TW201043718A - Linear evaporation source device - Google Patents

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TW201043718A
TW201043718A TW98118280A TW98118280A TW201043718A TW 201043718 A TW201043718 A TW 201043718A TW 98118280 A TW98118280 A TW 98118280A TW 98118280 A TW98118280 A TW 98118280A TW 201043718 A TW201043718 A TW 201043718A
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TW
Taiwan
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source device
evaporation source
angle
linear evaporation
nozzle
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TW98118280A
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English (en)
Inventor
Shih-Wei Lee
Cheng-Hai Chiu
Wei-Min Huang
Ching-Ju Lin
Original Assignee
Axuntek Solar Energy Co Ltd
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Description

201043718 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 置’尤指一種可在大 鍍材料的利用率的坩 本發明係有關於一種線型蒸發源裳 面積的基板製作時,提高鍍膜的均勻性及蒸 鋼結構。 洛鍍I程(evap⑽tic)n卿_為在轉體元件 作、液晶顯不器元件的製作或太陽能電池元件的 被使用的方法’為了將半導體元件、液/a的 電池元件_作中所使用的_觸勻佈n ^能 缝制賴,絲秘蒸崎贿發 然而當基板尺寸越來越大時,其錢膜 i的挑=如何在基板上製作大面積且厚度均二 膜’一直是當前在量產上所面臨最大的問題。_貝度 為因應大面積量產的需求, 傳統的點綠源縣縣進行H積的相驗早期是從 的改良方法有:改變點基發 义彻點翁發源所延伸出來 發源的數目、以及改魏的形狀、增加點蒸 麵,但是這種方式在大面積且供較均勾的 厚不均或蒸鍍材料利用率低等問題重生產時仍有其限制,如膜 為因應大面積且大量生 源由點蒸發源改進為 程的而求,薄臈沉積的蒸鑛 進為線祕源。綠發源是採卿描方式進行 201043718 =蒸==:積式的生產’但其膜厚均勻性仍不佳 【發明内容】 面齡大量生絲料需求,本發明提出一種線 ^發源裝置’以在大面積的基板製作時,提高_的均勾性 及蒸鍛材料的利用率。
G
祕,本發明提出—種線型蒸發源裝置。該線型 鍋及喷嘴蓋體,鍋係容納-蒸鍍材料,藉 =加熱源加熱坩鍋使蒸鍍材料之分子蒸發,坩鍋係配置成 4 ’躲_為圓形或方形巧嘴蓋體係設 ί 錢細侃料,斜猶料接於該掛 _、卩,可健_—韻織人結合喷嘴 孤體’斜孔噴嘴與嘴嘴蓋體之中心線形成-夾角。 【實施方式] 本發明之實施例的詳細描述如下,然而,除了該詳細描述 外二本發日_可以廣泛地在其他的實關贿。卿,本發明 的減不受已提出之實施例的限制,而應以本發明提出之申請 專利範圍為準。 立再者’為提供更清楚的描述及更易理解本發明,圖示内各 。隔並沒有依照其相對尺寸繪圖,某些尺寸與其他相關尺度相 比已、’星被誇張,不相關之細節部份也未完全緣出,以求圖示之 201043718 二圖是顯;_賴置賴綱面圖,第 剖面圖,料:=t錢狀線錢發雜置W嘴蓋體 的掛鋼與_—It:本發明第—實細之線贿發源襄置 議可決定m 侧。本發明之線型蒸發源裝置
包含购ΐίΓ…料30的洛發方向該線型蒸發源裂置100 及噴嘴蓋體2G。請參閱第—圖,购1G 二鍍=料3G ’藉由細加熱源加熱職1G使蒸鍍材料3〇之 =‘、、、發’職1G細置成上謂口之筒狀結構 為圓形或方形。請參閱第二圖,嘴嘴蓋體2〇係由本體^構 蓋唇2〇2及複數個第—斜孔喷侧所組成,本物具=可 以向下結合的蓋唇2G2,蓋唇搬下端凹設之嵌槽咖可供掛 銷1〇上端筒壁欽結合喷嘴麵20,第-斜孔喷嘴2〇4連接 於掛鋼ίο。如第二圖所示,第一斜孔噴嘴2〇4可為可調節基 鍍材料30喷出方向之任何構造,第—斜孔喷嘴2_喷嘴苗 體2〇之中心線L形成-夾綱3,度角,以所蒸鍍薄膜的 均句性最佳即可蒸鍍之麵最大做選擇,其触角度為5〜2〇 度角,亦或者更佳角度為8〜15度角。請參閱第三圖,本發明 =線型蒸發源裝置100可決定蒸鍍材料3Q的蒸發方向,線型 蒸發源裝置1GG包含_ 1G及噴嘴蓋體2Q。其_ 1〇及喷 嘴蓋體20之結合已分述於前,此不再贅述如,如此即形成線 型蒸發源裝置100。 201043718 本實施例中可進一步包含複數個第二斜孔喷嘴2〇4,,如 第二圖所示。第二斜孔喷嘴204,配設於噴嘴蓋體2〇之中心 線L之另一侧,與噴嘴部2〇之中心線L形成一夾角g,,並 與第一斜孔噴嘴204相對應配置或交錯配置,且該等第一斜孔 喷嘴204之軸線與該等第二斜孔喷嘴2〇4,之轴線相交。 第四圖及第五圖是第三圖之A-A’線的剖面圖,顯示本發 明第一實施例之線型蒸發源裝置,喷嘴部20之外型可為圓形 〇 或方形,配合坩鍋10之外型即可。上述噴嘴蓋體20之外型或 坩鍋10之外型可根據實際功能需求而作調整,並不限定於上 述類型中。 第六圖是顯示本發明第二實施例之線型蒸發源裝置的噴 嘴皇體剖面圖’而第七圖是顯示本發明第二實施例之線型蒸發 源袭置的掛鍋與嘴嘴蓋體結合之剖面圖。本發明第二實施例之 ◎ 線型祕源裳置·之掛錯1()與第—實施例相同,嘴嘴蓋體 4〇係由本體40卜蓋唇402、複數個第-斜孔喷嘴4〇4及複數 ,第—斜孔噴嘴404’所組成。本體401具有可以向下結合的 蓋唇402,蓋唇4〇2下端外側配設階梯狀之套接段備,可供 坩鎢1〇上端筒壁套接結合噴嘴蓋體40,以形成線型某發源裝 置 100。 *第八圖是顯示本㈣第三實施例之線型紐源裝置的噴 、蓋體’而第九圖是顯示本發明第三實酬之線型蒸發 原装置的购射嘴紐結合之剖關。本發明第三實施例之 7 201043718 線型蒸發》置⑽之賴1Q與第—實施例相同,喷嘴蓋體 50係由本體5(Π、蓋唇502、複數個第一斜孔料5〇4及複數 個第二斜孔噴嘴5〇4’所組成,本體_具有可以向下結合的 蓋唇502,蓋唇502下端内側配設階梯狀之套接段5〇3,可供 職1G上端筒雜接結合倾蓋體5(),⑽成_蒸發源裝 置 100 〇 本發明以較佳之實施例說明如上,細於藉以幫助了解本 發明之實施以限定本發明之精神,而熟悉此領域技藝者 於領悟本㈣之精神後,在猶縣發明之精神範_,當可 飾及物之變化賴,其專利保護範圍當視後附 之申睛專利範圍及其等同領域而定。 【圖式簡單說明】 第—圖是顯示本發明之_蒸發職置的_剖面圖; 2圖是顯示本發㈣一實_之線贿發源裝置的喷嘴蓋 體剖面圖; 圖ί顯示本發明第一實施例之線型蒸發源裝置的掛鋼與 、盍體結合之剖面圖; 第四圖疋顯示第三圖之Α-Α,'線的剖面圖; 第五圖是顯示第三圖之Α-Α’線的剖面圖; ^圖是顯示本發明第二實施例之線型蒸發源U的喷嘴部 201043718 第七圖是顯示本發明第二實施例之線型蒸發源裝置的坩鍋與 喷嘴蓋體結合之剖面圖; 第八圖是顯示本發明第三實施例之線型蒸發源裝置的喷嘴蓋 體剖面圖;及 第九圖是顯示本發明第三實施例之線型蒸發源裝置的坩鍋與 喷嘴蓋體結合之剖面圖; ^ 【主要元件符號說明】 10 :坩鍋 20、40、50 :喷嘴蓋體 30 :洛鍵材料 100 :線型蒸發源裝置 201、 401、501:本體 202、 402、502 :蓋唇 203 :嵌槽 204 :第一斜孔喷嘴
Q 204’ :第二斜孔喷嘴 403、503 :套接段

Claims (1)

  1. 201043718 七 申凊專利範圍: 1.種線型蒸發源裝置,其包含: —相'銷,容納一蒸鍍材料, 之分子蒸發;以及 藉由加熱該坩鍋使該蒸鍍材料 噴嘴盍體,係設置於該i#锅之上方,呈右滿* 嘴’該等斜孔噴嘴連接麟_。 ^數個斜孔喷 置,其中該掛鋼 置,其中該筒狀〇 置’其中該噴嘴 2, 如申請專利範圍第1項所述之線型蒸發源裝 係配置成上方開口之一筒狀結構。 3. 如申請專利範圍第2項所述之線型蒸發源裝 結構為圓形或方形。 4·如申請專利範圍第1項所述之線型蒸發源裝 蓋體具有一嵌槽。 ===:述之線型蒸發源裝置’其中該嵌槽 6. 如申請專利範圍第1項所述之線型蒸發源裝置,射該等斜 孔噴嘴與該噴嘴蓋體之中心線形成一夾角。 7. 如申請專纖®第6項所述之線型蒸發源裝置,其中該夹角 為3〜40度角。 8. 如申請專利範圍第6項所述之線型蒸發源裝置,其中該失角 為5〜20度角。 9. 如申請補棚第6項所狀_蒸發雜置,其中該夹角 為8〜15度角。 10. —種線型蒸發源裝置,其包含: 一坩鍋,谷納一条鍍材料,藉由加熱該坩鍋使該蒸鍍材料 之分子蒸發;以及 201043718 一喷嘴蓋體,係設置於該坩鍋之上方,具有複數個第一斜 孔喷嘴及複數個第二斜孔喷嘴,該等第一斜孔喷嘴及該等第二 斜孔喷嘴連接於該坩鍋。 11. 如申請專利範圍第10項所述之線型蒸發源裝置,其中該坩 鍋係配置成上方開口之一筒狀結構。 12. 如申請專利範圍第11項所述之線型蒸發源裝置,其中該筒 狀結構為圓形或方形。 13. 如申請專利範圍第10項所述之線型蒸發源裝置,其中該喷 嘴部具有一嵌槽。 14. 如申請專利範圍第13項所述之線型蒸發源裝置,其中該嵌 槽係與該坩鍋一端筒壁相嵌合。 15. 如申請專利範圍第10項所述之線型蒸發源裝置,其中該等 第一斜孔喷嘴與該喷嘴部之中心線形成一第一夾角。 16. 如申請專利範圍第15項所述之線型蒸發源裝置,其中該第 一爽角為3〜40度角。 17. 如申請專利範圍第15項所述之線型蒸發源裝置,其中該第 一夾角為5〜20度角。 18. 如申請專利範圍第15項所述之線型蒸發源裝置,其中該第 一夾角為8〜15度角。 19. 如申請專利範圍第10項所述之線型蒸發源裝置,其中該等 第二斜孔喷嘴與該喷嘴部之中心線形成一第二夾角。 20. 如申請專利範圍第19項所述之線型蒸發源裝置,其中該第 二夾角為3〜40度角。 21. 如申請專利範圍第19項所述之線型蒸發源裝置,其中該第 二夾角為5〜20度角。 22. 如申請專利範圍第19項所述之線型蒸發源裝置,其中該第 11 201043718 一失角為8〜15度角。 =·二申請專利範圍㈣項所述之線型蒸發源裝置,其中該等 斜孔噴嘴之軸線與該等第二斜孔喷嘴之軸線相交。 24. —種線型蒸發源裝置,其包含: 掛鋼各納一蒸鍍材料,藉由加熱該掛鍋使該蒸鍍材料 之分子蒸發;以及 一噴嘴蓋體,包含: ,數個第—斜孔噴嘴,該科孔喷嘴連接於該掛鋼。 _配置峨纖置,其中物 24項所述之峨發觀,其中該筒 嫩之線嶋觀,其中糾 24彻狀_祕職置,其中該嵌 29·如申請專利範圍第24項所述之線型 第-斜孔嘴嘴與該喷嘴蓋體之中心線形成中该等 角範咖項所述之_發源裝置,其中該夹 3角1為如 ㈣猶狀線_發魏置,其中該夫 3角2為如8^2軸第29項所狀軸轉魏置,其中該夹 12 201043718
    33. 如申請專利範圍第24項所述之線型蒸發源裝置,進一步包 含複數個第二斜孔喷嘴,該等第二斜孔喷嘴與該喷嘴蓋體之中 心線形成一夾角。 34. 如申請專利範圍第24項所述之線型蒸發源裝置,其中該等 第一斜孔喷嘴之軸線與該等第二斜孔喷嘴之軸線相交。 13
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI472634B (zh) * 2013-04-01 2015-02-11 Everdisplay Optronics Shanghai Ltd 單點線性蒸發源系統

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