TW201037372A - Multilayer mirror and lithographic apparatus - Google Patents

Description

201037372 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種多層鏡及一種包括該多層鏡之微影裝 置。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 Ο

(ic)之製造中。在彼情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或比例光罩）可用以產生待形成於IC之個別層上的電路 圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽晶圓）上之目標部 分（例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒）上。 圖案之轉印通常係經由成像至提供絲板上之轄射敏感材 料（抗蚀劑）層上。-般而言’單—基板將含有經順次圖案 化之鄰近目標部分的網路。 微影被廣泛地認為係製造! c以及其他器件及/或結構時 之關鍵步驟中的-者。然而，隨著使用微影所製造之特徵 的尺寸變付愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型1C 或其他器件及/或結構之更臨界因素。 微影裝置通常包括：照明系統，其經組態以調節輕射光 束；支撐結構，其經建構以固持圖案化器件(主要為比例 光罩或光罩)，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向

輕射光束賦予圖案以形成經圖案化輕射光束；基板台，I 經建構以_基板；及投m其經組態以將經圖宰化 輻射光束投影至基板之目標部分上。 145830.doc 201037372 由瑞立（Rayleigh)解析度 圖案印刷極限之理論估計可藉 準則給出，如方程式（1)所示： CD = kl

λ^7S ⑴ 其中λ為所使用之輻射的波長，〜為心㈣κ案之投 汾系、.先的數值孔径，以程序相依性調整因數（亦被稱為瑞 立常數）’且CD為經印刷特徵之特徵大小（或臨界尺寸）。 自方程式⑴可見’可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷 大小之減小·· H由縮短曝光波似、藉由增加數值孔徑 NAPS ’或藉由降低k,之值。 為了縮短曝光波長且因此減小最小可印刷大小，已提議 使用極紫外線（刪）輻射源。簡輕射源經組態以輸出約 ⑴奈米之輻射波長。因此，簡_源可構成針對達成 小特徵印刷之重要步驟。該㈣被稱作極紫外線或軟X射 線且可此源包括（例如）雷射產生之電毁源、放電電毅 源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。 較佳地，居明系統及投景多系統兩者均包括複數個光學元 件，以便將㈣分料焦於圖案化H件及基板上之所要部 位上。不幸地’除了在低密度下之-些氣體以夕卜，沒有材 料被已矣為對EUV輪射係透射的。因此，使用Euv輕射之 ，景:裝置在其照明系統中及在其投影系統中不使用透鏡。 實情為’照明系統及投影系統較佳地包括鏡。此外，出於 相同原因，圖案化器件較佳地為反射器件，亦即，具有反 射表面之鏡，反射表面具備藉由吸收材料而形成於反射表 145830.doc 201037372 面上之圖案。 為了反射具有约6·9奈米之波長的EUV輻射，已提議多 層鏡，其具有金屬之交替層’諸如^、，及B或B化 . 合物（諸如^4(：或89^)。該多層鏡根據布拉格定律（Bragg，s ， LaW)來反射EUV輕射。然而，（例如）La層與B層或B化合物 層之化學相互作用導致層間擴散。 【發明内容】 0 根據本發明之一態樣，提供一種鏡，其經建構及配置以 反射具有在約6.4奈米至約7.2奈米之範圍内之一波長（較佳 地具有在6.4奈米至7.2奈米之範圍内之一波長）的輻射。該 多層鏡具有交替層。該等交替層包括一第一層及一第二 層。该第一層及該第二層係選自由以下各者組成之群：La 層與BW層、U層與BW層、Th層與B4C層、La層與B9C 層、U層與B9C層、Th層與b9C層、La層與B層、u層與B 層、C層與B層、Th層與B層、u化合物層與b4c層、Th化 ◎ 合物層與hC層、La化合物層與ba層、La化合物層與一 B4C層、U化合物層與一 b9C層、Th化合物層與一 b9c層、 La化合物層與一B層、U化合物層與B層，及Th化合物層與 ' 一 B層’其中該等第一層中之至少一者係藉由一間層 * (interlayer)而與一第二層分離，該間層係安置於該等第一 層中之該至少一者與该弟二層之間。較佳地，複數個該等 層中之β亥專層中之母一者係藉由一間層而與該等第二層中 之每一者分離。該間層可選自由以下各者組成之群：一 Sn 層、一Mo層，及一Cr層。 145830.doc 201037372 根據本發明之一態樣，提供一種投影系統，其經組態以 將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上。該 投影系統包括一多層鏡，該多層鏡經建構及配置以反射具 有在6.2奈米至7.2奈米之範圍内之一波長的輻射。該多層 鏡具有交替層。該等交替層包括一第一層及一第二層。該 第一層及該第二層係選自由以下各者組成之群：U層與 B4C層、Th層與b4c層、La層與B9C層、U層與B9C層、Th 層與BSC層、La層與B層、U層與B層、Th層與B層、U化合

物層與層、Th化合物層與b4c層、La化合物層與B9C 層、La化合物層與一 ba層、u化合物層與一 b9c層、Th化

s物層與一 B9C層、La化合物層與一 B層、U化合物層與B 層，及Th化合物層與一 B層，其中該等第一層中之至少一 者係藉由間層而與一第二層分離，該間層係安置於該等 第:層中之該至少一者與該第二層之間。較佳地，複數個 該等層中之該等層中之每—者係藉由-間層而與該等第二 層中之每一者分離。 ，據本發明之—態樣，提供_種投㈣統，其經組態以 將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上。該 投影系統包括一多層鏡，該多層鏡經建構及配置以反射具 :在約“奈米至約7·2奈来之範圍内之-波長的輻射。該 夕層鏡具有-反射表面’該反射表面具備包括RU、Rh、 Ta、Τι或其任何組合之一罩蓋層。 “：據本發明之一態樣，提供一種照明系統，其經組態以 輻射光束。該照明系統包括一多層鏡，該多層鏡經 14583〇.d〇c 201037372 建構及配置以反射具有在約6 4奈米至約7 2奈米之範圍内 之一波長的輻射。該多層鏡具有交替層。該等交替層包括 一第一層及一第二層^該第一層及該第二層係選自由以下 各者組成之群：u層與B4C層、Th層與B4C層、La層與B9C 層、U層與B9C層、Th層與b9C層、La層與B層、U層與B 層、Th層與B層、U化合物層與B4C層、Th化合物層與B4C 層、La化合物層與層、La化合物層與一 b4c層、ϋ化合 〇 物層與一he層、Th化合物層與一b9C層、La化合物層與 一 B層、U化合物層與B層，及Th化合物層與一B層，其中 該等第一層中之至少一者係藉由一間層而與一第二層分 離，該間層係安置於該等第一層中之該至少一者與該第二 層之間。較佳地，複數個該等層中之該等層中之每一者係 藉由一間層而與該等第二層中之每一者分離。 根據本發明之一態樣，提供一種照明系統，其經組態以 調節一輻射光束。該照明系統包括一多層鏡，該多層鏡經 0 建構及配置以反射具有在約6 4奈米至約7·2奈米之範圍内 之一波長的輻射。該多層鏡具有一反射表面，該反射表面 具備包括Ru、Rh、Ta、Ti或其任何組合之一罩蓋層。 ' 根據本發明之一態樣，提供一種微影投影裝置，其經配 • 4以將—圖案自—圖案化器件投影至-基板上。該微影裝 置包括一多層鏡，該多層鏡經建構及配置以反射具有在約 6.4奈米至約7.2奈米之範圍内之—波長的輻射。該多層鏡 具有交替層。該等交替層包括一第一層及一第二層。該第 層及该第二層係選自由以下各者組成之群：U層與 145830.doc 201037372 層、Th層與b4C層、La層與B9C層、U層與B9C層、Th層與 B9C層、La層與B層、U層與B層、Th層與B層、U化合物層 與BW層、Th化合物層與b4C層、La化合物層與B9C層、La 化合物層與一 BW層、U化合物層與一 B9C層、Th化合物層 與一 BgC層、La化合物層與一 B層、u化合物層與B層，及

Th化合物層與一 Β層，其中該等第一層中之至少一者係藉 由一間層而與一第二層分離，該間層係安置於該等第一層 中之該至少一者與該第二層之間。較佳地，複數個該等層 中之該等層中之每一者係藉由一間層而與該等第二層中之 每一者分離。 根據本發明之一態樣，提供一種微影投影裝置，其 置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上。該微影裝 置包括一多層鏡，該多層鏡經建構及配置以反射具有在約 6‘4奈米至約7·2奈米之範圍内之一波長的輻射。該多層鏡 具有一反射表面，該反射表面具備包括Ru、Rh、Ta、T^ 其任何組合之一罩蓋層。 根據本發明之一恶樣’提供一種微影裝置，其包括：一 照明系統，其經組態以調節一 其經建構以固持一圖案化二，射先束；及-支樓結構’ 料本击 °牛。δ亥圖案化器件能夠在該輻 射先束之橫截面中向該輻 亲 九束賦予一圖案以形成一經圖 持一 匕括基板台，其經建構以固 光束投影至該基板之iC以將該經圖案化轄射 投影“以m 該照明系統及/或該 λ夕層鏡經建構及配置以反射具 145830.doc 201037372 有在約6.4奈米至約7.2奈米之範圍内之一波長的輻射。該 多層鏡具有交替層*該等交替層包括一第一層及一第二 層。該第一層及該第二層係選自由以下各者組成之群：u 層與B4C層、Th層與B4c層、La層與B9C層、U層與B9C 層、Th層與B9C層、La層與B層、U層與B層、Th層與B 層、U化合物層與層、Th化合物層與B4C層、La化合物 層與BgC層、La化合物層與一 b4c層、U化合物層與一 B9c 0 層、Th化合物層與一BgC層、La化合物層與一B層、ϋ化合 物層與B層，及Th化合物層與一 B層，其中該等第一層中 之至少一者係藉由一間層而與一第二層分離，該間層係安 置於該等第一層中之該至少一者與該第二層之間。較佳 地’複數個該等層中之該等層中之每一者係藉由一間層而 與該等第二層中之每一者分離。 複數個第一層中之每一第一層可藉由一間層而與一第二 層分離。該間層可選自由以下各者組成之群：一 “層、一 〇 Mo層、一心層、一 Sn化合物層、一Mo化合物層，及一Cr 化合物層。 該間層可選自由以下各者組成之群：一 “層、一 M〇 * 層、一 Cr層、一 Sn化合物層、一 Mo化合物層，及一 Cr化 , 合物層。若該間層為一 Sn化合物層，則該Sn化合物可包括 由以下各者組成之群中之至少一者：SnF2、SnF4、

SnCl2、SnCl4、Snl2、Snl4、SnO、Sn02、SnSe、SnSe2， 及SnTe。若該間層為一 Cr化合物層，則該Cr化合物可包括 以下各者中之至少一者：CrF2、CrF3 ' CrF4、CrCl2、 145830.doc 201037372

CrCl3、CrCU、Crl2、Crl3、Crl4、Cr〇2、Cr〇3、Cr2〇3、 Cr3〇4、CrN、CrSe ’及Cr2Te3。若該間層為一 Mo化合物 層，則該Mo化合物可包括由以下各者組成之群中之至少 一者：MoF3、MoF4、MoC12、MoC13、MoC14、MoI2、 MoI3、MoI4、MoO、Mo02、Mo03、MoSe2、MoTe2，及

MoN。 在該多層鏡之一實施例中’該第一層可為一 Th化合物 層，其中該Th化合物層包括來自由以下各者組成之群之— 或多者：ThF3、ThF4、ThCl4、Thl2、Thl3、丁hl4、ThH2、

Th〇2、ThSe2及ThN。在該多層鏡之另一實施例_，該第 一層可為一U化合物層，其中該1;化合物層包括來自由以 下各者組成之群之一或多者：UF3、UF4、UF5、uei3、 UC14、UC15、Ul3、Ul4、uo、u〇2、u〇3、、 U3〇7、U4〇9、UTe2、UTe3、UN、U2N3，AU3N24^

LaH2、LaH3 LaTe ° 層鏡之又-實施例中，該第—層可為—La化合物層直中 該La化合物層包括來自由以下各者組成之群之—或多者：

LaF3、LaCl3、Lal3、La2〇3、㈤，及 根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，立包括.一 :明系統，其經組態以調節一韓射光束； 其經建構以固持一圖案化器件。又保…構 M # # ^ Λ圖案化器件能夠在該輻 二 面中向該_束職予-圖案以形成-經圖 案化輻射光束。該裝置亦包括：— 持一基板；及-投影系統，^ j板其經建構以固 、，、心以將該經圖案化輻射 145830.doc •10- 201037372 光束投影至該基板之一目標部分上。該照明系統及/或該 投影系統包括一多層鏡，該多層鏡經建構及配置以反射具 有在2奈米至8奈米之範圍内之一波長的輻射。該多層鏡具 • 有一反射表面’該反射表面具備包括Ru、Rh、Ta、Ti或其 任何組合之一罩蓋層。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 Q 實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 裝置包括：照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射光 束B(例如，EUV輻射）；圖案化器件支撐件或支撐結構（例 如，光罩台）MT，其經建構以支撐圖案化器件（例如，光罩 或比例光罩）MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化器 件之第一定位器PM·，基板台（例如，晶圓台）WT，其經建 構以固持基板（例如，塗布抗蝕劑之晶圓）w，且連接至經 ◎ 組態以準確地定位基板之第二定位器P W ;及投影系統（例 如，折射投影透鏡系統）ps，其經組態以將藉由圖案化器 件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板w之目標部分 ' c(例如，包括一或多個晶粒）上。 . 照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射的各種類型 之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他 類型之光學組件，或其任何組合。然而，經組態以調節輻 射光束B之光學組件較佳地為反射組件。 支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計 145830.doc 201037372 及其他條件（諸如圖案化器件 方式來固持圖案化器 J固持於真空環境中)的 電或其他夹持技術來固持:撐 如)框架或台’其可根據需要而係固定二=可為(例 置结構可_案化器件(例如)相對於投影系統處於所ΐ: 圖案化器件」庫Μ4 1L Α 射光束之橫截面中向解釋為指代可用以在賴 部分中形成圖案的二束=圖案以便在基板之目標 對應於目標部分中所 ？予至輻射光束之圖案可 功能層。刀中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定 圖：化器件可為透射的，但較佳地為 件之實例包括光罩、可程式化鏡陣列，及 == 板。光罩在微f彡巾#孰4 Μ φ Ρ甲係热知的，且包括諸如二元 及衰減相移之光罩龆刑、 又更相矛夕 i，以及各種混合光罩類型。可程式 化鏡陣列之一實例使用 q j蜆之矩陣配置，該等小鏡中之每 一者可個別地傾斜，ιν # + 貝针以便在不同方向上反射入射輻射光 束。傾斜鏡將圖$ _工Μ , ”職予於精由鏡矩陣所反射之輻射光束 中0 術投衫系統」可涵蓋任何類型之投影系統，包括折 射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任 何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於其他因素 (特別係真工之使用）。可能需要將真空用於EUV或電子束 韓射’因為其他氣體可能吸收過多輻射或電子。因此，可 145830.doc -12- 201037372 藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路 徑。 如此處所描繪，裝置為反射類型（例如，使用反射光 • 罩）。或者，裝置可為透射類型（例如，使用透射光罩）。 • 微影裝置可為具有兩個（雙平台）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上光罩台）的類型。在該等「多平台」機 器中了並行地使用領外台，或可在一或多個台上進行預 ◎ 備步驟’同時將一或多個其他台用於曝光。 參看圖1，照明益IL自輻射源s〇接收輻射光束。舉例而 口虽輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分 離實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一 刀，且輻射光束係藉助於包括（例如）適當引導鏡及/或光 束擴展器之光束傳送系統而自輻射源s〇傳遞至照明器江。 〇其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微 影裝置之整體部分。輕射源8〇及照明器叫同光束傳送系 Ο 統（在需要時）可被稱作輻射系統。 照明盗IL可包括用以調整輻射光束之角強度分布的調整 器。通常，可調整照明器之光瞳平面令之強度分布的至少 • 外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作〇外部及 • 〇内部）。此外，照明器江可包括各種其他組件，諸如積光 器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面 中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束Β入射於被固持於支撐結構（例如，光罩台）μ 丁 上之圖案化器件（例如，光罩）ΜΑ上，且係藉由圖案化器件 145830.doc -13- 201037372 案化器件⑼如’光罩）ma被反射之後， 輪射光束b傳遞通過投影系統PS，投影系統ps將光束聚焦 至練W之目標部分c上。藉助於第二定位器pw及位置感 :D (例h干涉器件、線性編碼器或電容性感測器）， 基板台WT可準確地移動，例如，以便在㈣光束B之路徑 中定位不同目標部分C。類似地’第一定位器pM及另一位 置感測器1F1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位 圖案化器件（例如’光罩）MA。可使用圖案化器件對準標記

Ml、M2及基板對準標記？1、p2來對準圖案化器件（例如， 光罩）MA與基板w。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1·在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案 -人性投影至目標部分c上時，使支撐結構（例如，光罩 台）MT及基板台资保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝 光）。接著，使基板台WT在X及/或丫方向上移位，使得可 曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構（例如，光罩 台）MT與基板台WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系 統ps之放大率（縮小率）及影像反轉特性來判定基板台 相對於支擇結構（例如，光罩台）MT之速度及方向。 3. 在另一模式令，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分c上時，使支撐結構（例如，光罩台）MT保持基 本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描 145830.doc -14· 201037372 基板台WT。在此模式中，通常 夕益心 輕射源’且在 基板σ WT之每一移動之後或在掃 之間根據需要而更新可程式化圖宰:的順次輕射脈衝 可程式化圖案化器件 類型的可程式化鏡陣列）之無光罩微影。 所 一：了使用對以上所掐述之使用模式之組合及/或變化 元全不同的使用模式。

G Ο 圖2更詳細地展示圖！之微影裝置，其 照明光學儀器單元44，及投 ....... _射系統42包括可 :電電聚形成之輕射源s〇，v輪射可藉由氣體或蒸 = 例如，h氣體、U蒸汽或〜蒸汽，其中形成極執 電漿以發射在電磁光譜之Euv範圍内的幸畐射。藉由（例如） 放電而導致至少部分地離子化之電漿來形成極熱電衆。對 於輻射之有效率產生，可能需要為（例如）1〇 Pa之分磨的 Xe、U、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。藉由輕射源 ^所發射之輻射係經由定位於源腔室”十之開口中或後之 =體障壁或污染物捕捉器49而自源腔室47傳遞至集光器腔 至48中。氣體障壁49可包括通道結構。 。。集光器腔室48包括可藉由掠入射集光器形成之輻射集光 器50、幸田射集光器5〇具有上游輻射集光器側5〇a及下游輻 射集光器側50b。藉由集光器5〇所傳遞之輕射可經反射離 開光栅光譜濾光器5丨以在集光器腔室4 8中之孔徑處聚焦於 虛擬源點52中。自集光器腔室48 ’輕射光束56係在照明光 子儀态單兀44中經由正入射反射器53、54而反射至定位於 145830.doc 15 201037372 比例光罩台或光罩台MT上之比例光罩或光罩上。形成經 圖案化光束57，其係在投影系統PS中經由反射元件58、59 而成像至晶圓平台或基板台WT上。比所展示之元件多的 元件通常可存在於照明光學儀器單元44及投影系統ps中。 取決於微影裝置之類型’可視情況存在光柵光譜渡光器 51°另外，可存在比諸圖所示之鏡多的鏡，例如，可存在 比5 8、5 9多1至4個的反射元件。自先前技;術已知輻射集光 器50。集光器50可為具有反射器142、143及146之巢式集 光器。空間1 80係提供於兩個反射器之間，例如，反射器 142與反射器143之間。 圖3描繪多層鏡丨之實施例。多層鏡1經建構及配置以反 射具有在約6.4奈米至約7.2奈米之範圍内之波長的輻射。 夕層鏡包括具有藉由基板8所支樓之交替層4、6的層化結 構2 °在本發明之實施例中，多層鏡可位於微影褒置之各 種部分（諸如投影系統及照明系統）中。 交替層4、6可選自由以下各者組成之群：La層與B4C 層、U層與b4C層、Th層與B4C層、La層與B9C層、U層與 B9C層、Th層與B9C層、La層與B層、U層與B層，及Th層 與B層。 在一實施例中，交替層4、6可選自由以下各者組成之 群：U層與b4C層、Th層與B4C層、U層與B9C層、Th層與 B9C層、u層與B層、Th層與B層、U化合物層與B4C層、Th 化合物層與B4C層、La化合物層與B9C層、La化合物層與 層、u化合物層與B9C層、Th化合物層與B9C層、La化 145830.doc -16- 201037372 合物層與B層、U化合物層與B層，及Th化合物層與B層。 適當U化合物之實例為UF3、UF4、UF5、UC13、UC14、 UC15、UI3、UI4、uo、uo2、uo3、u3o8、u2o5、u3o7、 U409、UTe2、UTe3、UN、U2N3及 U3N2。適當 Th化合物之 實例為 ThF3、ThF4、ThCl4、Thl2、Thl3、Thl4、ThH2、 Th〇2、ThSe2及ThN。適當La化合物之實例為LaH2、 LaH3、LaF3、LaCl3、Lal3、La203、LaSe及 LaTe。 ❹ 該等交替層之潛在益處在於：U層或Th層（而非La層）將 在角度以及波長兩者方面均提供寬廣頻寬。寬廣角度頻寬 將允許優良量的設計自由度，從而使多層鏡有用於在6.6 奈米波長下之EUV微影中的光學儀器。又，其可允許包括 有夕層鏡之光學系統之光瞳在強度方面經均質地填充且允 許更大數值孔徑（NA)。 在圖3、圖5、圖6及圖7中可看出，在第一層4(例如，La 層）與弟二層6(例如，Ββ層）之間，提供經組態以防止第一 ❹ 層4與苐一層6之間的擴散的間層7。該間層可具有在約〇. 2 奈米與約1奈米之間的厚度。較佳地，第一層4中之每一者 係藉由該間層7而與第二層6中之每一者分離。 ， 間層7可為Sn層、Mo層或Cr層。或者，間層可為：“化 • 合物，諸如 SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、Snl2、Snl4、 SnO、Sn02、SnSe、SnSe2 或 SnTe ; Cr化合物’諸如 crF2、

CrF3、CrF4、CrCl2、CrCl3、CrCl4、Crl2、Crl3、Crl4、 Cr02、Cr03、Cr203、Cr304、CrN、CrSe 或 Cr2Te3 ;或 Mo 化合物，諸如 MoF3、MoF4、MoC12、MoC13、MoC14、 145830.doc •17· 201037372 ΜοΙ2、MoI3、MoI4、MoO、Mo〇2、Mo〇3、MoSe2、MoTe2 或 MoN。 熟習此項技術者將容易地公認，圖3、圖5、圖6及圖7之 多層鏡1之交替層4、6及間層7可藉由諸如磁控濺鍍或電子 束濺鍍之沈積技術製造。 圖4a為展示對於為La層與bk層之交替層作為波長人之函 數的反射比R的曲線圖。所示峰值之所謂的半高全寬 widthhalfmaximum，FWHM)為 0 06奈米。圖4b展示對於為

Th層與層（丁11層圯/層）之交替層作為波長λ之函數的反 射比。此處，FWHM為0.09奈米。圖4c展示對於為υ層與 層（U層/bk層）之交替層作為波長λ之函數的反射比。 此處，F WHM為0.1 5奈米。 在一實施例中，可分別使用几層圯…層及1)層/^〔層或 甚至Th層/Β層及㈣/Β層以代替吓層/B4C層及。層心 層。增加之㈣度可允許更好反射率，藉此潛在地減小歸 因於輻射之吸收的功率損耗。 在一實施例中 層，或C層與B層£ 交替層中，可能不 擴散。 又#層可為C層與ΒΚ層、c層與B9c C不如La—樣有活性，且因此，在此等 會發生如在La層/b4C層中—樣多之層間 可良好地為第—層4之厚度與第二層6及兩個防擴散層 之厚度的總和的週期可在 ’、 層可具有在為第一層或第二層之厚圍内。交， 之間的週期厚度。 曰之厂子度之約U倍與約2.5倍 145830.doc 201037372 圖5中展示多層鏡R實施例。此實施例為反射光罩。除 了圖3之多層鏡的特徵以外，圖5之實施例還可具備具有吸 收材料之結構，吸收材料經配置以將圖案界定於其表面 上。待用作吸收材料之適當材料可為Cr、Ti、W、&、 Mo、Ta、A1或其任何組合。 可藉由基板8來支撐多層鏡丨之多層結構2，以便減小機 械易損ft。又’應注意，圖3及圖5中之虛線指示未指定數 〇目之4複交㈣4、6。通常，鏡1之多層結構2係藉由30至 200之數目之週期的交替層（亦即，總數在6〇與4〇〇之間的 層）开v成此外，應注意，諸圖為僅僅用作說明之示意 圖’且其不為比例圖式。 圖6及圖7中描繪多層鏡！之另外實施例。圖6之實施例類 似於圖3之實施例。然@，在圖6之實施例巾，層化結構2 具備罩蓋層12。罩蓋層12可包括Ru、Ta、了卜灿或其任何 組合。該罩蓋層可經適當地配置以保護多層⑹之層化结 〇 構免於化學料層之適#厚度可為在W奈米至ι〇 奈米之範圍内的任何值。 圖7中描緣另一實施例。圖7之實施例類似於圖4之實施 •例。然而’在圖7之實施例中，層化結構2具備罩蓋層12。 相同於在參看圖6時所提及之情形罩蓋層U可包括以及/ 或Rh ’且可經適當地配置以保護多層鏡】之層化結構免於 化學侵敍。 仫s在本文中可特定地參考微影裝置在1C製造中之使 用，但應理解’根據本發明之多層鏡之實施例可具有若干 145830.doc •19- 201037372 間層，其中一間層為Sn層且另一間層為Mo層，或其中 間層為Cr間層且另一間層為含有其他適當材料之間層。在 又一實施例中’可提供一 Sn間層、另一 M〇間層及又一 & 間層。又，有可能提供具有一或多個間層之多層鏡，該等 間層包括Sn合金、]vio合金或Cr合金。 本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合 光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示 器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等等。 儘管以上可特定地參考在光學微影之情境中對本發明之 實施例的使用，但應瞭解’本發明可用於其他應用(例 如’壓印微影)中，且在情境允許時不限於光學微影。 本文所使用之術語「輕射」及「光束」涵蓋所有類型之 電磁輪射’包括紫外線（uv)輻射（例如，具有為或為約如 奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米 之波長）及極紫外線（EUV)㈣（例如，具有在為$奈米至2〇 奈米之範圍内的波長$在 束）。 叔子束(諸如離子束或電子 儘管以上已描述本發明之转宗杏+ β月之特疋實施例，但應瞭解，可ΰ 與所描述之方式不同的其他 士 4, - πη 式木貫踐本發明。舉例 〇本發明可採取如下形式：電 卜胼β + 电如程式，其含有描述如 上所揭不之方法之機器可讀 7的—或多個序列；或資步 储存媒體（例如，半導體記 六丄 磁碟或光碟），直具有存 存於其中之該電腦程式。 ）/、有右 以上描述意欲係說明性而 制性的。因此，對於熟3 I45830.doc -20· 201037372 此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下 利範圍之料的情況下對如所描述之本發明=申請專 【圖式簡單說明】 丁-改。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2示意性地描繪圖1之微影投影裝置之E U V照明系統及 投影系統的側視圖；

圖3不意性地描繪根據本發明之一實施例的圖1之微影裝 置之多層鏡； 圖4a、圖4b及圖4c描繪作為波長之函數的圖3之多層鏡 之實施例之反射比； 圖5描繪圖1之微影裝置之多層鏡之實施例； 圖6描繪圖1之微影裝置之多層鏡之實施例；及 圖7描繪圖1之微影裝置之多層鏡之實施例。 【主要元件符號說明】 1 多層鏡 2 層化結構/多層結構 4 交替層/第一層 6 交替層/第二層 7 間層/防擴散層 8 基板 12 罩蓋層 42 輻射系統 44 照明光學儀器單元 47 源腔室 145830.doc -21 · 201037372 48 集光器腔室 49 氣體障壁/污染物捕捉器 50 輻射集光器 50a 上游輻射集光器側 50b 下游輻射集光器側 51 光柵光譜濾光器 52 虛擬源點 53 正入射反射器 54 正入射反射器 56 輻射光束 57 經圖案化光束 58 反射元件 59 反射元件 142 反射器 143 反射器 146 反射器 180 空間 B 輻射光束 C 目標部分 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統/照明器

Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 145830.doc -22-

201037372 ΜΑ ΜΤ Ρ1 Ρ2 ΡΜ PS PW SO ❹ w WT 圖案化器件 圖案化器件支撐件/支撐結構/比例光罩台或光罩台 基板對準標記 基板對準標記 第一定位器 投影系統 第二定位器 輻射源 基板 基板台 〇 145830.doc -23-

Claims (1)

1. 201037372 七、申請專利範圍： 1· 一種多層鏡，其經建構及配置以反射具有在約6.4奈米至 約7.2奈米之範圍内之一波長的輻射，該多層鏡具有交替 層，該等交替層包含一第一層及一第二層，該第一層及 該第二層係選自由以下各者組成之群：U層與b4C層、Th 層與B4C層、La層與B9C層、La層與B4C層、U層與B9C 層、Th層與B9C層、La層與B層、U層與B層、C層與B 層、Th層與B層、U化合物層與b4C層、Th化合物層與 B4C層、La化合物層與B9C層、La化合物層與一B4C層、 U化合物層與一BgC層、Th化合物層與一 b9C層、La化合 物層與一B層、U化合物層與B層，及几化合物層與一B 層， 其中該等第一層中之至少一者係藉由一間層而與一第 一層分離’該間層係安置於該等第一層中之該至少一者 與該第二層之間。 2.如請求項1之多層鏡，其中複數個第一層中之每一第一 層係藉由一間層而與一第二層分離。 3 ·如請求項1或2之多層鏡，其中該間層係選自由以下各者 組成之群：一Sn層、一Mo層、一cr層、一 Sn化合物層、 一 Mo化合物層及一 Cr化合物層。 4.如請求項3之多層鏡’其中該間層為一“化合物層，該 Sn化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者·· SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、Snl2、叫、Sn〇、Sn〇2 ' SnSe、SnSe2及 SnTe。 145830.doc 201037372 5. 如請求項3之多層鏡，其中該間層為—Cr化合物層，該 Cr化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： ⑽、CrF3、CrF4、CrCl2、CrCl3、CrCU、抓、ω、 CM4、Cr〇2、Cr〇3、Cr2〇3、Cr3〇4、⑽、。心及 Cr2Te3。 6. 如請求項3之多層鏡，其中該間層為一 合物層，該 Mo化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： MoF3、m〇F4、MoC12、MoC13、M〇Cl4、MoI2、MoI3、 M〇I4、Mo〇、Mo〇2、Mo03、M〇Se2、M〇TeAM〇N。 7. 如請求項1或2之多層鏡，其中該第一層為一 u化合物 層，且其中該U化合物層包含來自由以下各者組成之群 之一或多者：uf3、uf4、uf5、uci3、υα4、uci5、 UI3、UI4、uo、uo2、uo3、u3〇8、u2〇5、U3〇7、 U4〇9、UTe2、UTe3、UN、U2N3及 U3N2。 8. 如請求項之多層鏡’其中該第一層為―几化合物 層’且其中該Th化合物層包含來自由以下各者組成之群 之一或多者：ThF3、ThF4、ThCl4、Thl2、Thl3、Thl4、 ThH2、Th02、ThSe2及 ThN。 9. 如請求項1或2之多層鏡，其中該第一層為_ La化合物 層’且其中該La化合物層包含來自由以下各者組成之群 之 或多者.LaH〗、LaH〗、LaF〕、LaCl3、Lai〗、 La2〇3、LaSe及 LaTe。 1〇·如請求項丨或2之多層鏡，其中該第一層之—厚度與該第 一層之~厚度的總和係在約2 _ 2奈米至約3.5奈米之範圍 145830.doc 201037372 内。 11·如請求項m2之多層鏡，其中該間層具有在約〇 2奈米至 約奈米之範圍内之一厚度。 12·如請求項鴻2之多層鏡’其中該等交替層具有在為該第 -層或該第二層之該厚度之約17倍與約2.5倍之間的一 週期厚度。 Ο Ο 13_如請求項1或2之多層鏡，其"多層鏡為-圖案化器 件’該圖案化器件經建構及配置以在該韓射之―光束之 橫載面中向該輻射之該光束提供一圖案。 14·如請求項13之多層鏡’其中該圖案化器件為—比例光罩 或一光罩。 15. 如請求項14之多層鏡，其中該比例光罩或該光罩具備呈 有經配置以界定該圖案之一吸收材料的—結構，該吸： 材料為Cr、Ta、Ti、Si、Ru、Μο、义或其任何组合。 16. 如請求項之多層鏡，其中該多層鏡具有一反射表 面，該反射表面具備包含Ru、Rh、Ta、TiM 之一罩蓋層。 " 17. 一種投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影 至一基板之-目標部分上，該投料統包含—如前述請 求項中任一項之多層鏡。 18. 一種照明系統，其經組態以調節一輻射光束，該照明系 統包含—如請求項1至16中任一項之多層鏡。 19. 一種微影投影裝置，其經配置以將一圖案自—圖案化器 件投影至一基板上，其中該微影裝置包含一如請求項I 145830.doc 201037372 至16中任—項之多層鏡。 20.如請求項19之微影投影裝置，其進一步包含： 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束； 一支撐結構，其經建構以固持一圖 化=能夠在該輻射光束之橫截面中向該:射光= 一圖案以形成一經圖案化輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板；及 至二統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影 至該基板之一目標部分上。 21_ —種微影裝置，其包含： 照明系統，其經組態以調節一輻射光束； 支撐結構’其經读错丨、，㈤& 建構以固持一圖案化器件，該圖幸 化器件能夠在該輻射光束 X圖案 截面中向該輻射光束賦予 圖案场成-經圖案化輻射光束； 二^反台’其經建構以固持-基板；及 系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影 至5亥基板之—目標部分上， 其中該投影系絲兔 ,± .,^ ’、 σ明求項17之系統，及/或該照明 糸統為一如5月求項18之系統。 22· —種投影系統， ’、、、工匕、以將一經圖案化輻射光束投影 至一基板之一目樟八^ 不口Ρ刀上，該投影系統包含一多層鏡， 該多層鏡經建構及两？ ¥、 ^ ^ ^ r η ^ 以反射具有在約6.4奈米至約7.2 奈米之範圍内之—、、由 及長的輻射，該多層鏡具有交替層， 該等交替層包含—坌a 、令又管層 弟一層及一第二層，該第一 145830.doc 201037372 二層係選自由以下各者組成之群：La層與B4C層、U層與 B4C層、Th層與B4C層、La層與b9C層、U層與B9C層、Th 層與B9C層、La層與B層、C層與B層、U層與B層、Th層 與B層、U化合物層與B《C層、Th化合物層與B4C層、La 化合物層與BgC層、La化合物層與一 b4c層、U化合物層 與一 Bf層、Th化合物層與一 b9C層、La化合物層與一 b 層、U化合物層與B層，及Th化合物層與一b層， 其中該等第一層中之至少一者係藉由一間層而與一第 二層分離’該間層係安置於該等第一層中之該至少一者 與該第二層之間。 23. 如請求項2：2之投影系統，其中複數個第一層中之每一第 一層係藉由一間層而與一第二層分離。 24. 如請求項22或23之投影系統，其中該間層係選自由以下 各者組成之群：一 Sn層、一Mo層，及一cr層、一 Sn化合 物層、一Mo化合物層’及一 Cr化合物層。 〇 25.如請求項24之投影系統，其中該間層為一Sn化合物層， 該Sn化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、Snl2、Snl4、Sn〇、Sn〇2、 • SnSe、SnSe〗及 SnTe。 卉甲该間層為一 Cr化合物層 26.如請求項24之投影系 s玄Cr化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： CrF2、CrF3、CrF4、CrCl2、CrCl3、CrCl4、Crl2、ω3、 Crl4、Cr02、Cr03、Cr203、Crs〇4、⑽、。心及 Cr2Te3。 145830.doc 201037372 27. 如請求項24之投影系統’其中該間層為—M〇化合物層， 該Mo化合物層包含由以下各者組成之群中之至少、__者_ . MoF3 ' MoF4 ' MoC12 ' M0CI3 ' M〇Cl4 ν ΜοΙ2 λ m〇I3 MoI4、MoO、Mo02、Mo03、MoSe2、M〇Te2及 MoN。 28. 如請求項22或23之投影系統，其中該第一層為一 u化合 物層，且其中該U化合物層包含來自由以丁各者組成之 群之一或多者：UF3、UF4、UF5、uci3、UC14、uci5、 m3、UI4、uo、uo2、uo3、u3o8、u2〇5、U3〇7、 U409、UTe2、UTe3、UN、U2N3及 U3N2。 29. 如請求項22或23之投影系統，其中該第一層為一 Th化合 物層，且其中該Th化合物層包含來自由以下各者組成之 群之一或多者：ThF3、ThF4、ThCl4、Thl2、Thl3、 Thl4、ThH2、Th02、ThSe2及 ThN。 30. 如請求項22或23之投影系統，其中該第一層為一La化合 物層’且其中該La4匕合物層包含來自由以下各者組成之 群之一或多者：LaH2、LaH3、LaF3、LaCl3、Lal3、 La203、LaSe及 LaTe。 3 1 · —種照明系統，其經組態以調節一輻射光束，該照明系 統包含一多層鏡，該多層鏡經建構及配置以反射具有在 約6.4奈米至約7.2奈米之範圍内之一波長的輻射，該多 層鏡具有交替層，該等交替層包含一第一層及一第二 層，該第一層及該第二層係選自由以下各者組成之群： La層與B4C層、U層與B4C層、Th層與B4C層、La層與B9C 層、U層與B9C層、Th層與B9C層、La層與B層、U層與B 145830.doc 201037372 層、Th層與B層、C層與B層、U化合物層與b4c層、Th化 合物層與B/層、La化合物層與B/層、La化合物層與一 B4C層、U化合物層與一 b9c層、Th化合物層與一 b9C 層、La化合物層與一 b層、U化合物層與B層及Th化合物 層與一 B層， 其中該等第一層中之至少一者係藉由一間層而與一第 二層分離’該間層係安置於該等第一層中之該至少一者 ^ 與該第二層之間。 0 3 2.如請求項3 1之照明系統，其中複數個第一層中之每一第 一層係藉由一間層而與一第二層分離。 33. 如請求項3 1或32之照明系統，其中該間層係選自由以下 各者組成之群.一 Sn層、一 Mo層、一Cr層、一 Sn化合物 層、一Mo化合物層及一 Cr化合物層。 34. 如請求項33之照明系統，其中該間層為一 Sn化合物層， s亥Sn化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： Q SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、Snl2、Snl4、SnO、Sn〇2、 SnSe、SnSe2及 SnTe ° 3 5.如請求項3 3之照明系統’其中該間層為一 cr化合物層， s亥Cr化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： - CrF2、CrF3、CrF4、CrCl2、CrCl3、CrCl4、Crl2、Crl3、 Crl4、Cr02、Cr03、Cr203、Cr3〇4、CrN、CrSe 及 Cr2Te3。 36.如請求項33之照明系統，其中該間層為一 M〇化合物層， I亥Mo化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一者： 145830.doc 201037372 m〇f3 ' M0F4 ^ M0CI2 ' M0CI3 ' M0CI4 ' m〇i2 > M0I3 ' M0I4、MoO、M0O2、Mo〇3、MoSe2、MoTe2及MoN。 37.如請求項31或32之照明系統，其中該第一層為一u化合 物層’且其中該U化合物層包含來自由以下各者組成之 群之—或多者：UF3、UF4、UF5、UC13、UC14、UC15、 UI3、UI4、uo、u〇2、u〇3、υ3〇8、U2〇5、U3〇7、 U4〇9、UTe2、UTe3、UN、U2N3及 U3N2。 3 8.如請求項31或32之照明系統，其中該第一層為一Th化合 物層’且其中該Th化合物層包含來自由以下各者組成之 群之一或多者：ThF3、ThF4 ' ThCl4、Thl2、Thl3、 Thl4、ThH2、Th02、ThSe2及 ThN。 39.如請求項3丨或32之照明系統，其中該第一層為一 &化合 物層’且其中該La化合物層包含來自由以下各者組成之 群之一或多者：LaH2、LaH3、LaF3、LaCl3 ' Lal3、 La2〇3、LaSe及 LaTe。 40· —種微影投影装置’其經配置以將一圖案自一圖案化器 件投影至一基板上’其中該微影裝置包含一多層鏡，該 多層鏡經建構及配置以反射具有在約6.4奈米至約7·2奈 米之範圍内之一波長的韓射，該多層鏡具有交替層，該 等交替層包含一第一層及一第二層，該第一層及該第二 層係選自由以下各者組成之群：La層與B4C層、U層與 B4C層、Th層與B4C層、La層與B9C層、U層與B9C層、Th 層與B9C層' La層與B層、U層與B層、C層與B層、Th層 與B層、11化合物層與BW層、Th化合物層與b4C層、La 145830.doc 201037372 化合物層與BgC層、La化合物層與一ΒΚ層、U化合物層 與一 Β/層、Th化合物層與一 ΒΚ層、La化合物層與_ B 層、U化合物層與B層及Th化合物層與一 b層， 其中該等第一層中之至少一者係藉由一間層而與一第 二層分離’該間層係安置於該等第一層中之該至少一者 與該第二層之間。 41. 如請求項40之微影投影裝置，其中複數個第一層中之每 0 一第一層係藉由一間層而與一第二層分離、 42. 如請求項40或41之微影投影裝置，其中該間層係選自由 以下各者組成之群：一 Sn層、一]VIo層，及一 Cr層、一Sn 化合物層、一Mo化合物層，及一Cr化合物層。 43. 如請求項42之微影投影裝置，其中該間層為_Sn化合物 層’該Sn化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一 者.SnF2、S11F4、SnCl2、SnCl4、Snl2、Snl4、SnO、 Sn02、SnSe、SnSe2及 SnTe o 〇 44.如請求項42之微影投影裝置，其中該間層為—Cr化合物 層’該Cr化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一 者：CrF2、CrF3、CrF4、CrCl2、CrCl3、CrCl4、Crl2、 Crl3、Crl4、Cr〇2、Cr03、Cr203、Cr304、CrN、CrSe及 Cr2Te3 〇 45.如請求項42之微影投影裝置’其中該間層為一M〇化合物 層’該Mo化合物層包含由以下各者組成之群中之至少一 者：MoF3、MoF4、MoC12、MoC13、M〇Cl4、MoI2、 MoI3、MoI4、MoO、Mo02、Mo03、M〇Se2、M〇Te2& 145830.doc 201037372 MoN 〇 46. 如請求項40或41之微影投影裝置，其中該第一層為一u 化合物層，且其中該U化合物層包含來自由以下各者組 成之群之一或多者：UF3、UF4、UF5、UC13、UC14、 UC15、UI3、ui4、uo、uo2、uo3、U3〇8、u2〇5、 U3〇7、U4〇9、UTe2、UTe3、UN、U2N3及 U3N2。 47. 如請求項40或41之微影投影裝置，其中該第一層為一 Th 化合物層，且其中該Th化合物層包含來自由以下各者組 成之群之一或多者：ThF3 ' ThF4、ThCl4、Thl2、Thl3、 Thl4、ThH2、Th02、ThSe2及 ThN。 48. 如請求項40或41之微影投影裝置，其中該第一層為一La 化合物層’且其中該La化合物層包含來自由以下各者組 成之群之一或多者：LaH2、LaH3、LaF3、LaCl3、Lal3、 La2〇3、LaSe及 LaTe。 49. 如請求項40或41之微影投影裝置，該微影投影裝置包 含·· 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束； 一支撐結構，其經建構以固持一圖案化器件，該圖案 化器件能夠在該輻射光束之横截面中向該韓射光束賦予 —圖案以形成一經圖案化轄射光束； 一基板台’其經建構以固持一基板；及 一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影 至該基板之一目標部分上， 其中該多層鏡係包含於該照明系統或該投影系統中。 145830.doc -10· 201037372 5〇. —種多層鏡，其經建構及配置以反射具有在約6.4奈米至 約7.2奈米之範圍内之一波長的輻射，該多層鏡具有交替 層，該等交替層包含一第一層及一第二層，該第一層及 該第二層係選自由以下各者組成之群：U層與b4C層、Th 層與B4C層、La層與B9C層、La層與B4C層、U層與B9C 層、Th層與B9C層、La層與B層、U層與B層、Th層與B 層、C層與B層、U化合物層與BK層、Th化合物層與b4c 0 層、La化合物層與BgC層、La化合物層與一 b4C層、U化 合物層與一 B?C層、Th化合物層與一 BgC層、La化合物層 與一 B層、U化合物層與B層，及Th化合物層與一 b層。 51·如請求項50之多層鏡，其中該第一層為一 u化合物層， 且其中該U化合物層包含來自由以下各者組成之群之一 或多者：UF3、UF4、UF5、UC13、UC14 ' UC15、Ul3、 ui4、uo、uo2、uo3、u3o8、u2o5、U307、u4〇9、 UTe2、UTe3、UN、U2N3及 U3N2。 〇 52.如請求項51之多層鏡，其中該第一層為一Th化合物層， 且其中該Th化合物層包含來自由以下各者組成之群之一 或多者：ThF3、ThF4、ThCl4、Thl2、Thl3、Thl4、 * ThH2、Th02、ThSe2及 ThN。 - 53·如請求項50至52中任一項之多層鏡，其中該第—層為一 La化合物層，且其中該。化合物層包含來自由以下各者 組成之群之一或多者：LaH2、LaH3、LaF3、LaCl3、 Lai〕、La2〇3、LaSe及 LaTe。 145830.doc -11 -