TW201015670A - Ceramic package structure of high power light emitting diode and manufacturing method - Google Patents

Description

201015670 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種高功率發光二極體陶瓷封裝結構及其 製造方法’尤其是關於封裝高功率發光二極體之陶瓷基板。 【先前技術】 發光二極體元件由於耗電量少、體積小及使用壽命長， 目岫廣泛地使用於豕電用品之指示燈、液晶顯示器之背光 源、圖文顯示幕及汽車第三煞車燈等應用。近年來由於如 磷化鋁鎵銦（AlGalnP)及氮化鋁鎵銦（A1GaInN)等發光 二極體材料已被成功開發，因此能夠在許多應用上以發光 二極體元件取代傳統的白熾燈泡。 圖1係中華民國第Ϊ265647號專利之高功率發光二極體 封裝結構之分解圖。如圖所示’發光二極體封裝結構包含 底座1〇〇、接著劑160、反射板11〇、發光二極體15〇'複 數條導線120及透光性填充物13〇。此封裝結構的主要特點 ❿ 為底座100,其在於具有一由金屬材質與絕緣材料106所一 體成型構成的底座1〇〇。該金屬材料分別構成一個由底座上 表面、以及底座下表面或側面分別透出的散熱座丨〇2，以及 複數個位於該散熱座102四周適當位置、由底座上表面' 以及底座下表面或側面分別透出的電# 1〇4。該絕緣材料 106位於該散熱座102與電極1〇4之間，致使散熱座ι〇2 與任一電極！04之間是以絕緣黏合的。發光二極體晶片1〇5 即黏固於散熱座102之上表面’發光二極體晶片1〇5的正 負電極則以導線120分別連接到底i 1〇〇的上表面電極 201015670 1 04。外部電源經底座1 00的下表面電極1 〇4、底座上表面 電極104、與導線12〇向晶片1〇5提供電流讓此晶片1〇5 發光。反射板11 〇是以接著劑1 60與底座1 〇〇黏著。 上述習知技術雖然可以分離電氣通道和散熱通道而提昇 政熱功效，然此種封裝結構過於複雜，且許多構件間之結 合係採黏合。因此氣密性較差，水氣或濕氣容易侵入進 而影響到產品的可靠性及信賴度。而且異質材料間之結合 會因膨脹係數不同而翹曲或彼此分離，因此結構體的強度 ® 穩疋性也會有不足的疑慮。相似之問題亦存在於中華民國 第1271835號專利。 另外，尚有 W02005/043627、US20040079957 及 US20070200127號等公開專利揭露一發光二極體晶片的封 裝結構。該封裝結構包括一基板、一反射板及一透鏡。該 基板可由導熱但電絕緣之材料或由導熱且導電之材料所製 成。該基板包括一導電材料及一形成於該導電材料上之電 〇 絕緣但導熱之材料，該基板另具有用以於一安襞墊上連接 至一發光二極體晶粒（LED)之導線。該反射板係耦合至 該基板上並大體上環繞該安裝墊’該透鏡大體上覆蓋該安 裝墊。藉由該基板（充當底部散熱片）及該反射板（充當 頂部散熱片）兩者，可將操作期間由發光二極體晶粒所產 生的熱量傳導至他處。該反射板包括一反射表面，可用以 將來自發光二極體晶粒的光引導至所要的方向。然而此種 封裝結構亦有著上述類似之缺點，因此仍需要改善結構複 雜及製程整合性不佳之問題。 201015670 【發明内容】 本發明提供一種；t； # & 、、 。力率發光二極體陶瓷封裝結構及其製 造方法，藉由熱壓入丑，a、 …D >成之高散熱陶瓷材料載板將晶片所 生之熱此導出’已達到有效降低元件溫度之目的。

為解決上述技術朋Bs L 1續’本發明提供以下技術方案：一種 高料發光二極體陶_裝結構，其包含—發光二極體晶 抵七人陶究基板、至少兩個導柱及一導電膜層。該陶曼基 ❹ 參 板匕含一第一表面及—* #^ 相對於该弟一表面之第二表面，該 第一表面設有一反斜知 射杯，且該反射杯之底部有至少兩個通 a忒導電膜層包含-第-電極及-第二電極，且固定於 :第二表面。該至少兩個導柱分別設於該至少兩個通孔 中’且分別和該第_帝' 代^ 包和及一弟二氧極相連接。該發光二 極體晶粒係固定於-該導柱或該至少兩個導柱之上方，且 和該至少兩個導柱電性相連。 本發月提供另-種局功率發光二極體陶曼封裝之製造方 法，其包含步驟如下：麼合—導電膜層於一陶曼基板之表 面，其中於該陶曼基板相對該導電膜層之另一表面包括至 /凹入之反射杯；圖案化該導電膜層為至少一第一電極 及至少—第二電極；於該反射杯之底部形成至少兩個通 孔’分別形成至少兩個導柱於該至少兩個通孔内 至少兩個導柱分別和該第—電極及—第二電極相連接^ 定-發光二極體晶粒於一該導柱或該至少兩個導检 面，以及電性連接該發光二極體晶粒和該至少兩個導柱。 【實施方式】 201015670 圖2A〜2J係本發明一實施例之高功率發光二極體陶瓷 封裝之製造步驟示意圖。如圖2A所示，藉由高溫熱壓合技 術將一導電膜層21固定於一陶瓷基板22之第二表面22 5, 八中°亥陶’資*基板22可以疋一尚溫共燒或低溫共燒之陶宪板 材及該導電膜層21可以是一銅箔。 參見圖2B，再利用機械鑽孔技術或是鐳射鑽孔技術於陶 X基板22’之第一表面224上形成一反射杯221，其目的是 使發光二極體光源能向固定方向（圖中上方）射出。或者 是運用生胚成形等類似技術於陶瓷基板22,固化成型時，就 已於弟一表面224上形成一凹入之反射杯221，如此可省去 後加工（鑽孔）之步驟。接著運用黃光曝光、光阻顯影、 金屬银刻等製程將預設的電極圖型之溝槽213呈現於導電 膜層21上’如圖2C所示。因此，一第一電極211及一第 二電極212已形成於陶瓷基板22,之第二表面225上。 同樣地’再利用機械鑽孔技術或是鐳射鑽孔技術於陶曼 基板22"之反射杯221底部形成複數個通孔222及223,如 圖2D所示。接著再於通孔222及223中填入導電性材料， 例如：銀膠、混合金及銀粉末之黏膠或電鑄（dectr〇f〇rm) 所沉積金屬’以形成供電迴路用途之導柱231及232，並同 時增加結構之支撐剛性，如圖2E所示。 為使陶究基板22"底部之第一電極211及第二電極212 有較佳之可銲性（solderability )，可利用電解電鍍或化學 電鍍的方式’將鎳、金、鈀或銀等輔助金屬層依序電鍍於 弟·一電極2 11及弟—電極212上。如圖2F所示，鋅層241 201015670 及金層242不僅可依序附著於第一電極211及第二電極2i2 表面’也可電鐘在導柱231及232露出之表面，可利於後 續封裝製程之結合。 再利用固晶技術（die bonding或共熔製程eutetic bonding)將發光二極體晶粒25黏著在導柱231上方，如 圖2G所示。導柱231、2S2表面之鎳層241及金層242可 以和發光二極體晶粒25有良好之結合性，並可以和金屬導 線26鎔接在一起，如圖2H所示。經由金屬導線％可連接 _ 發光二極體晶粒25上焊墊（bonding pad)與導柱232，如 此陶瓷基板22"及導柱23〗、232之組合即可作為導電支 架’又可當作發光二極體晶粒25之支撐載體。 如圖21所示，為能保護發光二極體晶粒25及金屬導線 26不文％ i兄及外力之影響，最後再將透明膠材填充至反 射杯22i内，例如：環氧樹脂（ep〇xy)或聚石夕氧炫樹脂 (siHcone gel )。該透明膠材27可以藉由轉注成型（ • m〇lding )或射出成型（injection molding )方式注入反射杯 221内’而得以覆蓋整個發光二極體晶粒25，以達到防水 氣與保護的效果。該透明膠材27可以加入二氧化欽（M2) 或二氧化矽（Si〇2)等擴散顆粒。 為增加發光—極體陶竟封裝結構2〇之聚光效果，可在透 月膠材27之上表面增加_凸透鏡28,如圖所示。該凸 透鏡28可先射出成型完成後，再黏合於透明膠材π之上 表面’或者’透明膠材27和凸透鏡28也可由藉由單一步 驟之轉/主成型或射出成型一併形成，如此可簡化步驟及減 201015670 少會產生光線反射之界面。 圖3係本發明發光二極體陶瓷封裝結構之上視圖。陶瓷 基板22"之反射杯221底部有兩個金層242之區域，該兩個 區域係位於導柱23卜232之上方，其中發光二極體晶粒乃 固定於面積較大之金層242表面。反射杯221係形成於白 色或反射效果佳之陶瓷材料中，因此對於發光二極體晶粒 25產生之光線可以有效反射至凸透鏡28所在之方向。

圖4A〜4J係本發明一實施例之高功率發光二極體陶瓷 封裝之製造步驟示意圖。如圖4A所示，藉由高溫熱壓合技 術將一導電膜層4丨固定於一陶瓷基板42之第二表面， 其中該陶£基板42可以是-高溫共燒或低溫共燒之陶曼板 材及該導電膜層41可以是一銅箱。 參見圖4B，再利用機械鑽孔技術或是鐳射鑽孔技術於陶 莞基板42’之第-表自424上形成一反射# 421，其目的是 使發光二極體光源能向固定方向（圖中上方）射出。或者 是運用生胚成形等類似技術於陶瓷基板42,成型時，就已於 第一表面424上形成一凹入之反射杯421，如此可省去後加 工（鑽孔）之步驟。接著運用黃光曝光、光阻顯影、金屬 蝕刻等製程將預設的電極圖型溝槽413呈現於導電膜層“ 上’如圖4C所示m —電極411及-第二電極 412已形成於陶瓷基板42,之第二表面425上。 同樣地，再利用機械鑽孔技術或是鐳射鑽孔技術於陶瓷 基板42’'之反射杯421底部形成複數個通孔422及423，如 圖4D所示。接著再於通孔422及423中填入導電性材料， 201015670 例如.銀勝、混合金及銀粉末之黏膠或以電禱沉積金屬， 以形成供電迴路用途之導柱431 & 432,並同時增加結構之 支樓剛性’如圖4E所示。 為使陶曼基板42"底部之第一電極411 &第二電極412 有較仏之可!干性’可利用電解電鍍或化學電鍍的方式，將 鎳、金或銀依序電鍍於第一電極411及第二電極412上。 “圖F所示，鎳層44丨及金層442不僅可依序附著於第— a極411及第二電極412表面，也可電鍵在導柱叫及切 露出之表面，可利於後續封裝製程之結合。 7利用覆晶技術（flip chip)將發光二極體晶粒45黏著 在¥柱431、432上方，電路面朝向導柱431、432之發光 —極體晶粒45藉由錫鉛凸塊49與導柱431、432相互接合。 *亥凸塊49經過迴焊後，因錫膏融熔後會再固化，電性就垂 直導通，如圖4G所示。相較於圖2H，此實施例之優點是 電流路徑較短及散熱佳，並且可以減少了打線後的金屬導 線所需之佈線高度。 如圖4H所示，為能保護發光二極體晶粒45不受環境及 外力之影響，最後再將透明膠材47填充至反射杯421内， 例如.％氧樹脂或聚矽氧烷樹脂。該透明膠材47可以藉由 轉注成型或射出成型方式注入反射杯42】内，而得以覆蓋 整個發光二極體晶粒45，以達到防水氣與保護的效果。該 透明膠材47可以加入二氧化鈦或二氧化矽等擴散顆粒。 為增加發光二極體陶瓷封裝結構4〇之聚光效果，可在透 明穋材47之上表面增加—凸透鏡48。該凸透鏡48可先射 201015670 出成型完成後’再黏合於透明膠材47之上表面；或者透明 膠材47和凸透鏡48也可由藉由單_步驟之轉注成型或射 出成型一併形成，如此可簡化步 閲v驟及減少會產生光線反射 之界面。 圖5係本發明另一實施例之發光二極體《封裝結構之 上視圖。發光二極體陶宪封裝結構5〇包含三個發光二極體

晶粒551、552及553，並八％丨么·；re I 3 #刀別會發出紅色、綠色及藍色之 e ❷ 光線’因此可以混合為白光。該三色光可以在透明膠材” 中混合’並透過透明膠材47上方之凸透鏡58射出。 陶兗基板52之反射杯521底部有四個金層⑷之區域， 該四個區域係位於四個導柱(圖未示）之上方，其中發光 一極體晶粒551、552及八 及553为別固定於對應之金層區 域之表面。紅色發光二極體a私ς ςu , 往體日曰拉55 1精由一金屬導線56和 未固定晶粒之金層542區域電性相連，另外綠色及紅色發 光二極體晶粒552及553亦分別藉由_金屬導線％和未固 定晶粒之金層542區域電性相連。—般綠色及紅色發光二 極體晶粒552 A 553之基材係非導體材料，因此尚需要金 屬導線56電性連接至所在區域之金層542。反射杯521係 形成於白色或反射效果佳之陶瓷材料中因此對於發光二 極體晶粒55M53產生之光線可以有效反射至凸透鏡㈣ 在之方向。 圖6係本發明另一實施例之發光二極體陶究封裝結構之 上視圖。發光二極體陶瓷封裝結構6〇包含三個發光二極體 晶粒651、652及653，其分別會發出紅色、綠色及藍色之 -12 - 201015670 光線’因此可以混合為白光。該三色光可以在透明膠材6 7 中混合，並透過透明膠材67上方之凸透鏡68射出。 相較於圖5 ’本實施例陶瓷基板62之反射杯621底部有 六個金層642之區域，該六個區域係位於六個導柱（圖未 示）之上方’其中發光一極體晶粒651、652及653分別固 疋於對應之金層642區域之表面。紅色發光二極體晶粒651 藉由一金屬導線66和對應未固定晶粒之金層642區域電性 相連，另外綠色及紅色發光二極體晶粒652及653亦分別 藉由一金屬導線66和對應未固定晶粒之金層642區域電性 相連。一般綠色及紅色發光二極體晶粒652及653之基材 係非導體材料，因此尚需要金屬導線56電性連接至所在區 域之金層642。本實施發光二極體晶粒651、652及653之 供應電流可單獨控制，和圖5中共用陽極之電路設計不同。 反射杯621係形成於白色或反射效果佳之陶瓷材料中， 因此對於發光二極體晶粒651_653產生之光線可以有效反 射至凸透鏡68所在之方向。 本發明之技術内容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不 月離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍 應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不f離本發明之 替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 圖1係巾華_第1265647號專敎高辞發光二極體 封裝結構之分解圖； 13 201015670 圖 2 Α〜2 J係本發明一訾1 仓丨丨+古j- t & λ* Λ方例之同功率發光二極體陶曼 封裝之製造步驟示意圖； 圖3係本發明發光二極體陶瓷封裝結構之上視圖； 圖4A〜4J係、本發明—實施例之高功率發光二極體陶曼 封裝之製造步驟示意圖；以及 圖5係本發明另—實施例之發光二極體n封裝結構之 上視圖；以及 圖6係本發明另一實施例之發光二極體陶瓷封裝結構之 上視圖。 主要元件符號說明】 20、40、5〇、60封裝結構u、41導電膜層 22、22’、22’’、42、421、42"、52、62 陶兗基板

25、45發光二極體晶粒 27、47、57、67透明膠材 49凸塊 100底座 104電極 110反射板 130透光性填充物 160接著劑 2 11、411第一電極 213、413 溝槽 222、223、422、423 通孔 225、425第二表面 26、56、66金屬導線 28、48、58、68 凸透鏡 102散熱座 106絕緣材料 120導線 150發光二極體 212、412第二電極 221、421、521、621 反射杯 224、424第一表面 231、232、431、432 導柱 -14- 201015670 241、441 鎳層 242、442、542、643 金層 551、552、553、651、652、653 發光二極體晶粒

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Claims (1)

1. 201015670 十、申請專利範圍： 1. 一種高功率發光二極體陶瓷封裝結構，包含： 一發光二極體晶粒； 一陶瓷基板，包含一第一表面及一相對於該第一表面 之第二表面，該第一表面設有一反射杯，且該反射杯之底 部包括有至少兩個通孔； 一導電膜層’包含一第一電極及一第二電極，且固定 於該第二表面； ❹ 至少兩個導柱，分別設於該至少兩個通孔中，且分別 和η亥第電極及該弟二電極相連接；以及 一發光二極體晶粒，固定於一該導柱或該至少兩個導 柱之上方，且和該至少兩個導柱電性相連。 2. 根據請求項！所述之高功率發光二極體陶究封装結構，其 另包含一填充於該反射杯内之透明膠材。 3. 根據請求項2所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 另包含一固定於該陶瓷封裝結構表面之凸透鏡。 / 4. 根據請求項2所述之高功率發光二極體陶瓷封骏結構，其 另包含複數個加入該透明膠材之擴散顆粒。 〃 5. 根據請求項4所述之高功率發光二極體陶瓷封裝结構，其 中該擴散顆粒之材料係二氧化鈦（丁丨〇 (Si02)〇 2』或二氧化矽 6 ·根據请求項2所述之高功率發光二極體陶究封沾 中該透明膠材之材料係環氧樹脂（χ 構，其 脂（Sinc_gel)。 ” 或，烧樹 -16- 201015670 7. 根據請求項1所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 另包含至少一輔助金屬層，該輔助金屬層係形成於該第一 電極、該第二電極及該至少兩個導柱之表面。 8. 根據請求項7所述之高功率發光二極體陶菱封裝結構，其 中該輔助金屬層係具有可銲性之金屬材料。 9·根據請求項8所述之高功率發光二極體陶:是封裝結構，其 中該具有可銲性之金屬材料係鎳、金、鈀及銀。 10·根據請求項i所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 另匕3至夕纟屬^線，該金屬導線連接該發光二極體晶 粒及一該導柱。 η.根據請求項i所述之高功率發光二極體陶究封裝結構，其 另包含複數個凸塊，該複數個凸塊連接該發光二極體晶粒 及該至少兩個導柱。 !2.根據請求項i所述之高功率發光二極體κ封裝結構，其 中該陶究基板係-高溫共燒或低溫共燒之陶兗板材。 1 3 根據6青求項1所述之高成產於, 回功羊發先—極體陶瓷封裝結構，其 中該導電膜層係一銅落。 14 ·根據請求項1所述之高功率癸# 刀丰^九—極體陶瓷封裝結構，其 中該至少兩個導柱之材料俜固化之相謂 1·叶係固化之銀膠、固化之混合金及 銀粉末之黏膠或電鑄所沉積之金屬。 1 5. —種高功率發光二極體陶i封& J充釘衣之製造方法，其包含步驟 如下： 壓合一導電膜層於—陶瓷基. 尤板之表面’其中於該陶瓷 基板相對該導電膜層之另一*面 乃表面包括至少一凹入之反射 -17- 201015670 杯， 圖案化該導電膜層為至少-第-電極及至少-第二電 極； 於該反射杯之底部形成至少兩個通孔； 为別形成至少兩個導柱於該至少兩個通孔内，其中該 至少兩個導柱分別和該第—電極及—第二電極相連接； 口疋心光一極體晶粒於一該導柱或該至少兩個導柱 之表面；以及 以及電性連接該發光二極體晶粒和該至少兩個導柱。 16. 根據請求項15所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其另包含填充一透明膠材於該反射杯内之步驟。 17. 根據請求項15所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其另包含於該透明膠材表面形成或固定一凸透鏡之 步驟。 18. 根據請求項15所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其另包含形成於該第一電極、該第二電極及該至少 兩個導柱之表面至少一輔助金屬層之步驟。 19. 根據請求項18所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其中該輔助金屬層係藉由電解電鍍或化學電鍍的方 式形成。 20. 根據請求項15所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其中該反射杯係藉由機械鑽孔或是鐳射鑽孔形成於 該第一表面。 21_根據請求項15所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 -18- 201015670 方法，其中該反射杯係於該陶瓷基板固化成型同時形成之 凹入部分。 22. 23 響 24 25 26. 27. 根據請求項1 5所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其中該複數個通孔係藉由機械鑽孔或是鐳射鑽孔形 成於該反射杯底部。 根據清求項1 5所述之南功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其中该發光二極體晶粒係藉由固晶技術固定於一該 導柱上方。 根據请求項1 5所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其中该發光二極體晶粒係藉由覆晶技術固定於該至 少兩個導柱上方。 根據明求項15所述之咼功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法，其中該透明膠材係藉由轉注成型（transferm〇Ming) 或射出成型（inj.eCti〇nm〇lding)方式注入該反射杯内。 根據明求項1 5所述之高功率發光二極體陶瓷封裝之製造 方法’其中該導電膜層係藉由黃光曝光、光阻顯影及金屬 蝕刻形成該第一電極及該第二電極。 一種高功率發光二極體陶瓷封裝結構，包含： 複數個發光二極體晶粒； &部包括有複數個通孔； 〃陶瓷基板’包含一第—表面及一相對於該第一表面 ^第二表面’該第-表面凹設有—反射杯，且該反射杯之 一電極及複數個第二電 導電膜層，包含複數個第 極’且固定於該第二表面； -19- 201015670 複數個導柱，分別設於該複數個 通孔中，且分別和該 複數個第一電極及該複數個第二雷 兒極相連接；以及 複數個發光二極體晶粒’分別[5] ^ 刀々J固疋於至少一該導柱之 上方，且分別和至少兩該導柱電性相連。 2 8.根據請求項2 7所述之高功率發光_ 、 知尤—極體陶瓷封裝結構，其 中該複數個發光二極體晶粒包含έ多 3、'、工色、綠色及藍色發光二 極體晶粒。 29·根據請求項27所述之高功率發夯-μ ^ ^ 门刀午士九~極體陶瓷封裝結構，其 另包含一填充於該反射杯内之透明膠材。 30.根據請求項29所述之高功率發朵-权碰^ ^ 千&尤—極體陶瓷封裝結構，其 另包含一固定於該透明膠材表面之凸透鏡。 3 1 ·根據請求項29所述之高功率發夯-扠 门刀千知尤—極體陶瓷封裝結構，其 另包含複數個加入該透明膠材之擴散顆粒。 32.根據晴求項31所述之高功率發异* 门刀千4尤—極體陶瓷封裝結構，其 中該擴散顆粒之材料係二氧化鈦或二氧化矽。 ❼33·根據請求項29所述之高功率發光二極體陶究封震結構，其 中該透明膠材之材料係環氧樹脂或聚矽氧烷樹脂。 34.根據請求項27所述之高功率發光二極體陶兗封裝結構，其 另包含至少-輔助金屬層，該輔助金屬層係形成於該複數 個第一電極、該複數個第二電極及該複數個導柱之表面。 35·根據請求項34所述之高功率發光二極體陶竞封裝結構，其 中該至少一辅助金屬層係具有可鲜性之金屬㈣。 36.根據請求項35所述之高功率發光二極體陶究封裝結構，其 中該具有可銲性之金屬材料係鎳、金、鈀及銀。 -20- 201015670 37. 根據請求項27所述之高功率發光二極體Μ封裝結構，盆 另包含複數個金屬導線，該複數個金屬導線連接該複數個 發光二極體晶粒及該複數個導柱。 38. 根據請求項27所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 另包含複數個凸塊，該複數個凸塊連接該複數個發光二極 體晶粒及該複數個導柱。 39.根據請求項27所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 中該陶瓷基板係一高溫共燒或低溫共燒之陶兗板材。 β 40.根據請求項27所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 中該導電膜層係一銅箔。 4 1.根據請求項2 7所述之高功率發光二極體陶瓷封裝結構，其 中該複數個導柱之材料係固化之銀膠、固化之混合金及銀 粉末之黏膠或電鑄所沉積之金屬。

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