TW201007893A - Housing for packaging a structural component and method for the production of a housing - Google Patents
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201007893 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種如請求項1之前序部分所述的殼體。 【先前技術】 此類殼體已眾所周知。舉例 〇5, 477 Δ1 4a _ J 而 5,公開案 DE 10 2005 77 A1揭不一種感測裝 體s ^有用於封裝構件的殼 參連接元# ^主查 藉由表面連接與該構件相連之主 面A中:件具有-用於外部接觸的主連接 面i其中,该主連接面小於該構件之構件表面。該主連接 疋件具有-基银區,其中,該構件、該主連接元件及 蝕區被一射出成形材料包圍。 基 在製造該感測裝置之過程中 之缺點在於, 祐宏丄夕总产祛时丄 王運接兀件施加壓力時, 特疋5之係在薄膜成形過程中將該 上時,存在該主連接元件因該基 ^件黏接於薄媒 生斷裂之危險。此外,公開 ^斜或該基蝕區發 β藉由沿半導體晶片周邊巴切〇3 5〇 036 A1揭示-種 多個基板平面之半導體晶片 對具有基板及 曰曰片進仃分離的方法0 【發明内容】 相比先前技術,如獨立項之用於封裝 及殼體的製造方法具有以下優點:分::用的殼體 疋件較薄的區域,與此同時 、僅分離連接 斜及斷裂危險。根據本發 π逯接兀件之傾 實現該優點之解決方案如下: 201007893 第一側面及第二側面均各具有第-區域及第二區域形式之 甜區’以及/抑或各具有第—空隙及第二空隙形式之 連接元件因該第-及第二區域及/或該第-及第二空隙之存 在而在分離區内具有較少材料,故沿分離區分離殼體時僅 需自連接70件上移除較少材料,連接㈣之材料所產生的 切屬或顆粒亦較少,該等切屬或顆粒會引起短路,且使殼 艘區域或殼體周圍受到污染。藉由將該第-及第二區域及/ 或該第-及第二空隙布置在第—侧面及第二侧面上,亦可 使分離區内之連接元件得到增強及支m在對連接元 件施加麼力(特別是在垂直於構件之主延伸平面對連接元 件垂直施加壓力)時避免連接元件傾斜或避免連接元件之 基蝕區斷裂。位於第一及第二侧面上的第一及第二區域及/ 或第及第一二隙較佳設汁為拱形結構及/或栅格結構,在 此情況下,僅需藉由連接元件之較少材料即可使連接元件 在分離區内具有較高之機械穩定性。 本發明之有利設計方案及改良方案可自各附屬項及附 圖描述中獲得。 根據-較佳改良方案,第一區域包括第一空隙,以及/ 抑或第二區域包括第二空隙’以及/抑或該構件布置在連接 元件之第一側®上。特別有利者係將第一及帛三空隙設計 為第一及第二蝕區,藉此可在蝕刻過程中較精確地確定第 :及第二空隙的大小(尤指深度)。該構件尤佳藉由材料接 合(特定言之係藉由黏接)固定在連接元件之第一側面上, 藉此可避免構件在成形過程中發生位置變化。 201007893 根據另一較佳改良方案’該構件具有第一主延伸平 面,其中,第-空隙及/或第二空隙包括在連接元件内垂直 於該主延伸平面的第一凹槽及/或第二凹槽。特別有利之處 在於’此種空隙可在㈣過程巾以低成本製成,且可進行 精確設計°另—優點在於,冑由位於第-及第二側面之該 等第一及第二空隙可以較簡單之方式將分離區内的連接= 件e又计成拱形結構及/或柵格結構。
