TW201116147A - Method for forming an organic light emitting diode device - Google Patents

Method for forming an organic light emitting diode device Download PDF

Info

Publication number
TW201116147A
TW201116147A TW099117283A TW99117283A TW201116147A TW 201116147 A TW201116147 A TW 201116147A TW 099117283 A TW099117283 A TW 099117283A TW 99117283 A TW99117283 A TW 99117283A TW 201116147 A TW201116147 A TW 201116147A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass
plate
glass plate
color filter
organic light
Prior art date
Application number
TW099117283A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI513359B (zh
Inventor
Kelvin Nguyen
Butchi Reddy Vaddi
Lu Zhang
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of TW201116147A publication Critical patent/TW201116147A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI513359B publication Critical patent/TWI513359B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/88Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/87Arrangements for heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

201116147 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種形成有機發光二極體元件的方法, 且特定言之,預燒結一玻璃基底玻料至一覆蓋玻璃平板 上,覆蓋玻璃平板包含設置於其上的彩色濾光片材料。 【先前技術】 有機發光二極體(OLED)元件為顯示器應用的新興技 術,且為目前唯一朝向大於通用元件(如行動電話)之尺 寸發展的尺寸。因此,生產有機發光二極體仍為昂貴的。 一般而言,OLED顯示器併入了在不同的波長(顏色)下發 光的二極體。一種減少製造花費的方法是產生單一顏色 (白色)’並使用彩色濾光片來表現產生全彩顯示器所需 的顏色,相似於用在更成熟之液晶顯示器技術的方法。 或者’彩色濾光片可和產生顏色的〇LED(例如,RGB輸 出)併同使用以調整顯示器所發射的顏色。 關於OLED元件(如OLED基底顯示器)的一困難處在 於為使用在OLED之有機發光材料維持氣密密封環境。 因為有機材料甚至在少量的氧或濕氣中便會快速地降 級’這種現象會造成問題《為此,可藉由玻璃基底玻料 材料(其將兩玻璃平板密封在一起)提供玻璃密封,以在 所得封裝内對有機材料提供足夠的氣密性。已證明此玻 璃封裝較黏著劑密封的元件來得優越。在一典型玻料密 201116147 封組態中,玻璃基底玻料以一封閉環路形式沉積在第一 玻璃平板(稱為覆蓋平板)上。玻料沉積為糊聚,而隨後 在熔爐中及在足以原地至少部分燒結在覆蓋平板上之^ 料的溫度下加熱一段時間,使後續顯示器的組裝變得較 為容易。隨後,OLED沉積在第二玻璃平板上一般稱 為底板平板,或簡稱為底板^ OLED可含有(例如)電極材 料、有機發光材料、孔注入層、其其他必要的組分部分。 一般而言’隨後對準兩平板並以雷射加熱預燒結之玻 料,而使玻料軟化並在兩玻璃平板之間形成氣密密封。 併入彩色濾光片的OLED顯示器元件可包括在覆蓋平 板上的彩色濾光片’因為在製程之預燒結部份期間對覆 蓋及玻料所施加之高熔爐溫度很有可能會破壞彩色渡光 片元件’從而使上述製程變為不可行。 【發明内容】 在一實施例中,揭示一種形成一有機發光二極體元件 的方法’包含以下步驟:在一第一玻璃平板上沉積一彩 色濾光片,該彩色濾光片包含在該彩色濾光片中產生一 主要顏色的染料或色料;在該第一玻璃平板上以一圍繞 該彩色濾光片的環路來沉積一玻璃基底玻料;及使用電 磁輻射來照射該玻璃基底玻料以緻密化在該第一玻璃平 板上的該玻璃基底玻料。此方法進一步包含以下步驟: 在經由照射步驟來移除玻料中的有機黏合劑之前加熱該 201116147 玻料’而不緻密化該玻料玻璃。藉由(例如)在一加熱支 樓件(例如’平板或墊)上加熱該第一玻璃平板可達成在 ·、、、射步驟之前的加熱。該照射步驟可包含以下步驟:使 用來自雷射、IR燈的光或使用微波來照射該玻璃基底玻 料。 此方法可進一步包含以下步驟:在一第二玻璃平板上 沉積一有機發光材料;以一重疊關係將該第一玻璃平板 與該第二玻璃平板對準;及使用一雷射加熱該玻璃基底 玻料’以軟化該玻璃基底玻料,並在該第一玻璃平板與 該第二玻璃平板之間形成一氣密密封,其中該彩色濾光 片與該有機發光材料被包圍在該第一玻璃基材、該第二 玻璃基材與該玻璃基底玻料之間。 在另一實施例中,描述一種形成一有機發光二極體元 件的方法’包含以下步驟:在一第一玻璃平板上沉積一 彩色濾光片;在該第一玻璃平板上以一圍繞該彩色濾光 片的環路來沉積一玻璃基底玻料;在一第二玻璃平板上 沉積一有機發光材料;使用電磁輻射來照射該玻璃基底 玻料以緻密化在該第一玻璃平板上的該玻璃基底玻料; 以一重疊關係將該第一玻璃平板與該第二玻璃平板對 準;及使用一雷射加熱該玻璃基底玻料,以軟化該玻璃 基底玻料’並在該第一玻璃平板與該第二玻璃平板之間 形成一氣密密封,其中該彩色濾光片與該有機發光材料 被包圍在該第一玻璃基材、該第二玻璃基材與該玻璃基 底玻料之間。 201116147 在照射步驟中的電磁輻射可(例如)為包含介於約 500nm至1200nm之波長的光能量。光能量可為自雷射發 射的同調光’或自燈發射的寬帶光。較佳地,雷射束的 寬度(若使用來照射玻料)係大於該玻璃基底玻料的寬 度。或者’電磁能量可為微波能量。 在一些例子中,有機發光材料可能需要藉由遮罩(例 如’放置在該彩色濾光片與該照射來源之間的一金屬遮 罩)屏蔽以免受電磁能量的撞擊。在預燒結(在第一玻璃 平板上之揮發性有機物的蒸發及(或)玻料的聚結)的任何 一部分期間或在照射步驟期間形成氣密密封時,第一玻 璃平板及第二玻璃平板可藉由一加熱支撐件來支樓並被 加熱至大於周圍溫度的溫度(但小於1 ^應控制預燒 結製程使得玻璃基底玻料的溫度係介於約325 t至約 420〇C。 在又另一實施例中,揭示一種形成一有機發光二極體 元件的方法,包含以下步驟:在一第一玻璃平板上沉積 一彩色濾光片,該彩色濾光片包含染料或色料;在該第 一玻璃平板上以一圍繞該彩色濾光片的環路來沉積一玻 璃基底玻料糊漿;在一第二玻璃平板上形成一有機發光 材料;將一電阻加熱元件接觸該玻璃基底玻料糊漿安 置;使一電流流經該電阻加熱元件,以加熱該玻料糊漿 至一第一溫度,並驅除該玻料中的多個有機黏合劑而不 緻密化該玻料糊漿;及改變通過該電阻加熱元件之電流 的強度以加熱該玻料至一第二溫度,從而緻密化該玻 201116147 料’該第二溫度大於該第一溫度。