TW201027796A - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents
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- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
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201027796 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於具有將發光元件封裝之結構的發光裝 置,及發光裝置製造方法。 【先前技術】 近年來,發光二極體元件(下面稱作LED元件)已 0 改良亮度等,及實際使用在各種領域。例如,將LED元 件用於液晶顯示設備的背光、紅綠燈的發光元件 '電子告 示板、及其他照明目的。能夠以低電壓和低電力消耗來操 作LED元件,並且亮度已改良。因此,預期LED元件將 能夠應用到室內燈光、車輛照明等。 然而,單獨LED元件時的亮度仍舊比其他發光器弱 ,因此必須組合大量LED元件來構成發光器。再者,隨 著LED元件的發光強度增加,產生的熱亦增加。當LED Φ 元件發熱時,發光效率降低。因此LED元件必須具有有 效散熱之結構。另外’爲了使LED元件能夠取代諸如螢 光燈等另一發光器,必須簡化其製造處理,以降低製造成 本。 已知藉由組裝玻璃基板和矽(s i )晶圓所形成之led 子安裝板是具有絕佳散熱特性的廉價結構。如圖1 0所示 ,將具有通孔之玻璃基板5 1和Si晶圓54接合在一起, 及將LED元件56A安裝在對應於通孔58之玻璃基板5 1 的區域上。將通孔電極5 2形成在玻璃基板5 1,及經由連 -5- 201027796 接電極金屬噴鍍53B電連接到LED元件56A。另外,通 孔電極52電連接到形成於玻璃基板51的背表面上之電極 金屬噴鍍53A。在通孔58的側表面上,形成反射表面55 ,以朝上反射從LED元件56 A發出的光。金屬噴鍍或金 屬被用於反射表面55 (見例如JP 2007-4278 1 A )。利用 此結構,可經由通孔電極52有效發散產生在LED元件 56A中的熱。再者,將玻璃基板和Si基板陽極接合,因 此可提高接合強度。另外,可成批製造大量的LED安裝 @ 板,因此可降低成本。 如圖Π所示,又說明有明發光裝置61,其包括安裝 發光元件65的金屬基板62,及被形成圍住發光元件65 之第一框體63和第二框體64。將凸出安裝部62a形成在 金屬基板62的中心部,及將發光元件65形成在凸出上表 面上。將第一框體63接合在金屬基板62的周圍步階部上 。第一框體63係由絕緣材料所形成,且將電極形成在其 內。以包圍發光元件65的形狀且由金屬所形成之第二框 φ 體64被接合到第一框體63的上表面。第二框體64的內 壁表面具有從底部朝頂部變得越寬之形狀,及朝上反射從 發光元件65所發出的光(見例如JP 2004-228240 A)。 利用此結構,發光效率增加、散熱特性提高、輸出到發光 元件65的驅動電流增加,及從發光元件所輸出的光增加 〇 在圖10所示之習知LED子安裝板的結構中,包括通 孔電極52的玻璃基板51,和接合在玻璃基板51上之Si -6- 201027796 基板54是分開的元件。因此,需要分開處理玻璃基板5 1 和Si基板54,然後接合在一起。在圖Π所示之發光裝置 61的結構中,安裝發光元件65a之金屬基板62、絕緣材 料所形成之第一框體63、及金屬所形成之第二框體64是 分開的元件。因此,需要分開處理這三元件,然後接合在 一起。換言之,需要將異質材料彼此接合在一起。 然而,每次LED元件發光時,LED元件都會產生熱 ❺ ’因此會重複發生熱膨脹和收縮。因此,會有降低接合部 中的接合和密封特性之問題。另外,在分開處理元件之後 需要將分開元件彼此接合的步驟,如此導致製造步驟數目 和生產成本的增加。 【發明內容】 爲了解決上述問題,根據本發明的發光裝置具有下列 結構。尤其是’發光裝置包括:玻璃基板,其中形成凹處 Φ ;通孔電極’係藉由以導電材料塡充通孔所形成,通孔電 極形成在凹處的底部;發光二極體元件,其容納在凹處中 ’及安裝於通孔電極上;絕緣反射膜,其形成在凹處的內 壁表面和底表面上;以及密封材料,供應到凹處,以密封 發光二極體元件。 另外’低溫鏡或多層干擾膜被用於反射膜。另外,密 封材料包括藉由熟化金屬烷氧化物和從金屬烷氧化物所形 成之聚金屬氧烷的其中之一所獲得的材料。 另外’通孔被形成具有從玻璃基板的背表面朝凹處的 -7- 201027796 底部變得較寬之橫剖面形狀。 根據本發明的發光裝置之製造方法包括:藉由模造方 法來模造玻璃材料,以形成玻璃基板,玻璃基板具有凹處 和在凹處的區域中之孔;在形成凹處之玻璃基板的表面上 形成反射膜,其係由絕緣材料所形成;藉由在玻璃基板的 孔中提供導電材料來形成通孔電極;硏磨玻璃基板的背表 面,以將通孔電極暴露至背表面,和平面化通孔電極的暴 露表面和玻璃基板的背表面·,將發光二極體元件安裝於暴 露在玻璃基板的凹處之底部中的通孔電極上;以及供應密 封材料至凹處,以密封發光二極體元件。 發光裝置的製造方法另外包括··在硏磨之後,印刷金 屬婕糊於玻璃基板的背表面上,以形成背表面電極。 根據本發明,可以簡單的製造方法實現可靠的發光裝 置。 【實施方式】 根據本發明的發光裝置包括其中形成凹處之玻璃基板 ’及將絕緣反射膜形成在內壁表面和凹處的底表面上。另 外’將通孔形成在凹處的底部,及由導電材料所形成的通 孔電極形成在通孔中。發光二極體元件安裝在通孔電極上 。將發光二極體元件容納在玻璃基板的凹處中,及以供應 到凹處的密封材料密封。玻璃基板一體成形地由玻璃材料 所形成’沒有接合表面。因此,即使當由於發光二極體元 件所產生的熱導致膨脹及收縮重複時,濕度和外來物質仍 -8- 201027796 幾乎不會從外面進入。此抑制電極材料的腐蝕和發光二極 體元件的特性退化,以提高可靠度。另外,由於封裝的基 板係由單一構件所形成,所以可減少製造步驟數目,及可 利用較少的成本來設置可靠的發光裝置。 在此例中’爲了抑制發光裝置的熱產生,低溫鏡適用 於反射膜。低溫鏡是具有反射可見光之特性的反射膜及在 紅外線區傳送光。可使用多層干擾膜當作反射膜。適合使 G 用藉由熟化金屬烷氧化物或從金屬烷氧化物所形成之聚金 屬氧烷所獲得的材料當作密封材料。 另外’通孔被形成具有從玻璃基板的背表面朝凹處的 底部變得較寬之橫剖面形狀。換言之,凹處側上的孔比玻 璃基板的底表面側上的孔大。以此方式,可防止塡充在通 孔中的導電材料從玻璃基板的背表面滑出來。 根據本發明的發光裝置之製造方法包括:藉由模造方 法來模造玻璃材料,以形成玻璃基板,玻璃基板具有凹處 ® 和在凹處的區域中之孔;在形成凹處之玻璃基板的表面上 形成反射膜,其係由絕緣材料所形成;藉由在玻璃基板的 孔中提供導電材料來形成通孔電極;硏磨玻璃基板的背表 面,以將通孔電極暴露至背表面’和平面化通孔電極的暴 露表面和玻璃基板的背表面;將發光二極體元件安裝於暴 露在玻璃基板的凹處之底部中的通孔電極上;以及供應密 封材料至凹處,以密封發光二極體元件。 圖1A及1B爲說明根據本發明的實施例之發光裝置 的槪要圖。圖1 A槪要圖解發光裝置1的橫剖面結構,及 -9- 201027796 圖1B爲發光裝置1的槪要俯視圖。發光裝置1包括其中 形成通孔3之玻璃封裝2、LED元件6、及塡充在凹處5 中的密封材料8。由絕緣材料所形成的多層干擾膜7形成 在玻璃封裝2的頂表面上,及背表面電極l〇a及1 〇b (以 參考號碼10統稱)形成在玻璃封裝2的背表面上。另外 ,將通孔電極4a及4b (以參考號碼4統稱)塡充在通孔 3中’及經由晶粒黏著材料1 1將LED元件配置在四個通 孔電極4a上,以經由導線9電連接到通孔電極4b。 _ 凹處形成在玻璃封裝2的中心部,及複數通孔3形成 在凹處5的底部。通孔3每一個都被形成具有從玻璃封裝 2的背表面朝凹處5的底部變得較寬之橫剖面形狀。多層 干擾膜7係由絕緣材料所形成,及也被形成在凹處5的內 壁表面和底表面上。LED元件6包括形成在其上表面和下 表面上之電極(未圖示)。經由晶粒黏著材料11將LED 元件6的下表面電極固定到玻璃封裝2的凹處5之底部, 及電連接到通孔電極4a。經由導線9將LED元件6的上 參 表面電極電連接到通孔電極4b。換言之,能夠以來自背 表面電極l〇a及10b的電力供應LED元件6,背表面電極 10a及10b分開地形成在玻璃封裝2的背表面上。 玻璃封裝2可由含有氧化矽當作主要成分的標準玻璃 材料形成。可如下面所述一般,藉由模造玻璃材料,而將 形成在玻璃封裝2中的凹處5和通孔3同時形成。因此, 與習知技術相反,不需要個別處理基板和框體,然後才妾 合在一起。換言之,本發明的基板部並不由複數不同材料 -10- 201027796 所形成,並且也沒有用以接合那些構件的接合表面。結果 ,不會發生接合表面的退化’及可提高可靠度。另外,降 低製造步驟數目,因此可減少製造成本。 將絕緣多層干擾膜7形成在玻璃封裝2的整個正表面 ,當作反射從LED元件6發出的光之反射表面。由於其 絕緣特性,所以即使當多層干擾膜7形成在通孔3的側表 面上及凹處5的底表面上,多層干擾膜7仍不會使通孔電 φ 極4a及4b短路。因此,沈積在凹處5的底部上之多層干 擾膜7不需要藉由圖型化或蝕刻來去除,及製造變得更簡 單。另外,多層干擾膜7係可藉由濺鏟或汽相沈積金屬氧 化物來形成。例如,可使用由SiO、Si02、Ti02、Zr02、 C e Ο 2、A12 Ο 3、或者其他此種金屬氧化物所形成的膜。利 用含有氧化矽當作主要成分之玻璃封裝2,當將氧化矽膜 形成作玻璃封裝2上之多層干擾膜時,可提高膜的黏附力 。作爲氧化物,多層干擾膜7幾乎不會腐蝕。因此,可形 〇 成可靠的反射表面。 將通孔3形成在玻璃封裝2中。以含有銀(A g )的 導電漿糊、或以諸如鎳(Ni)、鐵(Fe)、銅(Cu)等金 屬材料、柯華合金(kovar )等等塡充通孔3,然後將塡充 材料加熱固化,以形成通孔電極4a及4b。亦可藉由插入 金屬核心以接合和固定到通孔3,或者藉由塡充熔化焊料 以冷卻和固化來形成通孔電極4a及4b。通孔電極4a及 4b各個具有與形成在玻璃封裝2中的通孔3之每一個的 橫剖面形狀相同之橫剖面形狀,其從玻璃封裝2的背表面 -11 - 201027796 朝凹處5的底部變得較寬。因此,通孔電極4a及4l)幾乎 不會從凹處5的底部側朝玻璃封裝的背表面側滑出。 背表面電極10形成在玻璃封裝2的背表面。藉由以 硏磨來平面化玻璃封裝2的背表面,及將導電膜形成在此 平面化的背表面上來形成背表面電極10。可藉由汽相沈 積或印刷來形成導電膜。當使用印刷時,製造處理變得更 簡單。 經由晶粒黏著材料1 1將LED元件6安裝在通孔電極 4上方。晶粒黏著材料1 1包括凸塊或導電漿湖,以接合 和固定LED元件6到凹處5的底部。將電極(未圖示) 形成在LED元件6的背表面上’及經由晶粒黏著材料u 電連接到通孔電極4a。將另一電極(未圖示)形成在 LED元件ό的正表面上’及經由導線9電連接到通孔電極 4b 〇 如上述’由於經由通孔電極4a和導電片接材料將 L E D兀件ό連接到背表面電極1 〇,所以可經由晶粒黏著 材料11、通孔電極4a、及背表面電極i〇a發散LED元件 6所產生的熱。也可經由由金(Au )等所形成的導線9、 通孔電極4b、及背表面電極i〇b發散LED元件6所產生 的熱。因此’可抑制L E D元件6的溫度增加。 將密封材料8塡充在玻璃封裝2的凹處5,及覆蓋 LED兀件6和導線9。密封材料8防止外來物質、濕度等 從外面進入,因此’防止電極材料等腐蝕。可使用藉由聚 α和瑕燒金屬院氧化物或從金屬院氧化物所形成之聚金屬 -12- 201027796 氧烷所獲得的金屬氧化物當作密封材料8。