根據另-較佳改良方案,第一凹槽及/或第二凹槽之深 度基本小於連接元件垂直於主延伸平面之總延伸長度,其 中,[凹槽及/或第二凹槽較佳至多包括該總⑨伸長度的 80%,尤佳至多包括該總延伸長度的5()%,尤佳至多包括該 總延伸長度的3〇%。藉此可使連接元件在分離區内的機械 穩定度與連接元件在分離區内的材料量達到最佳比例,從 而達到將連接元件之材料量最小化、穩定度最大化之目的。 根據另-較佳改良方案,該連接元件係一引線框架的 :成部分,以及/抑或該連接元件特定言之藉由第二側面固 -支承、、σ構上’以及’抑或該連接元件包括金屬(尤指 鋼)。特別有利者係藉由材料接合將連接元件固定在該支承 結構上,在此情況下即盔雲 …、需在連接疋件與支承結構之間的 二 i殼體’從而達到藉由支承結構及連 構件進行電接觸之目的。較佳亦可藉由多個沿該主延伸; 接:排ΙΓ其他連接元件及該支承結構對該構件進行電 =連該等其他連接元件尤佳藉由接線與該構件導 201007893 根據另-較佳改良方案,該支承結構包括印刷電路 板,其中,連接元件較佳與該印刷電路板導電相連,藉此 可特別有利地藉由該印刷電路板對連接元件進行電接觸, 確切而言係藉由該電路板透過連接元件對該構件進行 觸。 本發明之另一課題在於提供一種殼體的製造方法,其 中’在第-處理步驟中在第一侧面上製造第—空隙及/或第 一區域,在第二處理步驟中在第二側面上製造第二空隙及/ 或第二區域。藉此可特別有利地以簡單方式在連接元件内 製造栅格結構及/或拱形結構,從而使連接元件在分離區内 具有較高之機械穩定性,以免在受壓時發生傾斜及/或遭到 損壞,與此同時,分離區内之連接元件材料亦較少。在猶 後之薄膜成形過程中將連接元件黏接在薄膜上時,連接元 件係在受Μ之情況下被Μ緊於薄膜上,在此過程中存在連 接元件發生傾斜之危險,然藉由該柵格結構及/或拱形結構 之存在可消除此危險。 根據一較佳改良方案,第一處理步驟包括第一蝕刻過 程,以及/抑或第二處理步驟包括第二钱刻過程,藉此可以 特別精確的方式以最大限度之低成本製造第一及第二空隙 或第一及第二區域。根據另一較佳改良方案,在第三處理 步驟中將構件固定(特定言之係黏接)在第一側面上,藉 此將構件機械固定在連接元件上,從而避免構件在隨後之 黏接、接合及/或成形過程中發生相對於連接元件的位置變 化。 201007893 根據另一較佳改良方案,第四處理步驟包括一接合過 程’該接合過程用於在構件與連接元件之間及/或構件與其 他連接元件之間建立導電連接。藉此可特別有利地藉由多 個其他連接元件對構件進行多極並聯電接觸,其中,該等 連接元件尤佳藉由完全延伸過該總延伸長度之其他第一凹 槽或其他第二凹槽彼此電絕緣。 根據另一較佳改良方案,在第五處理步驟中將第二側 ❷面黏接在薄膜上。藉此可特別有利地使第二側面被薄膜覆 蓋,從而避免隨後之成形過程所用的成形材料附著在第二 側面上。特定言之藉此可在第二側面上構建用於對連接元 件進仃電接觸的接觸面。尤佳之處在於,藉此可以簡單方 式將連接兀件焊接在印刷電路板上,而不會使印刷電路板 與連接元件《間的電接冑受到附著於第二侧面上之成形材 料的阻礙或破壞。將連接元件之第二侧面黏接於薄膜上 時,須朝該薄膜之方向對連接元件施加壓力。在此過程中, 鲁該柵格結構及/或拱形結構可防止連接元件發生傾斜,藉此 可在第二側面與薄膜之間建立均勻且可靠的黏接式接觸, 亦可避免第二側面被稍後之處理過程所用的成形材料覆 蓋。 根據另一較佳改良方案,在第六處理步驟中在構件及/ 或連接元件周圍喷射成形材料,使該成形材料至少部分包 圍構件及/或連接元件。尤佳者係使構件被射出成形材料(尤 指塑料)完全包圍’連接元件被部分包圍,使第二側面及/ 或第一側面上的接觸面敞露或不被成形材料覆蓋,以便實 7 201007893 現接觸。此點特定言之係藉由第二側面上的薄膜而實現。 藉由該喷射過程可避免構件及接線受到外部因素(如施 力、污染、氧化等)的不利影響。 根據另一較佳改良方案,在第七處理步驟中在一分離 區内分離連接7L件,其中,較佳在第一空隙及/或第一區域 之區域内分離連接元件,尤佳至少部分在第二空隙及第 二區域之區域内分離連接元件。藉此可特別有利地以較少 之低成本製造步驟同時製造多個帶連接元件及構件的殼 體,該等殼體在第三處理步驟中被分離。 根據另一較佳改良方案,在第八處理步驟中藉由第二 側面將連接元件及/或其他連接元件布置在支承結構(尤指 電路板)± ’較佳將連接元件及/或其他連接元件焊接 接及/或接合在支承結構上,藉此可以特別有利的方式藉由 該電路板對連接元件或構件進行電接觸。 【實施方式】 相同元件在各附圖内均用相同元件符號表示,故一般 情況下亦僅提及一次。 圖1展示一根據先前技術之殼體i的側 係用於封裝-構件2,其中,殼體丨至少部分包圍一連= 件3 ’構件2與連接元件3之第—側面4導電相連,連接元 件3具有與第一側面4相對布置的第二侧面5。殼體^此外 亦具有兩個其他連接元件3,,該等其他連接元件各藉由一 接線12與構件2導電相連,且被殼體1至少部分包圍。連 201007893 接7G件3及其他連接兀件3,特定言之焊接在印刷電路板形 式的支承結構11上,且與支承結構11 S少部分導電相連, 以便對構件2進行接觸。因此,第二側面5特定言之包括 用於該印刷電路板之接觸面。連接元件3及其他連接元件3, 具有第一空隙8形式之第二蝕區7。連接元件3及其他連接 兀件3藉由第二空隙8之存在亦包括基蝕區。在垂直於構 件2之主延伸平面1〇〇對連接元件3及其他連接元件施 加壓力時’存在連接元件3,因該等基姓區而朝支承結構η 傾斜或連接元件3、3,之該等基蝕區發生斷裂的危險。製造 殼體1時,尤佳在一薄膜成形過程中將連接元件3、3,之第 二侧面5華占接在薄臈丨,藉此避免在隨後的成形過程中有 成形材料到達連接元件3或其他連接元件3,之接觸面,從 而阻礙或破壞與支承結構7的接觸。在該黏接過程中,朝 第二侧面5之方向(確切而言係朝待黏接薄膜之方向)對 連接元件3及其他連接元件3,施加壓力,其中,連接元件$ 〇或其中一其他連接元件3,之傾斜會破壞相應連接元件或 相應之其他連接元件3,之第二侧面5與薄膜之間的黏接' 使隨後之成形過程所用的成形材料到達第二侧面5並附著 於該第二側面上,從而阻礙或破壞與支承結構7的接觸。 同時製造多個殼體1時’相鄰連接元件3, 士 蝕區在一分離區115内彼此相連,分離該等殼體1時 : 離區115内分離該基蝕區及殼體1。 77 圖2展示一根據先前技術之殼體i的局部側視圖,其 中,該殼體i與圖i所示之殼體U本一致,該圖主要對 9 201007893 連接元件3、3’之第二區域7及第二空隙9進行了圖示。分 離區115位於第二空隙9之區域内,該分離區為分離過程指 明須在該過程中自連接元件3或殼體1上移除的材料。藉 由第一空隙9而產生的基蝕區不具有任何在對連接元件3 施加壓力時起穩定連接元件3之作用的支承結構,該基蝕 區特定言之平行於主延伸平面1〇〇延伸過整個分離區115。 圖3所示者係為採用本發明之第一實施方式之殼體工 的局部侧視圖’其中’殼體i之第一實施方式與圖2所示 之殼艎1相似,連接元件3、3,附加具有位於第一側面4上 的第-蝕區6或第一空隙8。第一及第二空隙8、9包括垂 直於主延伸平面100的第一及第二凹槽8,、9,,該等凹槽各 具有一深度116’該深度大致等於連接元件3垂直於主延伸 平面1〇〇之總延伸長度10的5〇%。第一及第二凹槽8,、9, 之存在可顯著減小相關基㈣平行於主延伸平φ⑽的延 伸度’從而使連接元件3在薄膜成形過程中得到可抵抗壓 力施加的支承力作用,藉此可使連接元件3在分離區ιΐ5 内的穩定性得到大幅提高。與此同時’連接元# 3在分離 區的材料量僅出現輕微增大,亦gp,該材料量相對較 /J、〇 圖4展示一採用本發明之第二實施方式之殼體i的局 部側視圖,其中,与r蜜-誊始士斗 μ第一實施方式與圖3所示之第一實施 弋基本相JS]位於第二側面5上的第二空隙9平行於主 延伸平面UK)之寬度大於位於第—侧面4上的第—空隙'8。 圖5所示者係為多個採用本發明之第三實施方式之殼 201007893 體1的俯視圖,其中,該第三實施方式與第一實施方式相 S 該等殼體1尚未分離,其係在隨後之分離過程中沿箭 頭21被分離,其中,箭頭21對準殼體丨之分離區15。 【圖式簡單說明】 圖1為根據先前技術之殼體的側視圖; 圖2為根據先前技術之殼體的局部側視圖; m 圖3為採用本發明之第一實施方式之殼體的局部側視 囷; 圖4為採用本發明之第二實施方式之殼體的局部側視 圖;及 圖5為多個採用本發明之第三實施方式之殼體的俯視 圖。 【主要元件符號說明】
1 :殼體 2 :構件 3 :連接元件 3 f :其他連接元件 4 :第一側面 5 :第二側面 6 :第一蝕區 7·第二姓區/第二區域 8 ··第二空隙/第—空隙 11 201007893 v :第一凹槽 9 :第二空隙 9':第二凹槽 10 :總延伸長度 11 :支承結構 12 :接線 21 :箭頭 100 :主延伸平面 115 :分離區 11 6 :深度
Claims (1)
- 201007893 七、申請專利範圍: 1.-種用於封裝-構件⑺用的 殼體(1)至少部分包圍_連接 ,其中,該 該連接元件⑴之第-側面(4)導電相、車,⑺與 (3 )具有與該第一侧面( 豸連接70件 其特徵在於, (4)相對布置的第二側面⑸, 該第一侧面(4)具有第一蚀 具有第二敍區⑺。 (6) @第二侧面⑸ ❹ ❹ 2·如申請專利範圍第1項之殼體(1),其中, 該第一侧面(4)具有第一空隙( 具有第二空隙⑴。 卩“8)’該第二側面⑺ 3·如申請專利㈣第1或第2項之殼體⑴,其中, 該第-區域包括該第一空隙(8),以及飧或該第二區 域包括該第二空隙⑼,以及/抑或該構件(2)布置在該連 接凡件(3 )之第一侧面(4 )上。 4.如申請專利範圍第1或第2項之殼體⑴,其中, 該構件(2)具有第一主延伸平面(1〇〇),其中,該第 一空隙及/或該第二空隙(8, 9)包括在該連接元件(3)内 垂直於該主延伸平面(1〇〇)的第—凹槽及/或第二凹槽",, 9,)。 5_如申請專利範圍第1或第2項之殼體⑴,其中, =該第一凹槽及/或該第二凹槽(8,,9,)之深度基本小於 該連接元件(3)垂直於該主延伸平面(1〇〇)的總延伸長 度(10),其中,該第一凹槽及/或該第二凹槽(8,,9,)較 13 201007893 佳至多包括該總延伸長度(1 ο)的80%,尤佳至多包括該 總延伸長度(10)的50%,尤佳至多包括該總延伸長度(1〇) 的 30% 〇 6.如申請專利範圍第1或第2項之殼體(1),其中, 該連接元件(3 )係一引線框架的組成部分,以及/抑或 該連接元件(3)特定言之藉由該第二側面(5)固定在支 承結構(11)上,以及/抑或該連接元件(3)包括金屬(尤 指鋼)β 7.如申請專利範圍第i或第2項之殼體〇),其中, 該支承結構(11)包括印刷電路板,其中,該連接元件 (3 )較佳與該印刷電路板導電相連。 8·-種用於製造殼體⑴,特別是用於製造如中請專利 範圍第1項之殼體⑴的製造方法,其特徵在於,隙 側 在第-處理步驟中在該第—侧面(4)上製造該第—空 (8)及/或該第一區域(6),在第二處理步驟中 面(5)上製造該第二空隙 第一 1界及/或該第二區域(7)。 9.如申請專利範圍第8項之製造方法,其中,處 該第-處理步驟包括第一蝕刻過程, 理步驟包括第二蝕刻過程。 以及/抑或該第二 二:_ ”專利範圍第8或第9項之製造方法, 接驟中將該構件⑺固定(特定言二 J在该第—側面(4)上。 二如申請專利範圍第8項之製造方法,其令, 四處理步驟包括-接合過程,該接合過程用於名 14 201007893 構件(2)與該連接元件(3)之間及/或該構件⑺與其他 連接元件(3’)之間建立導電連接(12)。 12·如申請專利範圍第8項之製造方法,其中, 在第五處理步驟中將該第二侧面(5)黏接在薄膜上。 13.如申請專利範圍第8項之製造方法,其中, 在第六處理步驟中在該構件⑺及/或該連接元件(3)周圍喷射成形材料,使該成形材料至少部分包圍該構件(2) 及/或該連接元件(3)。 14. 如申請專利範圍第8項之製造方法,其中, f七處理步驟中在—分離區(115)内分離該連接元 。3),其令,較佳在該第一空隙(8)及/或該第一區域(6) ^域内分離該連接元件(3),尤佳至少部分在該第二空 及/或該第二區域(7)之區域内分離該連接元件(3)。 15. 如申請專利範圍第8項之製造方法,其中, 在第A處理步驟中藉由該第二侧面(5)將該連接元件 及/或該其他連接元件右番 指電路柄w 支承結構(11)(尤 件(3板)上,較佳將該連接元件(3)及/或該其他連接元 焊接、黏接及/或接合在該支承結構(11)上。 八、圖式: (如次頁) 15
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