TW201122095A - Cleaning composition - Google Patents

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201122095 32674twf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關巧一種半導體製程用的組成物，且特別 是有關於一種用化學機械研磨製程後的清洗組成物。 【先前技術】

在超大型積體電路(VLSI)製程中，化學機械研磨製程 (chemical mechanical p〇iishing，CMP)可提供晶圓表面全面 性之平坦化(global planarization)，尤其當半導體製程進入 次微米(sub-micron)領域後，化學機械研磨法更是一項不可 或缺的製程技術。 ' 在衡量化學機械研磨製程之表現的所有項目中，缺陷 的存在與否為重要項目之一。化學機械研磨製程中所產生 的缺陷包括有機殘留物、小顆粒、微刮痕及腐蝕等。其中， 有機殘留物的起因為研漿的化學組成之作用。研漿的'成分 有時會與金屬層交互作用而在研磨墊或工具表面留下殘留 物或污痕等汙染物。若這些污染物沒有清洗乾淨，將會使 得研磨墊的效能降低，而降低膜層移除率，進而影響到膜 層移除率的均一性，更甚者會縮短研磨墊的壽命。 舉例來說，在研磨銅金屬或阻障層的步驟之後，常會 在晶圓及研磨墊上留下苯耕三氮唾(BTA，benz〇triaz〇1_ 留物。此殘留物很難移除，其會影響元件的電性效能且會 縮短研磨墊的壽命。 因此，為去除進行化學機械研磨製程後產生之污染 201122095 jz〇/*+iwi.u〇c/n 物，於化學機械研磨後必須加入一清洗步驟。目前，積體 電路製造讀巾是使⑽性或巾性的清洗液，並利用刷 洗、喷洗或超音波清料方式，以達到去除晶圓表面之污 染物之效果。然酸性或巾性的清洗液會過度移除晶圓 上的金屬導線，而造成晶圓表面的粗糙度增加。此外，上 述清洗液會使得研磨墊的再利用性降低。 由於上述習知之清洗方式並無法有效地移除污染 物’且不能有效地改良經化學機械研磨後之晶圓表面的性 質。因此’業界仍積極尋求—種可有效清除晶圓表面經化 學機械研磨錢留污染物的清洗絲，且能轉晶圓表面 之平坦度’同時更具經濟效益之化學機械研磨後的清洗。 【發明内容】 本發明提供一種清洗組成物，能有效地移除進行化學 機械研磨製程後所產生的殘留物。 本發明提出一種清洗組成物，包括多胺基羧酸鹽 (polyamino carboxylic salt)、酸及水。多胺基羧酸鹽的含量 為0.01重量％至0.5重量％。酸的含量為〇 〇1重量％至〇 5 重量％。其中，清洗組成物的剩餘部份為水。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中’多胺基羧酸鹽為選自乙二胺四乙酸 (ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙稀三胺五乙酸 (diethylenetriaminepentatacetic acid)、三甘胺酸 nitrilotriacetic acid、N-羥乙基乙二脍二 201122095 32674twf.d〇c/n (N-(hydroxyethyl)-ethylenediaminetriacetic acid)、經乙基亞 胺基二乙酸(hydroxyethyliminodiacetic acid)的驗金屬鹽及 敍鹽(ammonium salt)中的至少一者。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中，酸為膦幾:酸（phosphonic carboxylic acid)及緩酸 (carboxylic acid)中的至少一者。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中，膦緩酸為選自2-胺基乙基膦酸(2-aminoethylphosphonic acid ， ΑΕΡΝ)、曱基膦酸二甲酯（Dimethyl methylphosphonate，DMMP)、羥基乙叉二膦酸（1-Hydroxy Ethylidene-l，l-Diphosphonic Acid，HEDP)、氨基三曱叉膦 酸(Amino tris(methylene phosphonic acid，ATMP)、乙二胺 四甲叉膦酸（Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，EDTMP)、四亞曱基乙二胺四甲叉膦酸 (Tetramethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid) 5 TDTMP)、己二胺四曱叉膦酸（Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid) ’ HDTMP)、二亞乙基三胺 五甲叉膦酸(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid)，DTPMP)、2-膦酸基丁烷-1，2,4-三羧酸 (2-phosphonobutane-l,2,4-tricarboxlic acid，PBTC)、N-(膦 叛曱基）亞胺基二乙酸(N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid，PMIDA)、2-叛乙基膦酸(2-carboxyethyl phosphonic acid ’ CEPA) 、 2-羥基膦醯基乙酸 (2-Hydroxyphosphonocarboxylic acid，HPAA)及胺基·三甲 201122095 /*»iwi.uOC/n 叉膦酸(amino-tris-(methylene-phosphonic acid，AMP)中的 至少一者。 . 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中’緩酸為選自曱酸(formic acid)、乙酸(acetic acid)、丙酸 (propionic acid)、草酸(oxalic acid)、丙烯酸(acrylic acid)、 苯甲酸(benzoic acid)、順丁烯二酸(maleic acid)、蘋果酸 (malic acid)、戊二酸(glutaric acid)、丙二酸(malonic acid)、 已二酸(adipic acid)、檸檬酸(citric acid)、鳥頭酸(aconitic acid)中的至少-者。 ® 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中’清洗組成物更包括界面活性劑。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中’界面活性劑為非離子界面活性劑(noni〇nic surfactant)、 陰離子界面活性劑(anionic surfactant)或其組合。 依照本發明的一貫施例所述’在上述之清洗組成物 中，非離子界面活性劑為選自烷基聚乙烯氧化物(alkyl poly(ethylene oxide))、烷基酚聚乙烯氧化物(alkylphen〇1 φ poly(ethylene oxide))及烷基聚葡萄糖苷(alkyl polyglucosides)中的至少一者。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中，陰離子界面活性劑為選自烷基硫酸鹽(alkyl sulfate sa】t) 及烷基苯磺酸鹽(alky 1 benzene sulfonate)中的至少一者。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中烧基硫酸鹽為選自十二硫酸鈉(sodium dodecyl 6 201122095 32674twf.doc/n sulfate)、十—焼* 基硫酸錢(aninioiliuni lauryl sulfate)及十二 炫基醚硫酸納(sodium laureth sulfate)中的至少一者。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中，烷基苯磺酸鹽包括十二烷基苯磺酸(d〇decylbenzene sulfonic acid)。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物

中，清洗組成物包括離子增強劑，其含量為〇 〇1重量％至 0.5重量％。 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 中，離子增強劑為選自甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙烯酸、 苯曱酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、 才宁檬酸、鳥頭酸、水揚酸(salicylicacid)、酒石酸(加加匕 add)、乙醇酸(glycolicacid)及磺酸(sulf〇nicacid)的胺鹽、 卸鹽、納鹽及鋰鹽中的至少一者。 中 依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物 ’清洗組成物可濃縮為高濃縮清洗組成物。 中 =本發明的-實施例所述’在上述之清洗組成物 ，高濃縮清洗組成物的濃縮倍數為20倍至60倍。 中 依照本發明的-實施例所述，在上述之清洗二成物 ’清洗組成物的酸驗值為8至12。 基於上述，由於本發騎提出之清洗組祕具有多胺 基竣酸鹽，使得清洗組成物祕性，目倾在進行化學機 有效地對晶圓及研磨塾等進行清洗，且不 201122095 32674twt.doc/n 此外，由於化學機械研磨製程中所使用的研漿與本發 明所提出之清洗組成物同為鹼性，可避免產生酸鹼衝擊 (pH shock)。另一方面，在此鹼性環境下，可使得研磨粒具 有較佳的動電位(zeta potential)，而能增進清洗組減物的产 洗能力。 @ 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例’並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 首先，說明本發明之清洗組成物，其適用於進行化學 機械研磨製程後，對於晶圓以及研磨墊等的清洗製程中。 本發明的一實施例之清洗組成物包括多胺基緩酸 鹽、酸及水。 多胺基羧酸鹽的含量為0.01重量％至0.5重量％，可 以使得清洗組成物呈驗性。清洗組成物的酸鹼值例如是8 至12。多胺基叛酸鹽例如是選自乙二胺四乙酸、二乙缚三 胺五乙酸、三甘胺酸、N-羥乙基乙二胺三乙酸、羥乙基亞胺 基二乙酸的驗金屬鹽及銨鹽中的至少一者。 酸的含量為0.01重量％至0.5重量％。酸例如是膦羧 酸及叛酸(carboxylic acid)中的至少一者。 叛酸例如是選自曱酸、乙酸、丙酸、草酸、丙稀酸、 苯曱酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、 檸檬酸、鳥頭酸中的至少一者。 膦缓酸例如是選自2-胺基乙基膦酸、曱基膦酸二曱 201122095 32674twf.doc/n 酯、#里基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦 酸、四亞甲基乙二胺四甲叉膦酸、己二胺四甲叉膦酸、二 亞乙基三胺五f叉膦酸、2_膦酸基丁烷-i，2,4-三羧酸、N-(膦 羧甲基)亞胺基三乙酸、2-羧乙基鱗酸、2-羥基膦醯基乙酸 及胺基-三甲叉膦酸中的至少一者。 此外，清洗組成物更可包括界面活性劑，以增加清洗 組成物的親水性。界面活性劑例如是非離子界面活性劑、 陰離子界面活性劑或其組合。其中，非離子界面活性劑例 如，選自烷基聚乙烯氧化物、烷基酚聚乙烯氧化物及烷基 聚葡萄糖苷中的至少一者。陰離子界面活性劑例如是選自 烷基硫酸鹽及烷基苯磺酸鹽中的至少一者。烷基硫酸鹽例 如疋k自十一硫酸納、十二烧基硫酸銨及十二烧基謎硫酸 鈉中的至少一者。烷基苯磺酸鹽例如是十二烷基苯磺酸。 另外，清洗組成物更可包括離子增強劑，其含量為〇 至G 5重里％’可以改善清洗組成物的制能力。離 =劑例如是選自甲酸、乙酸、两酸、草酸、丙稀酸、 ::頁丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、 頭酸、水楊酸、酒石酸、⑽酸及猶_鹽、 鉀鹽、鈉鹽及鋰鹽中的至少一者。 離子=此之外’清洗組成物_餘部份為水。水例如是去 值付注意的是，基於商葉1^1本土 θ 潰缔為U心、“ 翻素考1，可將清洗組成物 ，為：洗組成物’能減少清洗組成物的重量及體 積’以大幅地降低清洗組成物的運送成本及所需的围貨空 201122095 jzo /^fiwi.aoc/n 間。南濃縮清洗組成物的濃縮倍數例如是2〇_倍至_6〇_ 倍。 基於上述，由於本實施例所提出之清洗組成物具有多 ' 胺基羧酸鹽，使得清洗組成物成驗性，所:以在進行.北學機 械研磨製程之後，能夠有效地對晶圓及研磨墊等進行清 洗’且不會對晶圓及研磨墊造成傷害。 此外，由於化學機械研磨製程中所使用的研漿與本實 施例所k出之清洗組成物同為驗性，因此並不存在酸驗衝 擊(pH shock)。另一方面，在此鹼性環境下，可使得研磨粒 具有較佳的動電位(zetapotential)而能防止研磨粒聚集，且 能增進對於小顆粒的清洗能力，還對如苯駢三氮唑等有機 殘留物具有較佳的溶解度。 以下’進行t際的實驗測試。其中，配方1至配方1〇 為濃縮後的產品，在各實驗例中用以清洗的清洗液樣品為 經稀釋的樣品’稱之為「使用時的樣品(point-of-use(POU) sample ’以下簡稱ρ〇υ樣品）」。 【貫驗例一】 配方1至配方6之清洗組成物的組成成分、比例及酸 驗值如下表1所示。其中’配方1至配方6之清洗組成物 的剩餘部份為水。在實驗例一中，配方1至配方6之P0U 樣品為以去離子水稀釋40倍後的樣品。 表1

成分 酸驗值 多胺基 酸 羧酸鹽 羧酸 膦羧酸 KDTPA 檸檬酸 PBTC 201122095 32674twf.doc/n 配方1 8% 3.47% 8.41 配方2 8% 2.15% 9.43 配方3 8% 1.28% 10.46 配方4 8% 3.63% 8.48 配方5 8% 2.49% 9.5 配方6 8% ‘二·二 1.65% 10.5 言主· KDTPA :二乙烯二胺五乙酸五斜鹽(potassium diethylenetriaminepentaacetate)

PBTC : 2-膦酸基丁烷-1，2,4-三敌酸 (2-phosphonobutane-l,2,4-tricarboxlic acid) (一)靜態ϋ刻率測試 1.所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下： 晶圓：200毫米的銅覆蓋晶圓，其中銅厚度為2〇〇〇埃 量測儀器：X-光螢光分析儀（x_ray Flu〇rescence

Spectrometer » XRF) 貫驗方法：首先，以4〇倍的去離子水對配方i至配 方6之清洗組成物進行稀釋。接著，將銅覆蓋晶圓浸泡於 配方1至配方6之清洗組成_稀釋溶財24()分鐘。赛 量測經㈣前後銅的厚度，以計算出平均的、 靜恝姓刻率(static etching rate，SER)。 2.靜態蝕刻率測試的結果：如下表2所示 __表2 樣品 SER(埃/分） 配方1的P0U樣品 4.6 ' _配方2的P0U樣品 Ϊ5 ~~ ' -- 201122095 326/4twt.doc/n 配方3的POU樣品 3.45 配方4的POU樣品 3.5 配方5的POU樣品 2.5 配方6的POU樣品 3.45 請參照表2,配方1 g配方6冬P〇U樣品對於晶圓上 之銅金屬的SER都很低’均小於5埃/分。由此可知，配 方1至配方6之POU樣品並不會對銅金屬造成過度钱刻的 么：钮現象’且不會有底切現象(under cut)產生。因此，配方 1至配方6之POU樣品適用於現行半導體製程中。 (二）濕潤測試(wetting test) 1.所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下·· 晶圓：200毫米的銅覆蓋晶圓及MIT 854圖案化晶圓 研漿：SuperNova SN2000 銅研漿及 SuperNova 4500 阻障層研漿 罝測儀裔.接觸角量測儀(c〇ntact angle meter) 實驗方法：首先，以40倍的去離子水對配方丨至配 方6之清洗組成物進行稀釋。接著，利用接觸角量測儀觉 測配方1至配方6的POU樣品於銅覆蓋晶圓上的接觸角。 此外，關於MIT 854圖案化晶圓，先利用App脇 Materials Mirra 研磨機台以 SuperN〇va SN2〇〇〇 銅研漿及

SuperN二a 4500阻障層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研 磨。接著，利用配方1至配方6的p〇u樣品以15毫升/ 分的抓率SMIT 854圖案化晶圓進行清洗。在對薦854 圖案化晶圓進行清洗之後’利用接_制儀量測去離子 水於MIT 854圖案化晶圓上的接觸角。 12 201122095 32〇/4twf.doc/n 2.濕潤測試的結果：如下表3所示。 表3 樣品 POU樣品於晶圓 上的接觸角（度） 去離子水在經清洗液清洗 後的晶圓上的接觸角(度） 配方1的P:〇iJ樣品： -^ 10 13.8 配方2的POU樣品 21 10.2 配方3的POU樣品 24.5 7.9 配方4的POU樣品 14 小於7 配方5的POU樣品 21 小於7 配方6的POU樣品 16 小於7 請參照表3,配方1至配方6之POU樣品於晶圓上的 接觸角都很小，故對於晶圓有較佳的溼潤能力。此外，去 離子水在經配方1至配方6之P 0 U樣品清洗後的晶圓上的 接觸角也都很小’故去離子水對於經配方1至配方6之 POU樣品清洗後的晶圓具有較佳的溼潤能力。 由上述可知’當使用配方1至配方6之POU樣品對 晶圓進行清洗時’配方1至配方6之p〇u樣品及去離子水 對於晶圓均具有較佳的溼潤能力，因此可有效地對晶圓進 行清洗。 (三)清洗後的粗輪度測試 1.所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下： 晶圓：MIT 854圖案化晶圓 研漿：SuperNova SN2000 銅研漿及 SuperNova 4500 阻障層研漿 里測儀器.原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope， AFM) 13 貫驗方法.先利用Applied Marterials Mirra研磨機 台，以 SuperNova SN2000 銅研漿及 SuperN〇va 45〇〇 阻障 層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研磨。接著，利用配方 1至配方6的POU樣品以15」毫升/分的流率對ΜΙτ854圖 案化晶圓進行清洗。在對MIT 854圖案化晶圓進行清洗之 後，利用一AFM量測經姓刻前後晶圓表面的粗糙度β 2.粗糖度測試的結果：如下表4所示。 表4 樣品 酸鹼值 粗糙度(Ra)(埃） 均方根粗糖度 (root-mean-square roughness) (Rm、 配方1的POU樣品 8.41 3.35 8.36 配方2的P0U檄品 9.43 2.52 5.19 配方3的POU樣品 10.46 3.14 --—----- 7.61 配方4的P〇U樣品 8.48 3.18 4.46 —~~~ 配方5的p〇U檨品 9.5 2.89 — 丨—一 4.17 配方6的P〇U檨品 10.5 3.28 4.34 請參照表4，配方1至配方6之POU樣品對於晶圓上 之銅金屬的粗糙度都很低，Ra均小於埤格所要求的7埃。 由此可知’利用配方1至配方6之POU樣品對晶圓進行清 洗能具有較佳的表面粗糙度。 【實驗例二] 配方7至配方1〇之清洗組成物的組成成分、比例及 酸驗值如下表5所示。其中’配方7至配方1〇之清洗組成 物的剩餘部份為水。配方7至配方10為濃縮後的產品，在 實驗例二中’配方7至配方10之POU樣品為以去離子水 201122095 jzo/^twf.doc/n 稀釋40倍後的樣品。 表5 樣品 成分 酸鹼值 多胺基 羧酸鹽2 酸 離子增強劑 界面活性劑 KDTPA 草酸 草酸敍 (axnmoniu m oxalate) 檸檬酸銨 (ammoniu m citrate) 十二烷基苯磺酸 (dodecylbenzene sulfonic acid) 配方7 2% 1.15% - - _ 8.41 配方8 2% 0.78% - - 0.2% 9.43 配方9 2% 0.65% 1% - _ 10.46 配方10 2% 1.15% - 1% - 8.48

