TW201106775A - Light emitting element and display apparatus - Google Patents

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201106775 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於發光元件及顯示裝置。 【先前技術】 構成顯示器裴置或照明裝置等顯示裝置的發光元件，已知 有利用了若施加電壓則藉由電激發光(EL)現象而自發光之 物質的EL元件。el元件係在上電極與下電極間形成由有 機材料或無機材料所構成之發光層的薄膜狀發光元件，屬於 利用上與下電極對發光層施加電壓而使其發光的構造。 近年來’開發出藉由將上部電極與下部電極之一者設為全 反射鎖並將另一者設為使部分波長穿透的半透射鏡 (semi-transmitting mirror)，使利用發光層進行發光的光發生 共振之共振器構造(所謂「微共振腔(microcavity)構造」）的 發光元件(例如參照專利文獻1、2)。 然而，共振器構造的薄膜發光元件中，濾色特性係對鏡間 距離（共振器光程長)敏感。故例如若因製造過程中之製作誤 差而導致共振器光程長產生變動，則有無法容許正面方向的 色座標（色純度）或輝度變動的情況。 共振器構造中，色純度可具有較寬裕的設計。另一方面， 藍色（B)與紅色（R)的發光元件輝度有時因中心波長的位 移，而變得無法容許的輝度變動。例如若對應鏡間距離的膜 厚（相當於光程長）出現5nm左右（整體元件膜厚的5%程度) 099118693 4 201106775 的變化’中心波長亦有5nm程度變化的情況。例如在藍色 發光兀件的情況，當將中心波長設計值設為47〇nm時’膜 厚若增加5nm，經位移的中心波長(例如475nm)之視感度亦 會有達20%以±的變化，成為大輝度變化、以及畫質降低(輝 度不均）的原因。 [先行技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1 :日本專利特開2002-373776號公報 專利文獻2 :日本專利特表2002-518803號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 即，本發明所欲解決的課題之其中-例係有如上述問題。 所以本毛明目的之其中—例係有如提供一種共振器構造的 發光元件與顯示裝置，例如即使偏離設計值而共振器光 程長有所增減，仍可抑_度變動的技術。 (解決問題之手段） /本發明之發光件係如申請專利範圍第丨項所記載， 徵在於具備有共振H構造及帶吸收m，該共振器構造係 具有：第1反射構件、第2反射構件、及配置於上述第1 反射構件與第2反射構件之間的發光層，並使在上述第1 反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的光之 刀’利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進行穿透； 099118693 201106775 該帶吸收濾波器係將利用上述第丨反射構件或上述第2反射 構件進行穿透的光之一部分更進一步穿透；上述帶吸收濾波 器的穿透成為最小值的波長，係位於來自上述共振器構造的 共振器輸出光譜成為最大值的波長、與比視感度成為最大值 的波長之間。 本發明顯示裝置係如申請專利範圍第9項所記載，其特徵 在於具備有：多數之共振器構造及共通帶吸收濾波器，該等 多數共振器構造係具有：第1反射構件、第2反射構件、及 配置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層，並 使在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的 光之-部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進 行穿透；該共通帶吸收濾波器係將利用上述第丨反射構件或