此方法可進一步包含 以下步驟:在一第二玻璃平板上形成一有機發光二極 體,該有機發光二極體包含一有機發光材料,將該第一 玻璃平板與該第二玻璃平板以一重疊關係對準;及使用 一雷射加熱該玻璃基底玻料,以軟化該玻璃基底玻料, 並在該第一玻璃平板與該第二玻璃平板之間形成一氣密 密封,其中該彩色濾光片與該有機發光材料被包圍在該 第一玻璃基材、該第二玻璃基材與該玻璃基底玻料之 間。當一電流流經該電阻加熱元件時,該第一玻璃平板 可透過一加熱支撐件加熱。 在後文的解釋性描述過程中並參照所附圖式,本發明 將變得更易於了解且本發明之其他目標、特性、細節及 優點將變得更顯而易見,然本文之描述並未以任何暗示 來限制本發明。意欲將所有包括在本描述中之此等其他 系統、方法、特徵結構及優點皆涵蓋在本發明的範疇中, 並由隨附申請專利範圍所保護。 【實施方式】 在下文的詳細描述當中,為了解釋目的而非限制地閑 述範例實施例的詳細細節以提供本發明的通盤瞭解。然 而u於本發明的習知技藝者將可輕易瞭解到,在不背 離本文所揭7F之詳細細節的情況下可以其他實施例實施 本發明。再者,將省略習知裝置、方法及材料的描述以 201116147 免不必要的混淆本發明的描述。最後,盡可能以相似元 件符號代表相似元件。 本文所使用的術語「玻料」,是界定為包含無機玻璃粉 末的玻璃基底材料。玻璃基底玻料(或簡稱為「玻料」) 可選擇性包括一或多個有機黏合劑及(或)作為載體的有 機溶劑。玻料可進一步包括惰性材料(通常是結晶形), 以調控玻料之熱膨脹係數(CTE)。因此,當玻料主要包含 玻璃時,其亦可包括其他無機及有機材料。玻料可以各 種形式存在。例如,當玻璃粉末混合有機黏合劑及載體 時’玻料形成糊漿。在足以驅除(蒸發)揮發性黏合劑及 載體但不會燒結玻料的溫度下加熱玻料,可以形成玻璃 粉末結塊,其中玻璃粉末以特定形狀稍微連結在一起, 且其中玻璃粒子並未流動。可輕易地擾亂結塊。在高溫 下加熱可能致使玻璃粒子流動及聚結,從而在稱為「預 燒結」的製程步驟中至少部分地燒結玻料。在燒結溫度 下額外加熱會造成玻璃粒子完全聚結’其中玻璃粒子的 粒狀特性消失’儘管可在玻璃基質中保持設置在玻料中 的任何結晶CTE調控組分。 本文中將使用的術語「玻料玻璃」’指玻料的玻璃部 分’不包括載體、黏合劑或CTE調控組分。 本文所使用的緻密化(densifying或densification)(也 稱做燒結)應指包含玻料之玻璃粒子的流動與聚結。 本文所使用的術語「預燒結」應代表加熱的結合製程 以驅除玻料内的有機材料,且致使至少部分的玻料玻璃 201116147 緻密化。可在單一步驟中實行有機材料的驅除與玻料玻 璃的緻密化,且因此術語「預燒結」不應被理解為暗示 者多個步驟(例如,多個加熱步驟)。 第1圖繪示範例有機發光二極體元件10的剖面視圖, 其包含第一玻璃平板12、第二玻璃平板14、及有機發光 二極體16,有機發光二極體16包含第一電極材料18、 第二電極材料20及一或多層設置在第一電極材料與第 二電極材料之間的有機發光材料22。有機發光二極體16 也了依所需包含額外的層(例如,孔注入層)。並示出在 第一玻璃平板12上的彩色濾光片24。玻料%安置在玻 璃平板12與14之間,且在第一玻璃平板與第二玻璃平 板之間形成氣密密封。 在一傳、统OLED元件密封操作中,將玻璃基底玻料沉 積至第-(覆蓋玻璃)平板上,並藉由在炼爐中加熱覆蓋 玻璃玻料組件一段時間且在足以驅除玻料中之有機材 的JBL度下原地預燒結,以敏密化玻料並將玻料附著至 玻璃平板。例如’典型燒結溫度可超㉟400。(:歷時至少 約15分鐘。 彩色濾光片(例如第!圖中的彩色濾光片24)包含一或 多個彩m片材料(通常是有機的),彩色濾光片材料 包含或多層’通常沉積為主要顏色(例如,紅、綠及藍) :品域β在起稱為彩色濾光片。類似使用在OLED 广成中的有機發光材料,彩色濾光片24會對溫度敏感, 並可能在超過約1〇〇t的溫度下嚴重地降級。甚至預燒 10 201116147 結製程可能使無機彩色濾光片劣化。因此,藉由在熔爐 中於高於彩色濾光片降級之溫度的溫度下加熱整個組件 以將玻料預燒結至玻璃平板上的實施可能為不可行的, 其中溫度敏感彩色濾光片已先前沉積在覆蓋玻璃平板 上。 因此,揭示一種生產包含一溫度敏感材料(例如彩色濾 光片)之預燒結覆蓋玻璃平板的方法,而不具有熔爐加熱 的缺點。在此方法的第一步驟中,彩色濾光片24沉積在 清潔的覆蓋玻璃平板12上。使用來形成彩色濾光片的彩 色濾光片材料可包含染料,或其可包含色料,以產生紅 色綠色及藍色。彩色濾光片材料可取決於材料(染料或 色料)藉由任何傳統方法沉積,包括但不限於染色、擴 散、電沉積、及印刷。 隨後,玻璃基底玻料26被沉積至覆蓋玻璃上,並在沉 積彩色濾光片材料之覆蓋玻璃平板的同一側面上。可以 (例如)從喷嘴擠出之糊漿來沉積玻料。若有需要,也可 藉由絲網印刷來沉積玻料。玻璃基底玻料是以圍繞彩色 濾光片材料之封閉框架或環路的形式沉積。所沉積的玻 料包含寬度“w”,其為沿著玻料環路之任意點處之材料線 的寬度 旦'冗積玻璃基底玻料’加熱玻璃基底玻料以 驅趕玻料中的有機黏合劑,並至少部分地燒結玻料使得 其保持形狀並緊密地黏附在覆蓋玻璃平板上。 如第2圖所示’一旦安置了彩色濾光片24及玻料環路 26 ’使用雷射30發出的雷射束28在玻料環路上橫移射 201116147 束來加熱玻璃基底玻料的環路。射束可直接照射玻料, 或可從玻璃平板側面將射束施加至玻料,其中射束在撞 擊至玻料上之前會先通過玻璃平板。選擇玻璃平板、玻 料及雷射’使得玻璃平板不會大量吸收發射雷射之波長 或波長範圍的光。換言之,可選擇平板以在雷射3〇發射 之光的波長下為實質透通。例如,雷射3〇可在介於約 500nm至1 200nm的波長範圍中發射光。在許多實驗中, 成功地使用8 1 Onm的波長。 雷射30可和適當的光學元件(例如透鏡及(或)反射器_ 未示出)來併同配置,以產生選擇性加熱玻璃基底玻料26 之環路而不會顯著地加熱彩色濾光片24的窄射束。換言 之,即使雷射束的寬度不會超過玻璃基底玻料環路的寬 度,在加熱玻料期間,彩色濾光片材料並不會超過大於 約1 〇〇 C的溫度,較佳不大於約8〇〇c。在一些實施例中, 射束直徑約5.6mm,並大於玻料線寬的寬度。此舉確保 杈跨玻料寬度之燒結的均勻性。較佳地雷射束U的直 徑係大於玻料的寬度以確保橫跨玻料寬度燒結。如果雷 射束的直徑小於玻料的寬度,可利用具有多行程的雷 射。例如’射束可在第一行程中沿著玻料的環路橫移, 偏移足以重疊玻料之未燒結部份的一些量,並在第二行 程令沿著環路㈣。需要多行㈣橫跨玻料之寬度來預 燒結玻料。雷射束可包含高斯功率分布(即橫跨射束直徑 的分布,纟中射束直徑正交於射束的縱軸)、平頂分布、 拋物線、或任何其他形狀。 12 201116147 可首先藉由調整雷射的功率在 使得揮發性有機黏合劑可自玻料 ,在此之後可增加雷射功率以初 在上述方法的變化中, 低溫下初始加熱玻料,信 移除而不會緻密化玻料, 始玻料的緻密化。 也可以整塊的m加熱覆蓋平板以?文善預燒結製 程。換言之,可首先在加熱支撐件32(例如,加熱墊或平 板)上加熱覆蓋平板,以協助降低玻璃中的應力。加熱也 有助於在將玻料暴露至雷射之前先驅除低蒸氣壓之揮發 材料。當預燒結時,使用加熱平板來加熱覆蓋平板也有 助於防止玻料黏合劑的揮發性成分再沉積於覆蓋平板 上,且因此可結合雷射使用。例如,可將覆蓋平板加熱 至介於120°c至150°c的溫度。 針對雷射所選擇的掃描或橫移速率取決於雷射的功率 輸出、射束直徑、射束之波長及玻料吸收係數。例如, 使用了 810nm雷射’當射束直徑為3 5mm時,掃描速率 為2mm/s並具有14瓦之功率;具有5 66mm的射束直徑 時’在2mm/s下的功率為約45瓦。涉及預燒結操作期間 玻料之緻密化的方程式如下:
Pf = p(〇) 1 -其中’外是玻料的最終密度,〆0)是玻料的初始相對密 度’ γ是玻璃蒸氣表面張力’ μ是玻璃黏度,h是經驗形 狀因子,JC/是可用於燒結之玻料表面積的分率。 玻璃基底玻料包含一或多個金屬氧化物成分,且較佳 13 201116147 。a至乂冑過度金屬,其可在發射雷射之波長下或波 長範圍内增強玻料的吸收。例如,可輕易獲得電磁光譜 之紅外線(IR)區域中發射的雷射。因此,玻璃基底玻料 可包括一些釩及(或)氧化鐵以當暴露至IR光時產生足以 導致玻料顯著加熱的IR吸收。 玻璃基底玻料可包括或不包括調控玻料玻璃之熱膨脹 係數的惰性填充物。例如,在許多應用中,較佳地,密 封材料的CTE係實質匹配待藉由密封材料接合的部件。 取決於玻料玻璃的組成,可添加惰性改良劑(例如,F鋰 霞石)至玻料玻璃中以降低整體玻璃基底玻料的CTE,使 得其匹配待接合之玻璃平板的CTE。例如,在〇LED應 用中最常使用的玻璃平板通常具有範圍約30x10-7/〇c至 約40x10 /0C的CTE。另一方面’許多玻料玻璃的cte 具有高於90xl0_7/°C的CTE。因此,可能必須藉由添加 CTE改良劑來降低玻料玻璃的CTE。當然,在一些情況 中,可在不藉由使用CTE改良劑來調整玻料玻璃組成的 情況下獲得適當的CTE。 玻璃基底玻料也可包含一或多個有機黏合劑,及通常· 作為玻料的載體的有機溶劑。在其未燒結狀態,玻璃基 底玻料較佳為糊漿,儘管可以使用未使用黏合劑或載體 的玻料粉末。 在一些實施例中,可採用較不昂貴的玻璃平板,例如 201116147 採用鹼石灰玻璃。鹼石灰玻璃平板的典型CTE係高於 40xl(T7/oC且可超過90xl〇-7/°C。在這些例子中,CTE改 良劑可能為非必須的。在其他例子中,可藉由調整密封 製程的參數(包括玻璃平板的周圍溫度)來調適玻料與玻 璃平板間的大CTE差距(例如ioxio·7/%,或更大)。 在第3圖所示的另一實施例中,可以ir燈34置換雷 射3 0。相似於採用雷射的實施例,ir燈34應發射包含 可容易被玻璃基底玻料吸收之波長的光❶首先,可如上 所述使用雷射束或加熱墊或直接使用來自一或多個IR 燈的IR輻射來驅除有機載體。因為燈的空間光輸出會比 雷射的射束寬度大出不少,應採取一些步驟來保護彩色 濾光片24免受燈輸出影響。例如,燈的光輸出可以經過 校準並聚焦,使得照射玻料的聚焦射束是在先前實施例 之雷射束直控的數量級。例如,約3mm。 防止彩色濾光片暴露至IR光的簡單方法是在燈與玻 璃覆蓋平板之間採用遮罩3 6 (例如金屬遮罩),以阻擋 其他可能照射彩色濾光片24的光,但仍允許IR光照射 玻料》可藉由吸收光、反射光或同時吸收及反射來操作 遮罩36。可將玻料26暴露至灰燈均句地(如帛3圖所 不,在相同時間下整個玻料環路)發射的IR光或將玻 料安裝在行進系統上以藉由橫移玻料與限制尺寸之射束 (例如使用透鏡、反射器、射束阻擋器等來調控燈輸出) 15 201116147 而將能量局部地暴露至玻料。 藉由調整IR燈或燈34的功率輸出,首先可根據上述 的方法加熱玻料26以驅除有機黏合劑。緻密化的暴露時 間可根據方程式(1)來判定。較佳地,在黏合劑移除階 段’玻料的溫度是在325°c左右,且玻料緻密化溫度介 於325°C至420°C,更佳介於39(TC至41〇。〇。因為鄰近 玻料之玻璃平板12的區域並不直接藉由IR輻射來加熱 (例如,藉由遮蔽彩色濾光片),鄰近玻料的溫度是遠低 於玻料的溫度’較佳小於約1 〇 〇 〇C。 在繪示於第4圖的又一實施例中,可使用藉由微波產 生器40發射的微波能量38來加熱設置在覆蓋平板丨2上 的玻料環路。較佳地,微波產生器之輸出是小到可使用 來加熱玻料而不須使用保護彩色濾光片材料的屏蔽。若 微波產生器的輸出不夠小,可在微波產生器的輸出與彩 色濾光片之間設置遮罩或其他屏蔽(未示出),以防止彩 色濾光片受到照射。無論如何,如先前所述,不應允許 彩色濾光片材料被加熱至高於約1〇〇〇c的溫度,較佳不 南於8 0 °C。 藉由調整微波產生器40的功率輸出,可首先加熱玻料 26以驅除有機黏合劑而不使玻料緻密化,且隨後,在有 機黏合劑消失之後’增加功率以升高玻料溫度並敏密化 玻料H可使㈣# IR燈或烤箱(在低於彩色渡光 16 201116147 片材料之熱降級溫度的溫度下操作)來驅除玻料中的有 • 機黏合劑。緻密化的暴露時間可根據方程式⑴來判定。 較佳地,在黏合劑移除階段,玻料的溫度為325t左右, 且玻料緻密化溫度介於325 5 49〇公 《 * 入 〇主42〇C,且更佳介於39〇 至 410〇C。 在又另-實施例中’如第5圖所示,可藉由電阻性加 熱玻料來預燒結玻料26 ^第5圖繪示玻璃覆蓋平板12, 其包含彩色濾光片24及玻璃基底玻料26的環路◊連接 至電壓源的電阻元件42是接觸玻料放置,或將電阻元件 如第5圖所示安置在玻料環路上,或如第6圖所示,首 先可將電阻元件沉積在覆蓋玻璃平板上並將玻料沉積在 電阻元件上。在後者的例子中’由於電阻元件將變成玻 璃平板12及14間之密封的一部分,應謹慎確保電阻元 件良好附著至覆蓋平板。電阻元件42可為(例如)Sic、 MoSh、鎢、柯華(Kovar)合金、鎳、鉬、石墨或其他材 料。可改變電壓以改變流經電阻元件42的平均電流,並 從而改變玻料的溫度。電流可為交流電流或直流電流。 例如,可設定初始電壓以在玻料26中產生初始低溫。例 如,初始低溫可介於約300°C至約325°C以驅除玻料中的 • 有機黏合劑。隨後,可增加電壓以增加電流及玻料的溫 • 度。例如,已發現約325°C至420°C的溫度(更佳介於39〇 °C至約410°C )適合用來緻密化玻料的一些玻料組成。若 17 201116147 有需要’可在預燒結步驟期間直接使用IR照相機測量玻 料溫度。 如第7圖所示,藉由上述任何一種方法執行的預燒結 步驟獲致-包含敏密化壁或玻料環路及設置在預燒結玻 料之周長中之彩色濾光片材料的玻璃基材。 無淪破璃基底玻料是使用雷射(第2圖)、汛燈(第3 圖)、微波能量(第4圖)或藉由電阻性加熱玻料(第5及6 圖)來預燒結’-旦玻料已經預燒結並附著至覆蓋平板, 對準覆蓋平板及包含發光有機材料(第8圖)的底板平 板’較佳在惰性大氣中(例如在具有受控线之適合尺寸 的手套工作箱中),使得當兩平板接在—料,有機發光 材料及有機彩色濾光片材料皆藉由覆蓋平板、底板平板 及玻料環路所包覆。換言之,底板平板、覆蓋平板及玻 料形成一含有有機材料的凹穴。可隨後如第9圖再加熱 玻料環路以軟化環路,使得環路附著在覆蓋平板及底板 平板之上。當玻璃基底玻料環路冷卻時,其在兩玻璃平 板之間/成氣达社、封以保護所得玻璃封裝中之有機材料 免於暴露至氧氣及濕氣。 亂密岔封覆蓋基材及底板基材的較佳方法是藉由密封 雷射46發射之雷射束44來照射安置在玻璃平板^與 Μ之間的玻料。較佳地,玻璃平板不會在玻璃基底玻料 吸收的波長下或波長範圍中吸收大量的光,使得通過玻 201116147 璃平板的射束44實質上不會減弱。此可防止可能會干擾 玻料加熱或導致有機材料損壞的平板加熱。換句話說, 較佳地,覆盍平板12及底板14在密封雷射46的波長及 波長輪出下係實質透通。在玻料上橫移雷射的射束輸出 以軟化玻料並將玻料附著至覆蓋玻璃平板與底板玻璃平 板’從而在其間形成氣密密封。 第10圖繪示對基材雷射預燒結之前(曲線B)及之後(曲 線A)的橫截玻料高度。雷射束可以不同速率沿著玻料長 度掃描。在此實例中,雷射的橫移速率約為2mm/s,且 功率為約37-41瓦。如圖所示,在加熱之後藉由雷射燒 結降低玻料高度,表示當玻料藉由雷射束加熱時,玻料 粒子隨之燒結(聚結)^預燒結製程將玻料中的孔隙關 閉,從而改良結構的整體性。由於在玻料圖案之角落處 的滯留時間較長,雷射束的功率在角落處降低至約Μ 瓦,以確保沿著玻料有均勻的預燒結品質。在較高功率 時’玻料可能會過$,且玻料中經氣體冑充的孔隙會由 於氣體的快速膨脹而擴大。此可從第n圖觀之,可看出 孔隙擴大導致破料之高度「生長」,而為-非期望結果。 也可在較高橫移速率達成預燒結,例如在10mm/s。第 12圖示出玻料在以28.2随散焦之6〇瓦雷射束功率預燒 結之後的截面輪廓。在此實例中的雷射束具有約5.4mm 的直私若使用較高的雷射功率,此速率可甚至更高。 19 201116147 應在雷射束的開始點及停止點特別謹慎,以防止玻料 裂開。當雷射開始時’應在非常短的距離内(約或 更知)將雷射功率斜升至最終功率,以防止玻料裂開。第 13圖顯示一範例預燒結進度表(將雷射束功率以玻料上 的距離函數繪示)。若緩慢的將功率斜升,只有少部分的 玻料在斜升區域中被燒結,並存在有經燒結玻料與未燒 結玻料的邊界將發展出裂縫的危險。快速將功率斜升(曲 線48)可確保從製程開始到結束的均勻燒結。當雷射回到 開始點時(雷射停止),在先前燒結的玻料上有約lmm的 正重疊(區域50),且隨後功率緩慢地斜降(曲線52)。此 舉使得燒結玻料在雷射開始/停止區域處展現和在燒結 玻料上其他區域一致的外觀和品質。 一旦包含彩色濾光片材料之玻料覆蓋平板已被預燒 結,隨後將覆蓋平板密封至包含有機發光材料的底板。 例如,覆蓋平板可放置在底板上,並具有玻料安置在覆 蓋平板與底板之間》隨後,使用雷射束加熱玻料以軟化 玻料並將其附著至覆蓋平板與底板。例如,適當的密封 速率為20mm/s ’雷射束功率為約28瓦。當玻料冷卻時, 其在覆蓋平板與底板之間形成氣密密封。 須強調的是,本發明的上述實施例,特別是「較佳」 實施例,僅為多個實施例的可能實例,且僅為了更易於 了解本發明的原則而闡明。可在實質上不背離本發明之 20 201116147 精神與原則的情況下對本發明實施例做出許多變化及修 改。所有此等修改及變化將被包括在本揭示及本發明的 範_中並由隨附申請專利範圍所保護。 【圖式簡單說明】 第1圖為包含彩色濾光片之範例〇LED元件的截面側 視圖。 第2圖為包含玻料環路之覆蓋玻璃平板的截面側視 圖’其中使用雷射束照射玻料以預燒結玻料。 第3圖為包含玻料環路之覆蓋玻璃平板的截面側視 圖,其中使用藉由燈發射之寬帶IR光照射玻料以預燒結 玻料。 第4圖為包含玻料環路之覆蓋玻璃平板的截面側視 圖,其中使用微波能量照射玻料以預燒結玻料。 第5圖為包含玻料環路之覆蓋玻璃平板的截面側視 圖,其中在玻料上設置電阻加熱元件以預燒結玻料。 第6圖為包含玻料環路之覆蓋玻璃平板的透視圖,其 中在覆蓋玻璃平板與玻料之間設置電阻加熱元件以預燒 結玻料。 第7圖$包含彩色濾光片及沉積於其上之預燒結玻璃 . 基底玻料環路之覆蓋玻璃平板的透視圖,。 第8圖為包含沉積於其上之有機發光材料之第二玻璃 平板的透視圖。 21 201116147 第9圖為第1圖之〇leD元件經使用雷射氣密密封的 截面側視圖。 第1 〇圖為根據本發明實施例預燒結之玻料線的截面 輪廓,並示出燒結前後的輪廓。 第11圖為在高溫下預燒結之玻料線的截面輪廓,示出 玻料的膨脹及玻料高度上的增加。 第1 2圖為根據本發明實施例預燒結之玻料線的另一 截面輪廓》 第13圖為根據本發明實施例用於預燒結玻料至玻璃 覆蓋平板的範例雷射束功率進度表。 【主要元件符號說明】 10有機發光二極體元件 12覆蓋平板 16有機發光二極體 20第二電極材料 24彩色濾光片 28雷射束 3 2加熱支撐件 36遮罩 40微波產生器 44射束 Μ第二玻璃平板 18第一電極材料 22有機發光材料 26玻料 30雷射 34 IR 燈 3 8微波能量 42電阻元件 46密封雷射 22

Claims (1)

  1. 201116147 七、申請專利範圍: 1. 一種用於形成一有機發光二極體元件(10)的方法,包 含以下步驟: 在一第一玻璃平板(12)上沉積一彩色濾光片(24),該彩 色遽光片包含在該彩色濾光片中產生一主要顏色的多個 染料或色料; 在該第一玻璃平板上以一圍繞該彩色濾光片的環路來 沉積一玻璃基底玻料(26);及 使用電磁輻射來照射該玻璃基底玻料以緻密化在該第 一玻璃平板上的該玻璃基底玻料。 2. 如申請專利範圍第丨項之方法,更包含以下步驟:加 熱該玻料以移除該玻料中的多個有機黏合劑而不緻密 化該玻料玻璃》 3. 如申請專利範圍第2 jg夕古、土 . 固弟2項之方法,其中加熱步驟包含以 下步驟:在-加熱支撐件(32)上加熱該第—玻璃平板。 4·如申請專利範圍第丨項之方 ,進一步包含以下步 驟.在6亥照射期間在一加敎支撐株μ Λ袖_x …、又存件上加熱該第一玻璃 平板。 其中該照射步驟包含 5.如申請專利範圍第1項之方法 23 201116147 以下步驟.使用微波照射該玻璃基底玻料。 6·如申請專利範圍帛1項之方法,《中該照射步驟包含 以下步驟:使用IR光照射該玻璃基底玻料。 7.如申請專利範圍第丨項之方法,更包含以下步驟: 在一第二玻璃平板(1 2 3 4 5 6 7)上沉積一有機發光材料(22); 以一重疊關係將該第一玻璃平板(丨2)與該第二玻璃平 板(14)對準;及 使用一雷射(46)加熱該玻璃基底玻料(26),以軟化該玻 璃基底玻料,並在該第一玻璃平板與該第二玻璃平板之 間形成一氣密密封,其中該彩色濾光片(24)與該有機發 光材料(22)被包圍在該第一玻璃基材、該第二玻璃基材 與該玻璃基底玻料之間。 24 1 —種形成一有機發光二極體元件(1〇)的方法,包含以 下步驟: 2 在一第一玻璃平板(1 2)上沉積一彩色濾光片(24); 3 在該第一玻璃平板上以一圍繞該彩色濾光片的環路來 4 沉積一玻璃基底玻料(26); 5 在一第二玻璃平板(14)上沉積一有機發光材料(22); 使電磁輻射撞擊在該玻璃基底玻料上以緻密化該第一 6 玻璃平板上的該玻璃基底玻料; 7 以一重疊關係將該第一玻璃平板與該第二玻璃平板對 201116147 準;及 使用一雷射(46)加熱該玻璃基底玻料,以軟化該玻璃 基底玻料’並在該第一玻璃平板與該第二玻璃平板之間 形成一氣密密封’其中該彩色濾光片與該有機發光材料 被包圍在該第一玻璃基材、該第二玻璃基材與該玻璃基 底玻料之間。 9. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該電磁輻射為包 含介於約500nm至1200nm間之波長的光能量。 10. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該光能量包含一 雷射束。 11. 如申請專利範圍第10項之方法,其中該雷射束的寬 度是大於該玻璃基底玻料的寬度。 12. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該光能量為藉由 一 IR燈發射的寬帶IR光。 13. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該電磁能量是微 波能量。 14. 如申凊專利範圍第8項之方法,其中該彩色濾光片 (24)包含產生一或多個主要顏色的多個染料或色料。 25 201116147 15. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該有機發光材料 ⑽疋It由—遮罩(36)屏蔽,以免受電磁能量撞擊。 16. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該第一玻璃平板 與該第二玻璃平板是藉由一加熱支揮件(32)支樓並 被加熱至一大於周圍溫度的溫度,但小於約ι〇〇。。, 同時形成該氣密密封。 17. 如中請專利範圍第8項之方法,其t該玻璃基底玻料 (26)的一溫度在使用電磁能量撞擊期間是介於約325 °C 至約 420。(:。 18. —種形成一有機發光二極體元件(1〇)的方法,包含以 下步驟: 在一第一玻璃平板(12)上沉積一彩色濾光片(24),該 彩色瀘、光片包含多個染料或色料; 在該第一玻璃平板上以一圍繞該彩色濾光片的環路 來沉積一玻璃基底玻料糊漿(26); 將一電阻加熱元件(42)接觸該玻璃基底玻料糊漿來 安置; 使一電流流經該電阻加熱元件,以加熱該玻料糊漿至 一第一溫度,並驅除該玻料中的多個有機黏合劑而不緻 密化該玻料糊漿;及 26 201116147 改變通過該電阻加熱元件之電流的強度,以加熱該玻 料至一第二溫度,從而緻密化該玻料,該第二溫度大於 該第一溫度。 19. 如申請專利範圍第i 8項之方法,更包含以下步驟: 在一第二玻璃平板上形成一有機發光材料; 以一重疊關係將該第一玻璃平板與該第二玻璃平板 對準;及 使用一雷射加熱該玻璃基底玻料,以軟化該玻璃基底 玻料,並在該第一玻璃平板與該第二破螭平板之間形 成-氣密密封,其中該彩色據光片與該有機發光材料 被包圍在該第-玻璃基材'該第二玻璃基材與該玻璃 基底玻料之間。 20. 如申請專利範圍第a項之方法,承6 a „ π心乃忒更包含以下步驟: 當一電流流經該電阻加熱元件時,在一加熱支撐件上 加熱該第一玻璃平板。 27
TW099117283A 2009-05-28 2010-05-28 形成有機發光二極體元件之方法 TWI513359B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18179609P 2009-05-28 2009-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201116147A true TW201116147A (en) 2011-05-01
TWI513359B TWI513359B (zh) 2015-12-11

Family

ID=42635520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099117283A TWI513359B (zh) 2009-05-28 2010-05-28 形成有機發光二極體元件之方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8440479B2 (zh)
TW (1) TWI513359B (zh)
WO (1) WO2010138830A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104466028A (zh) * 2013-09-18 2015-03-25 群创光电股份有限公司 显示面板的封装方法及封装结构
TWI514642B (zh) * 2013-09-18 2015-12-21 Innolux Corp 顯示面板之封裝方法及封裝結構
CN106298691A (zh) * 2015-05-29 2017-01-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
TWI577006B (zh) * 2011-11-29 2017-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 密封體、發光裝置、電子裝置及照明設備

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100887009B1 (ko) * 2005-12-06 2009-03-04 코닝 인코포레이티드 완전 밀봉 글래스 패키지 및 그 제조방법
US9123715B2 (en) * 2008-02-28 2015-09-01 Corning Incorporated Method of sealing a glass envelope
JP5308718B2 (ja) 2008-05-26 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法
CN102056858B (zh) * 2008-06-11 2013-09-25 浜松光子学株式会社 玻璃熔接方法
US9045365B2 (en) * 2008-06-23 2015-06-02 Hamamatsu Photonics K.K. Fusion-bonding process for glass
WO2011010489A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 旭硝子株式会社 封着材料層付きガラス部材の製造方法及び製造装置、並びに電子デバイスの製造方法
JP5481167B2 (ja) * 2009-11-12 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法
JP5481173B2 (ja) * 2009-11-25 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5567319B2 (ja) 2009-11-25 2014-08-06 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5535590B2 (ja) 2009-11-25 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5481172B2 (ja) 2009-11-25 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5535588B2 (ja) 2009-11-25 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5525246B2 (ja) 2009-11-25 2014-06-18 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5466929B2 (ja) * 2009-11-25 2014-04-09 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5535589B2 (ja) * 2009-11-25 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
KR101333138B1 (ko) 2012-03-05 2013-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치
US9346708B2 (en) * 2012-05-04 2016-05-24 Corning Incorporated Strengthened glass substrates with glass frits and methods for making the same
US9499428B2 (en) * 2012-07-20 2016-11-22 Ferro Corporation Formation of glass-based seals using focused infrared radiation
US9362522B2 (en) * 2012-10-26 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for bonding substrates, method for manufacturing sealing structure, and method for manufacturing light-emitting device
KR102160829B1 (ko) 2012-11-02 2020-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 밀봉체의 제작 방법
TW201431149A (zh) * 2013-01-18 2014-08-01 Innolux Corp 顯示裝置及其封裝方法
TWI636875B (zh) * 2013-02-04 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 玻璃層的形成方法及密封結構的製造方法
US10622244B2 (en) * 2013-02-18 2020-04-14 Orbotech Ltd. Pulsed-mode direct-write laser metallization
