TW201109853A - Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation - Google Patents

Description

201109853 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及照明均勻度修正系統。本 發明大體上係關於微影，且更特定而言係關於一種用於補 償由（例如）照明光束移動、光學圓柱均勻度、均勻度補償 器漂移等等所引起之均勻度漂移的系統及方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分 器。微影裝置可用於（例如）積體電路（IC)之製造中❶在該 情境下，圖案化器件（其或者被稱作光罩或比例光罩）可用 以產生對應於ic之個別層的電路圖案，且可將此圖案成像 至具有輻射敏感材料（抗蝕劑）層之基板（例如，矽晶圓）上 之目標部分（例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶 粒）上。-般而言’單一基板將含有經順次曝光之鄰近目 標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中 藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每-目標 部分；及所謂的掃指器，其中藉由在給定方向（「掃描」 方向）上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向 而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。 微影裝置通常包括照明系統，照明系統經配置以在藉由 輻射源產生之輻射入射於圖案化器件上之前調節該輻二 照明系統可（例如）修改輻射之—或多則性，諸如偏振及/ 或照明模式。照明系統可包括均勾度修正系統，均勾度修 正系統經配置以修正或減少存在於輻射中之非均勾卢，例 148618.doc 201109853 如，強度非均勻度。均勻度修正器件可使用致動式指形件 (actuated finger)，致動式指形件被插入至輻射光束之邊緣 中以修正強度變化。然而，可修正之強度變化之空間週期 的寬度取決於用以移動均勻度修正系統之指形件之致動器 件的大小。此外，在一些情況下，若用以修正輻射光束之 不規則度之指形件的大小或形狀被修改，則均勻度修正系 統可能以非想要方式損害或修改輻射光束之一或多個屬 性，諸如藉由輻射光束形成之光瞳。 微影被廣泛地認為製造積體電路（IC)以及其他器件及/戋 結構時之關鍵處理程序。微影裝置為在微影期間所使用之 將所要圖案施加至基板上（諸如施加至基板之目標部分上） 的機器。在藉由微影裝置來製造IC期間，圖案化器件（其 或者被稱作光罩或比例光罩）產生待形成於Ic中之個別層 上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽基板）上 之目標部分（例如’包含晶粒之部分、—個晶粒或若干晶 粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例 如，抗蝕劑）層上而進行圖案之轉印。_般而言，單一基 板含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。為了減少冗 之製造成本’通常曝光每一IC之多個基板。同樣地，亦通 常使微影裝置處於幾乎恆定的使用中。亦即，為了使所有 類里之1C的製造成本保持於潛在最小值’亦最小化在基板 曝光之間的閒置時間。因此，微影裝置吸收熱該熱引起 該裝置之組件膨脹，從而導致漂移、移動及均勻度改變。 為了確保在圖案化器件及基板上之優良成像品質，維持 148618.doc 201109853 照明光束之受控均句度。亦即’在反射離開圖案化器件或 透射通過圖案化器件之前的照明光束潛在地具有非均勾強 度輪廓（intensity profne)。對於整個微影處理程序需要 以至少某種均勾度來控制照明光束。均句度可指代跨越整 個照明光束域定強度，但亦可指代將照明控制為目標昭 明之能力。目標照明均句度具有平坦或非平坦㈣。圖案 化器件向輻射光束賦予-圖帛’該圖案接著被成像至基板 上。此經投影輻射光束之影像品質受照明光束之均勻度影 市場要求微影裝置儘可能有效率地執行微影處理程序， 以最大化製造能力且使每器件之成本保持較低。此意謂使 製造缺陷保持至最小值，其為需要儘可能實務地最小化昭 明光束之均勻度之效應的原因。 、 【發明内容】 需要提供-種克服或減輕無論是在本文中識別或是在別 處識別之一或多個問題的微影裝置及方法。 置^本發3明之—實施例，提供—種微影裝置，該微影裝 、、明系統，該照明系統經組態以調節一輻射光 束。該照明系統包含一均勺谇攸τ < ::接上t定光瞳。該均勻度修正系統包括··指： >該寻寺曰形件經組態成可移入及移出與一輕射光束之相 父，以便修正該輻射光束之各別部分之—強度；及致動器 件，該等致動器件麵接至該等指形件中之—對應指形件， I486 丨 8.doc 201109853 且經組態以移動該等對應指形件。 根據本發明之一實施例，每一指形件之一尖端之—寬度 為經組態以移動該尖端之一致動器件之一寬度的約一半。 在一實例中，該微影裝置進一步包括一支撐結構、一基 板台及一投影系統。該支撐器件經組態以固持一圖案化器 件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該 輻射光束賦予一圖案。該基板台經組態以固持一基板。該 投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之 一目標部分上。 根據本發明之一實施例，藉由該等指形件修正之輻射強 度蜒化之空間週期為該等指形件中之每一者之該尖端之 該寬度的至少兩倍。 在一實施例中，該等指形件配置於第一排（bank)及第二 對置排中，該第一排及該第二對置排經組態以彼此連鎖， 其中該指形件排中之每—者駐存於一單一平面中。 在一實施例中，該尖端之一寬度為約2毫米，且經修正 之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。 根據本發明之另一實施例，提供一種微影方法，該微影 方法包含以下步驟。將一輻射光束聚焦於一第一平面處， 以便在该第一平面處形成一實質上恆定光瞳。形成一實質 上恆疋光瞳可暗示在跨越該第一+面之每一點處輻射之角 分佈相同。藉由調整位於該第一平面中之一非重疊指形件 排十之-或多個指形件來調整在該第面處該輻射光束 之強度藉由將位於该第一平面中之指形件移入及移出該 148618.doc 201109853 幸田射光束t則坐來調整在該第一平面處該輻射光束之強 度。將該輕射光束引導至一圖案化器件上以圖案化該輻射 光束。將該經圖案化輻射光束投影至一基板上。 在一實例中’該等指形件中之每—者之—尖端之一寬度 為用以移動該等指形件中之每一對應指形件之對應致動器 件之寬度的—半。在—實例中，指形件配置於對置排中， 以便連鎖。在-實例中，藉由該等指形件修正之輕射強度 變化之-空間週期為料指形件中之每—者之該尖端之該 寬度的兩倍。 考慮到前文’需要一種均勻度補償器系統及方法，其最 小化相對於一目標照明輪廓的一照明光束之非均勾度，同 時最小化對基板產㈣之任何效應。A 了滿^此需要，本 發明之實施例係有關一種在後續基板之間以3〇〇毫秒至_ 毫秒執行的均勻度補償器系統及方法。 根據本發明之-實施例，提供_種用㈣由均勻度補償 器來控制一照明狹縫（照明光束之一部分 法。雖然:以下描述暗示-次序，但其僅為例示性的，且可 在 序 不脫離本發明之實施例之意圖 的情況下重新排列該次 。量測由微影系統中之漂移所引起 之該照明狹縫均勻 度。基於該均勻度量測來判定均 置。將該等均勻度補償器移動至 等均勻度補償器之該移動之後量 比較該另一照明狹縫均勻度與一 該比較之一結果係在一容許度外 勻度補償器之第一各別位 該等第一各別位置。在該 測另—照明狹縫均勻度。 目標照明狹縫均勻度。若 ’則基於該另一照明狹縫 148618.doc •9· 201109853 均句度來判定均句度補償器之第二各別位置，且將該等均 勻度補侦器移動至該等第二各別位置。無論該比較之該結 果疋否在# #度外’均藉由在該等第—各別位置或該等 第-各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板。或 者，另-實施例不比較該另一照明狹縫均句度與一目標照 月狹縫均勻度’且因此，在移動該等均勻度補償器之後曝 光該基板。 在-實例中’該照明狹縫均勻度之該量測包含積分該照 明光束狹縫強度以產生跨越該狹縫之—連續強度輪廟，該 連續強度輪廓接著與該等均勾度補償器相關聯。在另一實 例中，邊照明狹縫均句度之該量測包含使用沿著該狹縫之 離散強度樣本來產生—狹縫掃描平均化強度輪廓，該等離 散強度樣本接著與該等均勻度補償器相關聯” 在一實施例中，該等均勻度補償器包含指形件，該等指 形件被插入及抽出一照明光束之一路徑以修改該照明狹縫 均勻度。在一實例中，該照明狹縫均勻度之改變係由系統 漂移（例如，照明光束移動、光學圓柱均勻度、均勻度補 償器漂移，等等）所引起。 在一實例中，該目標照明狹縫均勻度包含一平坦輪廓。 在另一實例t，該目標照明狹縫均勻度包含一非平坦輪 廓。 根據本發明之另一實施例，提供一種用於藉由均勻度補 償器來控制一照明狹縫（照明光束之一部分）之均勻度的方 法。雖然以下描述暗示一次序，但其僅為例示性的，且可 148618.doc -10- 201109853 在不脫離本發明之實施例之意圖的情況下重新排列該次 序。執行該等均勻度補償器之一初始校準。基於該初始校 準來判定複數個均勻度補償之一第一位置。將該複數個均 勻度補償器中之每一者移動至該經判定之第一位置。將一 光束透射通過包含該等均勻度補償器之一光學系統，其中 該光束被圖案化且引導至一基板上。使用該複數個均勻度 補償器來補償系統漂移。在—實例中，藉由許多步驟來實 現該補償’該等步驟中之一者為量測一照明狹縫均勻度。 比較《亥經里測照明狹縫均句度與_目標照明狹縫均勾度以 產生—比較結果。若該比較結果不在—容許度内，則基於 該經量測照明狹縫均句度來判定均句度補償器之各別位 置，且將该等均勻度補償器移動至該等各別位置。無論該 比較之該結果是否在—容許度外，均藉由在該等各別位置 中^任-者中之該等均句度補償器來曝光—基板。或者， 另-實施例不比較該另一照明狹縫均勾度與—目標照明狹 ::句勻度，且因此’在移動該等均勻度補償器之後曝光該 基板。 之例中，在後續基板之曝光之間執行針對系統漂移 之该補償。 根據本發明之另一實施例，提供一種有形 體’該有形電腦可讀媒體在其上儲存有用 =補 :賞器來控制-照明狹縫(照明光束之-部分)之均勻= :二測由微影系統中之漂移所引起之1明 勾度的W。用以基於該均勻度量測來判定均勻度補償器 148618.doc 201109853 之各別位置的指令。用以進行以下操作的指令：將該等均 勻度補償器移動至該等各別位置，使得該照明狹縫均勻度 係在一目標照明狹縫均勻度之一容許度内，藉以，藉由在 5玄等各別位置中之該等均勻度補償器來曝光一基板。或 者，另一實施例不提供用以判定該照明狹縫均勻度是否在 一容許度内的指令，且因此，在移動該等均勻度補償器之 後曝光該基板。 一另外實施例包含用以在該等均勻度補償器之該移動之 後量測另一照明狹縫均勻度的指令。用以比較該另一照明 狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度的指令。若該比較之 一結果係在一容許度外’則包含用以基於該另一照明狹縫 均勻度來判定均勻度補償器之各別位置且將該等均勻度補 4員器移動至該等各別位置的另一指令集合。無論該比較之 S玄結果是否在一容許度外，均存在用以藉由在該等各別位 置中之該等均勻度補償器來曝光一基板的一指令集合。 在一實例中’用以量測該照明狹縫均勻度的該等指令包 含積分該照明光束狹縫強度以產生跨越該狹缝之一連續強 度輪廓，該連續強度輪廓接著與該等均勻度補償器相關 聯。在另一實例中’用以量測該照明狹縫均勻度的該等指 令包含使用沿著該狹縫之離散強度樣本來產生一狹縫掃描 平均化強度輪廓，該等離散強度樣本接著與該等均勻度補 償器相關聯。 根據本發明之一實施例’提供一種用於藉由均勻度補償 器來控制一照明狹縫（照明光束之一部分）之均勻度的方 148618.doc 12 201109853 法。雖然以下描述暗示一次序，但其僅為例示性的，且可 在不脫離本發明之意圖的情況下重新排列該次序。控制照 ^狹縫均句度方法為在後續基板之曝光之間量測由微影系 統中之系統漂移所引起之該照明狹縫均勻度。基於該均句 :量測來判定均勻度補償器之各別位置。將該等均勻度補 償器移動至該等各別位置。藉由在該等各別位置中之^不等 均勻度補償器來曝光一基板。 下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優 點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本 發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說 明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示 額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。 【實施方式】 併入於本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本 發明，且連同實施方式進一步用以解釋本發明之原理且使 熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。 本發明係有關使用均勻度補償器來補償由（例如）照明光 束移動、光學圓柱均勻度、均勻度補償器漂移等等所引起 之均勻度漂移的方法。本說明書揭示併有本發明之特徵的 一或多個實施例。該（該等）所揭示實施例僅僅例示本發 明。本發明之範疇不限於該（該等）所揭示實施例。本發明 係藉由此處附加之申請專利範圍界定。 所描述之該（該等）實施例及在本說明書中對「一實施 例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之該（該等） 1486I8.doc 13 201109853 貫鈀例了此包括一特定特莊 ^ A ^ ^ m構或特性，但每一實施例 τ此未必包括该特定特徵、έ ^ ,, π — α構或特性。此外，此等短語 未必扣代同一貫施例。另外，a杜 ^ ,,卜§結合一實施例來描述一特 疋特徵'結構或特性時， ...沾人* 一 您理解，無論是否明確地進行描 述，、，·σ s其他貫施例來實 ^ ,u IS ,, 3, 見此特徵、結構或特性均係在孰 S此項技術者之認識範圍内。 *、，、 本發明之實施例可以硬體、 ^ . 體、叙體或其任何組合加 以貫施。本發明之實施制會7 — 頁施例亦可貫施為儲存於 上之指令，該等指令可藉彻 4夕個處理态讀取及執行。 機1§可讀媒體可包括用於儲 储存或傳輸以可藉由機器（例 如，計算器件）讀取之形4 一 式之資汛的任何機構。舉例而 。，機益可讀媒體可包括：唯讀記憶體（R0M广隨機存取 記憶體（RAM);磁碟儲存媒體；4學儲存媒體；快閃纪憶 體器件；電學器件、光學器件或聲學器件；及其類似物： 另外’《、軟體、常式及指令可在本文中被描述為執行 特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起 見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或 執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。B 一 然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的係 呈現可實施本發明之實施例的實例環境。 參看圖1 ’照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而 吕’當輻射源為準分子雷射時’輻射源與微影震置可為八 離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部 分’且輻射光束係憑藉包含（例如）適當引導鏡面及/成光束 148618.doc -14- 201109853 it展光束傳送系統BD而自輕射源so傳遞至照明器 可為微少7'兄下，例如，當輕射源為水銀燈時，輻射源 傳整體部分。賴射源犯及照明紐連同光束 傳达系❹D(在需要時)可被稱作輻射系統。 „:明魏可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整 益D通爷’可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的 至h卜部向範圍及/或内部裡向範圍（通常分別被稱作^ 外部及σ内部）。此外，照明Β可包含各種其他組件，諸 如積光态m及聚光器co。照明器可用以調節輻射光束， 以在其橫截面中具有所要均勻度及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如，光罩台M 丁） 上之圖案化器件（例如’光罩μα)上，且係藉由該圖案化器 件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束Β傳遞通過投影 系、’先PS投影系統PS將該光束聚焦至基板w之目標部分c 上。憑藉第二定位器Pw及位置感測器IF(例如，干涉量測 益件、線性編碼器或電容性感測器），基板台贾丁可準確地 移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路 徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器（其未在 圖1中被明確地描繪）可用以（例如）在自光罩庫之機械擷取 之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位 光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器pM之部分的 長衝程模組（粗略定位）及短衝程模組（精細定位）來實現光 罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器pw之部 分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。 148618.doc •15· 201109853 在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至 短衝程致動考，十从 D 或可為固定的。可使用光罩對準標記 M1~ M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。 儘s如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可 :於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準 才丁 ）_似地’在一個以上晶粒提供於光罩财上之情形 中’光罩對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一 -人性投影至目標部分c上時，使光罩台Μτ及基板台WT保

持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著，使基板台WT 在X及/或γ方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在 步進模式中，曝光場之最A A小限制單次靜態曝光中所成 像之目標部分C的大小。 2.在掃描模式中，在將被賦予至㈣光束之圖案投影至 目標部分C上時’同步地掃描光罩台MT及基板台资（亦 即」單次動態曝光）。可藉由投影系統以之放大率（縮小率） 及〜像反轉特性來判定基板台WT相對力光罩台之速度 方向在掃指模式中，冑光場之最λ大小限制軍次動態 曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向上），而掃描運動 之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 =在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目標部分C上時，使光罩台附保持實質上靜止，從而固持 可程式化圖案化器#，且移動或掃描基板台WT。在此模 148618.doc 16 201109853 式中’通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移 動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新 可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程 式化圖案化器件（諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面 陣列）之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。在所示實 例中，微影裝置可包括輻射源s〇、照明系統IL、經組態以 固持圖案化器件MA之支撐結構（圖中未繪示）、投影系統 PL、基板台WT、修正模組17〇、一或多個量測器件19〇， 及位於基板台WT上之基板w。 在一實例中，照明系統IL可包括準直儀1〇、場界定元件 12、場透鏡群組14、均勻度修正系統16、光罩遮罩葉片 及聚光透鏡20。 在一實例中，可使用準直儀1〇來準直藉由輻射源s〇產 生之輻射光束（藉由虛線示意性地指示該光束”場界定元 件12可將輕射光束形成為場形狀，其將被投影至基板冒 上。場界定70件可（例如）包含兩個凸透鏡陣列，第二陣列 置放於第一陣列之焦平面中。 在一實例中，場透鏡群組14可將輻射光束聚焦至場平面 FP1上。在此貫例中，遮罩葉片18位於場平面pH中，遮罩 葉片18包含可移動於微影裝置之掃描方向上的一對葉片。 在貫例中可使用遮罩葉片1 8以確保在給定目標區域 148618.doc •17- 201109853 之曝光期間，輻射不入射於在y及/或χ方向上鄰近於給定 目標區域之目標區域上。遮罩葉片丨8位於場平面FP1中， 使得藉由遮罩葉片18提供之遮罩可準確地（且以銳緣）平移 至圖案化器件MA上。 在—實例中’均勻度修正系統16在輻射光束之路徑中位 於遮罩葉片18之前，使得在輻射光束入射於遮罩葉片18上 之前’輕射光束可傳遞通過該均勻度修正系統。因此，均 句度修正系統16不位於場平面Fpi中，而是自其位移。均 勻度修正系統16可空間地控制輻射光束之強度，亦即，均 勻度修正系統16可空間地控制將被投影至基板▽上之場形 狀中之輻射的強度。在一實施例中，均勻度修正系統【6包 括至少一重疊指形件陣列（例如，圖3B中之指形件排22、 23)及/或至少一非重疊指形件陣列（例如，圖，/a中之指形件 排32 33)，其可移入及移出與入射於該等指形件上之輻 射光束之相交，以便選擇性地修正該輻射光束之部分之強 度°應瞭解’儘管在每__排中展示七個指形件，但可使用 ^何數目個指料。可在整個本巾請案巾互換地使用術語 「指形件排」（bank of fingers/finger bank)或排（bank)。 在-實例中，纟傳遞通過遮罩帛片18之後，幸畐射光束入 射於聚光透鏡20上。聚光透鏡2〇可將輻射聚焦至另一場平 面FP2上。位於場平面Fp2中之圖案化器件财可將圖案施 加至輻射光束。 在一實例中， 傳遞至基板W上 經圖案化輻射光束傳遞通過投料、統PL且 。基板W位於另外場平面F.P3中。經投影 148618.doc • 18- 201109853 圖案光束將圖案轉印至基板上。 ，修正模組170可判定對修正系統16之變數

