以式 (3)所示之1種以上之基的重複單元之比率」及「全重複單元中之以式（13)、（15)、（17)、（20)所示之重複單元的比率」於小數第2位四捨五入為33. 3莫耳％。共軛高分子化合物12的HOMO之軌道能量為-5· 6eV、LUM0之軌道能量為 ~2. 8eV。

[實驗例13 ] (化合物E之合成）氮環境下’混合2, 7-二溴-9-第酮（92. Og、272mmol)、及二乙基醚（3. 7升）而冷卻至〇°C ’滴入lmol/升碘化曱基鎂〜二乙基醚溶液（〇. 5升、545mmol)後攪拌3小時。於反 166 323317 201220575 應混合物中加入氯化銨水溶液而除去水層，使有機層以無水硫酸納乾燥而減壓濃縮。使所得到之粗生成物以矽膠管柱色層分析精製，得到化合物E(92.81g、262mmol、收率 96%)。

OH

化合物E (化合物F之合成）氮環境下使化合物E(83· Og、234mmol)、對甲苯磺酸_ 水合物（4.498、23.6111111〇1)、及氯仿（2.5升）回流1小時， 219mmol、收率 93%)。

化合物F (化合物G之合成）於反應混合物中加入氣化銨水溶液而除去水層，使有機層以無水硫酸鈉乾燥而減壓濃縮，得到化合物F(73.6g、氮環i兄下使化合物F(70. 〇g、208mmol)、水楊酸乙酯 (104g、625mmol)、虱硫基醋酸（4. 2〇g、45. 6mmol)、及甲

烧續酸（1214g)在70t下攪拌8小時，使反應混合物滴入於冰水中而使所析出之固體以過濾回收，以甲醇洗淨。使粗生成物以矽膠管柱色層分析精製，得到化合物G 167 323317 201220575 (52. 14g、104mmol、收率 50%)。

(化合物H之合成）氮環境下使化合物G(41.2g、82. Oramol)、2-[2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基]-乙基-對曱苯磺酸酯（75. 8g、 238mmol)、二曱基曱酿胺（214g)、碳酸鉀（54. 4g、 394mmol)、及 18-冠狀醚-6(4. 68g、18mmol)以 105°C 攪拌 2小時，使反應混合物加入於水中，以醋酸乙醋萃取。使有機層以無水硫酸鈉乾燥，而使減壓濃縮所得到之粗生成物以石夕膠管柱色層分析精製，得到化合物H(40. 2g、 62. Οιμιο 1、收率76%)。化合物Η之1Η腿R的測定結果為如以下般。沱 NMR (400MHz，CDC13，rt) (5 (ppm) 1.37 (3H), 1.84 (3H), 3.36 (3H), 3.53 (2H), 3. 58-3. 79 (6H), 3. 73 (2H), 4. 12 (2H), 4. 34 (2H), 6. 80 (1H), 6.90(1H), 7.28 (2H), 7.48 (2H), 7. 58(2H), 7.70 (1H). 168 323317 201220575

化合物Η o(ch2ch2o)3ch3 (化合物I之合成）氮環境下，使化合物H(28. 4g、43. 8mmol)、雙（頻那醇合）二硼（24. 30g、95. 7mol)、二氯化[1，1’ -雙（二苯基膦基）二茂鐵]Ιε(ΙΙ)的二氯曱烧加成物（0· 35g、0. 4mmol)、 1, Γ -雙（二苯基膦基）二茂鐵（0. 24g、0. 4mmol)、醋酸鉀 (25. 60g、260mmol)、及 1，4-二噁烷（480ml)以 120°C 攪拌 17小時，過濾反應混合物而以醋酸乙酯洗淨。減壓濃縮濾液而以矽膠管柱色層分析精製，然後，以再結晶進行精製而得到化合物1(18. 22g、24. 5mmol、收率56%)。化合物I 之1H NMR的測定結果為如以下般。 4 匪R (400MHz，CDC13，rt) <5 (ppm) 1.30-1.47 (27H), 1.88 (3H), 3.35 (3H), 3.53 (2H), 3. 60-3. 69 (4H), 3. 73 (2H), 3. 84 (2H), 4. 10 (2H), 4. 34(2H), 6. 74(1H), 6.87 (1H), 7.58 (2H), 7.72-7.89 (5H). 169 323317 201220575

