TW201119540A - Partially multilayer wiring board and method for producing same - Google Patents

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TW201119540A
TW201119540A TW099125726A TW99125726A TW201119540A TW 201119540 A TW201119540 A TW 201119540A TW 099125726 A TW099125726 A TW 099125726A TW 99125726 A TW99125726 A TW 99125726A TW 201119540 A TW201119540 A TW 201119540A
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conductive
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Shinichi Nikaido
Toshiyuki Hayami
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Fujikura Ltd
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Description

201119540 四、指定代表圖: )本案指定 .代表圖為:第 ( 1B ) 圖 〇 )本代表圖 之元件符號簡 單 說 明 • 1〜 部份 多層配線基板 , 2 多. 層部份; 11〜第1 絕緣性基材; 11A 〜第 1絕緣性基材 11 的 一 主 面; 11B 〜第 1絕緣性基材 11 的 一 主 面; 12- 絕緣性基材; 12A 〜第 2絕緣性基材 12 的 一 主 面; 12B 〜第 2絕緣性基材 12 的 一 主 面; 13〜第3 絕緣性基材; 13A 〜第 3絕緣性基材 13 的 一 主 面; 13B 〜第 3絕緣性基材 13 的 一 主 面; 21、 ,第1 導電性電路圖 案 , 22- -第2 導電性電路圖 案 > 23- “第3 導電性電路圖 案 ’ 30、 “接合 -劑; 4(l· 〜保護層 K〜 開口 〇 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 益 〇 * »*、 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 2 201119540 本發明係關於用於行動電話等,部份堆疊數不同的部 份多層配線基板及其製造方法。 【先前技術】 有關部份堆疊數不同的部份多層配線基板,特別是包 含剛性部份及可撓性部分的軟硬印刷配線基板,已知比母 板印刷配線基板的外形小且附外形加工配線電路的基板貼 合至母印刷基板之際,在此貼合步驟的前後,使附配線電 路的基板的貼合部份開口的覆蓋層形成的多層配線板的製 造方法。(專利文件1) [先前技術文件] [專利文件] [專利文件1]特開2008-28861 2號公報 【發明内容】 [發明欲解決的課題] 不過,如同習知的技術,形成使附配線電路的基板的 貼合部份開口的覆蓋層時,覆蓋層的開口與附配線電路的 基板之間產生間隙,因為此間隙露出母印刷基板的電路, 對於露出的電路產生必須另外以鍍金層等的保護處理,具 有增加製程的問題。 本發明欲解決的課題係即使不進行另外鑛金層等的保 "蔓處理,也可以保護配線基板的電路,同時可以提供部份 堆疊附配線電路的基板的部份多層配線基板。 201119540 [用於解決課題的手段] 月中份多層配線基板,包括:第1絕緣性基 材,在_主而卜 , 形成第1導電性電路圖案;以及第2絕緣 性基材:在上述第“邑緣性基材的一主面側堆疊,且在一 形成比第1導電性電路圖案形成區域小的第2導電 性電路圖牵.i i 、’、’上述第1導電性電路圖案以第2絕緣 性基材的另—+ 覆盍,藉以解決上述課題 上述發明中,U m 迷第1絕緣性基材的一主面中不形成 上j第1導電性電路圖案的區域及/或上述第2絕緣性基材 的主面中不形成上述第2導電性電路圖案的區域可以粗 面化。 Ά月中t包括第3絕緣性基材,在上述第2絕 緣性基材的-主面側堆疊,且第3導電性電路圖案在一主 面上也成,可以是上述第3絕緣性基材在第2絕緣性基材 上堆疊的結構,以遠接卜、+、哲。 運接上述第3絕緣性基材的另一主面至 上述第2絕緣性基材的—主面。 上述發明中,包括. 匕栝.第4導電性電路圖案,在上 1絕緣性基材的另—Φ而上 上形成;第5絕緣性基材,在第】 絕緣性基材的另-主面側堆疊,且在另-主面上形成比上 :第4導電性電路圖案形成區域小的第5導電性電路圖 案’以及第6絕緣性基材,在 在上述第5絕緣性基材的另— 主面側堆疊,且在另一主面 上幵^成第6導電性電路圖案. 其中,可以構成上述第4導 π电往電路圖案以上述第5絕 性基材的一主面覆蓋,且上$ 上述帛5冑電性電路圖案以上述 201119540 第6絕緣性基材的一主面覆蓋。 根據其他的觀點,本發明中,準備在第丨絕緣性基材 的-主面上堆疊第i導電層的第!薄^'以及在第2絕緣 性基材的一主面上堆疊第2導電層的第2薄層,除去上述 第1薄層的第1導電層的既定部,在上述第i絕緣性基材 的一主面上形成第1導電性電路圖案,貼上上述第2薄層, 以上述第2絕緣性基材的另一主面覆蓋上述第(導電性電 路圖案,除去上述貼上的第2薄層的第2導電層的既定部, 在上述第2絕緣性基材的-主面上形成第2導電性電路圖 案’藉以解決上述課題。 上述發明中,包括:準備在第3絕緣性基材的一主面 上堆疊第3導電層的第3簿声.f*祕楚〇 -¾ /寻層,上述第2導電性電路圖案 形成後,貼上上述第3薄層,违;& μ、+-哲。 寻增連接上述第3絕緣性基材的 另一主面至上述第2導電性雷故圍安 3, 守电!·生電路圖案,再除去上述貼上的 第3薄層的第3導電層的既定部,可 1 j以在上述第3絕緣性 基材的一主面上形成第3導電性電路圖案。 上述發明中,可以形成保護層,在最上層覆蓋絕緣性 基材的導電性電路圖案。 [發明效果] —爪印尔ώ粑緣性基 :的另一主面覆蓋’第1導電性電路圖案全體可以由第2 電性電路圖案形成的第2絕緣性基材保護。結果,變成 :必另外鍍金等的保護處理,可以簡化製程。 中的部份多層配線基板,由於不必為了覆蓋設置多層;份 5 201119540 的部份以外的導電性電路圖 部份多層配線基板的厚度變 多層配線基板的製造方法, 材料費,還可以提供更柔軟 案而另外設置覆蓋層,可以 '。因此,根據本發明的部份 &知的方法相較’可以削減 的4份多層配線基板。 【實施方式】 〈第一實施例〉 以下,根據圖面 的部份多層配線基板 -兄明關於根據本發明的第一實施例 而 1A 與 第1A圖係本實施例的部份多層配線基板的平面圖, 第1B圖係沿著第1A圖所示的1B,線的剖面圖。如第 圖及第1B圖所示,本實施例的部份多層配線基板^有 其他部份不同積層數的多層部份2。
如第1B圖所示,帛1絕緣性基材u的其中一主面11A 上形成第1導電性電路圖案2卜又,在第i絕緣性基材u 的一主面側堆疊的第2絕緣性基材12的主面12A上,形成 第2導電性電路圖案22。又,在第2絕緣性基材12的一 主面側12A堆疊的第3絕緣性基材13上,形成第3導電性 圖案2 3。如同圖所示,實施例的部份多層配線基板具 有第2導電性電路圖案22、第3導電性電路圖案μ的形 成區域面積比第i導電性電路圖案21的形成區域面積小的 部份多層結構。 、疋,本實施例的部份多層配線基板1,經由接合劑 3接或直接從最下層開始依序堆疊第1絕緣性基材1丄、 6 201119540 第1導電性電路圖案2卜第2絕緣性基材12、第2導電性 電路圖案22、第3絕緣性基材13、第3導電性電路圖案 23、以及保護層4G。第3導電性電路圖㈣露出的開口 κ 成為電子部件的實裝部份。X,多層部份2也可以在第! 絕緣性基材11的另一主面11B側形成。 具體而言’本實施例中’第1絕緣性基材U的-主面 UA上形成的帛i導電性電路圖案21,以第2絕緣性基材 12的另一主面12β覆蓋。即,第2絕緣性基材12的另一 主面12Β’夾住第〗導電性電路圖案21 ’與第!絕緣性基 材11的-主® 11Α才目接。附帶說一下,第2絕緣性基材 12的另-主φ 12Β與第!絕緣性基材u的一主面⑴之 間以接合劑接合。 又’第3絕緣性基材13在第2絕緣性基材以上堆疊, 此第3絕緣性基材! 3的另一主自i 3b與第2絕緣性基材 12的另一主面12A相接。 如同圖所示,本實施例的部份多層配線基板丨,由於 乂在上層側堆疊的配線基板的絕緣性基材1 〇的另一主面 (背面)’覆蓋其下層的導電性電路圖案2〇,因此設置多層 4伤2以外的導電性電路圖案2〇中不必設置覆蓋層。 多層部份以外的區域中設置覆蓋層時,多層部份的保 »蒦層的開口必須以可以堆疊多層部份的程度,《分清理, 於是,多層部份與覆蓋層之間產生間Ρ宋,產生必須另外鍍 金等的保護處理。對此,本實施例中,由於第1導電性電 路圖案21以第2絕緣性基材的另_主面覆蓋,到底不產生 201119540 隙間’不必另外鍍金等的保護處理。結果,可以如後述簡 化製造過程。 又’本實施例的部份多層配線基板1,由於設置多層 部份2的部份以外的導電性電路圖案2〇,不必設置用以覆 蓋的覆蓋層’部份多層配線基板1的厚度可以變薄。於是, 根據本實施例的部份多層配線基板的製造方法,與習知的 方法相較,可以削減材料費。又’可以提供更柔軟的部份 多層配線基板。 即,如第1B圖所示,多層部份2中,導電性電路圖案 2 0 (21、2 2、2 3)之間,由於使1層的絕緣性基材i 〇 (i 2、 13)以及這些絕緣性基材10互相接合的,只存在i層的接 &劑層,因此部份多層配線基板1的全體厚度可以變薄。 接著,根據第2A圖及第2B圖,說明根據本實施例的 部份多層配線基板1的製造方法。第2A圖係顯示第2導電 性電路圖案22的形成步驟,第2β圖係顯示第3導電性電 路圖案23及覆蓋的保護層4〇的形成步驟。 首先,如第2A(a)圖所示的第1絕緣性基材u的一主 面11上,準備可以貼上第j導電層2lp的第i薄層Η。 第1薄層51具有聚亞醯胺(PI)等的可撓性,厚度為 m(微米)〜75/zm的樹脂性薄層(第!絕緣性基材u)的一主 面上,形成銅等金屬箔的薄層。可以使用聚對苯二甲酸乙 二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(pEN)等作為第ι絕緣性 基材11。 其次,使用鹽化第二銅或鹼性蝕刻液,進行蝕刻處理, 8 201119540 除去第1導電層21P的既定部,如同圖(b)所示,第丄絕緣 性基材11的主面11A上形成第1導電性電路圖案2丨。以 蝕刻處理除去第1導電層21P的既定部時,第j絕緣性基 材11的一主面11A中不形成第丄導電性電路圖案2丨的區 域内出現第1絕緣性基材11被粗面化的面。本實施例中, 至少第1絕緣性基材11的一主面丨丨A中不形成第丨導電性 電路圖案21的區域的表面粗度大於第丨絕緣性基材丨丨的 另一主面11B表面粗度。 此乃因為以下的理由。本實施例的第1薄層51由第1 絕緣性基材11與第1導電層21P貼合所構成,而在製作第 1薄層51之際,為了提高第1絕緣性基材丨丨與第丨導電 層21P之間的接合強度,將第i導電層2ιρ的接合面粗面 化。此粗面化的接合面上貼上第丨絕緣性基材n的一主面 11A時,第1導電層21P的接合面上形成的凹凸形狀轉印 至第1絕緣性基材11的一主面1丨A上,在第丨絕緣性基材 11的一主面11A上形成凹凸形狀。之後,經由钱刻處理, 除去第1導電層21P時,現出粗面化的第丨絕緣性基材夏j 的一主面11A。因此,除去第i導電層21p的區域,即不 形成第1導電性電路圖案21的區域中,現出粗面化的面。 由於粗面化的面的凹凸使表面積增大,有助於提高第1絕 緣性基材11的一主面與在此堆疊的第2絕緣性基材12的 另一主面12B之間的接合性。 順便一提,粗面化區域的表面有凹凸,中心線的平均 粗細(Ra)、最大高度(Rmax)、十點平均高度(Rz)等的表面 ς 9 201119540 粗度屬於既定值域的狀態。 上述同圖(a)(b)的步驟前後,第2絕緣性基材12的一 ^ 上準備堆疊第2導電層22P的第2薄層52。本實 把例中,為了抑制熱產生的收縮影響,使用與第工薄層^ 同質的薄層作為第2薄層52。由於堆疊熱膨服係數大致相 同的基材’因熱等的主因發生收縮之際,不易產生彎曲, 可以減輕對貼合部份的作用力,可以確保信賴性。 其次,準備的第2薄層52,經由環氧樹脂系的接合劑 3〇’貼至同圖⑻的步驟中製作的第1導電性電路圖案21 所形成的第1絕緣性基材η的-主面m側。第】導電性 電路圖案21的電路凹凸間隙埋入接合劑合30。 又,如同圖⑷所示,既定的加熱.加壓環境下,以推 ^從兩主面側壓,將第2薄層52貼至第!絕緣性基材u 的一主面11A側。 同圖(e)顯示從推式作成離式,成為一體的第2薄層 52與第1絕緣性基材n。 又,使用鹽化第二銅或驗性钱刻液,進行触刻處理, 除去第2導電層22P的既定部,如同圖⑴所示第2絕緣 :基材的主面m上形成第2導電性電路圖案㈡。如 刖述,由於以姓刻處理除去帛2導電層22p的既定部,不 形成第2導電性電路圖案22的第2絕緣性基材12的一主 面12“皮粗面化。因此,可以提高第2絕緣性基材_ — 主面似與後述㈣3絕緣性基材13的另_^ΐ3Β 的接合性。 10 201119540 接者,根據第2B圖,說明第3導電性電路圖案23及 覆蓋第3導電性電路圖案23的保護層40的形成步驟。 首先,如第2B(a)圖所示,在第3絕緣性基材13的一 主面UA上,準備堆疊第3導電層23P的第3薄層53。第 3薄層53的形成比第!薄層51小。本實施例,為了制止 熱的放縮影響’使用與第1薄層51同質的薄層作為第3薄 層53。 於是’準備的第3薄層53 ’經由接合劑30,貼至已製 作的第2導電性電路圖案22形成的第2絕緣性基材12的 一主面12 A側。 之後’雖未圖示,但在既定的加熱.加壓環境下,以 推式從兩主面側壓,將第3薄層53貼至第2絕緣性基材 12的一主面12A側。同圖(b)顯示未圖示的推式作成離式, 成為一體的第3薄層53與第2絕緣性基材12與第1絕緣 性基材11。 接著’使用鹽化第二銅或驗性姓刻液,進行触刻處理, 除去第3導電層23P的既定部,如同圖(C)所示,第3絕緣 性基材13的主面13A上形成第3導電性電路圖案23。如 前述’由於以蝕刻處理除去第3導電層23P的既定部,不 形成第3導電性電路圖案2 3的第3絕緣性基材13的一主 面13A被粗面化。