上述第2反射構件進行穿透的光之一部分更進一步穿透，L 由上述多數共振器構造共通；其中，上述帶吸收滤波器的穿 透成為最小值的波長，係位於來自上述共振器構造的共振器 輸出光譜成為最大值的波長、與比視感度成為最大值的^長 之間。 / 【實施方式】 以下，針對本發明較佳實施形態的發光元件及顯示穿置 參照附示圖式進行詳細說明。以下說明中， 且 發出紅色⑻、卿)、藍色⑼光之發光元二= 為一例進行說明。但，不可解釋為本發明技術範圍受以下所 099118693 6 201106775 說明實施形態的任何限定。 (第1實施形態） 圖1與圖2所示係在共通基板1上配置發出紅色(R)、綠 色(G)、藍色(B)光的3個發光元件(R、G ' B)，而形成 單元的一例。圖1係發光元件(R、G、B)的縱剖圖，圖之係 平面圖。另外’實際的顯示裝置係在基板丨上排列多數發光 元件(R、G、B)而形成顯示區域，並利用在未圖示之顯示區 域外所配置的驅動電路構成被動驅動的構造，或依每個元^ 配置驅動電路而構成主動驅動的構造。 本實施形態的發光元件(r、G、b)係如圖i所示，將作為 第1反射構件用的陽極2、有機層3、及作為第2反射構件 用的陰極4積層於基板上，再從成膜面側取出發光之所謂 「頂部發光構造」。該等RGB的發光元件係利用通稱「堤 (bank)」的隔牆部5進行區分。另外，有時在陰極4上更2 一步積層著密封膜等有機層或無機層。 再者，在上述發光所取出的成膜面之相對向位置處，配置 使來自共振器構造的光之一部分更進一步進行波長選擇性 穿透的帶吸收濾波器（BEF)6。該帶吸收濾波器6較佳係如圖 1所示，屬於RGB的各發光元件所共通之濾波器。帶吸收 濾波器6係由濾波器支撐構件所支撐，該濾波器支撐構件係 由未圖示之支撐構件所固定配置。圖丨係例如利用透明材料 所形成之基板(滤波器支撐基板)7，構成遽波器支撐構件的 099118693 7 201106775 例子濾波器支撐構件並不侷限於基板，亦可為透明薄膜 等。且，亦可附加例如用於防止外光反射用的構造或材料。 陽極2係反射電極2]與透明電極22的雙層構造。作為陽 極2之鄰接於電洞注入層31的材料係使用功函數較高的材 料。具體而言，反射電極21的材料可使用例如Cr、

Mo、Νι、Pt、Au、Ag等金屬、或含有該等的合金、或介金 屬化合物等。反射電極21的厚度係例如1〇〇nn^反射電極 21隶好係對400〜700nm波長光的反射率之平均值為例如 80%以上的高反射率。又，透明電極22的材料可使用例如 ITO(Indium Tin Oxide)或 IZO(Lndium Zinc Oxide)等金屬氧 化物等等。透明電極22的厚度係例如75nin。另外，在圖i 與圖2中雖省略圖示，但陽極2係連接著拉出電極(配線電 極）。另外，陽極2亦可為反射電極21的單層構造。 有機層3亦可其一部分為由無機材料構成。又，亦可更進 -步分割而形成多層化’或亦可依單一層即具有複數層機能 的方式而減少積層數。圖1所示之有機層3係從陽極2側起 依序積層著電洞注入層31、電洞輸送層32、發光層33、及 電子輸送層34的多層構造。有機層3只要至少具有發光層. 33即可，但為了有效率地促進電激發光現象，較佳係配置：· 電洞注入層31、電洞輸送層32、及電子輸送層μ等。 在作為共振器構造的情況’ RGB的各發光元件分別具有 較佳共振器光程長。在圖1所示構造的情況，反射電極21 099118693 〇 201106775 與陰極4反射面的相隔距離係共振器光程長。就其中一例， 用於獲得紅色(R)之較佳共振器光程長的積層膜厚係 300麵’用於獲得綠色(G)之較佳共振器光程長的積層膜厚 係235nm，用於獲得藍色(B)之較佳共振器光程長的積層膜 厚係200nm。該等共振器光程長係例如利用有機層3的膜厚 ‘ 而進行調整。但，如前述般，在製作步驟中，難以完全防止 膜厚逾越設計值外。尤其是在彻塗佈法形成有機層3時將 難以控制膜厚。例如當利时墨法進行成膜時，有時元件間 發生達5%以上膜厚變動。 圖1所不構造的一例，係改變電洞注入層31的厚度以調 整共振器光程長。具體而言，紅色(R)電洞注入層31的厚度 (設計值)係例如125nm，綠色(G)電洞注入層31的厚度(設計 值)係例如65nm，藍色(B)電洞注入層31的厚度(設計值)係 例如2〇nm。關於電洞輸送層32、發光層33、電子輸送層 34，係屬於RGB的共振器構造而形成相同厚度。電洞輸送 層32的厚度(設計值)係例如3〇nm，發光層33的厚度(設計 值）係例如30nm，電子輸送層34的厚度（設計值）係例如 * 40nm。 . 電洞注入層31與電洞輸送層32只要為由電洞的輸送特性 較尚之材料形成即可，其一例係使用例如：酞菁鋼 等酞菁化合物；m-MTDATA等星爆式胺；聯苯胺型胺的多 聚物；4,4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基胺基;]聯苯(NPB)、N_苯基_p_ 099118693 9 201106775 苯-胺(PPD)等芳香族三級胺；4•(二_p甲苯基胺)_4I_[4_(二 -P-曱苯基胺）笨乙稀基]笨乙稀等笨乙烯化合物； 三唑衍生 物、苯乙烯基胺化合物、巴克球(buckyball)、c的等富勒烯 (fullerene)等等有機材料。又，亦可使用使用在聚碳酸醋等 高分子材料中分散了低分子材料的高分子分散緒料。但， 並不僅侷限該等材料。 作為發光層33係可使用產生紅色(R)、綠色⑹、藍色⑻ 之電激發光現象的材料。發光層33的材料—㈣可使用： (8-經基啥琳基成錯合物(Alq3)等螢光性有機金屬化合物； 4,4’·雙(2,2，-二苯基乙烯基)聯苯(DpvBi)等芳香族二亞甲基 化合物；雙(2_甲基苯乙稀基)苯等苯乙稀基笨化合物了 3并聯苯基Μ·苯基i第三丁基苯基]，2,4-三嗤(TAZ)等三 吐衍生物；蒽酿衍生物、苐衍生物d咖㈣等 螢光性有機⑽；料苯乙烯(PPV)系、料系、聚乙焊啼 婦vm等高分子材料；白金錯合物或銀錯合物等鱗光性 有機材料。但，並不僅侷限該特料。又，亦可不為有機材 料，亦可使用產生電激發光現象的無機材料。 電子輸送層34只要依電子輸送雜較高㈣料形成即 可’其—例可使用例如·· PyPySPyPy等石夕環戊二稀(石夕諾魯） 衍生物4基取代㈣衍生物H甲貌衍生物等有機材 料，參㈣基㈣)華_ 8_噎轉衍生物的金屬錯合 物，金屬醜菁、Η4·聯苯基)邻-第三丁基苯基)冰苯基 099118693 201106775 1,2,4 一哇(TAZ)等三嗤系化合物；2-(4-伸聯笨義）$ (4第 三丁基）-1，3,4-噚二唑（PBD)等哼二唑系化合物；巴克球 Qo、碳奈米管等富勒烯。但，並不僅侷限該等材料。 陰極4的材料可使用鄰接於電子輸送層34的區域之功函 數較低’且陰極整體的反射及穿透損失較小 _ 、付枓。具體而 言’陰極4的材料可使用將a卜Mg、Ag、Al1 p & 八11、Ca、Li 等 金屬或其化合物、或含有該等的合金等，形成單層或經積 層後使用。又，有時亦在鄰接電子輸送層34的區域形成較 薄的氟化鋰或氧化鋰等，以控制電子注入特性。陰極4的厚 度係例如l〇nm。如前述，本實施形態係從成膜面側（即陰極 側)輸出光的頂部發光構造。