在一實例中，修正模組 的調整，使得滿足所I沾 經由根據修正免叙忠4品Λ似4 u 1 . 一

舉例而言，修正參數可描述需要移動一或多個指形件排 (例如，圖3Α中之指形件排22、23及圖7Α中之指形件排 32、33)中之哪些指形件，及其需要移入或移出與入射輻 射光束之相交達何種距離，以便選擇性地修正入射於均勻 度修正系統16上之輻射光束之部分的強度。 在貫例中，修正模組1 70可包括一或多個處理器i 72及 記憶體174。一或多個處理器172可執行使均勻度修正系統 16調整變數以達成輻射光束之所要均勻度準則的軟體。記 憶體1 74可包括主記憶體（例如，隨機存取記憶體（RAM))。 在一實施例中，記憶體174亦包括副記憶體。副記憶體可 包括（例如）硬碟驅動機及/或抽取式儲存驅動機。電腦程式 可儲存於記憶體174中。此等電腦程式在被執行時可允許 148618.doc •19- 201109853 修正模組170中之處理器172執行本發明之一實施例的特 徵，如本文中所論述。在一實施例中，在使用軟體來實施 用於調整均勻度修正系統16之元件的方法時，可將軟體儲 存於電腦程式產品巾，且使用抽取式儲存器件、硬驅動機 或通信介面將軟體載入至修正模組17〇中。或者，可經由 通L路仏將電細程式產品下載至修正模組1 7 〇。此外在 貫施例中修正模組1 70麵接至一或多個遠端處理器。 修正模組1 70可接著在遠端接收指令及/或操作參數。 圖3A展示例示性均勻度修正系統16之俯視圖。均勻度修 正系統可包括可移動於7方向上之兩個指形件排22及23。 指形件排22及23可移動方向上，使得其相交於輕射光 束。以此方式，可使用指形件來選擇性地阻播入射輕射。 舉例而5 ’彳進行此過程，以減少在輕射強度過高的輕射 光束場之部位中的輻射強度。在一實施例中，指形件排22 及23中之交替指形件可處於兩個不同平面中。舉例而言， 加灰色陰影之指形件可處於第—平面+，且為白色之指形 件可處於第—平面巾。具有在不同平面巾之指形件可加重 來自使用圖3 A中之指形件排來修正轄射光束之強度的可能 光瞳誤差。在—實例中，置放於不同平©中之指形件可允 許指形件重養，且藉此在重疊區域令形成形狀，其可提供 對強度輪廓之平滑效應H使強度輪廓平滑可歸因於 指形件處於不同平面中而仍加重光瞳誤差。 /圖3B說明根據本發明之一實施例的可用以在均勾度修正 久先中形成扣形件排22及23之指形件3〇〇。指形件可 148618.doc 201109853 具有具備寬度x之基底304，及亦.具有寬度x之尖端302。指 形件300可耦接至致動器件3〇6。致動器件3〇6可具有寬度 X。致動器件306經組態以使指形件3〇〇移動於γ方向上。在 一實施例中，致動器件306可為馬達、壓電器件、液壓器 件或其類似物中之一或多者。 如上文所提及’在場平面Fp〖處均勻度修正系統丨6可位 於遮罩葉片18之前（見圖2)。因為遮罩葉片w可處於場平面 FP1中’所以均勻度修正系統丨6可自場平面Fp j位移。 圖4A及圖4B說明根據本發明之一實施例的使用均勻度 修正系統1 6來修正輻射光束之強度均勻度的效應。圖4八及 圖4B說明在操作中之均勻度修正系統16的橫截面。在此實 例中’遮罩葉片1 8位於場平面FP1中。在此實例中，將輻 射光束24示意性地表示為複數個子光束，該複數個子光束 會聚以在場平面FP1中形成複數個虛擬源26。 在圖4A中，指形件排22及23中之指形件回縮，使得其不 與輻射光束24相交。在圖4B中，排22及23中之指形件已移 動於y方向上，使得其與輻射光束24之邊緣相交，藉此部 分地阻擋輻射光束24之一些子光束。 在此實例中，因為均勻度修正系統16不位於場平面Fpi 中，所以均勻度修正系統16將不對稱性引入至輻射光束24 之光瞳中。光束24可能不再平衡（亦即，光束以可能不再 為达心的及/或遭受尚能橢圓性（energetic 。在 此實例中，均勻度修正系統16引起陰影引入於輻射光束24 之整合光瞳平面中的輻射光束24之一侧上。輻射光束24之 148618.doc -21- 201109853 光瞳中的此不對稱性係不良的，因為其可降低微影裝置可 將圖案化器件MA之圖案投影至基板w上的準確度。 在此實例中，指形件排22中之指形件具有在對置指形件 排23中之鏡像，以在修正輻射光束24之強度時減少光瞳誤 差。可藉由均勻度修正系統16修正之輻射光束強度變化之 空間週期為形成指形件排22及23之每一指形件3〇〇之尖端 3〇2之寬度的至少兩倍。照明光束包括連續亮區域及暗區 域之照明輪廓。當觀察照明光束傳遞通過之長而窄的狹縫 時’包含亮區域及暗區域之圖案形成於照明光束内。該圖 案本質上可能不為週期㈣’使得鄰近對之亮區域及暗區 域可具有不同大小（寬度）。量測該圖案之亮區域之間的距 離會在該照明輪廓内界定強度變化之空間週期。光束之照 明輪廓可包括具有變化寬度的強度變化之多個疊加空間週 期。因此，強度變化之每一空間週期可具有不同寬度。為 了修正輻射24之強度變化之較短空間週期，必須減小每一 指形件300之尖端3〇2之寬度。致動器件3Q6之寬度可為限 制性因素，因為必須將指形件排22及23中之每一者中的鄰 近私形件置放成彼此接近。若減小指形件3之尖端3之 寬度’則_近指形件之尖端之間的所得間隙1進一步加重 光曈誤差。本文中所提供的本發明之實施例允許減小每一 指形件300之尖端302之寬度的大小而不誘發光瞳誤差藉 此允許修正輻射之較精細週期。 根據本發明之一實施例’如圖5所示，為了防止發生光 里誤差，將均勻度修正系統1 6置放於場平面^^丨中或置放 148618.doc -22- 201109853 成緊接於場平面FPl ’而非置放於場平面fpi之前》 圖5描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。在圖5之所 不實例中，均勻度修正系統16位於照明系統比之場平面 . FP1處。在此實施例中’遮罩葉片1 8位於場平面FP1之後， 使得在操作期間，在輻射光束入射於遮罩葉月1 8上之前， «亥光束傳遞通過均勻度修正系統丨6。在一實施例中，可移 動均勻度修正系統16以位於場平面FP1處。在一替代實施 例中，可藉由調整場透鏡群組14中之透鏡（圖中未繪示）來 移動場平面FP1以定位成緊接於均勻度修正系統16。 圖6Α及圖6Β說明使用圖5所說明之實施例的效應。圖6α 及圖6Β說明均勻度修正系統16之橫截面。在此實例中，均 勻度修正系統16之指形件排22及23位於場平面FP1中。在 此平面中，輻射光束3 6包含虛擬源陣列3 〇。在圖案化器件 (例如，光罩）遮罩葉片18處，藉由複數個子光束表示之輻 射光束36發散。 在圖6八之實例中，均勻度修正系統16之指形件排^及。 中之指形件經定位成使得其不與輻射光束36相交。在圖6β 中’指形件排22及23中之指形件已移動於y方向± ’使得 其與輻射光束36相交。因為均勾度修正系㈣位於場平面 1中所以均勻度修正系統16未將任何不對稱性引入至 輻射光束36中。輻射光束36保持遠心的，且未將不對靜 影引入至平面FP1中之光瞳中的輻射光束财。在, 中，此情形允許微影裝置以改良準確度將圖案化器件MA 之圖案投影至基板|上。此情形亦可允許修改均句度修正 148618.doc 201109853 系先6之才曰形彳之形狀及大小，冑此允許修正轄射強度變 化之較紐空間週期，如下文所描述。 在圖4A及圖4B中’當指形件排22中之指形件與韓射光 束相又時，指形件排22中之指形件可引起形成虛擬源26 之—些韓射被阻擋。在—實例中，所有虛擬源26繼續存 在’但在㈣光束24之邊緣處的該等虛擬源可能不自所有 角度接收輻射。取而代之，虛擬源26可能自一角度子集接 收輻射g]此，此等虛擬源26可能不再對稱，亦即，可能 將不：稱性引入至輻射光束24之光瞳中。在圖6八及圖6β 田柏开^/件排32及33中之指形件與輻射光束24相交時， 該等指形件亦可能阻擒-些虛擬源3G。然而，因為指形件 排32及33中之指形件位於場平面ρρι(其十聚焦虛擬源叫 中’所以指形件排中之該等指形件不會部分地阻擋任何虛 原虛擬源30可為完全可見的或完全被阻擔。虛擬源 3〇保持對稱，且因此，輻射光束36之錢保持對稱。 貫例中，輻射光束36之光瞳（角分佈）在場平面Fpi 中之所有部位處相同。因此，當均勾度修正系統Μ之指形 件排32及33中之指形件㈣輻射光束36之-部分時，此情 形不會影響輻射光束36之光瞳（角分佈）。因此，未將不對 稱性引入至輻射光束36之光瞳中。因此，微影裝置（例 如，圖1中之裝置)可以改良準確度將圖案化器件Μ之圖 案投影至基板W1。 在 貫例中’因為均勻度修正系統16在置放於場平面 FP1處或置放成緊接於場平面FP1時不會在輻射光束36之光 148618.doc •24· 201109853 瞳中引起不對稱性’所以均句度修正系統16可用以修正輕 射光束36中之非均勻度的程度顯著地增加。舉例而言，根 據本發明之一實施例，現在可修改用於均勻度修正系統Μ 中之每一指形件300之尖端3〇2的形狀及寬度，以允許調整 輻射強度之較短空間週期而不引起光瞳誤差，如下文參看 圖7A及圖7B所描述。 圖7B說明根據本發明之—實施例的例示性指形件❻指形 件可具有具備寬度X之基底，及具備寬度χ/2之尖端7〇2。 指形件可耦接至致動器件306，致動器件3〇6可具有寬度 X，此情形類似於上文關於圖3Β所描述之情形。藉由移動 焦平面FP1，可減小指形件之尖端7〇2之寬度，且現在可修 正輻射強度變化之較短空間週期，同時仍使用具有寬度X 之同一致動器件306(在該等實例中’見圖3Α至圖3Β)。在 圖7Β中，使用多個指形件所形成之指形件排32及33可經配 置成使得對置指形件排中之指形件（例如，指形件排32係 與指形件排33對置）在一起被放於γ方向上時經組態以連 鎖。舉例而言，指形件708係與間隙71〇完全對置，使得指 形件708可在移動於γ方向上時配合於間隙7丨〇中。相對於 如在圖3Α之指形件排22及23中之對置指形件的鏡像，使指 形件排3 2及3 3中之指形件連鎖可允許與使用指形件排22及 23所達成之修正精確度相同的修正精確度，而不誘發光瞳 誤差。舉例而言，若圖3Α中之指形件排22、23中之指形件 連鎖而非鏡像，則均勻度修正系統丨6誘發光瞳誤差。因為 均勻度修正系統16中之指形件排22及23中之每一指形件之 148618.doc •25· 201109853 大鳊的寬度為x/2 ’所以現在可使用指形件排22、23中之 此等才曰形件來修正空間週期X，而不誘發光瞳誤差，因為 焦平面FP1現在已移動至駐存有指形件排32及33之實質上 同平面藉此實邊上消除光瞳誤差。此外，因為排^及 中之交替扎形件之間的間隙不會引起光瞳誤差，所以指 形件排32及33中之每—者中之指形件現在可處於單一平面 中（若需要如此）。 在一實施例中，均句度修正系統16可位於照明系統^之 場平面(例如，FP1)l或者，均句度修正系統可位於藉 由照照明之平面中’亦即，在跨越均 句度修正系統16之平面之每_點處輻射之角分佈相同。 在些情況下，均勻度修正系統16可能不精確地位於照 明系統之場平面(例如，FP1)中，亦即，其可經定位成實 質上接近於或緊接於平面FP1。舉例而言，均句度修正系 統16可經定位成與平面FP1相距(例如}1毫米或2毫米，但 。在此文件中’藉由宣稱均勻度修正系統时 上位於場平面阳中或緊接於場平面阳來表達此情形。 或者據說’均勻度修正系統16位於藉由照明系統以實質 上怪定光瞳照明之平面中。 a在實例中’可能需要使遮罩葉片18保持實質上接近於 場平面FP1。遮罩葉片18可（例如）經定位成與場平面相 ,4毫米。舉例而§ ’遮罩葉片啊在離場平面抑1之8毫 水=20毫米之間。若藉由均勻度修正系統16(及藉由圖案 化β件遮罩葉片）㈣之空間允許遮單葉片Μ可經定位成 I48618.doc •26* 201109853 更接近於場平面FP1，則遮罩葉片18可經定位成仍更接近 於場平面FP1。 熟習此項技術者應瞭解，均勻度修正系統16之指形件可 (例如）為4毫米寬，且可由碳化矽或諸如金屬或陶瓷之任何 其他適當材料形成。該等指形件可窄於4毫米（若建構方法 允。午達成此情形）。一般而言，較窄指形件允許達成輻射 光束之均勻度的較精細修正。在一實施例中，尖端702可 為2毫米寬’且可修正具有4毫米之週期的輻射。 圖8為說明根據本發明之一實施例的經執行以修正輻射 光束之均勻度之方法800的例示性流程圖。在一實例中， 將繼續參考圖1至圖7所描繪之實例操作環境來描述方法 8〇〇。然而，方法8〇〇不限於此等實施例。應注意方法 800所示之一些步驟未必必須以所示次序發生。 在步驟802中，產生轄射光束。舉例而言，可使用輕射 源SO來產生輻射光束。 在步驟804中，將輻射光束聚焦於實質上在經定位有均 勻度G正系統之平面處的第一平面處，以便在第一平面處 形成實質上恆定光瞳，舉例而言，可將藉由輻射源s〇產生 之光束聚焦於均勻度修正系統16之平面FP1處，以便形成 實質上恆定光瞳。 在步驟806中，藉由選擇性地移動一非重疊指形件排中 之一或多個指形件而在第—平面處調整韓射光束之強度， 乂便選擇性地修正_射光束之部分之強度且形成經修正輕 射光束。舉例而言，可選擇性地移動排32及33中之指形 1486i8.doc -27- 201109853 件，以修正聚焦於平面FP1上之輻射光束之部分之強度。 在實施例中，每一指形件之寬度可為用以移動該指形件 之致動器件之寬度的一半。 在V驟808令，將經修正輕射光束引導至圖案化器件 上，以形成經圖案化輻射光束。舉例而言，可將在步驟 8〇6中藉由均勻度修正系統16修正之輻射光朿引導至圖案 化器件MA上，以形成經圖案化輻射光束。 ” 在v驟810中’藉由投影系統將經圖案化輻射光束投影 至基板上°舉例而言’可經由投影系統PL將來自圖案化器 件MA之經圖案化輕射光束投影至基板w上。 應瞭解’在微影裝置未操作且因此不存在輻射光束的情 況下’對輪射光束之場平面的參考可被解釋為對照明系統 IL之場平面的參考。 下文"羊述用於補償由系統漂移所引起之照明狹縫均勻度 之方法的貫施例。在一實施例十，一種用於補償系統漂移 之方法包含：量測一照明狹縫均勻度；基於該經量測均勻 X來句疋均勻度補償器之第一各別位置；及將該等均勻度 補償器移動至5亥等第一各別位置。該照明狹縫均勾度之該 里測可根據積分該照明狹縫均勻度，或根據使用沿著狹缝 之離政強度樣本來產生一狹縫掃描平均化強度輪廓。該等 句勻度補償&可包含指形件，該等指形件被插人及抽出一 照明光束之一路徑以修改該照明狹縫均勻度。另一實施例 、，/ 丨. * ^包含.在該移動之後量測另一照明狹縫均勻度；比 較。玄另一照明狹縫均勻度與一目標照明狹縫均勻度。若該 148618.doc -28- 201109853 比較之-結果係在—容許度外，則基於該另—照明狹縫均 勻度來判定該等均勻度補償器之第二各別位置，且將該等 均句度補償器移動至該等第二各別位置。最後，藉由在該 等第-各別位置或該等第二各別位置中之該等均勻度補償 器來曝光-基板。可引起此等均句度再新指形件移動的系 統中之漂移尤其為照明光束移動、光學圓柱均勻度及均勻 度補償器漂移。該目標照明狹縫均勾度可為平坦或非平坦 的。雖然比較該經量測照明狹縫均勻度與—容許度係有用 的’但其並非必要的。 在一實施例中，一種用於補償系統漂移之方法包含：執 行均勻度補㈣之-初始校準；基於該初始校準來判定複 數個均句度補償器之-第-位置；將該複數個均句度補償 器中之每一者移動至該經判定之第一位置；將一光束透射 通過包含該等均勻度補償器之一光學系統，其中該光束被 圖案化且引導至-基板上；及使用該複數個均句度補償器 來補償系統漂移。在至少-實施例中，在後續基板之曝光 之間執行針對系統漂移之該補償。 然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的係 呈現可實施本發明之實施例的實例環境。 I·實例微影環境 A.貫例反射微影系統及透射微影系統 圖9A及圖9B分別示意性地描繪微影裝置9〇〇及微影裝置 900•。微影裝置900及微影裝置9〇〇1各自包括：照明系統 (照明器）IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，Duv或 148618.doc •29- 201109853 EUV輕射）；支撐結構（例如，光罩台）Μτ，其經組態以支 撐圖案化器件（例如，光罩或動態圖案化器件）ΜΑ，且連接 至經組態以準確地定位圖案化器件ΜΑ之第一定位器ρΜ; 及基板台（例如，基板台）WT，其經組態以固持基板（例 如，塗佈抗蝕劑之基板）w ’且連接至經組態以準確地定位 基板w之第二定位器Pw。微影裝置9〇〇及9〇〇,亦具有投影 系統PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光 束B之圖案投影至基板W之目標部分（例如，包含一或多個 晶粒）C上。在微影裝置900中，圖案化器件ma及投影系統 PS係反射的，且在微影裝置9〇〇，中，圖案化器件ma及投 影系統P S係透射的。 照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射B的各種 類型之光學組件’諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或 其他類型之光學組件，或其任何組合。照明系統江亦可包 括：能量感測器ES，其提供能量之量測（每脈衝）；量測感 測器MS，其用於量測光學光束之移動；及均勻度補償器 UC ’其允許控制照明狹縫均勻度。 支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置 900及900’之設計及其他條件（諸如圖案化器件河八是否被固 持於真空環境中）的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構 MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案 化器件MA。支撐結構厘丁可為（例如）框架或台其可根據 需要而為固定或可移動的。支撐結構河丁可確保圖案化器 件（例如）相對於投影系統!>3處於所要位置。 148618.doc •30· 201109853 術語「圖案化器件」ΜΑ應被廣泛地解釋為指代可用以 在輻射光束Β之橫截面中向輻射光束8賦予圖案以便在基 板W之目標部分c中產生圖案的任何器件。被賦予至幸畐射 光束B之圖案可對應於目標部分所產生之器件（諸如積 體電路）中的特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的（如在圖卯之微影裝置9〇〇，中） 或為反射的(如在圖9A之微影裝置_中）。s案化器件财 之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化lcd面 板。光罩在微影中係熟知的’且包括諸如二元、交變相移 及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式 化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面 中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻 射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射 光束B中。 術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，包括 折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其 任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸 沒液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用於 EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電 子。因此，可憑藉真空壁及真空泵將真空環境提供至整個 光束路徑。 微影裝置900及/或微影裝置9〇〇,可為具有兩個（雙平載物 台）或兩個以上基板台（及/或兩個或兩個以上光罩台）WT的 類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基 148618.doc 31 201109853 板〇 wt，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一 或多個其他基板台WT用於曝光。 參看圖9A及圖9B，照明器IL自輻射源s〇接收輻射光 束。舉例而言，當輻射源S〇為準分子雷射時，輻射源§〇 與微影裝置9GG、_，可為分離實體。在此等情況下，不認 為輻射源SO形成微影裝置9〇〇或9〇〇,之部分，且輻射光束B 憑藉包含（例如）適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送 系統BD(圖9B)而自輻射源s〇傳遞至照明器IL。在其他情 況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源§〇可為微 先裝置900、900之整體部分。輕射源s〇及照明器江連同 光束傳送系統BD(在需要時）可被稱作輻射系統。 照明器IL可包含用於調整輕射光束之角強度分佈的調^ 器AD(圖9Β)β通常，可調整照明器之光瞳平面中之強心 佈的至少夕卜部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被弃 作σ外部及σ内部）。此外，照明器化可包含各種其他組子 (圖9Β)，諸如積光器…及聚光器c〇。照明器[l可用以調雀 輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均句度及強度； 佈、。經由使用除去源輸出之變化的能量感測器別，及包《 可被插入及移開照明光束以修改其均勻度及強度之複數: 突起⑽如，指形件）的均勾度補償器沉，可維持此所要友 勻度。 翏看圖9A，韓射光束3入射於被固持於支撐結構（例 光罩台）MT上之圖案化器件（例如，光罩_上，且係$ 圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置9〇〇中，輻射光 148618.doc •32· 201109853 :、自圖案化器件(例如，光罩)MA反射。在自圖案化器件 光罩）μα反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統 才又衫系統PS將輻射光束B聚焦至基板w之目標部分c 上恶藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測 益件、線性編碼器或電容性感測器），基板台冒丁可準確地 移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路 仫中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用 以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件（例 如’光罩）MA。可使用光罩對準標記M1、m2及基板對準 私圯PI、P2來對準圖案化器件（例如，光罩）MA及基板w。 參看圖9B，輻射光束b入射於被固持於支撐結構（例如， 光罩台MT)上之圖案化器件（例如，光罩μα)上，且係藉由 該圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩ΜΑ後’輻射光束β傳 遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板…之 目標部分c上。憑藉第二定位器PW及位置感測器iF(例 如’干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器），基板 台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻 射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感 •測器（其未在圖9B中被明確地描繪）可用以（例如）在自光罩 庫之機械操取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑 來準確地定位光罩MA。同樣地，在圖1〇中，存在基板載 物台狭縫感測器WS ’其結合能量感測器ES在每脈衝之基 礎上產生自照明系統IL至基板W之正規化強度資料。 一般而言’可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程 148618.doc •33· 201109853 模組（粗略定位）及短衝程模組（精細定位）來實現光罩台Μτ 之移動。類似地，可使用形成第二定位器Pw之部分的長 衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進 器（相對於掃描器）之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程 致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記μι、Μ〕及 基板對準標記P1、p2來對準光罩MA及基板w。儘管如所 說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標 部分之間的空間中（被稱為切割道對準標記）。類似地，在 一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記 可位於該等晶粒之間。 微影裝置900及9〇〇,可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案 一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構（例如，光 罩台）MT及基板台WT保持基本上靜止（亦即，單次靜 態曝光）。接著，使基板台貿丁在χ及/或丫方向上移 位’使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構（例如，光罩 台）MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投 影系統PS之放大率（縮小率）及影像反轉特性來判定基 板台WT相對於支樓結構（例如，光罩台）财之速度及 方向。 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影 至目標部分c上時，使支撐結構（例如，光罩台） 148618.doc •34· 201109853 持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移 動或掃描基板台wt。可使用脈衝式輻射源s〇，且在 基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射 脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操 作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件（諸如 本文中所提及之類型的可程式化鏡面陣列）之無光罩 微影。 亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全 不同的使用模式。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在Ic製造中之使 用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應 用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵 測圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之内容背景 中，可認為本文中對術語Γ基板」或「晶粒」之任何使用 刀別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在 曝光之前或之後在（例如）塗佈顯影系統（通常將抗蝕劑層施 加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具）、度量衡工具及/或 檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文 中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基 板處理一次以上，（例如）以便產生多層IC，使得本文中所 使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基 板。 在另外貫施例中，微影裝置900包括極紫外線（euv) 1486l8.doc -35- 201109853 源，EUV源經組態以產生用於EUV微影之Euv輻射光束。 一般而言，EUV源經組態於輻射系統（見下文）中，且對應 照明系統經組態以調節EUV源之Euv輻射光束。 Β.實例EUV微影裝置 圖1 〇不意性地描繪根據本發明之一實施例的例示性Ευν 微影裝置。在圖10中，EUV微影裝置包括輻射系統42、照 明光學器件單元44及投影系統PS。輻射系統42包括輻射源 SO，其中可藉由放電電漿形成輻射光束。在一實施例中， 可藉由氣體或蒸汽產生EUV輻射，例如，藉由Xe氣體、u 蒸汽或Sn蒸汽產生EUV輻射，其中產生極熱電漿以發射在 電磁光譜之EUV範圍内的輻射。可藉由（例如）放電而產生 至少部分地離子化之電漿來產生極熱電漿。為了輻射之有 效率產生，可能需要為（例如）1 〇帕斯卡之分壓的Xe、Li、 Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。藉由輻射源SO發射 之輻射係經由定位於源腔室47中之開口中或後方的氣體障 壁或污染物捕捉器49而自源、腔室47傳遞至收集器腔室48 中。在一實施例中，氣體障壁49可包括通道結構。 收集器腔室48包括可由掠人射收集器形成之輻射收集器 5〇(其亦可被稱作收集器鏡面或收集器）。輕射收集器5〇具 有上游軺射收集器側5〇a及下游輻射收集器側5仙，且藉由 收集。器50傳遞之韓射可經反射離開光拇光譜遽光器51以在 ，集益腔至48中之孔徑處聚焦於虛擬源點52處。轄射收集 器50為熟習此項技術者所知。 自收集器腔室48，輻射光束56係在照明光學器件單元料 1486I8.doc •36· 201109853 中經由正入射反射器53及54而反射至定位於比例光罩台或 光罩台MT上之比例光罩或光罩（圖中未繪示）上。形成經圖 案化光束5 7 ’其係在投影系統p s中經由反射元件5 8及5 9而 成像至被支撐於基板載物台或基板台WT上之基板（圖中未 繪示）上。在各種實施例中，照明光學器件單元44及投影 系統PS可包括比圖1 〇所描繪之元件多（或少）的元件。舉例 而言，照明光學器件單元44亦可包括：能量感測器es，其 提供能量之量測（每脈衝）；量測感測器MS，其用於量測光 學光束之移動；及均勻度補償器UC，其允許控制照明狹 縫均勻度。另外’取決於微影裝置之類型，可視情況存在 光桃光譜渡光器5 1。另外，在一實施例中，照明光學器件 單元44及投影系統PS可包括比圖1 〇所描繪之鏡面多的鏡 面°舉例而言，除了反射元件58及59以外，投影系統ps亦 可併有一至四個反射元件。在圖1〇中，元件符號18〇指示 兩個反射器之間的空間，例如，反射器14 2與反射器14 3之 間的空間。 在一實施例中，代替掠入射鏡面或除了掠入射鏡面以 外’收集器鏡面5 0亦可包括正入射收集器。另外，儘管關 於具有反射器142、143及146之巢套式收集器而描述收集 器鏡面50，但在本文中進一步將收集器鏡面5〇用作收集器 之實例。 另外，代替光柵5 1，如圖1 〇示意性地所描繪，亦可應用 透射光學濾光器。對於EUV而言為透射之光學濾光器以及 對於uv輻射而言為較不透射或甚至實質上吸收uv輻射之 148618.doc -37· 201109853 光學攄光器為熟習此項技術者所知。因此，可在本文中進 一步將「光柵光譜純度濾光器」之使用互換地指示為「光 譜純度濾光器」，其包括光柵或透射濾光器。儘管圖1〇中 未描繪，但可包括作為額外光學元件之Euv透射光學濾光 器（例如，經組態於收集器鏡面50上游），或在照明單元44 及/或投影系統PS中之光學EUV透射濾光器。 相對於光學元件之術語「上游」及「下游」指示一或多 個光學元件分別在一或多個額外光學元件之「光學上游」 及「光學下游」之位置。遵循輻射光束橫穿通過微影裝置 之光路’比第二光學元件更接近於輻射源之第一光學元 件經組態於第二光學元件上游；第二光學元件經組態於第 一光學元件下游。舉例而言，收集器鏡面5〇經組態於光譜 濾光器51上游，而光學元件53經組態於光譜濾光器51下 游。 圖10所描繪之所有光學元件（及此實施例之示意性圖式 中未展示的額外光學元件）均可易受藉由輻射源S〇產生之 ，可染物（例如，Sn)之沈積的損壞。對於輻射收集器5〇及（在 存在時）光譜純度濾光器51而言可為此情況。因此，可使 用清潔器件來清潔此等光學元件中之一或多者，以及可將 清潔方法應用於該等光學元件，而且應用於正入射反射器 53及54以及反射元件58及59或其他光學元件（例如，額外 鏡面、光栅，等等）。 輻射收集器50可為掠入射收集器，且在此實施例中，收 集β 50係沿著光軸〇對準。輻射源s〇或其影像亦可沿著光 148618.doc •38· 201109853 轴〇定位。輻射收集器50可包含反射器142、143及146(亦 被稱作「殼體」（shell)或Wolter型反射器（包括若干w〇iter 型反射器））。反射器142、143及146可為巢套式且圍繞光軸 0旋轉對稱。在圖1〇中，内部反射器係藉由元件符號142指 示，中間反射器係藉由元件符號143指示，且外部反射器 係藉由元件符號146指示。輻射收集器50封閉特定體積， 例如，在外部反射器146内之體.積。通常，在外部反射器 146内之體積係圓周閉合的，但可存在小開口。 反射器142、143及146可分別包括至少一部分表示一反 射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及 14 6 (或具有三個以上反射器或殼體之輻射收集器之實施例 中的額外反射器）經至少部分地設計成反射及收集來自輻 射源SO之EUV輻射，且反射器142、ι43及ι46之至少部分 可能未經設計成反射及收集EUV輻射。舉例而言，該等反 射器之背側之至少部分可能未經設計成反射及收集euv輻 射。在此等反射層之表面上，可此外存在用於保護之頂蓋 層，或作為提供於該等反射層之表面之至少部分上的光學 渡光器。 輻射收集器50可置放於輻射源3〇或輻射源8〇之影像附 近。每一反射器142、143及146可包含至少兩個鄰近反射 表面’與較接近於㈣源⑽之反射表面相比較，較遠離於 輻射源SO之反射表面經置放成與光軸〇成較小角度。以此 方式，掠入射收集器50經組態以產生沿著光軸〇傳播之 EUV輻射光束。至少兩個反射器可經實質上同軸地置放且 148618.doc •39· 201109853 圍繞光轴〇實質上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輕射收集器 5〇可具有在外部反射器146之外部表面上之另外特徵或圍 、’堯外4反射益146之另外特徵，例如，保護固持器、加熱 器，等等。 … 在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元 件」在内谷背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任 -者或其組合，包含折射、反射、磁性、電磁及靜電光學 另外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所 有類型之電磁輻射，包含紫外線（υν)輻射（例如，具有為 365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長 λ)、極紫外線（EUV或軟X射線）輻射（例如，具有在為5奈米 至20奈米之範圍内的波長，例如，13 5奈米），或在小於^ 奈米下工作之硬Χ射線，以及粒子束（諸如離子束或電子 束）。通常，認為具有在約780奈米至3〇〇〇奈米（或更大）之 間的波長的輻射係IR輻射。υν指代具有大約1〇〇奈米至 4〇〇奈米之波長的輻射。在微影内，其通常亦適用於可藉 由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；η線405奈米； 及/或1線365奈米。真空UV或VUV(亦即，藉由空氣吸收之 UV)指代具有大約100奈米至2〇〇奈米之波長的輻射。深 UV(DUV)通节扎代具有在自126奈米至428奈米之範圍内之 波長的輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生用於微 影裝置内之DUV輻射。應瞭解，具有在（例如）5奈米至2〇 奈米之範圍内之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5 148618.doc 201109853 奈米至20奈米之範圍内之特定波長帶的輻射。 II.用於補償照明光束均勻度之漂移的系統及方法 圖11說明根據本發明之一實施例的均勻度再新(u r )修正 . 系、統1100之機械部分。在圖η中’均勻度再新(UR)修正系 統11〇〇包括能量感測器（ES)U10及複數個均勻度補償器 1120。UR修正系統1⑽可在微影操作期間修改照明光 束。在本發明之至少-實施例中，照明光束之形狀為㈣ 形狀且被稱作照明狹縫1130。藉由將個別均勻度補償器 Π20控制成移入及移出照明狹縫113〇，可控制照明狹縫 1130之均勻度。均勻度補償器112〇亦可被稱作指形件。可 在期9年5月29日申請之共同擁有的同在申請中之美國臨 時專利申請案第6^82,295號中找到均勻度補償器之實例 操作，該申請案之全文以引用的方式併入本文中。 在一實例中，可個別地控制圖丨丨所示之指形件以修改照 明狹縫之強度，以便達成目標均勻度。 圖18展示根據本發明之一實施例的用於平坦目標之目標 均勻度之處理程序1800。應瞭解，一般熟習此項技術者將 易於理解如何達成非平坦目標之相同結果。在此實例中， . 使用兩個輸入集合1810/1815及1820/1825。第一輸入集合 • 可關於表示在指形件處於其中心位置之情況下之目標平坦 輪廓的曲線1810，及在指形件處於其中心位置之情況下之 句勻度i测的值1815。第一輸入集合可關於表示指形件至 照明光束中之每插入部位之衰減量的曲線丨82〇，及當前指 形件位置及對應衰減值的值1825。 148618.doc . •41 · 201109853 在一實例中’一旦在指形件處於其初始位置中（例如， 在中心位置中）之情況下判定表示照明狹縫強度之量測輪 廓的曲線1840，隨即可執行指形件定位演算法 (FPA)1830。在一實例中，FpA 183〇定位具有最小強度量 測之指形件。FPA 1830接著使用函數1850以將剩餘指形件 移動至與該指形件1 850之強度位準相同的強度位準以產生 平坦輪廓。若輪廓為非平坦的，則可相應地按比例調整衰 減（例如，指形件位置）以產生非平坦輪廓。FPA 183〇輸出 表示複數個新指形件位置及其關聯衰減值之控制信號 1860。可接著使用控制信號186〇以將指形件機械地移動至 「經修正」補償位置中，且達成照明狹縫之目標均勻度。 圖12為根據本發明之一實施例的照明狹縫123〇之放大 圖。舉例而言，在至少一實施例中，圖12說明照明狹縫 1230之大小及形狀。圖12未展示均勻度補償器之如下指形 件：該等指形件被插入及抽出照明狹縫之路徑，以便修改 其強度均勻度。在一實施例中，均勻度補償器僅位於照明 狹縫之一側上。 圖13說明根據本發明之一實施例的方法。舉例而言，方 法可用於使用均勻度再新（UR)修正系統以藉由在基板至美 板之基礎上改良成功成像之器件的量而最大化製造效率， 該改良係藉由補償系統均勻度漂移而進行。 在一實例中，方法始於基板之每一批（131〇)的開始。在 步驟1320中，量測照明狹縫均勻度（例如，藉由狹縫積分 強度，或藉由使用沿著狹縫之離散強度樣本的狹縫掃描平 148618.doc -42· 201109853 均值）。在步驟132〇中，均句度再新（UR)修正系統基於跨 越狹縫之平坦強度輪廓來計算均勻度補償器（例如，指形 件）位置。視情況，在步驟丨34〇中，均勻度再新（UR)修正 系統基於非平坦（又名，DOSEMAPPER⑧或D〇Ma)s度輪廓 來計算均勻度補償器（例如，指形件）位置。可在2〇〇9年5月 12曰發佈之美國專利第7,532,3〇8號中找到關於 DOSEMAPPER®實施例之實例，該專利之全文以引用的方 式併入本文中。在步驟135〇中，均勻度再新（ur)修正系統 設定複數個均勻度補償器（例如，指形件）之位置。在步驟 1360中，曝光基板。在一實例巾，在每一基板之曝光期 間，可使用許多不同非平坦輪廓（例如，D〇SEMAppER@ 目如照明狹縫輪廓）（例如，取決於經曝光的基板之部分）。 因此，甚至在單一基板之曝光期間仍可能存在均勻度補償 器指形件位置改變。在步驟137〇中，判定在該批中是否將 曝光另一基板。若是，則方法返回至步驟1320。若將不再 曝光該批中之基板，則在步驟139〇處，方法結束。 在本發明之一實施例中，在步驟丨3丨〇期間，在單一批之 後續基板之間控制（例如，修正）照明狹縫均勻度，使得以 獨立觉控均勻照明狹縫來曝光該批中之每一基板。在步驟 1320中，里測照明狹縫之均勻度。舉例而言，照明狹縫之 均勻度可歸因於許多因素而改變，例如，照明光束移動、 光學圓柱均勻度，或均勻度補償器指形件漂移。 在一實例中，可藉由積分跨越整個狹縫之照明狹縫強度 來置測照明狹縫之均勻度以作為連續強度輪廓。或者或另 148618.doc •43· 201109853 外 了使用沿著狹縫之離散強度樣本來量測照明狹缝之均 勾度以作為狹縫掃描平均化強度。 在步驟1330中，藉由使用來自步驟132〇之經量測照明狹 縫均勻度’計算指形件位置，以便產生平坦目標照明狹縫 均句度（例如，可如圖18所示來執行指形件位置之計算）。 視情況’在步驟134〇中，可連同來自步驟132〇之經量測照 明狹縫均勻度來使用非平坦（DoMa)均勻度輪廓，以計算指 形件位置。在步驟135〇中，設定經計算指形件位置，使得 照明光束均勻度匹配於平坦目標輪廓或非平坦目標輪廓。 在步驟1360中，曝光基板。 在一實施例中，可在基板之曝光期間移動指形件，使得 使用不同照明狹縫目標輪廓來曝光基板之不同部分。若改 變此等「期間」曝光照明狹縫目標輪廓，則其仍係基於經 量測照明狹縫均勻度。 在步驟1370中，判定在該批中是否存在待曝光之額外基 板。若是，則方法返回至步驟丨320。在一實例中，量測及 修正單一批之基板之間的照明狹縫之均勻度係理想的，因 為系統移動、熱產生及振動可能已引起照明狹縫之均勻度 改變。若否，則方法在步驟丨39〇處結束。 圖14說明根據本發明之一實施例的方法。舉例而言，此 方法可用於使用均勻度再新（UR)修正系統以藉由在基板至 基板之基礎上改良成功成像之器件的量而最大化製造效 率’該改良係藉由補償系統均勻度漂移而進行。圖丨4所示 之方法可包括在處理第一基板之前的初始校準步驟。後續 148618.doc • 44· 201109853 土板可此不具有校準步驟，而是使用先前基板結束量測值 以作為初始量測值。 在乂驟1410中’執行均句度補償器位置之離線校準。在 乂驟1415中’機械地調整均勻度補償器。在步驟1420中， 射光束。在步驟1425中’將辕射光束傳遞通過含有 均句度補償器之光學系統。在選用之步驟143〇中，量測光 束移動《3十算光束移動。在步驟1435中量測或計算照 月：縫均勻度(例&，若加以量測，則此過程可藉由狹縫 積刀強度而進仃’或其可藉由使用沿著狹縫之離散強度樣 本的狹縫知描平均值而進行）。在步驟144〇中，基於當前 均句度、離線資料及/或光束移動來衫均句度補償器（例 如’指形件）之位置。在步驟1445中，調 (例如，指形件）位置。在步驟购中，判定是否應再次執 仃圖13所不之方法。若是，則圖14所示之方法返回至步驟 1420右否，則圖14所示之方法移動至步驟Μ”，在步驟 1455期間曝光基板。 在-實例中’在每一基板之曝光期間，可使用許多不同 非平坦輪廊（例如，D0SEMAPP獅目標照明狹縫輪廊）(取 决於經曝光的基板之部分）。舉例而言，甚至在單一基板 之曝光期間仍可能存在均句度補償器指形件位置改變。可 在2009年5月12日發佈之美國專利第7,532,3〇8號及·年9 月24日發佈之美國專利第6,455,862號中找到關於模型化在 加熱及冷卻循環期間之均句度改變、校準關聯參數及將此 等結果應用於個別衰減ϋ之致動的實例’該兩個專利之全 148618.doc •45· 201109853 文以引用的方式併入本文中。 在本發明之-實施例中’如參看圖13所描述，在後續基 板之：控制(例如’修正)照明狹縫均勻度…在本發明 之實;例中用於调整均勻度補償器以使得照明狹縫均 勾度匹配於目標照明狹縫均句度之方法包含每基板之照明 狹縫均勻度的至少兩-々旦、丨 乂兩久里測。亦即，當圖14所示之方法到 達步驟1450時，進行「重複」決定。在對於每一基板之第 一次’「重複」決定通常為「是」。當決定145〇為是時，重 複步驟1420且產生新輕射光束。在步驟⑷^，將新輕射 光束傳遞通過光學系統。步驟1435量測照明狹縫均勻度， 步驟1440判定均句度補償器位置，且步驟1445調 产 補償器。 & 在圖14所示之方法的重複期間，若經量測照明狹縫均句 度係在目標照明狹縫強度輪廓（平坦或非平坦）之預定容許 度内’則將不進-步需要重複補償方法，且將在步驟1450 處選擇否」。此後，在步驟！455，如參看圖丄3所描述， 可發生基板之曝光。亦可在不與預定容許度比較之情況下 執行圖14所示之方法。在-實施例中，圖14所示之方法僅 被執仃一次，且不重複來判定步驟1445中之均勻度補償器 5周整疋否弓丨起照明狹縫均勻度匹配於目標照明狹縫強度輪 廓（平坦或非平坦）。 在另—實例中，若經量測照明狹縫均勻度不在目標照明 狹縫強度輪廓（平坦或非平坦）之預定容許度内，則均勻度 補償器可迠需要進一步調整。在此情況下，將在步驟1彻 148618.doc •46· 201109853 處再次選擇「是」。照明狹縫均勻度可經微調成更接近於 目標照明狹縫強度輪廓。或者，若經量測照明狹縫均勻度 係在目標照明狹縫強度輪廓之預定容許度内，則可能無需 重複該方法（甚至在對於基板之第一次之後）。 圖1 5A說明根據本發明之一實施例的關於第一基板曝光 序列之均勻度再新步驟。圖15B說明根據本發明之一實施 例的關於第二基板曝光序列及後續基板曝光序列之均勻度 再新步驟。圖15A及圖15B說明實施歸因於系統漂移之均 勻度補償的圖13及圖14之多基板批方法。在一實例中，時 刻表1500為上文在圖13及圖14中所描述之方法的圖形表 示。圖15A包含在每一新批之第一基板之情況下發生的額 外步驟（例如，校準）。圖15B不包含額外校準步驟，而是 使用第-基板之最終量測來產生其初始量測。&自所有基 板曝光2及更高消除校準步驟 ，從而改良效率。在一實例

論述。

勻度再新（UR)演算法（例 148618.doc 。要素 1602、16〇8、1614、 1658及1664為用以實施均 •47· 201109853 如，類似於上文參看圖13至圖7所論述之演算法）之輸入 要素 1604、1610、1616、1622、1628 a οζδ ' 1634 ' 163 8

1654、刪、祕及1670為用以實施均勻度再新㈣演算 法之函數、運算或處理程序。要素16〇6、16丨2、MU 1624、1630、1636、1656、1662及 1668為用以實施均勻度 再新（UR)演算法之輸出。 圖17展示用於以非平坦目標來實施均勻度再新（ur)之資 料流1700。在圖17中，除了來自圖16之要素以外，亦展示 用以實施非平坦（例如，DOSEMAPPER®)目標之輸入 (1738、1744、！780及1786)、函數、運算或處理程序 (1740、1746、1750、1782、1788 及 1792)及輸出（1742、 1748 ' 1784 > 1790) 〇 在一貫例中’再次參看圖16，展示用於平坦指形件位置 Flat—FP—X(1702、1720及1752)之資料流1600。可在量測照 明狹縫均勻度（1704、1722及1752)的同時使用資料流 1600，以產生平坦目標輪廓Flat_Pr〇file_x(n〇6、1724及 1756)。可結合指形件衰減 Flat_atten_X(1708、1726 及 1758)來使用？^_卩1'〇!^_乂，可藉由均勻度再新指形件定 位演算法「UR X FPA」（1710、1728及1760)使用該等指形 件衰減以產生新指形件位置Flat_FP_X+1及新指形件衰減 值Flat_atten一X+l(1712、1730及1762)。藉由劑量偏移演算 法（1716 、 1734 及 1766)使用 Flat_atten_X 及 ?181;_&1^11—乂+1(1714、1732及1764)以產生所誘發之劑量偏 移Flat_DO_UR_X。在曝光基板（例如，1738及1770)時使用 148618.doc •48· 201109853 來自劑里偏移演算法之資料流。儘管不意欲限於此實施 例，但圖16在左側將量測、判^及調整均句度補償器說明 為需要兩次循環以最佳化均勻度，而右側僅需要一次循 環。 在一實例中，參看圖17，資料流丨7〇〇包含實質上緊接在 基板之曝光之則或期間的關於資料流丨6〇〇之以下額外步 驟：移動均勻度補償器，使得達成非平坦（例如， DOSEMAPPER®)目標照明均勻度。可藉由非平坦 (DOSEMAPPER®)指形件定位演算法「D〇Ma FpA」（174〇 及1782)使用Flat_Pr〇file一X連同指形件衰減Flat_aUen_x及 複數個非平坦目標（1738及1780)以產生新指形件位置 Target-X(i)-FP及新指形件衰減值 Target_X(i)_atten(1742及 1748)。可藉由劑量偏移演算法（1746及ι788)使用

Flat_atten_X及 Target_X(i)_atten(1744及 1786)以產生複數 個非平坦目標中之每一者的劑量偏移TX(i)_D〇_UR一X ^可 在曝光基板（1750及1792)時使用來自劑量偏移演算法之資 料流。 本發明之各種態樣可以軟體、韌體、硬體或其組合加以 實施。圖19為實例電腦系統1900之說明，其中本發明之實 施例或其部分可實施為電腦可讀程式碼。舉例而言，藉由 圖13及圖14之流程圖說明的方法可分別實施於電腦系統 1900中，電腦系統1900包括耦接至顯示器1930之顯示介面 19 0 2。在此實例電腦系統19 0 0方面描述本發明之各種實施 例。在閱讀此描述之後，對於熟習相關技術者而言，如何 148618.doc • 49- 201109853 使用其他電腦系統及/或 將變得顯而易見。 電腦架構來實施本發 明之實施例 電腩系統1900包括一或多個處 ^ ^ „ 1ΛΛ 人夕扪蜒理器，诸如處理器1904。 處理态1 904可為專用處理器. 處理益。處理器测連 接U基礎結構1906(例如，匯流排或網路）。 陰電腦系統1 _亦包括主記憶體19〇5(較佳為隨機存取記 憶體（RAM))，且亦可包括副 』6隐體1910。副記憶體1910可 "括（例如）硬碟驅動機1912、抽取式儲存驅動機1914及/或 讀'棒。抽取式儲存驅動機1914可包含軟碟驅動機、磁帶 驅動機、光碟驅動機、快閃記憶體或其類似物。抽取式儲 存驅動機1914以熟知方式自抽取式儲存單元1918進行讀取 及/或向抽取式儲存單元1918進行寫入。抽取式赌存單元 1918可包括藉由抽取式儲存驅動機㈣讀取及藉由抽取式 儲存驅動機1914寫入之軟碟、磁冑、光碟，等等。熟習相 關技術者應瞭解’抽取式儲存單元1918包括儲存有電腦軟 體及/或資料之電腦可用儲存媒體。 在替代實施中，副記憶體1910可包括用於允許將電腦程 式或其他指令載入至電腦系統19〇〇中之其他類似器件。此 等器件可包括（例如）抽取式儲存單元1918及介面192〇。此 等器件之實例可包括程式£及匣式介面（諸如在視訊遊戲 器件中所找到之程式匣及匣式介面抽取式記憶體晶片 (例如，EPROM或PROM)及關聯插口，以及其他抽取式儲 存單元1918及介面1920(其允許將軟體及資料自抽取式儲 存單元1918傳送至電腦系統19〇〇)。 148618.doc -50- 201109853 電腦系統1900亦可包括通信介面1924。通信介面i924允 卉在電腦系統1900與外部器件之間傳送軟體及資料。通信 介面1924可包括數據機、網路介面（諸如乙太網路卡）、通 信埠、PCMCIA擴充槽及卡’或其類似物。經由通信介面 1924所傳送之軟體及資料係以信號之形式，該等信號可為 能夠藉由通信介面1924接收之電子信號、電磁信號、光學 4吕號或其他信號。經由通信路徑1926及1928將此等信號提 供至通信介面1924。通信路徑1926及1928載運信號，且可 使用導線或電纜、光纖、電話線、蜂巢式電話鏈路、尺1?鏈 路或其他通信頻道加以實施。 在此文件中，術語「電腦程式媒體」及「電腦可用媒 體」通常係用以指代諸如抽取式儲存單元1918、抽取式儲 存單元191 8及安裝於硬碟驅動機1912中之硬碟的媒體。電 腦程式媒體及電腦可用媒體亦可指代諸如主記憶體丨9〇5及 副記憶體1910之記憶體，其可為記憶體半導體（例如， DRAM，等等）。此等電腦程式產品將軟體提供至電腦系統 1900。 電腦程式（亦被稱作電腦控制邏輯;)儲存於主記憶體19〇5 及/或副記憶體1910中。亦可經由通信介面1924而接收電 腦程式。此等電腦程式在被執行時使電腦系統1900能夠實 施如本文中所論述的本發明之實施例。詳言之，電腦程式 在被執行時使處理器19〇4能夠實施本發明之處理程序，諸 如上文所論述的藉由圖13之流程圖說明之方法中之步驟。 .因此’此等電腦程式表示電腦系統1900之控制器。在使用 148618.doc •51 · 201109853 軟體來實施本發明之實施例時，可將軟體儲存於電腦程式 產中’且使用抽取式儲存驅動機丨9丨4、介面1 〇、硬驅 動機19丨2或通信介面1924將軟體載入至電腦系統19〇〇中。 本發明之實施例亦係有關電腦程式產品，其包括儲存於 任何電腦可用媒體上之軟體。此軟體在被執行於一或多個 資料處理器件中時使一（若干）資料處理器件如本文中所描 述進行操作。本發明之實施例使用現在或未來所知之任何 電腦可用或可讀媒體。電腦可用媒體之實例包括(但不限 於）主儲存器件（例如，任何類型之隨機存取記憶體广副儲 存器件（例如，硬驅動機、軟碟、CD R〇MS、ζιρ磁碟、磁 帶磁陡儲存器件、光學儲存器件、MEMS、奈米技術儲 存器件’等等），及通信媒體(例如’有線及無線通信網 路、區域網路、廣域網路、企業内部網路，等等）。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在ic製造中之使 用’但應理解’本文中所描述之微影裝置可具有其他應 用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵 測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之内容背景 可i為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用 刀別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在 +光之刖或之後在（例如）塗佈顯影系統（通常將抗蝕劑層施 加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具）、度量衡工具及/或 檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文 中之揭不應用於此等及其他基板處理工具》另夕卜，可將基 148618.doc •52- 201109853 板處理一次以上，（例如）以便產生多層IC，使得本文中所 使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基 板。 在一另外實施例中，微影裝置包括極紫外線（EUV)源， EUV源經組態以產生用於Euv微影之EUV輻射光束。一般 而s，EUV源經組態於輻射系統（見下文）中，且對應照明 系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。 在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元 件」在内容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任 者或其組合，包含折射 '反射、磁性、電磁及靜電光學 組件。 另外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所 有類型之電磁輻射，包含紫外線（uv)輻射（例如，具有為 365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長 λ)、極紫外線（EUV或軟X射線）輻射（例如，具有在為5奈米 至20奈米之範圍内的波長，例如，丨3 ·5奈米），或在小於$ 奈米下工作之硬X射線，以及粒子束（諸如離子束或電子 束）。通常，認為具有在約780奈米至3000奈米（或更大）之 間的波長的輻射係IR輻射。UV指代具有大約1〇〇奈米至 400奈米之波長的輻射。在微影内’其通常亦適用於可藉 由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；Η線405奈米· 及/或I線365奈米。真空UV或VUV(亦即，藉由空氣吸收之 UV)指代具有大約100奈米至200奈米之波長的輻射。深 UV(DUV)通常指代具有在自126奈米至428奈米之範圍内之 148618.doc •53· 201109853 波長的輻身十’且纟一實施财’準分子雷射可產生用於微 影裝置内之DUV輻射。應瞭解，具有在（例如）5奈米至2〇 奈米之範圍内之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5 奈米至20奈米之範圍内之特定波長帶的輻射。 結論 應瞭解，[實施方式]章節而非[發明内容]及[中文發明摘 要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明内容]及[中文 發明摘要]章節可闡述如由發明人所預期的本發明之一或 多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式 來限制本發明及附加申請專利範圍。 上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施的功能建置區 塊來描述本發明。本文中已為了便於描述而任意地界定此 等功能建置區塊之邊界1要適當地執行指定功能及其關 係，便可界定替代邊界。 特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般本性 以使得：在不脫離本發明之一般概念的情況下其他人可 藉由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修 改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基 於本文中所呈現之教示及㈣，此㈣適及修改意欲係^ 所揭示實施例之等效物的意義及範圍内。應理解本文中 之措辭或術語係出於摇述而非限制之目的，使得本說明書 之術語或措詩由熟習此項技術者按照料教*及該 進行解釋。 本發明之廣度及範缚不應受上述例示性實施例中之任一 1486l8.doc •54- 201109853 者限制 定。 