DE102013210533A1

DE102013210533A1 - Spiegel für beuv-licht

Info

Publication number: DE102013210533A1
Application number: DE201310210533
Authority: DE
Inventors: Vyacheslav Medvedev; Andrey E. Yakshin; Andrei M. Yakunin; Vladimir Krivtsun; Frederik Bijkerk
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2013-06-06
Filing date: 2013-06-06
Publication date: 2014-12-11

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Spiegel für die BEUV-Mikrolithographie, der Licht im Wellenlängenspektrum im Bereich von etwa 5 bis 10 nm reflektiert und Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Spektrums heraus filtert, wobei der Spiegel mindestens ein Substrat (2) und mindestens eine Mehrfachschichtanordnung (1) aus einer Vielzahl von alternierenden Schichten (3, 4) aus zwei unterschiedlichen Materialien aufweist, wobei die alternierenden Schichten (3, 4) ein erstes Schichtmaterial, das Bor oder Borkarbid aufweist, und ein zweites Schichtmaterial umfassen, das ein Halbleiter oder ein Isolator ist.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere einen kombinierten Spiegel und Filter für die BEUV(beyond extreme ultraviolet (unterhalb extrem ultraviolett))-Mikrolithographie, welcher Licht im Wellenlängenspektrum des unteren Bereichs des extrem ultravioletten Spektrums reflektiert und Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Spektrums herausfiltert, wobei der Spiegel mindestens ein Substrat und mindestens eine Mehrfachschichtanordnung aus einer Vielzahl von alternierenden Schichten aus zwei unterschiedlichen Materialien aufweist. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem derartigen Spiegel.
Für die EUV-Mikrolithographie sind kombinierte Spiegel- und Filterelemente bekannt, bei denen das Arbeitslicht im gewünschten EUV-Spektrum (extrem ultraviolett EUV) möglichst vollständig reflektiert wird, während unerwünschte Lichtbestandteile des Arbeitslichts, wie beispielsweise Bestandteile an Infrarot-Licht herausgefiltert werden.
Aus der WO 2011/117009 A1 sind beispielsweise Spiegelelemente bekannt, die eine Mehrfachschichtanordnung mit einer Vielzahl von Einzelschichten aufweisen, wobei die Einzelschichten aus zwei unterschiedlichen Materialien ausgebildet sind und wobei die Einzelschichten abwechselnd übereinander in der Mehrfachschichtanordnung angeordnet sind. Eine derartige Mehrfachschichtanordnung bildet einen sogenannten Bragg-Reflektor für das Arbeitslicht im Bereich des extrem ultravioletten Wellenlängenspektrums, beispielsweise im Wellenlängenbereich von 10 bis 20 nm, vorzugsweise bei einer Wellenlänge von 13,5 nm. Als Materialien hierfür werden diamantartige Kohlenstoffschichten (DLC-Schichten (diamond like carbon DLC)) sowie n-dotiertes Silizium eingesetzt. Eine derartige Mehrfachschichtanordnung kann beispielsweise auf einem Siliziumsubstrat angeordnet sein.
Die Schichtdicke der Mehrfachschichtanordnung bzw. die Anzahl der alternierend darin vorgesehenen Einzelschichten, die für das unerwünschte Infrarotlicht weitgehend transparent sind, wird so eingestellt, dass reflektiertes Infrarotlicht, welches sowohl an der Grenzfläche der Außenseite der Mehrfachschichtanordnung als auch an der Grenzfläche zwischen Mehrfachschichtanordnung und Substrat reflektiert wird, durch destruktive Interferenz möglichst weitgehend ausgelöscht wird. Damit wird einerseits das unerwünschte Infrarotlicht bei einer Reflexion des Arbeitslichts heraus gefiltert, während der gewünschte Anteil des Arbeitslichts im Bereich des extrem ultravioletten Wellenlängenspektrums möglichst vollständig reflektiert wird.
Außerdem ist aus der WO 2011/117009 A1 ein Aufbau eines Spiegelelements bekannt, bei welchem zwischen dem Substrat und der Mehrfachschichtanordnung eine Metallschicht und/oder eine Absorptionsschicht für unerwünschte Lichtbestandteile angeordnet sind.
Allerdings werden in der WO 2011/117009 A1 für die Mehrfachschichtanordnung nur Materialien beschrieben, die für eine Reflexion extrem ultravioletten Arbeitslichts geeignet sind. Die dort verwendeten Materialien sind aber für Arbeitslicht, welches unterhalb des extrem ultravioletten Wellenlängenspektrums angesiedelt ist, also in einem Wellenlängenbereich von 5 bis 10 nm (BEUV – beyond extreme ultraviolet) liegt, nicht geeignet. Durch die zunehmende Verkleinerung der in der Mikrolithographie abzubildenden Strukturen, ist es aber erstrebenswert, Arbeitslicht mit kleineren Wellenlängen einzusetzen.
Es wurden bereits auch Materialien identifiziert, die für Bragg-Reflektoren im BEUV- Wellenlängenspektrum betrieben werden. Diese sind beispielsweise in: Igor A. Makhotkin et al., „Spectral properties of La/B-based multilayer mirrors near the boron K absorption edge", Optics Express, Vol. 20, issue 11, Seiten 11.778–11.786 (2012) beschrieben. Hier wurde vorgeschlagen, als Schichtmaterialien für die alternierenden Schichten der Mehrfachschichtanordnung Lanthan bzw. Lanthannitrid, sowie Bor und Borkarbid (B₄C) zu verwenden.
Allerdings sind hier weitere Alternativen für die Auswahl von geeigneten Materialien zur Einstellung ausgewogener und optimaler Eigenschaften entsprechender optischer Komponenten erforderlich.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
AUFGABE DER ERFINDUNG
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Spiegel für die BEUV- Mikrolithographie sowie eine entsprechende Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, bei welchem ein Bragg-Reflektor für BEUV-Licht mit einem Filter für unerwünschtes Infrarotlicht kombiniert ist und ausgewogene Eigenschaften mit einer hohen Reflektivität für das BEUV-Licht sowie einem hohen Anteil an herausgefiltertem Infrarotlicht aufweist. Gleichzeitig soll ein entsprechender Spiegel einfach herstellbar sein.
TECHNISCHE LÖSUNG
Diese Aufgabe wird gelöst durch einen Spiegel mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und einer Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 8. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Die Erfindung schlägt vor, bei einem Spiegel für die BEUV-Mikrolithographie für die alternierenden Schichten einer Mehrfachschichtanordnung als ein erstes Schichtmaterial für eine erste Schicht Bor oder Borkarbid, insbesondere B₄C, und als zweites Schichtmaterial für eine zweite Schicht einen Halbleiter oder Isolator insbesondere auf Basis von Kohlenstoff oder Lanthan mit Ausnahme von Lanthannitrid einzusetzen. Es hat sich gezeigt, dass derartige Materialien für die Verwirklichung einer Kombination aus BEUV-Reflektor und Infrarot-Filter geeignet sind.
Insbesondere können als Schichtmaterialien, die in Kombination mit Schichten aus Bor oder Borkarbid in den alternierenden Schichten der Mehrfachschichtanordnung vorgesehen werden, Materialien aus der Gruppe ausgewählt werden, die Kohlenstoff, Lanthanoxide, Lanthanoxinitride und dergleichen umfassen. Kohlenstoff wird hierbei in der Modifikation des Diamanten oder als diamantähnlicher Kohlenstoff eingesetzt, da diese Modifikation elektrisch isolierende Eigenschaften aufweist.
Insbesondere können die alternierenden Schichtpaare folgende Kombinationen umfassen: C/B, LaO/B, La₂O₃/B, C/B₄C, LaO/B₄C und La₂O₃/B₄C, sowie LaON/B und LaON/B₄C.
Neben der Mehrfachschichtanordnung kann auf dem Substrat zusätzlich eine Metallschicht und/oder eine lichtabsorbierende Schicht angeordnet sein, wobei die lichtabsorbierende Schicht Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Lichts absorbieren kann.
Entsprechend wird nach einem weiteren Aspekt der Erfindung, für welchen unabhängig und in Kombination mit anderen Aspekten der Erfindung Schutz begehrt wird, eine Mehrfachschichtanordnung in Kombination mit einer Metallschicht und/oder einer im IR-Spektrum absorbierenden Schicht beansprucht, wobei die Metallschicht und/oder die IR-Licht absorbierende Schicht vorteilhaft zusammen mit der Mehrfachschichtanordnung eine hohe BEUV-Reflektivität sowie eine Antirflexionswirkung für IR-Licht realisiert.
Hierbei können die alternierenden Schichtpaare folgende Kombinationen umfassen: C/B, LaO/B, La₂O₃/B, C/B₄C, LaN/B, LaN/B₄C, LaO/B₄C und La₂O₃/B₄C sowie LaON/B und LaON/B₄C.
Die Metallschicht kann als eine nicht – kristalline Schicht ausgebildet sein, um eine glatte Schicht auszubilden und Rauheit, die durch die Kristallstruktur eingebracht werden könnte, zu vermeiden. Die Kristallisation der Metallschicht, die eine Schichtdicke im Bereich von 10 nm aufweisen kann, kann durch Aufbringen einer Mehrfachschicht aus Einzelschichten mit Schichtdicken von beispielsweise 2 bis 3 nm unterbunden werden. Insbesondere können alternierende Mehrfachschichten für die Metallschicht vorgesehen sein, wobei die unterschiedlichen Schichten aus verschiedenen Metallen mit unterschiedlichen Gitterparametern gebildet sein können. Die Metallschicht kann eine oder mehrere Elemente aus der Gruppe aufweisen, die Al, Cu, Ru, Zr, Nb und Mo umfasst.
Die Dicken der Schichten der Mehrfachschichtanordnung bzw. die Dicke der Mehrfachschichtanordnung an sich, sowie die Dicken einer zusätzlichen Metallschicht und/oder Absorptionsschicht können entsprechend so angepasst sein, dass eine möglichst hohe Reflektivität des BEUV-Lichts und eine möglichst geringe Reflektivität der Infrarotstrahlung gegeben ist.
Der Spiegel kann BEUV-Licht im Wellenlängenspektrum von 5 bis 10 Nanometer, insbesondere 6,5 bis 6,9 Nanometer und somit in der Nähe der K-Absorptionskante des Bor reflektieren, während gleichzeitig infrarotes Licht mit Wellenlängen im Bereich von 1 bis 100 μm, insbesondere 3 bis 5 μm, vorzugsweise 5 bis 20 μm möglichst weitgehend heraus gefiltert werden kann.
Ein entsprechender Spiegel kann insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie vorgesehen werden, die im Wellenlängenspektrum des EUV- bzw. BEUV-Lichts arbeitet.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in
1 einen teilweisen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels;
2 einen teilweisen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels;
3 einen teilweisen Querschnitt durch eine dritte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels; und in
4 einen teilweisen Querschnitt durch eine vierte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels;
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen deutlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.
Die 1 zeigt einen teilweisen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels mit einem Substrat 2, auf welchem eine Mehrfachschichtanordnung 1 aus einer Vielzahl von Einzelschichten 3, 4 angeordnet ist. Die Mehrfachschichtanordnung 1 umfasst zwei unterschiedliche Einzelschichten 3, 4, die aus unterschiedlichen Materialien aufgebaut sind und abwechselnd übereinander angeordnet sind, sodass sich eine alternierende Abfolge der Einzelschichten 3, 4 in der Mehrfachschichtanordnung 1 ergibt.
Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel kann beispielsweise das Substrat aus Silizium ausgebildet sein und die Einzelschichten können aus den nachfolgenden Materialpaarungen gebildet sein: C/B, LaO/B, La₂O₃/B, C/B₄C, LaO/B₄C und La₂O₃/B₄C, sowie LaON/B und LaON/B₄C.
Das auftreffende Licht, welches Bestandteile im Wellenlängenbereich des gewünschten BEUV-Arbeitslichts, also mit einer Wellenlänge im Bereich von etwa 5 bis 10 nm, sowie Anteile im Wellenlängenspektrum des infraroten Lichts aufweist, wird an den Grenzflächen zwischen den einzelnen Schichten 3, 4 sowie an der äußeren Grenzfläche der Mehrfachschichtanordnung 1 und am Übergang der Mehrfachschichtanordnung 1 zum Substrat 2 reflektiert, wobei die Mehrfachschichtanordnung 1 als ein sogenannter Bragg-Reflektor für das BEUV-Licht ausgebildet ist, während das Infrarotlicht auf Grund seiner Wellenlänge die Mehrfachschichtanordnung zumindest teilweise durchdringen kann. Allerdings wird das Infrarotlicht an der äußeren Grenzfläche der Mehrfachschichtanordnung 1 zur Umgebung und an der Grenzfläche der Mehrfachschichtanordnung 1 zum Substrat 2 reflektiert. Die Mehrfachschichtanordnung 1 wird hierbei im Zusammenspiel mit der Grenzfläche zum Substrat 2 so eingestellt, dass für den infraroten Lichtbestandteil eine destruktive Interferenz der reflektierten Teilstrahlen bewirkt wird, sodass in Summe kein infrarotes Licht reflektiert wird, sondern dass sich das an der Grenzfläche zwischen Umgebung und Mehrfachschichtanordnung 1 sowie an der Grenzfläche zwischen Mehrfachschichtanordnung 1 und Substrat 2 reflektierte Infrarotlicht durch gegenseitige Interferenz auslöscht. Zusätzlich kann eine Absorption des Infrarotlichts in den Schichten 3, 4 bzw. im Substrat 2 stattfinden.
Zur Einstellung der Bragg-Reflexion des BEUV-Lichts und/oder der destruktiven Interferenz des Infrarotlichts können sowohl die Schichtdicken der Einzelschichten 3, 4 der Mehrfachschichtanordnung als auch die Dicke der Mehrfachschichtanordnung 1 in geeigneter Weise gewählt werden. Beispielsweise kann die Dicke einer Schichtenperiode, also bei einer wiederholten Abfolge von zwei unterschiedlichen Schichten die Dicke der beiden Schichten im Bereich von 3 bis 5 nm liegen mit einer Gesamtzahl von 150 bis 600 Wiederholungen des Schichtenpaars, so dass die Gesamtdicke der Mehrfachschichtanordnung beispielsweise im Bereich von 450 nm bis 3000 nm liegen kann.
Die 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Spiegels, wobei wiederum auf dem Substrat 2 eine Mehrfachschichtanordnung 1 mit einer Vielzahl von alternierend angeordneten Einzelschichten 3, 4 vorgesehen ist. Zusätzlich ist jedoch zwischen der Mehrfachschichtanordnung 1 und dem Substrat 2 eine Metallschicht 5, beispielsweise aus Molybdän vorgesehen, welche als Reflexionsschicht für die im auftreffenden Licht enthaltene Infrarotstrahlung dient. Die Mehrfachschichtanordnung 1 mit den alternierenden Einzelschichten 3, 4 ist wiederum als Reflektor für das BEUV-Licht ausgebildet und transparent für den Infrarotlichtanteil des auftreffenden Lichts. Das Infrarotlicht wird jedoch an der Grenzfläche zwischen der Umgebung und der Mehrfachschichtanordnung 1 sowie an der Grenzfläche zwischen Mehrfachschichtanordnung 1 und Metallschicht 5 reflektiert, wobei durch die Einstellung der Dicke der Metallschicht 5 die Amplitude des an der Grenzfläche zwischen Mehrfachschichtanordnung 1 und Metallschicht 5 reflektierten Lichts eingestellt werden kann. Durch die Dicke der Mehrfachschichtanordnung 1 bzw. die Anzahl der Einzelschichten 3, 4 kann der Phasenunterschied zwischen der an der Außenseite der Mehrfachschichtanordnung 1 reflektierten Strahlung und der an der Grenzfläche zwischen Mehrfachschichtanordnung 1 und Metallschicht 5 reflektierten Strahlung auf 180° eingestellt werden, sodass durch die entsprechende Phasenverschiebung und die Einstellung gleicher Amplituden eine destruktive Interferenz mit maximaler Extinktion der reflektierten Infrarotstrahlung stattfindet.
Die 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels, wobei der Aufbau ähnlich der Ausführungsform der 2 ist, wobei die identischen Bestandteile nicht wiederholt beschrieben werden, sondern auf die vorangegangene Beschreibung verwiesen wird.
Bei der Ausführungsform der 3 ist lediglich die Metallschicht 5 durch eine Absorptionsschicht 6 ersetzt, welche aus einem Material gebildet ist, das geeignet ist, unerwünschtes Infrarotlicht zu absorbieren. Hierfür sind somit Materialien geeignet, die eine hohe Absorption des Lichts im Wellenlängenspektrum des Infraroten aufweisen, wie z. B. Quarzglas oder dotiertes Silizium.
Obwohl bei der Ausführungsform der 3 die destruktive Interferenz der an den Grenzflächen reflektierten Infrarotstrahlung ebenfalls wirksam ist, wird zusätzlich, um eine möglichst geringe Reflektivität für die Infrarotstrahlung zu erzeugen, durch die Absorptionsschicht 6 das unerwünschte Infrarotlicht absorbiert, um beispielsweise Reflexionen an den Grenzflächen zwischen der Absorptionsschicht 6 und dem Substrat 2 bzw. vom Substrat 2 zur Umgebung bereits dadurch zu minimieren, dass möglichst wenig Infrarotlicht durch die Absorptionsschicht 6 gelangt.
Die Ausführungsform der 4 stellt eine Kombination der Ausführungsformen der 2 und 3 dar, wobei ausgehend vom Substrat zwischen dem Substrat 2 und der Mehrfachschichtanordnung 1 zunächst eine Metallschicht 5 und zusätzlich eine Absorptionsschicht 6 angeordnet sind.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden, solange der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche nicht verlassen wird. Die vorliegende Offenbarung schließt sämtliche Kombinationen aller vorgestellter Einzelmerkmale ein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

WO 2011/117009 A1 [0003, 0005, 0006]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

Igor A. Makhotkin et al., „Spectral properties of La/B-based multilayer mirrors near the boron K absorption edge”, Optics Express, Vol. 20, issue 11, Seiten 11.778–11.786 (2012) [0007]

Claims

Spiegel für die BEUV-Mikrolithographie, der Licht im Wellenlängenspektrum im Bereich von etwa 5 bis 10 nm reflektiert und Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Spektrums heraus filtert, wobei der Spiegel mindestens ein Substrat (2) und mindestens eine Mehrfachschichtanordnung (1) aus einer Vielzahl von alternierenden Schichten (3, 4) aus zwei unterschiedlichen Materialien aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die alternierenden Schichten (3, 4) ein erstes Schichtmaterial, das Bor oder Borkarbid aufweist, und ein zweites Schichtmaterial umfassen, das ein Halbleiter oder ein Isolator mit Ausnahme von Lanthannitrid ist.
Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Schichtmaterial aus der Gruppe ausgewählt ist, die Kohlenstoff, Lanthanoxide und Lanthanoxinitride umfasst.
Spiegel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichtanordnung (1) aus einer Vielzahl von abwechselnden Schichten aus einem der Schichtpaare gebildet ist, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die umfasst: C/B, LaO/B, La₂O₃/B, C/B₄C, LaO/B₄C, La₂O₃/B₄C, LaON/B und LaON/B₄C.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Mehrfachschichtanordnung (1) und dem Substrat (2) eine Metallschicht (5) und/oder eine Licht absorbierende Schicht (6) angeordnet sind, wobei die Licht absorbierende Schicht (6) Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Lichts absorbiert.
Spiegel für die BEUV-Mikrolithographie, der Licht im Wellenlängenspektrum im Bereich von etwa 5 bis 10 nm reflektiert und Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Spektrums heraus filtert, wobei der Spiegel mindestens ein Substrat (2) und mindestens eine Mehrfachschichtanordnung (1) aus einer Vielzahl von alternierenden Schichten (3, 4) aus zwei unterschiedlichen Materialien aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die alternierenden Schichten (3, 4) ein erstes Schichtmaterial, das Bor oder Borkarbid aufweist, und ein zweites Schichtmaterial umfassen, das ein Halbleiter oder ein Isolator ist., wobei zwischen der Mehrfachschichtanordnung (1) und dem Substrat (2) eine Metallschicht (5) und/oder eine Licht absorbierende Schicht (6) (2) angeordnet sind, wobei die Licht absorbierende Schicht (6) Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Lichts absorbiert.
Spiegel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Schichtmaterial aus der Gruppe ausgewählt ist, die Kohlenstoff, Lanthanoxide, Lanthannitride und Lanthanoxinitride umfasst.
Spiegel nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichtanordnung (1) aus einer Vielzahl von abwechselnden Schichten aus einem der Schichtpaare gebildet ist, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die umfasst: C/B, LaO/B, La₂O₃/B, C/B₄C, LaN/B, LaN/B₄C, LaO/B₄C, La₂O₃/B₄C, LaON/B und LaON/B₄C.
Spiegel nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht als nicht-kristalline Schicht ausgebildet ist, insbesondere als Mehrfachschicht vorzugsweise von alternierenden Schichten aus unterschiedlichen Materialien mit verschiedenen Gitterparametern.
Spiegel nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht mindestens ein Element aus der Gruppe umfasst, die Al, Cu, Ru, Zr, Nb und Mo umfasst.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicken der Schichten (3, 4) der Mehrfachschichtenanordnung (1) und/oder die Dicke der Mehrfachschichtanordnung (1) und/oder die Dicke einer zwischen Substrat und Mehrfachschichtanordnung vorgesehenen Metallschicht (5) und/oder Absorptionsschicht (6) auf eine hohe Reflektivität des BEUV-Lichts und geringe Reflektivität der Infrarotstrahlung angepasst sind.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel auf eine BEUV-Wellenlänge im Bereich von 5 bis 10 nm, insbesondere 6,5 bis 6,9 nm und/oder eine Wellenlänge des infraroten Lichts im Bereich von 1 bis 100 μm, insbesondere 3 bis 50 μm, vorzugsweise 5 bis 20 μm eingestellt ist.
Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche.