TW201025056A - Capacitor arrangement method and layout apparatus - Google Patents
Capacitor arrangement method and layout apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TW201025056A TW201025056A TW098133109A TW98133109A TW201025056A TW 201025056 A TW201025056 A TW 201025056A TW 098133109 A TW098133109 A TW 098133109A TW 98133109 A TW98133109 A TW 98133109A TW 201025056 A TW201025056 A TW 201025056A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- capacitor
- unit
- frequency
- classification
- gate width
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
- 101710156159 50S ribosomal protein L21, chloroplastic Proteins 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
201025056 六、發明說明·· 【交又參考之相闕申請案】 本申請案係根據西元2008年1〇月9曰戶斤申抹, ^第祕2削號,辑其請求優先權,其揭^併於^^ 【發明所屬之技術領域】 置 技術 本發明侧於在LSI布局設計中祕降低雜訊的電容器配 【先前技術】 隨著LSI的操作頻率增加,該LSI内的雷泝徂庵1 奏$日日片上電谷裔(on_chlp capacltor)或解耦電容器的 件。PTL1揭露關於如此電容器元件的布局技術。Q ° 複數區= :前==位單元俾使每一區域中的;率= 專利文獻:{PTL 1} JP-A-2006-040962 【發明内容】 的單ΐ 的每—單位單元係預定單-尺寸 小區域中。^ C的^寸越小’該單位單元就更便於配置在 一 然而,在大區域配置小單元的情況φ,兩面丄旦 兀,使得配置圖形及後續製造處理複 而要大里的早 在較大區域中的單仂帛— 二化相反地,對於欲配置 然而,ρίί UJJ訊的降f ’需要依據該雜訊之頻率的量測。 禾考慮雜訊的頻率。 *此’本發明係關於t容器單元的佈設,且其目標係提供能 201025056 器=置方法及佈設裝 1效後及以頻率為基的雜訊降低兩者的電容 .括:工態J可,-種電容器配置方法,包 容器之閉極寬度相關的頻率‘ 分類,用以藉與電 元;及第二分類,用以藉單有不同尺寸的電容器單 容器單元;辨認出複數個戶 具有不同頻率特徵的電 對該組合的每-者,桐^曰T之頻率特徵與配置區的組合;針 讀取電容器單元,盥配置所# 中以早兀尺寸的遞降次序, •置區;對於該複數個組;指示之配 :=具有較大閘極寬度的電容器; 寬度的電容器單元之輩分 代马/〃亥具有較大閘極 元;及紅成該取代之後,再次電容器單 依據本發明的第-每#妒接7电谷〇〇在度的延例〇 存部’儲存複數個電容器單二類^ ’包括:儲 特=識別具有心:Ϊ; 之頻率特徵的電二二% 遞降次序,讀取雷六:一電μ早功以單元尺寸的 區:對 電容器單較容二分類、,將配置g 依據本發明13 =查上容器密度的違例。 性及以頻率為基的雜訊降$兩|^、°凡成布局設計的有效 201025056 【實施方式】 十一將f、、、卩思附的圖式詳細地描述本發明的實施例。本實施例假 型的頻率(高頻及低頻)作為欲藉LSI巾所配置之晶片上 降低的雜訊鮮帶。例如’1GHz或更高的鮮帶可被定 義成^員’而低於1GHz的頻率帶可被定義成低頻。 广抑:不依據本發明之佈設裝置100的組態。儲存部101儲 ΐ早in’其標示複數種用作為電容雜型的電容器單元類 而热— 的分類等等。佈設部102依據下文將描述的程序 而執订自儲存σ(Μ〇ι所讀取之電容器單元的布局。 單元的_。在此例巾,有了高頻單元CH11 ία d。^ 1土 ΐ(lxl),則能準備高頻單元(CH—)與低頻單元 一 ,準備密度違例時所用的填塞單元F11(作為空白單 朗触猶的况 sr基準尺寸之單二= 出每「Jf」與該電晶體的閘極寬度「L」定義 容琴適人用丄率特彳政。具有較小閘極寬度l的晶片上電 器單=極丨因此,在本實施例中,高頻電容 在高頻的單元巾,單電單元關極寬度。 CH22具有更高的電容器·料H11更大之早兀尺寸的單元 括依單元表單1。包 π的第一分類11,與依單元尺寸分類 201025056 電容器單元的第二分類12。在第—八 一— 次序列出各個類別的電容器單 '「古 以單元尺寸的遞降 ^元在:二^:物取傳二 ==出中的 序。二口容=元的布局程 ⑽的佈設部102參考儲存部1〇1t驟f時,佈設裝置 f第一分類中,選擇對應所指示2),且 :列如’在高頻被指示為頻率特徵的中车步,S2)。 類Η中選擇「高頻用」的類別。月Μ佈叹部102自第—分 佈設部102使用所選之類別的雷 _ 容器單元俾填滿所指示之區。自儲存二广二’=配置該等電 η,取欲配置的電容器單元(步驟 1〇 ,同類別中的後續單元c簡、CH21 ^ 配置 m 部⑽以高頻電容器單元填滿該配置區=11 ,佈設 在結束該等電容器單元^S4.否知)。 ,,佈設部102檢查是否有新指U ^,驟S4 : 容器單元(步驟S2至S4)。 &配置所指不之頻率特徵的電 中:^ &例。為此,佈設部1〇2計算所有配置二的否2 ^? 1〇"ΐ J; 另方1广判定該布局係適宜的並終止該處理 另一方面,在所計算之密度超出該特定值 201025056 密度的料,林代«高電容器 頻單元具有較低電容器密度之ϋ馬頻早凡除了較低 在本實施财,當發生贿違㈣;單元= 低頻單元,以降低密度。 门馮早兀或填塞早兀取代 立接著’佈设部102檢查該違例的婁丈目是否已 布卩102以具有與低頻單元相同之單元尺 單 低頻單元(步驟S8)。在單亓矣罝·jn认铱v间頻早兀取代5亥 有相同尺寸的單元。二/f12(圖2)中列出具 1 以相同之间頻的2x1類型單开 上J CL21。在結束此取代之後,佈設部K)2 再-人^虽剛布局的役度(步驟S5)並判定違例的存在/不存在。 儘ΐ可對所有的低頻單元執行上文的單元取代,但也可對若 干低頻單兀執行之。此使密度得以逐漸減少。 、 另一方面,在違例的數目已超出上限(步驟S7:是 ^與既权低鮮元尺寸_的填塞單元取代該既定的低頻 (步驟S9):同樣在此情形中,可以填塞單元取代所有的低頻單1, 或以填塞單兀取代若干的低頻單元。例如,在甚至已用填塞單元 ,代所f低頻單元仍發生密度違例的情形中,可以填塞單^取代 若^的鬲頻單元。在完成該取代之後,佈設部102再次執行密产 計算(步驟S5)。 又 依據本實施例,配置對應假定之雜訊頻率帶的電容器,從而 增大雜訊降低之準確性。此外,準備具有相同頻率特徵及不同尺 寸的單元,並依單元尺寸的遞降次序配置該等電容器,藉以可使 佈設操作有效率。因此,可實現布局設計中的有效性與^ 基的雜訊降低兩者。 两 本發明不限於上文的實施例’但在本發明的精神内當可做各 種修正。例如’儘管假定兩種類型的頻率(高頻與低頻)作^電容器 的頻率特徵’但頻率類型的數目可為三種或以上。同樣在 201025056 中,使具有高頻之單元中的電容器閘極寬度更小。 本發明也可被執行作為對應上文實施例中佈設部1〇2之操作 • (,21的電腦程式,或儲存該程式的紀錄媒體。當實現上述措施時, f該j錄媒體中儲存該程式,及電腦自該紀錄媒體中讀取該程式 【圖式簡單說明】 圖1係解釋性視圖,其涉及本發明之實施例中的電办m w 一 圖2係解釋性視圖,其涉及實施例中的單元表單,各态單元 圖3係一流程圖,其顯示實施例中的操作程序。 φ 圖4係實施例中之佈設裝置的組態。 【主要元件符號說明】 10 單元表單 u 第一分類 12 第二分類 1〇〇 佈設裝置 1〇1 儲存部 102 佈設部 CH11單元 CH21單元 ⑩CH22單元 CH41單元 CL21單元 CL41單元 F11填塞單元 S1-S9步驟 W 電晶體寬度 ' L 閘極寬度
Claims (1)
- 201025056 七、申請專利範圍: 1. 一種電容器配置方法,幻社 儲存複數個電容器單_括下述步驟·· 該第-分類用以藉與—電歸類成第-分類與第二分類, 具有不同尺寸的電容H單元° 2寬度相關的頻率特徵而識別 別具有不同頻率特徵的電容嚴、,第二分類用以藉單元尺寸而識 辨認出複數個指示之艇1 =, 針對該組合的每—者與配置區的組合; 率特徵的電容器單元,及自第—分類選擇對應該指示之頻 遞降次序,讀取該等電容器擇的電容器單元中以單元尺寸的 填滿該指示的配置區;°兀,且配置該讀取的電容器單元以 對於該複數個組合的所有 的違例; 曰不之配置區,檢查電容器密度 當偵測到該違例時,按昭 中具有較大閘極寬度的電容=弟—刀類’將配置的電容器單元 度的電容器單元之單元尺寸;二巧為與該具有較大開極寬 及 加同且閘極ι度較小的電容器單元; 在完成該取代之後,再次檢查該電容ϋ密度的違例。 2. 如申^專利範圍第1項的電容器配置方法 Q 依單元尺寸儲存空白單元; 更匕括下述步驟: 判定違例的數目是否已超出該上限;及 當該違例的數目超出該上限時,將配 較大間極寬度的電容H單元,取代 料中具有 容器單元之單元尺相、雜有較大_寬度之電 3.如ίΐί輸圍f或2項的電容器配置方法,其中 ”以第與第一分類之每—者相關的頻率‘'一一, 或一低高頻率帶對雜訊的特徵;及 、试係一鬲頻率帶 與該高頻”之·相_難寬度制、於触低頻率之特 10 201025056 徵相關的閘極寬度。 4. 一種佈設裝置,包括: 一儲存部,儲存複數個電容器 第二分類,該第一分類用以藉與一 ,、可%類成第一分類與 特徵而識概有不同尺寸的電容II單M 極寬度相關的頻率 元尺寸而識別具有獨頻特徵& 該第二分_以藉單 -佈設部,辨認出複數個指 If及 針對該組合的每—者’根據該第 配置區的組合; φ 次序讀取電容器單元;配置單元尺寸的遞降 配置區;對於該複數個組合的所有妙1早70以填滿該指示之 密度的違例;當偵測到該違例時,=日=配檢查電容器 容器單元中具有較大閑極寬度的電刀類,將配置的電 大閘極寬度的電容器單元之單 ’取代為與該具有較 器單元;及在完成^同且閘極寬度較小的電容 5.如申請專利翻第4項的佈設裝置, f儲f部依單元尺寸儲存空白單元:及 數目超出該J J; $出:士:;及當該違例的 !二單的元:,有較:以 4或5項的佈設裝置,其中 或一低高頻率帶ί編目關的頻率_^ 徵相之特徵相關的間極寬度係小於與該低頻率之特 狀後再次檢查該電容ϋ密度的違例。 201025056 7. —種使電腦執行步驟的程式, 儲存複數個電衮玛留-驟如下述. 該第-分類用以藉2=3可歸類成第一分類與第二分類, 具有不同尺寸的電容器單㈡特::識別 別具有不同解特_電容ϋ弟—刀_ #早7^尺寸而識 指示之頻;特徵與配置區的組合; 特徵;電;=該電率 電容器單元,與配置該讀取的電容器單元以ί 的違5於°亥稷數個組合的所有該指示之配置區,檢查電容器密度 當债測到s亥達例時,按昭兮楚—八# 中具有較大閘極寬度的電容;^了:類、,將配置的電容器單元 度的電容ϋ單元之單元尺寸彳 °η ’ 與該具有較大閘極寬 及 早&尺寸相冋且閘極寬度較小的電容器單元; 在完成該取代之後,再次檢查該電容器密度的違例。 ‘ί申咖_ 7奴使娜雜_財,更包括下述步 依單元尺寸儲存空白單元. 判定^例的數目是否已超出該上限,·及 當該違例的數目超出該上限時, 較大閘極寬度的電容器單元,取代為蛊:置的電容器單元中具有 容器單元之單元尺寸相同的空白單元、〔、5亥具有較大閘極寬度之電 201025056 徵相關的閘極寬度。 八、圖式:13
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008262713A JP4605550B2 (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | キャパシタ配置方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201025056A true TW201025056A (en) | 2010-07-01 |
TWI454951B TWI454951B (zh) | 2014-10-01 |
Family
ID=41393924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098133109A TWI454951B (zh) | 2008-10-09 | 2009-09-30 | 電容器配置方法、佈設裝置、及其電腦程式產品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8122418B2 (zh) |
JP (1) | JP4605550B2 (zh) |
KR (1) | KR101141986B1 (zh) |
GB (1) | GB2464206A (zh) |
TW (1) | TWI454951B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10204737B2 (en) | 2014-06-11 | 2019-02-12 | Avx Corporation | Low noise capacitors |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5640712B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2014-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の設計支援装置、キャパシタ配置方法、及びプログラム |
US8572533B2 (en) * | 2011-11-23 | 2013-10-29 | Mentor Graphics Corporation | Waiving density violations |
US8578314B1 (en) * | 2012-09-06 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | Circuit design with growable capacitor arrays |
US8941434B1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Bus encoding scheme based on non-uniform distribution of power delivery network components among I/O circuits |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3461494B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置、半導体装置の生成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置の生成装置。 |
JP2003347405A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6775812B2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-08-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Layout design process and system for providing bypass capacitance and compliant density in an integrated circuit |
JP2004071837A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、半導体装置用パターンの生成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置用パターン生成装置 |
JP2005340347A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置用パターンの生成方法、半導体集積回路装置の製造方法、および半導体集積回路装置用パターン生成装置 |
JP4860123B2 (ja) | 2004-07-22 | 2012-01-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | デカップリング容量の配置方法 |
JP4734981B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-07-27 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路のレイアウト設計方法及び設計装置 |
JP2006303377A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
US7305643B2 (en) | 2005-05-12 | 2007-12-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of tiling analog circuits that include resistors and capacitors |
JP4010334B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置及び電子機器 |
US7689961B2 (en) | 2005-08-10 | 2010-03-30 | International Business Machines Corporation | Increased power line noise immunity in IC using capacitor structure in fill area |
JP2008147338A (ja) | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
US7849433B2 (en) * | 2008-05-09 | 2010-12-07 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit with uniform polysilicon perimeter density, method and design structure |
-
2008
- 2008-10-09 JP JP2008262713A patent/JP4605550B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-30 TW TW098133109A patent/TWI454951B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-10-05 US US12/588,102 patent/US8122418B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-06 GB GB0917490A patent/GB2464206A/en not_active Withdrawn
- 2009-10-08 KR KR1020090095550A patent/KR101141986B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10204737B2 (en) | 2014-06-11 | 2019-02-12 | Avx Corporation | Low noise capacitors |
TWI668719B (zh) * | 2014-06-11 | 2019-08-11 | 美商Avx公司 | 低雜訊電容器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100064268A1 (en) | 2010-03-11 |
GB0917490D0 (en) | 2009-11-18 |
GB2464206A (en) | 2010-04-14 |
KR20100040264A (ko) | 2010-04-19 |
JP4605550B2 (ja) | 2011-01-05 |
JP2010093110A (ja) | 2010-04-22 |
TWI454951B (zh) | 2014-10-01 |
KR101141986B1 (ko) | 2012-05-21 |
US8122418B2 (en) | 2012-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201025056A (en) | Capacitor arrangement method and layout apparatus | |
CN108320213A (zh) | 电商商品推荐方法和电商平台服务器 | |
CN109508337A (zh) | 一种交易并行执行方法、装置、电子设备及系统 | |
CN104978320B (zh) | 一种基于相似度的知识推荐方法和设备 | |
CN108763952A (zh) | 一种数据分类方法、装置及电子设备 | |
CN109472017A (zh) | 获得待生成裁判文书本院认为段相关信息的方法及装置 | |
CN109086468A (zh) | 用于设计集成电路芯片的方法、系统及电脑程序产品 | |
CN109977177A (zh) | 生成用户画像的方法及装置 | |
CN110309295A (zh) | 生成裁判文书经审理查明段的方法及装置 | |
CN107748739A (zh) | 一种短信文本模版的提取方法及相关装置 | |
CN108595460A (zh) | 关键词自动抽取的多路评测方法及系统、计算机程序 | |
TWI253550B (en) | A system and method for identifying semiconductor process steps for queue-time control and abnormality detection | |
CN109413595A (zh) | 一种垃圾短信的识别方法、装置及存储介质 | |
EP2350986A1 (en) | Currency discrimination and evaluation | |
Sepehri Rad et al. | Towards identifying arguments in Wikipedia pages | |
US8578304B1 (en) | Implementing mulitple mask lithography timing variation mitigation | |
CN110299184B (zh) | 闪存读电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
CN108241989A (zh) | 差异性数据获取方法及装置 | |
CN107526969A (zh) | 一种确定ip核安全级别的方法及装置 | |
TW200837590A (en) | Method and apparatus for designing an integrated circuit | |
TWI240084B (en) | Testing method for integrated circuit | |
US20130191058A1 (en) | Intelligent analysis method of leakage current data for chip classification | |
US8242805B1 (en) | Method and apparatus for restricting the use of integrated circuits | |
TW559865B (en) | Computer-implemented method of process analysis | |
CN106897745A (zh) | 一种多维数据集的降维处理方法及装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |