TW201012581A - Machining apparatus - Google Patents

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201012581 31194pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於-種加卫裝置。本發明特 對具有熱致模式(heatmode)型記錄 件進行加工的加工裝置。 &工對象構 【先前技術】 ❹ 物上’對加工對象物照射雷射光來於加工對象 物上形成規定的圖案的加工裝置為 ^ X方向 平台⑽〇上的加工對象物向 動來進行加卫。另外，已知作為_加 -起，一面藉由其是將旋轉體與光學系統組合在 工。例如於曰本2= 對象物旋轉一面進行雷射加 下方法：以古播择认寺開2007-216263號公報中揭示有如 ^又的加工為目標而使用一面使加工對象物 (beam 加工的方法，雜由對雷射光的光束點 成小於等=束=進行調整來在加工對象物上形 術。 、域對象的凹凸圖案相對應的微細圖案的技 物體供^此種微細圖案的加讀象物，正在向各種 式型的記騎料層細圖案的形成中選擇熱致模 屬來作為加1縣物的情形。熱致模式型 201012581 31194pif 的記錄材料層為藉由照射所引起的光熱轉換產生物理變化 或化學變化’以藉此形成所需的圖案。即，熱致模式型的 «己錄材料層具有低照度失效特性（照度越低且照射時間越 長，則感光材料的感光度就越下降的特性），即若照射的速 度變It貝1J所產生的熱會散逸，從而需要更多的照射能量。 :此，當藉由騎來於熱致模式型記騎料層上形成（記 錄）圖案時，必需以短時間照射而高速地形成 【發明内容】 〃 本發明提供-種·錢簡式魏騎料層的加 工對象構件高速地進行圖案照射的加工裝置。 蚀且明的第1型態是—種加工裝置，其包括：旋轉部， 2有熱致模式型記錄材料層的加I對象構件旋轉，上述 式型記錄材料層利用由記錄用雷射光的照射所產生 =^記錄資訊；以及多個照射部，排列於穿過藉由上述 =部而旋轉的上述加工對象構件的旋轉中心的直線上， 述加工對象構件的上述旋轉中心起的半徑方向距離 互不相同的區域照射記錄用雷射光。 晉，2型態'是如上述第1型態所述之加工裝 隔為上社ί述ΐΓ照射部是以規定間隔排列著，該規定間 ==述二對象構件的預定的加工對象區域中的以上述 :=:ί=半徑方向的一端部至另-端部為止的距 離除以上述照射部的數量所獲得的值。 的第3型態是如上述第1型態所述之加工裝 ’ H控制部’對自上述多個照射部的各個所照射 201012581 31194pif 的記錄用雷射光的照射時間及照射強度進行控制，以便於 藉由上述多個照射部的各個而於利用上述旋轉部來旋轉的 上述加工對象構件上形成與預定的形成對象圖案相對應的 形成圖案時’使藉由該多個照射部的各個所形成的形成圖 案的大小及形狀彼此相同。 本發明的第4型態是如上述第3型態所述之加工裝 置，其包括：多個照射波形生成部，對應於上述多個照射 ❹ 部的各個而設置，且生成照射波形；以及多個同步訊號生 成部，對應於上述多個照射部的各個而設置，且生成同步 訊號；上述多個照射部使下述記錄用雷射光與自所對應的 上述同步訊號生成部所輸入的同步訊號同步而進行照射， 上述記錄用雷射光的強度及照射時間與自所對應的上賴 射波形生成部所輪入的照射波形相對應；上述控制部預先 將上述多個照射部中的一個設定為基準照射部，並將對該 基準照射部輸出的同步訊號設定為基準同步訊號，以使該 基準同步訊號輸出至該基準照射部的方式控制上述同步訊 ® 號生成部，並且根據與該基準照射部的距離來控制上述同 步訊號生成部，以使該距離向外周側變得越大則上述同步 訊號的頻率變得越高，而該距離向内周侧變得越大則上述 同步訊號的頻率變得越低，藉此針對各照射部來控制自上 述多個照射部的各個所照射的上述記錄用雷射光的照射時 間。 本發明的第5型態是如上述第4型態所述之加工裝 置’其包括·照射強度調整部，對由上述照射波形所示的 201012581 31194pif 最大照射強度相對於最小照射強度的比進行調整；上述控 制部將上述多個照射部中的一個設定為基準照射部根^ 與基準照射部的距離來控制上述照射強度調整部，以使該 距離向外周侧變得越大則由上述照射波形所示的最大照^ 強度相對於最小照射強度的比會變得越小，而該距離向、内 周側變得越大則由上述照射波形所示的最大照射強度相對 於最小照射強度的比會變得越大，藉此針對各照射部來控 制上述記錄用雷射光的照射強度。 本發明的第6型態是如上述第i型態所述之加工裝 置，其包括：移動部’使上述多個照射部自上述加工對象 構件的内周侧向外周側、或者自該加工對象構件的外周側 向内周侧相對地移動；上述照射部包括：光源， 光；分支部’將自該光源所射出的雷射光至少分支為上述 記錄用雷射光、及用以檢測上述加工對象構件上的反射率 的檢測用雷射光；以及檢測部，對上述檢測用雷射光的由 上述加工對象構件所反射的反射光的光量變化進行檢測； 上述控制部根據上述檢測部的檢測結果來控制上述移動 部，以使當於上述加工對象構件上檢測出記錄完成區域 時，使上述多個照射部移動至未檢測出上述記錄區域的區 域為止。 本發明的第7型態是如上述第6型態所述之加工裝 置，其包括：聚光部，以使由上述分支部所分支的上述記 錄用雷射光與上述檢測用雷射光於上述加工對象構件 徑方向上隔開規定間隔來照射的方式進行聚光。 201012581 jiiy^pu 本發明的第8型態是如上述上述第6型態、第雖 所述之加工裝置’其中上述分支部將自上述光源所射出^ 雷射光分支為至少1束或多束雷射光、以及至少丨 束檢測用雷射光。 又夕 根據本發明，可提供—雖㈣具有熱賴式型記 材料層的加工對象構件高速地寫入包含小於等於雷^點 (laserspot)直徑的圖案的照射圖案的加工裝置。 ” 0 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 、 【實施方式】 (第1實施形態） 本實施形態的加工裝置90 (參照圖3)藉由對一片碟 片狀的加工對象物33照射記錄用雷射光，而於加工對象物 33上形成作為圖案的訊坑（pit) p。 加工對象物33為-片碟片狀（圓盤狀）的加工對象 物。如圖1所示，加工對象物33為於基板33A上積 © 記錄材料層33B的構成。再者，於本實施形態中，對加工 對象物33為於基板33A上積層有記錄材料層33B的構成 的情形進行說明。但是，本實施形態的加工裝置9〇中所使 用的加工對象物33只要是至少設置有下文詳述的記錄材 科層33B的構成即可，其亦可為僅有記錄材料層加的構 成。另外，加工對象物33亦可為於記錄材料層33b上進 而積層有其他層的構成。 記錄材料層33B是藉由因構成材料吸收光所引起的 201012581 31194pif 發熱而變形來形成訊坑P (參照圖2)的層，且為藉由下 述物性變化來進行記錄的層，上述物性變化是因照射記錄 用雷射光而由受到照射的區域的光熱轉換所引起的物性變 化。訊坑P為形成於記錄材料層33B上的凹部。 即，δ己錄材料層33B是可藉由強光的照射而將光轉換 成熱後’因該熱而使材料產生形狀變化並形成凹部（訊^ Ρ)的層，即為所謂的熱致模式型記錄材料層。記錄材 可使用先前多用於光記錄碟片等的記錄層中的材料，例如 花青（cyanine)系、酜花青（phthalocyanine)系、酿（quin〇此） 系、方酸（squarylium)系、奠鏽（azulenium)系硫醇 錯鹽系、部花青素（merocyanine)系等的記錄材料。 本實施形態中的記錄材料層33B較佳為含有色素作 為記錄物質的色素型記錄材料層。因此，作為記錄材料層 33B中所含有的記錄物質的示例，可列舉色素等的有機化 合物。再者，作為記錄材料層33B的材料，並不限於有機 材料，可使用無機材料或者無機材料與有機材料的複人材 料。但是，有機材料可藉由旋塗（spin c〇at)而容易ς成 膜，且不易獲得轉移溫度低的材料。因此，較佳 機材料。另外，於有機材料中，較佳為採用可以 來控制光吸收量的色素。 ° 此處，作為記錄材料層33Β的較佳的示例，可列 次甲基（methine)色素（花青（eyanine)色素、半疒菁 (hemieyanine)色素、苯乙烯（s㈣）色素、氧蚵_^) 色素、部花青素色素等）、巨環（m_eydie)色素（駄花 201012581 31194pif 青色素、萘酞菁（naphthal〇Cyanine )色素、卟啉（p〇rphyrin ) 色素等）、偶氮（zao)色素（包含偶氮金屬螯合物色素）、 亞烯丙基（allylidene )色素、錯合物色素、香豆素（⑶umadn ) 色素、唾（azole)衍生物、三唤（triazine)衍生物、ι_胺 基丁二烯衍生物、肉桂酸衍生物、喹酞鲖（quinophthalone ) 系色素等。 ❹ 其中，記錄材料層33B較佳為可藉由雷射光進行一次 2的資訊記錄的色素型記錄材料層。有機物的記錄材料可 溶解於溶劑並藉由旋塗或喷塗而形成膜。因此，有機物的 =錄材料的生產率優異。色素型的記錄材料層33B較佳為 含有於記錄波長區域具有吸收的色素。尤其，表示光的吸 收量的消光係數（extincti〇n c〇effident) k的值的上限較佳 為小於等於10’更佳為小於科5,進而更佳為小於等於 最佳為小於科i。若消光係數k過高，則光無法自記 錄材=層3犯的光的入射侧料相反側，從而形成不均勻 ，訊坑P。另外，消光雜k的下限值較佳為大於等於 ^0001，更佳為大於等於〇 〇〇1，進而更佳為大於等於〇 1。 μ過低，則光吸收量減少。因此，需要較大的 射力率，有時會導致加工速度下降。 “再者，記錄材料層33Β必需如上述般於記錄波長中具 因此，可對應於射出雷射光的光源（相當於Ϊ 選擇適宜的色素、或者改變構造。 料長來 例如當雷射光源的振盪波長（〇scillati〇n wavei如$也） 201012581 31194pif 為780 mn附近時，自五次甲基（pemamethine )花青色素、 七次曱基（heptamethine)氧喏色素、五次甲基氧:色素、 駄花青色素、萘酜菁色素等中選擇適宜的色素職為有利。、 另外，當光源的振盪波長為660 nm附近時，自二 甲基（trimethine)花青色素、五次曱基氧喏色索、偶 素、偶氮金屬錯合物色素、吡咯亞甲基（pyrr〇methene) 錯合物色素等中選擇適宜的色素則較為有利。 進而，當光源的振盡波長為405 nm附近時，自單次 曱基（monomethine)花青色素、單次甲基氧喏色素、零次 ❹ 甲基（zeromethine)部花青素色素、酞花青色素、偶氮色 素、偶氮金屬錯合物色素、外琳色素、亞稀丙基色素錯 合物色素、香豆素色素、嗤衍生物、三嗪衍生物、苯幷三 唑（benzotriazole)衍生物、1-胺基丁二烯衍生物、喹酞酮 系色素等中選擇適宜的色素則較為有利。 以下，對於光源的振盡波長為780 nm附近的情形、 光源的振盪波長為660 nm附近的情形、及光源的振盪波 長為405 nm附近的情形，分別列舉較佳的化合物的示例 ⑩ 來作為記錄材料層33B。此處，由以下的化學式1、2所表. 示的化合物（1-1〜1_10)是光源的振盪波長為78〇nm附近 的情形的化合物。 另外’由化學式3、4所表示的化合物（η_ι〜ii_8) 是光源的振盪波長為660 nm附近的情形的化合物。進而， 由化學式5、6所表示的化合物（Πΐ-ΐ〜ΙΙΙ_14)是光源的 振盪波長為405 nm附近的情形的化合物。再者，本實施 201012581 31194pit 形態並不限定於將該些化合物用於記錄材料層33B的情 形。 以下表示當光源的振盪波長為780 nm附近時構成記 錄材料層33B的化合物的示例。 [化1]

〇 11 2〇l〇1258l 〇Ί)

(1-3)

f化2J 12 201012581 31194pif (1-6)

[化3] 13 201012581 31194pif

[化4] 14 201012581 31194pif

以下表示當光源的振盪波長為660 nm附近時構成記 錄材料層33B的化合物的示例。 [化5]

15 201012581 31194pif (11-1)

[化6] 16 201012581 31194pif (11-5)

N〇—〇J

[化7]

(11-6)

17 201012581 31194pif 以下表示當光源的振盪波長為405 nm附近時構成記 錄材料層33B的化合物的示例。 [化8] (111-1)

[化9] 18 201012581 31194pif

(111-2)

[化 10] 19 201012581 31194pif (111-4)

dll-5)

[化 11] 20 201012581 31194pif

dll-6) [化 12]

21 201012581 31194pif (ΠΙ-7)

(111-8) CODOHs

(111-10) OBu

ΌΗ

(»Μ2) ❹ (111-13) (HI-14)

Θ 報、^衰2較佳地使用日本專利特開平4-74690號公 報曰本專利特開平8_127174號 曰 平 a 開 號公 11-53758號公報、日本專雜心^ Η本寻娜開千 太直舰at 專特杆㈣傷號公報、 广34205號公報、曰本專利特開 本^ t、日本專利特開平叫期7號公報、 本專利特Μ 2000-43423 1公報太糞 2000-108513號公報、以芬α 士 * 日本專利特 報等中所記載的色素。本專利特開2_]58818 色素型的記錄材料層33Β藉由如下方式形成，即將 22 201012581 31194pif i 等一同溶解於適當的溶劑中並調整塗佈液 液塗佈於基板33A上而形成塗膜並加以乾 於4〇Cm朗面的溫度雛从於等於听則、於等 t〇c魏圍。下限值更佳為纽等於听，上限 ί it35°c。另外，上限值進而更佳為小於等於3〇 特佳為小於等於2n：。當被塗佈面溫度處於上述範圍

:度:=?均或塗佈故輸生’從而可將塗媒的 再者，上述上限值及下限值只要將各個任意地加以組 合即可。記錄材料層33B可為單層，亦可為多層。當為多 層構造時，記錄材料層33B是藉由多次進行塗佈步驟而形 成0 塗佈液中的色素的濃度通常為大於等於〇 〇lwt% (重 量百分比）且小於等於15 wt%的範圍，較佳為大於等於 0.1 wt%且小於等於10 wt%的範圍，更佳為大於等於〇5 wt%且小於等於5 wt%的範圍，最佳為大於等於〇 5糾％且 小於等於3wt°/0的範圍。 作為塗佈液的溶劑，可列舉：乙酸丁酯（butyl acetate )、乳酸乙醋（ethyl lactate )、溶纖劑乙酸酯（eell〇s〇lve acetate)等醋；曱基乙基酮（methyl ethyl ketone)、環己辆 (cyclohexanone )、曱基異 丁基酮（methyl isobutyl ketone ) 等嗣；二氣甲烧（dichloro methane )、1，2-二氣乙烧 (1,2-dichloroethane)、氣仿（chloroform)等氣化烴； dimeethylformamide 等醯胺；曱基環己烧 23 201012581 31194pif (methylcyclohexane )等氣化烴：二甲基甲醯胺 (dimethylformamide)等酿胺；甲基環己燒等烴；四氩吱 喃（tetrahydroftiran )、乙醚（ethyl ether )、二氧陸園（dioxane ) 等趟；乙醇（ethanol )、正丙醇（n-propanol )、異丙醇 (isopropanol )、正丁醇二丙酮醇（n-tmtanol diacetone alcohol ) 等醇：2,2,3,3-四氟丙醇 (2,2,3,3-tetrafluoropropanol)等氟系溶劑；乙二醇單甲醚

(ethylene glycol monomethyl ether )、乙二醇單乙謎 (ethylene glycol monoethyl ether )、丙二醇單甲謎 (propylene glycol monomethyl ether )等二醇喊類等。 考慮到所使用的色素的溶解性，上述溶劑可單獨使 用、或者組合使用兩種或兩種以上。進而亦可視目的而向 塗佈液中添加抗氧化劑、紫外線（ultraviolet、UV)吸收 劑、塑化劑、潤滑劑等各種添加劑。

作為塗佈方法，可列舉喷霧（spray)法、旋塗法、 潰（dip)法、輥塗（rollc〇at)法、刮塗⑴adec〇at)法 刮刀輥（doctorroll)法、刮刀（d〇ct〇rblade)法、網版启 刷（screen print)法等。再者，就生產率優異且易於控专 膜厚的方面而言，較佳為採用旋塗法。 f以旋塗法來形成記錄材料層33B則較為有利的赛 點而s，較料相對於有機轉轉解大於等於 且小於等⑨3Gwt%的色素，更佳為溶解大於等於^ 小於等於20 wt%的色素。特佳為於四氣丙醇 0 ―小於等於20wt%的色素。另外，構成 24 201012581 31194pif 層33B的化合物的熱分解溫度較佳為大於等於15的且小 於等於·t ’更佳為大於等於·。c且小於等於4〇(rc。 於進行塗佈時’塗佈液的溫度較佳為大於等於Μ且 小於等於5G°C的範® ’更料A於特抑且小於等於 40C的範@，其巾，特佳為大於等於坑到於等於3〇 °〇的範圍。 當塗佈液含有黏合劑時，作為黏合劑的示例，可列 〇 舉：明膠（gelatin)、纖維素衍生物（cellulosederivative)、 葡聚糖（dextran)、松香（r〇sin)、橡膠（rubber)等天然 有機尚分子物質；聚乙烯（p〇lyethylene )、聚丙烯 (polypropylene )、聚苯乙烯（p〇lystyrene )、聚異丁烯 (polyisobutylene )等烴系樹脂，聚氣乙烯（p〇lyvinyl chloride)、聚偏二氣乙婦（p〇iyVinyiidene chl〇ride)、聚氯 乙烯·聚乙酸乙烯醋（P〇ly(vinyl chloride-acetate))共聚物 等乙稀系樹脂，聚丙烯酸甲酯（p〇ly(metliyl acrylate))、聚 曱基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate)等丙烯酸系樹 ❹ 脂，聚乙烯醇（polyvinyl alcohol)、氯化聚乙稀（polyethylene chloride)、環氧樹脂（epoxy resin)、丁搭樹脂（butyral resin)、橡膠衍生物、酚甲醛樹脂（phen〇l-formaidehy(ie resin)等熱固性樹脂的初期縮合物（primary condensate) 等合成有機南分子。 當作為s己錄材料層33B的材料而並用著黏合劑時，黏 合劑的使用量相對於色素，通常處於大於等於0.01倍量且 小於等於50倍量（重量比）的範圍，較佳為處於大於等於 25 201012581 31194pif 於大Γ 倍# (重料）的範圍，較佳為處 、另，於0.1倍量且小於等於5倍量（重量比）的範圍。 爲仙★為了提高記錄材料層33Β的耐光性，記錄材料 肩33Β亦可含有各獅褐色劑。 作為防褐色劑，通常定期地使用單態氧抑制劑（singlet oxygen quencher) ° 作為該單態氧抑制劑，利用已於工程的專利說明書等 刊物中所記載的單態氧抑制劑。

以上，對s己錄材料層33B為色素型記錄層的情形的溶 劑塗佈法進行了說明。但是，記錄材料層33B可配合記錄 物質的物性’藉由蒸鍍、濺鑛（sputtering)、化學氣相沈 積（Chemical vapor deposition ’ CVD)等成膜法形成。 再者，色素採用於下述訊坑P的加工中所使用的雷射 光的波長中的吸收率高於其他波長的色素。該色素的吸收 峰值的波長並不限定於可見光的波長區域内，亦可為紫外 線區域或紅外線區域。 ❹ 用以形成該訊坑P的雷射光的波長λλν，只要是可獲 得藉由因熱致模式所引起的形狀變化來形成訊坑ρ的程度 的大雷射功率的波長即可。例如當於記錄材料層33Β中使 用色素時’雷射光的波長λ w較佳為193 nm、210 nm、266 nm、365 nm、405 nm、488 nm、532 nm、633 nm、650 nm、 680 mn、780 nm、830 nm等小於等於looo nm的波長。 再者，於本實施形態中，將自光源（下述的雷射二極 體53)所射出的雷射光中、可形成訊坑P的照射強度及波 26 201012581 31iy4pif 長的雷射光稱為記錄雷射光來進行說明。 另外，該雷射光的種類（即，自下述的各雷射二極體 53所照射的雷縣的種類）可為氣體雷射（gas laser)、固 體雷f +導體雷射等任意雷射。但是’雷射光的種類較 佳為採用可自由變更發光間隔的雷射光。例如，雷射光的 種類較佳為採用半導體雷射。 ❹

另外，為了提高加工速度，記錄雷射光的雷射功率（照 射強度）越高越好。但是，隨著提高雷射功率，必需提昇 巧記錄雷射光對記錄材料層33B進行掃描的速度，例如 提尚加工對象物33的旋轉速度。因此，考慮到旋轉速度的 上限值，雷射轉的上限值難為10GW，更佳為10W， =而，佳為5 W’最佳為1 另外，雷射功率的下限值 佳.、，0.1 mW，更佳為〇 5 mW，進而更佳為工〇 ，錄材料層33B的厚度較佳為與下述的訊坑p的深度 目..例如於大於等於1 nm且小於等於1〇〇〇〇 nm的範 圍適宜地設定厚度。糾，厚度的下限較佳為大於等於 腿’更佳為大於等於3〇 nm。其#因在於：若厚度過薄， 則訊坑P會形成得較淺。因此，難以獲得光學效果4外， 厚度^上限觀為小於等於膽腹，更佳為小於等於⑽ 腿。虽厚度過厚時’ f要歓的雷射功率 深凹部的訊坑P，進而加工速度下降。 成作為 =’記錄材料層33B的厚度t與訊坑p的直徑d較 佳為具有以下的關係。即，記錄材料層33B的厚度t的上 限值較佳為設定成滿足t<1()d的值，更佳為設定成滿足t 27 201012581 31194pif <5d的值’進而更佳為設定成滿足t<3d的值。另外，呓 :料層33B的厚度t的下限值較佳為狀成滿足^ 的值，更佳為設定成滿足的值，進而更佳 ^定成滿足DM的值。再者，根據與訊坑p的直徑d的 關係來設定記錄材料層33B的厚度t的上限值及下限值的 原因與上述的原因相同。 上述記錄材料層MR藉由如下方式形成，使成為記錄 材料的物質溶解或分散於適t的溶劑中並調整塗佈液後， 利用旋塗&塗（dip e〇at)、擠壓塗佈（extrusiQn ）等 © 塗佈法將塗佈液塗佈於基板33A上。 其次’對在該記錄材料層33B上形成訊坑p的原理進 行說明。 如圖2所示，若對記錄材料層33B照射構成該記錄材 料層33B的材料表現出光吸收的波長（由構成記錄材料層 33B的材料所吸收的波長）的記錄用雷射光，則由記錄材 料層33B來吸收記錄用雷射光，且所吸收的光被轉換成熱 而使得受到光照射的區域的溫度上升。藉此，記錄材料層 ❹ 33B產生軟化、液化、氣化、昇華、分解等化學變化及物 理變化中的任一者或兩者。然後，藉由產生此種變化的材 料移動及消失而形成訊坑P。 再者，記錄材料層33B的氣化、昇華或分解，較佳為 該變化的比例較大且較急遽。具體而言，構成記錄材料層 33B的材料的氣化、昇華或分解時的由差熱天平 (differential thermal balance ) ( TG-DTA ， 28 201012581 31194pit

Thermogravimetry-Differential Thermal Analys，s, ^ # # ^ 分析儀）制得的重㈣少率較料大於#於^ ^ 為大於等於1G%，進而更佳為大於等於2Q% ° = 記錄材料層33B的材料的氣化、昇華或分解時的由= 平（TG-DTA)所測得的重量減少的傾向（每升曰: 量減=率）’較佳為大於等於G.1%rc，更佳^大於等於 〇.2°/0/C，進而更佳為大於等於〇 4%/〇c。 、、

❹ 另外’軟化、液化、氣化、昇華、分解等 f變化中的至少-者的轉移溫度的上限值，較佳為小於 等於2000C ’更佳為小於等於1〇〇(rc，進而更佳為小於等 於500°C。其原因在於：若轉移溫度過高，則 雷射功率。糾’轉移溫度的下限值較佳為大於等於5〇 C，更佳為大於等於i〇〇°c，進而更佳為大於等於15〇艺。 其原因在於·若轉移溫度過低，則由於與周圍的溫度梯度 (temperature gradient)較少，因此難以形成形狀明瞭的訊 坑P。 。 其次，對本實施形態的加工裴置進行說明。 本實施形態的加工裝置90是藉由對具備上述記錄材 料層33B的加工對象物33照射記錄用雷射光，而於加工 對象物33上形成訊坑p。 本實施形態的加工裝置90包括：光學拾取器（optical pickup ) 10 I* 4 it ( spindle motor ) 11 > Λ 1( amplifier ) 12、伺服電路（servo circuit) 13、解碼器（dec〇der) 15、 控制部16、策略電路（strategy circuit) 18 (策略電路18A、 29 201012581 31194pif 策略電路18B )、雷射驅動器（laser driver) 19 (雷射驅動 器19A、雷射驅動器19B)、雷射功率控制電路2〇 (雷射 功率控制電路20A、雷射功率控制電路20B)、頻率產生器 (frequency generator) 2卜步進馬達（stepping mot〇r) 3〇、 馬達驅動器（motor driver) 31、馬達控制器（m〇t〇r controller) 32、記憶體（memory) 36以及脈衝生成部35。 再者，於本實施形態中’當對各個具有相同功能的裝 置各部加以統稱來進行說明時’省略字母來進行說明。例 如作為策略電路’於本實施形態的加工裴置90中設置有策 略電路18A及策略電路18B此兩者。但是，當對其等加以 統稱來進行說明時，稱作策略電路18來進行說明。 轉軸馬達11是旋轉驅動加工對象物33的馬達，其藉 由伺服電路13來控制轉速。本實施形態中的加工裝置9〇 構成為以如下方式來實施記錄，即以固定角速度驅動加工 對象物 33 的方式（CAV : Constant Angular Velocity，恒定 角速度），或者以成為固定的記錄線速度的方式旋轉驅動加 工對象物 33 的方式（CLV : Constant Linear Velocity，怪 定線性速度）。轉軸馬達11以根據來自控制部16等的指示 所設定的固定的角速度或固定的線速度旋轉。 光學拾取器10對藉由轉轴馬達11而旋轉的加工對象 物33照射一記錄用雷射光。光學拾取器10包含多個照射 頭9而構成’以便能夠對加工對象物33上的不同區域照射 記錄用雷射光。於本實施形態中，所謂「不同區域」是指 當以加工對象物33的旋轉中心Q為中心時，半徑位置（離 201012581 31194pif 旋轉中心Q的最短距離） 10中的多個照射頭9構成為對設:於=拾取器 再者，於本實施形態申， ％疋 照射頭而設置相射頭9Α及‘、#頂化說明细對作為多個 形進行說明。加工裝置90 口及^射頭9β此兩個照射頭的情 以幻照射頭9的構成即可、^設置有多個（兩個或兩個 上照射頭9的構成。 亦可為設置有三個或三個以 對象辕Γ照射頭9Α及照射頭9Β於穿過加工 上过、㈣私轉中〜Q的直線上隔開規定間隔而排列， ^加工對象物33藉由_馬達u，以該 \ :心於規定方向（圖4中為箭頭乂方向)上旋轉。該2 ，射頭9A及照_9B的各個關該規定間隔而^於 在加工對象物33的半徑方向上延伸的支撐構件17上。 推構件17連接於下述的步進馬達3〇。步進馬達％在

部16的控制下經由馬達控制器32及馬達驅動器^而 驅動。藉此，支撐構件17構成為：於由支撐構件17所支 撐的照射頭9A及照射頭9B維持著所述規定間隔的狀態 下’可於加工對象物33的半徑方向上移動。 光學拾取器10 —面藉由各照射頭9對加工對象物33 照射記錄用雷射光，一面藉由步進馬達30的驅動而於半經 方向上移動。由此’訊坑P遍及加工對象物33的整個區 域中的預定的整個加工對象區域33P而形成。 再者，本實施形態對照射頭9A及照射頭9B設置於加 31 201012581 31194pif i對象物33的預定的加工對象區域33p的半徑方向的一 端部至另-端部為止的區域的一部分中的情形進行說明。 但疋’多個照射頭9亦可為遍及自該一端部至另一端部的 整個區域而母隔規定間隔進行排列的構成。 多個照射頭9間的距離為加工對象物33的加工對象 區域33P的半控方向的一端部至另一端部為止的距離除以 设置於光學拾取器1〇中的照射頭9的數量所獲得的距離。 該距離就加工每一片加工對象物所需的時間最短這一原因 而言較佳。 如圖6所示，於各照射頭9(照射頭9A及照射頭9B) 的各自中設置有：雷射二極體53，射出記錄用雷射光B ; 光學系統55 ’使記錄用雷射光b向加工對象物33的記錄 材料層33B聚光；以及受光元件56，接收反射光。該些各 照射頭9的構成彼此相同。 於各照射頭9中，雷射二極體53藉由自對應於各照 射頭9的各個而設置的下文詳述的雷射驅動器19(參照圖 3的雷射驅動器19A及雷射驅動器19B)，與時脈訊號同步 地供給根據照射波形而變化的電壓，而射出強度與對應於 照射波形而變化的電壓相對應的記錄用雷射光B。光學拾 取器1〇使自雷射二極體53射出的記錄用雷射光B經過偏 光刀光鏡（beamsplitter) 59、準直透鏡（collimator lens) 、1/4波長板61、物鏡（objective lens) 62而聚光於加 工對象物33的記錄材料層33B上。而且，各照射頭9構 成為：使由記錄材料層33B所反射的雷射光再次透過物鏡 201012581 31194pif 62、1/4波長板61、準直透鏡60後，由偏光分光鏡59反 射，並經過柱面透鏡（cylindrical lens) 63而入射至受光元 件56中。受光元件56將所接收的訊號輸出至放大器12(參 照圖3)。該受光訊號經由放大器12供給至控制部16或伺 服電路13中。 物鏡62構成為：由對焦致動器（focus actuator) 64 及跟縱致動器（tracking actuator) 65保持著，且於雷射光 0 B的光轴方向及加工對象物33光的徑方向上可移動。對焦 致動器64及跟蹤致動器65的各個根據自伺服電路13 (參 照圖3)所供給的對焦錯誤（focuserror)訊號及跟蹤錯誤 (tracking error)訊號，而使物鏡62於光軸方向及徑方向 上移動。再者’伺服電路13基於經由受光元件56及放大 器12所供給的受光訊號而生成對焦錯誤訊號及跟蹤錯誤 訊號。另外，伺服電路13藉由如上述般使物鏡62移動來 進行對焦控制及跟蹤控制。 來自控制部16的指示訊號、自頻率產生器21所供給 ❹ 的對應於轉轴馬達11的轉速的頻率的FG脈衝訊號、以及 來自放大器12的訊號被供給至伺服電路13中。伺服電路 13根據該些所供給的訊號來進行轉軸馬達u的旋轉控制 及光學拾取器10的對焦控制、跟蹤控制。作為於加工對象 物33的記錄材料層33B中記錄資訊（形成訊坑p)時的轉 轴馬達11的驅動方式’可如上述般使用以固定角速度驅動 加工對象物33的方式（CAV)、或者以成為固定的記錄線 速度的方式旋轉驅動加工對象物33的方式（CLV)中的任 33 201012581 31194pif 一方式。 記憶體36預先儲存包含應記錄於加工對象物33中的 訊坑資訊的記錄資料。然後，將儲存於記憶體36中的記錄 資料輸出至控制部16。再者，只要例如預先將控制部16 可收發訊號地連接於個人電腦〇>ersonal C〇mputer，PC) 38等而自該PC38輸入該記錄資料，並將所輸入的該記錄 資料預先儲存於記憶體36中即可。

關於控制部16，詳情見下述，根據自記憶體36中讀 出的記錄資料，自該記錄資料中所包含的表示記錄於加工 對象物33的記錄材料層33B中的對象的訊坑p的位置及 形狀等的資訊’針對每個訊坑P而生成下述資訊作為訊坑 P,形成資訊，即該資訊是表示輸出至各照射頭9的照射波 形的照射波形資訊、以及表示照射強度的照射強度資訊。 而且，所生成的各訊坑形成資訊以自成為由各照射頭9進 行記錄的對象的區域的最内周側向最外周側依序排列著所 生成的資訊的方式重新排列。

而且，上述重新排列的表示各訊坑p的資訊之中照 射波开> 資訊輸出至連接於所對應的照射頭9的策略電路 2表示騎錢的照射·資訊輸出至連接於所對應的 ”、、射頭9的雷射功率控制電路2〇 (詳情見下述）。 另外，控制部16中，針對每個照射頭9而製作表示 ^訊號（所謂的時脈訊號（cl〇cksignal))的頻率的時脈 主，資訊，上糊步訊制於各照卿9照射雷射光時 時序調整或騎時間調整。所生成的時脈鮮資訊與表 34 201012581 31194pif 示所對應的照射頭9的資訊一同輸出至脈衝生成部35。脈 衝生成部35中，針對各照射頭9而生成所輸入的時脈頻率 資訊的頻率的時脈訊號’並將該時脈訊號向連接於所對應 的照射頭9的驅動器19輸出。 時脈頻率資訊是以越是設置於最外周侧的照射頭9則 時脈頻率越高（時脈週期越短）的方式，根據各照射頭9 自旋轉中心Q起算的距離來計算，以便即使於藉由多個照 〇 射頭9中的任一個照射頭9在加工對象物33的記錄材料層 33B的半徑位置不同的區域形成訊坑p時，其訊坑p與對 旋轉的加工對象物33的記錄材料層33B照射N時脈、(N 為大於等於1的整數）的期間的雷射光而形成的訊坑p的 長度亦成為相同的長度，且訊坑1>的形狀亦成為相同的形 狀。 對在控制部16中針對各照射頭9所生成的時脈 資訊的具體的計算方法作更詳細的說明。 #加讀象物33轉速度固定的CLV方式進行記錄 (旋轉）時’即使光學拾取器1〇藉由步進馬達％而自内 2侧向外周側、或者自外關向内周側移動，藉 ”各個照射雷射光的區域中的加工對象物33的速^ 二固疋。因此’纽速度gj定時，將多倾射頭9 一 (例如配置於最内周側的照射頭9A)設定為基 作為基準的照射頭9A起算的半徑方：離射 吏自"歸頭9A起越妓置於解拾㈣ 向下游懷當光學拾取器1G自内周侧向外周側移動== 35 201012581 31194pif = 的照射頭9則時脈頻率越高，越是設置於該移動方 向上游侧的照射頭9則時 、 頭9計算時脈頻率。時脈頻率越低的方式，針對各照射 照射==C此作為:個照 器10中，即自二者以如下方式設置於光學拾取 τ卩自加工對象物33的 尸隔排列著。另外’將光學拾取基 1 射頭9A、照射頭兜、照射頭9 = _中心Q的距離分別設為R2及R3 = iU—(未圖示)所生成的時= 時脈頻率料F1。而且，將光學拾取器⑴設定= 行雜動。於此情形時，當以111定線速度進 =最内周侧的照射頭-設定為基準=將頻率： 、&訊制職為1/F1)設定為騎頭9a的時脈訊號 =率。而且’如圖8⑵所示，將根據（r2/ri)奶 ❹ 5算出的結果設定為鄰接於該照射頭9A的外周侧而配 的照射頭9B的時脈訊號T2的頻率F2。此時的時脈訊 號 T2 的週期為（l/Fi)x(R1/R2)。 ° 進而，同樣地，將根據（]13/111)/?1所計算出的結果 =定為鄰接於該照射頭9B的外周侧而配置的照射頭9〇的 :脈訊號Ί3的頻率F3。此時的時脈訊號η的週期 (Ml) X (R1/R3)。 如此，當線速度為固定時，作為設置於光學拾取器1〇 36 201012581 31194pif 照射頭9中的成為基準的照射頭9，而將例如配 9A設定為基準纽定時脈頻 ^ 。右將各個照射頭9自旋轉中心Q起算的 據照射賴的時脈頻率Flx(Rn/R1)+的^^ 射頭9A向外周側排列的其他的一個或多個照射 頭的各自的時脈頻率（參照圖8 (3))。 再者，上述η表示整數，其表示將配置於 ❹ 設為位於第「1」位的照射頭時，對自該^於第 號^^射頭9起向外周侧排列的每個照射頭9依序編序 ，時的值1此，將配置於最内周的照_ 9 中心Q起算的半徑記作R1。 的自旋轉 口要2二上1述’作為上述照射頭9A的時脈頻率F1， 晶體振盪ϋ (未心）所生成的職於加工對象 脈頻率3轉速度的解的時脈訊號的辭設定為基準時 =者’當如上述般加工對象物33以線速度固定的㈣ 記錄（旋轉）時，即使因光學拾取器iq自加 的内向外周侧軸，而使得各照卿$的位置 著彼此的間隔的狀態下向外周侧移動，藉由各照射 頭“、、射雷射光的區域中的加工對象物 P同。目此，控 據，學拾取㈣位於基準位置時的各照射頭9的自旋轉中 2起針對各騎頭9計算㈣脈訊號的頻 率後’即使先學拾取器10向外周側移動，控制部16亦不 37 201012581 31194pif 會再次計算時脈訊號的頻率。因此，控制部16使用光學拾 取器10位於基準位置時所計算出的時脈訊號的頻率，以藉 由各…射頭9對加工對象物33的加工對象區域別的整 個區域進行記錄的方式進行調整。 另方面田加工對象物33以角速度固定的CAV方 ς進行記錄（旋轉）時’對應於絲拾取器1()藉由步進馬 你4* rb而自内周側向外周侧的移動，多個照射頭9的各自離 ❹ 雷= 產生變化。由此’藉由各照射頭9照射 ^射先的區域中的加工對象物33的速度產生變化。因此， 進行記錄時’控制部16只要對應於伴隨光 中二㈣侧向外周側移動的各照射頭9的自旋轉 〜Q起算的距離的變化，根據變化後的 制頻―㈣觀躺脈衝生i 資吼雷自射mi9根據自策略電路18所供給的照射波形 ❹ 路2〇所供給的照射強度資訊、以 及自脈衝生成部35所供給的同步訊 10的雷射二極體53 (參照圖6)。號來驅動先子拾取器 射通=成部35根據自控制部16所輸入的對應卿 為同步訊號_ ^咖訊^ _射_各自中作

成含制料騎心❹個脈衝生 成㈣而構成。如圖3及圖4所示，當設置有照射頭9A 38 201012581 31194pif 及照射頭9B此兩者來作為多個照射頭9時，脈衝生成部 %包含對應於各個照射頭9的兩個脈衝生成部而構成。具 體:言，脈衝生成部35對應於照射頭9A而設置有脈衝生 成部35A，對應於照射頭9B而設置有脈衝生成部35B。 脈衝生成部35A及脈衝生成部35B分別根據自控制部 1=6所發送的時脈頻率資訊生成頻率對應於該時脈頻率資 =的時脈訊號，並將該時脈訊號向各自所對應的雷射驅動 器19A及雷射驅動器19B輸出。 雷射功率控制電路2〇 (雷射功率控制電路20A及雷 /力率控制電路2GB)對應於多個照射頭9的各個而設置 ϊ用雷率㈣電路2G對自賴應的照_ 9照射的記 所松入沾ί的雷射強度進行調整，以便照射自控制部16 射^。不照射強度的照射強度資訊的強度的記錄用雷 =進馬達3G是用以使光學拾取器 的技方向上移動的馬達。±㈣物Μ 10於加工斜金札”藉由步進馬達0使光學拾取器 取器/ 的徑方向上移動，由賴置於光學拾 實施形態中，將光學拾取二 馬達驅動Λ 侧移動的形態。 制器32所供給的脈衝喃^^僅旋轉驅辑自馬達控 由控制部16所指示的包含光^^。馬達控難32根據 予拾取器10的向徑方向的移 39 201012581 31194pif 動方向及移動量的移動開始指示，生成對應於移動量或移 動方向的脈衝訊號，並將該脈衝訊號輸出至馬達驅動器 31。步進馬達30使光學拾取器1〇於加工對象物33的徑方 向上移動、以及轉軸馬達11使加工對象物33加工對象物 33旋轉，加工對象物33光的雷射光照射位置移動至加工 對象物33的各個位置。 控制部16包含中央處理單元（Central Pr〇cessing

Unit ’ CPU)、唯讀記憶體（Read Only Memory，R〇M)及 隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM)等。 制部16以如下方式構成，即根據儲存於R〇M中的程式^ 控制該加工裝置90的裝置各部分，並中樞性地控制對^工 對象物33的記錄處理。 其次’對當於加工對象物33上形成訊坑p時，上述 構成的加工裝置90的控制部16中所執行的處理進行說明1 若將加工對象物33設置於加工裝置9〇的槽（sl〇t 繪於圖示）中，並操作加工裝置90的省略圖示的 來對裝置各部分供給電力，則控制部16對用以執 存於控制部16内的ROM中的圖7所示的處理= (routine)的程式進行讀取，並進入步驟2〇〇。 径斤 再者，加工對象物幻藉由安裝於槽（未圖厂 成為可藉由設置於光學捨取器10中的各 =中而 的狀態。 仃記錄 另外，對在下述圖7所示的處理程序中，安 裝置90中的轉軸馬達11的驅動方式，即加工^ 201012581 31194pif 的記錄方式為線速度固定的CLV方式的情形進行說明。 CLV方式的記錄方式的執行，例如只要藉由如下方式 執行即可，即於對裝置各部分供給電力之後且執行步^ 200的處理之前，自可收發訊號地連接於控制部“的^^% (參照圖3)輸入表示何種方式的資訊，並對該所輸入的 資訊為表示CLV方式的資訊進行讀取。另外，亦可於控制 16中δ又置者用以進行各種操作的鍵盤（keyb〇ar(j)等（未 0 繪於圖示）的輸入輸出部，由操作者操作該輸入輸出部來 對控制部16輸入CLV方式或CAV方式中的任一種方式， 且藉由對該輸入訊號進行判斷來加以辨別。再者，由操作 者所進行的輸入例如只要預先以如下方式構成即可，即預 先將監視器（monitor)等的顯示晝面可收發訊號地設置於 控制部16上，於該顯示畫面中顯示用以選擇以何種方式進 行記錄的資訊，操作者可根據該顯示資訊並經由輸入部來 選擇指示。 於步驟200中，自記憶體36中讀取成為對加工對象 β 物33的記錄材料層33Β的記錄對象的記錄資料。於記錄 資料中’例如包含表示形成於加工對象物33的記錄材料層 33Β上的各訊坑ρ的訊坑ρ資訊。而且，於訊坑ρ資訊中 包含表示各訊坑Ρ的加工對象物33上的位置座標的位置 資訊，表示訊坑Ρ的形狀、大小及深度等的資訊。

於接下來的步驟202中，根據於上述步驟200中所讀 取的各訊坑Ρ的訊坑Ρ資訊，而讀取各訊坑Ρ的自加工對 象物33上的旋轉中心Q起算的距離。作為自旋轉中心Q 201012581 31194pif 於接下來的步驟204中，根據於上述步驟202中刺 ==坑P的自旋轉中心Q起算的距離，確定成細 各訊沅P的對象的照射頭9。 於步，2。4中’確疋形成各訊坑p的照射頭9。例如 如圖4所示，當於光學拾取器1〇中設置有照射頭9A及昭

射頭9B此兩者時，光學拾取器1〇設置成藉由步進馬達⑽ =加工對象物33的徑方向上可移動。由此，自除加工對象 物33的旋轉中心q周邊的非加工對象區域以外的區域即 ，工對象區域33P内的最内周侧至該加工對象區域33p的 控方向中心部的區域，成為設置於内周侧的照射頭9A的 照射對象區域。而且，自加工對㈣域33p的徑方向中心 部至外周的區域成為設置於外周側的照射頭9B的照射 象區域。

而且，只要藉由辨別於上述步驟2〇2中所計算出的各 訊坑P的自旋轉中止Q起算的距離位於該些各照射頭9的 各自的照射對象區域的哪個區域内，來確定形 〇 的照射頭9 (照射頭9八或照射頭9B)即可。 。几 於接下來的步驟206中，針對每個訊坑ρ，自於上 步驟200中所讀取的記錄資料中導出為了形成各訊坑^ 照射於加工對象物33上的雷射的照射波形及照射強度。於 接下來的步驟208中，將所導出的針對每個訊坑ρ的照射 42 201012581 強度儲存於記憶體36中。 工對照射強度的照射強度資訊是表示為了於加 來妝的却t d上形成所需的長度（旋轉方向長度）、深度及 二in:/ '而應該照射的記錄用雷射光的強度的資訊。 遂強度資訊&含表科述賴射波形中的 峰值強度M目對於偏壓強度Τη的比的資訊而構成。 ❹ ❹ 工料射時間及照射強度由用以形成成為形成於加 的昭2的記錄材料層33B上的對象的訊坑P所必需 -量j照射能量）來決定，且根據記錄資料中所包含 的不各汛蚍的形狀或深度的資訊來調整。再者，若 以相同的照射量能量於相同的部位上形成訊坑p，則只要 以如下方式進行娜即可，即㈣時暖長贿射強度較 小即可’照射時間變賴照射強度變大。由此，只要^昭 射時間與騎駿的均衡來適宜決定該些的值即可。 再者，作為照射強度資訊的表示照射波形中的峰值強 度P/相對於偏壓強度Tn的比的資訊是根據各照射頭9的 自旋轉中〜、Q起算的距離來計算，以便即使於藉 射頭9中的任—個照射頭9在加工對象物33上的不同區& ，形成訊坑Ρ時，其訊坑Ρ與對旋轉的加工對象物33的 記錄材料層33Β照射Ν時脈（Ν為大於等於丨的整數） 間的雷射光所形成的訊坑Ρ_狀及紐亦成為相 狀及深度。 具體而言，於假定形成相同形狀及深度的訊坑ρ時， 照射強度資訊只要以越是設置於外周侧的照射頭9則所照 201012581 31194pif 射的雷射光的峰值強度Pn相對於偏壓強度丁〇的比 方式’根據各照射頭9的自旋轉中心Q起算的距離料算 即可。 例如’亦可使峰值強度Pn蚊，計算出針對各 頭9所導出的時脈訊號的週期即胸的值來作為偏壓強度 Τη的值’並將該比用作照射強度資訊。再者，^的「n」 與上述相同，其為表不各照射頭9的位置的整數η 是將設置於最内周侧的照射頭9設為初始值即Γι」，對於」 自該照射頭9起向外周側排列的照射頭9，只要八別机定 為自内周侧依序遞增計數（c〇untup)的數值即可。。又 照射波形是表示藉由自各麟頭9向加工對象物幻 的記錄材料層33B照射記錄用雷射光來形成—個訊坑p時 的照射強度的變化率的波形。照射波形的自上升至下降為 間可根據與形成對象的訊坑p的長度相對應的時脈 數來決疋。例如若於時脈訊號中將1時脈設為1週期，則 ==相當於1時脈的訊坑P時，照射照射強度以如 率f行變化的記錄用雷射光，上述變化率與脈衝寬 於1時脈的週期的開始至結束為止的時間的照射 應。另外，於形成長度相當於2時脈的訊坑時， 度以如下變化率進行變化的記錄用雷射光，上 沾二脈衝寬度對應於自2時脈的週期的開始至結束 為止的時間的照射波形相對應。 Μ二f由對加工對象物33照射照射強度以對應於照 W形的變化率進行變化的記錄用雷射光而以對應於所 201012581 31194pif 照射的記錄用雷射光的照射時間及照射強度的長廑、 及深度形成訊坑P。 ’ 實際上，藉由使照射波形與時脈訊號同步地自驅動器 19向照射頭9送出，來調整自照射波形的上升至下降為止 的時間。因此，自驅動器19向照射頭9輸出的照射波形， 於驅動器19中成為與自脈衝生成部35所輸入的對應於各 照射頭9的頻率的時脈訊號同步地，對自控制部16向策略 瘳 電路18所送出的照射波形進行調變的波形。即，藉由調整 各照射頭9中的時脈訊號的頻率來調整自各照射頭9所照 射的記錄用雷射光的照射時間。 另外，根據作為照射強度資訊的峰值強度Pn相對於 偏壓強度Τη的比來調整照射波形的偏壓強度與峰值強 度，藉此對自各照射頭9所照射的記錄用雷射光的照射強 度進行調整。 二此處，於本實施形態的加工裝置9()中作為形成對象 的°己錄材料層33Β如上所述，藉由因照射雷射光所產生的 熱此而形成訊坑ρ。藉此，訊坑ρ通常存在如下情形，即 /、各訊i：几ρ的記錄開始地點（加工對象物33的旋轉方向 上游側）相比，形成於記錄結束點（加工對象物33的旋轉 2下游侧）的訊坑P變粗。另外，根據加卫對象物33 、，轉速度或賴射的雷射光的驗料同存在各訊坑 P間的距離^近、各訊坑p相連的情形。 具體而S ’若將時脈週期設為T (參照圖9的（2))， 例如以產生如下照射波形所示的照射量變化的方式照射 45 201012581 31194pif 雷射光，即該照射波形作為用以形成％ (參照圖9的（1))的照射波形，並 的長度的訊坑Ρ 所示的脈衝寬度(自上升至下降為工的d9的⑺ 情形時，實際上形成的訊坑p向加為3T。於此 向(圖9中的箭頭x方向)的下游侧延伸或相 坑P的形狀成為與目標形狀不同的形狀。飞相接或者訊 為了防止此種現象，於本實施形態的加 適宜地使用由脈衝寬度小於形成 〇中， 如3T)的矩形脈衝所表示的的長度(例 型9的（4)=者皮^時如=衝（咖 照射波形即多脈衝(―二二腺9週的期(下二的 或者L型的照射波形gpL狀型（參照圖9的') 由頂點脈衝(，pulse )、巾間驗部及末端脈衝（⑽⑽ =成波形喊世特（eastle)型（圖9的⑺）等的照射波 ❹ 表示該些照射波形的照射波形資訊對應於形成 的各訊坑？ _雜、加卫對象物33的旋轉速度、用以 形成各訊坑P的騎等的資訊，㈣先記憶於記憶體 36中。該對應關係例如於各訊坑p間的距離、加工對象物 33的旋轉逮度及照射強度為特定的設定值的情形時，只要 預先進行實驗求得下賴騎波形，並將表稍求得的照 射波形的照射波形資訊與所對應的設定值建立聯繫而預先 記錄於記憶體36中即可’上述照射波形是指於以上述設定 值自照射頭9對加工對象物33照射記錄用雷射光時所記錄 46 201012581 ill94pit 的訊坑P中，不存在如上述般的、訊坑p的粗細度於旋轉 方向X上變得不均勻、或者與相鄰的訊坑p相連、或者產 生形狀變化的照射波形。 控制部16於步驟206的處理中，例如自記憶體36讀 取與表示各訊坑P的照射強度的照射強度資訊、表示加工 對象物33的旋轉速度的旋轉速度資訊、以及表示各訊坑p ，的距離的距離資訊相對應的照射波形資訊。藉此，控制 〇 部16只要自記憶體36讀取表示單脈衝型的資訊、表示多 脈衝型的資訊、表示L狀型的資訊或者表示蓋世特型的資 訊來作為與各間距P相對應的照射波形資訊即可。 、藉由上述處理，針對各個訊坑P選擇用以形成相接或 相混等得以抑制的最佳的訊坑p的照射波形，並藉由 形成各訊坑P的對象的照射頭9而照射對應於該照射波形 的雷射光’從而形成訊坑p。 於接下來的步驟210中，將藉由晶體振盪器（未 =成的時脈訊號的解設為基準時脈解，並自藉由該 B日體振所生成的時脈訊號讀取該基準時脈頻率。於接 步驟212中’將於步驟21G中所讀取的基準時脈頻 率设定為光學拾取器1〇的多個照射頭9中的設置於最内周 ，朗9A的___率，並賴基料脈頻率的 ^準^脈鮮資靖應於表示賴_ 9a 於記憶體36中。 =接下來的步驟214中，計算出相較配置於最内周侧 的照射頭9A而配置於外周側的照射頭9的各自所用的時 47 201012581 31194pif f訊號的時脈頻率。步驟214中的頻率的計算如上述說明 般，以越是設置於外周側的照射頭9則時脈頻率越高（時 =週期越短）的方式，根據各照射頭9的自旋轉中心㈣ 算的距離來計算，以便即使於藉由多個照射頭9中的任一 個照射頭9在加工對象物33上的不同區域形成訊坑p時， 對旋轉的加I對象物33闕N時脈（N為大於等於i的 整數）的期間的雷射光而形成的訊坑p的長度亦成為相同 的長度。 於接下來的步驟216中，將表示於上述步驟214中針 0 對各照射頭9所計算出的時脈訊號的頻率的時脈頻率資訊 對應於表示相對應的照射頭9的資訊而儲存於記憶體36 中。 ^ 於接下來的步驟218中，將表示使光學拾取器1〇向 基準位置移動的移動開始指示訊號向馬達控制器32輸 出。繼而’將移動開始訊號向馬達控制器32輸出，經由馬 達驅動器37來驅動步進馬達30，從而使光學拾取器1〇向 基準位置（多個照射頭9中的配置於最内周侧的照射頭9A 位於加工對象物33的加工對象區域33P中的最内周側的 區域的狀態）移動。 於接下來的步驟220中，將表示加工對象物33的旋 轉開始的旋轉開始指示訊號向伺服電路13輸出。接收到旋 轉開始指示訊號的伺服電路13對轉轴馬達11進行旋轉控 制’藉此使加工對象物33開始旋轉。再者’對於圖7所示 的處理程序中’如上述般使用以線速度固定的CLV方式的 48 201012581 31194pif 式（"己錄方式）的情形進行說明。旋轉指示訊號中 =不CLV方式的資訊。由此，藉由基於該資訊的轉軸 二^1的旋轉控制，加工對象物33開始進行線速度固定 的旋轉。 ^土 ί接下來的步驟222中，自記憶體36讀取表示設置 拾取器1G中的各照射頭9的照射頭資訊、以及對應 資訊而導出的時脈頻率資訊，並向與各照射頭資 ❺ ^、…、頭9對應的脈衝生成部35的脈衝生成部35Α、脈 衝生成部35Β輸出。 於接下來的步驟224中，自記憶體36讀取表示設置 於先學拾取器10中的各照射頭9的照射頭資訊、表示對應 於照射頭資訊而導出的照射波形的照射波形資訊、以及照 射強度·貝訊’並向與各照射頭資訊的照射頭9對應的雷射 功率控制電路2G (雷射功率控制電路2GA、雷射功率控制 電路20B)及策略電路18 (策略電路18A、策略電路 輸出。 〇 具體而言’將照射波形資訊向所對應的策略電路18 輸出，照射波形資訊被輸出至所對應的策略電路18。另 外，將照射強度資訊向雷射功率控制電路20輸出。 藉由步驟22及步驟224的處理，於對應於各照射頭9 的脈衝生成部35的根據所對應的照射頭9而設置的各脈衝 生成部35A及脈衝生成部35B的各自中，生成時脈頻率資 訊的頻率的時脈訊號，並將該時脈訊號向所對應的各雷射 驅動器19A及雷射驅動器19B輸出。 49 201012581 31194pif 另外’於策略電路18A及策略電路18B中生成對應於 所輸入的照射波形資訊的照射波形，並將該照射波形向各 自所對應的雷射驅動器19A及雷射驅動器19B輸出。另外 進而，雷射功率控制電路20A及雷射功率控制電路20B將 所輸入的照射強度資訊中所包含的峰值強度資訊與偏壓強 度資訊向各自所對應的雷射驅動器19A及雷射驅動器19B 輸出。 輸入有照射波形、峰值強度資訊及偏壓強度資訊的各 雷射驅動器19A及雷射驅動器19B，根據峰值強度資訊及 ® 偏壓強度資訊’以使照射波形的峰值強度成為所輸入的峰 值強度資訊的峰值強度’而且使該照射波形的偏壓強度成 為所輸入的偏壓強度資訊的偏壓強度的方式對照射波形進 行修正。其後，各雷射驅動器19A及雷射驅動器19B，將 經修正的修正照射波形向各自所對應的各照射頭9A及照 射頭9B輸出。修正照射波形自成為於各照射頭9中形成 的對象的多個訊坑P中的、位於最内周侧且形成於加工對 象物33的旋轉方向上的依序排列的1個或多個訊坑p依 ❹ 序向雷射驅動器19輸出。 輸入有修正照射波形及時脈訊號的照射頭9A及照射 頭9B分別使下述記錄用雷射光與該時脈訊號同步地進行 “、'射，上述s己錄用雷射光是照射強度與對應於所輸入的修 正照射波形而變化的電壓相對應的記錄用雷射光。 於步驟226中反覆進行否定判斷，直至於上述步驟2〇〇 中所讀取的§己錄資料中所包含的所有訊坑p的形成結束， 50 ❹ ❹ 201012581 31194pif 若為肯定則結束本程序。 再者於上述中省略了說明，藉由執行上述步驟 及步驟224的處理，輸入有修正照射波形及時脈訊號的照 射頭9A及照射頭9B分別使下述記錄用雷射光與該時脈訊 號同步地進钱射，上述記刺雷射光是照_度與對應 於所輸入的修正照射波形而變化的電壓相對應的記錄用雷 射光由此’於加工對象物33上依序自内周侧向外周侧形 成訊坑^但是’此時，每次藉由各侧射頭9而結束一 周的訊的崎時，控制部16經由馬達控制器^及馬 達驅動器31對步進馬達30進行控制，而使光學拾取器10 自加工對象物33的徑方向㈣周侧向外周側移動。 如此來，於加工對象物33的加工對象區域33Ρ的 整個區域中形成有訊坑ρ。 如X上所說明般，於本實施形態的加工裝置9〇中執 ==驟200〜步驟226的處理。由此，藉由設置於光 1〇中的多個照射頭9的各自對加工對象物33照 1射光，藉此於記錄材料層33B上形成訊坑p 。因此， Ρ p的加工裝置9G與僅藉由—個照射頭9來形成訊 几的情形相比’可謀求記錄速度的更高速化。 本實施形態的加工裝置90對多個照射頭9的 一如^單獨控制’以便即使於藉由多個照射頭9中的任 頭9 ’對旋轉的加工對象物33的記錄材料層33B &時脈賴間的雷射絲在加卫對象物33的記錄 曰33B的不同區域中形成訊坑p時’所形成的訊坑p 51 201012581 31194pif 的長度亦成為相同的長度。 具體而言，本實施形態的加工 外周侧的照射頭9則時脈頻率 90以越是設置於 短）的方式，根據各照射頭9的 I _脈週期變得越 而針對各照射頭9計算出時脈算的距離 時脈訊號同步地自各照射頭9照射。由此，自與9 :成於加工對象物33的作為加工對象的區域中 =，同樣地，本實施形態的加工裝置％ 置於外周侧的照射頭9則峰值強度與偏壓強度的差變= 小的方式，根據各照㈣9的自旋轉巾 ^照射頭9計算出照射強度資訊，並照== 強度資訊相對應的照射波形的雷射光。因此，訊坑ρ ^ 成於加工對象物33的作為加-對象的:域 ❹ 再者，就上述照射強度的調整與照射時間的 言，可對雙方進行調整，另外亦可僅對任一方進=^而 —再者’對於圖7所示的處理程序中記錄方式為線速度 固定的情形進行了說明。但是，當以角速度固定的cAV$ $進行記錄（旋轉）時，如上述說明般，對應於光學拾取 器W藉由步進馬達3〇而自内周侧向外周侧移動，多^照 射頭9的各自的自旋轉中心q起算的距離產生變化。由 52 201012581 31194pif 此’藉由各照射頭9照射雷射光的 =產生。因此，CLV方式的情二:: I昭L10位於加工對象物33的徑方向的哪個位i上I 射頭9的時脈訊號的頻率作為最初針對各^ = 权疋的頻率來進行處理 =射頭9所 時，控制邻Μ 〇 * 田UAV方式進行記錄

的==!生的各照射頭9的自旋轉中心Q起算 =距離的變化’絲據變化後的距離計算出各 時脈訊號的頻率並向_生成部35輸出即可。 、 各照射頭9的自旋轉中心Q起算的距離，例如 求出即可’即根據每次光學拾取器ig進行徑方 1〇自達11的旋轉，料算岐學拾取器 1〇自位於基準位置的狀態起的徑方向的移動距離。 (第2實施形態） 物第1實施形態中，對自各照射頭9向加工對象 物3所…、射的雷射光為！束記錄用雷射光的情形進行了說 2。但是，於本實施織中，對自各照射頭9向加工對象 物33照射多束雷射光的情形進行說明。 再者，本實施形態中所說明的加工裝置91的構成與 上述第1實施形態中所說明的加工裝置90的構成大致相 同。因此，對㈣部分舒相同符號並省略詳細的說明。 加工裝置91的構成與圖3所示的加工裝置9〇的構成 大致相同。不同點為設置於光學拾取器财的各照射頭9 的構成。將加工裝置91的各照射頭9的構成示於圖η。 53 201012581 31194pif 如圖11所示 狖扠置於加工裝置91中 9(照射頭9A及照射頭卯)卜如圖U所== 置90中的照射頭9的構成以外還設置有繞::: (diffraction grating ) 58。 罝有繞射先栅 具體而言’於各照射頭9中設置有雷射二極體53、光 學系統55、受光元件56以及繞射光柵&。如第施 態中所說明般’於光㈣統55中設置有偏光分光鏡％ ^ 準直透鏡60、1/4波長板61以及物鏡62。

繞射光柵58是用以將自雷射二極體53所射出的雷射 光B分支為多束雷射光者。因此，繞射光栅％只要為具 有此種功能者’則亦可為任何構成。 /、 於本實施形態中，繞射光栅58將自雷射二極體53所 射出的雷射光B分支為用於形成加工對象物33的訊坑p 的記錄用雷射光Μ、用以檢測加工對象物33上的反射率 的變化的檢測用雷射光S1、及檢測用雷射光S2。

以能夠僅藉由記錄用雷射光M於加工對象物33上形 成訊坑P的方式，預先調整繞射光栅58的設置位置。進 而，以使其他檢測用雷射光S1及檢測用雷射光S2難以形 成訊坑P的方式，並且以使記錄用雷射光M的波長為可形 成訊坑Ρ的波長，且其他檢測用雷射光S1及檢測用雷射 光S2的波長為無法形成訊坑P的波長的方式，預先調整 繞射光拇58的設置位置。 再者，於本實施形態中，對繞射光栅58將雷射光B 分支為記錄用雷射光Μ與兩束檢測用雷射光的共計三束 54 201012581 31194pif 雷射光的情形進行說明，是，記錄用雷狀M亦可為多 束，另外，次光束（sub-beam)亦可為兩束或兩束以上。 另外’於本實施形態中，自雷射二極體5S所射出的 雷射光B纟繞射光柵58進行分支。由此，以使檢測用雷 射光S1自照射記錄用雷射光M的區域起隔開規定間隔而 向内周側照射’且使檢測用雷射光S2自照射記錄用雷射 光Μ的區域起隔開規定間隔而向外周侧照射的方式，預先 ❹輕繞射光柵58。作為規定間隔，就提高下述的檢測處理 的精度的觀點而言’較佳為將鄰接於光學拾取器1〇的移動 方向的上游侧的檢測用雷射光與記錄用雷射光Μ之間預 先設定為小於形成對象的訊坑Ρ的半徑方向的間隔的距 離。另外，較佳為將鄰接於光學拾取器1Q的移動方向的下 游侧的檢測用雷射光與記錄用雷射光M之間預先設定為 與形成對象的訊坑ρ的半徑方向的間隔相等的距離。 照射於加工對象物33上的記錄用雷射光μ、檢測用 雷射光S1以及檢測用雷射光S2的各自在加工對象物33 的面上反射，再次透過物鏡62、1/4波長板61、準直透鏡 6〇之後由偏光分光鏡59反射，並經過柱面透鏡63而入射 至文光元件56中。受光元件56將由受光元件56所接收的 表示光束的位置及受光光量的訊號輸出至放大器12(參照 圖3)中。受光訊號經由放大器12而被供給至控制部16 或伺服電路13中。 控制部16根據所輸入的表示由受光元件56所接收的 光束的位置及受光光量的訊號，來識別與入射至受光元件 55 201012581 31194pif 56中的光束相對應的照射頭9、以及該光束是自照射頭9 所照射的記錄用雷射光]VI、檢測用雷射光S1及檢測用雷 射光S2中的哪一個。控制部16根據識別結果對步進馬達 30進行控制。 此處，本實施形態的加工裝置91與第丨實施形態中 所說明的加工裝置90相同，於加工對象物33上光學拾取 器10藉由步進馬達30而向加工對象物33的徑方向，自内 周侧向外周側或自外周側向内周側依序移動，藉此於加工 f象物33的加工對象區域的區域中形成訊坑p。具體巾 ❹ 5 ’當光學拾取器10的移動方向為自加工對象物33的内 =侧朝向外周側的方向時，如圖16所示，一面使光學拾取 器10自加工對象物33的旋轉中心Q起向外周侧於徑方向 (參照圖16中的箭頭γ方向）上移動，—面照射雷射光， 藉此於加工對象物33的加工對象區域33ρ的整個區域中 形成訊坑Ρ。 當光學拾取器10的徑方向長度為覆蓋自加工對象物 33的加工對象區域33ρ的徑方向長度的一端至另一端的長 ❹ ^時，一面繼續進行自光學拾取器1〇所具備的各照射頭9 照射雷射光來形成訊坑ρ的記錄處理，一面使光學拾取器 10自外周侧向内周側或自内周侧向外周侧漸進地移動從 =於加工對象輯33ρ的整個區域巾形成訊坑ρ。但是， 虽，學拾取器10的徑方向長度為僅覆蓋加工對象區域33Ρ 的徑方向的一部分的長度時（例如參照圖4)，若一面藉由 各照射頭9進行記錄，一面使具有多個照射頭9的光學拾 56 201012581

Miy4pit 取器10自内周侧向外周侧或自外周侧向内周側漸進地移 動，則多個照射頭9中的配置於光學拾取器10的移動方向 上游侧的照射頭9A’會到達藉由配置於該移動方向下游侧 的照射頭9B而已形成有訊坑p的區域。於此情形時，若 一面進行記錄一面使光學拾取器1〇於徑方向上繼續移 動’則會重疊地形成訊坑P，故欠佳。 因此’當藉由一面使光學拾取器10自内周侧向外周 〇 侧移動—面自各照射頭9照射雷射光來形成訊坑p時，j 實施形態的加工裝置91中，於内周側的照射頭9八即將到 達藉由加工對象物33上的外周側的照射頭9B而已形成有 訊坑P的區域之前，於各照射頭9中對光學拾取器1〇的 外周侧的已形成有訊坑P的記錄完成區域進行檢測。而 且，當檢測出記錄完成區域時，本實施形態的加工裝置W 一次停止一面使光學拾取器1〇向移動方向（自内周側向外 周侧）漸進地移動一面由各照射頭9形成訊坑P的記錄 ，，於使光學拾取器10在該移動方向上移動了相當於記錄 ❹ 完成區域的徑方向長度之後再次開始記錄。 、 藉此，本實施形態的加工裝置91可高速地進行記錄， 並且可對加工對象物33高精度地形成訊坑P。。、’

以下，對由本實施形態的加工裝置91的控制部16所 執行的處理進行說明。 T 。控制部16與第1實施形態相同，執行圖7所示的處 理，序。但是，本實施形態的加工裝置91的控制部16於 進行圖7所示的處理程序中的步驟220的旋轉開始指示訊 57 201012581 31194pif =出處理之後至結束處理之前的期_，作M斷處理 15所示的處理程序。再者，於以下的處理程序 ^將加工裝置91作為-面使光學拾取器1G自加工對象 Ξ H轉中心Q起向外周側漸進地移動-面自各照射 =9，射雷射光，藉此於加工對象物33上形成訊坑p的 加工裝置來進行說明。 即，控制部16於每個規定時間執行圖15所示的中斷 處理程序後進入步驟300。 〇

於步驟300 t，在設置於光學拾取器1〇巾的多個照 射頭9中’對是否檢測出加王對象物33的進行記錄的區域 的外周側（光學拾取器1()的移動方向下游侧）已存在記錄 完成的區域進行辨別。若判定為否定，則結束本中斷處理。 另一方面，若判定為肯定，則處理程序進入步驟3〇2 ^ 步驟300的判斷是讀取自各照射頭9向加工對象物33 所射出的多束雷射光（記錄用雷射光M、檢測用雷射si、 檢測用雷射S2)中的、除用於記錄的記錄用雷射光μ以 外的夕個檢測用雷射中的照射至最外周侧的檢測用雷射 S2的反射光’當該反射光的強度變化表示基於訊坑ρ的強 度變化時，辨別為已檢測出記錄完成區域。 作為反射光的強度變化的判定，例如進行以下的處 理。即，作為檢測用雷射S1及檢測用雷射S2的由加工對 象物33所反射的反射光的強度，對檢測用雷射幻照射至 加工對象物33的未形成有訊坑P的區域時的反射光的強 度、以及檢測用雷射S2照射至形成有訊坑p的區域時的 58 201012581 31194ριί 反射光的強度進行測定。接著，確定用以根據反射光的強 度來辨別訊坑Ρ的形成區域的強度的閥值。而且，當檢測 用雷射S2的由加工對象物33所反射的反射光的強度未達 該閥值時’判斷為辨別出已形成有訊坑Ρ的區域。 於接下來的步驟302中，向脈衝生成部35輸出一次 停止指示訊號’該一次停止指示訊號表示一次停止藉由自 多個照射頭9照射雷射光來形成訊坑ρ。與此同時，於步 ❹ 驟302中’將用以照射照射強度以小於形成訊坑Ρ所必需 的照射強度的雷射光的訊號向雷射功率控制電路2〇輪 出。接收到一次停止訊號的脈衝生成部35 —次停止向雷射 驅動器19發送同步訊號。因此，一次停止自各雷射驅動器 19向各照射頭9發送修正波形訊號，從而一次停止形成訊 坑Ρ。 另外，接收到用以照射照射照射強度未達形成訊坑ρ 所必需的照射強度的雷射光的訊號的雷射功率控制電路 20將該訊號向雷射驅動器19輸出。接收到該訊號的雷射 〇 驅動器19對雷射二極體53進行控制，以使自雷射功率控 制電路20所輸入的照射強度的雷射光自雷射二極體幻 出。 於接下來的步驟304中，將表示使光學拾取器1〇向 移動方向下游側（於本實施形態中為自内周侧向外周 於徑方向上移動的移動開始指示訊號向馬達控制器Μ 出。所輸人的移動開始指示訊號經由馬達驅動器3ι ^ 進馬達30輸出。接收到移動開始指示訊號的步進馬達％ 59 201012581 31194pif 進行使光學拾取器10向該移動方向下游側移動的移動處 理。 於接下來的步驟306中’在設置於光學拾取器1〇中 的多個照射頭9中，辨別是否於光學拾取器1〇的移動方向 的上游側’即内周侧檢測出未§己錄區域，並反覆進行否定 判斷直至得到肯定為止。 步驟306的判斷藉由如下方式進行，即一面使光學拾 取器10向移動方向（自内周側向外周側）移動，一面讀取 各照射頭9的設置於移動方向上游侧（内周侧）的檢測光 束S1的反射光的強度變化，當在該反射光的強度變化於 規定時間表示基於訊坑P的強度變化之後檢測出未形成訊 坑P的區域時，辨別為於該内周侧檢測出未記錄區域。° 於接下來的步驟306中，輸出表示重新開始記錄的訊 號。步驟306的處理具體而言是為了使於上述捨婦p3〇2 的處理中一次停止的記錄處理重新開始，而將表示重新開 始藉由自多個照射頭9照射雷射光來形成訊坑p的重新開 始訊號向脈衝生成部35輸出。 接收到重新開始訊號的脈衝生成部35 一次停止向雷 ^驅動器19發送同步訊號。因此，重新開始自各雷射驅動 器f向各照射頭9發送修正波形訊號從*重新開始形成 訊坑P。 藉由執行上述圖15所示的中斷處理程序來 的處理。即’例如使光學拾取器1〇於自加工對象物 内周側向外周側的方向上移動。接著，如圖16所示自光 201012581 學拾取器10於加工對象區域33P的最内周侧位於可形成 訊坑P的位置的狀態，藉由照射頭9進行雷射光照射，並 使加工對象物33旋轉。由此，藉由照射頭9A及照射頭9B (圖示省略）於加工對象物33的旋轉方向χ上依序形成 多個訊坑Ρ1 (參照圖12)。 進而’一面使光學拾取器10於移動方向上移動，一 面藉由照射頭9Α及照射頭9Β (省略圖示）於加工對象物 33的旋轉方向χ上依序形成多個訊坑ρ2。由此，例如在 與已形成有乡個訊坑P1的外周鑛接的區域形成有多個 訊坑P2 (參照圖13)。 藉由反覆進行上述動作，由各照卿9自㈣璧床

侧的照射頭9B而已形成有訊坑p 頭9中對光學拾取器1〇的移動方向 p的區域之前，於各照射 向下游侧的記錄完成區域 進行檢測。而且 元成區域時，一

t檢^則出記錄 向移動方向（自内周侧 201012581 31194pif 向外周側）漸進地移動，一面一次停止藉由各照射頭9形 成訊坑P的記錄處理，且以自配置於該移動方向的最上游 侧的照射頭9A所射出的雷射光對未記錄區域進行照射的 方式，使光學拾取器10於該移動方向上移動了相當於記錄 完成區域的徑方向長度之後，再次開始記錄。因此，本實 施形態的加工裝置91可高速地形成訊坑’並且可遍及加工 對象物33的加工對象區域33P的整個區域高精度且有效 地形成訊坑。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 ® 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是表示第1實施形態中所使用的一種加工對象物 的層構成的部分剖面圖。 圖2是表示第1實施形態中所使用的—種加工對象物 的層構成的部分剖面圖。 q 圖3是示意性地表示第1實施形態的加工裝置的構成 的結構圖。 圖4是表示第1實施形態中所使用的加工對象物與光 學拾取器的位置關係的一型態的示意圖。 圖5是表示第1實施形態中所使用的加工對象物與光 學拾取器的位置關係的一型態的示意圖。 圖6是示意性地表示第1實施形態的加工裝置中的照 62 201012581 31194pif 射頭的構成的結構圖。 圖7是表示第1實施形態的加工裝置中所執行的虛 的流程圖。 圖8是表示於第丨實施形態的加工裝置中，各照射頭 用中所生成的時脈訊號的示意圖。 圖9是表示形成對象的訊坑、形成訊坑時照射頭中所

使用的時脈訊號、以及與時脈訊號同步後使用的照射波形 的形態的一例的示意圖。 乂 圖10是將峰值強度與偏壓強度的關係的一例作為照 射強度的調整來表示的示意圖。 圖11是示意性地表示第2實施形態中所使用的加工 裝置中的照射頭的構成的結構圖。 圖是表示於第2實施形態中，藉由各照射頭的訊 坑形成及檢測型態的示意圖。 ° 圖13是表示於第2實施形態中，藉由各照射頭的訊 坑形成及檢測型態的示意圖。 ° 圖14是表示於第2實施形態中’藉由各照射頭的訊 坑形成及檢測型態的示意圖。 圖15是表示於第2實施形態的加工裴置中所執^ 中斷處理的流程圖。 订、 圖16是表示第2實施形態中所使用的加工對象物 光學拾取器的位置關係的一型態的示意圖。 、 圖17是表示第2實施形態中所使用的加工對象 光學拾取器的位置關係的一型態的示意圖。 、 63 201012581 31194pif 【主要元件符號說明】 9A、9B、9C :照射頭 10 :光學拾取器 11 :轉轴馬達 12 :放大器 13 :伺服電路 15 :解碼器

16 :控制部 17 :支撐構件 18A、18B :策略電路 19A、19B :雷射驅動器 20A、20B :雷射功率控制電路 21 :頻率產生器 30 :步進馬達 31 :馬達驅動器 32 :馬達控制器

33 :加工對象物 33A :基板 33B :記錄材料層 33P :加工對象區域 35A、35B :脈衝生成部 36 :記憶體 38 :個人電腦 53 :雷射二極體 64 201012581 31194pif 55 :光學系統 56 :受光元件 58 :繞射光柵 59 :偏光分光鏡 60 :準直透鏡 61 : 1/4波長板 62 :物鏡 63 :柱面透鏡 〇 64:對焦致動器 65 :跟蹤致動器 90 :加工裝置 B :雷射光 FI、F2、Fn :頻率 Μ:記錄用雷射光 Rl ' R2 ' R3 ' Rn :距離 P、P卜P2、P4 :訊坑 Ο Pn :峰值強度 Q:旋轉中心 SI、S2 :檢測用雷射光 T:時脈週期 ΤΙ、T2、Τη :時脈訊號 X、Υ :箭頭 65

Claims (1)

1. 201012581 31194pif 七、申蹐專利範圍： L 一種加工裝置，其包括： 對象轉部’、使具有熱致模式型記錄材料層的加工 _ 轉，上述熱致模式型記錄材料層利用由記錄用 雷射光的照射所產生的絲記錄#訊；μ 錄用 多，照射部，排列於穿過藉由上述旋轉部而旋轉的上 冓件的旋轉中心的直線上，並向自上述加工對 述旋轉中心起的半徑方向距離互不相同的區域 照射記錄用雷射光。 •崎 2. 如申明專利範圍第1項所述之加工裝置盆 規定間隔排列，該規^間隔為以上述加工對 的加工對象區域的上述旋轉中心為中心，且 j向的-端部至另—端部為止的距離除以上 的數量所獲得的值。 4…射部 3. 如申請專利範圍第i項所述之加工裝 制部，其中該控制部對自上述多個照射部的各自所昭= ❹ 5己錄用雷射光的照射時間及照射強度進行控制 由上述多個照射部的各自於利用上述旋轉部而旋轉的= 加工對象構件上形成與财卿成對 圖案時，使藉由該多個昭射邻社丁應的也成 大小及形狀彼此相同的各自所形成的形成圖案的 4. 如申請專利範圍第3項所述之加工裝 皮形生成部’對應於上述多個照射部的:個 而設置，並生成照射波形；以及 丨旳各個 66 201012581 iny4pit 多個同步訊號生成部’對應於上述多個照射部的各個 而設置，並生成同步訊號； 上述多個照射部使上述記錄用雷射光與自所對應的 上述同步訊號生成部所輸入的同步訊號同步地進行照射， 且上述記錄用雷射光是強度及照射時間與自所對應的上述 照射波形生成部所輸入的照射波形相對應的記錄用雷 光； 〇 上述控制部預先將上述多個照射部中的一個設定為 基準照射部’並將向該基準照射部輸出的同步訊號設定為 基準同步訊號，以將該基準同步訊號輸出至該基準照射部 的方式控制上述同步訊號生成部，並且根據與該基準照射 部的距離來控制上述同步訊號生成部，以使該距離向外周 側變得越大則上述同步訊號的頻率變得越高，而該距離向 内周侧變得越大則上述同步訊號的頻率變得越低，藉此針 對各照射部來對自上述多個照射部的各個所照射的上述記 錄用雷射光的照射時間進行控制。 ° 5.如申^專利範圍第4項所述之加工裝置其包括照 射強度調整部，對上述照射波形所示的最大照射強度相^ 於最小照射強度的比進行調整， 上述控制部將上述多個照射部中的-個設定為基準 照射部’並根據與基準照射部的距離來控制上述照射強戶 調整部，當該距離向外周侧變得越大則上述照射波形所^ 的最大照射強度相對於最小照射強度的比變得越小，而告 該距離向内周侧變得越大則上述照射波形所示的最大照^ 67 201012581 31194pif 移動部，第1項所述之加工裝置’其包括- =:側向外周侧、或者自該加工對象構件的外周: 向内周側相對地移動’且上述照射部包括·· 一光源，射出雷射光； 將自該光源所射出的雷射光至少分支為上 Θ 用雷射光、_以_上述加^象構件上的反射 率的檢測用雷射光；以及 檢測部’對上述檢測用雷射光的由上述加工對象構件 所反射的反射光的光量變化進行檢測； 上述控制部根據上述檢測部的檢測結果來控制上述 ^動π ’以便在上述加工對象構件上檢測出記錄完成區域 ’使上述彡個騎部移動至未檢測&上述記錄區域的區 7. 如申請專利範圍第6項所述之加工裝置其包括聚 ⑩ 光《卩以使由上述分支部所分支的上述記錄用雷射光與上 述檢測用雷射光於上述加工對象構件的半徑方向上隔開規 定間隔來照射的方式進行聚光。 8. 如申請專利範圍第6項所述之加工裝置其中上述 分支部將自上述光源所射出的雷射光分支為至少丨束或多 束雷射光、以及至少丨束或多束檢測用雷射光。 9. 如申請專利範圍第7項所述之加工裝置，其中上述 68 201012581 31iy4pit 分支部將自上述光源所射出的雷射光分支為至少1束或多 束雷射光、以及至少1束或多束檢測用雷射光。

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