JP6258976B2 (ja) 2013-02-26 2018-01-10 コーニング インコーポレイテッド イオン交換プロセスに適合した装飾用多孔性無機層を表面に有する強化ガラス物品
KR102069810B1 (ko) * 2013-04-16 2020-01-28 삼성디스플레이 주식회사 씰링부를 가지는 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN103325961B (zh) * 2013-05-22 2016-05-18 上海和辉光电有限公司 Oled封装加热装置及工艺方法
TW201445724A (zh) 2013-05-30 2014-12-01 Innolux Corp 顯示裝置的封裝方法及顯示裝置
US10537027B2 (en) 2013-08-02 2020-01-14 Orbotech Ltd. Method producing a conductive path on a substrate
US10483210B2 (en) * 2014-11-05 2019-11-19 Corning Incorporated Glass articles with non-planar features and alkali-free glass elements
CN105161515B (zh) * 2015-08-11 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置
JP6862681B2 (ja) * 2016-05-23 2021-04-21 日本電気硝子株式会社 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ
DE102016110868A1 (de) * 2016-06-14 2017-12-14 Leander Kilian Gross Verfahren und Vorrichtung zur Verkapselung von Bauteilen
CN106098735B (zh) * 2016-06-20 2020-10-09 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示屏
NL2017806B1 (nl) * 2016-11-16 2018-05-25 Suess Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co Kg Holder for receiving and for protecting one side of a photomask or of a photomask with pellicle from a cleaning medium, method for cleaning a photomask or a photomask with pellicle and apparatus for opening and closing a holder
WO2019183169A1 (en) * 2018-03-21 2019-09-26 Corning Incorporated Laser sealing ultra-thin glass
CN114516720A (zh) * 2020-11-18 2022-05-20 财团法人金属工业研究发展中心 生物活性玻璃及生物活性玻璃三维制品的制造方法

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4238704A (en) 1979-02-12 1980-12-09 Corning Glass Works Sealed beam lamp of borosilicate glass with a sealing glass of zinc silicoborate and a mill addition of cordierite
JPH1074583A (ja) 1996-08-30 1998-03-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法
JP3840750B2 (ja) 1996-12-09 2006-11-01 ソニー株式会社 画像表示装置の製造方法
US6129603A (en) 1997-06-24 2000-10-10 Candescent Technologies Corporation Low temperature glass frit sealing for thin computer displays
US6113450A (en) 1998-05-14 2000-09-05 Candescent Technologies Corporation Seal material frit frame for flat panel displays
US6506699B1 (en) 1998-10-23 2003-01-14 Kabushiki Kaisha Ohara Negative thermal expansion glass ceramic and method for producing the same
US6126505A (en) 1998-11-30 2000-10-03 Candescent Technologies Corporation Composite frit frame with backbone
US6555025B1 (en) 2000-01-31 2003-04-29 Candescent Technologies Corporation Tuned sealing material for sealing of a flat panel display
JP2001351521A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Toshiba Corp 画像表示装置の製造方法および製造装置
US6722937B1 (en) 2000-07-31 2004-04-20 Candescent Technologies Corporation Sealing of flat-panel device
JP2002366050A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置の製造方法、製造装置およびそれを用いて製造した画像表示装置
DE10219951A1 (de) 2002-05-03 2003-11-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Verkapselung eines Bauelements auf Basis organischer Halbleiter
US7040121B2 (en) 2002-10-31 2006-05-09 Corning Incorporated Sealing lighting device component assembly with solder glass preform by using infrared radiation
US7344901B2 (en) 2003-04-16 2008-03-18 Corning Incorporated Hermetically sealed package and method of fabricating of a hermetically sealed package
US20040206953A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Robert Morena Hermetically sealed glass package and method of fabrication
US6998776B2 (en) 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
JP4980718B2 (ja) * 2003-11-12 2012-07-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子デバイス用の封入アセンブリ
US20060283546A1 (en) 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices
US20060284556A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices
US7371143B2 (en) 2004-10-20 2008-05-13 Corning Incorporated Optimization of parameters for sealing organic emitting light diode (OLED) displays
US7393257B2 (en) 2004-11-12 2008-07-01 Eastman Kodak Company Sealing of organic thin-film light-emitting devices
US20070001591A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Jun Tanaka Organic electroluminescence display and manufacturing method thereof
US7722929B2 (en) 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US20070096631A1 (en) 2005-11-01 2007-05-03 Un-Cheol Sung Flat panel display and fabricating method thereof
CN101454860B (zh) 2005-12-06 2012-05-23 康宁股份有限公司 用玻璃料气密密封的玻璃封装物及其制造方法
US7425166B2 (en) 2005-12-06 2008-09-16 Corning Incorporated Method of sealing glass substrates
US7597603B2 (en) 2005-12-06 2009-10-06 Corning Incorporated Method of encapsulating a display element
US7537504B2 (en) 2005-12-06 2009-05-26 Corning Incorporated Method of encapsulating a display element with frit wall and laser beam
KR100685853B1 (ko) 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US20070188757A1 (en) 2006-02-14 2007-08-16 Jeffrey Michael Amsden Method of sealing a glass envelope
US20080124558A1 (en) 2006-08-18 2008-05-29 Heather Debra Boek Boro-silicate glass frits for hermetic sealing of light emitting device displays
US20080048556A1 (en) 2006-08-24 2008-02-28 Stephan Lvovich Logunov Method for hermetically sealing an OLED display
KR100722118B1 (ko) 2006-09-04 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
US7800303B2 (en) 2006-11-07 2010-09-21 Corning Incorporated Seal for light emitting display device, method, and apparatus
KR20080055243A (ko) * 2006-12-15 2008-06-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US20080168801A1 (en) 2007-01-12 2008-07-17 Paul Stephen Danielson Method of sealing glass
US7652305B2 (en) 2007-02-23 2010-01-26 Corning Incorporated Methods and apparatus to improve frit-sealed glass package
TW200836580A (en) 2007-02-28 2008-09-01 Corning Inc Seal for light emitting display device and method
KR20080088032A (ko) 2007-03-28 2008-10-02 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100863968B1 (ko) 2007-04-24 2008-10-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 표시 장치
US7990060B2 (en) 2007-05-31 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR100883072B1 (ko) 2007-07-12 2009-02-10 엘지전자 주식회사 표시장치
US20090044496A1 (en) 2007-08-16 2009-02-19 Botelho John W Method and apparatus for sealing a glass package
JP2009047879A (ja) 2007-08-20 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
KR101323394B1 (ko) 2007-09-12 2013-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US20090096716A1 (en) 2007-09-12 2009-04-16 Lg Electronics Inc. Display device
KR101378852B1 (ko) 2007-09-12 2014-03-27 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US8247730B2 (en) 2007-09-28 2012-08-21 Corning Incorporated Method and apparatus for frit sealing with a variable laser beam
EP2213141B1 (en) 2007-10-05 2017-12-06 Corning Incorporated Method and apparatus for sealing a glass package
KR100893864B1 (ko) 2007-11-07 2009-04-20 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US8198807B2 (en) 2008-02-28 2012-06-12 Corning Incorporated Hermetically-sealed packages for electronic components having reduced unused areas
US9123715B2 (en) 2008-02-28 2015-09-01 Corning Incorporated Method of sealing a glass envelope
US10135021B2 (en) 2008-02-29 2018-11-20 Corning Incorporated Frit sealing using direct resistive heating
US8067883B2 (en) 2008-02-29 2011-11-29 Corning Incorporated Frit sealing of large device
KR100926622B1 (ko) 2008-03-17 2009-11-11 삼성모바일디스플레이주식회사 프릿을 이용한 기밀 밀봉 장치 및 기밀 밀봉 방법
US20090295277A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Stephan Lvovich Logunov Glass packages and methods of controlling laser beam characteristics for sealing them
US8147632B2 (en) 2008-05-30 2012-04-03 Corning Incorporated Controlled atmosphere when sintering a frit to a glass plate
US7992411B2 (en) * 2008-05-30 2011-08-09 Corning Incorporated Method for sintering a frit to a glass plate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI577006B (zh) * 2011-11-29 2017-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 密封體、發光裝置、電子裝置及照明設備
US10361392B2 (en) 2011-11-29 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sealed structure, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US11101444B2 (en) 2011-11-29 2021-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sealed structure, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN104466028A (zh) * 2013-09-18 2015-03-25 群创光电股份有限公司 显示面板的封装方法及封装结构
TWI514642B (zh) * 2013-09-18 2015-12-21 Innolux Corp 顯示面板之封裝方法及封裝結構
CN106298691A (zh) * 2015-05-29 2017-01-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010138830A1 (en) 2010-12-02
TWI513359B (zh) 2015-12-11
US20100304513A1 (en) 2010-12-02
US8440479B2 (en) 2013-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI513359B (zh) 形成有機發光二極體元件之方法
KR101543435B1 (ko) 마스크를 지닌 프릿 처리된 커버 시트를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 유리 패키지
JP5690380B2 (ja) 電子部品をパッケージする方法および装置
TWI408115B (zh) 燒結玻璃料至玻璃板時控制氣體氛圍
TW200930671A (en) Method and apparatus for sealing a glass package
CN102754524A (zh) 显示面板及其制造方法
CN101420016A (zh) 电致发光元件的制造方法
TW201018301A (en) Mask and method for sealing a glass envelope
US6842582B2 (en) Light heating apparatus and method therefor
US9472778B2 (en) Display apparatus and the sealing method thereof
US6259066B1 (en) Process and device for processing a material by electromagnetic radiation in a controlled atmosphere
CN101319301A (zh) 光学薄膜的成膜方法、光学基板以及光学薄膜的成膜装置
KR102434981B1 (ko) 유기 발광 다이오드를 위한 광 추출 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 제품
Sheng et al. Laser‐Triggered Vapor‐Phase Anion Exchange on All‐Inorganic Perovskites for Multicolor Patterns and Microfabrications
WO2017158943A1 (ja) パターニング装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TW201138178A (en) Electrical device and method for manufacturing the same
KR100370406B1 (ko) 레이저를 이용한 평판표시장치의 진공 패키징 방법
JP2018184665A (ja) 蒸着マスク及びその製造方法、有機el表示装置の製造方法
US20220234074A1 (en) Manufacturing method of color filter
US20130280440A1 (en) Laser-Induced Backside Annealing Using Fluid Absorber
KR20210022653A (ko) 근적외선에 의해 경화된 내부 광 추출 층
JP2006332541A (ja) 光加熱装置
JP2011040186A (ja) 成膜用基板、成膜方法及び発光素子の作製方法
CN105990532B (zh) 一种封装装置和封装方法
KR101889488B1 (ko) 구리 미립자의 광소결 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees