KR100893864B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100893864B1
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이경훈
김우찬
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엘지전자 주식회사
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Abstract

뉴턴 링(Newton Ring) 현상을 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극을 포함하는 기판과, 기판의 발광영역을 봉지하는 캡을 포함하여 구성되고, 캡은 함몰면(caved surface)을 가지고, 함몰면의 최소 깊이는 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 함몰면의 최대 깊이는 캡의 전체 두께 대비 10% 이하일 수 있다.
캡, 함몰면, 뉴턴 링, 깊이, 굴절률

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법{Organic Electroluminescence Device and method for fabricating the same}
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 뉴턴 링(Newton Ring) 현상을 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 전계 발광 소자는 전자 주입을 위한 음극과 정공 주입을 위한 양극 사이에 형성된 유기막에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다.
플라스틱 같은 휠 수 있는(flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 EL 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 (약 10V 이하) 구동이 가능하고, 또한 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.
또한, 유기 전계 발광 소자는 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 차세대 풀 컬러 디스플레이(full color display) 소자로 많은 사람들의 많은 관심의 대상이 되고 있다.
그러나, 유기 전계 발광 소자는 수분이나 산소 등에 의해 쉽게 열화되어 수 명이 줄어드는 문제점을 가지고 있었다.
따라서, 이를 해결하기 위해, 유기 전계 발광 소자 상부에 투명 캡(cap)을 덮어 봉지함으로써, 외부의 수분이나 산소 등을 차단하였다.
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 소자의 투명 캡을 보여주는 도면으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 애노드, 유기물층, 캐소드가 형성된 기판(10)의 발광영역 상부에 투명 캡(20)을 덮어 봉지함으로써, 외부의 수분이나 산소 등을 차단하였다.
일반적으로, 투명 캡(20)의 가장자리 영역은 실런트 등의 봉지재(30)에 의해 기판(10)의 비발광영역 위에 봉지되고, 투명 캡(20)의 중앙 영역은 기판(10)의 발광 영역으로부터 소정간격 떨어져 위치한다.
그러나, 투명 캡(20)의 가장자리 영역은 봉지재(30)에 의해 지지되지만, 투명 캡(20)의 중앙 영역은 지지체가 없어 투명 캡(20)의 무게로 인하여 하부로 가라앉는 현상이 일어나, 투명 캡(20)이 전체적으로 휘어지게 된다.
이와 같이, 투명 캡(20)의 휘어짐 현상은 외부로부터 입사된 빛이 기판(10)과 투명 캡(20)에 반사될 때, 빛의 경로 차이로 인해 투명 캡(20)의 표면에 동심원 모양의 무늬가 나타나는 뉴턴링(Newton Ring) 현상을 발생시키는 원인이 되고 있다.
이러한 뉴턴링 현상은 유기 전계 발광 소자의 콘트라스트 비(Contrast Ratio)를 저하시키고 있다.
본 발명의 목적은 이러한 문제들을 해결하기 위한 것으로, 캡에 소정 깊이를 갖는 함몰면을 형성하여, 뉴턴링 현상의 발생을 억제하여 콘트라스트 비를 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 캡에 소정의 굴절률을 갖는 함몰면을 형성함으로써, 빛의 손실을 방지하고 발광효율을 높여 소비전력을 줄일 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극을 포함하는 기판과, 기판의 발광영역을 봉지하는 캡을 포함하여 구성되고, 캡은 함몰면(caved surface)을 가지고, 함몰면의 최소 깊이는 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 함몰면의 최대 깊이는 캡의 전체 두께 대비 10% 이하일 수 있다.
또한, 캡의 함몰면의 경계라인과 기판의 발광영역의 경계라인 사이의 거리는 최소 70um 이상인 것이 바람직하다.
그리고, 캡의 표면과 함몰면의 경사면이 이루는 각도는 60도 이하인 것이 바람직하다.
캡의 함몰면의 굴절률은 1.6 - 2일 수 있으며, 캡은 TiO2, BaO, B2O3를 포함하는 투명 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극을 포함하는 기판과, 기판의 발광영역을 봉지하는 캡을 포함하여 구성되고, 캡은 함몰면(caved surface)을 가지고, 함몰면의 굴절률은 1.6 - 2일 수도 있다.
여기서, 함몰면의 최소 깊이는 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 함몰면의 최대 깊이는 캡의 전체 두께 대비 10% 이하일 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조방법은 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극을 포함하는 기판과, 기판의 발광영역을 봉지하기 위한 캡을 준비하는 단계와, 캡에, 최소 깊이가 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 최대 깊이가 캡의 전체 두께 대비 10% 이하인 함몰면을 형성하는 단계와, 함몰면을 갖는 캡을, 기판의 발광영역을 봉지하도록, 기판 위에 부착시키는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 캡의 함몰면은 식각, 샌드블래스팅, 몰딩법 중 적어도 어느 한 방법으로 형성될 수 있다.
그리고, 캡의 함몰면의 깊이는 굴절률이 1.6 - 2 범위 내에서 결정될 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 캡에, 최소 깊이가 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 최대 깊이가 캡의 전체 두께 대비 10% 이하인 함몰면을 형성함으로써, 뉴턴링 현상의 발생을 억제 하여 콘트라스트 비를 향상시킬 수 있다.
둘째, 캡에 함몰면을 형성함으로써, 캡의 강성을 향상시켜 외부의 물리적 충격을 완화시킬 수 있다.
셋째, 굴절률이 약 1.6 - 2인 범위 내에 포함되도록 캡의 함몰면을 형성함으로써, 빛의 손실을 방지하고 발광효율을 높여 소비전력을 줄일 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명의 개념은 캡에, 최소 깊이가 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 최대 깊이가 캡의 전체 두께 대비 10% 이하인 함몰면을 형성함으로써, 뉴턴링 현상의 발생을 억제하여 콘트라스트 비를 향상시키는데 있다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 보여주는 도면이고, 도 3은 도 2의 캡을 상세히 보여주는 도면이다.
본 발명은 도 2에 도시된 바와 같이, 발광영역과 비발광영역을 갖는 기판(100), 기판(100)의 발광영역에 형성되는 유기전계발광어레이(200), 유기전계발광어레이(200)을 봉지하는 캡(300)으로 크게 구성될 수 있다.
여기서, 기판(100)은 절연 유리, 플라스틱, 도전성 기판일 수 있다.
그리고, 유기전계발광어레이(200)는 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극 등을 포함한다.
여기서, 제 1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용할 수 있으며, 전면발광 구조인 경우에는 반사막이 더 추가될 수도 있다.
또한, 유기물층은 적어도 하나의 발광층을 포함할 수 있으며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 더 포함할 수도 있다.
이어, 제 2 전극은 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca, 이들의 합금 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
그리고, 유기전계발광어레이(200)는 반도체층, 게이트 전극, 소오스/드레인 전극 등을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수도 있다.
이때, 박막 트랜지스터는 반도체층 상부에 게이트 전극이 위치하는 탑(top) 게이트 구조일 수도 있고, 반도체층 하부에 게이트 전극이 위치하는 바텀(bottom) 게이트 구조일 수 있다.
또한, 도시되지는 않았지만, 유기전계발광어레이(200)를 덮는 보호막이 더 형성될 수도 있다.
여기서, 보호막은 유기전계발광어레이(200)를 외부의 물리적, 화학적 작용을 보호하기 위한 것으로, 유기막, 무기막, 또는 이들의 복합막으로 형성될 수 있다.
다음, 캡(300)은 중심영역에 소정 깊이를 갖는 함몰면(caved surface)(500)을 갖는다.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 캡(300)은 중심영역에 깊이 d를 갖는 함몰면(500)을 갖는다.
여기서, 깊이 d는 캡(300)의 표면으로부터 함몰면(500)의 바닥면까지의 거리를 말한다.
함몰면(500)의 최소 깊이는 캡(300)의 표면으로부터 약 10um 이상이고, 함몰면(500)의 최대 깊이는 캡(300)의 전체 두께 t에 대해 약 10% 이하인 것이 바람직하다.
그 이유는 함몰면(500)의 최소 깊이가 캡(300)의 표면으로부터 약 10um 이하아면, 뉴턴 링 현상을 방지할 수 없고, 함몰면(500)의 최대 깊이가 캡(300)의 전체 두께 t에 대해 약 10% 이상이면, 외부의 물리적 충격에 의해 캡(300)이 깨질 수 있기 때문이다.
또한, 캡(300)의 함몰면(500)의 전체면적은 기판(100)의 발광영역 전체면적보다 더 넓게 형성되는 것이 바람직하다.
따라서, 캡(300)의 함몰면(500)의 경계라인과 기판(100)의 발광영역의 경계라인 사이의 거리 L는 최소 70um 이상인 것이 바람직하다.
그 이유는 캡(300)의 함몰면(500)의 경계라인과 기판(100)의 발광영역의 경계라인 사이의 거리가 최소 70um 이하인 경우, 캡(300)의 함몰면(500) 경계라인에서 빛이 산란되어 빛이 손실되고 발광효율이 낮아질 수 있기 때문이다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도 θ는 60도 이하인 것이 바람직하다.
그 이유는 캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도 θ가 60도 이상이면, 외부의 물리적 충격에 의해 캡(300)이 깨질 수 있기 때문이다.
캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도 θ가 작아질수록 캡(300)의 고유진동수는 증가하고, 캡(300)의 응력 집중 및 변형량은 감소될 수 있 다.
일반적으로, 고유진동수는 탄성계수 및 관성모멘트와는 비례하고, 질량과는 반비례하게 된다.
만일, 캡(300)의 구조를 변경하는 경우에, 탄성계수는 일정하게 되고, 관성 모멘트 및 질량은 변화하게 된다.
그러나, 질량에 비해 관성 모멘트의 변화가 더 크므로, 고유진동수의 변화량은 관성 모멘트의 변화량에 가장 큰 영향을 받게 된다.
따라서, 캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도 θ가 감소되면, 관성 모멘트의 값이 변화되고, 결국에는 고유진동수가 증가하게 된다.
이러한, 고유진동수의 증가는 캡(300)의 강성을 증가시키게 된다.
그러므로, 질량의 변화가 크지 않는 경우, 단면 형상을 변화시킴으로써, 고유진동수를 증가시킬 수 있고, 고유진동수가 클수록 강성이 증가한다는 것을 알 수 있다.
또한, 캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도 θ가 감소될수록, 캡(300)에 가해지는 충격에 대한 응력집중이 감소하게 되어 가해지는 충격이 캡(300) 전체에 분배되므로 변형량이 감소될 수 있다.
따라서, 본 발명은 캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도 θ를 60도 이하가 되도록 구현함으로써, 캡(300) 자체의 고유진동수를 증가시켜 외부 충격 등에 대한 흡수력을 증가시키고, 응력 집중을 완화시켜 캡(300)의 변형량을 감소시키며, 전체적인 강성을 향상시킬 수 있다.
한편, 캡(300)의 중심영역에 형성되는 함몰면(caved surface)(500)의 굴절률은 약 1.6 - 2일 수 있다.
즉, 본 발명은 캡(300)의 함몰면(500)을 형성할 때, 함몰면(500)의 굴절률을 고려하여 제작할 수 있다.
본 발명은 함몰면(500)의 굴절률이 약 1.6 - 2인 범위 내에 포함되도록 캡(300)의 함몰면(500)을 형성할 수 있다.
그 이유는 캡(300)의 굴절률을 유리의 굴절률인 약 1.5보다 더 높은 고굴절률을 가지게 함으로써, 빛의 손실을 방지하고 발광효율을 높여 소비전력을 줄일 수 있는 효과가 있기 때문이다.
따라서, 본 발명은 캡(300)의 함몰면(500)을 형성할 때, 함몰면(500)의 굴절률이 약 1.6 - 2의 범위 내에 포함되도록 형성하는 것이 바람직하다.
함몰면(500)의 굴절률이 약 1.6 - 2의 범위 내에 포함되는 함몰면(500)의 최소 깊이는 캡(300)의 표면으로부터 10um 이상일 수 있고, 함몰면(500)의 최대 깊이는 캡(300)의 전체 두께 대비 10% 이하일 수 있다.
그리고, 본 발명의 캡(300)은 TiO2, BaO, B2O3를 포함하는 투명 물질로 이루어질 수 있다.
여기서, TiO2는 약 10 - 60몰%, BaO는 약 10 - 40몰%, B2O3는 약 5 - 30몰%의 조성비를 가질 수 있다.
또한, 캡(300)은 PET(poly(ethylene terephthalate)), PEN(poly(ethylene naphthalate)), PC(poly(carbonate)), PES(poly(ethersulfone)), PAR(polyarylate), PSF(polysulfone), COC(cyclic-olefin copolymer), PI(polyimide), PI-플루오르(fluoro)계 고분자화합물, PEI(polyetherimide), 에폭시 레진(epoxy resin), LCP(liquid crystalline polymer), 금속 호일(metal foil), 얇은 유리(thin glass), 얇은 웨이퍼(thin wafer) 등으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지거나, 또는 유기 또는 무기 필러, 유리 섬유, 실리카 파티클의 고분자 매질 등으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
그리고, 캡(300)의 가장자리 영역에는 기판(100)과 캡(300)을 부착시키는 밀봉재(400)가 형성되어 있다.
여기서, 밀봉재(400)는 UV 경화형 물질, 열 경화형 물질, 글라스 프릿 중 어느 하나일 수 있다.
밀봉재(400)로 사용되는 글라스 프릿은 산화칼륨(K2O), 삼산화안티몬(Sb2O3), 산화아연(ZnO), 이산화티타늄(TiO2), 삼산화알루미늄(Al2O3), 삼산화텅스텐(WO3), 산화주석(SnO), 산화납(PbO), 오산화바나듐(V2O5), 삼산화철(Fe2O3), 오산화인(P2O5), 삼산화이붕소(B2O3), 이산화규소(SiO2) 등으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 캡(300)의 함몰면(500)은 기판(100)의 유기전계발광어레이(200)를 마주보는 위치에 정렬되고, 캡(300)의 가장자리 영역에 형성된 봉지재(400)에 의해 기판(100)과 캡(300)이 봉지된다.
도 4는 도 2의 캡의 평면도를 보여주는 도면으로서, 본 발명에 따른 캡(300)의 함몰면(500) 모양은 기판(100)의 유기전계발광어레이(200)의 배치모양과 일치하는 것이 원칙이다.
그러나, 경우에 따라서는 도 4에 도시된 바와 같이, 함몰면의 모양은 사각형, 타원형, 원형, 다각형일 수도 있다.
그 이유는 캡(300)의 함몰면 둘레에서 빛이 산란되는 정도를 고려하여 제작되어야 하고, 기판(100)의 유기전계발광어레이(200)의 배치 상태를 고려하여 제작되어야 하기 때문이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조공정을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극 등을 포함하는 유기전계발광어레이(200)를 갖는 기판(100)을 준비한다.
다음, 5b에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 발광영역을 봉지하기 위한 캡(300)을 준비하고, 캡(300)의 중심영역에, 최소 깊이가 캡(300)의 표면으로부터 10um 이상이고, 최대 깊이가 캡(300)의 전체 두께 대비 10% 이하인 함몰면(500)을 형성한다.
여기서, 캡(300)의 함몰면은 식각(etching), 샌드블래스팅(sand blasting), 몰딩(molding)법 중 적어도 어느 한 방법으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 함몰면(500)의 경계라인은 기판(100)의 발광영역의 경계라인으로부터 최소 70um 이상 떨어져 있도록 형성하는 것이 좋고, 캡(300)의 표면과 함몰면(500)의 경사면이 이루는 각도는 60도 이하인 것이 좋다.
그리고, 함몰면(500)의 전체면적은 기판(100)에 대한 발광영역의 전체면적보다 더 넓도록 형성되는 것이 좋고, 함몰면(500)의 깊이는 굴절률이 1.6 - 2 범위 내에서 결정되는 것이 좋다.
또한, 캡(300)의 함몰면(500)은 함몰면 둘레에서 빛이 산란되는 정도 및 기판(100)의 유기전계발광어레이(200)의 배치 상태를 고려하여 제작될 수 있다.
이어, 도 5c에 도시된 바와 같이, 캡(300)의 가장자리 영역 위에 봉지재(400)를 형성한다.
여기서, 봉지재(400)는 스크린 인쇄법 또는 디스펜싱법으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 캡(300)의 함몰면(500)이 기판(100)의 발광영역에 마주보도록, 봉지재(400)가 형성된 캡(300)을 기판(100) 위에 정렬시킨다.
그리고, 봉지재(400)에 열 또는 레이저를 조사하여 봉지재(400)를 경화시킴으로써, 캡(300)과 기판(100)을 부착시킬 수 있다.
이와 같이, 제작되는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법은 캡의 중심영역에, 최소 깊이가 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 최대 깊이가 캡의 전체 두께 대비 10% 이하인 함몰면을 형성함으로써, 뉴턴링 현상의 발생을 억제하여 콘트라스트 비를 향상시킬 수 있고, 캡의 강성을 향상시킬 수 있어 외부의 물리적 충격을 완화시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 굴절률이 약 1.6 - 2인 범위 내에 포함되도록 캡의 함몰면을 형성함으로써, 빛의 손실을 방지하고 발광효율을 높여 소비전력을 줄일 수 있는 효과도 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 소자를 보여주는 도면
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 보여주는 도면
도 3은 도 2의 캡을 상세히 보여주는 도면
도 4는 도 2의 캡의 평면도를 보여주는 도면
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조공정을 설명하기 위한 도면

Claims (9)

  1. 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극을 포함하는 기판; 그리고,
    상기 기판의 발광영역을 봉지하는 캡을 포함하여 구성되고,
    상기 캡은 함몰면(caved surface)을 가지고, 상기 함몰면의 최소 깊이는 상기 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 상기 함몰면의 최대 깊이는 상기 캡의 전체 두께 대비 10% 이하이며, 상기 캡의 함몰면의 경계라인과 상기 기판의 발광영역의 경계라인 사이의 거리는 70um - 4mm인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 캡의 표면과 상기 함몰면의 경사면이 이루는 각도는 60도 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 캡의 함몰면의 굴절률은 1.6 - 2인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 캡은 TiO2, BaO, B2O3를 포함하는 투명 물질로 이루 어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 TiO2는 10 - 60몰%, BaO는 10 - 40몰%, B2O3는 5 - 30몰%의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 캡은 PET(poly(ethylene terephthalate)), PEN(poly(ethylene naphthalate)), PC(poly(carbonate)), PES(poly(ethersulfone)), PAR(polyarylate), PSF(polysulfone), COC(cyclic-olefin copolymer), PI(polyimide), PI-플루오르(fluoro)계 고분자화합물, PEI(polyetherimide), 에폭시 레진(epoxy resin), LCP(liquid crystalline polymer), 금속 호일(metal foil), 얇은 유리(thin glass), 얇은 웨이퍼(thin wafer)로부터 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지거나, 또는 유기 또는 무기 필러, 유리 섬유, 실리카 파티클의 고분자 매질로부터 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 발광영역에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극을 포함하는 기판과, 상기 기판의 발광영역을 봉지하기 위한 캡을 준비하는 단계;
    상기 캡에, 최소 깊이가 상기 캡의 표면으로부터 10um 이상이고, 최대 깊이가 상기 캡의 전체 두께 대비 10% 이하이며, 상기 캡의 함몰면의 경계라인과 상기 기판의 발광영역의 경계라인 사이의 거리는 70um - 4mm인 함몰면을 형성하는 단계;
    상기 함몰면을 갖는 캡을, 상기 기판의 발광영역을 봉지하도록, 상기 기판 위에 부착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 캡의 함몰면은 식각(etching), 샌드블래스팅(sand blasting), 몰딩(molding)법 중 적어도 어느 한 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101155896B1 (ko) * 2009-11-20 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8440479B2 (en) * 2009-05-28 2013-05-14 Corning Incorporated Method for forming an organic light emitting diode device
CN101930990B (zh) * 2010-03-09 2013-08-07 电子科技大学 一种有源驱动有机电致发光器件及其制备方法
KR101996437B1 (ko) * 2012-10-16 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 투명 보호창, 이를 포함하는 가요성 표시 장치 및 투명 보호창의 제조 방법
KR20160076002A (ko) * 2014-12-19 2016-06-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210052654A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 및 그것을 포함하는 표시 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035647A (ko) * 2001-11-01 2003-05-09 조수제 유기전계발광소자 보호용 커버플레이트 및 그 제조방법
JP2007141474A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Nihon Micro Coating Co Ltd 有機el素子用の封止キャップ及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI299632B (ko) * 2001-09-28 2008-08-01 Sanyo Electric Co
US7109654B2 (en) * 2003-03-14 2006-09-19 Samsung Sdi Co., Ltd. Electroluminescence device
KR100544131B1 (ko) * 2003-09-03 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US20060007963A1 (en) 2004-06-10 2006-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Information storage medium containing AV stream including graphic data, and reproducing method and apparatus therefor
US7638942B2 (en) * 2004-10-11 2009-12-29 Lg Display Co., Ltd. Encapsulation cap having a getter and display device using the same
ATE476757T1 (de) * 2004-10-21 2010-08-15 Lg Display Co Ltd Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
JP4717670B2 (ja) * 2005-03-24 2011-07-06 双葉電子工業株式会社 乾燥剤及びこれを用いた電界発光素子。
JP4753643B2 (ja) 2005-07-04 2011-08-24 株式会社ニッセイ エコ ワイヤーハーネス外装用コルゲートチューブ継手
KR100637129B1 (ko) * 2005-08-05 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100686591B1 (ko) * 2006-04-25 2007-02-26 엘지전자 주식회사 디스플레이 소자
KR100736573B1 (ko) * 2006-08-08 2007-07-06 엘지전자 주식회사 전계발광소자
KR100826011B1 (ko) * 2006-10-24 2008-04-29 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035647A (ko) * 2001-11-01 2003-05-09 조수제 유기전계발광소자 보호용 커버플레이트 및 그 제조방법
JP2007141474A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Nihon Micro Coating Co Ltd 有機el素子用の封止キャップ及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101155896B1 (ko) * 2009-11-20 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8507930B2 (en) 2009-11-20 2013-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display including a sealant auxiliary structure and method of manufacturing the same

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