TW201214428A - Optical recording medium and optical recording method - Google Patents

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Shuji Tsukamoto
Hiroyasu Inoue
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Tdk Corp
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Description

201214428 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於光記錄媒體及對該光記錄媒體記錄資 訊的光記錄方法，尤其是有關於提升資訊記錄之際的訊號 品質之技術。 【先前技術】 先前，爲了數位動畫內容的視聽、或數位資料的記錄 ’ CD、DVD、Blu-ray Disc: BD等光記錄媒體係被廣泛利 用。其中又以作爲次世代型DVD規格之一的BD，係記錄再 生時所用的雷射光波長是被設定成很短的405nm，接物透 鏡的開口數是被設定成0.85。支援BD規格的光記錄媒體側 ，係可對1個資訊記錄層進行25GB以上的記錄再生。 在這些記錄媒體中，作爲其記錄方式係有追記型光記 錄媒體和抹寫型光記錄媒體。追記型光記錄媒體，係爲具 有其記錄層只能寫入1次資訊之機能之類型的光記錄媒體 ，例如有 CD-R、DVD + /-R、PhotoCD、BD-R等之規格。抹 寫型光記錄媒體，係爲具有其記錄層可以重複寫入資訊之 機能之類型的光記錄媒體，例如有CD-RW、DVD + /-RW、 DVD-RAM、BD-RE等之規格。 在追記型光記錄媒體中，不只要提升記錄特性，還必 須要有初期記錄資訊不會劣化而能長期間保持的耐久特性 。甚至，在追記型光記錄媒體中，近年來由於對地球環境 問題的關心日益高漲，而也被要求了使用對環境負荷較小 -5- 201214428 的構成材料來構成之。 於是，例如專利文獻1中係提出了，將追記型光記錄 媒體的記錄層，以Ti和A1之合金爲主成分之材料來構成的 技術。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2004-284242號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 然而，專利文獻1中所記載的先前之光記錄媒體，若 是用於BD規格等，則在對記錄層記錄資訊之際的顫動或功 率範圍會有不足之可能性。其結果爲，造成即使在光拾取 器側，也必須要以高精度來控制雷射的記錄功率之問題。 本發明係有鑑於上記問題而硏發，目的在於，提供一 種提升再生時之顫動、或記錄功率之功率範圍特性的光記 錄媒體。 〔用以解決課題之手段〕 經由本發明人們深入硏究，上記目的係可藉由以下的 手段來達成。 亦即，達成上記目的的本發明，係爲一種光記錄媒體 ，其特徵爲’具備：基板；和覆蓋層；和Ti記錄層，係被 -6 - ⑧ 201214428 配置在前記基板與前記覆蓋層之間’含有Ti爲主成分且添 加有A1;和第1之Si記錄層’係被相鄰配置在前記1^記錄 層的前記覆蓋層側，含有Si爲主成分。 達成上記目的的光記錄媒體’係於上記發明中’其特 徵爲，前記第1之“記錄層的膜厚T1係被設定成4nm$T1$ 8nm ° 達成上記目的的光記錄媒體’係於上記發明’其特徵 爲，還具備：第2之Si記錄層’係被相鄰配置在前記Ti記 錄層的前記基板側’含有Si爲主成分。 達成上記目的的光記錄媒體，係於上記發明中’其特 徵爲，前記第2之Si記錄層的膜厚T2係被設定成lnm$T2S 3 nm 0 達成上記目的的光記錄媒體，係於上記發明中’其特 徵爲，相較於前記第1之Si記錄層的膜厚T1，前記第2之Si 記錄層的膜厚T2係被設定成較小。 達成上記目的的光記錄媒體，係於上記發明中，其特 徵爲，還具備：第1介電體層，係相鄰於前記第1之Si記錄 層的前記覆蓋層側而配置；和第2介電體層，係相鄰於前 記第2之Si記錄層的前記基板側而配置。 達成上記目的的本發明，係一種光記錄方法，係屬於 對在基板與覆蓋層之間具有資訊記錄層的光記錄媒體照射 雷射光束而記錄資訊的光記錄方法，其特徵爲，作爲前記 資訊記錄層係具備有：含有Ti爲主成分且添加有A1的Ti記 錄層：和第1之Si記錄層，係被相鄰配置在前記Ti記錄層 201214428 的前記覆蓋.層側，含有Si爲主成分；藉由前記雷射光束的 熱，使前記Ti記錄層及前記第1之Si記錄層，同時發生化 學性或物理性之變性，而記錄資訊。 達成上記目的的光記錄方法，係於上記發明中，其特 徵爲，前記資訊記錄層係還具備：第2之Si記錄層’係被 相鄰配置在前記Ti記錄層的前記基板側，含有Si爲主成分 :藉由前記雷射光束的熱，使前記Ti記錄層、前記第1之 Si記錄層及前記第2之Si記錄層，同時發生化學性或物理性 之變性，而記錄資訊。 〔發明效果〕 若依據本發明，則可提供一種，即使底値顫動等再生 時的訊號品質維持較高，同時功率範圍特性亦佳的光記錄 媒體。 【實施方式】 以下，一面參照添附圖面，一面說明本發明的實施形 態。 圖1中係圖示了第1實施形態所述之光記錄媒體10、和 其記錄再生時所用的光拾取器201之構成。從光源1所射出 之波長3 80〜450nm (此處係爲405nm )的發散性光束70， 係穿透過焦距Π爲15mm且具備球面像差補正手段93的準直 透鏡53，入射至偏光分束器52。入射至偏光分束器52的光 束70，係穿透過偏光分束器52，穿透過4分之1波長板54而 -8 - ⑧ 201214428 被轉換成圓偏光後，被焦距f2爲2mm的接物透鏡56，轉換 成收束光束。該光束係穿透過光記錄媒體10的覆蓋層20, 聚光在被形成於支持基板12與覆蓋層20之間的記錄再生層 14上》 接物透鏡56的開口係受光圈55所限制，開口數NA設 成0.70〜0.90 (此處係爲0.85)。被記錄再生層14所反射 的光束70，係穿透過接物透鏡56、4分之1波長板54而被轉 換成與往路差異90度的直線偏光後，被偏光分束器52所反 射。已被偏光分束器52所反射的光束70，係穿透過焦距f3 爲10mm的聚光透鏡59而被轉換成收束光，經由柱面透鏡 57，而入射至光偵測器32。在光束70，係在穿透過柱面透 鏡57之際，被賦予了非點像差。 光偵測器32，係具有未圖示的4個受光部，會分別輸 出相應於受光之光量的電流訊號。根據這些電流訊號，會 生成非點像差法所致之聚焦誤差（以下稱作FE )訊號、推 挽法所致之循軌誤差（以下稱作TE)訊號、光記錄媒體10 中所被記錄之資訊的再生訊號等。FE訊號及TE訊號，係進 行所望位準的增幅及相位補償後，回饋供給至致動器9 1及 92，進行聚焦及循軌控制。 圖2係第1實施形態所述之光記錄媒體1 0的剖面構造的 放大圖示。此外，光記錄媒體10係爲外徑約120mm、厚度 約1.2mm的圓盤形狀。該光記錄媒體10，係從光入射面10a 側起，具備：覆蓋層20、記錄再生層14、支持基板12所構 成。此外，在記錄再生層1 4中係可記錄資訊。作爲記錄再 -9 - 201214428 生層14之種類，雖然有可追記資訊但不能抹寫的追記型記 錄再生層、和可抹寫資訊的抹寫型記錄再生層，但此處係 例示了追記型記錄再生層。 支持基板12係爲用來確保光記錄媒體所被要求之厚度 (約1.2mm )，是厚度1.1 mm直徑120mm的原盤形狀之基 板，在光入射側的面，從其中心部附近往外緣部，螺旋狀 地形成有用來導引光束70所需的凹軌及凸軌。作爲支持基 板1 2的材料係可採用各種材料，例如可利用玻璃、陶瓷、 樹脂。這些當中就成型容易性的觀點來看，以樹脂較爲理 想。作爲樹脂係可舉例有：聚碳酸酯樹脂、烯烴樹脂、丙 烯酸樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙 烯樹脂、矽樹脂、氟系樹脂、ABS樹脂、尿烷樹脂等。在 這些之中，從加工性等觀點來看，又以聚碳酸酯樹脂或烯 烴樹脂，尤其理想。此外，支持基板12係由於不會成爲光 束70的光路，因此不需要有高透光性。此外，在本實施形 態中，凹軌及凸軌的間距係設爲〇.32//m。支持基板12的 厚度雖無特別限定，但在〇.〇5〜2.4mm之範圍內，較爲理 想。若未滿〇.〇5mm則強度面的觀點來看，基板的成形會變 得困難。另一方面，若超過2.4mm，則光記錄媒體10的質 量會變大而難以操作。支持基板12的形狀並無限定，但通 常是碟片狀、卡片狀或薄片狀。 被形成在支持基板12之上的記錄再生層14，係從支持 基板1 2側起，依序層積了反射膜1 5、隔絕層1 6、第2介電 體膜17B、第2之Si記錄層18B、Ti記錄層19、第1之Si記錄 -10- ⑧ 201214428 層18A、第1介電體膜17A所構成。 反射膜15，係採用以Ag爲主成分的合金，此處是採用 了 Ag-Nd-Cu合金。該反射膜15的膜厚係設定成例如5〜 300nm較爲理想，設定成20〜200nm則尤其理想。若反射 膜1 5的厚度未滿5nm則無法充分獲得反射機能。另一方面 ，若反射膜15的厚度超過300 nm，則成膜時間變長，生產 性會極度降低。因此，若如上記般地設定膜厚，則可同時 兼顧反射機能和量產性》在本實施形態中，係將反射膜1 5 之膜厚設定成8 Onm»此外，此處雖然針對反射膜15例示了 以Ag爲主成分的情形，但亦可使用例如以A1爲主成分的合 金。 隔絕層1 6係爲用來抑制反射膜1 5中所含之Ag等之金屬 的硫化而設的保護膜，是採用以ZnO爲主成分的合金，此 處是採用ZnO-SnO-InO合金。在本實施形態中，係將隔絕 層16之膜厚設定成5 run。此外，隨著反射膜15中所含的成 分，亦可省略該隔絕層1 6。 第2介電體膜17B及第1介電體膜17A，係除了保護第2 之Si記錄層18B、第1之Si記錄層18A的基本機能以外，還 具有使記錄標記形成前後的光學特性之差異（調變度）擴 大的效果。此外，爲了使記錄標記形成前後的光學特性的 差異增大，作爲第2介電體膜17B及第1介電體膜17A的材料 ’係選擇了在所使用之光束70的波長頻帶、亦即3 80nm〜 45 0nm(尤其是40 5nm)之波長頻帶下具有高折射率（η) 的材料，較爲理想。又，在照射光束70時，若被第2介電 -11 - 201214428 體膜17B及第1介電體膜17A所吸收的能量較大，則記錄感 度容易降低。因此，爲了防止此事，作爲這些第2介電體 膜17B及第1介電體膜17A的材料，是選擇在380nm〜450nm (尤其是405 nm )之波長頻帶下具有低吸收係數（k)的材 料，較爲理想。在本實施形態中，作爲第2介電體膜17B及 第1介電體膜17A的材料係採用硫化物及氧化物的混合物， 在本實施形態中係使用ZnS與Si02的混合物（莫耳比80 : 20 )。 此外，第2介電體膜17B及第1介電體膜17A，係只要是 透明的介電體材料，則亦可採用其他的材料。例如只要是 以氧化物、硫化物、氮化物或這些之組合爲主成分的介電 體材料即可，從 Al2〇3、AIN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、 CeO、SiO、Si02、SiN及SiC所成之群中選出至少1種介電 體材料爲主成分而含有，較爲理想。 又，若考慮光束70的波長係爲3 8 0nm〜450nm的藍色 波長頻帶，則第2介電體膜17B及第1介電體膜17 A的膜厚係 爲3〜200nm，較爲理想。若膜厚未滿3nm，則難以獲得保 護第2之Si記錄層18B的機能、及使記錄標記形成前後的光 學特性差異擴大之機能。另一方面，若超過20 Onm，則成 膜時間變長，生產性會降低。此處，係將第2介電體膜1 7B 設定成13.75 nm、將第1介電體膜17 A設定成18 nm。 第2之Si記錄層18B、Ti記錄層19及第1之Si記錄層18A 係爲，這3層會彼此交互作用形成不可逆的記錄標記的膜 。第2之Si記錄層18B、Ti記錄層19、第1之Si記錄層18 A係 -12- 201214428 彼此相鄰而層積，若被照射了具有所定功率以上的光束70 ，則藉由該熱量，3層會同時發生化學性或物理性變性， 該領域的反射率會有變化。雖然反射率變化的成因並不明 確，但推測是第2之Si記錄層18B、Ti記錄層19及第1之Si 記錄層18這3層的元素，在彼此接觸面發生部分或全體性 的互相混合，因此而造成反射率變化。其結果爲’，記錄標 記被形成之部分和其以外之部分（空白領域），對光束70 的反射率會大大不同。其結果爲，可進行資料的記錄、再 生。 第2之Si記錄層18B及第1之Si記錄層18A中所使用的材 料，是以矽（S i )爲主成分。在本實施形態中係例示了， 第1、第2之Si記錄層18A、18B的材料係僅由Si所構成的情 形。此外，作爲添加元素，亦可使其中含有例如Ge、Sn、 Mg、In、Zn、Bi、A1 等。 第1之Si記錄層18A的膜厚T1係被設定成〇nm$ T1S 1 Onm之範圍。理想係被設定成〇nm $ T 1 S 8.5 nm，更理想 則是被設定成4nmS T1 S 8nm。在本實施形態中，第1之Si 記錄層18A的膜厚T1係設成6nm。 第2之Si記錄層18B的膜厚T2係被設定成Onm S T2 S 8nm之範圍。理想係被設定成OnmS T2S 4nm，更理想則是 被設定成lnm S T2 S 3nm。在本實施形態中，第2之Si記錄 層18B的膜厚T2係設成2nm。 由這些數値範圍可知，在本實施形態中係把膜厚設定 成T1>T2，較爲理想。此外，這些數値範圍的具體根據， -13- 201214428 係後述的第1驗證例中說明。
Ti記錄層19所用的材料係以Ti爲主成分。具體而言是 採用了，對於主成分的Ti，添加有A1而成的Ti-Al之構成的 材料。具體而言_，對Ti添加A1爲25atm%〜50atm°/。之範圍 ，較爲理想。此處是設定成Ti: Al=68: 32( atm% )。此 外，作爲添加材料，係除了 A1以外，還可添加Zn、Ni、 Mg> Ag ' Au ' Si、Sn、Ge、P、Cr、Fe 等 1 或 2種以上的元 素。
Ti記錄層1 9的膜厚T3並無特別限定，但被設定成 5.5nmST3S9.25nm之範圍，較爲理想。更理想則是被設 定成5.5nm^T3S9nm，此處係設定成7.5nm» 此外，本實施形態中所謂的「主成分」，係指該材料 的含有比是比其他材料而言爲最大，意味著原子比或莫耳 比是含有50%以上的意思。 覆蓋層20係爲用來保護記錄層14的層，是由透光層的 聚丙烯酸系的紫外線硬化型樹脂所構成。覆蓋層20的層厚 ，雖然並無特別限定，但以1〜200 μ m爲理想，此處係設 成100 之膜厚。覆蓋層20的層厚若未滿lym，則難以 保護記錄再生層14。另一方面，若覆蓋層20的層厚超過 200 // m，則覆蓋層20的層厚會難以控制，並且難以確保光 記錄媒體10全體的機械精度〃 對該光記錄媒體10記錄資訊時，如圖2所示，對光記 錄媒體10將做過強度調變之光束70從覆蓋層20的光入射面 l〇a側入射，照射至記錄再生層14。一旦光束70被照射至 ⑧ -14- 201214428 記錄再生層14，則記錄再生層14會被加熱，構成第2之Si 記錄層18B、Ti記錄層19及第1之Si記錄層18A的各元素（ Si、Ti、Si )就會彼此混合。該混合部分係成爲記錄標記 ，其反射率係爲和其以外之部分（空白領域）之反射率爲 不同的値。 '接著，說明第1實施形態所述之光記錄媒體10的製造 方法。 首先，藉由使用印模的射出成型法，製作出形成有凹 軌及凸軌的支持基板12。此外，支持基板12的製作並不限 於射出成型法，亦可藉由2P法或其他方法來製作。 接著，在支持基板12中的設有凹軌及凸軌側的表面， 形成反射膜1 5。該形成係採用了，利用主成分含銀（Ag ) 之化學自由基的氣相成長法，例如濺鍍法或真空蒸著法。 尤其是使用濺鏟法，較爲理想。其後，在反射膜15之上， 形成隔絕層16 »該隔絕層16的形成也是使用氣相成長法爲 理想。然後，在隔絕層16之上形成第2介電體膜17B之際， 可使用利用了含有硫化物、氧化物、氮化物、碳化物、氟 化物或這些混合物的化學自由基之氣相成長法，其中又以 濺鍍法爲理想。 接著，在第2介電體膜17B之上，形成第2之Si記錄層 18B、Ti記錄層19、第1之Si記錄層18A。對於這些也是可 使用氣相成長法，其中又以使用濺鎪法較爲理想。 其後，在第1之Si記錄層18A之上，形成第1介電體膜 17A。關於第1介電體膜17 A也是，和第2介電體膜17B同樣 -15- 201214428 地’利用理想之主成分是含有硫化物、氧化物、氮化物、 碳化物、氟化物或這些混合物的化學自由基之氣相成長法 來形成之。其中又以使用濺鍍法爲理想。 最後，在第1介電體膜17A之上，形成覆蓋層2〇。覆蓋 層係例如’將經過黏度調整的聚丙嫌酸系或環氧系的紫外 線硬化型樹脂以旋轉塗佈等形成皮膜，對其照射紫外線而 硬化所形成。此外’亦可取代紫外線硬化性樹脂，改成將 由透光性樹脂所成的透光性薄片以接著劑或黏著劑等黏貼 在第1介電體膜17A之上而形成之。 此外’本實施形態中雖然說明了上記製造方法，但本 發明係並非特別限定於上記製造方法，亦可採用其他製造 技術。 本實施形態的光記錄媒體10係爲，作爲記錄再生層14 是具備有：Ti記錄層19、對該Ti記錄層19中的覆蓋層20側 相鄰配置的第1之Si記錄層18A、對Ti記錄層19的支持基板 12側相鄰配置的第2之Si記錄層18B。藉由採用該3層構造 ，就可提升再生時的顫動、或資訊記錄之際的功率範圍特 性。 甚至，第1之Si記錄層18A的膜厚T1係被設定成〇nm盔 T1S 8.5nm，第2之Si記錄層18B的膜厚T2係被設定成〇nm ST2$4nm，藉此，就可一面把最佳記錄功率儘可能地抑 制成較小，一面縮小再生時的顫動。尤其是’若第1之Si 記錄層18A的膜厚T1係被設定成4nmSTlS8nm，第2之Si 記錄層18B的膜厚T2係被設定成lnm‘ T2S 3nm ’則可使底 201214428 値顫動更進一步變得良好。 <第1驗證例> 針對第1實施形態的光記錄媒體1 〇，令第1之Si記錄層 18A的膜厚在〇nm〜10nm之間以lnm刻度變化，同時，令第 2之Si記錄層18B的膜厚在Onm〜10nm之間以lnm刻度變化 ，藉此，製造這些之組合的100種媒體，針對這些媒體， 驗證記錄再生特性。 具體而言，對該光記錄媒體10，一面改變記錄功率一 面記錄資訊，將其再生時的訊號特性，從反射率、調變度 、底値顫動、功率範圍的觀點來評價。顫動評價是使用了 LEQ ( Limit Equalizer)。在功率範圍評價中，將LEQ顫 動呈最小（底値顫動）的記錄功率，定義作最佳記錄功率 Po ( Poptimum )，同時，將實際的記錄功率定義作Pw， 將Pw/Po定義成功率範圍》尤其在本驗證中，係令記錄功 率Pw往強弱雙方向變化，將LEQ顫動超過10%時，分別視 爲最低記錄功率Punder和最高記錄功率Pover，並採用（ Punder-Pover) /Po來作爲功率範圍値。 此外，作爲記錄條件，係採用Pulstec公司製的光碟評 價裝置 〇DU-1000 (NA=0.85、λ= 405ηπι)來進行評價， 採用（1，7 ) RLL來作爲調變訊號，記錄時的線速度係爲 9.84m/s，再生時的線速度係爲4.92m/s，而進行之。 作爲以上的驗證結果，將未記錄狀態時的反射率示於 圖3 ’將最佳記錄功率p〇時的調變度示於圖4，將LEQ顫動 -17- 201214428 最小値（底値顫動）示於圖5，將功率範圍示於圖6。作爲 分析方法係爲，令橫軸爲第1之Si記錄層18A的膜厚T1 ’令 縱軸爲第2之Si記錄層18B的膜厚T2’在該矩陣上將驗證結 果對映成等高線狀的地圖而爲之。 由圖3的未記錄狀態之反射率可知，理想的反射率的 1 0%以上之領域、亦即A〜K的領域，係在地圖中的右側及 右上側擴展開來。具體而言，第1之Si記錄層18A的膜厚T1 若爲3〜4nm以上之領域，則可獲得足夠的反射率。又可知 ，若第2之Si記錄層18B的膜厚T2越厚，則可獲得越良好的 反射率。尤其可知，若第1之Si記錄層18A的膜厚T1爲4nm 以上、且第2之Si記錄層18B的膜厚T2爲lnm以上，則可使 反射率穩定地成爲1 〇%以上而爲理想。 由圖4所知，理想的調變度55%以上的領域、亦即A〜 D的領域，係在地圖中的右下側擴展開來。具體而言，可 以得知，若是第2之Si記錄層18B的膜厚T2爲4nm以下、理 想爲3nm以下的領域，且第1之Si記錄層18A的膜厚T1爲 4nm以上且8nm以下之領域，則可獲得足夠的調變度。亦 即，從調變度的觀點來看，可以導出4nm$ T1 S 8nm之條 件、T2S 3nm之條件是較爲理想。 由圖5所知，理想的底値顫動7%以下的領域、亦即G 、Η、I、J的領域’係在地圖中的右下側擴展開來。尤其 是，若依據本驗證，則亦可獲知，較理想的底値顫動6%以 下的領域、亦即I、J的領域，係在地圖中的右下呈現浮島 般地部分性擴展開來。具體而言，可以得知，若是第2之 ⑧ -18- 201214428
Si記錄層18B的膜厚T2爲lnm以上且3nm以下的領域，且第 1之Si記錄層18A的膜厚T1爲4nm以上且8nm以下之領域， 則可獲得足夠的底値顫動。亦即’從底値顫動的觀點來看 ，可以導出4nm S T1 S 8nm之條件、lnm S T2 S 3nm之條件 是較爲理想。 由圖6所知，理想的功率範圍25 %以上的領域、亦即A 〜D的領域，係在地圖的中央往上下方向擴展開來。尤其 是，若第2之Si記錄層18B的膜厚T2越大，則功率範圍特性 越容易惡化。因此可知，第2之Si記錄層18B的膜厚T2越小 則功率範圍會變得越良好，但第2之Si記錄層18B的膜厚T2 爲2nm前後之範圍中，若第1之Si記錄層18A的膜厚T1越小 則功率範圍越容易會局部性惡化。於是可知，藉由將第1 之Si記錄層18A的膜厚T1設成4nm以上，即使第2之Si記錄 層18B的膜厚T2是在2nrn前後的情況下，仍可彌補該缺點 ，可穩定獲得25%以上的功率範圍。亦即亦可知，第2之Si 記錄層18B的膜厚T2在2nm前後之際的缺點，是可藉由將 第1之Si記錄層18A加以組合而彌補。 此外，於圖5、圖6中，第1之Si記錄層18A的膜厚T1爲 未滿2nm、第2之Si記錄層18B的膜厚T2爲未滿2nm的領域 之組合，係由於記錄標記之形成本身會變得不穩定，因此 排除在評價對象之外》 將滿足以上的圖3〜圖6之最理想條件的領域P，重疊 至各圖面上來表示。可知領域P係被設定成，第1之Si記錄 層18A的膜厚T1爲4nm$ TlS8nm、第2之Si記錄層18B的膜 -19- 201214428 厚T2爲lnm$T2$3nm之範圍。又，將這些驗證結果總.結 亦可得知，相較於第1之Si記錄層18A的膜厚T1，把第2之 Si記錄層18B的膜厚T2設定較小，較爲理想》 接著，參照圖7的剖面構造，說明本發明的第2實施形 態所述之光記錄媒體1 1 0。此外，該光記錄媒體1 1 〇，係相 較於第1實施形態的光記錄媒體1〇，不存在有第2之Si記錄 層爲其特徵，其他構成則和第1實施形態幾乎相同。因此 ，在第2實施形態的光記錄媒體110之構件中，和第1實施 形態的光記錄媒體1 0相同或類似者，其符號的末兩位數係 爲相同，而省略各個構件的詳細說明。 該光記錄媒體1 1 0，係從光入射面1 1 〇a側起，具備： 覆蓋層120、記錄再生層114、支持基板112所構成。記錄 再生層114係爲追記型記錄再生層。 被形成在支持基板11 2之上的記錄再生層1 14，係從支 持基板1 1 2側起，依序層積了反射膜1 1 5、隔絕層1 1 6、第2 介電體膜117B、Ti記錄層119、第1之Si記錄層118A、第1 介電體膜1 17A所構成。
Ti記錄層119及第1之Si記錄層118A係爲，這2層會彼 此交互作用形成不可逆的記錄標記的膜。Ti記錄層119與 第1之Si記錄層118A係彼此相鄰而層積，若被照射了具有 所定功率以上的光束70，則藉由該熱量，2層會同時發生 化學性或物理性變性，該領域的反射率會有變化。雖然反 射率變化的成因並不明確，但推測是Ti記錄層1 1 9及第1之 Si記錄層118A這2層的元素，在接觸面發生部分或全體性 -20- 201214428 的互柑混合，因此而造成反射率變化。其結果爲’記錄標 記被形成之部分和其以外之部分（空白領域）’對光束70 的反射率會大大不同。其結果爲，可進行資料的記錄、再 生。 第1之Si記錄層118A的膜厚T1係被設定成Onm < T1 $ lOnm之範圍。理想係被設定成〇nm <TlS8.5nm，更理想 則是被設定成4nmS Tl $ 8nm。此外’如第2實施形態將第 1之Si記錄層118A設成單層的情況下，將膜厚T1設成5.5nm 以上，較爲理想。在本第2實施形態中，是將第1之Si記錄 層118A的膜厚T1設成8nm。
Ti記錄層1 1 9的膜厚T3並無特別限定，但被設定成 5.5nmST3S9.25nm之範圍，較爲理想。更理想則是被設 定成5.5nm$ T3S 9nm，此處係設定成7.5nm·。 對該光記錄媒體1 1 0記錄資訊時，如圖7所示，對光記 錄媒體110將做過強度調變之光束70從覆蓋層120的光入射 面110a側入射，照射至記錄再生層114。一旦光束70被照 射至記錄再生層114，則記錄再生層114會被加熱，構成Ti 記錄層1 19及第1之Si記錄層1 1 8A的各元素（Ti、Si )就會 彼此混合。該混合部分係成爲記錄標記，其反射率係爲和 其以外之部分（空白領域）之反射率爲不同的値。 本第2實施形態的光記錄媒體11 0，係作爲記錄再生層 H4’是採用Ti記錄層119、和對該Ti記錄層119中的覆蓋 層120側相鄰配置的第1之Si記錄層}丨8a的2層構造，藉此 可提升再生時的顫動、或資訊記錄之際的功率範圍特性。 -21 - 201214428 <第2驗證例> 針對第2實施形態的光記錄媒體110 ’令第1之“記錄 層118A的膜厚T1在4nm〜18.5nm之間以lnm刻度變化，同 時，令Ti記錄層119的膜厚T3在5.5nm〜9.25nm之間以lnm 刻度變化，藉此，製造這些之組合的媒體’針對這些媒體 ，驗證記錄再生特性。 驗證方法係和第1驗證例相同’此處係評估LEQ底値 顫動。其評估結果示於圖8。 由圖8所知，理想的底値顫動7 %以下的領域、亦即G 、H、I、J的領域，係在地圖中的右側中央擴展開來。尤 其是，若依據本驗證，則Ti記錄層119的膜厚T3爲5.5nm$ T3S9nm之範圍的底値顫動係爲良好，6.75nm$T3S9nm 之範圍的底値顫動係更爲良好。甚至可知，若第1之Si記 錄層1 18A的膜厚T1越大，則底値顫動會越良好。尤其可知 ，Tig 5.5nm之領域係可獲得穩定的底値顫動》 此外，雖然展示了上記第1及第2實施形態的光記錄媒 體1 0、1 1 0是追記型光記錄媒體的情形，但本發明係亦可 適用於其他記錄方式的光記錄媒體。可是，適用於抹寫型 光記錄媒體時，必須要事前將記錄再生層予以預熱而使全 體結晶化。另一方面，本發明係由於不須經由此種工程就 能直接形成記錄標記的優點，因此可說是適用於追記型光 記錄媒體較爲理想。 又，本實施形態的光記錄媒體10、110中，是藉由Ti 記錄層、和在其兩側或單側配置的S i記錄層而構成1個記 ⑧ -22- 201214428 錄膜，但只要是滿足本發明之要旨的範圍，則在這些層構 造的附近亦可配置其他材料的記錄層。 甚至在本實施形態中，雖然僅例示了光記錄再生中所 使用之光束70的波長頻帶爲3 80nm〜450nm的情形’但本 發明並非限定於此，例如250nm乃至900nm係爲理想》 又甚至，在本實施形態中，雖然僅例示記錄再生層是 單層的情形，但本發明並非限定於此。例如，該記錄再生 層亦可複數具備。此情況下，所有的記錄再生層係具有Ti 記錄層、和在其兩側或單側配置的Si記錄層，較爲理想。 此外，本發明的光記錄媒體並非限定於上記的實施形 態，在不脫離本發明之宗旨的範圍內，自然可增加各種變 更。 〔產業上利用之可能性〕 本發明的光記錄媒體，係可適用於包含多層構造的各 式各樣之光記錄媒體。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕本發明之第1實施形態所述之光記錄媒體，和 該光記錄媒體之記錄再生時所使用的光拾取器之全體構成 的區塊圖。 〔圖2〕同光記錄媒體之層積構造的剖面圖。 〔圖3〕第1驗證例所述之光記錄媒體的未記錄狀態時 之反射率的圖7K。 -23- 201214428 〔圖4〕第1驗證例所述之光記錄媒體的最佳記錄功率 P〇時的調變度的圖示。 〔圖5〕第1驗證例所述之光記錄媒體的LEQ顫動最小 値（底値顫動）的圖示。 〔圖6〕第1驗證例所述之光記錄媒體的功率範圍的圖 示。 〔圖7〕本發明之第2實施形態所述之光記錄媒體的層 積構造的剖面圖。 〔圖8〕第2驗證例所述之光記錄媒體的LEQ顫動最小 値（底値顫動）的圖示。 【主要元件符號說明】 1〇、110:光記錄媒體 12、1 12 :支持基板 14、114:記錄再生層 1 5、1 1 5 :反射膜 1 6、1 1 6 :隔絕層 17A、1 17A :第1介電體膜 1 7B、1 1 7B :第2介電體膜 18A、118A:第1之Si記錄層 18B:第2之Si記錄層 19、 119: Ti記錄層 20、 120 :覆蓋層 ⑧ -24 -

Claims (1)

  1. 201214428 七、申請專利範圍： 1· 一種光記錄媒體’其特徵爲，具備：基板；和覆蓋 層；和Ti記錄層’係被配置在前記基板與前記覆蓋層之間 ’含有Ti爲主成分且添加有A1;和第1之si記錄層，係被 相鄰配置在前記Ti記錄層的前記覆蓋層側，含有si爲主成 分。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體，其中 ’則記第1之Sig己錄層的膜厚T1係被設定成4nm$ T1S 8nm 體記 媒前 錄在 記置 光配 之鄰 21^h I - 記被 所係 項， 第層 項 I言 1 S 第之 圍 2 範第 利 ： 專備 靑具 =§ 申還 如’ 3. 中 其 Ti記錄層的前記基板側，含有Si爲主成分。 4. 如申請專利範圍第3項所記載之光記錄媒體，其中 ，前記第2之Si記錄層的膜厚T2係被設定成InmS T2S 3nm ο 5. 如申請專利範圍第3項或第4項所記載之光記錄媒體 ，其中，相較於前記第1之si記錄層的膜厚T1 ’前記第2之 Si記錄層的膜厚T2係被設定成較小。 6. 如申請專利範圍第3項至第5項之任一項所記載之光 記錄媒體，其中’還具備有： 第1介電體層’係相鄰於前記第1之“記錄層的前記覆 蓋層側而配置；和 第2介電體層’係相鄰於前記第2之以記錄層的前記基 板側而配置。 -25- 201214428 7·—種光記錄方法，係屬於對在基板與覆蓋層之間具 有資訊記錄層的光記錄媒體照射雷射光束而記錄資訊的光 記錄方法，其特徵爲， 作爲前記資訊記錄層係具備有：含有Ti爲主成分且添 加有A1的Ti記錄層：和第1之Si記錄層，係被相鄰配置在 前記Ti記錄層的前記覆蓋層側，含有Si爲主成分； 藉由前記雷射光束的熱，使前記Ti記錄層及前記第1 之Si記錄層，同時發生化學性或物理性之變性，而記錄資 訊。 8 ·如申請專利範圍第7項所記載之光記錄方法，其中 前記資訊記錄層係還具備：第2之Si記錄層，係被相 鄰配置在前記Ti記錄層的前記基板側，含有Si爲主成分； 藉由前記雷射光束的熱，使前記Ti記錄層、前記第1 之Si記錄層及前記第2之Si記錄層，同時發生化學性或物理 性之變性，而記錄資訊。 -26- ⑧
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