TW201145397A - Laser annealing device - Google Patents

Description

201145397 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種雷射退火裝置，更詳細而言，有關於在 發生有照射不均之基板之後續基板，亦可以防止在其發生有 照射不均，和在未發生照射不均時，下一個基板之開始處理 不會變慢之雷射退火裝置。 【先前技術】 以往，習知有多晶矽膜評估裝置，解析退火處理後之基板 表面之紫外線影像，檢查多晶矽膜之結晶狀態（例如，參照 專利文獻1)。 但是，上述多晶矽膜評估裝置可以檢查多晶矽膜之結晶狀 態，卻不能檢查照射不均。 因此，照射不均之檢查是將雷射退火處理完成之基板從雷 射退火裝置取出後以目視進行。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2〇〇2_289522號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 一般，照射不均是由於雷射光學系之狀態變動而發生。因 此，在某一基板發生有照射不均而不進行雷射光學系之調 整，則其後續之基板發生照射不均之機率會很高。 100108495 3 201145397 因此’對於發生有照射不均之基板之接續基板，要防止在 其發生照射不均時，需要等待下一個基板之處理之開始，直 至在某一基板藉檢查確認沒有發生照射不均。 但是’在上述方式中，即使未發生照射不均，至照射不均 之檢查完成為止，下一個基板之開始處理會變慢，會有生產 效率降低之問題。 因此，本發明之目的是提供雷射退火裝置，對於發生有照 射不均之基板之接續基板，可以防止在其發生照射不均，和 在未發生有照射不均時，下一個基板之開始處理不會變慢。 (解決問題之手段） 在第1觀點，本發明提供雷射退火裝置（1)，其特徵在於 具備有：基板支持手段(10、U、12、13)，用來支持基板(p) 成為可移動；雷射照射手段(50)，用來使線狀之雷射光（1〇〇) 照射在上述基板(P);攝影手段(2、3)，對已完成雷射光（1〇〇) 照射之基板部分(30)進行攝影；和控制手段(22)，解析在雷 射照射和基板移動中以上述攝影手段(2、3)攝影到之影像， 當檢測到有照射不均時，則將雷射照射及基板移動的中斷， 指不至上述雷射照射手段(5〇)和上述基板支持手段（1〇、u、 12 、 13) 〇 在依照上述第1觀點之雷射退火裝置中，因為在雷射退火 處理中，當檢測到有照射不均發生時就使雷射退火處理中 斷，所以可以立即進行雷射光學系之調整，對於發生有照射 100108495 4 201145397 不均之基板之接續基板，可以防止在其發生照射不均。另 外，可在照射不均檢測以後避免多餘之雷射照射為其優點。 另外，因為雷射退火處理和照射不均之檢查可以並行地進 行，所以從雷射退火處理之完成起之稍後，照射不均之檢查 亦完成，在未發生照射不均時，則下一個基板之開始處理幾 乎不會變慢。 (發明效果） 依照本發明之雷射退火裝置時，即使是發生有照射不均之 基板之接續基板，亦可以防止在其發生照射不均。另外，在 未發生照射不均時，下一個基板之開始處理幾乎不會變慢， 可以提高生產效率。 【實施方式】 以下利用附圖所示之實施形態，用來更詳細地說明本發 明。但是該實施形態並不用來限定本發明。 [實施例] -實施例1- 圖1是構造說明圖，用來表示實施例1之雷射退火裝置1。 該雷射退火裝置1具備有：處理室51，具有雷射光透過 窗8和基板搬入出口 9 ; X方向軌道10，以X方向被設置在 處理室51之底面；X台11，以X方向在X方向執道10上 直線移動；y方向軌道12，以y方向被設置在X台11之頂 面；載物台13，以y方向在y方向執道12上直線移動；密 100108495 5 201145397 封蓋18’被設置在載物台13上；雷射丼 田耵九源50,用來對被載 置在密封&18上之基板？照射雷射A1〇〇;局部密封各^ 具有氣體喷射P 56卓月向基板P嘴射氣體(例如氮氣）皿用來 使雷射光100所照射之局部成為氣體環境；照明光源3， 來對已完成雷射* 10 0照射之基板部分3 〇，照射照明光加用 CCD攝影機2,以相對基板P之表面大約呈45。之角度，’ 已完成照射之基板部分30進行攝影；和控制裝置^ 進行f射^源50之ON/QFF’或X台u之直線移動/停^ 或從CCD攝影機2輸入之影像之解析等。 圖2是概念圖，用來說明基板p、密封蓋18、雷射光⑺卜 氣體喷射口 56和已完成照射之基板部分3〇之位置關係。 雷射光100為線狀。 氣體噴射口 56為縫隙狀。 如箭頭xl所示，當使基板P直線移動時，可以利用雷射 光100在X方向掃描基板p。 照射過基板部分30是以雷射光100完成掃描之基板表面 之一部分。 圖3是對照射過基板部分3〇攝影之影像之一實例。 照射不均之線條不均101a出現在掃描方向之虛線狀，閃 光不均101b出現在雷射光100之線方向之虛線狀。 線條不均l〇la和閃光不均1〇lb之暗線(例如寬度〇丨μηι， 長度〇.5mm)是雷射照射不適當之部分。 100108495 6 201145397 圖4疋流&圖’用來表示雷射退火處理裳置1之動作。 在田射退火處理之步驟A1，將基板P從基板搬入出口 9 搬入到處理室51内。 在雷射退火處理之步驟A2 ’照射雷射光咖同時使載物 •台13移動，並利用雷射光100掃描基板P。 在雷射退火處理之步驟A3 ’檢查是否接受到來自 照射不 均k查處理之中斷指令，假如未接受㈣則前進到步驟 A4 ’假如接受到時則前進到步驟a6。 在雷射退火處理之步驟八4，判定對基板p之掃描是否完 成’在未完成時則回到步驟A2，對未完成之基板部分進行 掃描。假如完成則前進到步驟A5。 在雷射退火處理之步驟A5，從基板搬入出口 9將基板p 搬出到處理室51外。然後，回到步驟A1，將下一個之基板 P從基板搬入出口 9搬入到處理室51内。 在雷射退火處理之步驟A6，停止雷射光之照射，從 基板搬入出口 9將基板P搬出到處理室51外。然後，使雷 射退火處理結束。 在照射不均檢查處理之步驟3卜合雷射退火處理之基 板P之掃描和時序’對完成照射之基板部分3〇進行攝影， 並取得影像。 在照射不均檢查處理之步驟B2，解析縣，在沒有檢測 到照射不均時則回到步驟m，並取得新影像。假如檢測到 100108495 7 201145397 有照射不均時則前進到步驟B3。 在照射不均檢查處理之步驟B3，對雷射退火處理發出中 斷指令。 在照射不均檢查處理之步驟B4，將檢測到照射不均之信 息對操作員報告。然後，使照射不均檢查處理結束。 依照實施例1之雷射退火處理裝置1時，可以獲得下面所 述之效果。 (1) 在雷射退火處理中，當檢測到有照射不均發生時，則使 雷射退火處理中斷，所以可以立即進行雷射光學系之調整， 發生有照射不均之基板之接續基板，可以防止在其發生照射 不均。另外，可以避免對該基板P之照射不均檢測以後多餘 之雷射照射。 (2) 因為雷射退火處理和照射不均檢查並行進行，所以在雷 射退火處理完成起之稍後，延遲照射不均之檢查亦結束，在 未發生照射不均時幾乎不會延遲地開始下一個基板之處理。 -實施例2- 亦可以使用複數台之CCD攝影機2，分擔完成照射之基 板部分30之攝影。 (產業上之可利用性） 本發明之雷射退火裝置可以利用在非晶質半導體基板之 雷射退火處理。 【圖式簡單說明】 100108495 8 201145397 圖1是構造說明圖，用來表示實施例1之雷射退火裝置。 圖2是概念俯視圖，用來表示被雷射光照射之基板部分。 圖3是說明圖，用來表示攝影之影像上之照射不均。 圖4是流程圖，用來表示實施例1之雷射退火裝置之動作。 【主要元件符號說明】 1 雷射退火裝置（雷射退火處理裝置） 2 CCD攝影機 3 照明光源 8 雷射光透過窗 9 基板搬入出口 10 X方向執道 11 X台 12 y方向軌道 13 載物台 18 密封蓋 20 照明光 22 控制裝置 30 照射過基板部分 50 雷射光源 51 處理室 52 局部密封盒 56 氣體喷射口 100108495 9 201145397 100 雷射光 101a 線條不均 101b 閃光不均 P 基板 100108495

Claims (1)

1. 201145397 七、申請專利範圍： 1.-種雷射退火裳置⑴，其特徵在於 段(10、U、12、13)，用來支持基板(P)成^有·基板支持手 •射手段(5〇)，用來使線狀之雷射光（1〇〇)昭可移動；雷射照 • (p);攝影手段(2、3)，對已議射光⑽基Γ =1進彳了攝影；和控制手段(22)，解析在雷射照姊= 移動中以上述攝影手段(2、3)攝影到之影像，當檢測到有照 射不均時’則將雷射照射及基板移動的中斷，指示至上述雷 射照射手段(50)和上述基板支持手段（1〇、u、12、13)。 100108495 11