以下，利用配方7至配方10之I>〇u樣品進行SER測 試、粗糙度測試、濕潤測試、BTA溶解度測試及動電位測 試，其測試的結果如下表6所示。 表6

樣品 SER (埃/分） 粗縫度 (埃） 接觸角 (度） BTA 溶解度(％) 動電位， 4%Si02研磨粒 去離子水 - 3.52 82 1 -25 配方7的POU樣品 1.57 3.55 30 2 -57.6 配方8的POU樣品 1.59 3.46 10 2 -58.5 配方9的POU樣品 1.89 4.39 22.16 2.15 -55.4 配方10的POU樣品 2.04 3.82 22.38 ~ 2.15 -53.1 1. SER測試的結果： 請參照表6，配方7至配方10之POU樣品對於晶圓 上之銅金屬的SER都很低，均小於3埃/分。由此可知， 配方7至配方10之POU樣品並不會對銅金屬造成過度蝕 刻。 2.粗糙度測試的結果： 15 201122095 請參照表6，配方7至配方1〇2P〇U樣品對於晶圓 上之銅金屬的粗糙度都很低，均小於規格所要求的7埃。 3. 濕潤測試的結果： ' 請參照表6,由配方‘7吸配方8 iP〇u樣品的實驗結 果可知，由於在配方8中添加陰離子界面活性劑，因此配 方8相較於配方7具有較佳的澄潤特性。 4. BTA溶解度測試： 請參照表6，配方7至配方1〇之p〇u樣品相較於去 離子具有較佳的BTA溶解度。此外，添加草酸敍的配方9 與添加檸檬酸銨的配方10具有較佳的BTA溶解度。由此 可知，在清洗組成物中添加如草酸銨及檸檬酸銨等的離子 增強劑’有助於溶解BTA等有機殘留物，且SER、粗糙 度與濕潤特性仍可維持在很好的水準。 ~ 5. 動電位測試： 請參照表6，在以配方7至配方1〇之p〇u樣品進行 清洗的Si〇2研磨粒具有相當高的負動電位，能使得研磨粒與 晶圓之間存在相當大的排斥力，所以可防止研磨轉附於晶^ 上’進而具有較佳的清洗能力。 【實驗例三] .實驗方法：提供兩片MIT 854圖案化晶圓，先利用 Mirra研磨機台以SuperN〇va SN2〇〇〇銅研漿及s叩打 4500阻障層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研磨。接著， 分別利用去離子水以及配方7之P0U樣品對晶圓進行清 201122095 •/▲vr / «Μ·，▼ f.doc/n 洗。在實驗例三φ 4〇倍後的樣品。_之P〇u樣品為以去離子水稀釋 製程為本翻之—實驗例之在化學機械研磨 …水對晶圓進行清洗後的照片圖。 卸f 2Α及圖沈為本發明之一實驗例之在化學機械研磨 衣二以配方7之咖樣品對晶圓進行清洗後的照片圖。 ^時參照圖1A及圖m，在利用去離子水進行清洗

