TW201040132A - Deuterated compounds for luminescent applications - Google Patents

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TW201040132A TW098143958A TW98143958A TW201040132A TW 201040132 A TW201040132 A TW 201040132A TW 098143958 A TW098143958 A TW 098143958A TW 98143958 A TW98143958 A TW 98143958A TW 201040132 A TW201040132 A TW 201040132A
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Norman Herron
Vsevolod Rostovtsev
Jeffrey A Merlo
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Du Pont
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Description

201040132 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於至少部分氘化之電活性化合物。本發明同 . _亦關於在内部之活性層巾包括至少-該種化合物的電子 裝置。 [申請相關資料] 本申請案根據35 U.S.C. § ll9(e)規定主張於2〇〇8年12月 22日申請之美國臨時申請案第61/139,834號與於20〇9年5月 7曰申凊之美國臨時申請案第61/176，141號所得享有之優先 權，上述臨時申請案之全文以引用之方式併入說明書中。 • 【先前技術】 • 發光之有機電子裝置，例如構成顯示器之發光二極體， 存在於許多不同類型之電子設備中。在所有此類裝置中， 有機活性層係夾於二層電接觸層之間。電接觸層中之至少 一者為可透光，因此光可通過該電接觸層。一旦在該電性 ❹’矣觸層上不同端施加電力’該有機活性層會發射光線，通 過該透光電性接觸層。 眾所皆知，有機電致發光化合物用以做為發光二極體中 的活性組分。簡單有機分子，例如蕙、噻二唑衍生物及香 豆素衍生物之可電致發光屬習知。半導體共軛聚合物同時 也已被用於作為電致發光組分，例如美國專利第5,247，19〇 . 號、美國專利第5,4〇8，Η)9號及已公開之歐洲專利中請案第 443,861號中揭露者。 不過，對於電致發光化合物仍持續存有需求。 145478.doc 201040132 【發明内容】 本發明提供一種化合物係選自由以下各者組成之群組： 雙（一芳基胺）蒽與雙（二芳基胺）筷，其中該化合物至少具 有一氣。 本發明亦提供-種包括—活性層之電子裝置，該活性層 包含上述化合物。 本發明亦提供一種化合物具有式〗或式π :
Ν
式I
(R1)b
式II 其中： 相同或不同，且係選自下列者所㈣ 鄰接以形成心6 -Μ基與芳基，其中相鄰Rl基團I 战夂或6-員脂族環；
Ar1至Ar4為相同或 ^ a於每次出現時為…且係選自由芳基所組成群组； 數；以及、’’’’目同或不同，其為一個介於0-4間之查 145478.doc 201040132 b於母次出現時為相同， 數. /不同其為一個介於〇_5間之整 其中至少有一氘。 本發明更揭露一種包括一 ^ . H ^ x 秸活性層之電子裝置，該活性層 包各具有式I或式II之—化合物。 【實施方式】
本文所揭示的各種態樣及實施例皆為例示性而並非為 限'!拘束。在閱讀本說明書後，熟習此項技術者瞭解在不 偏離本發明之料下，亦可能有其他態樣與實施例。 根據下面詳細說明與申請專利範圍，將使該等實施例中 之Γ個或多個實施例的其他特徵及益處更加彰顯。實施方 式首先說月術δ吾之疋義與闡明，隨後提出電活性化合物、 電子裝置及最後提出實例。 1·術5#的定義和闡明 在提出下述實施例之細節前，㈣某些術語加以定義或 闡明。 術π知私％」思指不具有非定域7Γ電子之環狀基團。 在某些實施例中’脂族環不具有不飽和性。在某些實施例 中’該環具有一個雙鍵或參鍵。 術語「烧氧基」係指基團⑽·，其中^烧基。 術π烷基」忍指衍生自具有一個連結點之脂族烴的基 團，其包括直鏈 '支鏈或環狀基團。該術語意指包括雜烧 基與氘化烷基。該術語涵義包含經取代與未取代之基團。 術語「烴烷基」指不具有雜原子之烷基。術語「氘化烷 145478.doc 201040132 基」為指至少一個可用氫為氘置換之烴烷基。在某些實施 例中’烷基具有1至20個碳原子。 ...... .....々伤烴的基 團。術語「芳族化合物」意指包括至少一個具有非定域冗 電子之不飽和環狀基之有機化合物。該術語涵義包括雜芳 基與氘化芳基。術語「烴芳基」意指環中不具有雜原子之 方族化合物。術語「芳基」包括具有單環的基團，與具有 由一單鍵或稠合方式鄰接之多環的基團。術語「氘化芳 基」係指至少一直接連結於芳基之可用氫原子，已為氘= 換之该方基。術語「伸芳基」意指衍生自具有兩個連註點 之芳族烴的基團。芳基部分之任何適當環位置皆可以^價 鍵連接至經定義之化學結構。在某些實施例中，烴芳基: 有3至6G個碳原子；在某些實施例中，其具有6至3〇個碳原 子。雜芳基可具有3至5()個碳原子；纟某些實施例中，其 具有3至3 0個碳原子。 ’、 術語「支㈣基」係指具有至少—個二級或三級碳原子 基。^^ —級院基」係指具有二級碳原子之支鏈院 :些：二：級烧基」係指具有三級碳原子之支鏈烧基。 '一…&歹’’支鏈烷基經由二級或三級碳原子連接。 意r談屉電何傳輸」’當係指—層、材料、構件或結構時 j材料、構件或結構有助於使電荷以相對有 管笋光材枓介 ，电子傳輸材料有助於負電荷。儘 先材枓亦可具有-些電荷傳輸性質，但術語「電荷、 145478.doc 201040132 電洞或電子傳輸層、材料、構件或結構」不意指包括主要 功能為光發射之層、材料、構件或結構。
Ο 術語「化合物」意指一未帶電荷的物質，其由分子構 成，該分子更由原子組成，其中該原子無法用物理方法互 相分離。當本文使用片語「鄰接於（adjacent t〇)」用以表 示一裝置中的層時，該片語「鄰接於」不必然指一層緊鄰 於另一層。另一方面，片語「相鄰尺基（adjacent R groups)」係用以表示在一化學式中彼此緊鄰之尺基。換言 之’相鄰R基係位於以一鍵結鄰接之數原子上。 術語「氘化」意指至少一可用之氫氘置換。χ%經氘化 之化合物或基團，表示有又％之可用氫為氘所置換。一化 合物或基團氘化意指，其氘含量至少為自然豐量之1〇〇 倍。 術語「電活性」指層或材料時，意指該層或材料電性上 有助於該裝置之操作。電活性材料之實例，包括但不限 於，包括可傳m、傳送纽礙電荷之材料，其中電 荷可為一電子或一電洞或可於發射輕射或接收輻射時，出 現電子-電洞對濃度變化之材料。非活性材料之實例，諸 :但不限於，包括平坦化材料、絕緣材料與環境隔絕材 字首「雜」表示一或多個碳原子已被不同原子置換。某 些實施例中，不同原子為N、〇或S。 、 ” :語「層」與術語「膜」可互換使用，且係指被覆所要 區域之塗層。該術語不受限於尺寸。該區域可與整個裝置 145478.doc 201040132 -樣大際視覺顯示器之特定功能區域一樣 小’或與單-次像素-樣小。可藉由任何習知沈積技術， 包括氣相沈積、液相沈積（連續及不連續技術）及熱傳遞， 形成層及膜。連續沈積技術包括但不限於旋轉塗佈、凹印 塗佈、簾塗佈、浸塗、狹縫模具式塗佈、喷塗及連續喷嘴 塗佈。不連續沈積技術包括但不限於喷墨印刷、凹印印刷 及網版印刷。 術語「有機電子裝置」或有時僅稱「電子裝置」意指包 含一或多個有機半導體層或材料之裝置。 術語「氧烧基」意指-雜烧基，具有—個或多個碳為氧 所置換。該術語包括經氧連接之基團。 術語「梦基」係指R3Si-基團，其中R為氯、氛、碳數紉 至20(C1-2G)的烧基、i烧基或芳基。在某些實施例中，城 基中之-個❹個碳為料置換。在某些實施例中石夕基為 (hexyl)2Si(Me)CH2CH2Si(Me)2-，x^[CF3(CF2)6CH2CH2]2SiMe-〇 術語「石夕氧烧」係指基團_而_，其中R為氯、氣、 碳數為1至20(Cl-20)的烷基或氟烷基。 除非另行指示’所有基團可以是取代的或未取代的。在 某些實施例中，取代基係'選自下列者所成群組n 素、烧基、烧氧基、芳基及氰基。—任意地經取代之基 團，例如但不限於，為經一個或多個相同或不同之取代^ 取代的烷基或芳基。其他合適取代基包括硝基、氰基、_ N(R’）(R")、羥基、羧基、烯基、炔 万礼基、烷氧羰 基、王鼠化烷基、全氟化烷氧基、芳烷基、矽基、矽氧 I45478.doc 201040132 烷、硫烷氧基、、_c(==〇)_N(R,)(R")、 (R，)(R’，)N-炫基、（R，)(R”)N4 氧烧基、（r,)(r，孤烧芳氧 烧基、-s(o)s-芳基（其中s=0_2)或-s(〇)s雜芳基（其中㈣_ 2)。各R|及R”分為視情況取代之絲、環院基或芳基。在 某些實施例中，R，與R"連同其所連接之氮原子可形^環系 統。取代基亦可為交聯基團。如本文中所使用，術語厂包 Ο 〇 含」、「包括」、「具有」或其任何其他變體，為涵蓋非 排他性包括。例如’含有清單列出的複數元件的—製程、 方法、製W裝置不-定僅限於清單上所列出的這些元件 而已，而是可以包括未明確列出但卻是該製程、方法、製 品或設裝置固有的其他元件。此外，除非另有明確說明， 否則「或」係指包含性的「或」，而不是指排他性的 「或」。例如，以下任何一種情況均滿足條件「A或 B」是真（或存在的）且8是偽（或不存在的），A是偽（或 不存在的）且B疋真（或存在的），以及八和6都是真（ 的）。 八仕 ―」或—個」來描述本文所述的元件和组 件。僅僅只是為了方便，並對本發明之範圍提供—般性的 瞭解。此描述應視為包括—或至少―，且㈣另有明顯之 相反陳述’否則此處之單數亦包括複數。 除非另作定義’否則本文中所用之所有技術及科學術語 具有與此項技術領域中具有通常知識者所瞭解相同的含 義儘g 4似或均等於本文所述之方法及材料可用於實施 或測試本發明，但適當之方法及材料描述如下。本文中^ 145478.doc 201040132 提及之所有公開案、專利申請案、專利及其他參考文獻以 引用的方式全部併人本文中。在有衝突之情形下，以本說 曰匕括疋義，為準。此外，該等材料、方法及實施例 僅係說明性質，而沒有意欲做限制拘束。
本文王文使用IUPAC編號系統，其中自左至右以【至j 8 編號表示週期表中之族（「化學與物理之CRC手冊（CRC
Handbook 〇f Chemistry and Physics)」，第 81 版，2000)。 2.電活性化合物 本文所述之化合物係具有至少一氘之雙（二芳基胺）蒽或 又（一务基胺）f矢。在某些實施例中’該化合物至少有1 〇% 經氘化；在某些實施例中，至少有20%經氘化；在某些實 施例中，至少有30%經氘化；在某些實施例中，至少有 4〇%經気化；在某些實施例中，至少有50%經氘化；在某 些實施例中，至少有60〇/〇經氘化；在某些實施例中，至少 有70。/。經氘化·’在某些實施例中，至少有8〇%經氘化；在 某些實施例中，至少有90%經氘化。 在某些實施例中，該電活性化合物具有式〗或式π :
145478.doc 10- 201040132
ArVAii
其中： R1於每次出現時為相同或不同，且係選自下列者所成群 組：氘、烷基、烷氧基與芳基，其中相鄰R1基團可互 鄰接，形成5 -或6-員脂族環；
Ar1至Ar4為相同或不同，且係選自由芳基所成群組； a於每次出現時為相同或不同，其為一個介於〇_4間之整 數；以及 b於每次出現時為相同或不同，其為一個介於〇_5間之整 數； 其中該化合物至少具有一氘。 在某些實施例中，該化合物可發出紅光、綠光或藍光。 、在某些式I與II之貫施例中，氘化作用發生在芳環上的取 代基上。該具有一氘化取代基團之芳基可為式丨之蒽基團 核心，或該式II之筷基團核心；或氮上之一芳基或一取代 芳基在某些實施例中’芳環上之氘化取代基係選自由下 ^者所成群組π基、芳基、炫氧基與芳氧基。在某些實 施例中，該化合物至少有10%經氖化；在某些實施例中， 至少有2〇%經氘化；在某些實施例中，至少有30%經氘 化’在某些實施例中，至少有4〇%經氛化；在某些實施例 145478.doc 201040132 二:至：有50%經氛化；在某些實施例中，至少有狐經 爪，在某些貫施例中，至少有7〇%經氛化；在某此實施 例中，至少有8〇%經氣化；在某些實施例中，至少一有嬉 經氘化I。 在f1與11某些實施例中，該氛化作用係發生於芳基Ar】 至Ar广何：個或多個上。此例t，Ar,iAr4中至少有一基 團為氣化芳基。在某此杳· A ., 在系些實施例中，Arl至Ar4至少有1〇%經 爪化。這表示與Ar】至Ar4之碳鍵結的所有可用氫至少有 〇 ⑽為氮所替換。在某些實施例中，每—芳環具有一些 鼠。在某些實施例中，传邱公而非％ 士 — Τ係邛刀而非所有芳環具有氘。在某 :實施例中，Α〜Γ4至少有鳩經氛化；在某些實施例 ’至少有3〇。/。經氣化；在某些實施例中至少有·經 ^匕，在某些實施例中’至少有5〇%經氖化；在某些實施 财，至少有㈣經氖化；在某些實施例中至少有鳩 經氘化；纟某些實施例中’至少有8〇%經氘化；在某些實 施例中，至少有90%經氘化。 〇 在式_之某些實施例中，氛化作用同時發生 與芳基上。 在某些實施例中，且式T血ΤΤ +几人Λ 八' II之化口物至少有1〇%經氘 在某些實施例中，至少有2〇%經氣化；在某些實施例 ^至少有30%經艮化；在某些實施例中，至少有鄕經 ^匕；在某些實施例中’至少有50%經氣化；在某些實施 财’至少有60%經氣化；在某些實施例中，至少-有鳩 經氘化；纟某些實施例中’至少有8〇%經氘化；在某些實 145478.doc -12- 201040132 施例中，至少有90%經氘化ι。 在式I某些實施例中，二個a均等於〇。 在式I之某些實施例中，至少一個a大於〇。在某些實施 例中-至夕一 R為一烴烷基。在某些實施例中，R1係為一 瓜化烧基。在某些實施例中，Rl係選自由下列者所成群 組：支鏈烴烷基與環烴烷基。 在式1之某些實施例中，aM且Ri為氘。 Ο 在式11中，與（R、之鍵結是要表示該R1基團可位於該二 稠合環之任何位置上。 在式1之某些實施例中I，二個b均等於〇。 在式II之某些實施例中，至少_bA_。在某些實_ 中’至J -R係為烴烧基。在某些實施例中，…係選自由 下列者所成群組：支鏈烴烧基與環烴烧基。 在式11之某些實施例中，b=5且R1為氘。 在某些實施例中，Arl至ΑΓ4中至少一者具有式111:
❹ R於每次出現時為相同或 群且係延自由下列者所成 群、、且"基、炫氧基、芳基、石夕基與石夕氧 相鄰R基團可互鄰接以形成芳環； 5 145478.doc • J3- 201040132
於每次出現時A 赵· "、、相同或不同’其為一個介於0-4間之整 d於母次出現時 數；以及為相同或不 m於每次出現時為相同或不 在某些實施例中，^至Μ ’其為一個介於0-5間之签 ’且為介於0至6之整數。 少一者具有式IV : 其中：
式IV 於母-人出現時為 兩相同或不同，且係選自由以下各者組 成之群組：寄 w 、 、燒基、烧氧基與芳基，或相鄰R2基團 可鄰接形成芳環； c於母次出現時i 4 、馬相同或不同’其為一個介於〇_4間之整 數； d於每次出現睹支 、為相同或不同’其為一個介於〇_5間之整 數；以及 m於每次出現時為 巧相同或不同’且為介於〇至6之整數。 在某些實施例φ . , 4
Ar至Ar係選自由以下各者組成之群 組：苯基、聯苯基 二本基，萘基，苯基萘基，萘基苯基 與聯萘基。 在某些實施例中 在某些貫施例中 至Ar4係經全氘化。
Ar1至Ar4係經全氣化。 除了位於終端芳基之一烧基外，Ar1 145478.doc • 14- 201040132 在某些實 二芳基胺基而呈對稱 二貫施例中，該化合物為依 於此例中，Ar1^、與Ar2=Ar4。 在某些實施例中，該化合物依二芳基胺基呈非對稱。此 例中，Ar1與Ar3及Ar4二者不同。在某些實施例中，Ar2與 Ar3及Ar4二者不同。 具有式I之化合物的某些非限定實例包括以下化合物E1 與E2 : 化合物E1 :
化合物E2
具有式II化合物之某些非限定例包括以下化合物E3至 E9 ： 化合物E3 : 145478.doc -15- 201040132
化合物E4 :
化合物E 5 :
化合物E 6 : 145478.doc -16- 201040132
化合物E8 :
E9 ： 145478.doc •17- 201040132
D Μ、 該未氘化類似化合物可藉由任何可產生碳_礙（c_c)或碳_ 氮（C-Ν)鍵之技術進行製造。有數種方法已屬習知，例如 Suzuki、Yamamot〇、Stille與經由pd_或催化碳氮鍵（c_ N)偶合專方法。新穎氘化化合物之製備方法可使用氘化前 驅物材料依類似方式製備，或更常見地係於路易士酸氫氘 (Η/D)交換觸媒（例如三氯化鋁或乙基氯化鋁）的存在下，以 氘化溶劑（例如d6-笨）處理未氘化化合物加以製備。例示性 製備方法於實施例中提供。氘化作用程度可藉由核磁共振 光碏分析與質譜法，例如大氣壓力固態分析探針游離質譜 法（ASAP-MS)予以測定。 本文所述化合物可使用液相沈積技術製造之。出人意表 地，與類似之非氘化化合物比較，該等化合物具有大幅改 良的性質。包括具有本文所述化合物之活性層的電子裝 置，具有大幅改良的使用壽命。此外，除使用時間得以增 長，也同時具有高量子效率與良好色彩飽滿度。此外，本 文所述之氘化化合物相較未氘化類似物，具有較大的空氣 耐文性。此可使得材料的製備與純化以及使用該材料形成 145478.doc -18- 201040132 電子裝置時’具有較大之加工耐受性。 本文所述之新穎氘化化合物其功用可作為電洞傳輸材 料、電致發光材料以及電致發光材料之主體。 3.電子裝置 . ,σ又皿於具有—個或多個包含本文中所述之電致發光材 料之層的有機電子裝置，諸如但不限於，包括⑴將電能轉 化成韓射之裝置（例如發光二極體、發光二極體顯示器或 〇 ’雷射)、(2)經由電子學上過程偏測信號之裝置(例如 f貞測器、光導電池、光電阻、光開關、光電晶體、光電 官、紅外線偵測器)、(3)將輻射轉化成電能之裝置(例如光 ' ㈣裝置或太陽能電池）及⑷包括-或多個包含-或多個 ^ =機+導體層之電子組件的裝置（例如薄膜電晶體或二極 體）。 r係顯示有機電子裝置結構之一例。裝置100具有一第 一電接觸層，即陽極層U〇,及一 〇 第—電接觸層，即陰極 曰 ，及"於其間之一電活性層140。、$ 一樓振層14“鄰近於該陽極者為 紱衝層120。鄰近於該緩衝層者為 夕雷、β I 3 1；洞傳輸材料 傳輸層130。鄰近於該陰極者可— 材料之泰之油从 為匕3電子傳輸 材枓之电子傳輪層15〇。作為 机右^ , 凌置可於該陽極110旁 δ 又有一個或多個其他電洞注入或 彳1 1寻輸層（未表示於圖 式)及/或於該陰極160旁設有一個或多個其 子傳輪層（未表示於圖式）。 或電 在—實施例中，不同層具有以下之厚度 層120至150可分別及共同稱為活性層 範圍：陽極 145478.doc -19· 201040132 110，500-5 000 A，在一實施例中為1000-2000 A ;緩衝層 120，50-2000 A，在一實施例中為200-1000 A ;電洞傳輪 層130，50-2000 A，在一實施例中為200-1000 A ;電活性 層 140 ’ 10-2000 A，在一實施例中為 100-1000 A ;層 15〇， 5 0-2000 A，在一實施例中為 100-1000 A ;陰極 160，200- 10000 A’在一實施例中為300-5000 A。每一層間的相對 尽度可影響電子-電洞再結合區在裝置中的位置，及因而 景夕響該裝置之發射光譜。層厚度之理想比率將視所用材料 之確切性質而定。 視該裝置100之應用而定’該電活性層140可為藉由外加 電壓激發之發光層（諸如在發光二極體或發光電化學電池 中），或為一在具有或不具有—外施偏壓下，可回應輻射 月匕里，產生信號之材料層（例如，在一光偵測器中）。光偵 測器之實例包括光導電池、光敏電阻器、光控開關、光電 晶體、光電管及光伏打電池，此等術語記述於—s， John所著之「電子學與核子學字典⑹咖⑽ Nucleonics Dictionary) Δ 470 f ^ ^ 4V6 w (McGraw_
Hill，Inc· 1966)。 ^某些實施例中，新穎氖化化合物可用為層⑽之電洞 傳輪材料。於某些實施 料.^附加層包含一氖化材 1某i貫施例中，該附加層係為緩衝層12〇。在某些 貫施例中，該附加屏 、— 層係為电活性層140。在某些實施例 中该附加層係為電子傳輸層15〇。 在某些實施例中，該新穎氖化化合物係用為電活性層 145478.doc -20· 201040132 140中電活性材料的 材料亦經氖化。某此:料。在某些實施例令，該發光 材料。在某些實施；;施：中’至少有一附加層包括氛化 些實施例中H ，该附加層係為緩衝層120。在某 例中，該附加層係為電子傳輸在某些實施 在某些實施例中，兮b Ο 〇 140中之電活性材料二：員广化化合物係用為電活性層 電活性層中。在某也實實施例中，—主體也存在於 某些實施例中，至：Γ例中，該主體材料亦經氛化。在 犧，該附加層係為緩衝層12。。在苹二：某些實 附加層係為電洞傳輪 f某…例中，該 係為電子傳輸層150。 -些貫施例中，該附加層 ::些實施例中’該新賴氖化化 傳輸材料層15〇。在某些實施例中，至少有Γ 氘化材料。在某此實"心 S-有-附加層包括 某些與施例φ，Γ 附加層係為緩衝層⑶。在 : 1 °亥附加層係為電洞傳輪層130。在苹此實 知例中’該附加層係為電活性層140。 — 传=1貫把例中，—電子裝置中具有氖化材料之層組合 下各者組成之群組·'緩衝層、電洞傳輪層、電 活性層與電子傳輪層。 和屢冤 幫中’該等電子裝置製造令加入附加層，以 功能。任何或所有該等層皆可包括氖化材 某些實施^施例中:所有有機裝置層包含氛化材料。在 ' 所有遠等有機震置層主要組成為說化材 145478.doc -21· 201040132 料。 a.電活性層 本文所述之該新穎氖化化合物係用為層i辦的電 材料。該化合物可單獨使用或與-主體材料1使用 在某些實施例中’該電活性層主要組成為一主體材料盘 本文所述之該新穎氘化合物。 〃 在某些實施例中，該主體係為一 门又-稠合％芳族化合 物。 σ 在某些實施例中，該主體係Α — 蒞你马恩订生化合物。在 實施例中該化合物具有式： ’'二
An - L - An 其中：
An係為蒽部分，· L係為一價連結基團。 在=某：實施例中，L係為單鍵，_〇_， :-方基。在某些實施例中，An係為 基部分。 、土 4 —本％ 在某些實施例φ _ ^ ^ _ 捫T，5亥主體具有式：
A - An - A 其中’·
An係為蒽成分. A於母次出現昨劣 乂宜此鲁同或不同’且係為-芳族基。 在某些實施你丨士 _ 中，該人基團附接於該蒽部分之9-盥1(M 置。在某些眘^ ，、ιυ-位 …Μ列中，Α係選自由下列者所成群組：萘 145478.doc -22· 201040132 基、萘基伸苯基與萘基伸萘基組成。在鞏 牧呆些賞施例中該化 合物係對稱，與某些實施例中該化合物係非對稱。° 在某些實施例中，該主體具有該式：
Ο 其中： 於每次出現時為相同或不同，且係、選自由以下各 稠二氣、芳族基、燒基與婦基或代表-或多個 數 Ρ於每次出現時為相同或不同，其為_個介於Μ間 之整 在某些實施例中，該蒽衍生物 中，ρ=2且q=1。 f非對稱。某些實施例 ❹ 在某些實施例中，A、A2至少— 中’有再附加之取代基。 卒土某些貫施例 在某些實施例中’該主體係 群組： 竹、自由以下各者組成之 H1
145478.doc •23- 201040132 H2
與上述之組合。 本文所述之新穎氣化化合物，除了 電活性材料外，亦可於 、電活性層中用為 m 電活性層140中用為1他m 材料之電荷攜帶主體。在某此實 〜他電活性 組成為該新穎氣化材料與—或多種電活性材料。層主要 b.其他裝置層 裝置中之其他層可由任何已知適 成 < 用於D亥專層之材料製 琢險極層1 1 〇係一對於注正 冤何載子特別有效的電 極。其可由例如’含有金屬、混合金屬、合金、金屬氧化 物或混合金屬氧化物的材料製成，或者其可為一導電聚合 物’或它們的混合物。適合之金屬包括第u族金屬、第4 至6族之金屬及第8至10族過渡金屬。若該陽極係可透光， 則通常使用第丨2族、第13族及第14族金屬的混合金屬氧化 物，例如通常使用氧化銦錫。陽極丨1〇亦可包括一有機材 料，例如「由可溶性導電聚合物構成之彈性發光二極體 (Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer)」’自然雜誌，第 357 卷，第 477.479 頁 (1992年6月11日）中所述聚苯胺。陽極及陰極至少其中之 被期望應至少部分透明，以便於觀察所產生的光。 145478.doc -24- 201040132 該緩衝層12〇包含緩衝材料，且可在一有機電子裝置内 具有一或多個功能，包括但不限於，使其下之層平坦化、 電荷傳輸及/或電荷注入特性、清除像是氧或金屬離子之 _ ㈣，以及其他有助於增進該有機電子裝置性能的功能。 緩衝材料可為聚合物、寡聚物或小分子。其可為氣相沈 積，或從溶液、分散液、懸浮液、乳狀液、膠態混合物或 其它組成物形式的液體中沈積。 0 A m人層可用聚合材料’如聚苯胺（PANI)或聚乙烯 二氧嗟吩（PEDQT)加以形成，該等聚合材料經常摻雜質子 酸。該質子酸可以是例如聚苯乙嫦續酸（p〇iy (_妨㈣1聚（2_丙稀醯胺_2_甲基小丙確酸） • (P〇ly(2-acrylamid〇-2-methyl-l-propanesulf〇nic acid))及類 似者。 該緩衝層可包括電荷傳輸化合物及類似者，如銅酞青 (copper phthal〇Cyanine)與四硫富瓦烯_四氰基醌二甲烷系 ◎ Λ (tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane > TTF- TCNQ)。 在某些實施例中’該緩衝層包含至少一導電聚合物及至 少一氟化酸性聚合物。該等材料已描述於例如已公開之美 國專利申請案第2004-0102577號、第2004-0127637號及第 2005/205860號中。 在某些實施例中，本文所述該新穎氘化化合物具有電洞 傳輸材料功用。用於電洞傳輸材料層13〇之其他電洞傳輸 材料之貫例已例如γ Wang之Kirk-Othmer化工技術百科全 145478.doc -25· 201040132 書（Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology)， 第四版，第18卷，第837-860頁，1996中概述。使用電洞 傳輸分子及聚合物均可。常用之電洞傳輸分子為：N，N，-二苯基-Ν，Ν·-雙（3 -甲苯基）-[1，1·-聯苯]-4,4'-二胺（TPD); 1，1_雙[(二-4-甲苯胺基）苯基]環己烷（TAPC) ; N，N，-雙（4-曱 苯基）-N，N'-雙（4-乙基苯基）-[1，1’-(3,3’-二曱基）聯苯]_4,4·- 胺（ETPD);四-(3-曱苯基）-N,N,N，，N，-2,5-伸苯二胺 (PDA) ; α-苯基4-N，N-二苯胺苯乙烯（TPS);對（二乙胺）苯 甲路一本腙（DEH);三苯胺（τρα);雙[4-(N，N-二乙胺）-2-甲苯基](4-甲苯基）曱烷（MPMP) ; 1-苯基_3_[p_(二乙胺）苯 乙烯]-5-[對（二乙胺）苯基]〇比0坐淋（PPR或DEASP) ; 1,2-反-雙（9H-咔唑-9-基）環丁烷（DCZB) ; n，N，N，，N，-四（4-曱苯基）-(1，1'-聯苯）-4,4，-二胺（ΤΤΒ) ; N，N'-雙（萘-1-基(苯 基）聯苯胺（α-ΝΡΒ);以及如銅鈦青之紫質化合物。一般常 用之電洞傳輸聚合物為聚乙烯咔唑、（苯曱基聚矽烷及聚 苯胺。亦可藉由將上述提及之電洞傳輸分子摻雜於例如聚 苯乙烯（polystyrene)及聚碳酸酯（p〇lycarb〇nate)之聚合物 中，以獲得電洞傳輸聚合物。在一些情況中，使用三芳胺 聚合物，尤其係三芳胺_荞共聚物。在某些情況中，聚合 物或共聚物係可交聯。可交聯電洞傳輸聚合物之實例可見 於，例如，已公開美國專利申請案第2〇〇5 〇184287號與已 公開PCT申請案第㈣扇湖助號。在某些實施例中， 電洞傳輸層摻雜有p_摻雜劑’例四氟四氰基醌二甲烷 (tetrafluorotetracyan〇quin〇dimethane)和 茈-3,4,9，l〇-四叛 145478.doc -26- 201040132 酸-3,4,9，l〇-二軒。 在某些實^例中’本文所述之該新穎說化化合物具有電 子傳輸功用。可用於層15〇之其他電子傳送材料之實例包 . 括金屬螯。類。亏辛化合物’例如參(8-羥基喹啉基)鋁 • (Alq3) ’雙（2-甲基_8_喹啉基）（對苯基-苯酚基）鋁（ΙΠ) (BA1Q) ’及唾化合物，例如2-(4-聯苯基）-5-(4-三級丁基苯 ' 基）_1，3,4-噁二唑（pBD)及3-(4-聯苯基）_4_苯基_5_(4_三級丁 0 基本基）_1，2,4_三唑（TAZ)及U，5-三（苯基-2-苯并咪唑）苯 (TPBI) ’喹喏啉衍生物，例如2,3-雙氟苯基）喹喏啉；啡 啉何生物，例如9，10_二苯基啡啉（DPA)及2,9-二甲基-4,7-- 二苯基-1，10-啡啉（ddpa);及其混合物。電子傳輸層亦可 • 摻雜&摻雜劑如鉋（Cs)或鹼金屬。層150可用於促進電子傳 送，且亦用作緩衝層或限制層以阻止層界面處之激子淬 滅。較佳地，此層可促進電子遷移率且降低激子淬滅。 陰極160為對於注入電子或負電荷載子尤其有效之電 ❹ 極陰極可為具有比陽極低之功函數的任何金屬或非金 屬°陰極之材料可選自第1族鹼金屬（例如Li、Cs)、第2族 (鹼土）金屬、第12族金屬，包括稀土元素及鑭系元素，及 婀系元素。可使用諸如鋁、銦、鈣、鋇、釤及鎂以及其組 . 合之材料。含Li、Cs之有機金屬化合物、氟化鋰（LiF)、氟 化铯（CsF)、及氧化裡（LhO)亦可沈積於有機層與陰極層之 ' 間’以降低操作電壓。 在有機電子裝置中具有其他層屬習知。例如，在陽極 110與緩衝層120之間可存在一層（未圖示）以控制注入之正 145478.doc -27- 201040132 電荷之量及/或提供層之能帶隙匹配，或用作保護層。可 使用此項技術中習知層’例如銅酞青、氮氧化矽、氟碳化 物、矽烷或超薄金屬層（例如Pt)。或者，陽極層ιι〇、活化 層120、130、140及150’或陰極層16〇中之某些層或所有 層可選擇經表面處理，以增加電荷载子傳送效率。對用於 各組成層材料之選擇較佳係選擇可平衡發射體層中之正及 負電荷，使裝置具有高電致發光效率者。 應瞭解各功能層可由一個以上之層構成。 可藉由多種技術製備該裝置，包括個別層在合適基板上 進行之序列式氣相沈積。可使料如玻璃1膠及金屬之 基板。可使用例如熱蒸鍍、化學氣相沈積等之習知氣相沈 積技術。或者，可使用習知塗佈或印刷技術，自適合溶劑 中，以溶液或分散液塗敷有機層’該等技術包括但不限 於’旋轉塗布、浸S、捲繞技術、噴墨印刷、網版印刷、 凹版印刷等技術。 t獲得高效發光：極體（LED)，電洞傳輸材料之最高佔 有刀子執域（HOMO)被期待與陽極之功函數相配，電子傳 輸材料之最低未佔用分子軌域（LUM〇)被期待與陰極之功 函數相配。材料之化學相容性及昇華溫度在選擇電子傳送 材料及電洞傳送材料時亦為重要之考慮因素。 ，瞭解本文所述該筷化合物製成之裝置的效率，可進一 步错由優化裝置中之其他層獲得改良。例如，可使用更有 丟極例如Ca、Ba或氟化鋰(LiF)。亦可應用成型基 板及新#、電洞傳送材料，以使操作電壓降低或增加量子效 145478.doc -28- 201040132 以產生各種不同層之能階，此有助 率。亦可增添附加層， 於電致發光。 光致發光，且本發明化合 ’例如氧敏感指示器及生 本發明之化合物為發螢光及可 物可適用於除OLED之外之應用 物檢定中的螢光指示器之應用中 實例 ‘ 以下實例說明本發明之某些特徵及優點。其用以說明本 〇 發明，而非限制本發明。除非另有說明，否則所有百分比 率係指重量百分比。
比較實例A 此實例描述製備一 A 〇 未氘化電致發光材料之對照化合物
(a)製備1-(4-三級丁基苯乙烯基）萘 一烤箱烘乾500 ml三頸圓底燒瓶，設有磁性攪拌棒、添 加漏斗與氮氣入口接頭。該圓瓶中加入氯化（丨_萘基甲基） 二苯基鱗（12.07 g，27.5 mmol)與200 ml無水四氫咬喃 (THF)。將氫化納（1 · 1 g，25 mmol)力σ入。該混合物變成亮 橘色，室溫下攪拌留置過夜。將4-三級丁基-苯甲醛（7.^ g ’ 25 mmol)之無水四氫呋喃（THF)(3 0 ml)溶液倒入該附有 145478.doc -29- 201040132 插管之添加漏斗。將該無水溶液於45分鐘内以滴加方式加 入該反應混合物中。於室溫下攪拌該反應物24小時(橘色 消失）。加入矽膠至該反應混合物中，藉減壓方式移除揮 發物。使用具有5-10%二氯曱烧之己烧，藉由石夕膠柱層析 法純化該粗產物。該分離產物為順式與反式異構體（6 3 g，89%)之混合物，混合物係不經分離使用。該結構以咕 NMR碎認。 (b)製備3_三級丁基筷 於δ又有氮氣入口與授拌棒之一升之光化學容器中，將 (4-二級丁基苯乙烯基）萘（4.0 g，14〇 mm〇1)溶解於乾曱苯 (H)中。一瓶乾環氧丙烷於冰水中冷卻，接者以注射器抽 出100 ml之該環氧化物加至該反應混合物中。最後加入碘 (3·61 g，14.2 mm〇l)。冷凝器連接於該光化學容器頂部， 打開鹵素燈（Hanovia，450 W)。可藉由反應混合物顏色消 失得知已沒有蛾存在於反應混合物中，此時關閉鹵素燈以 終止反應。該反應於3.5小時内完成。於減壓下，移除甲 笨與過量環氧丙燒產生一暗黃色固體。使用小量具有 一氯曱烧之己烧溶解粗產物，流過4忖中性蓉土充填物， 使用具有25%一氯曱烧之己烧（約1升）清洗。移除揮發物產 生3_三級丁基筷，呈黃色固體3·6 g (91%)。該結構係以丨H NMR破認。 (c)製備6,12-二溴-3·三級丁基筷 將3-三級丁基筷（4.0 g’ 14.1 mmol)與磷酸甲酯（11〇 ml) 加入到一 500 ml圓瓶燒瓶中。於加入溴（4.95 g，31 mmol) 145478.doc -30· 201040132 後，將一回流冷凝器連接到該燒瓶，於1 〇5 〇C油浴中擾拌 反應混合物一小時。一白色沈澱物係幾乎即刻形成。反應 混合物倒在少量冰水上（100 ml)以進行準備。該混合物藉 由真空過濾並以水充分清洗。該產出深色固體係於真空下 . 乾燥。該粗產物於甲醇（100 ml)中煮沸，冷卻到室溫並再 度過;慮’產生3.74 g (60%)白色固體。該結構係以iH nmr 確認。
(d)製備3-三級丁基_ N6，N6，Ni2，ni2_四苯基筷_6，丨2_二胺對 照化合物A 於一乾燥箱中，6,12-二溴-3-三級丁基筷（〇8§，181 ， mm〇1)與二苯胺（1.22 g，7.2 mmol)同加入於一 5〇〇 ml 圓形 - 燒瓶中，溶於10 ml乾曱苯。2-聯苯基_二_三級丁基膦 (0.072 g，〇.〇4 mmol)與三（二亞苄丙酮）二鈀（〇)(〇〇36 g， 0.02 mmol)，溶於5 ml乾甲苯中並攪拌1〇分鐘。將該催化 溶液加入該反應混合物中，攪拌1〇分鐘，接著加入三級丁 〇 醇鈉（0.35 g，3.62 mmo1)與5 ml乾甲苯。過另10分鐘後， 該反應圓瓶移出該乾燥箱中，連接到一氮氣管，於U(rc 下攪拌過夜。隔日，反應混合物冷卻至室溫，藉由填有矽 膠與矽藻土之一二吋栓塞過濾之，用500 ml二氯曱烷清 洗。藉減壓移除揮發物並產生暗棕色油。該粗產物藉由矽 膠快速層析法使用Biotage公司之lS0lera純化系統進行進一 步純化。該產出固體以曱醇清洗，接著以熱己烷再結晶產 生0.26 g (25%)之該產物。該結構係以iH NMR確認。 實例1 145478.doc -31 - 201040132 此貫例描述製備—具有式π之化合物E3。
此化合物係藉由6,12_二溴_3_三級丁基筷與二（全氘代苯 基）胺，使用該上述比較化合物A之製備過程加以製備。產 量〇.37 g (36%)。該化合物E3結構係以1HNMR確認。
對照實例B 此κ例彳田述製備一未氘化電致發光材料之對照化合物b
將0.45 g之2,6_二-三級_ 丁基_91〇_二溴蒽（ι爪岣 (Mu.ller，U.; Adam，Μ·; Mu Uen，K Chem Ber 1994， 127 ’ 437-444)放人置於充滿氮氣之套手工作箱内的圓底燒 瓶中加入〇·38 g (2·2 mM)二苯胺與〇.2 g三級丁醇鈉（2 mM)與 40 mL 曱苯。〇·15 g Pd2DBA3 (〇 15 福）與〇 〇7 § P(t-Bu)3 (0.3 mM)溶於10 mL曱苯中並加入該第一溶液進 行攪拌。當所有材料相混合，溶液會慢慢放熱變成黃棕 色。於8(TC下於氮氣手套工具箱中授拌並加熱該溶液_小 145478.doc •32- 201040132 時。該溶液立刻變成暗紫色，而到達〜8〇t時成為帶有明 顯綠色榮光之暗黃色。&卻到室溫後’將該溶液由該手套 工具箱移開，藉由一鹼性礬土充填物以甲苯沖提過濾，產 生亮黃色帶。以甲苯/甲醇進行蒸發與再結晶，藉由卜Η NMR確認該預期產物產出量0.55 g。 實例2 此實例描述製備一具有式I之化合物E1。
. 此化合物製備係藉由9，1〇_二漠-2,6二-三級丁基蒽與二 (全氘代苯基)胺’使用該上述對照化合物B之製備過程製 備。產量〇.55g。該化合物E1結構係經1HNMR確認。
實例3與對照實例C 〇 該#實例T 具有藍光發射體裝置之製備與效能。該所 使用材料如以下： P1
145478.doc -33- 201040132
HI
該裝置於玻璃基板上具有以下結構： 陽極=氧化銦錫（ITO) : 50 nm 緩衝層=缓衝液1(50 nm)，為一導電聚合物與一聚合氟 化磺酸之水性分散液。該等材料已描述於例如已公開之美 國專利申請案第2004-0102577號、第2004-0127637號及第 2005/205860號中 〇 電洞傳輸層=聚合物P1 (20 nm) 電活性層=13 :1主體Η1 :換雜劑（40 nm) 電子傳輸層=金屬喹啉衍生物（1 〇 nm) 陰極=CsF/Al (0.7/100 nm) 藉由溶液加工處理及熱蒸錢技術之結合製造〇LED裝 置。使用來自薄膜裝置公司（Thin Film Device, Inc)之圖案 化氧化銦錫（ITO)塗布玻璃基板。此IT〇基板係基於塗布有 ΙΤΟ之Corning 1737玻璃，其具有30歐姆/平方的薄片電阻 及80%的光透射率。在含水清潔劑溶液中以超音波清潔該 圖案化ITO基板，並以蒸餾水加以沖洗。隨後，在丙_中 以超音波清潔該圖案化ITO，以異丙醇潤洗，然後在 流環境中乾燥。 ' 在將要製造該裝置前’以紫外光臭氧(uv 〇z〇ne)處理气 已清潔之圖案化ITO基板10分鐘。在冷卻之後，即刻將= 145478.doc -34- 201040132 衝液丄之水性分散液旋塗於⑽表面且加熱以移除溶劑。於 冷部之後，接著以一電洞傳輸材料之溶液旋塗該基板’狹 後再加熱以移除溶劑。冷卻後，用發㈣溶液旋塗該基 . 板，且加熱以移除㈣卜進行基板掩膜，並置於真空室 •中。藉由熱蒸鍍沈積電子傳送層，隨後沈積氟化鉋二) 層。接著在真空中改變掩膜，且藉由熱蒸鑛沈積彻。將 真空室排氣，且使用玻璃蓋、乾燥劑及紫外光固化環氧化 〇 4刚！置° 藉由里/則下列數據來特定有機發光二極體樣本特徵⑴ 電流-電壓（Ι·ν)曲線、⑺電致發光輻射相對於電屢及⑺電 . 纟發光㈣相對於電壓。所有三種測量同時進行且由電腦 自制。該裝置在特定電壓下之電流效率係藉由將LED之電 致發光輻射除以運行裝置所需之電流密度來確認。單位為 cd/A。該功率效率為電流效率除以操作電壓。該單位為 lm/W❶該裝置數據示於表！。 〇 表1·裝置效能 實例 摻雜劑 CE icd/A] 電壓 (V) CIE fxl CIE M Lum. V% Life ihl Comp. Ex. C ^對照化合物A 2.9 4.9 0.144 L·/ J 0.080 「400 Ex. 3 化合物E3 2.9 4.9 0.145 0.081 1175 所有數據均在1000流明（nits)下取得，CE=電流效率； CIEx與 CIEy 為根據 c.I.E.色度（Commission Internationale de L'Eclairage ’ 1931)之 χ、y 色彩座標。Lum· % Life係一 裝置達到初始發光強度一半時的時間（以小時計） 145478.doc -35- 201040132 使用該具有式II之筷摻雜劑所製之裝置的使用壽命，顯 著優於以對照比較化合物A所製之裝置使用壽命。
實例4與對照實例D 該等實例示範具有綠光發射體裝置之製造與效能。 該裝置於玻璃基板具有以下結構： 陽極=ITO (180 nm) 緩衝層=緩衝液1 (50 nm) 電洞傳輸層=聚合物P1 (20 nm) 電活性層=13:1主體HI :摻雜劑（60 nm) 電子傳輸層=金屬喹啉衍生物（1〇 nm) 陰極=CsF/Al (1.0/100 nm) 如上述實例3所製造之〇led裝置。該裝置數據（三裝置 之平均）表不於表2。 實施例 摻雜劑 Comp. Ex. D 對照B Ex. 2 化合彳 表2.裝置效能 CE tcd/A) CIE ryl Lum. Vi Ufe fhl 0.61 19,494 0.60 56,670 ^ 心„雜別所製之裝置的使用壽命， 顯著優於使用對照化合物_製裝置的使用壽命。 了庄心的疋以上—般性描述或實例中所述之動作並# 都疋必要的，一部份呈體叙你1 ^ m λ ^ 、 可以是不必要的，除了所述 的那些活動以外，可進行— w 夕個其他動作。此外，所列 動作順序不必然是執行這肽 —初作的必然順序。 145478.doc • 36 · 201040132 在上述說明中，已描述關於特定實施例之概念。然而， 此項技術領域中具有通常知識者應瞭解，在不偏離如以下 申請專利範圍中所闡述之本發明之範疇的情況下可進行各 _ 料改及變更。因此，本說明書及附圖應視為說明性，而 . 丨應視為限制性，並且所有此類的修改皆屬本發明範_之 内。 前文已描述關於特定實施例之效益、其他優點及問題解 〇 》方案n效益、優點、問題解決方案，以及可能產 生或彰顯任何這些效益、優點或問題解決方案的任何特 徵，不可解釋為是任何或所有專利申請範圍之關鍵、必需 • 或基本特徵。 - 應明白’為清楚起見而在上文及下文所述之不同實施例 内容中說明的本發明之特定特徵，可結合於單一實施例 中。反之，為了簡明扼要之故，而在單一實施例内容中說 明的本發明之各項特徵，也可分開出現於任何子組合中。 Ο 此外，m圍内描述的相關數值係指所述範圍内的每個值。 【圖式簡單說明】 在所附®式中描述實施例’以增進在此所呈現之觀念的 理解。 圖1包括一有機電子裝置之實例的說明。 熟習此項技術者應瞭解圖式中之物件係為達成簡單及清 楚之目的而說明的且未必按比崎製。例如，該等圖式中 之某些物件的尺寸相對於其他物件可能有所放大，以有助 於對實施例的暸解。 145478.doc -37· 201040132 【主要元件符號說明】 100 裝置 110 陽極層 120 缓衝層 130 電洞傳輸層 140 電活性層 150 電子傳輸層 160 陰極 145478.doc -38-

Claims (1)

  1. 201040132 七、申請專利範圍： 化δ物係選自由以下各者組成之群組：一雙（二芳基 胺）〜與雙（二芳基胺）筷，其中該化合物至少具有一 氘。 具有至少50%經氘 具有式I或式II : 2·如申請專利範圍第1項所述之化合物， 化。 3.如申請專利範圍第1項所述之化合物， Ο
    Ar1、少 Ar2 N 式I 〇
    (R1)b 式II 其中： R於每夂出現時為相同或不同，且係選自由下列者所成 群、氘、烷基、烷氧基與芳基，其中相鄰R1基圈可 互鄰接以形成5-或6-員脂族環； 為相同或不同，且係選自由芳基所成群組； ; 出現時為相同或不同，其為一個介於0-4間之敕 數；以及 疋 145478.doc 201040132 b於母次出現時Λ 丁马相同或不同，其為 數； 個介於0-5間之整 其中該化合物至少 ^具有一氘。 4·如申請專利範圍塗1 取代基位於芳美/所述之化合物，具有至少有-個 方基每’其中氘化作 取代基。 用係發生於一芳基環之 5·如申請專利範圍第3項所 一者係為一氘化芳基。 6.如申請專利範圍第5項 述之化合物，其中Ar1至Ar4至少 所述之化合物，其中Ar1至Ar2中至 少有20%經氘化。 如申凊專利範圍@ 2 = 阳弟3項所述之化合物，具有至少有一取 代基位於一芳美 土及’其中氘化作用同發生在至少一取代 基基團與至少HtJl。 8. 如申請專利範圚 国第3項所述之化合物，其中r1 基。 9. 如申請專利範图當， 圍第3項所述之化合物，其中Ri 化烷基。 1〇_如申請專利範圚 a W第3項所述之化合物具有式I，其中a=〇。 11 ·如申請專利範圍笼 固第3項所述之化合物具有 R1係為氣。 12.如申請專利範图笛， 己固弟3項所述之化合物具有，其中 b=0。 13 ·如申請專利簕圖贷 祀is]弟3項所述之化合物具有式π，其中b=5 與R1係為氘。 係為烴烷 係為一氛 式I，其中a=4與 145478.doc 201040132 1其中Ar1至Ar4係選 苯基萘基、萘基苯 14.如申請專利範圍第3項所述之化合物 自由以下各者組成之群組：萘基、 基、聯萘基與一基團具有式ΠΙ:
    R2於每次㈣時為相同或不同’且係選自由下列者所成
    其中： 群、且2氖、院基、氧基、芳基、石夕基與石夕氧烧，或 相鄰R2基團可互鄰接以形成芳環； c於每次出現時為相同或不同，其為__個介於^間之整 數； d於每次出現時為相同或不同，其為一個介於 數；以及 m於每次出現時為相同或不同’且為介於_之整數。 15.如:請專利範圍第3項所述之化合物，其中Μ至A〆係經 全氣化。 16_ —種化合物係選自纟EISE9組成之群組。 種有機電子裝置其包含一第一電接觸層，一第二電接 觸層與至少有一活性層介於其間，其中該活性層包含一 朴口物係選自由以下各者組成之群組··二芳基胺蒽與二 芳基胺疾，該化合物具有至少—氣。 145478.doc 201040132 18. 如申請專利範圍第17項所述之裝置，其中該化合物具有 式I或式II :
    N 式I
    (R1)b 式II 其中： R於母-人出現時為相同或不同，且係選自由下列者所成 群、’ a⑨基、⑥氧基與芳基，其中相鄰Rl基團可 互鄰接以形成5-或6-員脂族環； Ar至Ar為相同或不同，俜 J五货'選自由芳基所成群組； 其為一個介於0-4間之整 a於每次出現時為相同或不同 數；以及 其為一個介於0-5間之整 b於每次出現時為相同或不同 數； 其中s亥化合物至少具有一氘。 19. R1係為一氣化烧 如申請專利範圍第18項之裝置 基。 145478.doc 201040132 20. 如申請專利範圍第18項所述之裝置具有式i，其中a=4與 R1係為氘。 21. 如申請專利範圍第18項所述之裝置具有式π，其中b=5與 R係為氛。 . 22·如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中Ar1至Ar4係選 自由以下各者組成之群組：萘基、苯基萘基、萘基苯 基、聯萘基與一化合物具有式Ιπ :
    〇 其中： ’且係選自由下列者所成 芳基、矽基與矽氧烷，， R於每次出現時為相同或不同，且 群組··氘、烷基、烷氧基、芳基 相鄰R2基團可互鄰接以形成芳環 其為一個介於0-4間之整 其為一個介於0-5間之整 c於每次出現時為相同或不同， d於每次出現時為相同或不同 數；以及 m於每次出現時為相同或不同，且3 23.如申請專利範圍第18項所述之褒置 且為介於0至6之整數。 自E1至E9所成群組。 之裝置 其中§亥化合物係選 24.如申請專利範圍第18項所述之 之裴置 其中該活性層係為 145478.doc 201040132 電活性層以及更包含一主體材料。 2 5.如申請專利範圍第2 4項所述之裝置，更包含一緩衝層位 於該第一電接觸層與該活性層之間。 26.如申請專利範圍第25項所述之裝置，其中該緩衝層包含 至少一導電聚合物及至少一氟化酸性聚合物。 145478.doc
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