201217273 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種氫化銅微粒子分散液之製造方法、導 電墨水及附導體之基材之製造方法。 【先前技術】 例如作為具有印刷配線等電路圖案等的附導體之基材之 製造方法，已知有利用噴墨印刷法將包含分散有銀、銅等 之金屬微粒子之分散液的導電墨水印刷於基材上，進行锻 燒而形成導體之方法。作為金屬微粒子，就成本之方面而 言，銅微粒子較銀微粒子更為有利。但是，由於銅微粒子 易被氧化，故而存在導體之體積電阻率增大，導電性下降 之問題。 因此’揭示有為了抑制導體之體積電阻率之增大而分散 有於大氣中不易被氧化之氫化銅微粒子的氣化銅微粒子分 散液（專利文獻1)。作為該氫化鋼微粒子分散液之製造方 法，揭示有於含有銅（11)離子之pH值為3以下之水溶液中添 加十二烷基胺等烷基胺與非水溶性有機性液體，利用
NaBH4等還原銅（„)離子，其後分離有機相之方法。於該 方法中，於水相中藉由銅（„)離子之還原而生成之氮化銅 之微粒子係藉由於其表面配位烷基胺而進入有機相中。藉 此，可抑制所生成之氫化銅於水中轉化為銅（11)離子與氧 化銅（II)。 於使用所獲得之氫化銅微粒子分散液製造附導體之基材 時，塗佈於基材上後進行烺燒。藉此，氫化銅微粒子中之 159582.doc 201217273 氫化銅轉化為金屬銅，進而微粒子表面之烧基胺脫離，金 屬銅微粒子彼此熔融、結合，藉此形成導體。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :國際公開第04/1 1 0925號手冊 【發明内容】 發明所欲解決之問題 於專利文獻1中記載之氫化銅微粒子分散液之製造方法 中，於使用所獲得之氫化銅微粒子分散液形成導體時，需 要於超過150°C之溫度（例如350。(：左右）下之煅燒。若煅燒 >JUL度較问’則就基材本身之熱劣化方面而言，無法應用於 聚對苯二甲酸乙二酯（PET ’ polyethylene terephthalate)、 聚萘二甲酸乙二酯（PEN，polyethylene naphthalate)等材質 之基材。 本發明之目的在於提供一種即便對於PET、pen等之基 材，亦可形成體積電阻率較小之導體的氫化銅微粒子分散 液之製造方法。又，本發明之目的在於提供一種使用藉由 上述製造方法所獲得之氫化銅微粒子分散液之導電墨水、 及使用該導電墨水之附導體之基材之製造方法。 解決問題之技術手段 本發明為了解決上述課題而採用以下構成。 [1] 一種氫化銅微粒子分散液之製造方法，其係於下述溶 劑（A)中，於下述烷基胺（B)之存在下，利用氫化物系還原 劑還原銅（II)鹽者， 159582.doc 201217273 溶劑（A)係溶解度參數（SP值，Solubility Parameter)為 8〜12且對於上述氫化物系還原劑為惰性之溶劑， 烷基胺（B)係具有碳數為7以上之烷基且沸點為25〇艺以 下之烷基胺。 [2] 如[1]之氫化銅微粒子分散液之製造方法，其中上述銅 (II)鹽係選自由乙酸銅（Π)、甲酸銅（π)、硝酸銅（II)及碳酸 銅（II)所組成之群中之至少1種。 [3] 如[1]或[2]之虱化銅微粒子分散液之製造方法，其中上 述銅（II)鹽與上述烷基胺（B)之莫耳比（Cu/B)為ι·8以下。 [4] 如[1]至[3]中任一項之氫化銅微粒子分散液之製造方 法’其中上述烧基胺（Β)係選自由正庚基胺、正辛基胺、 正壬基胺、1-胺基癸烷及1_胺基十一烷所組成之群中之至 少1種。 [5] 如[1]至[4]中任一項之氫化銅微粒子分散液之製造方 法，其獲得分散有平均一次粒徑為1 〇〇 nm以下之氫化銅微 粒子的氮化銅微粒子分散液。 [6] —種導電墨水’其係使用藉由如[丨]至[5]中任一項之氮 化銅微粒子分散液之製造方法所製造之氫化銅微粒子分散 液而製造者。 [7] —種附導體之基材之製造方法，其係於基材上塗佈如 [6]之導電墨水，進行加熱而形成導體。 發明之效果 根據本發明之氫化銅微粒子分散液之製造方法，可獲得 一種即便對於PET、PEN等之基材’亦可形成體積電阻率 159582.doc 201217273 較小之導體的氫化銅微粒子分散液。 又’本發明之導電墨水係即便對於PET、pen等之基材 亦可形成體積電阻率較小之導體。 又’根據本發明之附導體之基材之製造方法，即便採用 PET、PEN等之基材，亦可獲得具有體積電阻率較小之導 體的附導體之基材。 【實施方式】 <氫化銅微粒子分散液之製造方法> 本發明之氫化銅微粒子分散液之製造方法係於下述溶劑 (A)中，於下述烷基胺（B)之存在下，利用氫化物系還原劑 還原銅（II)鹽之方法。 作為銅（II)鹽，可使用可與烷基胺（B)形成銅（π)胺錯合 物之鹽。銅（II)鹽可為無水物，亦可為水合物。 銅（II)鹽係表示為CuX2或CuY ^此處，X為1價鹽基，Υ 為2價鹽基。一般認為’於該銅（π)鹽被氫化物系還原劑還 原而生成氫化銅微粒子時，銅（H)鹽中所含之X以HX之形 式游離，Y以HZY之形式游離。於本發明中，較佳為該游 離之HX或Η〗Υ(以下，亦稱為游離酸）之沸點或分解點為 15 0°C以下之鹽。其原因在於：游離酸於導體形成時之加 熱時易揮發，易形成體積電阻率較低之導體。 作為銅（II)鹽，例如可列舉：草酸銅（π)(游離之草酸之 分解點：189.5°C )、氣化銅（π)(游離之鹽酸之沸點： ll〇°C)、乙酸銅（11)(游離之乙酸之沸點：丨18。〇）、曱酸銅 (11)(游離之甲酸之沸點：100 75〇c)、硝酸銅（π)(游離之硝 159582.doc 201217273 酸之沸點：82.6。(：）、硫酸銅（Π)(游離之硫酸之沸點： 290 C )、酒石酸銅（11)(游離之酒石酸之沸點、分解點：不 明）、擰檬酸銅（11)(游離之擰檬酸之分解點：1)、碳酸 銅（11)(游離之碳酸之彿點、分解點：不明）、油酸銅（H)(游 離之油酸之沸點：193。(： /100 Pa，分解點：400。(：以上）。 其中，較佳為乙酸銅（II)、甲酸銅（π)、硝酸銅（π)、碳酸 銅（II)。 銅（Π)鹽可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 作為氫化物系還原劑，例如可列舉：NaBH4、LiBH4、
Zn(BH4)2、（CH3)4NBH(OCOCH3)3、NaBH3CN、LiAlH4、 (i-Bu)2A1H(DIBAL，二異丁基氫化鋁）、LiA1H(t Bu〇)3、 NaAlH2(0CH2CH20CH3)2(Red-Al，紅鋁）等。其中，就易 調節對氫化銅微粒子之粒徑之控制較為重要之還原速度方 面而言，較佳為選自由NaBH4、LiBHU、及NaBH3CN所組 成之群中之至少1種。 氫化物系還原劑可單獨使用丨種，亦可併用2種以上。 /谷劑（A)係溶解度參數（sp值）為8〜丨2之溶劑。若sp值為 8〜12，則溶劑（A)與水之相溶性較低，可抑制水混入反應 體系中。藉此，可抑制溶解於溶劑（A)中之氫化物系還原 劑與水反應而鈍化β 溶劑（Α)之SP值更佳為8.5〜9·5。 作為溶劑’例如可列舉：環己烷（SP值8.2)、乙酸異 丁酯（SP值8·3)、乙酸異丙酯（卯值8 4)、乙酸丁酯（卯值 8.5)、四氯化碳（SP值8.6)、乙苯（卯值8 8) '二甲苯（卯值 159582.doc 201217273
8·8)、甲苯（SP值8.9)、乙酸乙酯（SP值9.1)、四氫呋喃（SP 值9.1)、苯（SP值9.2)、氯仿（SP值9_3) '二氣曱烷（SP值 9·7)、二硫化碳（SP值1〇.〇)、乙酸（SP值10.1)、吡啶（SP值 1〇·7)、二甲基甲醯胺（81>值12.〇)等。 又’使用對於還原反應中所使用之氫化物系還原劑為惰 性之溶劑作為溶劑（Α)。即，使用不會被還原反應中所使 用之氫化物系還原劑還原之溶劑、或不具有活性氫之溶劑 作為溶劑（Α)，藉此可抑制由氫化物系還原劑引起之鈍 化》 作為溶劑（Α) ’就容易控制還原反應方面及所生成之氫 化銅微粒子之分散性方面而言，較佳為曱苯、二甲苯、苯 等烴類；四氫呋喃等醚類；乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸 異丁酯等酯類；尤佳為甲苯、二甲苯。 溶劑（Α)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 又，氫化物系還原劑根據種類而於還原能力方面存在差 異。例如NaBH4不還原酯類，但LiA1H4還原酯類。因此， 根據所使用之氫化物系還原劑之種類，自上述溶劑（a)所 記載之溶劑中選用適當之溶劑。 烧基胺（B)係具有碳數為7以上之炫基且沸點為，。C以 下之烷基胺。 上’則所生成之氫化 於本發明中，由於反 若烷基胺（B)中之烷基之碳數為7以 銅微粒子之分散性變得良好。再者， 應場所為有機相，故而無需為保護其免受水影響而使用碳 數較高之烧基胺。就抑制沸點變得過高之方面而言，院基 J59582.doc 201217273 胺（B)中之烷基之碳數較佳為11以下。 若烧基胺（B)之沸點為25(TC以下，則形成導體時，即便 採用150°C以下之加熱’烷基胺（B)亦可自微粒子表面脫 離、揮發而形成體積電阻率較低之導體。就加熱時之脫離 • 性及揮發性方面而言’烷基胺（B)之沸點較佳為250°C以 . 下，更佳為2〇〇艺以下。又，就使烷基之碳數成為7以上之 方面而言’烷基胺（B)之沸點通常較佳為i50〇c以上。 就所獲得之氫化銅微粒子之分散穩定性方面而言，烧基 胺（B)之烷基較佳為直鏈烷基。惟，烷基胺（B)之烷基亦可 為分支烷基。 作為烧基胺（B) ’較佳為正庚基胺（烧基之碳數為7，沸 點為157°C )、正辛基胺（烷基之碳數為8，沸點為i76°c )、 正壬基胺（烷基之碳數為9，沸點為201。〇、1-胺基癸烷（烷 基之碳數為10，沸點為220。〇、1-胺基十一烷（烷基之碳數 為11 ’沸點為242。〇，更佳為正庚基胺、正辛基胺。 烧基胺（B)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 本發明之氫化銅微粒子分散液之製造方法係於烷基胺 (B)之存在下，利用氫化物系還原劑還原銅（π)鹽，藉此生 成氫化銅微粒子。於烷基胺之存在下，烷基胺配位 於銅（Π)上而形成銅（11)胺錯合物後，利用氫化物系還原劑 還原該銅（11)胺錯合物。藉此，可抑制由銅（II)鹽之急遽還 原引起的氫化銅之塊之形成，而生成於氫化鋼之微粒子之 表面配位有烷基胺（B)之氫化銅微粒子。 又，於本發明之製造方法中，氫化物系還原劑於溶劑 159582.doc 201217273 (A)中之溶解性並不太高，因此大部分以固形物形式存在 於溶劑（A)中，一部分溶解於溶劑（A)中。若溶解於該溶劑 (A) 中之氫化物系還原劑係還原銅（π)鹽而被消耗，則以固 形物形式存在之氫化物系還原劑緩慢地溶解至溶劑 中。並且，由於緩慢地溶解至溶劑（A)中之氫化物系還原 劑逐漸有助於還原反應，故而還原反應不會急遽地進行， 而是穩定地生成氫化銅微粒子。 所生成之氫化銅微粒子藉由於表面配位有烷基胺（B)， 而可分散於溶劑（A)中。 於溶劑（A)中添加銅（II)鹽、氫化物系還原劑、烷基胺 (B) 之順序較佳為烷基胺（B)、銅（II)鹽、氫化物系還原劑之 順序。藉此，於形成上述銅（11)胺錯合物後，該銅（π)胺錯 合物之利用氫化物系還原劑之還原變得容易進行，可更穩 定地獲得氫化銅微粒子。 其中’於溶劑（A)中添加鋼（11)鹽、氫化物系還原劑、烷 基胺（B)之順序只要為由氫化物系還原劑引起之還原反應 於烷基胺（B)之存在下進行之順序，則不限定於上述順 序。例如亦可以烧基胺（B)、氫化物系還原劑、銅（11)鹽之 順序添加至溶劑（A)中。於該情形時，氫化物系還原劑於 溶劑（A)中以固形物形式存在，於溶劑中形成上述銅 (Π)胺錯合物後’以固形物形式存在之該銅（π)胺錯合物與 氫化物系還原劑反應。進而，以氫化物系還原劑、烷基胺 (Β)、銅（II)鹽之順序添加亦無妨。 由氫化物系還原劑引起之還原反應亦可一面對溶劑 159582.doc -10· 201217273 進行授摔一面進行。葬ilf，'費JS广士 逛仃鞛此還原反應變得容易進行。 反應溫度較佳為〇〜8(TC，更佳 .L 更佳為15〜5〇C。若反應溫度 為上述範圍之下限以上，則撰原 還原反應谷易進行。若反應溫 度為上述範圍之上限以下，則 幻所獲仔之虱化銅微粒子分散 液中之氧化銅微粒子之分勒抽自Jt2· ύΛ. m t之刀散陡良好，結果變得容易形成體 積電阻率較小之導體。 就氨化銅微粒子之生產性方㈣言，銅σ㈣之添加量 相對於溶劑⑷！ g，較佳為0_lxl0.3莫耳以上， ⑶XW莫耳以上，尤佳為〇.25χ1〇-3莫耳以上。又，就容 易控制還原反應方面而t，鋼(„)鹽之添加量相對於溶劑 (A)l g，較佳為〇.65xlo-3莫耳以τ，更佳為〇、耳以 下，尤佳為0.5x10-3莫耳以下。 、 就所獲得之氫化銅微粒子分錢中之氫化銅微粒子之分 散性良好之方WT，貌基胺（Β)之添加量相對於溶劑 (A)l g’較佳為〇.2χ1〇-3莫耳以±，更佳為〇25χΐ〇3莫耳以 上，尤佳為0.3χ10-3莫耳以上。又，若烧基胺（β)之添加量 過量，則未完全配位於銅（„)鹽上之烷基胺（Β)於導體形成 時殘留’而有使導體之體積電阻率上升之虞。因此，烧基 胺（Β)之量之上限相對於溶劑（A)1 g較佳為〇75χΐ〇.3莫耳以 下，更佳為0.7Χ10·3莫耳以下，尤佳為〇6><1〇.3莫耳以下。 就氫化銅微粒子之產率方面而言，氫化物系還原劑之添 加量相對於溶劑（A)l g，較佳為0.25Χ10·3莫耳以上，更^ 為0.3X10·3莫耳以上，尤佳為〇35χ1〇_3莫耳以上。又就 容易控制還原反應方面而言，氫化物系還原劑之添加量相 159582.doc 201217273 對於溶劑（A)l g，較佳為〇.65xl〇·3莫耳以下’更佳為 0.55X10·3莫耳以下，尤佳為〇 5χ1〇_3莫耳以下。 就所生成之氫化銅微粒子之分散穩定性良好之方面而 δ ’ /谷劑（Α)中所添加之銅（Η)鹽（Cu)與烷基胺（Β)之莫耳比 (Cu/B)較佳為i.8以下，更佳為丨4以下’尤佳為12以下。 又，就容易藉由導體形成時之加熱使烷基胺（B)自微粒子 表面脫離及揮發方面而言，上述莫耳比（Cu/B)較佳為〇 64 以上，更佳為0.85以上。 就容易使還原反應充分進行之方面而言，溶劑（A) t所 添加之銅（II)鹽（Cu)與氫化物系還原劑（R)之莫耳比（Cu/R) 較佳為1_42以下，更佳為u以下，尤佳為1 2以下。又， 就容易控制還原反應方面而言，上述莫耳比（Cu/R)較佳為 0.7以上，更佳為〇·8以上，尤佳為〇 9以上。 所生成之氫化銅微粒子（一次粒子）之平均一次粒徑較佳 為lOOnm以下，更佳為5〜70nm，尤佳為5〜351^。若氫化 銅微粒子之平均一次粒徑為上述範圍之上限以下，則作為 微粒子之特徵的低溫下之燒結性變得良好，可降低所獲得 之導體之體積電阻值。又，若氫化銅微粒子之平均一次粒 徑為上述範圍之下限以上，則可使氫化銅微粒子穩定地分 散。於本說明書中，將經分散之粒子之最小單位設為一次 粒徑。又，於為處於凝聚狀態之粒子之情形時，將構成凝 聚體之各個粒子設為一次粒子。 氫化銅微粒子之平均一次粒徑可藉由烷基胺（B)之添加 量、及氫化物系還原劑之添加量而調節。藉由增加貌基胺 I59582.doc 12 201217273 ()之添加量，有氫化銅微粒子之平均一次粒徑減小之傾 向。又，藉由減少氫化物系還原劑之添加量，有氫化銅微 粒子之平均一次粒徑減小之傾向。 再者，氫化銅微粒子之平均一次粒徑係使用穿透式電子 顯微鏡或掃描式電子顯微鏡，測定隨機抽取之100個微粒 子之粒徑，求出該等之平均值而獲得之值。 氫化銅微粒子分散液（100質量％)之固形物成分濃度較佳 為1〜6質量％，更佳為2 5〜4·5質量％。若氫化銅微粒子分散 液之固形物成分濃度未達上述範圍之下限，則有濃縮步驟 耗時，生產性下降之虞。若氫化銅微粒子分散液之固形物 成分濃度超過上述範圍之上限，則有氫化銅微粒子分散液 中之氫化鋼微粒子之分散穩定性惡化之虞。 本發明中之氫化銅微粒子藉由加熱而使烷基胺（Β)脫 離。又，氫化銅藉由例如6(TC以上之加熱而轉化為金屬 銅。因此，本發明中之氫化銅微粒子可藉由加熱使粒子表 面之烧基胺（B)脫離，使氫化銅轉化為金屬銅，使所生成 之金屬銅微粒子彼此熔融、結合，藉此形成導體。 根據以上所說明之本發明之氫化銅微粒子分散液之製造 方法，可獲得分散有可形成體積電阻率較小之導體之氫化 銅微粒子的氫化銅微粒子分散液。其原因在於：氫化銅與 金屬銅相比不易被氧化，藉由本發明之製造方法所生成之 氫化銅微粒子於大氣中保存時、加熱時等之氧化受到抑 制。 又’根據本發明之氫化銅微粒子分散液之製造方法，可 159582.doc 13 201217273 獲得分散有即便藉由150。〇以下之加熱亦可形成導體之氯 化銅微粒子的氫化銅微粒子分散液。其原因在於：由氫化 銅微粒子轉化而成之金屬銅微粒子彼此在低於粒子之表面 熔解現象之溫度（100〜120。(：程度）下亦熔融、結合，並且 於本發明之製造方法中，藉由使用沸點為25〇t以下之烷 基胺（B) ’即便藉由15(TC以下之加熱亦使烷基胺（B)自微粒 子表面脫離。本發明之製造方法並非如專利文獻1中記載 之方法般於水中還原銅（Π)，而是於溶劑（A)中還原銅 (II)，因此無須使所生成之氫化銅自水相進入有機相。因 此，利用烷基胺（B) ’可確保溶劑（A)中之氫化銅微粒子之 分散性，並且亦可確保150。〇以下之加熱下之脫離性。 <導電墨水> 本發明之導電墨水係使用藉由上述製造方法所獲得之氫 化銅微粒子分散液而製造之墨水。 本發明之導電墨水中之溶劑可使用上述溶劑（a)，亦可 置換為溶劑（A)以外之其他溶劑（以下，記為「溶劑 (C)」）。即，本發明之導電墨水係藉由調整藉由上述製造 方法所獲得之氫化銅微粒子分散液之固形物成分濃度、黏 度，或將溶劑（A)置換為溶劑（c)來調整固形物成分濃度、 黏度而獲得。 & 作為溶劑（C) ’較佳為使用非水溶性有機溶劑。所謂非 水溶性，意指於室溫（2(rc)下於水1〇〇g中之溶解量為 以下。就與絲胺（B)之親和性方面而言，溶劑（c)較佳為 極性較小之有機溶劑。又，溶劑（c)較佳為不會因形成導 159582.doc -14· 201217273 體時之加熱而引起熱分解者。 作為溶劑（c)，例如可列舉：癸烷（不溶於水）、十二烷 (不/合於水）、十四烷（不溶於水）、癸烯（不溶於水）、十二烯 (不冷於水）' 十四烯（不溶於水）、雙戊烯（於水丨呂中之溶 解1為0.001 g(2〇 c ))、α_松油醇（於水1〇〇 g中之溶解量為 μ g(2(rc))、均三f苯（不溶於水）等m墨水之乾 燥性之控制、塗佈性之控制較為容易之方面而言，較佳為 α-松油醇、癸烷、十二烷、十四烷。 溶劑（C)可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為將氫化銅微粒子分散液之溶劑（Α)置換為溶劑（c)之 方法，可採用公知之溶劑置換方法，例如可列舉：將溶劑 (Α)減壓濃縮，同時添加溶劑（c)之方法。 本發明之導電墨水（100質量％)之固形物成分濃度根據所 要求之黏度而有所不同，較佳為i5〜7〇質量％，更佳為 20〜60質量％。若導電墨水之固形物成分濃度為上述範圍 之下限以上，則容易形成具有充分之厚度之導體。若導電 墨水之固形物成分濃度為上述範圍之上限以下，則黏度、 表面張力等墨水特性之控制較為容易，導體之形成變得容 易。 本發明之導電墨水之黏度較佳為5〜6〇 mPa · s，更佳為 8〜40 mpa · s。若導電墨水之黏度為上述範圍之下限以 上，則可精度良好地噴出墨水。若導電墨水之黏度為上述 範圍之上限以下，則可應用於可獲得之幾乎所有噴墨頭。 本發明之導電墨水之表面張力較佳為2〇〜45 dyn/cm，更 159582.doc •15· 201217273 佳為25〜40 dyn/cm。若導電墨水之表面張力為上述範圍之 下限以上’則可精度良好地喷出墨水。若導電墨水之表面 張力為上述範圍之上限以下 0 » 限以下則可應用於可獲得之幾乎所 有喷墨頭。 <附導體之基材之製造方法> 本發明之附導體之基材之製造方法係於基材上塗佈上述 之本發明之導體墨水，進行加熱而形成導體之方法。 作為基材’可列舉：玻璃基板、塑膠基材（ρΕτ基材、 PEN基材等）、纖維強化複合材料（玻璃纖維強化塑膠基板 等）等。 作為塗佈導體墨水之方法，可列舉：喷墨印刷、網版印 刷、報塗法、氣刀塗佈法、刮塗法、棒塗法、凹版塗佈 法、模塗佈法、喷塗法、斜板式塗佈法等方法。其中，尤 佳為喷墨印刷。 於喷墨印刷之情形時，就容易形成所需圖案之導體方面 而吕，較佳為將墨水喷出孔之孔徑設為〇 5〜1〇〇 ，設法 使附著於基材上時之導電墨水之直徑成為pm。 於基材上塗佈導電墨水後之加熱溫度較佳為6〇〜3〇〇它， 更佳為60〜150°C。 加熱時間只要根據加熱溫度，設定可使溶劑、自銅 (II)鹽游離之酸、自微粒子表面脫離之烷基胺（B)等揮發而 形成導體之時間即可。 又，就容易抑制所形成之導體之氧化方面而言，加熱較 佳為於氮氣環境等惰性氣體環境下進行。 I59582.doc •16· 201217273 導體之厚度較佳為0.3 ~2·0 μιη。於導體之厚度為未達〇 3 μιη之情形時，厚度過薄，而有難以均勻地獲得規定之導 電性之虞。又’於導體之厚度超過2·〇 μηΐ2情形時，有由 配線厚度引起之階差於電路形成方面成為問題之虞。 導體之體積電阻率較佳為3〜35 μΏ · cm。於導體之體積 電阻率未達3 μΩ · cm之情形時，所獲得之配線之電阻值無 問題’但進行金屬粒子之燒結時’會發生體積收縮較大之 狀況’而導致配線產生龜裂，故而欠佳。另一方面，於導 體之體積電阻率超過35 μΩ· cm之情形時，所獲得之配線 之電阻值較咼’有無法根據電路設計形成細線之導電圖案 之虞，故而欠佳。 根據以上所說明之附導體之基材之製造方法，由於即便 藉由l5〇°C以下之加熱亦可形成導體，故而於使用pet、 PEN等耐熱性較低之基材之情形時，亦可獲得具有體積電 阻率較小之導體的附導體之基材。 實施例 以下，藉由貫施例詳細地說明本發明，但本發明不限定 於以下之記載。例1〜4為實施例，例5、6為比較例。 [測定方法] (微粒子之鑑定） 微粒子之鑑定係使用X射線繞射裝置（Rigaku機器公司製 造，RINT2500)而進行。 (微粒子之平均粒徑） 使用穿透式電子顯被鏡（日立製作所公司製造，H_ 9000) 159582.doc •17- 201217273 司製造，S-800)測定隨 5玄等之平均值。 或掃描式電子顯也鏡（曰土製作所公 機抽取之10 0個微粒子之粒徑，求出 (導體之厚度） 導體之厚度係使用接觸式膜厚測定裝置（Veec〇公司製 造，DEKTAK150)而測定。 (導體之體積電阻率） 導體之體積電阻率係將使用四探針式電阻計（三菱油化 公司製造，L〇restaGP MCP_T61〇)測得之表面電阻值乘以 導體之厚度而求出。 [例1] 於玻璃容器中添加作為溶劑（A)之甲苯3〇〇 g、作為鋼⑴) 鹽之甲酸銅（II)四水合物30 g、及作為烷基胺（B)之正庚基 胺（沸點157 C )15 g並攪拌。繼而，添加NaBH4 4·5 g作為氫 化物系還原劑並攪拌，藉此獲得於甲苯中分散有微粒子之 黑色分散液。 回收S亥分散液中之微粒子，利用X射線繞射進行鏗定， 結果確認為氫化銅微粒子。氫化鋼微粒子（一次粒子）之平 均一次粒徑為10 nm〇又，所獲得之氫化銅微粒子分散液 之固形物成分濃度為4質量％。 對所獲得之氫化銅分散溶液進行減壓濃縮，並添加心松 油醇作為溶劑（C) ’藉此調整黏度而獲得導電墨水。所獲 得之導電墨水之固形物成分濃度為3 〇質量0/〇。 使用該導電墨水，利用喷墨印刷機，於pET膜上印刷長 度5 cm、寬度2 mm之配線圖案。於氮氣環境下’於ι5(Γ(： 159582.doc 201217273 下將印刷後之PET膜加熱1小時，而獲得附導體之ρΕτ膜。 所形成之導體之體積電阻率為20 μΩ · cm。 [例2] 使用例1中所示之導電墨水，利用喷墨印刷機，於pET 膜上印刷長度5 cm、寬度2 mm之配線圖案。於氮氣環境 下，於120°C下將印刷後之PET膜加熱1小時，而獲得附導 體之PET膜。所形成之導體之體積電阻率為4〇 μΩ · cm。 [例3] 除使用正辛基胺（沸點176°C )代替正庚基胺以外，以與 例1相同之方式獲得分散液。回收該分散液中之微粒子， 藉由X射線繞射進行鑑定，結果確認為氫化銅微粒子。氫 化銅微粒子（一次粒子）之平均一次粒徑為12 nm。