、曰曰_ ，在圖丨八的銅金屬線區域内以及圖1B的鋼金屬 線與，化♦介電層的交界處均出現有機殘留物。由此可 知’單以去離子水進行清洗絲法有效地移除晶圓上的有 機殘留物。 5青同時參照圖2A及圖2B，在利用配方7之1>〇11樣 α口進行清洗的晶圓上，在圖2A的銅金屬線區域内以及圖 2Β的銅金屬線與氧化矽介電層的交界處均沒有發現有機 殘留物。由此可知，利用配方7之P0U樣品進行清洗可以 有效地移除晶圓上的有機殘留物。 【實驗例四】 金屬離子殘留測試： 1.實驗方法：提供三片ΜΙΤ 854圖案化晶圓，先利用 Mirra(產品名）研磨機台以SuperNova SN2000鋼研聚及 SuperN〇va4500阻障層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研 磨。接著’其中一片晶圓不使用清洗液進行清洗，另外兩 片晶圓分別利用配方5及配方7之POU樣品對晶圓進行清 17 201122095 / τι W J..U\ 洗。之後，利用全反射X光螢光光譜法(total reflection X-ray fluorescence (TXRP) spectroscopy)進行金屬殘留物的量 測。在實驗例四中，配方5及配方7之POU樣品為以去離 -v 手水稀釋40倍後的樣品。 - 2.金屬離子殘留測試的結果：如下表7所示。 表4 金屬離子 不使用清洗液 使用配方5及之POU樣品 使用配方7之POU丨策品 (xl01()原子/平方公分） (X 10ω原子/平方公分） (χ101()原子/平方公分） K 469.60 3.07 0.89 Ca 1672.61 0.24 0.35 Sc 0.00 0.00 0.00 Ti 69.75 0.05 0.03 Cr 17.96 0.14 0.01 Μη 3.50 0.00 0.04 Fe 174.68 0.97 0.90 Co 0.87 0.00 0.00 Ni 30.55 0.41 0.22 Cu 86.28 0.00 0.00 Zn 327.88 0.06 0.00 Zr 0.00 0.00 0.00 Nb 94.28 0.00 0.00 Tc 105.21 0.00 0.00 Pd 42.83 0.00 0.00 Ag 0.00 0.00 0.00 Cd 0.00 0.00 0.00 In 0.00 0.00 0.32 Sn 12.29 0.00 0.00 Sb 0.00 0.00 0.00 Te 49.53 0.00 0.00 請參照表7，在不使用清洗液進行清洗的晶圓上，會 留下大量金屬離子殘留物。然而，利用配方5及配方7之 201122095 /-M.vyi.d〇C/n POU樣品進行清洗的晶圓上’僅留下微量的金屬離子殘留 物。由此可知’利用配方5及配方7之POU樣品對晶圓進 行清洗可有效地移除晶圓上的金屬離子殘留物。 =雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非甩以限定 本發明’任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫^ 本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤錦，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 •【目式帛單說明】 圖1A及圖1B為本發明之一實驗例之在化學機械研磨 私後以去離子水對晶圓進行清洗後的照片圖。 ® 2A及圖2B為本發明之—實驗例之在化學機械研磨 製程後以配方7之應樣品對晶圓進行清洗後的照片圖。 【主要元件符號說明】 無 19

Claims (1)

1. 201122095 c/n 七、申請專利範圍： 1. 一種清洗組成物’其組成總量為100%，包括： 多胺基羧酸鹽(polyamino carboxylic salt)，其含量為 0.01重量％至0.5重臺％ ; 酸’其含量為0.01重量％至0.5重量％ ;以及 水’其中前述清洗組成物的剩餘部份為前述水。 2. 如申請專利範圍第1項所述之清洗組成物，其中所 述多胺基羧酸鹽為選自乙二胺四乙酸 (ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙埽三胺五乙酸 (diethylenetriaminepentatacetic acid)、三甘胺酸 (nitrilotriacetic acid)、N-羥乙基乙二胺三乙酸 (N-(hydroxyethyl)-ethylenediaminetriacetic acid)、經乙基亞 胺基二乙酸(hydroxyethyliminodiacetic acid)的鹼金屬鹽及 銨鹽(ammonium salt)中的至少一者。 3. 如申請專利範圍第1項所述之清洗組成物，其中所 述酸為膦叛酸（phosphonic carboxylic acid)及缓酸 (carboxylic acid)中的至少一者。 4. 如申請專利範圍第3項所述之清洗組成物，其中所 述膦叛酸為選自2-胺基乙基膦酸(2-aminoethylphosphonic acid ，AEPN)、曱基膦酸二曱酯（Dimethyl methylphosphonate，DMMP)、經基乙叉二膦酸(1-Hydroxy Ethylidene-l，l-Diphosphonic Acid，HEDP)、氨基三曱叉膦 酸(Amino tris(methylene phosphonic acid，ATMP)、乙二胺 四曱叉膦酸（Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic 20 201122095 / Tt-V» acid)，EDTMP)、四亞曱基乙二胺四曱叉膦酸 (Tetramethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid) j TDTMP)、己二胺四曱叉膦酸（Hexamethylenediamine tetra(methy:lene phosphonic acid)，HDTMP)、二亞乙基三臉： 五曱叉膦酸(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid)，DTPMP)、2-膦酸基丁烷-1，2,4-三羧酸 (2-phosphonobutane-l，2,4-tricarboxlic acid，PBTC)、N-(膦 缓甲基）亞胺基二乙酸(N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid，PMIDA)、2-叛乙基膦酸(2-carboxyethyl phosphonic acid ， CEPA) 、 2-羥基膦醯基乙酸 (2-Hydroxyphosphonocarboxylic acid，HPAA)及胺基-三曱 叉鱗酸(amino-tris-(methylene-phosphonic acid，AMP)中的 至少一者。 5. 如申請專利範圍第3項所述之清洗組成物，其中所 述叛酸為選自甲酸(formic acid)、乙酸(acetic acid)、丙酸 (propionic acid)、卓酸(oxalic acid)、丙稀酸(acrylic acid)、 苯甲酸(benzoic acid)、順丁烯二酸(maleic acid)、蘋果酸 (malic acid)、戊一酸(glutaric acid)、丙二酸(malonic acid)、 已二酸(adipic acid)、擰檬酸(citric acid)、鳥頭酸(aconitic acid)中的至少一者。 6. 如申請專利範圍第1項所述之清洗組成物，更包括 界面活性劑。 7. 如申請專利範圍第6項所述之清洗組成物，其中所 it界面/舌欧^為非離子界面活性劑surfactant)、陰 21 201122095 x.uOC/ll r ~r«,rv 離子界面活性劑(anionic surfactant)或其組合。 8·如申請專利範圍第7項所述之清洗組成物，其中所 述非離子界面活性劑為選自烷基聚乙烯氧化物(alkyl poly(ethylene oxide))、院基盼聚乙稀氧化物_(alkylphenol poly(ethylene oxide))及烷基聚葡萄糖苷(alkyl polyglucosides)中的至少一者。 9. 如申請專利範圍第7項所述之清洗組成物，其中所 述陰離子界面活性劑為選自.烷基硫酸鹽(alkyl suifate sait) 及烧基苯續酸鹽(alkyl benzene sulfonate)中的至少一者。 10. 如申請專利範圍第9項所述之清洗組成物，其中 所述烧基硫酸鹽為選自十二琉酸納(sodium dodecyl sulfate)、十·—烧基硫酸敍^ammonium lauryl sulfate)及十二 烧基趟硫酸納(sodium丨aureth sulfate)中的至少一者。 11. 如申請專利範圍第9項所述之清洗組成物，其中 所述烧基苯績酸ϋ包括十二烧基苯續酸(dodecylbenzene sulfonic acid)。 12. 如申睛專利範圍第1項所述之清洗組成物，更包 括離子增強劑，其含量為0.01重量％至〇·5重量％。 13·如申請專利範圍第12項所述之清洗組成物，所述 離子增強劑為選自曱酸、乙酸、丙酸、草酸、丙烯酸、苯 曱酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、 檸檬酸、鳥頭酸、水揚酸(salicylic acid)、酒石酸(tartaric acid)、乙醇酸(glycolic acid)及續酸(sulfonic acid)的胺鹽、 钟鹽、鈉鹽及裡鹽中的至少一者。 22 f.doc/n 201122095 14. 如申請專利範圍第1項至第13項中任何一項所述 之清洗組成物’其可濃縮為而濃縮清洗組成物。 15. 如申請專利範圍第14項所述之清洗組成物，其中 所述高濃縮清洗組成物的濃縮:倍數為20倍至60倍。 16. 如申請專利範圍第1項所述之清洗組成物，其中 所述清洗組成物的酸鹼值為8至12。

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