TW201212122A - A high-k dielectric material and methods of forming the high-k dielectric material - Google Patents
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201212122 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例係關於具有高介電常數（k)及光滑表面 之介電材料。更具體而言’在各個實施例中，本發明係關 於形成包含至少兩部分之高k介電材料之方法（一部分為非 晶形二氧化鈦（Ti〇2)且另一部分為金紅石Ti02)及由此產生 之介電材料。 本申請案主張在2010年8月11日申請之美國專利申請案 第 12/854,734 號「A HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHODS OF FORMING THE HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL」之申請日期之權益。 【先前技術】 諸如動態隨機存取記憶體（DRAM)單元等記憶體單元通 常包含搞合至諸如金屬氧化物半導體場效應電晶體 (M〇SFET)等存取裝置之電荷存儲電容器。MOSFET起施 加或移除電容器上之電荷之作用，由此影響由所存儲電荷 界定之邏輯狀態。諸如作業電壓、洩漏率及再新率等 DRAM作業之條件通常會要求電容器存儲—^最小電荷。 電谷益包含兩個導體用作電極，例如平行的金屬或多晶 夕板：亥等電極藉由介電材料彼此隔離。用於⑽鹰單元 之種類^'之電容器係金屬-絕緣體-金屬（MIM)電容器。 電谷β中介雷γ 电材枓（即，絕緣體材料）之介電常數（k)係大量 生產DRAM單分#肪& 几之關鍵要素。例如’ 3x nm DRAM單元或 更大DRAM草元兩i目 疋而要具有至少約55之介電常數之介電材料 157956.doc 201212122 以便使電容器獲得期望電容。 s曰貝；丨電材料往往具有高於非晶形介電材料之介電常 數例如’金紅石Ti〇2沿晶體結構之(^軸具有約17〇之介電 吊數且沿晶體結構之a軸具有約9〇之介電常數，而非晶形 Τι〇2具有約30之介電常數。然而，由於金紅石Ti〇2形成晶 體，金紅石Ti〇2具有極粗糙之表面，其導致電流洩漏增 加在省用半導體結構中，藉由原子層沈積（ALD)生長之
Ti〇2具有非晶形結構及約3 〇之介電常數。 【發明内容】 本發明揭具有低電流⑨漏之高k介電材料及形成此高^ 介電材料之方4。如本文所用之片語「高k」意指且包含 具有至少約55之介電常數(k)之介電材料。高让介電材料係 措由形成第-非晶形二氧化鈦(Ti〇2)部分及形成包含金紅 卜〇2之另为來形成。藉由形成第-非晶形丁叫部分 及第-金紅石加2部分，高k介電材料可因金紅石叫而 表現高Mi ’ 1因非晶形加2而可表現較光滑表面，從而 減小電流浪漏。因此，獲得具有期望高k值及低電_ 之介電材料。
以下闡述提供具體細節，伽如从少L ' 列如材料類型、材料厚度、石 處理條件，以提供财本發明雄^ 料1§ ^施例之透徹«述。，然而，| 習此項技術者應理解，可在 —、 不私·用戎4具體細節之情形·] 實踐本發明之實施例。實際上， J、、·。&工業中採用之習月 半導體製造技術來實踐本發明 乃之貝施例。另外，本文不 供對製造DRAM裝置之完整製 矛王王之闡述，且下文闡主 157956.doc 201212122 之DRAM裝置不形成完整半導體裝置。下文僅詳細蘭述瞭 解本發明之實施例所必需之彼等製程動作及結構。形成包 3 DRAM裝置之凡整半導體裝置之其他動作可藉由習用技 術來實施。 本文所述之材料可藉由任—適宜技術形成，該技術包含 c不限於方疋轉塗覆、毯覆式塗覆、化學氣相沈積（cvd)、 ALD、電漿增強Ald或物理氣相沈積（pvD)。或者，可原 位生長攻等材料。热習此項技術者可端視欲形成之具體材 料來選擇用於沈積或生長材料之技術。儘管本文所闊述及 闡明之材料可作為層形成，但該等材料並不限於此且可以 其他三維構造形成。 在以下詳細說明中’參照形成本文一部分之附圖，且附 圖中以圖解說明之方式顯示可實踐本發明之具體實施例。 足夠詳細地闡述該等實施例以使熟習此項技術者能夠實踐 本發明。然而’在不背離本發明範圍之情形下，可利用其 他貫施例且可作出結構、邏輯及電學改變。本文中所呈現 之圖解說明並不意欲作為任一特定高k介電材料、dram 裝置或系統之實際視圖，而僅僅係用於闡述本發明之實施 例之理想化表示。本文中所呈現之該等圖式未必按比例繪 製。另外’各圖式之間共同的元件可保留相同數字標號。 同k介電材料可由Ti02形成。在一實施例中，所形成高k 介電材料之第一部分係非晶形Ti〇2且該高k介電材料之第 二部分係金紅石Ti02。 【貫施方式】 157956.doc 201212122 圖1係包含高k介電材料i〇2之半導體結構1〇〇之圖解說 明。半導體結構1〇〇可包含基板1〇1，在基板1〇1上形成高k 介電材料1 02。高k介電材料i 〇2可包含其至少兩個部分 11〇、112。基板101可包含習用矽基板或包含半導電材料 層之其他塊狀基板。如本文所用之術語「塊狀基板」不僅 包含矽晶圓，且亦包含絕緣體上矽（s〇I)基板、藍寶石上 矽（SOS)基板、基底半導體底板上之矽磊晶層及其他半導 體或光電材料，例如矽_鍺、鍺、砷化鎵或磷化銦。基板 ιοί之材料可經摻雜或未經摻雜。絕緣體材料1〇4可在基板 101之表面上方形成。絕緣體材料〗可由適宜作為絕緣或 介電材料之氧化矽（81〇〇材料或由氮化矽形成，例 如SiO、Si〇2、或SiW4。絕緣體材料1〇4可藉由習用技術形 成，例如藉由電漿增強CVD(pECVD)或標準熱cvd來形 成。可在絕緣體材料104之上方形成第一電極1〇6。第一電 極106可由任一適宜導電材料形成，該導電材料包含但不 限於金屬、金屬合金、導電金屬氧化物及其混合物。例 如’第一電極106可由鎢（W)、鎳（Ni)、氮化鈕（TaN)、鉑 (pt)、氮化鶴（WN)、金（Au)、氮化鈦（TiN)、氮化紹鈦 (ΤιΑΙΝ)釕（Ru)或氧化釕（Ru〇2)形成。第一電極1〇6可具 有約50埃至約1〇〇〇埃之厚度。 可在第电極106上形成高k介電材料1〇2。高k介電材料 102可具有足夠高的k值及低電流洩漏以形成半導體結構 100八可係電谷益。為提供介電材料i 〇2之足夠高的k值 及低電流洩漏’高让介電材料1〇2包含第一非晶形⑽部分 157956.doc 201212122 110及第二金紅石7^〇2部分112。金紅石11〇2具有高於非晶 形Ή02之介電常數。例如，金紅石Ti〇2沿晶體結構之c軸 具有約170之介電常數且沿晶體結構之3軸具有約9〇之介電 常數。非晶形Ti〇2具有約30之介電常數。雖然金紅石TiC)2 具有南於非晶形Ti〇2之介電常數，但金紅石^(^表現高於 非晶形Ti〇2之表面粗糙度。金紅石Ti〇2之較高表面粗糙度 導致半導體結構之電流洩漏高於包含非晶形Ti〇2及金紅石
Ti〇2之半導體結構1〇〇。藉由形成包含第一非晶形Ti〇2部 分110及第二金紅石丁丨〇2部分112之高]<;介電材料102，該高 k介電材料1〇2之介電常數高於僅由非晶形Ti〇2形成之介電 材料，且表面粗糙度低於僅由金紅石Ti〇2形成之介電材 料。在一些實施例中，非晶形Ti〇2可在金紅石Ti〇2 112形 成期間轉變為金紅石相，從而獲得包括兩個金紅石Ti〇2部 分110、112之高k介電材料1〇2。然而，高]^介電材料1〇2可 仍表現低於僅由金紅石Ti〇2形成之介電材料之表面粗糙 度。 高k介電材料102之兩個部分11〇、112可在第一電極1〇6 上方形成。高k介電材料1〇2與第一電極106相接觸之第一 部分110可由非晶形Ti〇2形成且在本文中亦稱為非晶形 Ti〇2 lio。如本文所用之片語「非晶形Ti〇2」係指具有至 少約70%之非晶形晶體結構之Ti〇2。所形成之非晶形Tih 110可與第一電極106之上表面直接接觸。高k介電材料1〇22 之第二部分U2可由金紅石Ti〇2或晶質Ti〇2形成，且在本 文中亦稱為金紅石Ti〇2 112。如本文所用之片語「金紅石 157956.doc 201212122
Ti〇2」係指具有至少約7〇Q/。之金紅石晶體結構之Ti〇2。金 紅石Ti〇2 112可在非晶形Ti〇2 110上方形成且與其接觸。 非晶形Ti〇2 110及金紅石Ti〇2 112在本文中統稱為高]<;介電 材料102❶ 咼k介電材料102之厚度可取決於欲最終形成之半導體結 構10 0之尺寸及形狀。例如，在一實施例中，高k介電材料 102可具有約2奈米（2 nm)至約15奈米（15 nm)之厚度。非晶 形Τι〇2 11〇可具有約十分之二奈米（〇2 nrn)至約5奈米（5 nm)之厚度。金紅石Ti〇2 112可具有約1奈米（1 至約 奈米（10 nm)之厚度。 高k介電材料102可具有至少約55之介電常數。在一些實 施例中，高k介電材料102可具有至少約75之介電常數。增 加金紅石Ti〇2 112相對於非晶形Ti〇2 11〇之厚度可增加高匕 "電材料102之介電常數。換言之，金紅石Ti〇2 ιΐ2愈厚， 高k介電材料1〇2之介電常數愈高。 局k介電材料1〇2與僅由金紅石Ti〇2形成之介電材料相比 ^可具有相對光滑之表面。例如，圖2及圖3係顯示僅有金 紅石相之Ti〇2(圖2)與本發明之高k介電材料丨〇2(圖乃相比 杈之電鏡照片。如藉由比較圖2及圖3可見，由於圖3中之 形成有第-非晶形Ti〇2部分u〇，故第二金紅石叫部 分112之表面顯著比圖2中所示僅有金紅石相之 109光滑。斛尸古,人志 ^ ® 所侍间k介電材料102可實質上係晶質且具 紅石組份。 視r,況’半導體結構100之一部分可包含在金紅石 157956.doc 201212122 112上方形成之非晶形Ti〇2 ΐι〇·，如在圖以虛線所示。 非晶形Ti〇2 ιι〇·可進一步降低高k介電材料1〇2之表面粗糙 度，且因此可進一步減小高]^介電材料1〇2之電流洩漏。或 者，在其他實施例中，可在金紅石Ti〇；2上方形成除非晶形 Τι〇2以外之非晶形氧化物材料（未顯示）。例如，可在金紅 112上方形成非晶形氧化鋁（α12〇3)、非晶形二氧化 矽（Si〇2)、非晶形二氧化鍅（Zr〇2)或非晶形二氧化铪 (Hf02)(未顯示）。 高k介電材料102可在其整個厚度中具有實質上均勻之組 成，此乃因非晶形Ti〇2 no及金紅石Ti〇2 lu二者均為 Τι〇2。在其他實施例中，如先前所述，非晶eTi〇2 ιι〇可 在形成金紅石Ti〇2 112期間轉變為金紅石Ti〇2。在此等情 况下，藉由目視或化學方法（例如藉由顯微術或化學分析） 可能無法區分高1^介電材料1〇2之各部分。 可在高k介電材料102上方形成第二電極1〇8。第二電極 108可由與第一電極1〇6相同或不同之材料形成。第二電極 108可由任一適宜導電材料來形成，該導電材料包含但不 限於金屬、金屬合金、導電金屬氧化物及其混合物。例 如第电極106可由鎢（W) '鎳（Ni)、氮化鈕（TaN)、鉑 (pt)、氮化鎢（WN)、金（Au)、氮化鈦（TiN)、氮化鋁鈦 (_A1N)釕（Ru)或氧化釕（Ru〇2)形成。第二電極1〇8可具 有約50埃至約1〇〇〇埃之厚度。第一電極1〇6、高让介電材料 102及第一宅極1〇8可形成如下文更詳細闡述之電容器 113。 B〇 157956.doc 201212122 如圖4中所圖解說明，高k介電材料i〇2可用於DRAM裝 置114中。雖然高让介電材料1〇2經圖解說明為存在於 DRAM裝置114_，但高]€介電材料1〇2亦可用於其他裝 置，例如互補金屬氧化物半導體（CM〇s)裘置。此外，雖 然本文將高k介電材料102闡述為電容器^3之一部分，但 應理解’高k介電材料1G2亦可用於半導體結構之其他部分 中。DRAM裝置114包含記憶體矩陣或陣列（未顯示），該記 憶體矩陣或陣列包含複數個電容器113。記憶體矩陣藉由 複數偏控制線與外圍電路（未顯示）耦合。外圍電路可包含 用於尋址含於記憶體矩陣内之複數個電容器113之電路， 以及用於S記憶體中存儲數據及自t己憶體單元檢素數 據之電路。外圍電路亦可包含用於控制或以其他方式碟保 DRAM裝置114之適當運行之其他電路。 如圖4中所示，DRAM裝置114包含在基板ι〇ι上形成之 複數個記憶體單元。該等記憶體單元包含根據本文中未詳 細闡述之習用半導體處理技術在基板1〇1上所形成之井 116、汲極區118、源極區12〇及字線或閘極堆疊122。閘極 堆豐122可包含閘極氧化物區124、導電閘極區、間隔 區128及帽13G。可在開極堆叠122上方形成第—絕緣材料 132 ’其具有於其中形成之位元觸點134及第一電容器觸點 136。位元觸點134可與源極區12〇電連通且第一電容器觸 點136可與汲極區118電連通。絕緣材料1〇4可在第—会 材料m上方形成且位元觸點134及第二電容器觸點二 於絕緣材料104中形成。所形成之電容器丨i 3與第二兩六=口 157956.doc -10- 201212122 觸點138電連通。電容器n3包含第一電極1〇6、包含第_ 非晶形Ti〇2部分11〇及第二金紅石Ti〇2部分112之高k介電 材料102及第二電極1〇8。 電谷器113可係金屬-絕緣體_金屬（mim)電容器，且以古 k介電材料102用作MIM電容器113之絕緣體部分。DRa^ 裝置114可藉由本文未詳細闡述之習用技術及材料來形 成。DRAM裝置114可視情況包含在金紅石Ti〇2 U2與第二 電極108之間形成之非晶形Ti〇2 11〇,(圖4中未圖解說明卜 或者，在其他實施例中，可在金紅石Ti〇2 112與第二電極 108之間形成另一非晶形氧化物材料，例如非晶形八12〇3、
Si〇2、Zr〇2或Hf〇2。非晶形Ti〇2 11〇，（圖丨）或另一非晶形氧 化物材料可進一步減小高!^介電材料1〇2與第二電極1〇8之 間之電流茂漏。 圖5及圖6圖解說明形成高k介電材料102之方法之—實施 例。如圖5中所*，高让介電材料⑽之第一部分110(圖6)可 在第一電極106上方形成，該第一電極106可在基板101上 之絕緣材料104上方形成。高k介電材料1()2之第—部分11〇 及電材料102之第二部分112(圖6)可藉由原子層沈積 (ALD)來形成。如本文所用之術語「原子層沈積」係指於 2積室中實施複數個連續沈積循環之沈積方法。ald亦包 含原子層蟲晶（ALE)。在ALD中’第一化學前體經化學吸 收至，板之表面’從而大致形成第—化學物質之單層。自 :積至久知清除過量第一化學前體。將第二化學前體及視 月况反應氣體引人沈積室。大致形成第三化學物質之 157956.doc 201212122 層’其與第一化學物質之單層進行反應。自沈積室移除過 量反應氣體、過量第二化學前體及副產物。藉由重複ALD 脈衝’形成第一化學物質及第二化學物質之單層，直至材 料達到期望厚度。舉例而言，第一化學前體可係四氣化鈦 (TlCl4)且第二化學前體可係水（H20)。可將TiCl4引入沈積 至且化學吸收至第—電極1〇6之表面以形成鈦單層。可將 ΚΟ引入沈積室且化學吸收至鈦單層之表面以形成氧化物 單層。鈦單層與氧化物單層可經反應以形成Ti〇2。 尚k介電材料1〇2之第一部分11〇可藉由控制ALD製程之 溫度以便形成Ti〇2之期望晶體結構而以非晶形Ti〇2形式形 成。非晶形Ti〇2 11〇係藉由在低溫下沈積鈦及氧化物之單 層來形成。例如’第一部分110可在約l5〇〇c至約35〇它之 溫度下形成。在一實施例中，在285^下沈積第一部分 110 ’從而獲得具有光滑表面之丁丨〇2。如此形成之第一部 分110可係實質上非晶形。 如圖6中所示，高k介電材料102之第二部分112可在高k 介電材料102之第一部分11〇上方形成。第二部分112可藉 由控制ALD製程之溫度以便形成期望晶體結構而以金紅石 Ti〇2形式形成。如此形成之第二部分112可實質上係晶 夤。金紅石Ti〇2 112可係在局於形成雨k介電材料1 〇2之第 一部分110所用溫度之溫度下沈積鈦及氧化物之單層來形 成。例如，第二部分112可係在約350°c至約60(TC之溫度 下形成。在一實施例中，在500°C下沈積第二部分112。與 第一部分110類似，第二部分112可由Ti〇2形成，且用於形 157956.doc -12- 201212122 成第二部分112之第一及第二化學前體可包含Tici4及 H2〇。在500°c下形成第二部分112及使用丁1(：14及^[2〇作為 第一及第二化學前體可穩定Ti〇2之生長。在第二部分ιΐ2 之沈積期間，由於沈積第二部分丨12時之高溫，第一部分 110可自非晶形Ti〇2轉變為金紅石Ti〇2。參照圖丄，第二電 極108可在高k介電材料1〇2之第二部分112上方形成。 用於在基板101上形成高k介電材料1〇2之系統14〇圖解說 明於圖7中。可將包含絕緣體材料1〇4及第一電極1〇6之基 板101定位於或置於沈積室142(能夠向其中引入第一及第 二化學前體144)之支撐件或卡盤（未顯示）上。藉由調節沈 積室142中之溫度’可形成非晶形Ti〇2 u〇及金紅石耵％ 112 ’如圖7中以虛線所示。作為非限制性實施例，沈積室 142可係習用ALD室或ALD工具。在一實施例中，沈積室 係 Entron 系統’例如自 uivac Technologies 公司（Methuen， ΜΑ)購得之Entron EX300 RF濺射室。 在將具有絕緣體材料104及第一電極ι〇6之基板101定位 在卡盤上之後，可在第一電極1〇6上形成非晶形Ti〇2 11〇。 可將第一及第一化學前體144依序引入沈積室丨42中且可將 沈積室142之溫度調節至形成非晶形Ti〇2 u 〇之適當條件。 例如’可將沈積室142之溫度調節至約150。(：至約35CTC。 可將第一化學前體引入沈積室142中以在第一電極1〇6上形 成第一化學物質之第一單層。然後可吹掃沈積室142且可 將第二化學前體引入沈積室142中以在第一化學物質單層 上方形成第二化學物質之單層。然後，第一化學物質之單 157956.doc 201212122 層與第二化學物質之單層可經反應以形成非晶形Ti〇2 U 〇 之第一層。如業内所熟知，可藉由控制沈積時間、所實施 ALD循環之次數等來使非晶形Ti〇2 u〇達到期望厚度。在 產生非晶形Ti〇2 110之後，可提高沈積室142之溫度以形成 金紅石Ti02 112。例如，可將沈積室142之溫度提高至約 350°C至約600°C。然後可如先前所述將第一及第二化學前 體144依序引入沈積室142中，直至金紅石Ti〇2 112達到期 望厚度。由於沈積金紅石Ti〇2之溫度，高k介電材料1〇2在 沈積第二部分112之後不需要退火。 藉由在ALD製程期間調節溫度可在單個沈積室142中形 成高k介電材料102之兩個部分。藉由原位形成非晶形Ti〇2 110及金紅石Τι〇2 112二者，高k介電材料102可使用單個沈 積動作來產生。因此，可以成本高效之方式來產生高让介 電材料102。另外，由於不需要在各工具之間轉移上面形 成高k介電材料102之兩個部分之基板1〇1，因此在第一電 極106上形成高k介電材料1〇2之通量可增加。 在一些實施例中，本發明包含具有高介電常數之材料， 包含金紅石相二氧化 下沈積之金紅石相二 及形成此等材料之方法。該材料可 鈦，其具有比在高於約500。(：之溫度 氧化鈦至少顯著更光滑之表面。 在其他實施例中，本發明包含形成具有高介電常數之材 料之方法。該等方法包含形成至少兩個二氧化鈦部分，^ —乳化欽包括具有非晶形二氧化欽之第一部八月 °丨刀及具有金紅 157956.doc 201212122 石二氧化鈦之第-Αβ八 ：r I尤/ 弟一口P刀。至少兩個二氧化鈦部分可 子層沈積來形成 曰 在八他實〜例中’本發明包含形成高介電常數材料之方 法》亥等方法包含在約15(Γ(：至約35代之溫度下形成第一 二氧化鈦部分及在約3抓至約6G『C之溫度下形成第二二 氧化鈦部分。 一 雖然本發明容許各種修改及替代形式，但本文已以實例 方式在圖式中顯示並在本文中詳細闡述具體實施例。然 而，應理解，並非意欲將本發明限制於本文所揭示之具體 形式。相反，本發明涵蓋在由下列隨附申請專利範圍及其 合法等效内容界定之本發明範圍内的所有修改、改變及替 代形式。 【圖式簡單說明】 圖1係包含根據本發明之實施例形成之高]^介電材料之記 憶體單元之一部分之剖視圖； 圖2係金紅石Ti〇2之表面之電鏡圖像； 圖3係具有第一非晶形Ti〇2部分及第二金紅石Ti〇2部分 之Ti〇2表面之電鏡圖像； 圖4係本發明之實施例之DraM裝置之剖視圖。 圖5及圖6圖解說明形成包含圖1之高k介電材料之記憶體 單元之部分之方法；且 圖7係本發明之實施例之沈積系統。 【主要元件符號說明】 100 半導體結構
S 157956.doc 15- 201212122 101 基板 102 向k介電材料 104 絕緣體材料 106 第一電極 108 第二電極 109 僅有金紅石相之 110 第一部分 110' 非晶形Ti02 112 第二部分 113 金屬-絕緣體-金, 114 動態隨機存取記 116 井 118 及極區 120 源極區 122 字線或閘極堆疊 124 閘極氧化物區 126 導電問極區 128 間隔區 130 帽 132 第一絕緣材料 134 位元觸點 136 第一電容器觸點 138 第二電容器觸點 140 系統 157956.doc 16. 201212122 142 144 沈積室 第一及第二化學前體
S 157956.doc -17-
Claims (1)
- 201212122 七、申請專利範圍·· 1 ‘ 一種具右古 5 。、间介電常數之材料，纟包括表面比在高於約 金 α積之孟紅石相二氧化鈦顯著更光滑之 ，、、相二氧化鈦。 2 · 如清求項1夕44·、1„, .,^ . 材料，其中該材料係晶質。 3 . 如5月求項]夕44*、丨,、1 叙。 ；斗，其中該材料具有至少約55之介電常 4. 5. 如請求項1之材料，其 溫度下沈積之金紅石相 如請求項1之材料，其 之厚度。 中該材料具有比在高於約5〇〇ι 二氧化鈦低之電流洩漏。 中該材料具有約2奈米至約15奈 之 米 6. :種形成具有高介電常數之材料之方法，其包括： 分 氧 =至少兩個二氧化鈦部分，該至少兩個二氧化鈦部 已具有非晶形二氧化鈦之第一部分及具有金紅石二 化鈦之第二部分。 •:求項6之方法’其中形成至少兩個二氧化鈦部分係 匕括糟由原子層沈積來沈積該至少兩個二氧化鈦部分。 8,如請求項7之方法，其中藉由原子層沈積來沈積該至少 兩個二氧化鈦部分係包括藉由原子層沈積在約ι贼至 約啊之溫度下沈積該包括非晶形二氧化鈦之第一部 9. 如請求項7之方法’其中藉由原子層沈積來沈積該至少 兩個二氧化鈦部分係包括藉由原子層沈積在約2饥之 溫度下沈積該包括非晶形二氧化鈦之第一部分。 157956.doc 201212122 10.如請求項7之方法，其中藉由原子層沈積來沈積該至少 兩個，氧化鈦部分係包括藉由原子層沈積在約35〇h 約6〇〇°C之溫度下沈積該包括金紅石二氧化鈦之第二部 分0 月长項7之方法，其中藉由原子層沈積來沈積該至少 兩個一氧化鈦部分係包括藉由原子層沈積在約5〇〇它之 溫度下沈積該包括金紅石二氧化鈦之第二部分。 12·如請求項6之方法’其另外包括使該第一二氧化鈦部分 結晶。 13. 如請求項12之方法，其中使該第氧化鈦部分結晶係 包括將§亥第一非晶形二氧化鈦部分轉變為金紅石相 化欽。 14. 如咕求項6之方法，其中形成至少兩個二氧化鈦部分係 包括： 在約15(TC至約35〇。(：之溫度下形成第一二氧化鈦部 分；及 在約350°C至約60CTC之溫度下形成第二二氧化鈦部 分0 15.如請求項14之方法，其中在約15〇^至約35〇ΐ：2溫度下 形成第一二氧化鈦部分係包括沈積非晶形二氧化鈦。 16·如請求項15之方法，其申在約35〇t：至約6〇〇〇Ci溫度下 形成第二二氧化鈦部分係包括將該非晶形二氧化鈦轉變 為金紅石二氧化鈦。 17.如請求項14之方法，其中在約35〇〇c至約6〇〇^之溫度下 157956.doc -2 - 201212122 形成第二二氧化鈦部分係包括形 ^ 500°C > ^ 成表面比在向於約 之溫度下沈積之金紅石二 Λ _ 礼化欽顯者更光滑之金 紅石二氧化鈦。 18. 19. 二請求之方法，其中在約15代至約35代之溫度下 形成第一二氧化鈦部分係包括沈積約0.2奈米至約5夺米 之二氧化鈦。 不…、 如請求項14之方法，其中在約350°C至約600t之溫度下 形成第二二氧化鈦部分係包括沈積約1奈米至約10奈米 之二氧化鈦。 157956.doc 5
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