因此’可以提高不形成第3導電性電路 圖案2 3的第3絕緣性基材13的一主面以及後述的保護層 40之間的接合性。又,堆疊複數層的第3絕緣性基材13 時’第3絕緣性基材13間彼此的接合性也可以提高。 11 201119540 第3導電性電路圖案23形成後,堆疊複數層的第3絕 緣性基材13時’反覆同圖(b)及(c)的步驟。 堆疊第3絕緣性基材13到目標堆疊數時,如同圖(d) 所示’位於最上層的絕緣性基材(本實施例中為第3絕緣性 基材13)之上堆疊保護層40,以保護層40覆蓋第3導電性 電路圖案23。保護層40的樣態無特別限定。可以使用塗 料器’塗佈以環氧(epoxy)樹脂、聚亞醞胺(p〇iymide)樹脂 為基底的覆蓋塗佈來形成,也可以使用薄層狀的保護薄層。 最後’如同圖(e)所示,在既定的加熱.加壓環境下, 以推式從兩主面側壓,保護層40、第3薄層53、第2絕緣 性基材12、第1絕緣性基材1丨成為一體,得到前述第1 圖所示的部份多層配線基板1。 如以上的說明’根據第一實施例的製造方法,在第i 導電性電路圖案21上堆疊第2薄層52後,由於形成第2 導電性電路圖案22 ’經由第1絕緣性基材11側(下層側) 的導電性電路圖案20,可以以第2絕緣性基材12的另一 主面12B覆蓋第1導電性電路圖案21。因此,設置多層部 份2的部份以外的導電性電路圖案2〇中不必另外設置覆蓋 層’可以簡化製造步驟。 即,另外形成具有絕緣層及導電層的多層基板,堆叠 這些而製作的基板中,因為在多層部份以外的區域有導電 性電路露出’必須在此多層部份以外的區域形成覆蓋層。 相對於此,本實施例的部份多層配線基板1中,由於形成 成為多層部份2的第2導電性電路圖案22的第2絕緣性基 12 201119540 材12的另—主面覆蓋第1導電性電路圖案21,不必另外 形成覆蓋層。結果,可以簡化製造過程。 又,本實施例的製造方法中,因為不必另外設置覆蓋 層,多層部份2與覆蓋層之間不會有間隙,不必進行用以 埋間隙的鍍金等。這點也可以簡化製造過程1此,根據 本實施例的部份多層配線基板的製造方法,與習知的方法 相較,可以削減材料費,還可以提供更柔軟的部份多層配 線基板。 〈第二實施例〉 以下,根據第3A及3B圖,說明本發明的第二實施例 的部份多層配線基i的其他的製造方法。本實施例的部 份多層配線基板1在帛1絕緣性基材11的兩主面上形成多 層部fm 3A圖顯示第2導電性電路圖案22以及第5 導電性電路圖案25的形成步驟,而第3B圖顯示第6導電 性電路圖案23及覆蓋此第6導電性電路圖案㈡的保護層 4 0的形成步驟。 “首先,準備第1薄層51,。如第3A(a)圖所示,第ι 薄層51’具有聚亞醯聪 贴胺1^1)專的可撓性、厚度10〜75 ㈣的樹脂性薄層(第1絕緣性基材⑴的兩主面上,形成 銅等金屬羯的薄層。具體而言1 1絕緣性基材11的一主 面⑴上貼上第1導電層⑽,另-主自11B上貼上第4 導電層24P。 其次’使用鹽化第二銅或鹼性蝕刻液,進行蝕刻處理, 除去第1導電層21P的既定部的同時,除去第4導電層24p 13 201119540 :既定部。於是’如同圖⑻所示,第i絕緣性基材n的 面11A上形成第1導電性電路圖案2丨,而第】絕緣性 基材11的另_主面UB上形成第4導電性電路圖案Μ。 以蝕刻處理,將第1絕緣性基材11的兩主面11A、11B中 不幵v成第1導電性電路圖案21、第4導電性電路圖案Μ 的區域表面粗面化。 又,在同圖(a) (b)的步驟前後,準備在f 2絕緣性基 材12的-主φ 12A上堆疊第2導電層22p的第2薄層52、 在第5絕緣性基材15的另一主φ ΐ5β上形成第2導電層 25P的第5薄層55。本實施例中,第2薄層52、第5薄層 55最好與第1薄層51同性質的薄層。 於是,如同圖⑷所示,經由接合劑30,形成在同圖 ⑴的步驟中製作的第1導電性電路圖案21及第4導電性 電路圖案24的第1絕緣性基材11的兩主面11A、11B上, 分別堆疊準備的第5薄層55。 又,雖未圖示,但在既定的加熱.加壓環境下,以推 式從兩主面側壓,將第2薄層52及第5薄層Η貼至第( 絕緣性基材11的兩主面11A、11B上。 同圖⑷顯示從推式作成離式,成為-體的第2薄層 52、第5薄層與第1絕緣性基材1卜 9 又’使用鹽化第二銅或鹼性蝕刻液,進行蝕刻處理, 除去第2導電層22P的既^部的同時,除去第^電層咖 的既定部。 因此,如同圖(e)所示 在第2絕緣性基材丨2的—主 14 201119540 面12A上形成第2導電性雷路圖幸??,笛Cm a 电丨王电格圆茶“第5絕緣性基材i 5 的另一主面15B上形成第5導電性電路圖案訌。 ,如前述’藉由以㈣處理除去第2導電層22p及第5 導電層25P的既定部,粗面化未形成第2導電性電路圖案 22及第5導電性電路圖案25的第2絕緣性基材12的一主 面12A及第5絕緣性基材15的另—主面15β。因此,可以 提高第2絕緣性基材12的一主面m與後述的第3絕緣性 基材13的另-主面13β、以及第5絕緣性基材π的另一 主面15B與後述的帛6絕緣性基材16的一主面16八之間的 接合性。 接著,根據第3B圖,說明第6導電性電路圖案23及 覆蓋第6導電性電路圖案23的保護層4Q的形成步驟。 一首先,如第3B(a)圖所示,準備在第3絕緣性基材13 的-主面13A上堆叠第3導電層23p的第3薄層53、以及 在第6絕㈣基材16的另—主自⑽上形成第6導電層 26P的第6薄層56。第3薄層53以及第6薄層56的形成 :溥層51小。本實施例中,第3薄層5 3以及第6薄 最好使用與第1薄層51同質的薄層。 於疋,準備的第3薄層53,經由接合劑30 ,堆疊在形 成第2導電性電路圖案22的第2絕緣性基材^的一主面 幻上同樣地,第6薄層5 6,經由接合劑3 0 ,堆疊在 形成第5導電性電路圖案25的第5絕緣性基材15的另一 主面15B側上。 在既定的加熱.加壓環境下,以推式從兩主面側壓, 15 201119540 將第3薄層53貼至第2絕緣性基材12的一主面la側, 以及第6薄層56貼至第5絕緣性基材15的另—主 側。 同圖(b),顯示將未圖示的推式作成離式, ^ 0 « a ro 叫# —體的 第溝層53 '第2絕緣性基材12、第i絕緣性基材、 第5絕緣性基材丨5與第6薄層5 6。 接著,以蝕刻處理除去第3導電層23p及第6導電層 26P的既定部,如同圖(c)所示,在第3絕緣性基材w二 一主面13A上形成第3導電性電路圖案㈡的同_,在第6 絕緣性基材16的另一主面16β上形成第6導電性電路圖案 26。與第2A及2B圖所示範例相同,粗面化未形成第3導 電性電路圖案23的第3絕緣性基材13的一主面UA、未 形成第6導電性電路圖案26的第6絕緣性基材16的另一 主面16B。因&,與前述範例同樣地’提高後述的保護層 40等的堆疊層彼此間的接合性。 第3導電性電路圖案23、第6導電性電路圖案μ形 成後,堆疊複數層㈣3絕緣性基材13、第6絕緣性基材 16時,重覆同圖(a)〜(c)的步驟。 其次,如同圖(d)所示,第2導電性電路圖案22、第^ 導電性電路圖案23、帛4導電性電路圖案24以及第5導 電性電路圖案25形成之處,使用鑽孔機或雷射形成往縱方 向貫通的穿孔60。穿孔6〇的内側面,使用一般的無電解 鑛銅法、電㈣銅法實施鑛銅,形《電鑛層61。當然也可 以以其他金屬等的導電材料形成電鍍詹61。 16 201119540 堆疊第3絕緣性基材丨3、第6絕緣性基材丨6到達目 私隹且數時’如同圖(d)所示,位於最上層的絕緣性基材(本 貫施例中為第3絕緣性基材13及第6絕緣性基材16)之上 '、護層4 0,以保護層4 〇分別覆蓋第3導電性電路圖 案23及第6導電性電路圖案26。 最後,如同圖(e)所示,在既定的加熱加壓環境下, 以推式從兩主面側壓,保護層4G、帛3絕緣性基材13'第 2/絕緣性基材12、第1絕緣性基材11、第5絕緣性基材15、 "緣14基材16成為~體,得到部份多層配線基板1。 ,如以上說明’根據第-實施例的部份多層配線基板1 的製k方法’在第1導電性電路圖案21及/或第4導電性 :路圖案24上,堆疊第2薄層52及/或第5薄層55之後, =形成第2導電性電路圖案22及/或第5導電性電路圖 =第1絕緣性基材11的導電性電路圖案21、24可以 乂第2絕緣性基材12的X . ,,+ 的另—主面12B、第5絕緣性基材15 主面15A覆蓋。因此,# 導電性電路圖案2。上並不:"層部份2的部份以外的 造過程。 並不必另外設置覆蓋層,可以簡化製 即$外形成具有絕緣層及導電層 迫些而製作的基板中,因《丞板堆疊 性電路露丨,必須在此多=夕層部份以外的區域有導電 相對於此太奢& 層。η分以外的區域形成覆蓋層。 邳對於此,本實施例的部 成為多層部份2的第2導:“己線土板1中’由於形成 材12的另-主面-覆=路圖案22的第2絕緣性基 轰第1導電性電路圖案21、形成 201119540 第5導電性電路圖荦 25的第5絕緣性基材1 5的另一主面 15A覆蓋第4導雷柯带狄 電路圖案24,不必另外形成覆蓋層。 結果,可以簡化製造過程。 又’本貫施例的盤』批.士、土 士 表ie方法中,因為不必另外設置覆蓋 層’多層部份2盥霜甚麻 „ 、覆盍層之間不會產生間隙,不必進行用 以埋間隙的鍍金等。 &•點也可以達到簡化製造過程。因此, 根據本實施例的部份容 夕層配線基板的製造方法,與習知的 方法相較,可以削滷 战材枓費,還可以提供更柔軟的部份多 層配線基板。 、〜月的實施例係為了容易理解本發明所記載的, 並非為了限定本發明而0 I μ 月而5己载的。因此,上述實施例中揭示 的各要素以包含了屬於本發 两、令货明枝術乾圍的全部設 均等物為主旨。 【圖式簡單說明】 配線基 面圖; 圖所示 圖所示 [第1Α圖]係根據本發明的實施例的部份多層 板的平面圖; s [第圖]係沿著第U圖所示的1Β_1β線的剖 [第2A(a)〜(f)圖]係用以說明第u圖及第 的部份多層配線基板的製造方法的第丨步驟圖; [第2B(a)~(e)圖]係用以說明第u圖及第 的部份多層配線基板的製造方法的第2步驟圖; [第3A(a)~(e)圖]用以說明根據本發明其 /、 貫' 施例的 4份多層配線基板的製造方法的第1步驟圊·以及 18 201119540 [第3B(a)〜(e)圖]用以說明根據本發明其他實施例的 部份多層配線基板的製造方法的第2步驟圖。 【主要元件符號說明】 1 郎份 多層配線基板 ; 2〜 多層部份; 10〜 絕緣性基材; 11- ,第1 絕 緣 性 基材 t 11A- 〜赛 1絕緣性基材 11 的一 主面 » 11B- 〜% 1絕緣性基材 11 的一 主面 12〜 '第2 !絕緣性基材; 12A· 〜第 2絕緣性基材 12 的一 主面 12B 〜第 2絕緣性基材 12 的一 主面 » 13〜 '第S !絕緣性基材; 13A 〜% 3絕緣性基材 13 的一 主面 > 13B 〜第 3絕緣性基材 13 的一 主面 9 15〜第E i絕緣性基材; 16〜第6 絕 緣 性基材 » 16A 〜第 6絕緣性基材 16 一主 面; 20- /導電性電路圖案; 21〜第1 導 電 性 電 路 圖 案; 21P 〜第 1導電層; 22- -第2 導 電 性 電 路 圖 案; 22P 〜第 2導電層; 23- “第3 導 電 性 電 路 圖 案; 23P 〜第 3導電層; 24〜第4 導 電 性 電 路 圖 案; 24P 〜第 4導電層; 25- ‘第5 導 電 性 電 路 圖 案; 25P 〜第 5導電層; 26- 。第6 導 電 性 電 路 圖 案; 26P 〜第 6導電層; 30- ‘接合 劑 40〜保護層; 51- 。第1 薄 層 , 19 201119540 51, 〜第1薄層; 52 〜第2 薄層 53、 ^第3薄層; 55 〜第5 薄層 56、 "第6薄層; 60 〜穿孔 > 61^ •^電鍍層; K- -開口 。 20

Claims (1)

  1. 201119540 七、申請專利範圍: 1 ·—種部份多層配線基板,包括: 第1絕緣性基材’在其中—主面上形成第1導電性回 路圖案;以及 第2絕緣性基材’在上述第1絕緣性基材的一主面側 堆疊’且在一主面上形成比上述第1導電性電路圖案形成 區域小的第2導電性電路圖案; 其特徵在於: 上述第1導電性電路圖案以上述第2導電性電路圖案 的另一主面覆蓋。 2·如申請專利範圍第1項所述的部份多層配線基板, 其中,上述第1絕緣性基材的一主面中不形成上述第1導 電(生電路圖案的區域及/或上述第2絕緣性基材的—主面 中不形成上述第2導電性電路圖案的區域粗面化。 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述的部份多層配 線基板,更包括: 第3絕緣性基材,在上述第2絕緣性基材的一主面側 堆疊’且第3導電性電路圖案在一主面上形成; 其中,上述第3絕緣性基材在第2絕緣性基材上堆疊, 連接上述第3絕緣性基材的另一主面至上述第2絕緣性基 材的一主面。 .如申明專利範圍第1至3項中任一項所述的部份多 層配線基板,包括: 第4導電性電路圖案,在上述第1絕緣性基材的另一 21 201119540 主面上形成; 第5絕緣性基材,在上述第1絕緣性基材的另一主面 側堆疊,且在另一主面上形成比上述第4導電性電路圖案 形成區域小的第5導電性電路圖案;以及 第6絕緣性基材,在上述第5絕緣性基材的另一主面 側堆疊,且在另一主面上形成第6導電性電路圖案; 其中’上述第4導電性電路圖案以上述第5絕緣性基 材的一主面覆蓋,且上述第5導電性電路圖案以上述第6 絕緣性基材的一主面覆蓋。 5·—種部份多層配線基板的製造方法,包括下列步驟: T備在第"邑緣性基材的一主面上堆疊第以電層的 第1薄層、以及在帛2絕緣性基材的一主面上堆疊第2導 電層的第2薄層; 電層的既定部,在上述第 導電性電路圖案; 除去上述第1薄層的第1導 絕緣性基材的一主面上形成第 絕緣性基材的另一主 貼上上述第2薄層,以上述第 面覆蓋上述第1導電性電路圖案; 上 除去上述貼上的第2 述第2絕緣性基材的一 6.如申請專利範圍第5項所述的部 製造方法,更包括以下步驟: 準備第3薄層的步驟,準備在第3 面上堆疊第3導電層的第3薄層; 薄層的第2導電層的既定部,在 主面上形成第2導電性電路圖案。 份多層配線基板的 絕緣性基材的一主 其中 上述第 2導電性電路圖案形 成後,貼上上述第 22 201119540 3濤層,連接上述第3絕緣性基材的另一主面至上述第「 導電性電路圖案;以及 " 除去上述貼上的第3薄層的第3導電層的既定部,在 上述第3絕緣性基材的—主面上形成第3導電性電路圖案。 7.如申請專利範圍帛5項或第6項所述的部份多層配 線基板的製造方法’更包括以下步驟: 形成保護層步驟’形成保護層,覆蓋位於在最上潛的 絕緣性基材的導電性電路圖案。
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