而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物 進行界 【圖式簡單說明】 圖1描繪微影裝置。 圖2描繪另一微影裝置。 圖3 A描繪均勻度修正系統。 圖3B描繪用於圖3 A之均勻度修正系統中的指形件。 圖4A及圖4B展示使用如在圖2中所配置之均勻度修正系 圖5進一步描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 圖6A及圖6B展示使用如圖5所示的根據本發明之—實施 例所配置之均勻度修正系統的效應。 & 件 圖7 a描綠根據本發明之-實施例的均W修m 圖7B描、曰用於圖7A之均勻度修正系統中的例示性指形 圖8為說明根據本發明 — ^ ^ 貫施例的經執行以修正輻射 光束之均勻度之步驟的流程圖。 圖9A及圖9B分別描給目士 ， 、·曰八有均勻度補償器及關聯感測器 之反射微影裝置及透射微影裝置。 圖1〇描綠實例極紫外線（EUV)微影裝置。 圖U展示關於照明光束狹縫之均句度補償器之實例。 圖12展示照明光束狹縫之實例。 圖13展示用於均勻度再新之流程。 圖14描、’會為均勾度再新與（視情況）離線校準之組合的 148618.doc -55* 201109853 般化主流程。 圖15A說明根據本發明之一實施例的關於第一基板曝光 序列之均勻度再新步驟。 圖15B說明根據本發明之一實施例的關於第二基板曝光 序列及後續基板曝光序列之均勻度再新步驟。 圖16展示用於以平坦目標之依序均勾度再新之資料流的 實例。 圖17展示用於以非平坦目標之依序均勻度再新之資料 流0 圖18展示用以計算指形件位置之指形件定位演算法 (FPA)〇 、 其中本發明之實施例 圖19為實例電腦系統1900之說明， 或其部分可實施為電腦可讀程式碼。 根據上文在結合該等圖式進行考慮時所闡述之實施 式，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見， 甘邊寻圖 中’相似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中 似元件符號通常指示相同' 功能上類似及/ 八攝上類 之元件。一元件第一次出現時之圖式係藉由 _ 柯W对應7L件符 中之最左邊數位進行指示。 【主要元件符號說明】 10 準直儀 12 場界定元件 14 場透鏡群組 16 均勻度修正系統 148618.doc •56· 201109853 18 光罩遮罩葉片 20 聚光透鏡 22 指形件排 23 指形件排 24 輻射光束 26 虛擬源 30 虛擬源陣列/虛擬源 32 指形件排 33 指形件排 36 幸畐射光束 42 輻射系統 44 照明光學器件單元 47 源腔室 48 收集器腔室 49 氣體障壁/污染物捕捉器 50 輻射收集器/收集器鏡面 50a 上游輻射收集器側 50b 下游輻射收集器側 51 光柵光譜濾光器/光柵/光 52 虛擬源點 53 正入射反射器 54 正入射反射器 56 輻射光束 57 經圖案化光束 148618.doc -57- 201109853 58 反射元件 59 反射元件 142 反射器 143 反射器 146 反射器 170 修正模組 172 處理器 174 記憶體 175 修正參數 180 兩個反射器之間的空間 185 照明場資料 190 均勻度量測器件 300 指形件 302 尖端 304 基底 306 致動器件 702 尖端 708 指形件 710 間隙 900 微影裝置 900， 微影裝置 1100 均勻度再新（UR)修正系統 1110 能量感測器 1120 均勻度補償器 148618.doc ·58· 201109853 1130 照明狹縫 1230 照明狭縫 1500 時刻表 1600 資料流 1602 要素 1604 要素 1606 要素 1608 要素 1610 要素 1612 要素 1614 要素 1616 要素 1618 要素 1620 要素 1622 要素 1624 要素 1626 要素 1628 要素 1630 要素 1632 要素 1634 要素 1636 要素 1638 要素 1652 要素 148618.doc -59 201109853 1654 要素 1656 要素 1658 要素 1660 要素 1662 要素 1664 要素 1666 要素 1668 要素 1670 要素 1700 貧料流 1702 平坦指形件位置 1704 照明狹縫均勻度 1706 平坦目標輪廓 1708 指形件衰減 1710 均勻度再新指形件定位演算法 1712 新指形件衰減值 1714 新指形件衰減值 1716 劑量偏移演算法 1720 平坦指形件位置 1722 照明狹縫均勻度 1724 平坦目標輪廓 1726 指形件衰減 1728 均勻度再新指形件定位演算法 1730 新指形件衰減值 148618.doc -60- 201109853 1732 新指形件衰減值 1734 劑量偏移演算法 1738 輸入/非平坦目標 1740 處理程序/指形件定位演算法 1742 輸出/新指形件衰減值 1744 輸入 1746 處理程序/劑量偏移演算法 1748 輸出/新指形件衰減值 1750 處理程序 1752 平坦指形件位置/照明狹缝均勻度 1756 平坦目標輪廓 1758 指形件衰減 1760 均勻度再新指形件定位演算法 1762 新指形件衰減值 1764 新指形件衰減值 1766 劑量偏移演算法 1780 輸入/非平坦目標 1782 處理程序/指形件定位演算法 1784 ilj fm ffi 1786 輸入 1788 處理程序/劑量偏移演算法 1790 輸出 1792 處理程序 1810 輸入集合/曲線 148618.doc •61 - 201109853 1815 輸入集合/值 1820 輸入集合/曲線 1825 輸入集合/值 1830 指形件定位演算法 1840 曲線 1850 函數/指形件 1860 控制信號 1900 電腦糸統 1902 顯示介面 1904 處理器 1905 主記憶體 1906 通信基礎結構 1910 副記憶體 1912 硬碟驅動機/硬驅動機 1914 抽取式儲存驅動機 1918 抽取式儲存單元 1920 介面 1924 通信介面 1926 通信路徑 1928 通信路徑 1930 顯示器 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳送系統 148618.doc -62- 201109853 c 目標部分 CO 聚光器 ES 能量感測器 FP1 場平面/焦平面 FP2 場平面 FP3 場平面 IF 位置感測器 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明器/照明系統 IN . 積光器 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 光罩/圖案化器件 MS 量測感測器 MT 光罩台/支撐結構 0 光軸 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PL 投影系統 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 148618.doc -63- 201109853

uc w ws WT 均勻度補償器 基板 基板載物台狹縫感測器 基板台 148618.doc -64-

Claims (1)

1. 201109853 七、申請專利範圍： 1. 一種微影裝置，其包含： -照明系統，其經組態以調節_輻射光束，該照明系 統包含-均勻度修正系統，該均勻度修正系統位於一平 面處’ 4平面經組態以在藉由該輕射光束照明時接收一 實質上恆定光瞳’該均勻度修正系統包括： 指形件，該等指形件經組態成可移人及移出與一賴 射光束之相2 ’以便修正該輻射《束之各別部分之一 強度；及 致動器件，該等致動器件輕接至該等指形件中之一 對應指形件，且經組態以移動該等對應指形件， 其中該等指形件中之每-者之-㈣之-寬度為該 等致動器件之一寬度的一半； =支樓結構，其經組態以固持—圖案化器件，該圖案 化器件經組態以圖案化一輕射光束； 一基板台，其經組態以固持一基板；及 一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影 至該基板之一目標部分上。 2.如請求項丨之微影裝置，其中藉由該等指形件修正之輻 射強度變化之一最小空間週期為該等指形件中之每一者 之該尖端之該寬度的兩倍。 青长項1之微景》裝置，其中該等指形件配置於第一排 及第一對置排中，該第一排及該第二對置排經組態以彼 此連鎖。 148618.doc 201109853 4. 如。月求項3之微影裝置，其中該第一排及該第二排中之 每一者處於一單一平面中。 5. 如請求項1之微影裝置，其中該尖端之該寬度為約2毫 米，且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫 米。 Μ 6. —種器件製造方法，其包含： 將輻射光束聚焦於一第一平面處，以便在該第一平 面處形成一實質上恆定光瞳； 藉由將位於該第-平面中之指形件移入及移出該輕射 光束之-路徑來調整在該第一 +面處言亥輕射光束之強 度，其中該等指形件中之每—者之—尖端之—寬度為用 以移動該等指形件中之每一對岸 ’”、 甘57應知形件之對應致動器件 之寬度的一半； 導至一圖案化器件上以圖案化 將輻射光束之該光束引 該輕射光束；及 將該經圖案化輻射光束投影至—基板上。 7. 如凊求項6之方法，复中拉士 度變化之…4指形件修正之輻射強 又夂化之一最小空間週期為 尖端#认 勹x寺才日形件_之每一者之該 咏之6亥寬度的兩倍。 8. 如請求項6之方法，其 經組態以連鎖之^ 將該等指形件配置於 X運鎖之兩個對置排中。 9. 如請求項8之方法，苴击—# 一單一平面中。 中之母—者處於 10. 如請求項6之方法，1 〃中4#指形件+之每—者之該尖 148618.doc 201109853 端之該寬度為約2毫米，且經修正之輻射強度變化之一 空間週期為約4毫米。 11. 12. 13. 14. 15. 16. 一種均勻度修正系統，其包含： 六指形件，其經組態成可移人及移出與—輻射光束之相 父’以便修正位於一平面處的該輻射光束之各別部分之 $度，该平面經組態以在藉由該輻射光束照明時接收 一實質上恆定光瞳；及 動器件’其麵接至該等指形件中之—對應指形件， 且經組態以移動該等對應指形件， 其中該等指形件中之每一者之一尖端之一寬度為該等 致動器件之一寬度的一半。 如請求項此系統’其中藉由該等指形件修正之輻射強 度變化之—最小空間週期為該等指形件中之每—者之該 尖端之該寬度的兩倍。 如請求額之系統，其中該等指形件配置於第一排及第 二對置排中’該第一排及該第二對置排經組態以彼此連 鎖。 如。月求項13之系統’其中該第_排及該第：排中之每一 者處於一單一平面中。 如明求項11之系統’其中該尖端之該寬度為約2毫米， 且經修正之輻射強度變化之一空間週期為約4毫米。 一種方法，其包含： 提供位於一第一平面處之指形件，該第一平面在藉由 一輻射光束照明時接收一實質上恆定光瞳；及 148618.doc 201109853 提供耗接至該等指形件中之對應指形件的致動器件， 藉由將位於該第一平面處之該等指形件移入及移出該輻 射光束之一路徑來調整在該第一平面處該輻射光束之一 強度； 其中該等指形件中之每—者之一尖端之一寬度為用以 移動該等指形件中之該等對應指形件中之每—者的該等 致動器件中之對應致動ϋ件之-寬度的-半。 17. 18. 19. 20. 如。月求項16之方法’其中藉由該等指形件修正之輕射強 又蓃化之t小空間週期為該等指形件中之每一者之該 尖端之該寬度的兩倍。 如請求項16之方法， 接成連鎖之兩個對置 如請求項1 8之方法， 一單一平面中。 其進—步包含將該等指形件一起耦 排。 其中該等指形件排中之每一者處於 如請求項16之方法，豆中 、中。亥4才日形件中之每一 丨、 編之該寬度為約2毫米，且 者之5玄大 允門Ή 正之輻射強度變化之一 王閭週期為約4毫米。 艾 148618.doc