例如, 氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銷當作例子。藉由 煆燒金屬烷氧化物或從金屬烷氧化物所形成之聚金 所獲得的氧化物對玻璃展現絕佳的黏附力。尤其是 金屬烷氧或聚金屬氧烷所形成之氧化矽被使用當作 料8時,由於玻璃封裝2也由氧化矽所形成,所以 熱膨脹係數變成彼此接近,因此獲得良好的接合特 φ 氧化矽膜被使用當作多層干擾膜7的表面上之膜時 步提高黏附力。因此,可降低由於熱膨脹和收縮所 退化,及可獲得可靠的發光裝置。 應注意的是,如圖1B所示,此實施例中的發 包括四個通孔電極4a,其經由晶粒黏著材料1 1 LED元件6的下表面電極;及一個通孔電極4b, 導線9連接到LED元件6的下表面電極。通孔電| 4b具有相同形狀。然而,本發明並不侷限於上述 Ο 及可在led元件6下方形成更多數量的通孔電極 個通孔電極4a。再者,經由導線9連接之通孔電桓 輪廓可大於另一通孔電極4a的每一個之輪廓。另 將複數個LED元件6形成在玻璃封裝2的凹處5 利用此結構,可進一步增加光強度。另外,發光裝 輪廓外形可以是六邊形或較高的多邊形或圓形。發 1具有允許密集配置的外形形狀較佳,以能夠在大 冋時形成大量的發光裝置1。 參考圖2A至9,下面說明根據本發明的另一 可給定 聚合和 屬氧烷 ,當從 密封材 它們的 性。當 ,進一 導致的 光裝置 連接到 其經由 | 4a及 結構, 4a或一 g 4b的 外,可 內部。 置1的 光裝置 的板上 實施例 201027796 之發光裝置1的製造方法。圖2A槪要圖解以模壓來模造 玻璃材料的狀態。圖2B爲由模壓所形成之玻璃封裝2的 橫剖面槪要圖。如圖2A所示,將凸出和凹下形成在塑模 17的表面上。將玻璃材料15加熱至其軟化點或者更高溫 ’並且置放在平台16上。然後,將塑模17降低,以壓製 玻璃材料1 5。利用此操作,塑模1 7的凸出和凹下之形狀 轉移到玻璃材料15。冷卻之後,將塑模17舉高,及從平 台16移開已轉移凸出和凹下之玻璃材料15。如圖2B所 _ 示’將凹處5和用以在凹處5的底部形成通孔3之孔20 形成在已移開的玻璃材料15中,如此變成玻璃封裝2。 將塑模17的凸出和凹下變成錐形。因此,凸出18的 頂端較細及凹下19的底部變得較窄。錐形提高塑模17對 玻璃材料15的釋出性。再者,藉由轉移塑模17的凸出 1 8所形成之玻璃封裝2的孔20從底部朝頂部變得較寬。 因此’獲得的優點即爲:當稍後在孔20中塡充通孔電極 4時,通孔電極4幾乎不會從孔20滑出。另外,凹下19 φ 的每一個之錐形表面被使用當作用以反射從LED元件6 發出的光之反射表面。 在此實施例中,當模造玻璃封裝2時,用以形成通孔 電極4的孔20不穿過玻璃封裝2。當稍後在孔20中塡充 導電漿糊以形成通孔電極4時,此防止導電漿糊漏洩到背 表面側。然而,依據通孔電極4的材料和特性,來決定漏 洩的問題不會發生。在那例子中,當模造玻璃材料15時 ’或在模造玻璃材料1 5之後,和在形成通孔電極4之前 -14 - 201027796 ,孔20可穿過玻璃封裝2。 接下來,將絕緣材料所形成之多層干擾膜7形成在玻 璃封裝2的頂表面上。圖3以剖面圖槪要圖解此狀態。藉 由以濺鑛或者汽相沈積來沈積包括金屬氧化物和氟化物之 絕緣材料,而形成多層干擾膜7。例如,可使用 S i Ο、 Si〇2、Ti〇2、Zr02、Ce02、Al2〇3、Fe203 等當作金屬氧化 物’及疊層幾層或幾十層金屬氧化物,以形成多層干擾膜 φ 7 °由於多層干擾膜7係由絕緣材料所形成,所以不需要 去除沈積在凹處5的底部上之多層干擾膜7。因此,不需 要圖型化多層干擾膜7之步驟。 接下來,藉由分配器等將含有諸如Ag等金屬的導電 漿糊塡充在圖3所示的孔20中。將塡充的導電漿糊加熱 固化’以形成通孔電極4。圖4圖解將通孔電極4形成在 玻璃封裝2的孔20之狀態。可將金屬核心插入以接合和 固定到孔2 0來取代導電漿糊。 © 接下來,硏磨玻璃封裝2的背表面,以暴露通孔電極 4到背表面。將玻璃封裝2置放在具有平坦表面的硏磨平 台或硏磨墊上,及對著硏磨平台或硏磨墊壓靠和移動來硏 磨。以此方式,將通孔電極4的暴露部位和玻璃封裝2的 背表面1 2平面化。圖5槪要圖解此狀態。 接下來’將欲連接到通孔電極4a的背表面電極1〇a 和欲連接到通孔電極4b的背表面電極1 〇b形成在玻璃封 裝2的背表面上。圖6槪要圖解此狀態。以絲網印刷將含 有諸如Ag等導電材料之墨水印刷在玻璃封裝2的背表面 -15- 201027796 上。然後,藉由加熱來煆燒印刷的墨水以固化。藉由印刷 來形成背表面電極10可去除光致微影步驟和蝕刻步驟的 需要,因此降低製造成本。另外,由於玻璃封裝2的背表 面是平的,所以可容易地將發光裝置1安裝到另一基板。 圖7爲將LED元件6安裝在通孔電極4上之狀態的 橫剖面槪要圖。將電極形成在LED元件6的背表面上。 經由晶粒黏著材料U將LED元件6置放在通孔電極4上 方。將LED元件6加熱及按壓,以接合到玻璃封裝2和 通孔電極4。可使用焊料凸塊或金凸塊當作晶粒黏著材料 11。另一選擇是,可使用導電黏附劑當作晶粒黏著材料 1卜 圖8爲藉由導線9將形成在LED元件6的背表面上 之電極和通孔電極4連接的狀態之橫剖面槪要圖。可使用 金導線當作導線9。 圖9爲將密封材料8塡充於玻璃封裝2的凹處5之狀 態的橫剖面槪要圖。密封材料8爲藉由熟化金屬烷氧化物 參 從金屬烷氧化物所形成之聚金屬氧烷所獲得的氧化矽。尤 其是’藉由使用分配器等將金屬烷氧化物溶液塡充於玻璃 封裝2的凹處5。例如’可使用nSi(OCH3)4、4nH20、催 化劑(NH4〇H)、及抗龜裂劑(二甲基甲醯胺:DMF)當 作金屬烷氧化物溶液。以室溫到約6 0。C的溫度範圍將溶 液水解和聚合化’以形成聚金屬氧烷溶液。另外,以室溫 到約6 0 ° C的溫度範圍將溶液聚合化,以形成濕的氧化矽 凝膠,及以約1〇〇°C或更高的溫度將凝膠乾燥和煆燒,以 -16- 201027796 形成氧化矽。另一選擇是,可如上述,藉由塡充聚金屬氧 烷於玻璃封裝2的凹處5中和藉由將塡充的聚金屬氧烷聚 合化和瑕燒來形成氧化砂。 藉由將金屬烷氧化物或從金屬烷氧化物所形成之聚金 屬氧烷聚合化和煆燒所獲得的氧化矽具有良好的接合特性 ’及與玻璃封裝2和金屬氧化物所形成之多層干擾膜7類 似的熱膨脹係數,因此可獲得可靠的發光裝置。 〇 應注意的是’雖然已在上述實施例中說明用以形成一 發光裝置1的例子’但是可使用大的玻璃基板在同時形成 大量的發光裝置’及在結束時以劃線器或者晶圓切割來分 開發光裝置。另外,雖然在上述實施例中,以下列順序執 行步驟:(1 )模造玻璃材料;(2 )形成反射膜;(3 ) 开夕成通孔電極,(4)平面化背表面;(5)形成背表面電 極;(6 )安裝LED裝置;及(7 )形成密封材料,但是 本發明並不侷限於此順序。例如,在(3 )形成通孔電極 ® 的步驟之後可以下述順序來執行步驟:(6 )安裝LED裝 置;(7 )形成密封材料;(4 )平面化背表面;及(5 ) 形成背表面電極。 【圖式簡單說明】 在附圖中: 圖1A及1B爲說明根據本發明的發光裝置之槪要圖 圖2 A及2 B爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置 -17- 9 201027796 之製造方法的橫剖面圖; 圖3爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 法的橫剖面圖; 圖4爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 法的橫剖面圖; 圖5爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 法的橫剖面圖; 圖6爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 @ 法的橫剖面圖; 圖7爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 法的橫剖面圖; 圖8爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 法的橫剖面圖; 圖9爲槪要圖解說明根據本發明的發光裝置之製造方 法的橫剖面圖; 圖1 〇爲根據習知技術之發光裝置的橫剖面槪要圖; 〇 及 圖11爲根據習知技術之另一發光裝置的橫剖面槪要 圖。 【主要元件符號說明】 1 :發光裝置 2 :玻璃封裝 3 :通孔 201027796 4a :通孔電極 4b :通孔電極 5 :凹處 6 :發光二極體元件 7 :多層干擾膜 8 :密封材料 9 :導線 _ l〇a:背表面電極 l〇b :背表面電極 1 1 :晶粒黏著材料 1 2 :背表面 1 5 :玻璃材料 16 :平台 1 7 :塑模 1 8 :凸出 ❹ 1 9 :凹下 20 :孔 5 1 :玻璃基板 5 2 :通孔電極 5 3 A :電極金屬噴鍍 5 3 B :電極金屬噴鍍 54 :矽晶圓 5 5 :反射表面 5 6 A : L E D 元件 201027796 5 8 :通孔 61 :發光裝置 62 :金屬基板 62a :凸出安裝部 63 :第一·框體 64 :第二框體 65 :發光元件
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Claims (1)
- 201027796 七、申請專利範圍: 1.一種發光裝置,包含: —玻璃基板,其中形成一凹處; 一通孔電極,係藉由以一導電材料塡充一通孔所形成 ,該通孔電極形成在該凹處的一底部; 一發光二極體元件,其容納在該凹處中,及安裝於該 通孔電極上; φ —絕緣反射膜,其形成在該凹處的一內壁表面和一底 表面上;以及 一密封材料,供應到該凹處’以密封該發光二極體元 件。 2·根據申請專利範圍第1項之發光裝置,其中該反射 膜被形成當作一多層干涉膜。 3.根據申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中該密封材料包含藉由熟化金屬烷氧化物和從金屬烷氧化 ® 物所形成之聚金屬氧烷(polymetalloxane )的其中之一所 獲得的材料。 4·根據申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中該通孔被形成,具有從該玻璃基板的一背表面朝該凹處 的該底部變得較寬之一橫剖面形狀。 5· —種發光裝置製造方法,包含: 藉由模造方法來模造一玻璃材料,以形成一玻璃基板 ’該玻璃基板具有一凹處和在該凹處的一區域中之一孔; 在形成該凹處之該玻璃基板的一表面上形成一反射膜 -21 - 201027796 ,其係由一絕緣材料所形成; 藉由在該玻璃基板的該孔中提供一導電材料來形成一 通孔電極; 硏磨該玻璃基板的一背表面,以將該通孔電極暴露至 該背表面’和平面化該通孔電極的一暴露表面和該玻璃基 板的該背表面; 將一發光二極體元件安裝於暴露在該玻璃基板的該凹 處之一底部中的該通孔電極上;以及 $ 供應一密封材料至該凹處,以密封該發光二極體元件 〇 6.根據申請專利範圍第5項之發光裝置製造方法,其 中該密封材料包含藉由熟化金屬烷氧化物和從金屬烷氧化 物所形成之聚金屬氧烷的其中之一所獲得的材料。 7·根據申請專利範圍第5項或第6項之發光裝置製造 方法,其中該反射膜被形成當作一多層干涉膜。 8.根據申請專利範圍第5項或第6項之發光裝置製造 〇 方法,另外包含,在該硏磨之後,印刷一金屬漿糊於該玻 璃基板的該背表面上,以形成一背表面電極。 -22-
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