化合物i (聚合物j之合成）氬氣環境下’使化合物Η(0· 47g)、化合物I(〇. 48g)、二氯雙（三笨基膦）赵（〇. 6mg)、溴化四丁基錄（6mg)、甲苯 (6ml)、2mol/升之碳酸鈉水溶液（2ml)以105Ϊ：攪拌6小時’繼而，加入苯基硼酸（35mg)，以1〇5。(：攪拌14小時。於反應混合物中加入二乙基二硫胺基曱酸鈉三水合物 (〇.65g)與水（13ml)而以80°C攪拌2小時，使混合物滴入於曱醇中，以過濾回收析出物而乾燥。使固體溶解於氣仿中，藉氧化鋁、及矽膠色層分析精製，使溶出液滴入於甲醇中’以過濾回收析出物而乾燥，得到聚合物j(〇57g)。 ^^合物J之聚本乙稀換鼻的數目平均分子量為2 1 〇4。聚合物J係由以式（ν)所示之重複單元所構成。

(聚合物j鉋鹽之合成） 323317 170 201220575 氬環境下，使聚合物J(0. 20g)、THF(18ml)、甲醇 (9ml)、氫氧化铯一水合物（97mg)、及水（lml)以65°C攪拌 2小時，然後，加入曱醇（52ml)，以65°C授拌6小時。濃縮反應混合物並使之乾燥，於固體中加入甲醇而過濾，使濾液滴入於異丙醇中，以過濾回收固體而乾燥，得到聚合物J鉋鹽（0.20g)。使所得到之聚合物J鉋鹽稱為共軛高分子化合物13。共軛高分子化合物13係由以式（W)所示之構造單元所構成。共輛高分子化合物13之HOMO的輛道能量係 -5. 51eV，LUM0 之軌道能量為-2. 64eV。

o(ch2ch2o)3ch3 (W) [實驗例14] (化合物J之合成）氮氣流下’混合2，7-二漠-9，9-雙（3, 4-二經基）-第 (138.4g)、2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]-乙基-對曱苯續酸醋（408. 6g)、碳酸鉀（358. 5g)及乙腈（2. 5升），加熱回流3小時。放冷後，濾別反應混合物，減壓濃縮濾液而精製矽膠管柱色層分析，得到化合物K109.4)。 171 323317 201220575

化合物 h3c(〇h2ch2c h3c(oh2ch2c,_ o(ch2ch2o)3ch3 o(ch2ch2o)3ch3 (化合物K之合成）氮氣環境下，使化合物J(1012g)、雙（頻那醇合）二硼（53.1g)、[1，Γ-雙（二苯基膦基）二茂鐵]二氣鈀（11)二氣曱烷錯合物（3. 7g)、U，一雙（二苯基膦基）二茂鐵 (5.4g)、醋酸鉀（90.6g)及 ι，4-二噁烷（9〇〇ml)，加熱至 11〇。(：，加熱回流8小時。放冷後，濾別反應液，減壓濃縮濾液而以矽膠管柱色層分析精製，得到化合物K(514g)。

H3C(OH2CH2C)3C/〜^ ^^\)(ch2CH2〇)3CH3 化合物K (聚合物K之合成）加入化合物 K(0.715g)、化合物 j(〇.426g)、aliquot 336(6. 60mg)、雙（三苯基膦）二氯鈀（〇.460g)、2mol/升碳酸鈉水溶液（10ml)、甲苯（20ml)，以105°C擾拌5小時，繼而，加入苯基硼酸（32mg)，以105°C擾拌6小時。於反 172 323317 201220575 應混合物中加入二乙基二硫胺基甲酸鈉三水合物（〇· 72g) 與水（14ml)而以8G°C㈣2小時，使混合物滴人於曱醇中，以過濾回收析出物而乾燥。使固體溶解於氯仿中，藉氧化鋁、及矽膠管柱色層分析精製，使溶出液濃縮而乾燥，使濃縮物溶解於曱苯，滴入於甲醇中’以過濾回收析出物而乾燥，得到聚合物K(0. 55g)。聚合物K之聚本乙稀換算的數目平均分子量為2.3χ 104。聚合物Κ係由以式（X)所示之重複單元所構成。

(X) (聚合物Κ絶鹽之合成）氬氣環境下，使聚合物K(0. 15g)、THF(20ml)、甲醇 (10ml)、氫氧化鉋一水合物（l〇3mg)、及水（lml)以65°C攪拌2小時，然後，加入甲醇（20ml)，以65°C攪拌6小時。濃縮反應混合物而乾燥，於固體中加入甲醇而過滤，使所得到之濾液濃縮而乾燥，以水洗淨所得到之固體後，乾燥，得到聚合物K之铯鹽（〇. i4g)。使所得到之聚合物K的鉋鹽稱為共軛高分子化合物14。共輛高分子化合物14係由以式（Y)所示之構造單元所構成。共軛高分子化合物14之HOMO的軛道能量係 -5. 56eV ’ LUM0 之執道能量為-2. 67eV。 173 323317 201220575

(Υ) [實驗例15] (化合物L的合成）氮氣環境下，使5-演-2-經基安息香酸（92. 85g)、乙醇（1140ml)、及濃硫酸（45ml)回流48小時，減壓濃縮後’ 加入醋酸乙酯（1000ml)，以水及10重量％碳酸鈉水溶液洗淨有機層。使有機層以無水硫酸鈉乾燥’使減壓濃縮所得到之粗生成物以矽膠管柱色層分析精製，得到化合物 L(95. 38g、收率 91%)。 Ο

(化合物Μ之合成）氮氣環境下’使化合物L(95. 0g)、雙（頻那醇合）二硼 (108.5g)、二氯化[M’_雙（二苯基膦基）二茂鐵]把（11) 之二氯甲烷加成物（3· 3S)、丨，P _雙（二苯基膦基）二茂鐵 (2. 2g)、醋酸鉀（117· 2S)及 L 二°惡烧（1. 3L)以105°c 攪拌22小時’濾別反應混合物而以二°惡院及曱苯洗淨。減歷濃縮滤液而加入醋酸乙醋’以飽和食鹽水洗淨’使有機層 174 323317 201220575 以無水破ι鈉乾燥而減壓濃縮。使所得到之粗生成物以矽膠管枉色層分析精製，得到化合物M(9〇. lg、3〇8mm〇1)。

化合物Μ (化合物Ν之合成）氮氣環境下’混合1，5_二羥基萘（15. 0g)、三乙胺 (28· 5g)、及氣仿（l5〇ml)而冷卻至〇。(：，滴入三氟甲烷磺酸酐（68. 7g)而攪拌1小時。於反應混合物中加入水、及氯仿而除去水層’以水洗淨有機層。使有機層以無水硫酸鈉乾燥而減壓濃縮，使所得到之固體以再結晶精製，得到化合物 N(31.46g)。下述式中，Tf係表示三氟甲基磺醯基。 OTf

〇Tf 化合物Ν (化合物0的合成）氮氣環境下，使化合物N(16.9〇S)、化合物M (23. 30g)、四（三苯基膦）鈀（0)(4. 60g)、鱗酸鉀（42. 30g) 及1,2-二甲氧基乙烷（340ml)以80°C攪拌14小時’過濾，應混合物而以氯仿及曱醇洗淨。減壓濃縮滤液而以石夕膠g 323317 175 201220575 柱色層分析精製，得到化合物0(8. 85g)。

OH 〇

化合物0

(化合物P之合成）氮環境下，使化合物0(8. 80g)、2-[2-(2-曱氧基乙氧基）乙氧基]-乙基-對甲苯磺酸酯（12. 52g)、二曱基曱醯胺 (380ml)、碳酸鉀（13. 32g)、及 18-冠狀醚-6(1. 02g)以 100 °C攪拌23小時，使反應混合物加入於水中，以醋酸乙酯萃取。使有機層以氯化鈉水溶液洗淨後以無水硫酸鈉乾燥，再使減壓濃縮所得到之粗生成物以矽膠管柱色層分析精製，得到化合物P(7. 38g)。 176 323317 201220575 h3c(oh2ch2c)3o 〇

化合物P (化合物Q之合成）氮氣環境下，使化合物P(5. 53g)、雙（頻那醇合）二硼 (11.25g)、（1，5-環辛二烯）（曱氧基）銥（I)二聚物（0. 15g、 Sigma Aldrich 公司製）、4, 4’ -二-第三丁基-2, 2’ -二〇比咬 (0. 12g、Sigma Aldrich 公司製）、及 1，4-二0惡院（300ml) 在110°C下攪拌19小時，減壓濃縮反應混合物，使粗生成物以矽膠管柱色層分析精製，然後，以再結晶進行精製而得到化合物Q(5. 81g)。化合物Q之1Η丽R的測定結果為如以下般。 4 丽R (400MHz，CDC13，rt) 5 (ppm) 1.27-1.41 (30H), 3.39 (6H), 3.57 (4H), 3.66-3.75 (8H), 3.83C4H), 3.99 (4H), 4.27-4.42 (8H), 7.13 (2H), 7.60 (2H), 7.76 (2H), 7.93 (2H), 8.30 (2H). 177 323317 201220575 H3C(0H2CH2C)30 〇

化合物Q (聚合物L之合成）

氬氣環境下，使化合物J(0. 53g)、化合物Q(〇. 43g)、一氣雙（二本基鱗）把（0. 3mg)、A1 iquat336(5n\g，Sigma Aldrich公司製）、曱苯（12ml)、2mol/升碳酸鈉水溶液（imi) 以105°C擾拌9小時’繼而’加入苯基删酸（23mg)，以105 °C攪拌14小時。於反應混合物中加入二乙基二硫胺基曱酸鈉三水合物（0.40g)與水（8ml)而以80°C攪拌2小時，使混合物滴入於甲醇中，以過濾回收析出物而乾燥。使固體溶解於氯仿中’藉氧化銘、及石夕膠色層分析精製，使溶出液滴入於甲醇’以過渡回收析出物而乾燥，得到聚合物L (0. 56g)。聚合物L之聚苯乙烯換算的數目平均分子量為3.4χ 104。聚合物L係由以式（ζ)所示之重複單元所構成。 323317 178 201220575

H3C(OH2CH2C h3c(oh2ch2c)3c

卜 o(ch2ch2o)3ch3 o(ch2ch2o)3ch3 (z) o(ch2ch2o)3ch3 (聚合物L铯鹽之合成）氬氣環境下，使聚合物L(0.25g)、THF(13ml)、曱醇 (6ml)、氫氧化鉋一水合物（69mg)、及水（lml)以65°C攪拌 6小時，濃縮反應混合物而滴入於異丙醇中，以過濾、回收固體而乾燥’在固體中加入甲醇並過濾，使濾液滴入於異丙醇中，以過濾回收固體而乾燥，得到聚合物L铯鹽 (0. 19g)。使所得到之聚合物L鉋鹽稱為共軛高分子化合物 15。共輛高分子化合物15係由以式（AA)所示之構造單元所構成。共輛高分子化合物15之HOMO的軛道能量係 -5. 50eV，LUM0 之轨道能量為_2. 65eV。

o(ch2ch2o)3ch3 (AA) 179 323317 201220575 [實驗例16] (有機EL元件之製作及評估）之共二二ti:::分子化合物1 ’得到含有0.2重量% 板表面之m pi 成物。被成朗型化於玻璃基佈前述組成物45M)上’於大以藉旋塗法塗板在惰㈣境下(氮環境下1 ν 衣兄下）、以HOC進仃加熱10分鐘，子:合ί電ΐ然冷卻至室溫’得到形成有含共扼高分 °物1之電子注人層的基板。、久/w=i合發光咼分子材料（Sumati〇n(股）|j「Lu 刀，的發光層形成用组成物。於形成有含上述所得到之共扼高分子化合物1之層的基板之含共l€高分子化合物 ^之層上’於大氣巾藉旋塗法塗佈發光層形成用組成物， ^到f厚I之塗膜。使設有此塗狀基板在惰性環境下 (氮環i兄下）、以130 C進行加熱15分鐘，使溶劑蒸發後，自然冷卻至室溫，得到形成有發光層之基板。、其次，於形成有上述所得到之發光層的基板之發光層上，在大氣中藉旋塗法塗佈電洞注入材料溶液，得到膜厚 6〇nm之塗膜。使設有此塗膜之基板在惰性環境下（氮環境下）、以13(TC進行加熱15分鐘，使溶劑蒸發後，自然冷卻至至溫，得到形成有電洞注入層之基板。此處，於電洞注入材料溶液係使用Starch V-tech(股）製之PEDOT : PSS 洛液（聚（3, 4-乙烯二氧噻吩）·聚苯乙烯磺酸（製品名： 323317 180 201220575 r Baytron」）。介壯® &成4有含上迷所得到之電洞注入層之基板插入於真空裝置内，雜直办 7 ,, ^ ’工療錢法而於該層之上使Au成膜80nra ’

形成陽極，制、^ a A 從 1造層合構造體1。學产下置取出上述所得到之層合構造體2 ’在惰性 &兄^ ,職*%境下）以密封玻璃與2液混合型環境樹脂密封，付到有機EL元件卜 [表1 ] ------- 發光亮度 (cd/m2) ------........ 發光效率 ___ (cd/A) _有機EL元件1 3580 3. 1 於上述所得到之有機EL元件施加10V之順方向電壓，剩定發光亮度與發光效率，結果表示於表。 [實驗例17] (兩面發光型之有機EL元件的製作及評估）在實驗例13巾’除使Au謂厚為—以外，其餘係與實驗例13同樣地操作，得到兩面發光型之有機乩元件 2 ° 於上述所得到之兩面發光型之有機EL元件2施加⑽ 之順方向電壓’測定發光亮度與發光效率，結 2中。 323317 181 201220575 .[表 2] 發光亮度 (cd/m2) 發光效率 (cd/A) 有機EL元件2 上面側：1091 下面側：5341 上面側：0. 3 下面側：1. 1 如表1及2所示般，在大氣中以塗佈製程形成離子性聚合物膜，可確認出形成有電子注入層之逆層合的有機EL 元件進行發光。【圖式簡單說明】第1圖係模式性表示有機EL元件之截面圖。第2圖係模式性表示有機EL元件之製造方法的圖。【主要元件符號說明】 1 有機EL元件 2 支撐基板 3 陰極 4 電子注入層 5 發光層 6 電洞注入層 7 陽極 11 一者之捲芯 12 另一者之捲芯 13、14、15、16 塗佈裝置 182 323317

Claims

201220575 -七、申請專利範圍： 1. 一種有機EL元件之製造方法’其係藉由捲軸式法而於支樓基板上依序層合陰極、電子注入層、發光層及陽極而製作有機EL元件，其特徵係包含如下之步驟：在形成有陰極之支撐基板的陰極上’藉由塗佈含有離子性聚合物之油墨而成膜以形成電子注入層的步驟；於電子注入層上形成發光層之步驟；於發光層上形成陽極之步驟。 2. 如申晴專利範圍第1項所述之方法，其中，支撐基板為由金屬薄板所構成。 3·如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，在形成電子注入層之步驟中，在常壓之環境下塗佈前述印墨。 323317