201207861 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此處說明之實施形態係關於一種缺陷解析裝置及缺陷解 析方法。 【先前技術】 於具有複數個記憶體單元之半導體記憶體之缺陷解析方 法中’有使用錯誤位元映像（Fail Bit Map，以下稱作FBM) 者。FBM係使用測試器對所有記憶體單元進行電氣特性測 試，並使該測試結果顯示於與各個記憶體單元對應之位置 者。 先前之半導體記憶體係使記憶體單元呈平面配置，因此 FBM亦以二維座標（XY座標）表現，當然，FBM之缺陷分類 亦係以二維座標系之FBM作為對象。二維座標系FBM之缺 陷分類係藉由缺陷單元之位置關係、缺陷單元之分佈或密 度等資訊而分類為預先定義之缺陷類型。 例如，周圍不存在缺陷之獨立的1位元之缺陷被分類為 BIT」。又 WLINE」， BLINE」。 OTHER」。 ，於同一 X軸上缺陷相連者被分類為 於同一 Y轴上缺陷相連者被分類為 又，除此以外之鄰接缺陷被分類為 又，為縮紐FBM缺陷分類所需之處理時間，亦對設定之 區域内的缺陷數進行計數，對應於其缺陷數而分類為「區 域缺陷」或「位元多發缺陷」。 近年來，已開發出記憶體單元呈三維配置之半導體記憶 154553.doc 201207861 體’但先前之FBM缺陷分類係以二維fbM為前提。因此， 對於三維記憶體’係將針對每層區分FBN1並設為二維 FBM，於此基礎上執行FBM缺陷分類，因而無法檢測跨層 之缺陷’從而無法進行缺陷類型之分類。 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明所欲解決之課題在於提供一種可檢測跨層之缺 陷，從而可進行缺陷類型之分類之缺陷解析裝置及缺陷解 析方法。 [解決問題之技術手段] 貫施形態之缺陷解析裝置包括：分割部，其接收將半導 體s己憶體之每個單元之良好/缺陷資訊依照與上述記憶體 單元之實體配置對應的實體位址順序排列而成的錯誤位元 映像，並將上述錯誤位元映像針對每層進行分割；分類 4，其進行與各層對應之錯誤位元映像中之缺陷類型之分 類，S己憶部，其儲存將不同層之缺陷單元組合為同一缺陷 類型之規則，及判疋部，其判定上述分類部之分類結果是 否符合上述規則，並將符合之分類結果群組化。上述規則 包含基點缺陷、上述基點缺陷之組合對象之關聯缺陷、規 疋上述基點缺陷與上述關聯缺陷之關係之組合條件、及組 合缺陷名稱。上述判定部係自！個層之上述分類結果中提 取上述基點缺& ’ i自其他層之上述分類結果中提取符合 上述組合條件之上述„缺陷，而將所提取之上述基點缺 陷及上述關聯缺陷群組化並賦予上述組合缺陷名稱。 154553.doc 201207861 [發明之效果] 根據上述構成之缺陷解析裝置及缺陷解析方法，可檢測 跨層之缺陷，從而可進行缺陷類型之分類 【實施方式】 以下，根據圖式說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 圖1表示本發明之第1實施形態之缺陷解析裝置之硬體構 成。缺陷解析裝置100與測試器20連接於同一網路上，包 含CPU(中央運算處理裝置）110、磁碟裝置120、主記憶體 130及網路介面140。缺陷解析裝置1 〇〇之各部分經由匯流 排15 0而連接。 測试器2 0對成為缺陷解析對象之三維構造記憶體之各記 憶體單元進行電氣特性測試，將包含測試結果（記憶體單 元之良好/缺陷資訊）之錯誤位元映像（Fail Bit Map，以下 稱作FBM)經由網路而輸出至缺陷解析裝置丨〇〇。測試器2〇 所輸出之FBM係藉由與本實施形態獨立之實體fbm轉換程 式而轉換成將測試結果依照與記憶體單元之實體配置對應 之實體位址順序排列而成的FBM。三維構造記憶體係設為 於鬲度方向上具有n個（n為2以上之整數）層者。 磁碟裝置120儲存由CPU110所執行之缺陷分類程式。進 而’磁碟裝置120儲存檢測跨層之缺陷時所使用之層組合 規則。磁碟裝置12〇例如為硬碟。再者，缺陷分類程式亦 可不儲存於磁碟裝置12〇中，而儲存於R〇M(read 〇nly memory，唯讀記憶體）或磁帶（均未圖示）中。 154553.doc 201207861 CPU110將磁碟裝置12〇内之缺陷分_式加載至主記憶 體130中’執行缺时難式。此時，亦可將磁碟裝置12〇 内之層組合規則加載至主記憶體13G中。隨著缺陷分類程 式之執行，於主記憶體13〇中確保儲存各層之(層 1FBM、層2FBM、...、層nFBM)之區域、及儲存各層之缺 陷分類結果（層1缺陷分類結果、層2缺陷分類結果、.、 層η缺陷分類結果）之區域。層丨係指z(高度方向）座標為1之 層。同樣地，層2、…、層η係指Z座標為2、…、n之層。 圖2表示藉由CPU110執行缺陷分類程式而實現之功能方 塊圖。藉由缺陷分類程式之執行，實現讀取部m、層分 割部112、二維FBM缺陷分類部113及層間組合判定部 114。 對於讀取部m、層分割部112、二維FBM缺陷分類部 113及層間組合判定部114中執行之處理，與圖3所示之流 程圖一同進行說明。 (步驟S101)讀取部U1讀取磁碟裝置12〇上之fbM。 (步驟S102)層分割部112以與各層對應之方式分割 FBM。各層之FBM(層1FBM、層2FBM、、層π·)被儲 存至主記憶體130中。各層之FBM係以二維座標（χγ座標） 表現。 (步驟S103)對變數ζ設定1。 (步驟S104)二維FBM缺陷分類部113對層zfbm進行缺陷 類型之分類。此處進行之缺陷類型之分類係以公知之二維 座&系FBM作為對象之缺陷分類’例如，將周圍不存在缺 154553.doc 201207861 陷之獨立的1位元之缺陷分類為「BIT」，將於γ軸上缺陷 位元連續2個且周圍不存在其他缺陷者分類為「γ2ΒΙτ」， 將於X軸上缺陷位元相連者分類為「XLINE」，將於同一 γ 軸上缺陷位元相連者分類為「YUNE」，將缺陷位元呈矩 形狀集合者分類為「BLOCK」^ 層zFBM之缺陷分類結果（層z缺陷分類結果）被儲存於主 記憶體130中。 (步驟S105)將變數z增加1。 (步驟S106)若z大於η，則前進至步驟sl〇7 ,若為n以下 則返回步驟S104。 (步驟S107)層間組合判定部114參照層組合規則，自層 別之缺陷分類結果（層1缺陷分類結果〜層n缺陷分類結果） 中檢測跨層之缺陷，並將缺陷類型進行分類。 (步驟S108)將包含步驟si〇7中的分類結果之、儲存於主 s己憶體130中之缺陷分類結果輸出至磁碟裝置12〇。 圖4表示層組合規則之一例。層組合規則由基點缺陷、 組合條件、關聯缺陷（刪除旗標）及組合缺陷名稱構成。 所谓「基點缺陷」，係指成為進行層間組合判定（是否組 合為跨層之缺陷之判定）之基點之缺陷。 「組合條件」係表示上述基點缺陷與後述關聯缺陷之關 係之條件，當滿足該條件時，將基點缺陷與關聯缺陷匯 整，並重新標註後述之組合缺陷名稱。 「關聯缺陷」係與上述基點缺陷組合之對象之缺陷，可 指定複數個種類。附於關聯缺陷之後的刪除旗標表示當滿 154553.doc 201207861 足組合條件而成為新的組合缺陷時是否刪除關聯缺陷。 使用圖5所示之流程圖，對跨層之缺陷之檢測及缺陷類 型之分類方法進行說明。 (步驟S201)將變數r設定為1。 (步驟S202)將變數z設定為1。 (步驟S203)若存在未能藉由步驟S104自主記憶體130中 儲存之層zFBM之缺陷分類結果中取出之缺陷分類結果， 則前進至步驟S204，若不存在未取出之缺陷分類結果，則 前進至步驟S210。 (步驟S204)取出1個尚未取出之缺陷分類結果。 (步驟S205)確認步驟S204中取出之缺陷分類結果是否與 層組合規則之規則編號r之基點缺陷相同，若相同則前進 至步驟S206，若不同則返回步驟S203。 (步驟S206)使用與層組合規則之規則編號r對應之組合條 件進行組合判定。具體而言，判定有無滿足組合條件之關 聯缺陷。 (步驟S207)若存在符合組合條件之關聯缺陷，則前進至 步驟S208，若不存在則返回步驟S203。 (步驟S208)將步驟S204中取出之缺陷分類結果（於步驟 S205中經確認之基點缺陷）及關聯缺陷群組化，並作為新 的缺陷而賦予與規則編號r對應之組合缺陷名稱，且儲存 至主記憶體130中。 (步驟S209)刪除步驟S204中取出之缺陷分類結果（於步驟 S205中經確認之基點缺陷）及附有刪除旗標之關聯缺陷。 154553.doc 201207861 (步驟S210)將變數z增加1。 (步驟S211)若變數z大於η，則前進至步驟S212，若為n 以下則返回步驟S203。 (步驟S212)將變數r增加1。 (步驟S213)若變數r大於所有規則數，則結束處理，則為 所有規則數以下，則返回步驟S202。藉此，可依序參照所 有規則進行層間組合判定β 使用圖ό說明此種跨層缺陷之檢測及缺陷類型之分類之 一例。再者，此處為簡化說明，設FBM被分割為4層（層 1、層2、層3、層4)。 由層分割部112按層別分割之FBM(層1FBM、層2FBM、 層3FBM、層4FBM)分別由二維FBM缺陷分類部113進行（二 維）缺陷分類。 圖6中，層1FBM之缺陷分類結果為XLINE(i、3、1)· (32、3、1)與 BIT(30、7、1)。 被分類之缺陷利用以下之2式樣描述。式樣[丨]係於表示 線形狀、面形狀、立方體形狀之缺陷時使用，表示缺陷之 起點之座標與終點之座標。式樣[2]係於表示點形狀之缺陷 時使用’座標表示點缺陷之位置。 式樣[1]:缺陷名（X座標、γ座標、z座標）_(χ座標、γ座 標、Ζ座標） 式樣[2]:缺陷名（X座標、γ座標、ζ座標） 因而’於層1上，存在起點座標（1、3、^、終點座標 (32、3、1)之XUNE缺陷，進而，於座標（3〇、7、^之位 154553.doc 201207861 置存在BIT缺陷。 層2FBM之缺陷分類結果係為BIT(3〇、7、2)與BIT(31、 10、2)。因而，於層2上，於座標（3〇、7、2)之位置與座標 (3 1、10、2)之位置存在BIT缺陷。 層3FBM之缺陷分類結果係為YLINE(7、1、3)_(7、16、 3)與BIT(30、7、3)。因而，於層3上，存在起點座標（7、 1、3)、終點座標（7、16、3)之YLINE缺陷，進而，於座標 (30、7、3)之位置存在BIT缺陷。 層4FBM之缺陷分類結果係為bit(30、7、句。因而，於 層4上，於座標（30、7、4)之位置存在BIT缺陷。 其次’層間組合判定部114參照層組合規則，自層 1FBM、層2FBM、層3FBM、層4FBM中檢測跨層之缺陷， 並對缺陷類型進行分類。 首先，著眼於層1。層1之XUNE(1、3、1)-(32、3、1) 由於不符合組合規則之基點缺陷，因此排除在組合缺陷之 對象之外。 層1之BIT(30、7、1)符合規則編號1之基點缺陷，進 而’作為關聯缺陷，層2之BIT(30、7、2)、層3之 BIT(30、7、3)、層4之BIT(30、7、4)符合組合條件。因 此’將其等群組化’並重新標註ZLINe這一組合缺陷名 稱’以分類為ZLINE(30、7、1)-(30、7、4)。將基點缺陷 之BIT(30、7、1)與設有刪除旗標之關聯缺陷之b〗t(3〇、 7、2)、BIT(30、7、3)及BIT(30、7、4)予以刪除。 於層1中不存在除此以外之缺陷，因此繼而著眼於層2。 154553.doc •10· 201207861 ΒΙΤ(3〇、7、2)如上所述般已被刪除，因此排除在對象 之外° BIT(31、10、2)雖符合規則編號1、規則編號2及規 則編號7之基點缺陷，但不存在符合組合條件之關聯缺 陷’因而排除在組合缺陷之對象之外。 於層2中不存在除此以外之缺陷，因此繼而著眼於層3。 YLINE(7、1、3)-(7、16、3)雖符合規則編號4，但不存 在符合組合條件之關聯缺陷，因而排除在組合缺陷之對象 之外。BIT(30、7、3)如上所述般已被刪除，因此排除在 對象之外。 於層3中不存在除此以外之缺陷，因此最後著眼於層4。 BIT(30、7、4)如上所述般已被刪除，因此排除在對象 之外。 如此，自層間組合判定部114輸出之（最終的）缺陷分類結 果包含 ZLINE(30、7、1)-(30、7、4)、XUNE(1、3、… (32、3、1)、ΒΐΤ(3ΐ、ι〇、2)及 YLINE(7、1、3)-(7、16、 3) °該缺陷分類結果被儲存於磁碟裝置12〇中。 如此，根據本實施形態，對各層進行二維FBM缺陷分類 之後，可參照層組合規則來檢測跨層之缺陷，從而可對缺 陷類型進行分類。 因此’對於呈三維配置有記憶體單元之半導體記憶體亦 可進行FBM缺陷分類，從而可提高缺陷解析之效率，縮短 製品開發期間。 (第2實施形態） 圖7表示本發明第2實施形態之缺陷解柘& 辦斫裝置之硬體構 154553 .do. 201207861 成。與圖1所示之上述第1實施形態同樣之構成要素標註相 同之參照符號並省略說明。本實施形態與圓1所示之上述 第1實施形態相比，不同之處在於，磁碟裝置120並非儲存 層組合規則，而是儲存轉換表（後述）。又，藉由CPUU〇執 行缺陷分類程式而實現之功能塊不同。 圖8表示藉由CPU110執行本實施形態之缺陷分類程式而 實現之功能塊。藉由缺陷分類程式之執行，實現讀取部
211、層分割部212、層共有FBM提取部213、層固有FBM k取部214、二維FBM缺陷分類部215、缺陷名稱轉換部 21 6及合成部217。 又’隨著缺陷分類程式之執行’於主記憶體13〇上，確 保儲存各層之固有FBM(層1固有FBM、層2固有FBM、...、 層η固有FBM)、表示所有層（或特定數以上之層）共有之缺 陷之層共有FBM、基於各層之固有;FBM之缺陷分類結果 (層1缺陷分類結果、層2缺陷分類結果、… '層η缺陷分類 結果）、基於層共有FBM之缺陷分類結果（層共有缺陷分類 結果）的區域。 又’磁碟裝置120儲存有缺陷名稱轉換部216進行缺陷名 稱之轉換時參照之轉換表。對於轉換表之内容，於後文進 行敍述。轉換表亦可隨著缺陷分類程式之執行而加載至主 記憶體13 0。 對於讀取部2 11、層分割部212、層共有FBM提取部 213、層固有FBM提取部214、二維FBM缺陷分類部215、 缺陷名稱轉換部21 6及合成部217中執行之處理，與圖9所 154553.doc 201207861 示之流程圖一同進行說明。 (步驟S3 01)讀取部211讀取磁碟裝置120上之FBM。 (步驟S302)層分割部212以與各層對應之方式分割 FBM。 (步驟S303)層共有FBM提取部213提取所有（或特定數以 上之）層共有之缺陷，並作為層共有FBM而儲存至主記憶 體 130。 (步驟S3 04)層固有FBM提取部214提取各層固有之缺 陷，並作為各層之固有FBM(層1固有FBM、層2固有 FBM、…、層η固有FBM)而儲存至主記憶體130。所謂各 層固有之缺陷，相當於自各層之缺陷中除去在步驟S303中 層共有FBM提取部213所提取之缺陷以外者。 (步驟S305)對變數ζ設定1。 (步驟S306)二維FBM缺陷分類部215對層ζ之固有FBM進 行缺陷分類。此處進行之缺陷分類係以公知之二維座標系 FBM為對象之缺陷分類.，例如，將周圍不存在缺陷之獨立 的1位元之缺陷分類為「BIT」，將於X軸上缺陷位元相連 者分類為「XLINE」，將於同一 Y軸上缺陷位元相連者分類 為「YLINE」，將缺陷位元呈矩形狀集合者分類為 「BLOCK」。 基於層ζ之固有FBM的缺陷分類結果（層ζ缺陷分類結果） 被儲存至主記憶體130中。 (步驟S307)將ζ增加1。 (步驟S308)若ζ大於η，則前進至步驟S309，若為η以下 154553.doc -13- 201207861 則返回步驟S306。 藉由重複步驟S306〜S308，對所有層之固有FBM進行缺 陷分類。 (步驟S309)二維FBM缺陷分類部215對層共有FBM進行 缺陷分類。此處之缺陷分類亦為與步驟S3〇6同樣的、以公 知之二維座標系FBM為對象之缺陷分類。 (步驟S3 10)缺陷名稱轉換部21 6參照轉換表，將步驟 S309中之缺陷分類之二維缺陷分類名稱轉換為三維缺陷分 類名稱。於轉換表中，規定有圖所示之、層共有FBM内 之缺陷之名稱（二維缺陷分類名稱）與三維缺陷分類名稱之 對應關係。 例如’將所有層中存在缺陷者定義為層共有FBM，若該 層共有FBM存在BIT缺陷，則實際上，於層i至層η之所有 層中，在與該BIT缺陷相同之位置存在缺陷。亦即，其係 於Z軸（高度方向）上缺陷位元相連之「ZLINE」。缺陷名稱 轉換部216將BIT轉換成ZLINE。 缺陷名稱轉換部216進行缺陷名稱之轉換，並將層共有 缺陷分類結果儲存至主記憶體130中。 (步驟S3 11)合成部217對基於主記憶體130中儲存之各層 之固有FBM的缺陷分類結果（層1缺陷分類結果、層2缺陷 分類結果、…、層η缺陷分類結果）及層共有缺陷分類結果 進行合成。 (步驟S312)於步驟S311中所合成之缺陷分類結果被輸出 至磁碟裝置120並被儲存。 154553.doc 14 201207861 使用圖11及圖12所示之流程圖說明步驟S3 03中之層共有 FBM之建立處理之一例。再者，於各層中，設χ座標為 1〜i(i為2以上之整數）為止，γ座標為1〜為2以上之整數） 為止，從而設有ixj位元之記憶體單元。又，層數為η。 (步驟S401)對變數y設定1。 (步驟S402)對變數χ設定1。 (步驟S403)對變數Count[x][y]設定〇。該coutn[xHy]表示 (X座標’ Y座標）=(x，y)之位置處的Z方向之缺陷位元之計 數值。 (步驟S404)對變數z設定1。 (步驟S405)若FBM中之座標（χ，y ’ z)為缺陷位元，則前 進至步驟S406 ’若非缺陷位元則前進至步驟s4〇7。 (步驟S406)將變數Count[x][y]增加1。 (步驟S407)將變數z增加1。 (步驟S408)若變數z大於η ’則前進至步驟S4〇9 ,若為n 以下則返回步驟S405。 藉由反覆進行步驟S405〜S408，可求出座標（x，y)處之z 方向之缺陷位元數。 (步驟S409)將變數χ增加1。 (步驟S410)若變數χ大於i ’則前進至步驟1，若為i以 下則返回步驟S403。 藉由反覆進行步驟S403〜步驟S410，可對變數χ依序^^〜 全部1〜i。 (步驟S411)將變數y增加1。 154553.doc -15- 201207861 (步驟S412)若變數y大於j，則前進至圖12之步驟S501， 若為j以下則返回步驟S402。 藉由反覆進行步驟S402〜S412，可對變數y依序設定全部 1〜j。 因而，藉由步驟S401〜S412，可求出XY平面上的所有座 標處之Z方向之缺陷位元數。 (步驟S501)對變數y設定1。 (步驟S502)對變數X設定1。 (步驟S503)若Count[x][y]為特定之臨限值以上，則前進 至步驟S504，若未達臨限值則前進至步驟S505。 (步驟S504)對層共有FBM之座標（X，y)設置缺陷。 (步驟S505)將變數X增加1。 (步驟S506)若變數X大於i，則前進至步驟S507，若為i以 下則返回步驟S503。 (步驟S507)將變數y增加1。 (步驟S508)若變數y大於j則結束處理，若為j以下則返回 步驟S502。 藉此，建立於Z方向之缺陷位元數為特定之臨限值以上 之位置處設置有缺陷的層共有FBM。步驟S503中之臨限值 係視層共有FBM之定義而變化。例如，若將所有層具有缺 陷者定義為層共有FBM，則對步驟S503之臨限值賦予所有 層數η即可。又，若將一半的層中出現缺陷者定義為層共 有FBM，則對步驟S503之臨限值賦予η/2即可。 層共有FBM並不限定於1個，例如亦可為所有層具有缺 154553.doc •16- 201207861 陷之層共有FBM1與一半的層出現缺陷之層共有FBM2此二 種。 再者，圖11及圖12之流程圖係用於說明處理内容者，於 考慮到性能之實際安裝時可能為不同的流程圖。 又，層共有FBM之提取方法並不限定於此。例如，若將 所有層具有缺陷者定義為層共有FBM，則可求出所有層之 FBM之邏輯積而建立層共有FBM。 對基於如此般建立之層共有FBM的層共有缺陷分類結果 與基於各層之固有FBM的缺陷分類結果（層1缺陷分類結 果、層2缺陷分類結果、...、層η缺陷分類結果）進行合 成，可進行跨層缺陷之檢測•類型分類。 使用圖13說明本實施形態之跨層缺陷之檢測及類型分類 之一例。再者，此處為便於說明，設FBM被分割為4個層 (層1、層2、層3、層4)。 層共有FBM提取部213自按層別分割之FBM中提取圖13 所示之層共有FBM。又，層固有FBM提取部214自按層別 分割之FBM中提取各層之固有FBM(層1固有FBM、層2固 有FBM、層3固有FBM、層4固有FBM)。 並且，二維FBM缺陷分類部215進行層共有FBM、各層 之固有FBM之缺陷分類。 層共有FBM之缺陷分類結果為ΒΙΤ(30、7、1-4)該1個。 缺陷名稱轉換部216參照圖10所示之轉換表，將缺陷名稱 轉換為 ΒΙΤ(30、7、1-4)至 ZLINE(30、7、1)-(30、7、4)。 層1固有FBM之缺陷分類結果為XLINE(1、3、1)-(32、 I54553.doc -17· 201207861 3、1)該1個。 層2固有FBM之缺陷分類結果為BIT(3 1、10、2)該1個。 層3固有FBM之缺陷分類結果為YLINE(7、1、3)-(7、 16、3)該 1個。 層4固有FBM無缺陷》 合成部217合成該等缺陷分類結果，並作為包含 ZLINE(30、7、1)-(30、7、4)、XLINE(1、3、1)·(32、3、 1)、ΒΙΤ(31、10、2)及 YLINE(7、1、3)-(7、16、3)之（最 終）缺陷分類結果而輸出。自合成部21 7輸出之缺陷分類結 果被儲存於磁碟裝置120中。 如此，於本實施形態中，將對層共有FBM之二維FBM缺 陷分類結果進行名稱轉換後者與各層之固有FBm之二維 FBM缺陷分類結果予以合成。藉此，可檢測跨層之缺陷並 進行三維錯誤位元映像之缺陷分類。 因此’對於s己憶體單元呈三維配置之半導體記憶體，亦 可進行FBM缺陷分類，從而可提高缺陷解析之效率，縮短 製品開發期間。 又’本實施形態並非如上述第i實施形態般對所有層之 所有缺陷逐個地進行與層組合規則之比對，因此與上述第 1實施形態相比較，可縮短處理時間。 (第3實施形態） 圖14表示本發明第3實施形態之缺陷解析裝置之硬體構 成。與圖1所示之上述第丨實施形態同樣之構成要素標註相 同之參照符號並省略說明。本實施形態與圓1所示之上述 154553.doc -18· 201207861 第1實施形態相比較，不同之處在於，磁碟裝置12〇儲存有 上述第2實施形態中說明之轉換表。又，藉由CPU11〇執行 缺陷分類程式而實現之功能塊不同。 圖15表不藉由CPU110執行本貫施形態之缺陷分類程式 而實現之功能塊。藉由缺陷分類程式之執行，實現讀取部 311、層分割部312、層共有FBM提取部313、層固有FBM 提取部3 14、二維F B Μ缺陷分類部3 15、缺陷名稱轉換部 316、層間組合判定部317及合成部318。 本實施形態係將上述第1實施形態及第2實施形態予以組 合者’讀取部311、層分割部312及二維FBM缺陷分類部 315分別對應於讀取部in、211、層分割部112、212及二 維FBM缺陷分類部113、215。又，層共有FBM提取部 313、層固有FBM提取部314及缺陷名稱轉換部316分別對 應於上述第2實施形態中之層共有FBM提取部213、層固有 FBM提取部214及缺陷名稱轉換部216。 層間組合判定部3 17進行與上述第丨實施形態中之層間組 合判定部114同樣之處理，參照圖4所示之層組合規則，自 各層之固有FBM之缺陷分類結果中檢測跨層之缺陷，教對 類型進行分類。 合成部318進行與上述第2實施形態中之合成部217同樣 之處理，對自層間組合判定部317輸出之缺陷分類結果與 自缺陷名稱轉換部316輪出之層共有缺陷分類結果進行人 成。 。 隨著缺陷分類程式之執行，於主記憶體13〇上，確保儲 154553.doc -19. 201207861 存各層之固有FBM(層1固有FBM、層2固有FBM、...、層n 固有FBM)、表示所有層（或特定數以上之層）共有之缺陷之 層共有FBM、基於各層之固有FBM之缺陷分類結果（層1缺 陷分類結果、層2缺陷分類結果、…、層η缺陷分類結 果）、基於層共有FBM之缺陷分類結果（層共有缺陷分類結 果）的區域。又’磁碟裝置120儲存有層組合規則及轉換 表。 使用圖16所示之流程圖，說明於讀取部3 11、層分割部 312、層共有FBM提取部313、層固有FBM提取部314、二 維FBM缺陷分類部3 15、缺陷名稱轉換部3 1 6、層間組合判 定部317及合成部318中執行之處理。 (步驟S601)讀取部311讀取FBM。 (步驟S602)層分割部3 12以與各層對應之方式分割 FBM。 (步驟S603)層共有FBM提取部313提取所有（或特定數以 上之）層共有之缺陷’並作為層共有FBM而儲存至主記憶 體130中。層共有FBM係以與上述第2實施形態（參照圖u 及圖12)同樣之方法而建立。 (步驟S604)層固有FBM提取部314提取各層固有之缺 陷’並作為各層之固有FBM(層1固有FBM、層2固有 FBM、…、層η固有FBM)而儲存至主記憶體13〇。 (步驟S605)對變數ζ設定1。
(步驟S606)二維FBM缺陷分類部315進行層ζ之固有FBM 之缺陷分類。 154553.doc -20· 201207861 (步驟S607)將變數z增加1 » (步驟S608)若z大於η’則前進至步驟S609 ,若為n以下 則返回步驟S606。 藉由反覆進行步驟S606〜S608，對所有層之固有FBM進 行一維缺陷分類。 (步驟S609)層間組合判定部317參照層組合規則，自步 驟S606〜S608中所獲得之層別之固有fbM缺陷分類結果中 檢測跨層之缺陷並進行分類，並將缺陷分類結果儲存至主 記憶體130中。此處之處理係與上述第丨實施形態（參照圖5) 同樣，因此省略說明。 (步驟S610)二維FBM缺陷分類部315進行層共有FBM之 缺陷分類。 (步驟S611)缺陷名稱轉換部316參照轉換表，將步驟 S610中之缺陷分類之二維缺陷分類名稱轉換為三維缺陷分 類名稱，並作為層共有FBM缺陷分類結果而儲存至主記憶 體 130。 (步驟S612)合成部318對層間組合判定部317之缺陷分類 結果與層共有缺陷分類結果進行合成。 (步驟S613)合成部318輸出合成之缺陷分類結果，並儲 存至磁碟裝置120。 於本實施形態中，對自基於各層之固有FBM的缺陷分類 結果（層1缺陷分類結果、層2缺陷分類結果、…、層η缺陷 分類結果）中參照層組合規則而檢測跨層之缺陷並進行分 類的缺陷分類結果、與基於層共有FBM之層共有缺陷分類 154553.doc -21· 201207861 結果進行合成。藉此，可進一步精度良好地進行跨層缺陷 之檢測•分類。 使用圖1 7說明本實施形態之跨層缺陷之檢測之一例。再 者，此處為便於說明，設FBM被分割為4個層（層1、層2、 層3、層4)。 層共有FBM提取部313自按層別分割之FBM中提取層共 有FBM。又，層固有FBM提取部314自按層別分割之FBM 中提取各層之固有FBM(層1固有FBM、層2固有FBM、層3 固有FBM、層4固有FBM)。 並且，二維FBM缺陷分類部315進行層共有FBM、各層 之固有FBM之缺陷分類。 層共有FBM之缺陷分類結果為BIT(30、7、1-4)該1個。 缺陷名稱轉換部3 16參照圖10所示之轉換表，將缺陷名稱 轉換為 BIT(30、7、1-4)至 ZLINE(30、7、1)-(30、7、4)。 層1固有FBM之缺陷分類結果為XLINE(1、3、1)-(32、 3、1)與BIT(32、16、1)該二個。層2固有FBM之缺陷分類 結果為BIT(31、10、2)與BIT(32、16、2)該二個。層3固有 FBM之缺陷分類結果為YLINE(7、1、3)-(7、16、3)該1 個。層4固有FBM無缺陷。 繼而，層間組合判定部317參照圖4所示之層組合規則， 自各層之固有FBM中檢測跨層之缺陷並進行分類。 層1固有FBM之XLINE(1、3、1)-(32、3、1)由於不符合 組合規則之基點缺陷，因此排除在組合缺陷之對象之外。 層1固有FBM之BIT(32、16、1)雖符合規則編號1、規則 154553.doc -22- 201207861 編號2及規則編號7之基點缺陷，但符合組合條件者僅為規 則編號2，因而關聯缺陷為層2之BIT(32、16、2) »將該等 群組化’並重新賦予Z2BIT之組合缺陷名稱，並分類為 Z2BIT(32、16、1)-(32、16、2)。又’刪除基點缺陷之 BIT(32、16、1)與設有刪除旗標之關聯缺陷之bIT(32、 16 、 2)。 層2固有FBM之BIT(31、10、2)雖符合規則編號1、規則 編號2及規則編號7之基點缺陷，但不存在符合組合條件之 關聯缺陷，因而排除在組合缺陷之對象之外。 層2固有FBM之BIT(32、16、2)如上所述已被刪除，因 此排除在對象之外。 層3固有FBM之YLINE(7、1、3)-(7、16、3)雖符合規則 編號4之基點缺陷，但不存在符合組合條件之關聯缺陷， 因而排除在組合缺陷之對象之外。 