TW201010146A - Method for fabricating light-emitting diode - Google Patents

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201010146 ， 六 < 發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於半導體裝置及其製程，且特別是有 關於一種發光二極體裝置及其製程。 【先前技術】 利用電流在p-n接合所產生之電子及電洞輻射性再 結合，可產生電磁輻射（例如：光）。在從直接能隙材料（例 如GaAs或GaN)製造的正偏麗之p_n接合，該注入空乏 區之電子電洞再結合產生電磁輻射之射出。該電磁輻射 可以在可見光的範圍内，或是在非可見光的範圍内。使 用具有不同能隙之材料亦可產生出具有不同發先顏色之 發光二極體。此外，一發光二極體發出具有特定波長範 圍之電磁輻射時，係表示可利用一螢光體來吸收該等輻 射，並發射出一或多種不同之波長的輻射。因此，舉例 來說，一發光二極體發出非可見光時，可利用一螢光體 將該非可見光轉換成一可見光。 由於矽基底的低成本及大量廣為人知可運用於其上 之製程技術手段，使_时基絲形成發光二極體 置將會十分具有吸引力的。對於垂直發光二極體裝置， ，梦基係作為-導電界面以提供—電性連結至該發光二 =體結構之底部接觸層。然而切基底-般具有相對^ ^吸收率’因此負面地影響該發光二極體裝置的發光= 用 來解決上述問是之方法係利用一 反射層’例如分 〇5〇3-A34365TWF/phoelip 201010146 佈式布拉格反射層歧射緩衝層，以將光由基底侧反射 至出光面。然而，該反射層易導致—藉由羞晶成長的三_ 五族半導體層具有低的結晶品質。 …另一用來解決該問題的方法係將該矽基底由三_五族 半導體層上移除，並形成—新的導電基底。該方法所導 致的問題包含需去除整個矽基底、以及移除矽基底所額 外花費的時間及成本。 综上所述，發展出具有較佳發光效率之發光二極體 裝置及其製程是十分必要的。 藝 【發明内容】 本發明之實施例提供新穎的發光二極體製程，來降 低、解決或避免習知技術所存在的問題，並達到所期望 的技術優點。 根據本發明之一目的，係提供一形成發光二極體裝 置的方法。該方法包含形成一發光二極體結構於一基底 之上。在形成該發光二極體結構後，將部份該基底轉換⑬ 成一孔洞層。接著，形成一導電基底於該發光二極體結 構之上。之後，藉由選擇性蝕刻或機械性切割該孔洞層， 將該發光二極體結構由該基底上分離。 根據本發明另一目的，係提供一形成發光二極體裝 置於一矽覆絕緣（SOI)基底的方法。該矽覆絕緣（s〇I)基底 包含一矽基底、一埋層氧化層、及一最頂層之矽層。該 方法包含形成一發光二極體結構於該矽覆絕緣（SC)I)基底 之最頂層的矽層之上。接著，形成一導電基底於該發光 〇503.A34365TWF/phoelip 4 201010146 二極體結構之上。選擇性蝕刻該埋層氧化層，以分離該 矽基底及該最頂層之矽層與該發光二極體結構。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 【實施方式】 本發明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本 Φ 發明中不同的特徵。各特定實施例中的組成及配置將會 在以下作描述以簡化本發明。這些為實施例並非用於限 定本發明。 本發明係提供一形成發光二極體裝置的方法及其所 形成的結構。可以被理解地，本發明係僅繪示出本發明 所述之方法的必要步驟，不過其它已被知曉用於此技術 領域的步驟或製程亦可被加入於該方法中。在本發明之 實施例所述之圖示中，類似的單元係以類似的元件符號 • 來表示。 第1-6圖係繪示不同之中介製程步驟，用以形成本發 明一實施例所述之形成於導電基底上的發光二極體結 構。請參照第1圖，形成一孔洞層104於該基底102之 上。該基底102可為一半導體總體基材，可以具有摻雜 或非摻雜，較佳係具有一（1〇〇)面位向。值得注意的是當 本發明之實施例其内文描述使用一矽總體基底，亦可以 其他基底來替代。舉例來說，矽覆絕緣（SOI)基底、藍寶 石基底、或碳化矽基底等亦可以用來取代本發明所述實 0503-A34365TWF/phoelip 5 201010146 施例所述之基底。根據本發明之實施例，由於石夕基底之 成本較低，因此較佳係使用石夕基底。此外，除了較佳係 使用具有一（100)面位向的基底外，具有不同面位向之基 底像是（111)、或（110)等面位向亦可被使用。 該孔洞層104係藉由轉換部份之該基底102為一孔 洞層所形成。在一實施例中，該基底102係為一總體矽 基底，而該孔洞層104係藉由例如電化學陽極蚀刻法所 形成，該化學陽極蝕刻法係使用具有氫氟酸溶液(20wt%) 及乙基醇之電解質組成物，且陽極電流密度係介於約 1 mA/cm2至約200 mA/cm2。車交佳地，該基底102在形成 孔洞層104前具有一厚度至少約ΙΟΟμπι，而該孔洞層104 之厚度介於約1〇Α至約Ιμιη之間。該孔洞層104係用來 作為一分離層，用以在後續製程中將該基底102由該發 光二極體結構上分離，詳述於下。 第2圖係根據本發明一實施例繪示一可視需要增減 的步驟，形成一晶種層於該孔洞層104之上。該晶種層 202可提供一較佳的表面，且該晶種層緊鄰著後續經磊晶 成長所得之發光二極體結構。該晶種層202較佳係由經 磊晶成長的含矽材料層所形成，該晶種層202可例如為 SixGen_x)、或 SixC(1_x)等，其中 0<χ〈1。 在一實施例中，含矽晶種層202可以化學氣相沉積 的方法藉由氫氣氛在約600°C至約1100°C的溫度及約 ltorr至約760torr的壓力下所形成。該晶種層202較佳具 有一厚度約1 nm至約1 OOOnm。其他的製程，例如遠端電 漿增強化學汽相沈積（RPCVD)、分子束磊晶（MBE)、金屬 0503-A34365TWF/phoelip 6 201010146 有機氣相磊晶（MOVPE)，氳化物氣相磊晶（HVPE)、或液 相磊晶（LPE)等都可用來形成該晶種層。 。 在另一實施例中，一矽覆絕緣基底係用來取代具有 孔洞層104及晶種層202形成於其上之基底102。在此， 一側向蝕刻可用來蝕刻矽覆絕緣基底的絕緣層，使得位 於下方之基底（一般係為矽基底）與形成於上方的矽層分 離，詳述於下。 第3圖係根據本發明一實施例，繪示形成一發光二 • 極體結構302於該基底102。該發光二極體結構302可包 含一第一接觸層304、一第一披覆層306、一主動層308、 一第二披覆層310、及一第二接觸層312。一緩衝層314 可視需要加以形成。 該緩衝層314包含一或一以上之材料並形成於該基 底102之上方（例如形成於該孔洞層104及/或該晶種層 202之上），作為一後續磊晶成長形成該發光二極體結構 302之成核層。依據各自形成於該第一及第二接觸層304 ® 及312上之基板的型態，來決定配置於該第一接觸層304 及該基底1〇2(例如形成於該孔洞層104及/或該晶種層 202之上）之間的緩衝層材料。舉例來說，當所使用之基 底為碳化石夕、或石夕基底，該的缓衝層，例如A1N、或 AlGaN，可用來在該碳化矽基底上進行三五族化合物之 蠢晶成長。 舉例來說，該緩衝層314之材料可為三-五族為主之 化合物，像是金屬氮化物、金屬竣化物、金屬碳氮化物、 單一金屬、合金、或含矽材料等。其形成方式舉例來說 0503-A34365TWF/phoelip 7 201010146 可為：金屬有機CVD (MOCVD)、金屬有機氣相磊晶 (MOVPE)、電漿增強化學汽相沈積（PECVD)、遠端電漿 增強化學汽相沈積（RP-CVD)、分子束磊晶（MBE)、氫化 物氣相磊晶（HVPE)、氣化物氣相磊晶（Cl-VPE)、或液相 磊晶（LPE)等。該緩衝層314之材料可例如包含SiC、 ZnO、GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、AlInN、或 AlInGaN、 等。該緩衝層314可進一步包含複數之膜層，例如複數 之A1N層及複數之矽摻雜GaN層以交替方式相疊。該緩 衝層314可以摻雜一 p型或一 η型雜質，或是實質上未 摻雜。 該第一接觸層304係形成於該緩衝層314之上方。 該第一接觸層304可由一三族氮化物（或其他五族元 素）。在一實施例中，該第一接觸層304係由具有^型導 電性質之三族氮化物所組成，且形成方式可為ΜΒΕ、 MOCVD、HVPE、或LPE等。該三族氮化物材料可包 含，舉例來說，GaN、InNAIN、InxGan_x)N、AlxGa(1.x；)N、 或 AlxInyGa(〗-x_y)N 等’其中 0< x $1、0< y SI。包含其他 五族元素來用來取代N之化物亦可被使。 該可視需要形成之第一彼覆層306係形成於該第一 接觸層304之上方。相似於該第一接觸層304,該第一披 覆層306可由一三-族氮化物或其他五族元素所形成。在 一實施例中，該第一披覆層306包含η型導電性質之具 有三族氮化物（例如η-AlGaN)。該第一披覆層3〇6之形 成方法可基本上與形成該第一接觸層304的方法相同。 0503-A34365TWF/phoelip 8 201010146

該發光層308(亦稱為主動層）係形成於該第一披覆層 306之上。該發光層308可包含一均質接面、一異質接面、 一單一量子井（SQW)、或一多重量子井（MQW)結構。在 一實施例’該發光層308包含非摻雜η-型氮化鎵銦 (GaxInyN(1_x_y))。在另一實施例中，發光層308可包含其 他常用之材料，例如AlxInyGa(1_x_y)N，其中〇< X 、〇< y 。在又一實施例中，該發光層308可具有多重量子井 結構’包含多重量子井層（像是InGaN)及一具交替樣式之 φ 阻障層（像是GaN)。同樣地’該發光層308之形成方法可 為MOCVD、MBE、HVPE、LPE、或其他可適用的cVD 方法。該發光層3 0 8之總居度較佳係介於約$ nm及約 200nm之間。 一可視需要形成之第二披覆層310可形成於該發光 層308之上。在一實施例中，該第二披覆層31〇之材料 係相似於該第一披覆層306 ’例如AlGaN，除了該第二披 覆層310可能摻雜為p型。形成該第二披覆層31〇之方 • 法基本上與形成該第一披覆層306的方法相同，除了需 形成相反型態的導電性質。 該第二接觸層312係形成於該第二披覆層31〇之 上。該第二接觸層之材料可與該第一接觸層3〇4相同或 不同’而形成方法與該第一接觸層304基本上相似，除 了該第二接觸層312之導電性質型態係與該第一接觸層 304相反。 如第3圖所示，一反射層316可視需要形成於該三_ 五族發光一極體結構302隶上層之上方。該反射層316 0503-A34365TWF/phoelip 9 201010146 係將該發光層3G8往該第二接觸層312方向射出的光反 射回去’讓光由該第—接觸$ 3〇4側射出，其係作為該 發光二極體裝置之光射出面。該視需要所形成之反射層 3'可包含一單-層’像是_反射金屬層(例如A卜或

Ag等）’或是-具有複數層之膜層，像是分佈式布拉格反 射層4王位向反射層等。在其他實施例中該第二接觸 層312亦可為一高反射率的膜層，因此也可以不需要該 反射層316。 ~

第4圖係根據本發明一實施例，繪示形成一導電基 底402於該發光二極體結構搬之上。該導電基底4二 係形成於該發光二極體結構搬之上方以提供一電性 連結至該第二接觸I 312(及/或該反射層316)。該導電基 底402可由任何適合之導電材料所形成，像是掺雜矽： 金屬、或金屬合金等。該導電基底術之厚度較佳係約 50μιη 〇 在一實施例中，可藉由電鍍方式形成該導電基底 402在此實施例，一晶種層（未顯示）係成臈於該晶圓之⑩ 上，接著將其放置於—包含金屬離子（例如鎳、鉻、 等）電鑛溶液中，並施以一電壓。舉例來說，若該導電基 底4〇2之材質係為錄，該晶圓係被放置-包含有Nis〇4土、 2、及H2〇2之溶液中。該晶圓表面係電性連結至一 4電源供應盗之負極侧’使得該晶圓在電鍍過程中作為 陰極。-錄陽極㈣浸泡於該溶液令，且與該外部電源 供應盗之正極側電性連結。該陽極之制子被氧化成州2+ 離子而該Νι冑子係由該陽極釋放出並溶於該溶液。 0503-A34365TWF/ph〇elip 10 201010146 當該Ni2+離子到達該負偏壓陰極，例如該晶圓，該Ni2+ 離子係被還原成金屬並鍍於該晶圓表面上。 在另一實施例中，該導電基底402係由矽所構成。 在此，一矽基底係結合於該第二接觸層312之表面，因 此形成如第4圖所示之該導電基底402。被結合之該矽基 底較佳係為一具有離子摻雜之矽總體基底，並具有與該 發光二極體結構302之第二接觸層312相同之導電性質 型態。舉例來說，在一實施例中，該第二接觸層312係 • 為p型導電性質材料，而該矽基底係被掺雜硼離子或是 其他p型離子。該矽基底可藉由Au-Si共晶接合（先沉積 金於第二接觸層312)與該第二接觸層312結合，或是利 用金屬與金屬接合方式（沉積Au或Cu於欲接合之兩側）。 第5圖係根據本發明一實施例，繪示移除該基底102 及該孔洞層104。該基底102可以利用機械性分離方式從 該發光二極體結構302上分離，該機械性分離方式可例 如為一水刀製程。該水刀製程可利用一水流由孔洞層104 ® 邊緣來進行機械性側向钱刻。由於孔洞層104之多孔性， 該孔洞層104易於被分割，因此可將該基底102由該發 光二極體結構302上分離。由於該基底102可被重複利 用，因此減少浪費及製程成本。 在另一實施例中，該孔洞層104可藉由一化學蝕刻 製程來移除。在此，具有49%氫氟酸及30% H202 (1 : 5) 之水溶液可被用來由該基底102的邊緣側向蝕刻該孔洞 層104。該氳氟酸對於該孔洞層104及該基底102(或是該 發光二極體結構302)之蝕刻選擇比約1至100,000。由於 0503-A34365TWF/phoelip 11 201010146 如此高的蝕刻選擇比，該侧向蝕刻不會對該基底102或 該發光二極體結構30造成損害。其他用來分割的方法可 包括：熱應力、穿孔、及插入一鐾子。 第6圖係根據本發明一實施例，繪示移除該晶種層 202。該晶種層202可藉由浸泡在一含氫氟酸、硝酸、及 醋酸之溶液（一般稱為HNA溶液）或是一含KOH的溶液。 該溶液可移除殘留之孔洞層104及該晶種層202。在某些 實施例中，該緩衝層314可以用溼蝕刻移除，以進一步 改善第一接觸層304之電性接觸。如此一來，該發光二 〇 極體結構302之底部可具有良好的電性接觸。至此，完 成本發明所述之該發光二極體裝置的製程。舉例來說， 電性接觸（正面及背面接觸）可以分別在第一接觸層304 及第二接觸層312形成，保護層可以被形成，且該發光 二極體裝置可以進一步被切割及封裝。 相似之製程可進一步實施於較昂貴之矽覆絕緣基 底。在使用矽覆絕緣基底的實施例中，由於該埋層氧化 層可被選擇性蝕刻，因此不需要額外形成一層孔洞層。 ® 在一包含矽覆絕緣基底的實施例中，如第2圖所示，包 含一碎基底102，一埋層氧化層104，及一最頂層之碎層 202。埋層氧化層104藉由一氫氟酸溶液來選擇性移除。 舉例來說，將該矽覆絕緣基底浸泡於包含氫氟酸 (Ι-lOvol%)之溶液中，氳氟酸主要蝕刻該氧化層104，對 於該最頂層之矽層202及該矽基底102的蝕刻速率非常 缓慢。在移除該埋層氧化層104後，可在實施第3圖至 0503-A34365TWF/phoelip 12 201010146 第6圖所述之步驟。因此，該最頂層之矽層2〇2之移除 方法可如第6圖所移除該晶種層的方法。 第7-11圖係根據本發明一實施例，繪示另一形成發 光二極體裝置的方法。請參照第圖7 , 一具有摻雜層7〇4 之基底702係被提供。該基底702可具有與上述基底1〇2 相似之材料。該摻雜層7〇4較佳係以佈植p型離子於該 基底702内來達成。舉例來說，該摻雜層7〇4可藉由植 佈劑量在約 1 X l〇]3atoms/cm2 至約 1χ 1〇i6at〇rns/cm2 的 _ 侧離子’及植佈能量係介於約10至約約5OKeV。如可需 要的話’一佈植後熱退火可被施行。該摻雜層7〇4之厚 度較佳係介於約〇_1μιη至約l〇JLlm之間。 與第1-6圖所述之實施例相比，該摻雜層7〇4係在製 造該發光二極體裝置間提供額外的結構強度。一預先形 成之孔洞層1〇4(如第1圖所示）係易碎的，也可能無法在 該發光二極體裝置製程時提供足夠的結構支撐度。在某 些實施例中，該摻雜層704可被形成並在後續的步驟中 •轉換成一孔洞層。該摻雜層7〇4的使用亦同時增加熱受 量忍受度。 第8圖係根據本發明一實施例，繪示形成一發光二 極體結構802。如第8圖所示，該發光二極體結構8〇2係 形成介於犧牲栓塞804之間。該犧牲栓塞8〇4將在後續 的製程中被移除形成開口 904以形成孔洞層1002。 該犧牲栓塞804之材料較佳為與該基底702相比具 有尚的姓刻選擇性的材料。舉例來說，在一實施例中， 該基底702係為一梦基底，該犧牲检塞8〇4可包含__ 0503-A34365TWF/phoelip 13 201010146 氧化矽材料。在此實施例，該犧牲栓塞804可以利用沉 積方式形成，並圖形化該坦覆性的二氧化矽。該坦覆性 的二氧化矽可例如以熱氧化法、或化學氣相沉積（CVD) 來形成，若為化學氣相沉積，可以TEOS及氧作為前驅 物。另外，該犧牲栓塞804可為其他介電材料。舉例來 說，氧化氮、或氧化矽氮等，以CVD等方式形成。該犧 牲栓塞804之厚度較佳實介於約1 μιη至約6μιη。 該坦覆性的二氧化矽可以利用微影蝕刻的方式來進 行圖行化。一般來說，微影钱刻的方式包含沉積一光阻 材料、及以一圖形選擇性照射該光阻材料。之後，以顯 影方式移除該光阻材料之一部份。所殘留之光阻材料係 在後續製程（例如：蝕刻）中保護位於其下之膜層。在此， 該光阻材料係用來圖形化該犧牲栓塞804，如第8圖所 示。之後，形成該發光二極體結構802。該發光二極體結 構802及該緩衝層314之材料與該發光二極體結構302 及緩衝層314相似，類似的單元係以類似的元件符號來 表示。 第9圖係根據本發明一實施例，繪示移除該犧牲栓 塞804。在一實施例中，該犧牲栓塞804可包含二氧化矽， 該犧牲栓塞804可藉由浸泡在具有氫氟酸（lOvol%)之溶 液中。氫氟酸會優先地餘刻該犧牲栓塞804 ’除非以電化 學來加速蝕刻，否則氫氟酸非常緩慢地蝕刻該摻雜層 704。 仍參照第9圖，延著該開口 904之侧壁形成間隙壁 902。該間隙壁902係防止該上層及下層發光二極體結構 0503-A34365TWF/phoelip 14 201010146 802短路，該間隙壁902較佳包含一介電 光二極體結構802及該摻雜層7〇4相比具龙輿該發 擇性。舉例來說，在-實施例，該摻雜層、^^的麵刻選 該間隙壁之材料可例如為Si〇2、Si3N44包含矽， 像是SixNy、SiOxNy、SiOxNy : Hz、或其組^ , t他含氣層， 〇<y<4、* 0<z<4。在一較佳實施例中；間二〇=4、 以CVD方式形成坦覆性氮化矽層（厚声約壁902係

議_，以仰係使用傾及氨水作為二物5=2 壁902可藉由一非等向性乾蝕刻來圖形化。 -、 第ίο圖係根據本發明一實施例，緣示該捧雜層7〇4 轉換成孔洞層1002。移除該犧牲栓塞8〇4，並從該開口 9〇4或侧向延著該基底702的邊緣，將該摻雜層7〇γς換 成該孔洞層1002。該摻雜層7〇4可以電化學陽極化法來 轉換成該孔洞層1 〇〇2。舉例來說，使用具有氫氟酸溶液 (20wt%)及乙基醇之電解質組成物，且陽極電流密度係介 於約ImA/cm2至約200mA/cm2。值得注意的是，在此該 氫氟酸之濃度需大於在第9圖所述移除該犧牲栓塞804 步驟所使用之》辰度，且同樣以電化學方式來加強钮刻。 使用一較低濃度的氫氟酸來移除談犧牲栓塞804可避免 氫氟酸蝕刻該摻雜層704。然而，值得注意的是，過蝕刻 該摻雜層704可能會造成該基底702在形成導電基底前 就分開’因此該氫氟酸的濃度必需被調整，因此在將該 摻雜層704轉換成一孔洞層時，不會完全移除該摻雜層 704。避免該基底702由該發光二極體結構802上分離。 0503-A34365TWF/phoelip 15 201010146 第11圖根據本發明一實施例’續·示形成一導電芙底 1102。該導電基底11〇2之材質及形成方法可與第4圖所 述之該導電基底402相似，在此不再贅述。 第12圖係根據本發明一實施例，緣示移除該基底 及該孔洞層1002。該基底702及該孔洞層1002可以第5 圖所述移除該基底102及該孔洞層1〇4之方法來移除。 值得注意的是該發光二極體結構802可以被圖形畫 為任何適合之圖形。例如，該發光二極體結構8〇2可以 被形成具有正方形、長方形、圓形、或橢圓形等之形狀。 此外，該發光二極體結構8〇2可具有其他任何形狀，並 在圖形化時可具有任意數量。 值得注意的是，為方便圖示，該發光二極體結構 及/或802係以平坦的裝置來顯示。在某些實施例中，該 發光二極體結構302及/或8〇2可為具有紋理的結構。該 具有紋理的結構可以例如蝕刻方式使凹陷、及/或以磊晶 成長方式形成凸處。藉由一具有紋理之表面，可增加發 光層之表面區域，因此可在固定基底尺寸的前提下，‘ 到增加該發光二極體裝置之發光效率的目的。 在以上的敘述中，該發光二極體結構一般多以 向該導電基底，—熟知此技藝之人當可依據本潑 貫施例所述形成—發光二極體結構，以 Γ電基底。在某些實施例中，該第-接觸層30= 1 一披覆層306可具有p型導電性質，而該第二被覆層/ 及該第二接觸層312可具有η型導電性質。 雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並 0503-A34365TWF/phoeIip 201010146 非用以限定本發明，荏何所屬技術領域中具有通常知識 者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作任意之更 動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利 範圍所界定者為準。 0503-A34365TWF/phoelip 17 201010146 【圖式簡單說明】 第1-6圖係繪示本發明一實施例所述發光二極體裝 置之製程步驟；以及 第7-12圖係繪示本發明另一實施例所述發光二極體 裝置之製程步驟。 【主要元件符號說明】 102〜基底（或矽基底）； 104〜孔洞層（或埋層氧化層）； 202〜晶種層（或最頂層之矽層）； 306〜披覆層； 310〜第二披覆層； 314〜緩衝層； 402〜導電基底； 704〜摻雜層； 804〜犧牲栓塞； 9 04〜開口； 1102〜導電基底。 302〜發光二極體結構； 304〜第一接觸層； 3 0 8〜主動層； 312〜第二接觸層； 316〜反射層； 702〜基底； 804〜發光二極體結構； 902〜間隙壁； 1002〜孔洞層； 0503-A34365TWF/phoelip 18

Claims (1)

1. 201010146 七、申請專利範圍： t一種形成發光二極體裝置的方法，包含： 提供一第一基底； 形成一發光二極體結構於該第一基底之上； 在形成該發光二極體結構後，形成一孔洞層於該第 一基底之上； 形成一導電基底於該發光二極體結構之上；以及 延著該孔洞層將該發光二極體結構由該第一基底上 擊 分離。 2·如申凊專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝 置的方法，其中分離該發光二極體結構的步驟包含：切 割該孔洞層以對該第一基底進行機械性分離。 3.如申清專利範圍帛1帛所述之形成發光二極體裝 置的方法，其中分離該發光二極體結構的步驟包含··藉 由一化學蝕刻製程移除該孔洞層。 _ 如^專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝 :的方法，其中形成該發光二極體結構的步驟包含：形 成該發光二極體結構於犧牲栓塞間。 w的太如u利乾®第4項所述之形成發光二極體裝 认兮1法，進一步包含移除該犧牲栓塞以產生一開口位 於该發光二極體結構中。 詈如申清專利範0第5項所述之形成發光二極體裝 、法進一步包含延著該開口的側壁形成間隙壁。 詈的方利Ib圍第1項所述之形成發光二極體裝 、、’其中提供該第-基底的步驟包含提供一具有 0503-A34365TWF/ph〇eIip ,〇 201010146 摻雜層的基底’以及其中形成該孔洞層 成該極體結構後將該換雜層轉換成該孔洞層。》 置的方Γ/Γ中第1項所述之形成發光二極體裝 來達成。、4電基底的形成至少部份係藉由電鍍 置的方法，圍第1項所述之形成發光二極體裝 一推雜石夕層於該發光二極體結構之上來達^藉由开4 置的專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝 的^去，其中該第一基底包含一具有紋理之表面。 曰.種形成發光二極體裝置的方法，包含· 層的=之一上發光二極體結構於該發覆絕緣基板之最頂 形成-導電基底於該發光二極體結構之上方 ==埋層氧化相㈣該以錢該最頂 層興該發光二極體結構。 / 束置^方t申請專利第11項所述之形成發光二極體 裝置L3方Γ料利第11項所述句祕光二極體 刻該埋層氧化層的步驟包含:將埋 層氧化層曝露於一氫氟酸溶液。 14.如中請專利第11項所述切成發光二極體 0503-A34365丁 WF/phoelip 20 201010146 裝置的方法，其. 至少部份係藉由電電基底於該發光二極體結構 裝二方範圍第14項所述之形成發光二極體 -、中該電錢包贪電鐘錄。 裝置1 的=申1專中=圍第U項所述之形成發光二極體 層於該發光二底的形成包含形成一推料 裝置的二申圍第U項所述之形成發光二極體 底盘### '、 “導電基底的形成包含將一第二矽基 底與該發先二極體結構結合。 裝置專利範圍第17項所述之形成發光二極體 其中該第二㈣底包含-具有摻雜"離

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