所以，陰極4係對4〇〇〜 波長光的穿透率之平均值為例如20%以上的半穿透性電 極。穿透率例如可利用電極的膜厚等進行調整。另外，在圖 1與圖2中雖省略圖示，但陰極4係連接著拉出電極(配線 電極）。 當在陰極4上進一步積層密封膜的情況，例如可利用水蒸 氣或氧等穿透率較小的透明無機材料予以形成。作為密封膜 的材料’其一例可使用例如：氮化石夕（SiNx)、I氧化石夕 (SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮化鋁(AINx)等。 作為通稱「堤」的隔牆部5之材料，其一例可使用含有氟 成分的感光性樹脂。藉由含有氟成分，因為對液狀材料可發 揮撥液性，因而可抑制當使用塗佈法進行成膜時的液流動 099118693 11 201106775 (所謂「重疊(oVerlap)」）。且，隔牆部5較佳由依具 性的材料形成β b 再者，帶吸收渡波器_)6可使用例如具有略高斯形狀 之吸收特性的單一帶吸收之遽波器。帶吸收遽波器6若具有 下述吸收特性，财雜與材料並無限定。作為—例的帶吸 收濾波器6可藉由將薄膜狀或板狀濾波器黏貼於顯示面 上’且亦可使具有下述吸收特性的色素塗佈或附著於顯示面 上，而構成濾波器。但’因為屬於單一帶吸收的濾波V，玫 視以藍色⑻、紅色⑻、綠色⑼中何者作為對象色^盧波 器的吸收特性有所不同。以下的說明中，較佳例係針對^ 色⑻為對象色的情況進行說明。另外，以下說明中，為了 說明的便利，將發光強度成為最A的波長稱為「中心波長」。 如圖3所示，在以藍色⑻為對象色時，來自共振器構遠 的輸出光譜（以下稱「共振器輸出光譜」）S1之中心波長(紐) 係470nm±10nm。又，使其具±1〇nm範圍的原因為用於獲得 NTSC色純度的中心波長⑽依存於共振器輸出光譜以的 寬度與PL形狀。又，亦考慮因膜厚變動所造成的中心波長 (λΒ)之位移幅度。另-方面，比視感度紐的中心波長係依 明視覺標準計為555nm。此情況，本實施形態較佳一例係使 用具有吸收的t心波長〇a)為例如495nm之穿透光譜S2的 帶吸收濾波器6。更佳係當將基礎吸收設為〇%時，尖峰吸 收達60%以上。又，圖3所示係當形成如設計值的膜厚時， 099118693 12 201106775 通過帶吸收濾波器6並輸出光的光譜（以下稱「發光輸出光 譜」）S3。 更詳言之，帶吸收濾波器6的吸收光譜S2係接近共振器 輸出光譜si，且吸收率從共振器輸出光譜S1的中心波長(λΒ) 起朝長波長側呈單調性增加。然後，作為重要要素，較佳係 共振器輸出光譜S1中心波長附近之穿透率變化能充分抑制 輝度變動。具體而言’如圖4所示，在將中心波長(λΒ)的穿 透率设為Τ(0) ’並將距上述中心波長為+1 〇ηιη波長的穿透 率設為T(l〇)時’穿透率的比△τρτοογτ⑼]較佳為〇9以 下、更佳0.7以下、特佳0.6以下。 如上述’本實施形態係使用滿足上述吸收條件的帶吸收據 波器6，構成將從共振器構造所輸出的光之一部分更進一步 吸收的構造。即，構成為當共振器輸出光譜S1的中心波長 (XB)位移於高視感度侧(〜480nm)時，則依減少發光輸出的方 式’利用帶吸收濾波器6控制著中心波長(λΒ)附近的形狀， 而當中心波長(λΒ)位移致低視感度侧(〜460nm)時，便依增加 發光輸出的方式，利用帶吸收濾波器6控制著中心波長(沾） 附近的形狀。藉由形成該構造，例如即便膜厚偏離設計值在 士 10nm範圍内，導致共振器光程長出現變動，仍可抑制輝度 變動。此時，色度座標距NTSC色純度的偏移係在〇 以内、或屬於擴大NTSC色重現範圍的色度座標，滿足彩色 顯示用的良好色純度。 099118693 13 201106775 以下，參照更具體的模擬結果，針對輝度變動受抑制之事 進行說明。㉟’以下模擬結果係一例，並非對本實施形態進 行任何限定。 當共振H輸出光譜S1㈣，續長_設計值設為例如 472nm時，圖5(a)所示係臈厚偏離設計值—匕⑴時的模擬結 果。又’圖5(b)所不係成為依照設計值膜厚時的模擬結果。 又，圖5(c)所示係膜厚偏離設計值+ inm時的模擬結果。帶 吸收濾波器6係使用具有吸收中心波長(&)為5〇〇nm、吸收 係數σ為1 Onm的略尚斯形狀吸收特性者。穿透率的比 △T[=T(10)/T(0)]大約為 0.9。 另外，圖5所記載的各光譜内，光譜sl〇係帶吸收濾波器 6的穿透光譜，光谱S11係'通過帶吸收遽波器6並輸出的發 光輸出光譜。又，光譜S12係作為比較用，在未設置帶吸收 滤波器6時的發光輸出光譜。且，光譜sn係未使用共振器 構造而進行發光時，内部發光的光致發光光譜。又，膜厚在 .又十值附近進行增減時，將模擬正面輝度變化的結果示於圖 6 〇 如圖5的模擬結果所示，藉由使用滿足上述條件的帶吸收 滤波器6,當共振器輸出光譜&的中心、波長㈣位移於高 視感度側Η夺則控制為減少發光輸出，當中心波長⑽)位移 於低視感度側時，則控制為增加發光輸出。若依此進行控 制隹因膜厚的增減造成發光強度變動，但如圖6的模擬結 099118693 201106775 果相對於犋厚增減所造成的輝度變動將受抑制。即，當未 使用π及H皮s 6時，在設計值附近會因膜厚變化幻細 而發生±5%的輝度變化；相對於此，當使用帶吸《波器6 時，雖然設計值的輝度減少、1〇%左右，但相對於膜厚變化 士1則輝度變化被抑制至现左纟。另外，設計值係慮波 穿透後的發光針對輝度與色度進行了最佳化者。 另一例，圖7所示係使用具有吸收中心波長為495nm、吸 收係數^為1Gnm之略高斯形狀吸收特性的帶吸«波器6 時之模擬結果。穿透率的比ΔΤ[=Τ⑽⑽狀約q 7。此情 况，光4行為亦具有如同圖5的傾向，但穿透率之比值 減小之4刀，會隨臈厚增減而導致發光輸出變動幅度變大。 、’^果如圖8的模擬結果所示，相對於膜厚增減的輝度變 動，没计值的輝度雖減少2〇%左右，但相對於膜厚變化 ±lnm，輝度變化被抑制至±1%左右。即，藉由使用共振器 輸出光谱S1中心波長附近的穿透率變化較大之帶吸收濾波 器6，可更確實地抑制輝度變動。 另一例’圖9所不係使用具有吸收中心波長為495nm、吸 收係數σ $ i5nm之略高斯形狀吸收特性的帶吸收滤波器6 時之模擬結果。穿透率的比大約〇 6。此情 況’光譜行為亦具有如同圖5與圖7的傾向，但穿透率之比 △Τ值減j之。ρ刀’會隨臈厚增減而導致發光輸出變動幅度 變大。結果’如圖10的模擬結果所示，相對於膜厚增減的 099118693 15 201106775 輝度變動，設計值的輝度雖減少^ 35%左右，但可知在保持充 分十分色純度的情況下，輝度變各碰 文化幾乎為零。即，藉由使用 共振器輸出光譜S1中心波長附诉+ b 反咐近的穿透率變化較大之帶吸 收濾波器6 ’可更確實地抑制輝度變動。 圖Η所示係共振器輸出光譜S1令心波長⑽)的帶吸收滤 波器6之吸收變化率Ra、與相對於臈厚變動的輝度變化^ RL(%)間之關係模擬結果。吸收變化率Ra得中心波長㈣ 的吸收光譜斜率除以波長λΒ的吸收率，可依照^["畔 〔dA⑽胤〕从⑽的計算式㈣計算。又，輝度變化率 RL(%)係當將滿足NTSC色純度的最佳膜厚設為d〇時輝 度對鎖nm膜厚偏移的變化率。更詳言之，依照輝度變化 率RL[〇/〇]=〔 d0士2nm的輝度最大〜最少之差〕/〔⑽的輝度〕 xlOO而計算出之值。如目u所示的結果，藍色⑼發光元 件的吸收變化率RA[1/nm]較佳係_〇 〇1以下、更佳係以 下。 另外，圖1所示發光元件係利用反射電極與半穿透電極構 成第1與第2反射構件，惟並不僅侷限於此，亦可形成電極 之外的其他反射膜。此情況，電極之外的其他反射膜之靠元 件側的陽極與陰極，較佳係設為透明電極。 (第2實施形態） 本實施形態係第1實施形態的變化例’將利用帶吸收濾波 器6進行控制的對象色設為紅色(R)的實施形態。 099118693 16 201106775 如圖12所示，當以紅色(r)為對象色時，共振器輸出光譜 S1的中心波長（\R)係620±20nm。使其具±20nm範圍的原因 為用於獲得NTSC色純度的中心波長(XR)依存於共振器輸 出光譜S1的寬度與PL形狀。又，亦考慮因膜厚變動所造 成的中心波長〇R)之位移幅度。另一方面，比視感度光譜的 中心波長係依明視覺標準為555nm。此情況，本實施形態較 佳一例係使用具有吸收的中心波長(\a)為例如59〇ηιη之穿 透光譜S2的帶吸收濾波器6。更佳係當將基礎吸收設為〇0/〇 時’尖峰吸收達60%以上。又，圖12所示係當形成如設計 值的膜厚時，通過帶吸收濾波器6並輸出光的發光輸出光譜 S3。 更詳言之，帶吸收濾波器6的吸收光譜S2係接近共振器 輸出光譜si，且吸收率從共振器輸出光譜S1的中心波長(XR) 起朝長波長側呈單調性增加。然後，作為重要要素，較佳係 共振器輸出光譜S1中心波長附近之穿透率變化能充分抑制 輝度變動。具體而言，如圖13所示，在將中心波長(人r)的 穿透率設為τ(ο)，並將距上述中心波長為_1〇11〇1波長的穿透 率設為T(-l〇)時，穿透率的比^^[=7(-10)/1(0)]較佳〇.9以 下、更佳0.7以下、特佳0.6以下。 再者’如同圖11，共振器輸出光譜S1中心波長(XR)的帶 吸收濾波器6之吸收變化率Ra、與相對於膜厚變動的輝度 變化率RL(%)間之關係模擬結果，紅色(尺)發光元件的吸收 099118693 17 201106775 變化率RA[l/nm]較佳係+0.01以上、更佳係+0.02以上。 依此’即便以紅色(R)為對象色的情況，當共振器輪出光 譜S1令心波長(XR)位移於高視感度侧時，則發光輸出減少 的方式’而當中心波長(XR)位移於低視感度側時，則發光輪 出增加的方式，利用帶吸收濾波器6控制著中心波長(入 附近的形狀。所以，如同藍色(B)的情況，即便例如膜厚在 ±10nm範圍内偏離設計值，導致共振器光程長出現變動的情 況下，仍可抑制輝度變動。 (第3實施形態） 本實施形態係第1與第2實施形態的變化例，將利用帶吸 收濾波器6進行控制的對象色設為藍色(B)與紅色(R)二者的 實施形態。 即’準備具有第1實施形態吸收特性的帶吸收渡波器、 具有第2實;^態吸收特性的帶吸收滤波器等二者，並死 雙層積層的構造。此情況，可利用藍色⑻與紅色⑻未分 塗佈的纽器’則可獲得輝度變動抑制效果。但，並^ 限於雙層積層的構造，亦可形成分別配置於藍色^

(R)發光元件中的構造。若形成此種構造，可抑制藍色m 紅色(R)雙方的輝度變動。 I 再者’不僅偈限於準備2個滤波器，亦可使 i實施形態吸㈣性條件、與第2實卿態 = 方的雙帶吸收單-遽波器。 則 生條科 099118693 18 201106775 (第4實施形態） 另外，第1〜第3實施形態中’係針對改變電洞注入層31 的厚度，而調整RGB的共振器光程長為一例進行說明。但， 並不僅侷限於此，亦可如圖14所示，改變發光層33的厚度， . 而調整RGB的共振器光程長。 (第5實施形態） 再者’第1〜第4實施形態中，係以頂部發光構造的發光 元件為一例進行說明。但，ji不僅侷限於此種構造，如圖 15所示，亦可為底部發光構造。圖15所示係藉由將圖1的 反射電極21設為半穿透電極，將陰極4設為反射電極’而 形成底部發光構造的例子。此時的帶吸收濾波器6 ’係如圖 15所示，可配置於基板1上，或亦可使用如圖1所示濾波 器支撐基板7，而配置成與基板1呈相對向狀態。佴，並不 僅偈限於此種構造。 (第6實施形態） 接著，針對製造圖1所示RGB發光元件的順序，以其中 一例進行說明。 首先’使用例如蒸鍍或濺鍍法等依序形成反射電極21、 . 透明電極22。該等電極21、22的圖案化可依照例如光學微 影法實施。接著，將例如含有氟成分的感光性樹脂爹佈於基 板1上’經乾燥而成膜後’再利用例如光學微影法’形成具 有如圖1所示圖案的隔牆部5。例如在被動式的情况’係在 099118693 201106775 將電極21、22形成為條紋狀後，形成隔踏部5。另—方面， 例如在主動式的情況，則在每個驅動電路所連接的島狀上形 成電極2卜22後，再形成隔牆部5。 其次，將電洞注入層31的液體材料，使用例如喷墨噴嘴 等，塗佈於利用隔牆部5所區隔的區域内，使其乾燥而成 膜。關於電洞輸送層32、發光層33亦同樣地利用塗佈法， 對各70件每個施行分開塗佈而成膜。膜厚可利用例如液體材 料的塗佈量進行調節。接著，使用蒸鍍法，依序形成電子輸 送層34及陰極4。陰極4的圖案化可使用金屬遮罩等遮罩、 或利用隔牆部5的堤形狀實施。例如在被動式的情況，可將 陰極4圖案化為條紋狀。另一方面，例如在主動式的情況， 可不施行圖案化，形成所謂的平板電極。 最後，例如藉由將已黏貼薄膜狀之帶吸收濾波器6的濾波 器支撐基板7，配置於與取出發光的成膜面相對向之位置 處’可製得圖1與圖2所示之RGB發光元件。 如上述，根據第1〜第6實施形態，在具有共振器構造的 發光元件中，藉由使在來自共振器構造的共振器輪出光譜成 為最大值的波長、與比視感度成為最大值的波長之間，耳有 穿透成為最小值之波長的帶吸收纽器，並構成為使來自'共 振器構造的光之一部分更進一步波長選擇性穿透的構造，: 可抑制因共振器光程長的變動所造成的輝度變動。換&之 即便膜厚偏離設計值，因為輝度變動較少，因 ° 」1定膜厚變 099118693 20 201106775 動的容許幅度變寬廣，而可實現良率提升與低成本化。 依照上述實施形態的技術’除有機薄膜發光元件之外，亦 可適用於具有積層元件構造的無機薄膜發光元件（電場發 光、發光二極體）。又，亦可適用於將發光元件呈面朝上且 陣列化配置的發光型顯示裝置。又’亦可為從第1與第2 反射構件二側取出發光的構造。此外，不僅侷限於RGB三 色，亦可為單色、或雙色、或含有其他顏色。 以上，雖針對本發明根據具體的實施形態進行了詳細說 明，惟相關形式與細節的各種取代、變化、變更等，在不脫 逸申请專利範圍記載所規定之本發明精神及範壽之下均可 進行’此係該技術領域中具通常知識者可輕易思及。所以， 本發明In®並非限定於前述實施形態及所附示圖式，而應根 的記栽、及其均等涵義所規範。 【圖式簡單說明】 為本冬月較佳第1實施形態的RGB發光元件之縱剖 圖。 圖2為本發明較佳第1實施形態的RGB發光元件之平面 圖。 為色⑻為對象色的帶吸收濾波器之特性圖。 圖為以I色⑻為對象色的帶吸收滤波器之特性圖。 二上·述發光7L件的膜厚與發光光譜之關係圖 °為上述發光元件的膜厚與輝度之關係圖。 099118693 21 201106775 圖7為上述發光元件的膜厚與發光光譜之關係圖。 圖8為上述發光元件的膜厚與輝度之關係圖。 圖9為上述發光元件的膜厚與發光光譜之關係圖。 圖10為上述發光元件的膜厚與輝度之關係圖。 圖11為上述發光元件的帶吸收濾波器之吸收變化率與輝 度變化率之關係圖。 圖12為以紅色(R)為對象色的帶吸收濾波器之特性圖。 圖13為以紅色(R)為對象色的帶吸收濾波器之特性圖。 圖14為本發明較佳第4實施形態的發光元件之縱剖圖。 圖15為本發明較佳第5實施形態的發光元件縱剖圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 2 陽極 3 有機層 4 陰極 5 隔牆部 6 帶吸收濾波器 7 濾波器支撐基板 21 反射電極 22 透明電極 31 電洞注入層 32 電洞輸送層 099118693 22 201106775 33 34 51 52 發光層 電子輸送層 共振器輸出光譜 S3 吸收光譜 099118693 23

Claims (1)

1. 201106775 七、申請專利範圍： 1·一種發光元件，其特徵在於具備有： 共振器構造’其具有第1反射構件、第2反射構件、及配 置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層，並使 在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的光 之一部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進行 穿透；以及 帶吸收濾波器’係將利用上述第1反射構件或上述第2 反射構件’進行穿透的光之一部分更進一步穿透； 上述帶吸收濾波器的穿透成為最小值的波長，係位於來自 上述共振器構造的共振器輸出光譜成為最大值的波長、與比 視感度成為最大值的波長之間。 2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，上述共振器 輸出光譜成為最大值的波長係470±1〇11111範圍内； 將上述共振器輸出光譜成為最大值的波長中，上述帶吸收 遽波器的穿透率設為τ(〇)、將距成為最大值之波長+1〇細 之波長的穿透率設為Τ(10)時，穿透率的比訂卜丁⑽/丁⑽ 係0.9以下。 3. 如申請專利範圍第2項之發光元件，其中，上述穿透率 的比ΔΤ係0.7以下。 4. 如申請專利範圍第i i 3項中任一項之發光元件，其 中’上述T吸收遽波器的穿透變化率R』_〇叫^細]以下。 099118693 24 201106775 5. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，上述共振器 輸出光譜成為最大值的波長係620±20nm範圍内； 將上述共振器輸出光譜成為最大值的波長中，上述帶吸收 濾波器的穿透率設為τ(ο)’將距成為最大值之波長_i〇nm之 波長的穿透率設為T(-l〇)時’穿透率的比 係0.9以下。 6. 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中，上述穿透率 的比ΔΤ係0.7以下。 7. 如申請專利範圍第1、5及6項中任一項之發光元件， 其中’上述帶吸收遽波器的穿透變化率RA係+〇 〇 1 [l/nm]以 上。 8. 如申請專利範圍第1項之發光元件’其中，色度座標距 NTSC色純度的偏移MV係在〇·05以内、或屬於擴大NTSC 色重現範圍的色度座標。 9·一種顯示裝置’其特徵在於具備有： 多數共振器構造’其具有：第1反射構件、第2反射構件、 及配置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層， 並使在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振 的光之一部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件 進行穿透；以及 共通帶吸收濾波器’其將利用上述第1反射構件或上述第 2反射構件進行穿透的光之一部分更進一步穿透，且由上述 099118693 25 201106775 多數共振器構造共通； 其中，上述帶吸收濾波器的穿透成為最小值的波長，係位 於來自上述共振器構造的共振器輸出光譜成為最大值的波 長、與比視感度成為最大值的波長之間。 099118693 26