合成部3 18合成該等缺陷分類結果，並作為包含 ZLINE(30、7、1)-(30、7 ' 4)、Z2BIT(32、16、1)-(32、 16、2)、XLINE(1、3、1)-(32、3、1)、BIT(31、1〇、2)及 YLINE(7、1、3)-(7、16、3)之（最終）缺陷分類結果而輸 出。自合成部318輸出之缺陷分類結果被儲存至磁碟裝置 120。 、 如此，於本實施形態中，參照層組合規則，而自基於各 層之固有FBM的缺陷分類結果（層1缺陷分類結果、層2缺 陷分類結果、…、層η缺陷分類結果）中，將經檢測並分類 跨層之缺陷之缺陷分類結果、與基於層共有FBM之層共有 154553.doc -23- 201207861 缺陷分類結果進行合成β 本實施形態藉由使用層共有FBM，與上述第1實施形態 相比較’可減少進行與層組合規則之比對之缺陷數，因此 可縮短處理時間。又，由於自基於各層之固有FBM的缺陷 分類結果中參照層組合規則進行跨層缺陷之檢測•分類， 因此與上述第2實施形態相比較，可進一步精度良好地進 行跨層缺陷之檢測·分類。 上述實施形態中說明之缺陷解析裝置之至少一部分既可 由硬體構成，亦可由軟體構成。當由軟體構成時，亦可將 實現缺陷解析裝置之至少一部分功能之程式收納於軟碟或 CD-ROM等記錄媒體中，使電腦讀取並執行。記錄媒體並 不限疋於磁碟或光碟等可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶 體等固定型記錄媒體。 又，亦可將實現缺陷解析裝置之至少一部分功能之程式 、盈由、.周際網路等通信線路（亦包括無線通信）而發佈。進 而亦可對上述程式進行加密或進行調變，並在壓縮狀態 下、，’iL由網際網路等有線線路或無線線路或者收納至記錄媒 體中而發佈。 /對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態 係作為示例而提示者，並不意圖限定發明之範圍。該等新 穎之實施形態可在其他的各種形態下實施，於不脫離發明 之主旨之範圍β ’可進行各種省略、替換、變更。該等實 施形態或其變形包含在發明之範圍或主旨Θ，並且包含在 申請專利範圍中記載之發明與其均等之範圍。 154553.doc -24· 201207861 【圖式簡單說明】 圖1係本發明第1實施形態之缺陷解析裝置之硬體構成 圖。 圖2係本發明第1實施形態之缺陷解析裝置之功能方塊 圖。 圖3係說明本發明第1實施形態之缺陷解析方法之流程 圖。 圖4係表示層組合規則之一例之圖。 圖5係說明本發明第1實施形態之跨層的缺陷之檢測方法 之流程圖。 圖6係表示本發明第1實施形態之缺陷分類之一例之圖。 圖7係本發明第2實施形態之缺陷解析裝置之硬體構成 圖。 圖8係本發明第2實施形態之缺陷解析裝置之功能方塊 圖。 圖9係說明本發明第2實施形態之缺陷解析方法之流程 圖。 圖1 〇係表示轉換表之一例之圖。 圖11係說明層共有FBM之建立方法之流程圖。 圖12係說明層共有FBM之建立方法之流程圓。 圖13係表示本發明第2實施形態之缺陷分類之一例之 圖。 圖14係本發明第3實施形態之缺陷解析裝置之硬體構成 圖0 154553.doc •25· 201207861 圖15係本發明第3實施形態之缺陷解析裝置之功能方塊 圖。 圖16係說明本發明第3實施形態之缺陷解析方法之流程 圖。 圖17係表示本發明第3實施形態之缺陷分類之一例之 圖。 【主要元件符號說明】 20 測試器 100 缺陷解析裝置
110 CPU 111 讀取部 112 層分割部 113 二維FBM缺陷分類部 114 層間組合判定部 120 磁碟裝置 130 主記憶體 140 網路介面 150 匯流排 211 讀取部 212 層分割部 213 層共有FBM提取部 214 層固有FBM提取部 215 二維FBM缺陷分類部 216 缺陷名稱轉換部 154553.doc • 26 - 201207861 217 合成部 311 讀取部 312 層分割部 313 層共有FBM提取部 314 層固有FBM提取部 315 二維FBM缺陷分類部 316 缺陷名稱轉換部 317 層間組合判定部 318 合成部 -27- 154553.doc