又，所 獲得之氫化銅微粒子分散液之固形物成分濃度為28質量 使用所獲得之氫化銅微粒子分散溶液，以與例1相同之 方式獲得導電墨水。該導電墨水之固形物成分濃度為27質 量％。 使用該導電墨水，以與例1相同之方式獲得附導體之 PET膜。所形成之導體之體積電阻率為27 μΩ · cm。 [例4] 使用例1中所示之導電墨水，利用喷墨印刷機，於玻璃 基板上印刷長度5 cm、寬度2 mm之配線圖案。於氮氣環境 下’於350°C下將印刷後之玻璃基板加熱1小時，而獲得玻 璃基板。所形成之導體之體積電阻率為8 μΩ· cm。 159582.doc 201217273 [例5] 除使用十八烷基胺（沸點349t )代替正庚基胺以外，以 與例1相同之方式獲得分散液。回收該分散液中之微粒 子’藉由X射線繞射進行鑑定，結果確認為氫化銅微粒 子。氫化銅微粒子（一次粒子）之平均一次粒徑為丨丨nm。 又’所獲得之氫化銅微粒子分散液之固形物成分濃度為 3.1質量％。 使用所獲得之氫化銅微粒子分散溶液，以與例1相同之 方式獲得導電墨水。該導電墨水之固形物成分濃度為3〇質 量％。 使用該導電墨水’利用喷墨印刷機，於PET膜上印刷長 度5 cm、寬度2 mm之配線圖案。於氮氣環境下，於i5〇〇c 下將印刷後之PET膜加熱1小時，而獲得附金屬膜之pET 膜。但是，所形成之金屬膜未觀察到導電，無法測定體積 電阻率。 [例6] 除使用十四烷基胺（沸點291eC)代替正庚基胺以外，以 與例1相同之方式獲得分散液。回收該分散液中之微粒 子，藉由X射線繞射進行鑑定，結果確認為氫化銅微粒 子。i化銅微粒子（一次粒子）之平均一次粒徑為12 nm。 又，所獲得之氫化銅微粒子分散液之固形物成分濃度為 3.2質量。/〇。 使用所獲得之氫化銅微粒子分散溶液，以與例1相同之 方式獲得導電墨水。該導電墨水之固形物成分濃度為29質 159582.doc -20- 201217273 量％。 使用該導電墨水，以與例5相同之方式獲得附金屬膜之 PET膜。但是，所形成之金屬膜未觀察到導電，無法測定 體積電阻率。 將例1〜6之體積電阻率之測定結果示於表1。 [表1] 烷基胺(B) 基板 加熱 溫度 rc] 導體之體積電阻 率[μΩ · cm] 種類 院基之 碳數 ί弗點 例1 正庚基胺 7 157 PET 150 20 例2 正庚基胺 7 157 PET 120 40 例3 正辛基胺 8 176 PET 150 27 例4 正庚基胺 7 157 玻璃 350 8 例5 十八烷基胺 18 349 PET 150 無法測定 例6 十四烷基胺 14 291 PET 150 無法測定 如表1所示，於使用烷基胺（B)之例1〜3中，即使藉由 150°C以下之加熱亦可形成體積電阻率較小之導體。另一 方面，於使用沸點超過250°C之烷基胺之例5及例6中，無 法測定所形成之金屬膜之體積電阻率，未表現出導電性。 認為其原因在於：於採用150°C之加熱時，於微粒子表 面，烷基胺不會脫離，金屬銅微粒子彼此無法充分結合。 又，於例4中，使用玻璃基板，將加熱溫度設為350°C而 形成導體。本發明之氫化銅微粒子分散液亦可應用於樹脂 製基板以外，亦可藉由於更高溫度下進行加熱而獲得體積 電阻率更良好之導體。 上文詳細地且參照特定實施形態對本發明進行了說明， 但從業者明瞭在不脫離本發明之範圍與精神之情況下可實 159582.doc -21 - 201217273 施各種修正或變更。 本申請案係基於2010年10月21日提出申請之日本專利申 請案2010-236497者，其内容作為參照併入本文中。 159582.doc -22-